專利名稱：光刻設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和一種器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進機，在所述步進機中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向) 掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。已經(jīng)提出將光刻投影設(shè)備中的襯底浸入到具有相對高折射率的液體(例如水) 中，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。在一實施例中，液體是蒸餾水，但是可以使用其他液體。本發(fā)明的實施例將參考液體進行描述。然而，其它流體也可能是適合的，尤其是潤濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣折射率高的折射率的流體，期望是具有比水的折射率高的折射率的流體。除氣體以外的流體是尤其希望的。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)更小特征的成像，因為在液體中曝光輻射將會具有更短的波長。(液體的影響也可以被看成提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達IOnm的顆粒) 的液體。這種懸浮的顆?？梢跃哂谢虿痪哂信c它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。 其他可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底與襯底臺浸入液體浴器(參見，例如美國專利No. US4, 509，852)意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機，而液體中的湍流可能會導(dǎo)致不希望的或不能預(yù)期的效果。提出來的解決方法之一是液體供給系統(tǒng)，用以通過使用液體限制系統(tǒng)將液體僅提供到襯底的局部區(qū)域并且在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間(通常襯底具有比投影系統(tǒng)的最終元件更大的表面積)。提出來的一種用于布置上述解決方案的方法在公開號為 W099/49504的PCT專利申請出版物中公開了。如圖2和圖3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底相對于最終元件移動的方向，通過至少一個入口 IN供給到襯底上，并且在已經(jīng)通過投影系統(tǒng)下面之后，通過至少一個出口去除。也就是說，當襯底在所述元件下沿著-χ方向掃描時，液體在元件的+X —側(cè)供給并且在-X —側(cè)去除。圖2是所述配置的示意圖，其中液體通過入口供給，并在元件的另一側(cè)通過與低壓源相連的出口去除。在圖2中，雖然液體沿著襯底相對于最終元件的移動方向供給，但這并不是必須的?？梢栽谧罱K元件周圍設(shè)置各種方向和數(shù)目的入口和出口 ；圖3示出了一個實例，其中在最終元件的周圍在兩側(cè)上以規(guī)則的重復(fù)方式設(shè)置了四組入口和出口。液體供給和液體回收裝置中的箭頭表示液體流動的方向。在圖4中示出了另一個具有液體局部供給系統(tǒng)的浸沒光刻方案。液體由位于投影系統(tǒng)PS兩側(cè)上的兩個槽狀入口供給，由設(shè)置在入口的徑向向外的位置上的多個離散的出口去除。所述入口和出口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，投射束通過該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個槽狀入口提供，而由位于投影系統(tǒng)PS的另一側(cè)上的多個離散的出口去除，由此造成投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可以依賴于襯底W的移動方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。在圖4的橫截面視圖中，箭頭表示液體流入入口和流出出口的方向。在歐洲專利申請公開出版物EP1420300和美國專利申請公開出版物 US2004-0136494中，公開了一種成對的或雙臺浸沒式光刻設(shè)備的方案。這種設(shè)備設(shè)置有兩個臺用以支撐襯底。調(diào)平(levelling)測量在沒有浸沒液體的工作臺的第一位置處進行， 曝光在存在浸沒液體的工作臺的第二位置處進行?？蛇x的是，設(shè)備僅具有一個臺。PCT專利申請公開出版物WO 2005/064405公開了一種全浸濕布置，其中浸沒液體是不受限制的。在這種系統(tǒng)中，襯底的整個頂部表面覆蓋在液體中。這可以是有利的，因為襯底的整個頂部表面在基本上相同的條件下進行曝光。這對于襯底的溫度控制和處理是有利的。在W02005/064405中，液體供給系統(tǒng)提供液體到投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的間隙。液體被允許泄漏到襯底的其他部分。襯底臺的邊緣處的阻擋件防止液體逸出，使得液體可以從襯底臺的頂部表面以受控制的方式去除。雖然這樣的系統(tǒng)改善了襯底的溫度控制和處理，但仍然可能發(fā)生浸沒液體的蒸發(fā)。幫助緩解這個問題的一種方法在美國專利申請公開出版物No. US 2006/0119809中有記載。設(shè)置一種構(gòu)件覆蓋襯底W的所有位置，并且將其布置成使浸沒液體在所述構(gòu)件和襯底和/或保持襯底的襯底臺的頂部表面之間延伸。

發(fā)明內(nèi)容
