專利名稱：橫向排列的像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，顯示面板的一個主像素區(qū)的三個子像素區(qū)的排列從左到右分別為 R(紅)，G(綠)，B(藍(lán))，其中，每個主像素區(qū)為正方形或者圓形，每個子像素區(qū)為長方形，且每個子像素區(qū)的短邊與柵極線基本并行，每個子像素區(qū)的長邊與數(shù)據(jù)線基本平行，通常這種子像素區(qū)的排列方式稱為縱向排列。通常，在3D顯示中，為了讓人的左右眼看到不同的圖像，置于顯示面板前的光柵格子需要縱向排列，其中，一個光柵格子的大小與一個主像素區(qū)的大小相近；由于光柵格子所在的玻璃板與顯示面板組裝時的對位誤差，導(dǎo)致光柵格子可能會遮擋住某個顏色，比如遮擋了紅色子像素區(qū)的部分面積，從而造成嚴(yán)重的顏色偏離和色差。為了解決這個問題，現(xiàn)有技術(shù)提供了橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，即將各顏色子像素區(qū)橫向排列，這樣即使光柵格子所在的玻璃板與顯示面板組裝時有對位誤差，三個顏色的子像素區(qū)都會被擋住相同的面積， 雖然每個子像素區(qū)的透光量有所下降，但是三個子像素區(qū)所形成的顏色不會有偏移。目前的像素橫向排列方式包括以下幾種單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式和三柵極驅(qū)動的像素橫向排列方式?，F(xiàn)有技術(shù)中，對于橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其公共電極線通常與數(shù)據(jù)線平行，圖1中示出了三柵極驅(qū)動的像素橫向排列方式，從圖1可以看出， 公共電極線C與數(shù)據(jù)線Dl和數(shù)據(jù)線D2平行，且覆蓋次像素區(qū)的像素電極的邊緣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板，其可適用于雙柵極驅(qū)動。有鑒于此，本發(fā)明實施例提供—種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，包括水平相鄰的兩個主像素區(qū)，每個主像素區(qū)包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；與兩個主像素區(qū)一一對應(yīng)的兩條公共電極線，兩條公共電極線中的一條公共電極線至少包括第一邊緣線，所述第一邊緣線覆蓋三個次像素區(qū)中一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形；第二邊緣線，所述第二邊緣線覆蓋三個次像素區(qū)中另一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第二邊緣線為U形；其中，所述三個次像素區(qū)中的一個次像素區(qū)與所述另一個次像素區(qū)垂直相鄰；其中，第一邊緣線的一個側(cè)壁與第二邊緣線的一個側(cè)壁重疊，使所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形或者“E”形。一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，包括垂直相鄰的兩個主像素區(qū)；其中，每個主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；其中，所述垂直相鄰的三個次像素區(qū)包括第一次像素區(qū)、第二次像素區(qū)和第三次像素區(qū)；用于與兩個主像素區(qū)中的像素電極形成儲存電容的公共電極線；其中，所述公共電極線至少包括第一邊緣線，所述第一邊緣線覆蓋兩個主像素區(qū)的一個主像素區(qū)中第三次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形；第二邊緣線，所述第二邊緣線覆蓋兩個主像素區(qū)的另一個主像素區(qū)中第一次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第二邊緣線為U形；其中，第一邊緣線的一個側(cè)壁與第二邊緣線的一個側(cè)壁重疊，使所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“ S ”形或者“E ”形。一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，包括水平相鄰的兩個主像素區(qū)，其中，每個主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；用于與兩個主像素區(qū)中水平相鄰的兩個次像素區(qū)上的像素電極形成儲存電容的公共電極線；其中，所述公共電極線至少包括第一邊緣線，所述第一邊緣線覆蓋水平相鄰的兩個次像素區(qū)中一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形；第二邊緣線，所述第二邊緣線覆蓋水平相鄰的兩個次像素區(qū)中另一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第二邊緣線為U形；其中，第一邊緣線的底部與第二邊緣線的底部重疊，使所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“H”形。本發(fā)明實施例提供的公共電極線中分別覆蓋兩個次像素區(qū)上像素電極的部分邊緣的第一邊緣線和第二邊緣線成U形，且第一邊緣線的一個側(cè)壁與第二邊緣線的一個側(cè)壁重疊，使第一邊緣線和第二邊緣線組合形成“S”形或者“E”形，或者，第一邊緣線的底部與第二邊緣線的底部重疊，使第一邊緣線和第二邊緣線組合形成“H”形，其中，第一邊緣線和第二邊緣線重疊的部分被兩個次像素區(qū)所共用，用于為兩個次像素區(qū)遮光，這樣，就不需要在兩個次像素區(qū)之間設(shè)計懸浮的平行于柵極線的遮光線了。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種三柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實施例提供的一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實施例提供的基于圖2的像素結(jié)構(gòu)具體示意圖；圖4是本發(fā)明實施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明實施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖8是本發(fā)明實施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本發(fā)明實施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖10是本發(fā)明實施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖11是本發(fā)明實施例提供的一種帶有公共電極線的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖12是本發(fā)明實施例提供的另一種帶有公共電極線的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖13是本發(fā)明實施例提供的又一種帶有公共電極線的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖14是本發(fā)明實施例提供的又一種帶有公共電極線的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實施例提供一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其包括多個像素單元，所述像素單元包括兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線，三條數(shù)據(jù)線包括順序排列的第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線；其中，兩條柵極線設(shè)置于基板上并沿著第一方向平行排列；三條數(shù)據(jù)線設(shè)置于基板上并沿著第二方向平行排列； 兩條柵極線與三條數(shù)據(jù)線交叉，在一種具體的實施方式中，第一方向與第二方向垂直；水平相鄰的兩個主像素區(qū)，其中，每個主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；三個次像素區(qū)分別為R(紅)，G(綠)和B(藍(lán))；每個次像素的長邊與第一方向基本平行，每個次像素的短邊與第二方向基本平行。六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于對應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)，即每個次像素區(qū)內(nèi)有一個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，使三條數(shù)據(jù)線與六個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同，即第一數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管、與第二數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管、與第三數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管完全不同，這樣，就可以使三條數(shù)據(jù)線與六個薄膜晶體管的源極電連接；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。