專利名稱：光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以及包含其的掩模板和半導(dǎo)體晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，特別是涉及光刻工藝中采用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以及該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在掩模板和半導(dǎo)體晶片上的定位。
背景技術(shù)：
光刻技術(shù)是大規(guī)模集成電路制造技術(shù)的基礎(chǔ)，其很大程度上決定了集成電路的集成度。所謂光刻是通過曝光將掩模板上的圖案轉(zhuǎn)印到涂有光刻膠的晶片上，顯影后掩模板上的圖案出現(xiàn)在晶片上。
光刻工藝中至為關(guān)鍵的步驟是將掩模板與晶片對(duì)準(zhǔn)。在集成電路的制造過程中， 通常需要在晶片上曝光幾層乃至幾十層的掩模圖案來形成完整的電路結(jié)構(gòu)。在多次光刻中，除了第一次光刻之外，其余次光刻在曝光前都需要將用于該次光刻的掩模板與晶片上已曝光的第一層圖案或者前一層或幾層的圖案精確對(duì)準(zhǔn)。光刻的套準(zhǔn)精度控制決定了集成電路的復(fù)雜度和功能密度。
目前，光刻技術(shù)中的對(duì)準(zhǔn)方式主要有兩種，即零位對(duì)準(zhǔn)方式和劃線槽對(duì)準(zhǔn)方式。在零位對(duì)準(zhǔn)方式中，諸如XPA(擴(kuò)展主標(biāo)記,extended primary mark)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通常只設(shè)置在晶片的第一層圖案中，所有后續(xù)的層都與該第一層對(duì)準(zhǔn)。零位對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通常形成在圖案的邊緣位置處。
然而，在具有多層電路結(jié)構(gòu)的器件中，金屬層或者鈍化層通常會(huì)大大削弱零位對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的信號(hào)強(qiáng)度，使得難以進(jìn)行精確對(duì)準(zhǔn)。為了克服這一問題，現(xiàn)有技術(shù)中采用額外的光刻和刻蝕處理來露出對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域。然而，這種額外的處理會(huì)增加工藝成本和處理時(shí)間，降低生產(chǎn)率。
劃線槽對(duì)準(zhǔn)方式是目前光刻技術(shù)中廣為采用的一種對(duì)準(zhǔn)方式。其中，諸如條形的 SPM(劃線槽主標(biāo)記，scribe lane primary mark)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成在每一層或者多個(gè)層的劃線槽中。后一層圖案可以與前一層或前幾層中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
然而，受光刻設(shè)備和工藝的限制，諸如SPM的劃線槽對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記通常尺寸固定，例如 80 μ mo隨著對(duì)晶片上的管芯總數(shù)(gross die)要求的不斷提高,可能希望劃線槽的尺寸小于80 μ m，例如僅為72 μ m,甚至為60 μ m。在這種情況下，通常的SPM對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記無法容納在小尺寸的劃線槽中。
因此，需要一種能夠應(yīng)用于具有小尺寸劃線槽的芯片且套準(zhǔn)精度高的光刻對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。發(fā)明內(nèi)容
為了消除或者至少部分地減輕現(xiàn)有技術(shù)中的一些或全部上述問題，提出了本發(fā)明。
在本發(fā)明中，提出了一種新穎的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其形成在晶片的多層圖案邊緣的標(biāo)記區(qū)域中，并且將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的柵條進(jìn)行了進(jìn)一步的精細(xì)劃分，由此能夠應(yīng)用于具有小尺寸劃線槽的芯片并實(shí)現(xiàn)精確的對(duì)準(zhǔn)。
在本公開的第一方面中，提供了一種光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，包括沿第一方向相互平行設(shè)置的多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條；和沿與所述第一方向垂直的第二方向相互平行設(shè)置的多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條，其中，所述多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條中的每一個(gè)由預(yù)定個(gè)數(shù)的均勻間隔開的第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條構(gòu)成，并且所述多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條中的每一個(gè)由所述預(yù)定個(gè)數(shù)的均勻間隔開的第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條構(gòu)成。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述預(yù)定個(gè)數(shù)為3個(gè)。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述預(yù)定個(gè)數(shù)為2個(gè)。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述預(yù)定個(gè)數(shù)為4個(gè)。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條的寬度與第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度相等，并且所述第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條的寬度與第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度相等。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條的寬度為8 μ m，并且所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條的寬度為8 μ m。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條均勻地間隔開，并且所述多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條均勻地間隔開。