專利名稱：有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜和微納圖形制備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于激光熱刻蝕光刻領(lǐng)域，具體涉及到一種有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜和微納圖形制備的方法。
背景技術(shù)：
激光熱刻蝕技術(shù)是2002年由日本的MKuwahara等人提出(參考文獻(xiàn)[1] M. Kuwahara, J. M. Li, C. Mihalcea, N. Atoda, J. Tominaga, L. P. Shi, Jpn. J. Appl. Phys. 2002 ； 41，L1022-L1024.)，該技術(shù)主要利用激光熱刻蝕材料的熱變化閾值效應(yīng)實(shí)現(xiàn)超分辨光刻。 首先利用脈沖激光直接輻照熱刻蝕薄膜，熱刻蝕薄膜吸收光子后產(chǎn)生熱效應(yīng)引起熱刻蝕薄膜的物理或化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，最終實(shí)現(xiàn)在顯影液中選擇性顯影。該技術(shù)具有光刻裝置成本低，控制容易，光刻工藝簡單、制造成本低等優(yōu)勢。當(dāng)前主要用于以下幾個(gè)方面制造高密度藍(lán)光光盤母盤；制造光刻或納米壓印模板；微納光學(xué)、光子學(xué)器件；制備LED器件或太陽能薄膜表面陣列結(jié)構(gòu)增強(qiáng)其發(fā)光效率或光電轉(zhuǎn)換效率。2006 年 H. Miura 等把 SiS-SW2 (80mol % 20mol % )薄膜用于激光熱刻蝕， 并獲得了小于激光衍射極限的的微納圖形結(jié)構(gòu)，并采用干法刻蝕將制備的微納圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到了石英基片上。(參考文獻(xiàn)[2] :H. Miura, N. Toyoshima, Y. Hayashi, S. Sangu, N. Iwata, J. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 2006 ；45，1410-1413.參考文獻(xiàn)[3] :M. Hiroshi, Τ. Nobuaki, Τ. Kohji, Μ. Tetsuji, H. Katsunari, I. Noriyuki, Ricoh Technical Report 2007 ；33, 36-43.) 這說明SiS-SiO2 (80mol % 20mol % )薄膜具有比較高的熱刻蝕分辨率。但是SiS-SiO2 (80mOl% 20mol% )薄膜在可見光區(qū)對光基本不吸收，所以直接把 ZnS-SiO2 (SOmol % 20mol% )薄膜用于激光熱刻蝕制備微納圖形結(jié)構(gòu)時(shí)需要比較大的激光輻照功率才能使SiS-SiO2 (80mOl% 20mol% )薄膜發(fā)生結(jié)構(gòu)變化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜和微納圖形制備的方法，該有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜結(jié)構(gòu)簡單，制備工藝參數(shù)可控性好，重復(fù)性高，結(jié)合了有機(jī)薄膜光敏感性好、光熱轉(zhuǎn)化效率高、結(jié)構(gòu)與吸收波長易于調(diào)節(jié)和無機(jī)薄膜分辨率高的特點(diǎn)，可以在較低的激光輻照條件下制備出超越激光衍射極限的微納圖形結(jié)構(gòu)。該微納圖形結(jié)構(gòu)在光盤母盤、光刻或納米壓印模板、光學(xué)器件、二維光子晶體制備等方面有較大的應(yīng)用前景。本發(fā)明技術(shù)解決方案如下一種有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜，其特點(diǎn)在于包括沉積在基片上的SiS-SW2 薄膜和旋涂在該SiS-SiA薄膜上的腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜；所述的基片為厚度0.1 3mm的Si片或聚碳酸酯片；所述的SiS-SiO2薄膜的厚度為50 500nm，該SiS-SW2薄膜的SiS-SiO2的成分比為SOmol % 20mol % ；所述的腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜為厚度50 150nm,的腙鎳螯合物、或腙鈷螯合物、或腙銅螯合物、或腙鋅螯合物。