本發(fā)明實施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)包括雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。采用這種像素結(jié)構(gòu)，對于分辨率為mXn的屏，η為水平分辨率，m為垂直分辨率，其需要的柵極線為^ii條，其需要的數(shù)據(jù)線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅(qū)動時間縮短為單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當(dāng)分辨率比較高時普通的TFT也可以達(dá)到驅(qū)動要求，適于廣泛應(yīng)用。進(jìn)一步的，本發(fā)明實施例提供的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動的像素縱向排列方式所需要的柵極線和數(shù)據(jù)線相同，這樣，源極驅(qū)動芯片、柵極驅(qū)動芯片的個數(shù)也相同，每條柵極線的驅(qū)動時間和驅(qū)動方式也可以相同，顯示面板尺寸也可以相同，所以利用現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動的縱向排列的像素結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝就可以生產(chǎn)出本發(fā)明實施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。為了使本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案更加清楚，如下實施例對本發(fā)明上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述本發(fā)明實施例提供一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，具體結(jié)構(gòu)可如圖2所示，其包括多個像素單元，每個像素單元包括兩條柵極線，即第一柵極線Gl和第二柵極線G2 ；兩條柵極線設(shè)置于基板上并沿著第一方向平行排列；三條數(shù)據(jù)線，即順序排列的第一數(shù)據(jù)線D1、第二數(shù)據(jù)線D2和第三數(shù)據(jù)線D3，三條數(shù)據(jù)線設(shè)置于基板上并沿著第二方向平行排列；第二方向基本垂直于第一方向。兩個主像素區(qū)，即第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)，其中，第一主像素區(qū)分別包括第一次像素區(qū)Ll，第二次像素區(qū)L2和第三次像素區(qū)L3 ；第二主像素區(qū)分別包括第四次像素區(qū) L4，第五次像素區(qū)L5和第六次像素區(qū)L6。其中，PU P2、P3、P4、P5、P6分別為第一次像素區(qū)Li、第二次像素區(qū)L2、第三次像素區(qū)L3、第四次像素區(qū)L4、第五次像素區(qū)L5和第六次像素區(qū)L6的透光區(qū)，每個次像素區(qū)的長邊與第一方向基本平行，每個次像素區(qū)的短邊與第二方向基本平行，其中，兩個主像素區(qū)優(yōu)選的包括兩個紅色次像素區(qū)、兩個綠色次像素區(qū)和兩個藍(lán)色次像素，其中可以有多重組合方式；兩個主像素區(qū)也可以包括任意種色彩次像素區(qū)的排列組合方式。六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于對應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)，即每個次像素區(qū)內(nèi)有一個薄膜晶體管，如第一次像素區(qū)的薄膜晶體管Tl，第二次像素區(qū)的薄膜晶體管T2，第三次像素區(qū)的薄膜晶體管T3，第四次像素區(qū)的薄膜晶體管T4，第五次像素區(qū)的薄膜晶體管T5，第六次像素區(qū)的薄膜晶體管T6，每個薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極；六個像素電極(圖中未示出)，每個像素電極覆蓋在對應(yīng)的次像素區(qū)的透光區(qū)上， 分別與對應(yīng)的薄膜晶體管的漏極電連接；其中，如圖2所示，該實施例中，第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線交叉形成第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)；第二次像素區(qū)L2、第五次像素區(qū)L5分別位于第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)內(nèi)。其中，第一數(shù)據(jù)線Dl與薄膜晶體管Tl和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管Tl的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線Gl電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。需要說明的是，次像素區(qū)可以為矩形區(qū)域，具體包括第一邊和第二邊，第一柵極線Gl和第二柵極線G2與次像素區(qū)的第一邊平行，且分別設(shè)置于每個主像素區(qū)內(nèi)的三個次像素區(qū)之間或者設(shè)置于各次像素區(qū)之外；第一數(shù)據(jù)線D1、第二數(shù)據(jù)線D2和第三數(shù)據(jù)線D3 與次像素區(qū)的第二邊平行，且分別設(shè)置于所述像素單元的兩個主像素區(qū)之間或者設(shè)置于兩個主像素區(qū)之外。在一種優(yōu)選方式中，第一邊為矩形區(qū)域的長邊，第二邊為矩形區(qū)域的短邊，在另一種實施方式中，第一邊為矩形區(qū)域的短邊，第二邊為矩形區(qū)域的長邊。其中，兩條柵極線、三條數(shù)據(jù)線的具體設(shè)置方式可參見后續(xù)圖7至圖13所對應(yīng)部分的詳細(xì)描述。本發(fā)明實施例以兩個主像素區(qū)為一個重復(fù)單位，每個主像素區(qū)包括三個次像素區(qū) (優(yōu)選的一種組合為紅色次像素區(qū)R、綠色次像素區(qū)G、藍(lán)色次像素區(qū)B)，也就是最小的一個重復(fù)單位包含6個次像素區(qū)。一個最小重復(fù)單位中包括兩個柵極線，三個數(shù)據(jù)線，六個薄膜晶體管，且每條數(shù)據(jù)線驅(qū)動兩個次像素區(qū)，兩個次像素區(qū)分別由不同的柵極線控制，采用這種像素結(jié)構(gòu)，對于分辨率為mXn的屏，其需要的柵極線為an條，其需要的數(shù)據(jù)線為3n/2 條，這樣，每條柵極線驅(qū)動時間縮短為單柵極驅(qū)動的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當(dāng)分辨率比較高時普通的TFT也可以達(dá)到驅(qū)動要求，適于廣泛應(yīng)用。進(jìn)一步的，本發(fā)明實施例提供的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動的像素縱向排列方式所需要的柵極線和數(shù)據(jù)線相同，這樣，源極驅(qū)動芯片、柵極驅(qū)動芯片的個數(shù)也相同，每條柵極線的驅(qū)動時間和驅(qū)動方式也可以相同，顯示面板尺寸也可以相同，所以利用現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動的縱向排列的像素結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝就可以生產(chǎn)出本發(fā)明實施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，且本發(fā)明實施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)更適合于3D顯示。圖4示出了本發(fā)明實施例提供的一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2 所示實施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線Dl與薄膜晶體管T2和薄膜晶體管T3的源極電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2 電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管Tl和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管Tl的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線 D3與薄膜晶體管T4和薄膜晶體管T5的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線 Gl電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第二柵極線G2電連接。