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度相等。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度均為8 μ m或者均為9. 6 μ m。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度不等。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔兩者之一的寬度為8 μ m,而另一個(gè)的寬度為9. 6 μ m。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條分為兩組，其中每一組中的第一對(duì)準(zhǔn)柵條都均勻地間隔開，并且第一組第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與第二組第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度不等。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一組第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與第二組第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔兩者之一的寬度為8 μ m,而另一個(gè)的寬度為9. 6μηι。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條分為兩組，其中每一組中的第二對(duì)準(zhǔn)柵條都均勻地間隔開，并且第一組第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與第二組第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度不等。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一組第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與第二組第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔兩者之一的寬度為8 μ m,而另一個(gè)的寬度為9. 6μηι。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條和所述第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條由金屬形成， 并且所述第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔由氧化物形成，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔也由所述氧化物形成。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條和所述第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條由氧化物形成，并且所述第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔由金屬形成， 所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔也由所述金屬形成。
在本公開的第二方面中，提供了一種掩模板，包括中心區(qū)域，其具有與要形成的 電路圖案相對(duì)應(yīng)的掩模圖案；和邊緣區(qū)域，其包括一個(gè)或多個(gè)如本公開第一方面所述的光 刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
在本公開的第三方面中，提供了一種半導(dǎo)體晶片，包括多個(gè)晶片層，其中每個(gè)晶 片層包括主芯片區(qū)域，其用以形成所需的電路圖案；和標(biāo)記區(qū)域，其用于容納一個(gè)或多個(gè) 如本公開第一方面所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于所述多個(gè)晶片層中 的一個(gè)或多個(gè)選定層中的標(biāo)記區(qū)域內(nèi)。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述標(biāo)記區(qū)域位于晶片層的角部。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述標(biāo)記區(qū)域包括多個(gè)標(biāo)記子區(qū)域，所述多個(gè)標(biāo)記子區(qū)域中的 每一個(gè)用于容納一個(gè)或多個(gè)所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，并且晶片層的至少兩個(gè)角部各自具有一個(gè) 所述標(biāo)記子區(qū)域。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述標(biāo)記區(qū)域包括第一標(biāo)記子區(qū)域和第二標(biāo)記子區(qū)域，并且所 述第一標(biāo)記子區(qū)域和第二標(biāo)記子區(qū)域分別位于晶片層的左下角和右上角。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述標(biāo)記區(qū)域包括第一標(biāo)記子區(qū)域和第二標(biāo)記子區(qū)域，并且所 述第一標(biāo)記子區(qū)域和第二標(biāo)記子區(qū)域分別位于晶片層的右下角和左上角。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)晶片層包括一個(gè)或多個(gè)金屬層，并且所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記形成在部分或全部所述一個(gè)或多個(gè)金屬層的標(biāo)記區(qū)域內(nèi)。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)晶片層還包括有源區(qū)層、多晶硅柵層、接觸層和鈍化 層，并且所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還形成在有源區(qū)層、接觸層和鈍化層的標(biāo)記區(qū)域內(nèi)。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還形成在多晶硅柵層的標(biāo)記區(qū)域內(nèi)。
在一個(gè)實(shí)施例中，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在不同選定層的標(biāo)記區(qū)域中的位置相互錯(cuò)開。
在一個(gè)實(shí)施例中，相鄰的選定層中的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置相互隔開1_。