所述的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜的制備方法，其特點(diǎn)在于該方法包括下列步驟①基片清洗所述的Si基片表面粗糙度小于2nm，Si基片經(jīng)去離子水浸泡超聲清洗，無水乙醇超聲清洗，最后取出用純度99. 9%的高壓氮?dú)獯蹈桑糜诟稍锲髦袀溆?；所述的PC片表面粗糙度小于2nm，制備薄膜之前用純度99. 9%的高壓氮?dú)馇鍧?；②基片和濺射靶材安裝將所述的基片固定在磁控濺射儀的基片托上，然后把基片托夾持在磁控濺射儀真空腔里的基片座上，把所述的SiS-SW2靶材置于靶基座上固定好，調(diào)節(jié)靶材與基片之間的距離到6cm，然后關(guān)閉真空腔蓋開始抽真空，直至腔內(nèi)真空度優(yōu)于 2 X KT4Pa ；③濺射S1S-SiA薄膜采用Ar氣作為工作氣體，通過氣體流量計(jì)控制Ar氣的通入量為SOsccm，同時(shí)調(diào)節(jié)磁控濺射儀閘板閥至工作氣壓為0. 85Pa，調(diào)節(jié)磁控濺射儀的射頻電源控制濺射功率并利用計(jì)算機(jī)控制程序控制濺射時(shí)間進(jìn)行濺射，濺射完成后，依次關(guān)閉射頻電源、氣體流量計(jì)，打開閘板閥抽氣IOmin后關(guān)閉閘板閥，放氣，打開磁控濺射儀的真空腔，取出制備的單層SiS-SW2薄膜樣品；④旋涂腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜稱取150mg腙類金屬螯合物溶解于5mL四氟丙醇中，超聲波振蕩至完全溶解，配制成30mg/mL的四氟丙醇溶液，然后用孔徑為0. 22 μ m的微孔過濾器過濾，濾液用作涂膜溶液，制膜在室溫25士2°C和相對濕度50% 60%下進(jìn)行， 將旋涂液滴加在上述制備的SiS-SW2薄膜樣品上，控制勻膠階段轉(zhuǎn)速1000 2000轉(zhuǎn)/分和時(shí)間1 5秒，在高速溶液旋涂薄膜制備設(shè)備(Steag lab coater勻膠機(jī))上完成腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜的制備。利用所述的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜制備微納圖形的方法，其特征在于該方法包括下列步驟①激光輻照將所述的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜置于激光直寫裝置的高精度二維工作平臺上，依次打開計(jì)算機(jī)程序、激光器和信號發(fā)生器，采用波長405nm的半導(dǎo)體脈沖激光直接輻照該有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜；②去除有機(jī)薄膜用四氟丙醇淋洗激光輻照后的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜表面2 3遍，溶解去除腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜；③顯影將40wt%的分析純氫氟酸稀釋到5 IOwt %，然后加入分析純氟化銨，配制成氫氟酸和氟化銨的質(zhì)量比為1 1的溶液，以該溶液作為顯影液對所述的^iS-SiO2薄膜顯影20 300s，便可制備出需要的微納圖形結(jié)構(gòu)。利用本發(fā)明有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕材料制備微納圖形結(jié)構(gòu)的原理是有機(jī)薄膜在脈沖激光輻照下吸收光輻射產(chǎn)生熱，然后熱量向下傳導(dǎo)到SiS-SiO2 (SOmol % 20mol%) 薄膜，超過閾值溫度的微區(qū)SiS-SiO2 (80mol% 20mol% )薄膜發(fā)生物理或化學(xué)性質(zhì)的變化，在顯影液中物理或化學(xué)性質(zhì)變化的區(qū)域和未變化的區(qū)域呈現(xiàn)不同的腐蝕選擇性，從而制備出微納圖形結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的技術(shù)效果本發(fā)明的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜結(jié)構(gòu)簡單，制備工藝參數(shù)可控性好，重復(fù)性高，結(jié)合了有機(jī)薄膜光敏感性好、光熱轉(zhuǎn)化效率高、結(jié)構(gòu)與吸收波長易于調(diào)節(jié)和無機(jī)薄膜較高熱刻蝕分辨率的優(yōu)點(diǎn)，可以制備出平滑的刻蝕膜面和形狀規(guī)則、邊界清晰的超越激光光學(xué)衍射極限的微納圖形點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)。該微納圖形結(jié)構(gòu)在光盤母盤、光刻或納米壓印模板、光學(xué)器件、二維光子晶體制備等方面有較大的應(yīng)用前景。