在光刻技術(shù)中，經(jīng)常通過傳感器執(zhí)行一個或多個性質(zhì)(例如位置)的測量，在傳感器中輻射束通過發(fā)射器被投射到標記上。該束可能被其路徑中的任何物體或因素干擾。這可能導(dǎo)致將誤差引入至讀取過程中，導(dǎo)致不能讀取，或?qū)е伦x取完全錯誤。期望地，例如減小或消除在傳感器讀取中存在誤差的風險。 根據(jù)本發(fā)明一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括傳感器，包括用以將輻射束沿傳感器束路徑投射至標記的發(fā)射器；第一出口，用于提供沿傳感器束路徑的湍流流體流；第二出口，用以提供基本上包圍所述湍流流體流的層狀流體流。根據(jù)本發(fā)明一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括臺，布置成定位在投影系統(tǒng)下面； 流體供給系統(tǒng)，用以在投影系統(tǒng)和所述臺之間提供流體；傳感器，用以測量所述臺相對于參照位置的位置，傳感器包括發(fā)射器以及包括標記的標記結(jié)構(gòu)，發(fā)射器相對于參照位置是固定的并且所述標記被定位在臺上，或發(fā)射器被定位在臺上并且標記相對于參照位置是固定的；出口，用以提供氣流以移動標記結(jié)構(gòu)和/或發(fā)射器上的液體液滴和/或阻止液體液滴移動到標記結(jié)構(gòu)和/或發(fā)射器上。根據(jù)本發(fā)明一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影到襯底上，其中通過使用發(fā)射器將輻射束沿傳感器束路徑投射至標記來測量性質(zhì)，和其中將具有第一特性的被熱調(diào)節(jié)的流體的第一流提供至傳感器束路徑的至少一部分，和在來自第一出口的被熱調(diào)節(jié)的流體附近提供具有第二流動特性的被熱調(diào)節(jié)的流體的第二流，第二流動特性與第一流動特性不同。根據(jù)本發(fā)明一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束通過浸沒液體投影至定位在臺上的襯底上，其中通過使用發(fā)射器發(fā)射輻射束到標記結(jié)構(gòu)的標記上來測量所述臺相對于參照位置的位置，其中發(fā)射器相對于參照位置是固定的且標記被定位在臺上，或者發(fā)射器被定位在臺上而標記相對于參照位置是固定的，且其中提供氣流以移動標記結(jié)構(gòu)和/或發(fā)射器上的液體液滴和/或阻止液體液滴移動到標記結(jié)構(gòu)和/或發(fā)射器上。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實施例，其中，在附圖中相應(yīng)的附圖標記表示相應(yīng)的部件，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例的光刻設(shè)備；圖2和3示出用于光刻投影設(shè)備中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出用于光刻投影設(shè)備中的另一液體供給系統(tǒng)；圖5示出阻擋構(gòu)件的剖視圖，其中阻擋構(gòu)件可以用在本發(fā)明的實施例中作為浸沒液體供給系統(tǒng)；圖6示意地示出根據(jù)本發(fā)明的一實施例的傳感器的剖視圖；圖7示出根據(jù)本發(fā)明的一實施例的傳感器的平面圖；圖8以剖視圖的方式示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的、傳感器在光刻設(shè)備內(nèi)的位置；圖9示出根據(jù)本發(fā)明還一個實施例的傳感器的剖視圖；圖10以剖視圖的方式示出本發(fā)明另一實施例；圖11示出圖10中的實施例的平面圖。
具體實施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如，掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；-襯底臺(例如，晶片臺)WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如，涂覆有抗蝕劑的晶片) W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如，折射式投影透鏡系統(tǒng))PS,其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置的方
6向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩模”都可以認為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語“投影透鏡”可以認為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的圖案形成裝置臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實體(例如當該源為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源SO看成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD 的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當所述源是汞燈時)。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括配置用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。類似源S0，照射器IL可以被看成或可不被看成形成光刻設(shè)備的一部分。例如，照射器IL可以是光刻設(shè)備的一部分或是與光刻設(shè)備分立的實體。在后一種情形中，光刻設(shè)備可以配置成允許照射器IL安裝其上?？蛇x地，照射器IL是可拆卸的并且可以單獨地設(shè)置(例如，通過光刻設(shè)備制造商或其他供應(yīng)商)。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置 (例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺 WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連， 或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對準標記M1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標記占據(jù)了專用目標部分，但是它們可以位于目標部分之間的空間(這些公知為劃線對齊標記)中。