圖5示出了本發(fā)明實施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖 2所示實施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線Dl與薄膜晶體管Tl和薄膜晶體管T3的源極電連接；薄膜晶體管Tl的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2 電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T2和薄膜晶體管T5的源極電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線 D3與薄膜晶體管T4和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線 Gl電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖6示出了本發(fā)明實施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖 2所示實施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線Dl與薄膜晶體管Tl和薄膜晶體管T3的源極電連接；薄膜晶體管Tl的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2 電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T2和薄膜晶體管T5的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線 D3與薄膜晶體管T4和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線 Gl電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖7示出了本發(fā)明實施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線交叉形成第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)；第二次像素區(qū)L2和第三次像素區(qū)L3位于第一封閉區(qū)內(nèi)，第五次像素區(qū)L5和第六次像素區(qū)L6位于第二封閉區(qū)內(nèi)。具體的，第一數(shù)據(jù)線Dl與薄膜晶體管Tl和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管Tl的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接； 薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線Gl電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖8示出了本發(fā)明實施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖 2所示實施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線交叉形成第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)；第一次像素區(qū)Li、第二次像素區(qū)L2和第三次像素區(qū)L3位于第一封閉區(qū)內(nèi)，第四次像素區(qū)L4、第五次像素區(qū)L5和第六次像素區(qū)L6位于第二封閉區(qū)內(nèi)。具體的，第一數(shù)據(jù)線Dl與薄膜晶體管Tl和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管Tl的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管 T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6 的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖9示出了本發(fā)明實施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖 2所示實施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)，其中，第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)為第一數(shù)據(jù)線的背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間，具體的，第一數(shù)據(jù)線Dl與薄膜晶體管Tl和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管Tl 的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管 T5和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖10示出了本發(fā)明實施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)，其中，第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)為第一數(shù)據(jù)線的背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)；第二主像素區(qū)位于第三數(shù)據(jù)線的外側(cè)，其中， 第三數(shù)據(jù)線的外側(cè)為第三數(shù)據(jù)線的背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)；具體的，第一數(shù)據(jù)線Dl與薄膜晶體管Tl和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管Tl的柵極與第一柵極線Gl電連接； 薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線Gl電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2 電連接。
需要說明的是，上述各實施例提供的雙柵極驅(qū)動的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)中的次像素區(qū)的可以為長方形區(qū)域，此時，長方形區(qū)域的長邊與柵極線平行，長方形區(qū)域的短邊與數(shù)據(jù)線平行；或者，次像素區(qū)為非長方形區(qū)域，不影響本發(fā)明的實現(xiàn)。本發(fā)明所描述的實例中柵極線、數(shù)據(jù)線、第一主像素區(qū)、第二主像素區(qū)間的位置變換及薄膜晶體管的連接關(guān)系僅為最佳實例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。本發(fā)明實施例提供一種帶有公共電極線的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其具體包括水平相鄰的兩個主像素區(qū)，每個主像素區(qū)包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；與兩個主像素區(qū)一一對應(yīng)的兩條公共電極線，兩條公共電極線中的一條公共電極線至少包括第一邊緣線，所述第一邊緣線覆蓋三個次像素區(qū)中一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形；第二邊緣線，所述第二邊緣線覆蓋三個次像素區(qū)中另一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第二邊緣線為U形；其中，所述三個次像素區(qū)中的一個次像素區(qū)與所述另一個次像素區(qū)垂直相鄰；第一邊緣線的一個側(cè)壁與第二邊緣線的一個側(cè)壁重疊，使所述第一邊緣線和所述第二邊緣線形成“S”形或者“E”形。其中，第一邊緣線可以是如下圖11中的邊緣線一 301，或者，如下圖12中的邊緣線二 3002 ；第二邊緣線可以是如下圖11中的邊緣線二 302，或者，如下圖12中的邊緣線三 3003。在一種方式中，所述三個次像素區(qū)中的一個次像素區(qū)與所述另一個次像素區(qū)之間沒有柵極線。可選的，該橫向排列的像素結(jié)構(gòu)還包括所述橫向排列的像素結(jié)構(gòu)還包括六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于水平相鄰的兩個像素區(qū)中的次像素區(qū)內(nèi)；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。其中，公共電極線與數(shù)據(jù)線位于第二金屬層，柵極線位于第一金屬層。