圖1是本發(fā)明有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明采用的激光直寫裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中l(wèi)-650nm半導(dǎo)體激光器；2、12、17、19-分光鏡；3、13-功率探測器；4、14-擴(kuò)束鏡；5、10-1/4波片；6-四象限探測器；7-柱面鏡；8-凸透鏡；9-偏振分光鏡；ll-405nm半導(dǎo)體激光器；15-藍(lán)反紅透鏡；16-電荷耦合元件CXD ；18-白光；20-壓電陶瓷；21-物鏡，數(shù)值孔徑為0.9 ;22_樣品；23-高精度二維樣品平移臺。圖3是本發(fā)明激光熱刻蝕微納圖形結(jié)構(gòu)形貌效果圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。圖1為本發(fā)明有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。由圖可見本發(fā)明有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜的構(gòu)成包括沉積在基片3上的SiS-SiO2 (SOmol % 20mol% )薄膜2和旋涂在其上的腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜1，有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜結(jié)構(gòu)即為 PCAnS-SiO2/腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜，或Si/ZnS-Si02/腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜。所述的基片3為厚度為0. 1 3mm的Si片或PC片；所述的SiS-SiO2 (80mol % 20mol% )薄膜2的厚度為50 500nm ；所述的腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜1為厚度50 150nm的腙鎳螯合物、或腙鈷螯合物、或腙銅螯合物、或腙鋅螯合物。所述的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜的制備方法，包括下列步驟(a)基片采用單面拋光的Si圓片或PC圓片，Si圓片和PC圓片的表面粗糙度均小于2nm。Si圓片經(jīng)去離子水浸泡超聲清洗15min，無水乙醇超聲清洗2次，每次lOmin， 最后取出用純度99. 9%的高壓氮?dú)獯蹈蓚溆?。PC圓片在制備薄膜之前用純度99. 9%的高壓氮?dú)馇鍧?。本?shí)施例采用基片為商用的直徑80mm厚度0. 6mm的PC光盤盤基，制備 ZnS-SiO2 (80mol% 20mol% )薄膜之前用純度99. 9%的高壓氮?dú)馇鍧崳?b)將清潔后的PC光盤盤基固定在磁控濺射儀的基片托上，然后把基片托夾持在磁控濺射儀真空腔里的基片座上。將直徑60mm，厚度5mm的純度為99. 99 %的 ZnS-SiO2(80mol% 20mol% )靶材放到靶基座上固定好，測量并確定靶面和靶材屏蔽罩之間沒有短路。調(diào)節(jié)靶材與基片之間的距離到6cm，然后關(guān)閉真空腔蓋開始抽真空。首先用機(jī)械泵將真空腔內(nèi)的真空度抽到5Pa以下，然后開啟分子泵，抽至真空腔內(nèi)真空度優(yōu)于 2X10_4Pa，且真空度越低，成膜質(zhì)量越好；(c)關(guān)閉高真空計(jì)，打開工作氣體Ar氣針閥，通過氣體流量計(jì)控制Ar氣的通入量為SOsccm，同時(shí)調(diào)節(jié)磁控濺射儀閘板閥至工作氣壓為0. 85Pa，調(diào)節(jié)磁控濺射儀的射頻電源控制濺射功率，本實(shí)施例的射頻濺射功率為100W，并利用計(jì)算機(jī)控制程序控制濺射時(shí)間來確定濺射的薄膜厚度，本實(shí)施例濺射薄膜厚度為100·，濺射完成后，依次關(guān)閉射頻電源、氣體流量計(jì)和Ar氣針閥，打開閘板閥抽氣IOmin后關(guān)閉閘板閥，放氣，打開磁控濺射儀的真空腔，取出制備的單層SiS-SiO2 (SOmol % 20mol% )薄膜樣品，關(guān)閉真空腔，把真空腔內(nèi)的真空度抽到小于5 X 10’a后關(guān)閉磁控濺射儀；(d)稱取150mg腙鎳螯合物溶解于5mL四氟丙醇中，超聲波振蕩至完全溶解后， 配制成30mg/mL的四氟丙醇溶液，然后用孔徑為0. 22 μ m的微孔過濾器過濾，濾液用作涂膜溶液。制膜在室溫(25°C，)和相對濕度52%條件下進(jìn)行，將旋涂液滴加在上述制備的 ZnS-SiO2 (80mol % 20mol % )薄膜樣品上，控制勻膠階段轉(zhuǎn)速1200轉(zhuǎn)/分和時(shí)間3秒，在高速溶液旋涂薄膜制備設(shè)備(Steag lab coater勻膠機(jī))上完成腙鈷螯合物有機(jī)薄膜的制備。利用所述的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜制備微納圖形的方法，包括下列步驟(a)把制備的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜置于激光直寫裝置(結(jié)構(gòu)如圖2所示)的高精度二維樣品臺上，依次打開計(jì)算機(jī)程序、激光器和信號發(fā)生器。