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準標記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu) MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一種模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列) 的無掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用模式。用于在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底之間提供液體的布置可以分成兩種一般類別。它們是浴器類型布置和所謂的局部浸沒系統(tǒng)，在浴器類型布置中，整個襯底W和可選地襯底臺的一部分浸入到液體浴器中；在所謂的局部浸沒系統(tǒng)中使用液體供給系統(tǒng)，以將液體僅提供到襯底的局部區(qū)域。在后一種類別中，由填充液體的空間在平面圖中小于襯底的頂部表面，當襯底W在液體填充的區(qū)域下面移動的同時，所述區(qū)域相對于投影系統(tǒng)PS基本上保持靜止。本發(fā)明一實施例涉及的另一布置是全浸濕方案，其中液體是非限制的。在這種布置中，襯底臺的全部或部分和襯底的基本上整個頂部表面覆蓋在浸沒液體中。液體覆蓋至少襯底的深度小。液體可以是位于襯底上的液體膜、例如液體薄膜。圖2-5中的任何液體供給裝置也可以用于這種系統(tǒng)中；然而，密封特征不存在、沒有起作用、不如正常狀態(tài)有效，或者以其它方式不能有效地僅將液體密封在局部區(qū)域。圖2-5中示出了四種不同類型的局部液體供給系統(tǒng)。上面描述了在圖2-4中公開的液體供給系統(tǒng)。已經(jīng)提出的另一種布置是提供具有液體限制構(gòu)件的液體供給系統(tǒng)，所述液體限制構(gòu)件沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺之間的空間的至少一部分邊界延伸。這種布置在圖5 中示出。盡管可以在Z方向(在光軸的方向)上存在一些相對移動，但是所述液體限制構(gòu)件在XY平面內(nèi)相對于投影系統(tǒng)基本上是靜止的。在液體限制構(gòu)件和襯底的表面之間形成密封。在一實施例中，在液體限制結(jié)構(gòu)和襯底的表面之間形成密封，并且密封可以是非接觸密封，例如氣體密封。在美國專利申請出版物第US 2004-02078M號中公開了這種系統(tǒng)。圖5示意地示出了具有阻擋構(gòu)件12、IH的局部液體供給系統(tǒng)。所述阻擋構(gòu)件沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺WT或襯底W之間的空間的邊界的至少一部分延伸。(要說明的是，如果沒有特別地說明，在下文中提到的襯底W的表面也附加地或替代地表示襯底臺的表面)。盡管可以在Z方向上(在光軸的方向上)存在一些相對移動，但是阻擋構(gòu)件12在 XY平面內(nèi)相對于投影系統(tǒng)基本上是靜止的。在一實施例中，密封被形成在阻擋構(gòu)件和襯底 W的表面之間，并且可以是非接觸密封，例如流體密封，期望是氣體密封。阻擋構(gòu)件12至少部分地將液體限制在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間的空間11內(nèi)。對襯底W的非接觸密封16可以形成在投影系統(tǒng)的像場周圍，使得液體被限制在襯底W表面和投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間內(nèi)。該空間至少部分地由位于投影系統(tǒng) PS的最終元件的下面和周圍的阻擋構(gòu)件12形成。液體通過液體入口 13被引入到投影系統(tǒng)下面和阻擋構(gòu)件12內(nèi)的所述空間中。液體可以通過液體出口 13被去除。所述阻擋構(gòu)件 12可以延伸至略高出投影系統(tǒng)的最終元件的位置處。液面高于最終元件，使得能提供液體的緩沖器。在一個實施例中，所述阻擋構(gòu)件12的內(nèi)周在上端處的形狀與投影系統(tǒng)的形狀或投影系統(tǒng)的最終元件的形狀緊密地一致，例如可以是圓形。在底部，所述內(nèi)周與像場的形狀緊密地一致，例如矩形，雖然這并不是必須的。在一實施例中，液體通過在使用時在阻擋構(gòu)件12的底部和襯底W的表面之間形成的氣體密封16被限制在空間11中。氣體密封由氣體形成，例如空氣或合成空氣，但是在一個實施例中為氮氣N2或其他惰性氣體。該氣體密封中的氣體在壓力下通過入口 15被提供到阻擋構(gòu)件12和襯底W之間的間隙。該氣體通過出口 14抽取。氣體入口 15處的過壓、出口 14處的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得形成向內(nèi)的限制液體的高速氣流16。氣體作用在阻擋構(gòu)件12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間11內(nèi)。入口 /出口可以是圍繞空間11的環(huán)形槽。環(huán)形槽可以是連續(xù)的或非連續(xù)的。氣流16有效地將液體限制在空間11中。在美國專利申請出版物第2004-02078M號中公開了這種系統(tǒng)。圖5中的示例是所謂的局部區(qū)域布置，其中液體在任一時刻僅被提供到襯底W的頂部表面的局部區(qū)域。其他布置是可以的，包括流體處理系統(tǒng)，其使用單相抽取器或兩相抽取器，例如在美國專利申請出版物第US 2006-0038968號中公開的。在一個實施例中，單相或兩相抽取器可以包括由多孔材料覆蓋的入口。在單相抽取器的一個實施例中，多孔材料被用來將液體和氣體隔離開以實現(xiàn)單液體相液體抽取。多孔材料下游的室被保持在輕微的負壓下并且填充有液體。該室內(nèi)的負壓使得在多孔材料的孔中形成的彎液面阻止周圍的氣體被抽入室內(nèi)。然而，當多孔材料的表面與液體接觸時，不存在彎液面限制流動并且液體可以自由地流入到室內(nèi)。多孔材料具有大量的小孔，例如直徑范圍在5-300 μ m，期望在 5_50μπι的范圍內(nèi)。