如下分兩種情況對本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)介紹第一種情況如圖11所示，該橫向排列的像素結(jié)構(gòu)具體包括水平相鄰的兩個主像素區(qū)，兩個主像素區(qū)包括第一主像素區(qū)10和第二主像素區(qū) 20 ；其中，每個主像素區(qū)包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；所述垂直相鄰的三個次像素區(qū)包括第一次像素區(qū)、第二次像素區(qū)和第三次像素區(qū)，這三個次像素區(qū)順序放置；六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于水平相鄰的兩個像素區(qū)中的次像素區(qū)內(nèi)；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接；與第一主像素區(qū)10中的像素電極重疊形成儲存電容的公共電極線具體包括邊緣線一 301、邊緣線二 302、邊緣線三303、非邊緣線一 304，具體的，邊緣線一 301成U形，且邊緣線一 301覆蓋三個次像素區(qū)中第一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，具體可以為該U形的邊緣線一301的兩個側(cè)壁覆蓋該第一個次像素區(qū)上的像素電極中與柵極線平行的兩個邊，該U形的邊緣線一 301的底部覆蓋該第一個次像素區(qū)上的像素電極中與數(shù)據(jù)線平行的一個邊；邊緣線二 302成U形，且邊緣線二 302覆蓋三個次像素區(qū)中第二個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣；具體可以為該U形的邊緣線二 302的兩個側(cè)壁覆蓋該第二個次像素區(qū)上的像素電極中與柵極線平行的兩個邊，該U形的邊緣線二 302的底部覆蓋該第二個次像素區(qū)上的像素電極中與數(shù)據(jù)線平行的一個邊；邊緣線三303成U形，邊緣線三303覆蓋三個次像素區(qū)中第三個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣；具體可以為該U形的邊緣線三303的兩個側(cè)壁覆蓋該第三個次像素區(qū)上的像素電極中與柵極線平行的兩個邊，該U形的邊緣線三303的底部覆蓋該第三個次像素區(qū)上的像素電極中與數(shù)據(jù)線平行的一個邊；其中，邊緣線二 302的一個側(cè)壁和邊緣線一 301的一個側(cè)壁重疊，使邊緣線一 301 和邊緣線二 302組合形成S形或者“E”形；非邊緣線一 304連接邊緣線二 302的另一個側(cè)壁和邊緣線三303的一個側(cè)壁。為了使公共電極線30貫穿第一主像素區(qū)10且能夠與上下兩個主像素區(qū)中的公共電極線連接，其中，上下兩個主像素區(qū)為與第一主像素區(qū)10垂直相鄰的兩個主像素區(qū)，則該公共電極線30還包括非邊緣線二 305，用于連接邊緣線一 301的另一個側(cè)壁和與第一主像素區(qū)10垂直相鄰的一個主像素區(qū)上的公共電極線；非邊緣線三306，用于連接邊緣線三303的另一個側(cè)壁和與第一主像素區(qū)10垂直相鄰的另一個主像素區(qū)上的公共電極線。其中，次像素區(qū)可以為長方形，像素電極覆蓋在次像素區(qū)上，所以像素電極也可以是長方形。其中，兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線；所述第一柵極線和第二柵極線分別設(shè)置于每個主像素區(qū)內(nèi)的第二次像素區(qū)與第三次像素區(qū)之間和第一或第三次像素區(qū)的外側(cè)，第一次像素區(qū)的外側(cè)為背向第二次像素區(qū)的一側(cè)，第三次像素區(qū)的外側(cè)為背向第二次像素區(qū)的一側(cè)。具體的，圖11所示的第一柵極線Gl位于第一次像素區(qū)的外側(cè)，第一次像素區(qū)的外側(cè)為背向第二次像素區(qū)的一側(cè)，第二柵極線G2位于第二次像素區(qū)和第三次像素區(qū)之間。其中，該實施例中，兩條柵極線位于第一金屬層，三條數(shù)據(jù)線和公共電極線位于第二金屬層，因此，公共電極線可以跨過柵極線，由于三條數(shù)據(jù)線和公共電極線位于同一金屬層，所以公共電極線和數(shù)據(jù)線需要保持一定距離。具體的，圖11中的非邊緣線一 304、非邊緣線二 305和非邊緣線三306分別與數(shù)據(jù)線平行；非邊緣線一 304跨過第二柵極線G2。其中，由于第一柵極線Gl位于第一次像素區(qū)的外側(cè)，所以第一次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極與第一柵極線Gl電連接，一種方式中，該第一次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線Dl電連接，此時，U形的邊緣線一 301的開口朝向第一數(shù)據(jù)線；另一種方式中，該第一次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線D2電連接，此時，U形的邊緣線一 301的開口朝向第二數(shù)據(jù)線。由于第二柵極線G2位于第二次像素區(qū)和第三次像素區(qū)之間，所以第二次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極與第二柵極線G2電連接。一種方式中，該第二次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線Dl電連接，此時，U形的邊緣線二 302的開口朝向第一數(shù)據(jù)線；另一種方式中，該第一次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線D2電連接，此時，U形的邊緣線二 302的開口朝向第二數(shù)據(jù)線。所以，當(dāng)U形的邊緣線一 301的開口朝向第一數(shù)據(jù)線、U形的邊緣線二 302的開口朝向第一數(shù)據(jù)線時，邊緣線一 301和邊緣線二 302的一個側(cè)壁重疊，形成“E”形。當(dāng)U形的邊緣線一 301的開口朝向第二數(shù)據(jù)線、U形的邊緣線二 302的開口朝向第二數(shù)據(jù)線時，邊緣線一 301和邊緣線二 302的一個側(cè)壁重疊，形成“E”形。當(dāng)U形的邊緣線一 301的開口朝向第一數(shù)據(jù)線、U形的邊緣線二 302的開口朝向第二數(shù)據(jù)線時，邊緣線一 301和邊緣線二 302的一個側(cè)壁重疊，形成“S”形。當(dāng)U形的邊緣線一 301的開口朝向第二數(shù)據(jù)線、U形的邊緣線二 302的開口朝向第一數(shù)據(jù)線時，邊緣線一 301和邊緣線二 302的一個側(cè)壁重疊，形成“S”形。對于第三次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管，該第三次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極與第二柵極線G2電連接。一種方式中，該第三次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線Dl電連接，此時，U形的邊緣線三303的開口朝向第一數(shù)據(jù)線；另一種方式中，該第三次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線D2電連接，此時，U形的邊緣線三303的開口朝向第二數(shù)據(jù)線。可選的，次像素區(qū)可以為長方形，且長邊與柵極線平行，則像素電極覆蓋在次像素區(qū)上，所以像素電極也可以是長方形，此時，U形的邊緣線一 301、U形的邊緣線二 302、U形的邊緣線三303的側(cè)壁為長邊，底部為短邊?？蛇x的，在其他實施方式中，次像素區(qū)也可以為正方形。第二種情況，如圖12所示，該橫向排列的像素結(jié)構(gòu)包括水平相鄰的兩個主像素區(qū)，這兩個主像素區(qū)包括第一主像素區(qū)100和第二主像素區(qū)200 ；其中，每個主像素區(qū)包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；所述垂直相鄰的三個次像素區(qū)包括第一次像素區(qū)、第二次像素區(qū)和第三次像素區(qū)，這三個次像素區(qū)順序放置；六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于水平相鄰的兩個像素區(qū)中的次像素區(qū)內(nèi)；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接；與第一主像素區(qū)100中的像素電極重疊形成儲存電容的公共電極線具體包括邊緣線一 3001、邊緣線二 3002、邊緣線三3003、非邊緣線一 3004，具體的，邊緣線一 3001成U形，且邊緣線一 3001覆蓋三個次像素區(qū)中第一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣；具體可以為該U形的邊緣線一 3001的兩個側(cè)壁覆蓋該第一個次像素區(qū)上的像素電極中與柵極線平行的兩個邊，該U形的邊緣線一 3001的底部覆蓋該第一個次像素區(qū)上的像素電極中與數(shù)據(jù)線平行的一個邊；邊緣線二 3002成U形，且邊緣線二 3002覆蓋三個次像素區(qū)中第二個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣；具體可以為該U形的邊緣線二 3002的兩個側(cè)壁覆蓋該第二個次像素區(qū)上的像素電極中與柵極線平行的兩個邊，該U形的邊緣線二 3002的底部覆蓋該第二個次像素區(qū)上的像素電極中與數(shù)據(jù)線平行的一個邊；邊緣線三3003成U形，且邊緣線三3003覆蓋三個次像素區(qū)中第三個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣；具體可以為該U形的邊緣線三3003的兩個側(cè)壁覆蓋該第三個次像素區(qū)上的像素電極中與柵極線平行的兩個邊，該U形的邊緣線三3003的底部覆蓋該第三個次像素區(qū)上的像素電極中與數(shù)據(jù)線平行的一個邊；其中，邊緣線二 3002的一個側(cè)壁和邊緣線三303的一個側(cè)壁重疊，使邊緣線二 3002和邊緣線三3003形成S形或者“E”形；非邊緣線一 3004連接邊緣線二 3002的另一個側(cè)壁和邊緣線一 3001的一個側(cè)壁。