專(zhuān)利名稱(chēng)：一種顯影后的光刻膠層的對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說(shuō)是涉及一種顯影后的光刻膠層的對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的發(fā)展，集成電路的制作工藝也越來(lái)也精細(xì)。在半導(dǎo)體制作工藝中，當(dāng)硅片表面涂布光刻膠后，為了將掩膜版上的圖像轉(zhuǎn)移到光刻膠上，需要對(duì)光刻膠進(jìn)行定位、曝光以及顯影，整個(gè)過(guò)程中的每個(gè)工藝步驟之后都會(huì)進(jìn)行相應(yīng)的檢驗(yàn)，其中，對(duì)光刻膠顯影后的檢測(cè)可以稱(chēng)為顯影后檢查(ADI, After Developing Inspection)。顯影后檢查一般包括缺陷檢查、線(xiàn)寬測(cè)量和對(duì)準(zhǔn)測(cè)量等操作。其中對(duì)準(zhǔn)操作是對(duì)顯影后的光刻膠層的圖形規(guī)則程度的檢查，各層圖像的套準(zhǔn)檢查等。但是，在對(duì)顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)時(shí)所用的光源很容易對(duì)顯影后的光刻膠層上的光刻膠造成損傷，進(jìn)而影響后續(xù)的制作工藝，使得制作出的集成電路板質(zhì)量較差。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種顯影后的光刻膠層的對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)方法，在對(duì)顯影后的光刻膠進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)時(shí)，能減少對(duì)顯影后的光刻膠層上的光刻膠的損傷。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種顯影后的光刻膠層的對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)方法，包括設(shè)定對(duì)顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)的光源參數(shù)，并將光源參數(shù)中的相對(duì)光強(qiáng)設(shè)定為小于500 ；依據(jù)所述設(shè)定的光源參數(shù)和所述相對(duì)光強(qiáng)，對(duì)所述顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)。優(yōu)選的，將所述相對(duì)光強(qiáng)設(shè)定為150。優(yōu)選的，設(shè)定的光源參數(shù)還包括將所述對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用光源的曝光劑量設(shè)定為大于 O. 03J/cm2 且小于 O. 06J/cm2。優(yōu)選的，將所述對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用的光源的曝光劑量設(shè)定為O. 05J/cm2。 優(yōu)選的，所述對(duì)準(zhǔn)所用的光源為紫外光源。優(yōu)選的，所述紫外光源為準(zhǔn)分子激光。經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明公開(kāi)提供了一種顯影后的光刻膠層的對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)方法，將對(duì)顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用的相對(duì)光強(qiáng)設(shè)定為小于500，通過(guò)降低對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用光源的光強(qiáng)來(lái)降低對(duì)顯影后的光刻膠層的損傷，進(jìn)而提高了集成電路板的質(zhì)量。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明一種顯影后的光刻膠層的對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)方法一個(gè)實(shí)施例的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍?，F(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)完成顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)對(duì)顯影后的光刻膠層上的光刻膠造成損傷。發(fā)明人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中在對(duì)顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的過(guò)程中所用的光源與進(jìn)行曝光時(shí)所用的I線(xiàn)光源的光強(qiáng)能量很接近，現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)時(shí)，所用的光源的相對(duì)光強(qiáng)一般均大于或等于500。而在該相對(duì)光強(qiáng)下，對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用光源的光強(qiáng)較大很容易損傷顯影后的光刻膠層，而適當(dāng)?shù)慕档蛯?duì)準(zhǔn)檢測(cè)的光源的光強(qiáng)并不會(huì)降低對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)的準(zhǔn)確性，但卻能夠避免對(duì)顯影后光刻膠層的損傷，因此發(fā)明人降低對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用的光源的相對(duì)光強(qiáng)，進(jìn)而降低了光源的光強(qiáng)，避免了對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)過(guò)程中對(duì)顯影后的光刻膠層的損傷。參見(jiàn)圖1，為本發(fā)明一種顯影后的光刻膠層的對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)方法一個(gè)實(shí)施例的流程示意圖，本實(shí)施例的方法包括步驟101 :設(shè)定對(duì)顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)的光源參數(shù)，并將光源參數(shù)中的相對(duì)光強(qiáng)設(shè)定為小于500 ；在半導(dǎo)體工藝中，在對(duì)硅片涂布光刻膠并前烘后，將帶膠硅片與投影掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，然后進(jìn)行曝光和顯影以便將掩膜版上的圖形復(fù)制到帶膠硅片上。顯影完成之后，為了檢測(cè)顯影后的光刻膠層上的圖形的規(guī)則程度，需要進(jìn)行顯影后檢查。顯影后檢查需要借助紫外光源對(duì)顯影后的光刻膠層進(jìn)行檢查，為了檢測(cè)出光刻膠層上圖形是否規(guī)則、是否滿(mǎn)足要求就需要對(duì)顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)。對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)過(guò)程前需要設(shè)定對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用的光源參數(shù)，如光源的相對(duì)光強(qiáng)、光源的曝光能量以及透鏡的分光參數(shù)等。而光源參數(shù)中相對(duì)光強(qiáng)是反映光源強(qiáng)度的一個(gè)重要指標(biāo)，而現(xiàn)有技術(shù)中在顯影后檢查時(shí)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用光源的相對(duì)光強(qiáng)均大于或等于500，而在相對(duì)光強(qiáng)大于或等于500時(shí)，對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)時(shí)所用的光源的光強(qiáng)與利用I線(xiàn)曝光的光源強(qiáng)度很接近，因此在進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)時(shí)，很容易對(duì)顯影后的光刻膠層的光刻膠造成損傷。