在一實施例中，多孔材料是至少輕微地親液性的(例如，親水性的)，也就是與浸沒液體(例如水)具有小于90°的接觸角。另一種可能的布置是以氣體拖曳原理工作(gas drag principle)的布置。所謂的氣體拖曳原理已經(jīng)在例如美國專利申請出版物第US2008-0212046、US2009-0279060以及 US2009-0279062號中描述。在所述系統(tǒng)中，期望地，抽取孔布置成具有角部的形狀。該角部可以與步進或掃描方向?qū)R。與兩個出口沿與掃描方向相垂直的方向被對齊的情形相比， 該布置減小了沿步進或掃描方向、對于給定速度施加在流體處理結(jié)構(gòu)的表面中的兩個開口之間的彎液面上的力。在US 2008-0212046中還公開的是定位在主液體回收特征的徑向外側(cè)的氣刀。 氣刀捕獲任何通過主液體回收特征的液體。這種氣刀在所謂的氣體拖曳原理布置中(如 US2008-0212046中公開的)、在單相或兩相抽取器布置中(例如在美國專利申請出版物第 US2009-0262318號中公開的)或任何其他布置中存在。許多其他類型的液體供給系統(tǒng)是可以的。本發(fā)明不限于任何特定類型的液體供給系統(tǒng)。如本發(fā)明說明書下文中描述的，本發(fā)明的實施例可以使用任何類型的液體局部供給系統(tǒng)。本發(fā)明的實施例尤其涉及與任何液體局部供給系統(tǒng)一起用作液體供給系統(tǒng)。而且， 本發(fā)明不限于通過浸沒流體或液體完成成像的光刻設(shè)備。用在光刻設(shè)備中的許多傳感器依賴于由發(fā)射器傳遞至標記的輻射束。所述標記可以是傳感器，可以是傳感器前面的標記或可以是將束從輻射器轉(zhuǎn)向(例如，反射、折射、衍射)至接收器的標記。由于所采用的從傳感器至所述標記(和到標記上)的傳感器束路徑不是完全一致的材料，這種類型的傳感器可能會具有誤差和/或不準確性。例如，傳感器束路徑中的灰塵、來自例如浸沒流體供給系統(tǒng)的液體或具有變化的溫度和/或成分和/或濕度的流體(例如，氣體)都可以導(dǎo)致傳感器讀取的不準確和/或誤差。在非均勻性的流體的情形中，流體的成分和/或溫度和/或濕度的變化可以導(dǎo)致折射率的改變，因此引入誤差或不準確至傳感器的讀取中。發(fā)射器和標記之間(以及標記和接收器之間)的流體可以被調(diào)節(jié)以便減小或最小化傳感器束所通過的流體的折射率的改變。在一個示例中，氣體的湍流被用以混合溫度經(jīng)過調(diào)節(jié)的氣體。以此方式，在調(diào)節(jié)過的氣體的整個體積上(沿傳感器束路徑的長度)分開溫度、濕度或壓強的局部差異，由此導(dǎo)致在傳感器束路徑的整個長度上基本上恒定的氣體性質(zhì)。湍流的缺點在于，其還混入了來自傳感器附近的環(huán)境中的未調(diào)節(jié)氣體。這種未調(diào)節(jié)氣體隨后可能進入傳感器束路徑，從而導(dǎo)致誤差。這是因為未調(diào)節(jié)氣體可能是具有不同的溫度、濕度和/或成分(的氣體)或可以包含顆粒。未調(diào)節(jié)氣體與被調(diào)節(jié)的氣體的混合可以對傳感器束路徑中的氣體的折射率的穩(wěn)定性產(chǎn)生負面的影響。這降低了傳感器的精確性。湍流導(dǎo)致傳感器的束路徑中折射率的高的均勻性或一致性。湍流的主要缺點是在湍流中夾帶的大量的未調(diào)節(jié)氣體，這導(dǎo)致低的絕對折射率穩(wěn)定性。
通過在傳感器束路徑中形成氣體層流，可以獲得折射率的高的穩(wěn)定性。氣體層流基本上不會夾帶未調(diào)節(jié)氣體。因此這導(dǎo)致靜止時低的傳感器噪聲和高的穩(wěn)定性。然而，在傳感器的一個部件相對于傳感器的另一部件移動期間(例如在光刻投影設(shè)備中使用的某些傳感器中)，層流可以產(chǎn)生高的折射率梯度(不一致性)，其導(dǎo)致系統(tǒng)測量誤差。本發(fā)明的一個實施例將層流的低的靜態(tài)噪聲性質(zhì)與湍流的高的動態(tài)混合性質(zhì)結(jié)
I=I O下文中參照例如在美國專利申請出版物第US 2010/0157263號中的傳感器描述本發(fā)明的一個實施例，該專利申請出版物以引用的方式全文并入本文，但是本發(fā)明的實施例可以應(yīng)用至發(fā)射器將輻射束投射到標記的任何傳感器。這種傳感器包括發(fā)射器20，用以將輻射束B投射到標記30上。標記30將由發(fā)射器20投射的輻射束B轉(zhuǎn)向至接收器40，接收器在一個實施例中被定位成與發(fā)射器20緊鄰。圖6中示出通過實線箭頭示出的流體流調(diào)節(jié)輻射束B (虛線示出的傳感器束路徑)的路徑。下面的說明假定流體為氣體，但是同樣也可以為液體。在圖6中，發(fā)射器20和接收器40被安裝在襯底臺WT上。標記30相對于參照位置(例如相對于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)PS，如圖8所示)以固定關(guān)系安裝。發(fā)射器20和接收器40可以相對于參照位置以固定關(guān)系安裝并且標記30可以安裝到襯底臺WT上，例如如圖 9-11所示。附加地，傳感器可以用以測量除襯底臺以外的其他臺的位置(例如測量臺，用于承載一個或多個傳感器而不像襯底臺WT那樣支撐襯底)?？蛇x地，傳感器可以用以測量支撐圖案形成裝置MA的支撐結(jié)構(gòu)MT的位置。此外，本發(fā)明的一實施例可以應(yīng)用至其他類別的傳感器。例如，本發(fā)明一實施例可以應(yīng)用至干涉?zhèn)鞲衅飨到y(tǒng)，所述干涉?zhèn)鞲衅飨到y(tǒng)測量臺 (例如襯底臺)或其他物體的位置。附加地，本發(fā)明的一實施例可以應(yīng)用至其他類型的傳感器，包括劑量傳感器、SMASH傳感器(用于與對稱標記的對準的自參照干涉儀，例如在歐洲專利申請出版物第EP-A-1，148，390號中描述的，這里以引用的方式全文并入)、透射圖像傳感器、對準傳感器以及水平傳感器。本發(fā)明的一實施例適于傳感器，其中發(fā)射器20和標記30和/或接收器40和標記30僅分開若干厘米，例如分開IOcm或更少，期望分開5cm或更少。圖6中的傳感器測量在XY平面(襯底臺WT的頂部表面的平面)內(nèi)以及在正交Z 方向(設(shè)備的光軸的方向)上襯底臺WT相對于標記30的位置。傳感器測量位置達到亞納米精確度。由于傳感器的工作原理，與Z方向相比，X和Y方向的對折射率變化的敏感性不同。