為了使公共電極線300貫穿第一主像素區(qū)10而能夠與上下兩個主像素區(qū)中的公共電極線連接，其中，上下兩個主像素區(qū)為與第一主像素區(qū)100垂直相鄰的兩個主像素區(qū)， 則該公共電極線300還包括非邊緣線二 3005，用于連接邊緣線一 3001的另一個側(cè)壁和與第一主像素區(qū)10垂直相鄰的一個主像素區(qū)上的公共電極線；非邊緣線三306，用于連接邊緣線三303的另一個側(cè)壁和與第一主像素區(qū)10垂直相鄰的另一個主像素區(qū)上的公共電極線。其中，兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線；所述第一柵極線和第二柵極線分別設(shè)置于每個主像素區(qū)內(nèi)的第一次像素區(qū)與第二次像素區(qū)之間或者設(shè)置于各次像素區(qū)之外。具體的，如圖12所示，第一柵極線Gl可以位于第一次像素區(qū)與第二次像素區(qū)之間， 第二柵極線G2可以位于第三次像素區(qū)的外側(cè)，其中，第三次像素區(qū)的外側(cè)為背向第二次像素區(qū)的一側(cè)。其中，該實施例中，兩條柵極線位于第一金屬層，三條數(shù)據(jù)線和公共電極線位于第二金屬層，因此，公共電極線可以跨過柵極線，由于三條數(shù)據(jù)線和公共電極線位于同一金屬層，所以公共電極線和數(shù)據(jù)線需要保持一定距離。具體的，圖12中的非邊緣線一 3004、非邊緣線二 3005和非邊緣線三3006分別與數(shù)據(jù)線平行；非邊緣線一 3004跨過第一柵極線Gl。其中，第一柵極線Gl可以位于第一次像素區(qū)與第二次像素區(qū)之間，所以對于第一次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管，該薄膜晶體管的柵極與第一柵極線Gl電連接。在一種方式中，該薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線Dl電連接，此時，U形的邊緣線一 3001的開口朝向第二數(shù)據(jù)線D2 ；在另一種方式中，該薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線D2電連接，此時，U形的邊緣線一 3001的開口朝向第一數(shù)據(jù)線D1。由于第一柵極線Gl可以位于第一次像素區(qū)與第二次像素區(qū)之間，所以對于第二次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管，該薄膜晶體管的柵極與第一柵極線Gl電連接。在一種方式中，該薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線Dl電連接，此時，U形的邊緣線二 3002的開口朝向第二數(shù)據(jù)線D2 ；在另一種方式中，該薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線D2電連接，此時，U形的邊緣線二 3002的開口朝向第一數(shù)據(jù)線Dl。由于第一柵極線G2位于第三次像素區(qū)之外，所以對于第三次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管，該薄膜晶體管的柵極與第二柵極線G2電連接。在一種方式中，該薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線Dl電連接，此時，U形的邊緣線三3003的開口朝向第二數(shù)據(jù)線D2 ；在另一種方式中，該薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線D2電連接，此時，U形的邊緣線三3003的開口朝向第一數(shù)據(jù)線D1。所以，當(dāng)U形的邊緣線二 3002的開口、U形的邊緣線三3003的開口都朝向第一數(shù)據(jù)線或者都朝向第二數(shù)據(jù)線時，邊緣線二 3002和邊緣線三3003的一個側(cè)壁重疊，形成“E” 形。當(dāng)U形的邊緣線二 3002的開口朝向第一數(shù)據(jù)線、U形的邊緣線三3003的開口朝向第二數(shù)據(jù)線時，邊緣線二 3002和邊緣線三3003的一個側(cè)壁重疊，形成“S”形。當(dāng)U形的邊緣線二 3002的開口朝向第二數(shù)據(jù)線、U形的邊緣線三3003的開口朝向第一數(shù)據(jù)線時，邊緣線二 3002和邊緣線三3003的一個側(cè)壁重疊，形成“S”形?？蛇x的，次像素區(qū)可以為長方形，且長邊與柵極線平行，則像素電極覆蓋在次像素區(qū)上，所以像素電極也可以是長方形，此時，U形的邊緣線一 3001、U形的邊緣線二 3002、U 形的邊緣線三3003的側(cè)壁為長邊，底部為短邊。可選的，在其他實施方式中，次像素區(qū)也可以為正方形。本發(fā)明實施例提供的公共電極線中分別覆蓋兩個次像素區(qū)上像素電極的部分邊緣的第一邊緣線和第二邊緣線成U形，且第一邊緣線的一個側(cè)壁與第二邊緣線的一個側(cè)壁重疊，使第一邊緣線和第二邊緣線組合形成“S”形或者“E”形，其中，第一邊緣線和第二邊緣線重疊的部分被兩個次像素區(qū)所共用，用于為兩個次像素區(qū)遮光，這樣，就不需要在兩個次像素區(qū)之間設(shè)計懸浮的平行于柵極線的遮光線了。本發(fā)明實施例提供另一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其包括水平相鄰的兩個主像素區(qū)，其中，每個主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；用于與水平相鄰的兩個主像素區(qū)中水平相鄰的兩個次像素區(qū)上的像素電極形成儲存電容的公共電極線；其中，所述公共電極線至少包括第一邊緣線，所述第一邊緣線覆蓋水平相鄰的兩個次像素區(qū)中一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形；第二邊緣線，所述第二邊緣線覆蓋水平相鄰的兩個次像素區(qū)中另一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第二邊緣線為U形；其中，第一邊緣線的底部與第二邊緣線的底部重疊，使所述第一邊緣線和所述第二邊緣線連接后形成“H”形。其中，水平相鄰的兩個次像素區(qū)之間沒有數(shù)據(jù)線；或者，所述水平相鄰的兩個次像素區(qū)之間有數(shù)據(jù)線，且所述水平相鄰的兩個次像素區(qū)中沒有與所述數(shù)據(jù)線電連接的薄膜晶體管。其中，對于該實施例中的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，公共電極線和柵極線位于第一金屬層，數(shù)據(jù)線位于第二金屬層。其中，所述橫向排列的像素結(jié)構(gòu)還包括六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于對應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。其中，這兩個主像素區(qū)中水平相鄰的兩個次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管分別與兩個次像素區(qū)各自外側(cè)的數(shù)據(jù)線電連接。如下結(jié)合圖13，對該實施例提供的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述如圖13所示，該橫向排列的像素結(jié)構(gòu)包括第一主像素區(qū)50和第二主像素區(qū)60 ；六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于水平相鄰的兩個像素區(qū)中的次像素區(qū)內(nèi)；
兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。其中，三條數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線D1、第二數(shù)據(jù)線D2和第三數(shù)據(jù)線D3，其中，第一數(shù)據(jù)線Dl位于第一主像素區(qū)的外側(cè)，所述第一主像素區(qū)的外側(cè)為第一主像素區(qū)背向第二主像素區(qū)的一側(cè)，第二數(shù)據(jù)線D2位于第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)之間，第三數(shù)據(jù)線D3位于第二主像素區(qū)的外側(cè)，其中，第二主像素區(qū)的外側(cè)為第二主像素區(qū)背向第一主像素區(qū)的一側(cè)。兩條柵極線的分布方式本發(fā)明不做限制，可以參考圖2、圖3、圖4-10的分布方式，在此不再贅述。用于與水平相鄰的兩個主像素區(qū)中水平相鄰的兩個次像素區(qū)上的像素電極形成儲存電容的公共電極線70，該公共電極線70具體包括邊緣線一 701和邊緣線二 702，具體的，邊緣線一 701成U形，且邊緣線一 701覆蓋水平相鄰的兩個次像素區(qū)中一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣；具體可以為該U形的邊緣線一 701的兩個側(cè)壁覆蓋該次像素區(qū)上的像素電極中與柵極線平行的兩個邊，該U形的邊緣線一 701的底部覆蓋該次像素區(qū)上的像素電極中與數(shù)據(jù)線平行的一個邊；邊緣線二 702成U形，且邊緣線二 702覆蓋水平相鄰的兩個次像素區(qū)中另一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣；具體可以為該U形的邊緣線二 702的兩個側(cè)壁覆蓋該次像素區(qū)上的像素電極中與柵極線平行的兩個邊，該U形的邊緣線二 702的底部覆蓋該次像素區(qū)上的像素電極中與數(shù)據(jù)線平行的一個邊；其中，邊緣線一 701的底部與邊緣線二 702的底部重疊，使邊緣線一 701和邊緣線二 702組合后形成“H”形。