為了避免對(duì)顯影后的光刻膠層上的光刻膠的損傷，可以適當(dāng)降低顯影后檢查中對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)時(shí)所用光源的相對(duì)光強(qiáng)，而降低光源的相對(duì)光強(qiáng)可以在既不損傷光刻膠的同時(shí)又完成對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)的操作。步驟102 :依據(jù)所述設(shè)定的光源參數(shù)和所述相對(duì)光強(qiáng)，對(duì)所述顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)。在設(shè)定了光源參數(shù)，并將相對(duì)光強(qiáng)設(shè)定在500以下，就可以對(duì)顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)。其中，設(shè)定對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用的相對(duì)光強(qiáng)可以小于500，但并不是相對(duì)光強(qiáng)與500的差距越大越好，還需要滿(mǎn)足對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)過(guò)程中所需的光強(qiáng)，可以將該相對(duì)光強(qiáng)設(shè)定為120-180的范圍內(nèi)，經(jīng)過(guò)試驗(yàn)分析，當(dāng)相對(duì)光強(qiáng)設(shè)定為150，對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)的精度最高，且在相對(duì)光強(qiáng)為150時(shí)，對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)的過(guò)程中對(duì)顯影后的光刻膠層上的光刻膠造成損傷的可能性最小。在顯影后檢查的對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)過(guò)程中，可能需要利用對(duì)準(zhǔn)光標(biāo)對(duì)顯影后的光刻膠層進(jìn)行圖形規(guī)則程度檢測(cè)，其中對(duì)準(zhǔn)光標(biāo)也就是對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)過(guò)程中，在光刻膠層上標(biāo)識(shí)顯示對(duì)準(zhǔn)位置的標(biāo)志，與計(jì)算機(jī)中的光標(biāo)相似，但是該對(duì)準(zhǔn)光標(biāo)一般為十字形光標(biāo)。當(dāng)降低對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)過(guò)程中的相對(duì)光強(qiáng)時(shí)，對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用光源的光強(qiáng)會(huì)變?nèi)?，因此?duì)準(zhǔn)檢測(cè)過(guò)程中檢測(cè)的靈敏度會(huì)相應(yīng)的變?nèi)酰蛘哒f(shuō)，對(duì)準(zhǔn)光標(biāo)的對(duì)準(zhǔn)能力以及靈敏度會(huì)降低，為了不影響檢測(cè)的靈敏度，發(fā)明人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)適當(dāng)?shù)奶岣吖庠吹钠毓鈩┝?，可以提高?duì)準(zhǔn)檢測(cè)的靈敏度，可以將光源的曝光劑量設(shè)定為大于O. 03J/cm2且小于O. 06J/cm2。在現(xiàn)有技術(shù)中，顯影后檢查中對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用光源的曝光劑量一般為O. 03J/cm2，但是在這種曝光劑量下，對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)的靈敏度會(huì)很低，為了提高靈敏度可以將光源的曝光劑量提高，經(jīng)驗(yàn)證當(dāng)光源的曝光劑量為O. 05J/cm2時(shí)，靈敏度較高。進(jìn)一步的，為了保證對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)過(guò)程中的精確度以及靈敏度，可以將對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)的中的光源的相對(duì)光強(qiáng)設(shè)定為150，同時(shí)將曝光劑量設(shè)定為O. 05J/cm2。需要說(shuō)明的是，在顯影后檢查中對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用的光源為紫外光源，具體的紫外光源可以為準(zhǔn)分子激光，當(dāng)然可以為其他的紫外光源。本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯影后的光刻膠層的對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)方法，其特征在于，包括 設(shè)定對(duì)顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)的光源參數(shù)，并將光源參數(shù)中的相對(duì)光強(qiáng)設(shè)定為小于500 ； 依據(jù)所述設(shè)定的光源參數(shù)和所述相對(duì)光強(qiáng)，對(duì)所述顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，將所述相對(duì)光強(qiáng)設(shè)定為150。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2任一項(xiàng)所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，設(shè)定的光源參數(shù)還包括將所述對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用光源的曝光劑量設(shè)定為大于O. 03J/cm2且小于O. 06J/cm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，將所述對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)所用的光源的曝光劑量設(shè)定為O. 05J/cm2。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)所用的光源為紫外光源。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，所述紫外光源為準(zhǔn)分子激光。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種顯影后的光刻膠層的對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)方法，包括設(shè)定對(duì)顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)的光源參數(shù)，并將光源參數(shù)中的相對(duì)光強(qiáng)設(shè)定為小于500；依據(jù)所述設(shè)定的光源參數(shù)和所述相對(duì)光強(qiáng)，對(duì)所述顯影后的光刻膠層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)。該方法在對(duì)顯影后的光刻膠進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)時(shí)，能減少對(duì)顯影后的光刻膠層上的光刻膠的損傷。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102929111SQ20111022876
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2011年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者顧英 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司