傳感器的XY精確度依賴于沿傳感器束路徑的高的折射率均勻性或一致性，而Z精確度要求高的絕對折射率穩(wěn)定性。通過源50提供經(jīng)過熱調(diào)節(jié)的氣體。因為發(fā)射器20和接收器40被設(shè)置在移動的物體上，所以在襯底臺WT相對于柵格30速度達到2m/s的移動期間和在停止期間，氣流應(yīng)該保持均勻性和穩(wěn)定性。附加地，氣流對于光刻設(shè)備內(nèi)的其他氣體擾動應(yīng)該是具有魯棒性的。圖6公開一種光刻設(shè)備，包括傳感器、第一出口 110、以及第二出口 120。該傳感器包括發(fā)射器20，用以沿傳感器束路徑將輻射束B投射至標記30。第一出口 110提供沿傳感器束路徑的湍流流體流。第二出口 120提供基本上包圍湍流流體流的層流流體流。第一出口 110可以設(shè)置在發(fā)射器20和接收器40附近。第一出口 110布置成從源50提供氣體。在離開出口 110后，氣體移動至傳感器束路徑。所述氣體可以是氣體的混合物或可以是單一氣體，例如惰性氣體(例如氮)?？梢哉{(diào)節(jié)氣體的溫度、濕度和/或成分。 第一出口 110可以構(gòu)造成提供經(jīng)過熱調(diào)節(jié)的氣體。第一出口 110可以構(gòu)造成提供具有第一流動特性的氣體。第一出口 110配置成提供第一流體作為湍流。例如，第一流動特性可以是大于4000的雷諾數(shù)，期望是大于8000的雷諾數(shù)。第一出口 110可以是單一連續(xù)出口或一系列的出口，例如在一條線上的離散的出口。第一出口 110配置成使得第一出口排出的氣體圍繞傳感器束路徑和/或流入傳感器束路徑。在一個實施例中，第一出口 Iio圍繞發(fā)射器20和/或接收器40，如圖7所示。提供第二出口 120。第二出口 120可以與第一出口 110關(guān)聯(lián)。第二出口 120構(gòu)造并布置成提供來自源50的氣流。可以在來自第一出口 110的氣體附近提供來自第二出口 120的氣體。第二出口 120可以構(gòu)造并配置成提供經(jīng)過熱調(diào)節(jié)的氣體。第二出口 120可以構(gòu)造并配置成提供具有第二流動特性的氣體。第二流動特性可以與第一流動特性不同。第二出口 120配置成提供具有第二流動特性的氣體作為層流。例如，第二出口配置成提供具有小于2300的雷諾數(shù)的氣體，期望具有小于2000雷諾數(shù)的氣體。從第二出口 120流出的氣流用作屏蔽，以基本上阻止第二出口 120相對于傳感器光軸的徑向向外側(cè)處的未調(diào)節(jié)氣體被離開第一出口 110的氣體的湍流所夾帶。因此，第二出口 120配置成使得第二氣體流基本上阻止了未調(diào)節(jié)氣體到達傳感器束路徑。未調(diào)節(jié)氣體可以具有可能干擾束B的顆粒、 成分、溫度和/或濕度的量。第二出口 120在第一出口 110的、與第一出口 110的發(fā)射器20和接收器40設(shè)置所在的一側(cè)相對的一側(cè)上。如圖7所示，第一出口 110和第二出口 120都圍繞發(fā)射器20和接收器40。第二出口 120可以圍繞第一出口 110。第一和第二出口 110、120是同心的。發(fā)射器20和接收器 40定位在第一出口 110內(nèi)。第一和第二出口 110、120提供氣流，如圖6所示。氣流沿著基本上平行于傳感器束路徑的方向的方向。也就是說，該氣流朝向標記30。通過第一出口 110的內(nèi)部流是湍流。 湍流夾帶來自于離開第二出口 120的層流的流體。這有助于在襯底臺WT以高速移動時保證良好的動態(tài)混合性質(zhì)。這幫助導(dǎo)致低的系統(tǒng)XY位置測量誤差。附加地，這有助于通過僅在湍流的外部主動地提供氣體來解決由湍流夾帶未調(diào)節(jié)氣體的問題。通過將可能進入經(jīng)過調(diào)節(jié)的氣體體積中的任何未調(diào)節(jié)氣體吹走，層流實質(zhì)上用作密封。未調(diào)節(jié)氣體停留在層流的外部，并且基本上被阻止進入調(diào)節(jié)過的體積中。在標記30、襯底臺WT以及第一出口 110之間限定的體積內(nèi)顯著地減少未調(diào)節(jié)氣體的量是可實現(xiàn)的。在僅設(shè)置第一出口 110的情況下，在掃描速度為0、0. 7以及1. 4m/s時該體積可以分別包含51%、M%以及62%的未調(diào)節(jié)氣體。相對比，在設(shè)置提供層流的第二出口 120的情況下，對于0、0. 7以及1. 4m/s的移動速度，空間內(nèi)未調(diào)節(jié)氣體的百分比可以分別下降至0%、2%以及5-6%。這表明顯著的改善，并在所有測量方向上在測量結(jié)果中導(dǎo)致噪聲減小三倍。通過在發(fā)射器20和接收器40的徑向向外和第一出口 110的徑向向內(nèi)的位置處設(shè)置入口 130，實現(xiàn)離開第一和第二出口 110、120的氣體的徑向向內(nèi)的流動。也就是說，入口 130設(shè)置在傳感器的與發(fā)射器20和接收器40相同的一側(cè)上(與鄰近標記30設(shè)置的相反)。附加地，入口 130設(shè)置在傳感器的與第一和第二出口 110、120相同的一側(cè)。為了實現(xiàn)離開第一和第二出口 110、120的流體的不同的流動特性，第一和第二出口 110、120的橫截面面積可以與圖中示出的不同(假定出口 110、120連接至相同的源并具有相同的壓強)。以此方式，離開第二出口 120的氣體具有比離開第一出口 110的氣體低的速度，從而實現(xiàn)層流。通過離開第一出口 110的氣體的高的出離速度實現(xiàn)湍流。實現(xiàn)不同的流動特性的其他方式是可以的，例如以不同的壓強提供離開第一和第二出口 110、120的氣體或通過在第一出口 110設(shè)置流動限制裝置或障礙物以促成湍流。與第一出口 110相同，第二出口 120和入口 130可以包括一個或更多個開口。第一和第二出口 110、120以及入口 130面對標記和/或位于發(fā)射器20安裝所在的表面內(nèi)。在圖6中，流出出口 110、120的氣流如所示垂直于出口 110、120形成所在的表面。 這并不是必須的，并且例如可以朝向傳感器束路徑徑向向內(nèi)傾斜地流動。這可以例如通過使得提供氣體至出口 110、120的管道離開與所述表面的平面垂直的方向而傾斜來實現(xiàn)。