該實施例中，水平相鄰的兩個次像素區(qū)中一個次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線Dl電連接，水平相鄰的兩個次像素區(qū)中另一個次像素區(qū)對應(yīng)的薄膜晶體管的源極與第三數(shù)據(jù)線D3電連接。需要說明的是，如圖13所示，該橫向排列的像素結(jié)構(gòu)還包括第三主像素區(qū)80和第四主像素區(qū)90，其中，覆蓋第一主像素區(qū)50的第三次像素區(qū)503上像素電極部分邊緣的公共電極線成U形，且U形開口方向朝向第二數(shù)據(jù)線，覆蓋第三主像素區(qū)80的第一次像素區(qū)801上像素電極部分邊緣的公共電極線成U形，且該U形開口方向朝向第一數(shù)據(jù)線，如圖 13所示，覆蓋第一主像素區(qū)50的第三次像素區(qū)503上像素電極部分邊緣的公共電極線的一個側(cè)壁與覆蓋第三主像素區(qū)80的第一次像素區(qū)801上像素電極部分邊緣的公共電極線的一個側(cè)壁重疊，使覆蓋第一主像素區(qū)50的第三次像素區(qū)503上像素電極部分邊緣的公共電極線和覆蓋第三主像素區(qū)80的第一次像素區(qū)801上像素電極部分邊緣的公共電極線組合后成S形；覆蓋第二主像素區(qū)60的第三次像素區(qū)603上像素電極部分邊緣的公共電極線的一個側(cè)壁與覆蓋第四主像素區(qū)90的第一次像素區(qū)901上像素電極部分邊緣的公共電極線的一個側(cè)壁重疊，使覆蓋第二主像素區(qū)60的第三次像素區(qū)603上像素電極部分邊緣的公共電極線和覆蓋第四主像素區(qū)90的第一次像素區(qū)901上像素電極部分邊緣的公共電極線組合后成S形。其中，如圖13所示，兩個S形中間的橫段相連接。
可選的，覆蓋第一主像素區(qū)50的第三次像素區(qū)503上像素電極部分邊緣的公共電極線的開口方向可以朝向第一數(shù)據(jù)線，覆蓋第三主像素區(qū)80的第一次像素區(qū)801上像素電極部分邊緣的公共電極線的開口朝向為第一數(shù)據(jù)線，這兩個公共電極線的一個側(cè)壁重疊形成E形；或者，覆蓋第二主像素區(qū)60的第三次像素區(qū)603上像素電極部分邊緣的公共電極線的一個側(cè)壁與覆蓋第四主像素區(qū)90的第一次像素區(qū)901上像素電極部分邊緣的公共電極線的一個側(cè)壁重疊形成E形，兩個E形中間的橫段相連接。本發(fā)明實施例提供的公共電極線中分別覆蓋兩個次像素區(qū)上像素電極的部分邊緣的第一邊緣線和第二邊緣線成U形，且第一邊緣線的底部與第二邊緣線的底部重疊，使第一邊緣線和第二邊緣線組合形成“H”形，其中，第一邊緣線和第二邊緣線重疊的部分被兩個次像素區(qū)所共用，用于為兩個次像素區(qū)遮光，這樣，就不需要在兩個次像素區(qū)之間設(shè)計懸浮的平行于數(shù)據(jù)線的遮光線了。本發(fā)明實施例提供又一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其包括垂直相鄰的兩個主像素區(qū)；其中，每個主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；其中，所述垂直相鄰的三個次像素區(qū)包括第一次像素區(qū)、第二次像素區(qū)和第三次像素區(qū)，這三個次像素區(qū)順序放置；用于與兩個主像素區(qū)中的像素電極形成儲存電容的公共電極線；其中，所述公共電極線至少包括第一邊緣線，所述第一邊緣線覆蓋一個主像素區(qū)中第三次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形；第二邊緣線，所述第二邊緣線覆蓋另一個主像素區(qū)中第一次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第二邊緣線為U形；其中，第一邊緣線的一個側(cè)壁與第二邊緣線的一個側(cè)壁重疊，使所述第一邊緣線和所述第二邊緣線形成“ S ”形或者“E ”形。其中，所述一個主像素區(qū)的第三次像素區(qū)與所述另一個主像素區(qū)的第一次像素區(qū)之間沒有柵極線。其中，該實施例中公共電極線與數(shù)據(jù)線位于同一層，即第二金屬層，柵極線位于第其中，垂直相鄰的兩個主像素區(qū)包括第一主像素區(qū)和第三主像素區(qū)，可選的，該橫向排列的像素結(jié)構(gòu)具體包括兩個像素結(jié)構(gòu)，所述兩個像素結(jié)構(gòu)包括第一像素結(jié)構(gòu)和第二像素結(jié)構(gòu)；所述第一像素結(jié)構(gòu)包括水平相鄰的第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)；所述第二像素結(jié)構(gòu)包括水平相鄰的第三主像素區(qū)和第四主像素區(qū)，其中，第二主像素區(qū)和第四主像素區(qū)垂直相鄰；每個像素結(jié)構(gòu)中包括六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于水平相鄰的兩個主像素區(qū)中的次像素區(qū)內(nèi)；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。其中，上述兩個像素結(jié)構(gòu)均可以采用圖2、圖3、圖4-圖10的像素結(jié)構(gòu)，只要滿足垂直相鄰的兩個主像素區(qū)之間沒有柵極線即可，即垂直相鄰的一個主像素區(qū)的第三次像素區(qū)與另一個主像素區(qū)的第一次像素區(qū)之間沒有柵極線。
如下，結(jié)合圖16，對該實施例提供的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)介紹第一主像素區(qū)、第二主像素區(qū)、第三主像素區(qū)和第四主像素區(qū)分別用標(biāo)號500、 600、700、800示出，具體的，第一像素結(jié)構(gòu)中的兩條柵極線設(shè)置于第一主像素區(qū)內(nèi)的相鄰次像素區(qū)之間；所述第二像素結(jié)構(gòu)中的兩條柵極線設(shè)置于第三主像素區(qū)內(nèi)的相鄰次像素區(qū)之間。該圖16中，第一像素結(jié)構(gòu)中的兩條柵極線(標(biāo)號901、902示出)中的一條位于第一次像素區(qū)和第二次像素區(qū)之間，另一條位于第二次像素區(qū)和第三次像素區(qū)之間。類似的，第二像素結(jié)構(gòu)中的兩條柵極線(標(biāo)號903、904示出)中的一條位于第一次像素區(qū)和第二次像素區(qū)之間，另一條位于第二次像素區(qū)和第三次像素區(qū)之間具體的，第一像素結(jié)構(gòu)中三條數(shù)據(jù)線具體包括第一數(shù)據(jù)線D1、第二數(shù)據(jù)線D2和第三數(shù)據(jù)線D3 ；其中，所述第一數(shù)據(jù)線位于第一主像素區(qū)的外側(cè)，所述第一主像素區(qū)的外側(cè)是背向第二主像素區(qū)的一側(cè)；所述第二數(shù)據(jù)線位于第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)之間； 所述第三數(shù)據(jù)線位于第二主像素區(qū)的外側(cè)，所述第二主像素區(qū)的外側(cè)是背向第一主像素區(qū)的一側(cè)；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極和所述第三主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極都與第一數(shù)據(jù)線電連接時，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“E”形，U形的第一邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極和所述第三主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極都與第二數(shù)據(jù)線電連接時，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“E”形，U形的第一邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線電連接，且所述第三主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線電連接，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形；U形的第一邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線電連接，且所述第三主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線電連接，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形；U形的第一邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線。本發(fā)明實施例提供的貫穿垂直相鄰的兩個主像素區(qū)的公共電極線中，分別覆蓋這兩個主像素區(qū)相鄰的兩個次像素區(qū)上像素電極部分邊緣的第一邊緣線和第二邊緣線成U 形，且第一邊緣線的一個側(cè)壁與第二邊緣線的一個側(cè)壁重疊，使第一邊緣線和第二邊緣線組合形成“S”形或者“E”形，其中，第一邊緣線和第二邊緣線重疊的部分被兩個次像素區(qū)所共用，用于為兩個次像素區(qū)遮光，這樣，就不需要在兩個次像素區(qū)之間設(shè)計懸浮的平行于柵極線的遮光線了。相應(yīng)的，本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，包括第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板上設(shè)置有上述任意一個帶有公共電極線的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。其中，第一基板可以是TFT基板；第二基板可以是彩色濾光片 (Color filter, CF)基板。