采用波長405nm 的半導(dǎo)體脈沖激光直接輻照該有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜，通過程序參數(shù)控制樣品臺二維移動(dòng)方向的移動(dòng)速度(10 lOOum/s)，并通過信號發(fā)生器控制激光功率為1 5mW，脈寬為 100 IOOOns ；(b)采用四氟丙醇淋洗激光輻照后的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜表面2 3遍， 溶解去除腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜；(c)將40wt%的氫氟酸(分析純)稀釋到5 IOwt %，然后加入氟化銨(分析純)，配制成氫氟酸和氟化銨的質(zhì)量比為1 1的溶液，以該溶液作為顯影液對 ZnS-SiO2(80mol% 20mol% )薄膜顯影20 300s，便可制備出需要的微納圖形結(jié)構(gòu)。圖3是本發(fā)明利用有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜制備的微納圖形的一個(gè)實(shí)施例的形貌效果圖。其中基片為直徑80mm厚度0. 6mm的PC光盤盤基，無機(jī)薄膜為 ZnS-SiO2(SOmol% 20mol% )薄膜，有機(jī)薄膜為腙鎳螯合物薄膜，其光譜吸收峰為401nm。 ZnS-SiO2 (80mol% 20mol% )薄膜采用射頻磁控濺射法濺射，本底真空度優(yōu)于2X 10_4Pa， 氬氣為工作氣體，濺射氣壓為0. 85Pa，射頻功率100W，濺射厚度為lOOnm。腙鎳螯合物薄膜是在Meag lab coater勻膠機(jī)上旋涂制備，其制備參數(shù)為稱取150mg腙鎳螯合物溶解于 5mL四氟丙醇中，超聲波振蕩至完全溶解，配制成30mg/mL的四氟丙醇溶液，然后用孔徑為 0. 22 μ m的微孔過濾器過濾，濾液用作涂膜溶液，然后在室溫(25°C )和相對濕度52%下進(jìn)行，將旋涂液滴加到上述制備的SiS-SiO2 (SOmol % 20mol% )薄膜樣品表面，控制勻膠階段轉(zhuǎn)速1200轉(zhuǎn)/分和時(shí)間3秒。其微納圖形制備方法是把該有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜放置于由計(jì)算機(jī)程序控制的高精度二維工作臺上，利用波長405nm的脈沖激光直接輻照該有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜，采用的物鏡數(shù)值孔徑為0. 9，工作臺二維移動(dòng)方向的移動(dòng)速度為40um/s，脈沖激光功率為3mW，激光作用脈寬600ns ；用四氟丙醇淋洗激光輻照后的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜3遍，溶解去除腙鎳螯合物有機(jī)薄膜；然后用按一定比例配制的氫氟酸、氟化銨溶液對無機(jī)SiS-SiO2 (80mOl% 20mol% )薄膜顯影60s。顯影液的配制比例為取20ml質(zhì)量百分比為40wt%的氫氟酸，加入140ml去離子水和8g氟化銨。該條件下制備出的微納圖形上點(diǎn)的尺寸為250nm，小于激光光斑衍射極限(0.61X λ/ΝΑ = 0. 61X405/0. 9 = 275nm)。結(jié)果表明本發(fā)明有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜和激光熱刻蝕制備微納圖形的方法，具有薄膜結(jié)構(gòu)簡單，制備工藝參數(shù)可控性好，重復(fù)性高，結(jié)合了有機(jī)薄膜光敏感性好、光熱轉(zhuǎn)化效率高、結(jié)構(gòu)與吸收波長易于調(diào)節(jié)和無機(jī)薄膜分辨率高的特點(diǎn)，比較適合作為激光熱刻蝕材料制備超越激光衍射極限的微納圖形結(jié)構(gòu)。這種圖形結(jié)構(gòu)有望用于光盤母盤、光刻或納米壓印模板、光學(xué)器件、二維光子晶體的制備等方面。下面表1列出了本發(fā)明一系列實(shí)施例的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的激光輻照參數(shù)和顯影參數(shù)，恕我不再重復(fù)描述。表 權(quán)利要求