代替氮，可以使用氬、或任何氣體、或氣體的混合物或甚至與設(shè)備兼容且在給定溫度下具有基本上恒定的折射率的液體。如上所述，第一和第二出口 110、120與以不同流動特性流出的氣體的組合可以用在其他類型的傳感器上。例如，不同類型的傳感器可以用透射型標記代替反射型標記30并且將接收器40設(shè)置在標記30的相對于發(fā)射器20的另一側(cè)上。這里描述的相同的原理可以應(yīng)用至這樣的系統(tǒng)，其中在層流的徑向向內(nèi)位置處提供湍流、以阻止未調(diào)節(jié)氣體被湍流吸入到傳感器束路徑中。圖8以剖視圖的方式示出圖6中的部件如何被組裝至光刻設(shè)備中。在圖8中，襯底臺WT定位在投影系統(tǒng)PS和浸沒流體供給系統(tǒng)12的下面。發(fā)射器20和接收器40被定位在襯底臺WT的邊緣。來自發(fā)射器20的束B被投射朝向標記結(jié)構(gòu)35的標記30，標記結(jié)構(gòu) 35被保持在襯底臺WT上方相對于投影系統(tǒng)PS的已知位置中。例如，標記30可以由參照框架RF保持。在平面圖中，標記30圍繞投影系統(tǒng)PS并且襯底臺WT設(shè)置有至少三個發(fā)射器 20/接收器40組合，使得可以測量襯底臺WT相對于標記30的位置以及由此可以測量投影系統(tǒng)PS的位置，例如在美國專利申請出版物第US 2010/0157263號中描述的。標記30形成在標記結(jié)構(gòu)35背對發(fā)射器20/接收器40的表面上。因此，來自發(fā)射器20的束B在照射到標記30上和被轉(zhuǎn)向回來通過標記結(jié)構(gòu)35、然后通過周圍氣體環(huán)境至接收器40之前通過標記結(jié)構(gòu)35 (其可以例如是平面平行石英板)。標記結(jié)構(gòu)35的面對發(fā)射器20/接收器40 的表面上的任何液滴或污染物可以干擾束B，由此導(dǎo)致錯誤的測量值和/或根本沒有測量值。在其他情形中描述的原理同樣應(yīng)用至如圖8所示的布置中以及應(yīng)用至標記30位于面對發(fā)射器20/接收器40的表面的情形中示出的其他布置。在圖9中，標記30設(shè)置在襯底臺WT上，所提供的發(fā)射器20/接收器40組合相對于投影系統(tǒng)PS被固定。在其他方面，圖8和9中的實施例是相同的。為了在平面圖中將襯底臺WT的覆蓋區(qū)保持為合理的尺寸，標記30設(shè)置在襯底臺WT的邊緣周圍。標記30的尺寸沒有足夠大到可以僅使用單個發(fā)射器20/接收器40組合。因而，提供多個發(fā)射器20/ 接收器40組合，并且在任何給定時刻標記30上面的那些組合可以用以讀取襯底臺WT的位置。例如在美國專利申請出版物第US2007/(^88121號中描述了這種系統(tǒng)，其通過引用將全文并入本文。圖11以平面圖的方式示出發(fā)射器20/接收器40組合的布置。在襯底臺WT上設(shè)置標記30的困難在于，浸沒液體供給系統(tǒng)12將在特定時刻(例如在投影系統(tǒng)PS下面交換襯底臺期間)需要跨過標記30。這可能會導(dǎo)致浸沒液體遺留在標記30上。這種遺留在標記30上的浸沒液體可能會處于傳感器路徑中并因此干擾由傳感器進行的讀取。這可能會導(dǎo)致傳感器系統(tǒng)中的誤差。如圖9示出的氣流的使用可以用以將標記30上的液滴移動到傳感器束路徑外。這是除了已經(jīng)在上文中參照圖6描述過的優(yōu)點之外附加的優(yōu)點。圖10示出另一實施例的剖視圖，除了下面描述的方面之外，其與圖9中示出的相同。代替設(shè)置第一和第二出口 110、120，在圖10中示出可能的替代出口 180的兩個示例。 所述替代出口 180提供氣流用于移動標記30上的液體液滴。在一個實施例中，出口 180設(shè)置在發(fā)射器20/接收器40設(shè)置所在的表面中。在另一實施例中，在襯底臺WT上設(shè)置附加的出口 180。出口 180可以配置成以90°以外的角度引導(dǎo)氣流至標記30的表面。這對于移動標記30上的液體可能是更加有效的。然而，方向垂直于標記30的表面的氣流也將是有效的。例如，襯底臺WT相對于該氣流的相對移動可以有效地將標記30上的液體液滴移動到傳感器束路徑外。圖11示出另一實施例，其中以平面圖的方式示出與圖9類似的系統(tǒng)。然而，僅提供單個出口 200以引導(dǎo)氣流朝向標記30。單個出口 200可以圍繞發(fā)射器20/接收器40的一個或更多個組合，但是這并不是必須的。例如，每個發(fā)射器20/接收器40可以設(shè)置有單獨的出口 200。在一個實施例中，通過出口 180/200的氣流是可開關(guān)的，使得僅在標記30處于相關(guān)聯(lián)的發(fā)射器20/接收器40組合之下時產(chǎn)生氣流。由出口 200排出的氣流提供阻擋件(例如氣簾)，其不允許液滴通過或?qū)⒁呀?jīng)存在的液體移動到路徑外。因此，由出口 200 排出的氣流用以移動液體液滴和/或阻止液體液滴移動到標記30上。在一個實施例中，提供一種光刻設(shè)備，包括傳感器、第一出口和第二出口。傳感器包括發(fā)射器，用以將輻射束沿傳感器束路徑投射至標記。第一出口提供沿傳感器束路徑的湍流流體流。第二出口用于提供層流流體流，其基本上包圍湍流流體流。湍流和層流流中的至少一個可以是經(jīng)過熱調(diào)節(jié)的。第二出口可以位于與發(fā)射器和/或標記設(shè)置所在的第一出口的一側(cè)相對的第一出口的一側(cè)上。湍流流體流可以具有大于4000的雷諾數(shù)。層流流體流可以具有小于2300的雷諾數(shù)。第二出口可以配置成使得層流流體流基本上阻止未調(diào)節(jié)流體到達傳感器束路徑。第一和第二出口可以配置成沿基本上平行于束傳播方向的方向提供流體。第一出口可以配置成使得所述湍流流體流圍繞傳感器束路徑。第一出口可以圍繞發(fā)射器和標記中的至少一個。第一出口可以包括一個或更多個開口。第二出口可以圍繞第一出口。第二出口可以包括一個或更多個開口。傳感器還可以包括接收器，并且標記可以將來自發(fā)射器的輻射束反射至接收器。光刻設(shè)備還可以包括用以支撐襯底的臺。傳感器可以配置成測量所述臺相對于參照點的位置。發(fā)射器和標記中的一個可以安裝在臺上。發(fā)射器和標記中的另一個可以相對于參照點以固定的關(guān)系安裝。