以上對本發(fā)明實施例所提供的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)和顯示面板進(jìn)行了詳細(xì)介紹， 本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進(jìn)行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括水平相鄰的兩個主像素區(qū)，每個主像素區(qū)包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)； 與兩個主像素區(qū)一一對應(yīng)的兩條公共電極線，兩條公共電極線中的一條公共電極線至少包括第一邊緣線，所述第一邊緣線覆蓋三個次像素區(qū)中一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形；第二邊緣線，所述第二邊緣線覆蓋三個次像素區(qū)中另一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第二邊緣線為U形；其中，所述三個次像素區(qū)中的一個次像素區(qū)與所述另一個次像素區(qū)垂直相鄰；其中，第一邊緣線的一個側(cè)壁與第二邊緣線的一個側(cè)壁重疊，使所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形或者“E”形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述三個次像素區(qū)中的一個次像素區(qū)與所述另一個次像素區(qū)之間沒有柵極線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述橫向排列的像素結(jié)構(gòu)還包括六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于水平相鄰的兩個主像素區(qū)中的次像素區(qū)內(nèi)； 兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述垂直相鄰的三個次像素區(qū)包括第一次像素區(qū)、第二次像素區(qū)和第三次像素區(qū)； 所述第一邊緣線覆蓋所述第一次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形；所述第二邊緣線覆蓋所述第二次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第二邊緣線為U形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線；第一柵極線設(shè)置于第一次像素區(qū)的外側(cè)，所述第一次像素區(qū)的外側(cè)是背向第二次像素區(qū)的一側(cè)；第二柵極線設(shè)置于第二次像素區(qū)與第三次像素區(qū)之間；所述第一主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的柵極與第一柵極線電連接，所述第一主像素區(qū)的第二次像素區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的柵極與第二柵極線電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，水平相鄰的兩個主像素區(qū)包括第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)； 三條數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線，其中，所述第一數(shù)據(jù)線位于第一主像素區(qū)的外側(cè)，所述第一主像素區(qū)的外側(cè)是背向第二主像素區(qū)的一側(cè)；所述第二數(shù)據(jù)線位于第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)之間；所述第三數(shù)據(jù)線位于第二主像素區(qū)的外側(cè)， 所述第二主像素區(qū)的外側(cè)是背向第一主像素區(qū)的一側(cè)；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極和所述第一主像素區(qū)的第二次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極都與第一數(shù)據(jù)線電連接時，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“E”形，U形的第一邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極和所述第一主像素區(qū)的第二次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極都與第二數(shù)據(jù)線電連接時，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“E”形，U形的第一邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線電連接，且所述第一主像素區(qū)的第二次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線電連接，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形；U形的第一邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線電連接，且所述第一主像素區(qū)的第二次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線電連接，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形；U形的第一邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一邊緣線覆蓋所述第二次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形；所述第二邊緣線覆蓋所述第三次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線；第一柵極線設(shè)置于第一次像素區(qū)與第二次像素區(qū)之間；第二柵極線設(shè)置于第三次像素區(qū)的外側(cè)，所述第三次像素區(qū)的外側(cè)是背向第二次像素區(qū)的一側(cè)；所述第一主像素區(qū)的第二次像素區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的柵極與第一柵極線電連接，所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)薄膜晶體管的柵極與第二柵極線電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，水平相鄰的兩個主像素區(qū)包括第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)； 三條數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線，其中，所述第一數(shù)據(jù)線位于第一主像素區(qū)的外側(cè)，所述第一主像素區(qū)的外側(cè)是背向第二主像素區(qū)的一側(cè)；所述第二數(shù)據(jù)線位于第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)之間；所述第三數(shù)據(jù)線位于第二主像素區(qū)的外側(cè)， 所述第二主像素區(qū)的外側(cè)是背向第一主像素區(qū)的一側(cè)；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第二次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極和所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極都與第一數(shù)據(jù)線電連接時，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“E”形，U形的第一邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第二次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極和所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極都與第二數(shù)據(jù)線電連接時，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“E”形，U形的第一邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第二次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線電連接，且所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線電連接，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形；U形的第一邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第二次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線電連接，且所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線電連接，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形；U形的第一邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線。