1.一種有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜，特征在于其構(gòu)成包括沉積在基片( 上的 SiS-SiO2薄膜( 和旋涂在SiS-SiO2薄膜( 上的腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜(1)；所述的基片(3)為厚度0. 1 3mm的Si片或聚碳酸酯片；所述的SiS-SW2薄膜O)的厚度為50 500nm，該SiS-SiO2薄膜O)的SiS-SiO2的成分比為80mol % 20mol% ；所述的腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜(1)為厚度50 150nm，的腙鎳螯合物、或腙鈷螯合物、或腙銅螯合物、或腙鋅螯合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜的制備方法，其特征在于該方法包括下列步驟①基片清洗所述的Si基片表面粗糙度小于2nm，Si基片經(jīng)去離子水浸泡超聲清洗，無水乙醇超聲清洗，最后取出用純度99. 9%的高壓氮?dú)獯蹈桑糜诟稍锲髦袀溆?；所述的PC 片表面粗糙度小于2nm，制備薄膜之前用純度99. 9%的高壓氮?dú)馇鍧?；②基片和濺射靶材安裝將所述的基片固定在磁控濺射儀的基片托上，然后把基片托夾持在磁控濺射儀真空腔里的基片座上，把所述的SiS-SW2靶材置于靶基座上固定好， 調(diào)節(jié)靶材與基片之間的距離到6cm，然后關(guān)閉真空腔蓋開始抽真空，直至腔內(nèi)真空度優(yōu)于 2 X KT4Pa ；③濺射SiS-SW2薄膜采用Ar氣作為工作氣體，通過氣體流量計(jì)控制Ar氣的通入量為SOsccm，同時(shí)調(diào)節(jié)磁控濺射儀閘板閥至工作氣壓為0. 85Pa，調(diào)節(jié)磁控濺射儀的射頻電源控制濺射功率并利用計(jì)算機(jī)控制程序控制濺射時(shí)間進(jìn)行濺射，濺射完成后，依次關(guān)閉射頻電源、氣體流量計(jì)，打開閘板閥抽氣IOmin后關(guān)閉閘板閥，放氣，打開磁控濺射儀的真空腔， 取出制備的單層^iS-SW2薄膜樣品；④旋涂腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜稱取150mg腙類金屬螯合物溶解于5mL四氟丙醇中， 超聲波振蕩至完全溶解，配制成30mg/mL的四氟丙醇溶液，然后用孔徑為0. 22 μ m的微孔過濾器過濾，濾液用作涂膜溶液，制膜在室溫(25士2°C，)和相對濕度50% 60%下進(jìn)行，將旋涂液滴加在上述制備的SiS-SW2薄膜樣品上，控制勻膠階段轉(zhuǎn)速1000 2000轉(zhuǎn)/分和時(shí)間1 5秒，在高速溶液旋涂薄膜制備設(shè)備上完成腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜的制備。
3.利用權(quán)利要求1所述的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜制備微納圖形的方法，其特征在于該方法包括下列步驟①激光輻照將所述的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜置于激光直寫裝置的高精度二維工作平臺上，依次打開計(jì)算機(jī)程序、激光器和信號發(fā)生器，采用波長405nm的半導(dǎo)體脈沖激光直接輻照該有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜；②去除有機(jī)薄膜用四氟丙醇淋洗激光輻照后的有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜表面 2 3遍，溶解去除腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜；③顯影將40wt%的分析純氫氟酸稀釋到5 IOwt %，然后加入分析純氟化銨，配制成氫氟酸和氟化銨的質(zhì)量比為1 1的溶液，以該溶液作為顯影液對所述的SiS-SiO2薄膜顯影20 300s，便可制備出需要的微納圖形結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜和微納圖形制備的方法，該有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜包括沉積在基片上的ZnS-SiO2薄膜和旋涂在ZnS-SiO2薄膜上的腙類金屬螯合物有機(jī)薄膜。所述的微納圖形制備的方法是采用激光直寫裝置對有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜進(jìn)行輻照，然后溶解去除有機(jī)層，并在顯影液中顯影，以獲得超越光學(xué)衍射極限的微納圖形。該有機(jī)無機(jī)復(fù)合激光熱刻蝕薄膜結(jié)構(gòu)簡單，制備工藝參數(shù)可控性好，重復(fù)性高，結(jié)合有機(jī)薄膜光敏感度好、光熱轉(zhuǎn)化效率高，結(jié)構(gòu)與吸收波長易于調(diào)節(jié)和無機(jī)薄膜分辨率高的特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)超越光學(xué)衍射極限的微納圖形的制備，有望被用來制備光盤母盤、光刻或納米壓印模板、光學(xué)器件、二維光子晶體等。
文檔編號G03F7/09GK102338986SQ20111023854
公開日2012年2月1日 申請日期2011年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月19日
發(fā)明者吳誼群, 李豪, 耿永友 申請人:中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所