光刻設(shè)備還可以包括浸沒流體供給系統(tǒng)，其配置成在光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)和襯底之間提供浸沒流體。第一出口和第二出口中的至少一個可以配置成使得流出第一出口和第二出口中的至少一個的流體有效地移動在標記和發(fā)射器中的至少一個上的液滴，使得所述液滴不干擾輻射束。所述流體可以是氣體。在一個實施例中，提供一種光刻設(shè)備，包括臺、流體供給系統(tǒng)以及傳感器。所述臺布置成定位在投影系統(tǒng)的下面。流體供給系統(tǒng)是用以在投影系統(tǒng)和臺之間提供流體。傳感器是用以測量所述臺相對于參照位置的位置。傳感器包括發(fā)射器和標記結(jié)構(gòu)，標記結(jié)構(gòu)包括標記。發(fā)射器相對于參照位置是固定的，并且標記被定位在臺上，或者發(fā)射器被定位在臺上而標記相對于參照位置是固定的。光刻設(shè)備還包括出口，用以提供氣流以移動在標記結(jié)構(gòu)和/或發(fā)射器上的液體液滴和/或阻止液體液滴移動到標記結(jié)構(gòu)和/或發(fā)射器上。氣流可以從標記結(jié)構(gòu)和發(fā)射器中的一個移動液滴。替換地或附加地，氣流可以阻止液滴移動到標記結(jié)構(gòu)和發(fā)射器中的一個上。在一個實施例中，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影至襯底上；使用發(fā)射器將輻射束沿傳感器束路徑投射至標記來測量性質(zhì)；提供具有第一特性的經(jīng)過熱調(diào)節(jié)的流體的第一流至傳感器束路徑的至少一部分；和提供具有第二流動特性的經(jīng)過熱調(diào)節(jié)的流體的第二流。第二流動特性與第一流動特性不同，并且在來自第一出口的經(jīng)過熱調(diào)節(jié)的流體附近提供第二流動特性。在一個實施例中，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束通過浸沒液體投影至定位在臺上的襯底上；使用發(fā)射器發(fā)射輻射束到標記結(jié)構(gòu)的標記上來測量所述臺相對于參照位置的位置。發(fā)射器相對于參照位置是固定的且標記被定位在所述臺上，或者發(fā)射器被定位在臺上而標記相對于參照位置是固定的。所述方法還包括步驟提供氣流以移動標記結(jié)構(gòu)和/或發(fā)射器上的液體液滴和/或阻止液體液滴移動到標記結(jié)構(gòu)和/或發(fā)射器上。氣流可以將液滴移動離開標記結(jié)構(gòu)和發(fā)射器中的一個。替換地或附加地，氣流可以阻止液滴移動到標記結(jié)構(gòu)和發(fā)射器中的一個上。雖然本申請詳述了光刻設(shè)備在制造IC中的應(yīng)用，應(yīng)該理解到，這里描述的光刻設(shè)備可以有制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件的其他應(yīng)用，例如制造集成光學系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該看到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、測量工具和/或檢驗工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將這里公開的內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外輻射(UV) (例如具有為或約為365、248、193、157或126nm的波長)。在允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以表示不同類型的光學構(gòu)件中的任何一種或其組合，包括折射式的和反射式的光學構(gòu)件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，但應(yīng)該認識到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來實現(xiàn)。例如，本發(fā)明實施例可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個或更多個機器可讀指令序列的計算機程序的形式，或具有存儲其中的所述計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)的形式。此外，機器可讀指令可以嵌入到兩個或更多個計算機程序中。所述兩個或更多個計算機程序可以存儲在至少一個不同的存儲器和/或數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中。上述控制器可以具有任何合適的用于接收、處理以及發(fā)送信號的配置。例如，每個控制器可以包括一個或更多個用于執(zhí)行計算機程序的處理器，計算機程序包括用于上述方法的機器可讀指令?？刂破鬟€可以包括用于存儲這種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，和/或用以容納這種介質(zhì)的硬件。本發(fā)明的一個或更多個實施例可以應(yīng)用于任何浸沒式光刻設(shè)備，具體地但不排他地，應(yīng)用于上述的那些類型，不論浸沒液體是否以浴器的形式提供的類型、僅襯底的局部表面區(qū)域上提供浸沒液體的類型或浸沒液體在襯底和/或襯底臺上是非限制性的類型。在非限制的布置中，浸沒液體可以流過襯底和/或襯底臺的表面，使得基本上襯底和/或襯底臺的整個未覆蓋表面被浸濕。在這種非限制的浸沒系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)可以不限制浸沒流體或其可以提供一定比例的浸沒液體限制，但是不是基本上完全的浸沒液體限制。這里所述的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該廣義地解釋。在特定實施例中，其可以是提供液體到投影系統(tǒng)與襯底和/或襯底臺之間的空間的機構(gòu)或結(jié)構(gòu)的組合。其可以包括一個或更多個結(jié)構(gòu)、一個或更多個液體入口、一個或更多個氣體入口、一個或更多個氣體出口和/或一個或更多個提供液體至空間的液體出口的組合。在一個實施例中，所述空間的表面可以是襯底和/或襯底臺的一部分，或者所述空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面， 或者所述空間可以包圍襯底和/或襯底臺。液體供給系統(tǒng)可以視情況地進一步包括一個或更多個元件，用以控制液體的位置、數(shù)量、品質(zhì)、形狀、流量或其他任何特征。上面描述的內(nèi)容是例證性的，而不是限定的。因而，應(yīng)該認識到，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離所附權(quán)利要求的范圍的情況下，可以對上述本發(fā)明進行更改。