10.一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括垂直相鄰的兩個主像素區(qū)；其中，每個主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)； 其中，所述垂直相鄰的三個次像素區(qū)包括第一次像素區(qū)、第二次像素區(qū)和第三次像素區(qū)；用于與兩個主像素區(qū)中的像素電極形成儲存電容的公共電極線；其中，所述公共電極線至少包括第一邊緣線，所述第一邊緣線覆蓋兩個主像素區(qū)的一個主像素區(qū)中第三次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形；第二邊緣線，所述第二邊緣線覆蓋兩個主像素區(qū)的另一個主像素區(qū)中第一次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第二邊緣線為U形；其中，第一邊緣線的一個側(cè)壁與第二邊緣線的一個側(cè)壁重疊，使所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形或者“E”形。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，所述一個主像素區(qū)的第三次像素區(qū)與所述另一個主像素區(qū)的第一次像素區(qū)之間沒有柵極線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，垂直相鄰的兩個主像素區(qū)包括第一主像素區(qū)和第三主像素區(qū)， 該橫向排列的像素結(jié)構(gòu)具體包括兩個像素結(jié)構(gòu)，所述兩個像素結(jié)構(gòu)包括第一像素結(jié)構(gòu)和第二像素結(jié)構(gòu)；所述第一像素結(jié)構(gòu)包括水平相鄰的第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)；所述第二像素結(jié)構(gòu)包括水平相鄰的第三主像素區(qū)和第四主像素區(qū)，其中，第二主像素區(qū)和第四主像素區(qū)垂直相鄰；每個像素結(jié)構(gòu)中包括六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于水平相鄰的兩個主像素區(qū)中的次像素區(qū)內(nèi)；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一像素結(jié)構(gòu)中的兩條柵極線分別設(shè)置于第一主像素區(qū)內(nèi)的相鄰次像素區(qū)之間；所述第二像素結(jié)構(gòu)中的兩條柵極線分別設(shè)置于第三主像素區(qū)內(nèi)的相鄰次像素區(qū)之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一像素結(jié)構(gòu)中三條數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線；其中，所述第一數(shù)據(jù)線位于第一主像素區(qū)的外側(cè)，所述第一主像素區(qū)的外側(cè)是背向第二主像素區(qū)的一側(cè)；所述第二數(shù)據(jù)線位于第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)之間；所述第三數(shù)據(jù)線位于第二主像素區(qū)的外側(cè)，所述第二主像素區(qū)的外側(cè)是背向第一主像素區(qū)的一側(cè)；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極和所述第三主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極都與第一數(shù)據(jù)線電連接時，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“E”形，U形的第一邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極和所述第三主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極都與第二數(shù)據(jù)線電連接時，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“E”形，U形的第一邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線電連接，且所述第三主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線電連接，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形；U形的第一邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線；當(dāng)所述第一主像素區(qū)的第三次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第二數(shù)據(jù)線電連接，且所述第三主像素區(qū)的第一次像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極與第一數(shù)據(jù)線電連接，所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形；U形的第一邊緣線的開口朝向第二數(shù)據(jù)線，U形的第二邊緣線的開口朝向第一數(shù)據(jù)線。
15.一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括水平相鄰的兩個主像素區(qū)，其中，每個主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)； 用于與兩個主像素區(qū)中水平相鄰的兩個次像素區(qū)上的像素電極形成儲存電容的公共電極線；其中，所述公共電極線至少包括第一邊緣線，所述第一邊緣線覆蓋水平相鄰的兩個次像素區(qū)中一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第一邊緣線為U形；第二邊緣線，所述第二邊緣線覆蓋水平相鄰的兩個次像素區(qū)中另一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且第二邊緣線為U形；其中，第一邊緣線的底部與第二邊緣線的底部重疊，使所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“H”形。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述水平相鄰的兩個次像素區(qū)之間沒有數(shù)據(jù)線； 或者，所述水平相鄰的兩個次像素區(qū)之間有數(shù)據(jù)線，且所述水平相鄰的兩個次像素區(qū)中沒有與所述數(shù)據(jù)線電連接的薄膜晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫向排列的像素結(jié)構(gòu)還包括 六個薄膜晶體管，分別設(shè)置于對應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，包括水平相鄰的兩個主像素區(qū)，每個主像素區(qū)包括垂直相鄰的三個次像素區(qū)；與兩個主像素區(qū)一一對應(yīng)的兩條公共電極線，兩條公共電極線中的一條公共電極線至少包括第一邊緣線，覆蓋三個次像素區(qū)中一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且為U形；第二邊緣線，覆蓋三個次像素區(qū)中另一個次像素區(qū)上的像素電極的部分邊緣，且為U形；其中，所述三個次像素區(qū)中的一個次像素區(qū)與所述另一個次像素區(qū)垂直相鄰；其中，第一邊緣線的一個側(cè)壁與第二邊緣線的一個側(cè)壁重疊，使所述第一邊緣線和所述第二邊緣線組合形成“S”形或者“E”形。使用該技術(shù)方案就不需要在兩個次像素區(qū)之間設(shè)計懸浮的平行于柵極線的遮光線了。
文檔編號G02F1/1368GK102289123SQ20111028303
公開日2011年12月21日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月22日
發(fā)明者周思思, 夏志強(qiáng) 申請人:上海中航光電子有限公司