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，包括傳感器，所述傳感器包括用以將輻射束沿傳感器束路徑投射至標記的發(fā)射器；第一出口，用于提供沿所述傳感器束路徑的湍流流體流；第二出口，用于提供基本上包圍所述湍流流體流的層狀流體流。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中，所述湍流和層流中的至少一個被熱調(diào)節(jié)。
3.如前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，所述湍流流體流具有大于4000的雷諾數(shù)。
4.如前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，所述層流流體流具有小于2300的雷諾數(shù)。
5.如權(quán)利要求2-4中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，所述第二出口配置成使得所述層流流體流基本上阻止未調(diào)節(jié)流體到達所述傳感器束路徑。
6.如前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，所述第一出口配置成使得所述湍流流體流包圍所述傳感器束路徑。
7.如前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，所述第一出口包圍所述發(fā)射器和標記中的至少一個。
8.如前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，所述第二出口包圍第一出口。
9.如前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，所述傳感器還包括接收器，并且所述標記將來自所述發(fā)射器的輻射束反射至所述接收器。
10.如前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，還包括用以支撐襯底的臺，并且其中所述傳感器配置用以測量所述臺相對于參照點的位置。
11.如權(quán)利要求10所述的光刻設(shè)備，其中，所述發(fā)射器和標記中的一個安裝在所述臺上，并且其中所述發(fā)射器和標記中的另一個相對于所述參照點以固定關(guān)系安裝。
12.如前述權(quán)利要求中任一項所述的光刻設(shè)備，還包括浸沒流體供給系統(tǒng)，所述浸沒流體供給系統(tǒng)配置成在光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)和襯底之間提供浸沒流體，其中第一出口和第二出口中的至少一個配置成使得從第一和第二出口中的至少一個流出的流體有效地移動在所述標記和發(fā)射器中的至少一個上的液滴，使得液滴不干擾輻射束ο
13.一種光刻設(shè)備，包括臺，布置成定位在投影系統(tǒng)下面；流體供給系統(tǒng)，用以在投影系統(tǒng)和所述臺之間提供流體；傳感器，用以測量所述臺相對于參照位置的位置，所述傳感器包括發(fā)射器和標記結(jié)構(gòu)， 所述標記結(jié)構(gòu)包括標記，所述發(fā)射器相對于參照位置是固定的并且所述標記被定位在所述臺上，或者所述發(fā)射器被定位在所述臺上并且所述標記相對于參照位置是固定的；和出口，用以提供氣流以移動在所述標記結(jié)構(gòu)和/或所述發(fā)射器上的液體液滴和/或阻止液體液滴移動到所述標記結(jié)構(gòu)和/或所述發(fā)射器上。
14.一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影到襯底上；使用發(fā)射器將輻射束沿傳感器束路徑投射至標記來測量性質(zhì)；將具有第一特性的被熱調(diào)節(jié)的流體的第一流提供至所述傳感器束路徑的至少一部分；和在來自第一出口的被熱調(diào)節(jié)的流體附近提供具有第二流動特性的被熱調(diào)節(jié)的流體的第二流，第二流動特性與第一流動特性不同。
15. 一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束通過浸沒液體投影至定位在臺上的襯底上；使用發(fā)射器發(fā)射輻射束到標記結(jié)構(gòu)的標記上來測量所述臺相對于參照位置的位置，其中所述發(fā)射器相對于參照位置是固定的且所述標記被定位在所述臺上，或者所述發(fā)射器被定位在所述臺上而所述標記相對于參照位置是固定的；提供氣流以移動在所述標記結(jié)構(gòu)和/或所述發(fā)射器上的液體液滴和/或阻止液體液滴移動到所述標記結(jié)構(gòu)和/或所述發(fā)射器上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻設(shè)備以及一種器件制造方法。所述光刻設(shè)備具有第一出口，其用于將具有第一流動特性的被熱調(diào)節(jié)的流體提供至傳感器束路徑的至少一部分；和第二出口，其與第一出口相關(guān)聯(lián)，并且用以在來自第一出口的被熱調(diào)節(jié)的流體附近提供具有第二流動特性的被熱調(diào)節(jié)的流體，第二流動特性與第一流動特性不同。
文檔編號G03F7/20GK102375347SQ20111023444
公開日2012年3月14日 申請日期2011年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月24日
發(fā)明者E·A·F·范德帕斯奇, F·范德馬斯特, G·A·H·F·詹森, J·S·C·維斯特爾拉肯, P·P·斯汀賈爾特 申請人:Asml荷蘭有限公司