在一個(gè)實(shí)施例中，在所述選定層為多個(gè)時(shí)，對(duì)準(zhǔn)柵條由金屬形成的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 和對(duì)準(zhǔn)柵條由氧化物形成的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記逐層交替地形成在多個(gè)所述選定層的標(biāo)記區(qū)域 中，而且不同選定層的標(biāo)記區(qū)域中的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置相互重疊。
在本公開的第四方面中，提供了一種半導(dǎo)體晶片，從下至上依次包括有源區(qū)層、多 晶娃柵層、接觸層、第一金屬層、第一過孔層、第二金屬層、第二過孔層、第三金屬層、第三過 孔層、第四金屬層、第四過孔層、第五金屬層、頂部過孔層、頂部金屬層、鈍化層以及鋁焊盤 層，其中，在有源區(qū)層、接觸層、第一金屬層、第四金屬層和鈍化層中形成有如本公開第一方 面所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
在一個(gè)實(shí)施例中，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還形成在多晶娃柵層、第二金屬層、第三金屬層、 第五金屬層和頂部金屬層中的任一個(gè)或多個(gè)層中。
本公開實(shí)施例的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成在晶片的每個(gè)或多個(gè)圖案層邊緣的標(biāo)記區(qū)域 中，并且將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的柵條進(jìn)行了進(jìn)一步的精細(xì)劃分，由此能夠應(yīng)用于具有小尺寸劃線槽 的芯片中并實(shí)現(xiàn)精確的對(duì)準(zhǔn)。
此外，本公開實(shí)施例的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以放置于掩模板的非電路圖案區(qū)域中，只 有在處理具有小尺寸劃線槽的芯片時(shí)才使用，因而不會(huì)影響主流程，也不會(huì)增加額外的掩 模板成本。
通過以下參照附圖對(duì)本公開的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。


附圖作為說明書的一部分例示了本公開的實(shí)施例，并且連同說明書一起用于解釋 本發(fā)明的原理。各附圖中相同的附圖標(biāo)記將指代相同的部件或步驟。
參照附圖，根據(jù)下面的詳細(xì)描述，可以更加清楚地理解本發(fā)明，其中
圖1A至IC是示出了現(xiàn)有技術(shù)的XPA-OO對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的示意圖。
圖2A至2E是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的XPA-53對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的示意圖。
圖2F是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的XPA-32對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放大示意圖。
圖2G是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的XPA-74對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放大示意圖。
圖2H是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的反式的XPA-53對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放大示意圖。
圖3是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模板的示意圖。
圖4是示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體晶片層的示意圖。
圖5A是示出了根據(jù)本公開的一個(gè)示例的具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體晶片的結(jié)構(gòu)示意 圖。
圖5B是例示了圖5A所示的半導(dǎo)體晶片的光刻對(duì)準(zhǔn)樹。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到除非另外具 體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本 發(fā)明的范圍。
同時(shí)，應(yīng)當(dāng)明白，為了便于描述，附圖中所示出的各個(gè)部分的尺寸并不是按照實(shí)際 的比例關(guān)系繪制的。
以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對(duì)本發(fā)明 及其應(yīng)用或使用的任何限制。
對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適 當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為授權(quán)說明書的一部分。
在這里示出和討論的所有示例中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不 是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它示例可以具有不同的值。
應(yīng)注意到相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一 個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
為了能夠在小尺寸劃線槽的情形下實(shí)現(xiàn)高精度的光刻對(duì)準(zhǔn)，本公開實(shí)施例提出了 一種改進(jìn)的零位光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。該光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記被形成在晶片的每個(gè)或多個(gè)圖案層邊緣的 標(biāo)記區(qū)域中，并且對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中的每個(gè)對(duì)準(zhǔn)柵條都由多個(gè)更細(xì)的柵條構(gòu)成。
圖1A至IC示出了現(xiàn)有技術(shù)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的一個(gè)示例，即標(biāo)準(zhǔn)的XPA對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，也稱 XPA-OO型對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。如圖1A所示，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記100由四組對(duì)準(zhǔn)柵條形成方形形狀，即兩 個(gè)沿Y方向設(shè)置的第一對(duì)準(zhǔn)柵條組102和兩個(gè)沿X方向設(shè)置的第二對(duì)準(zhǔn)柵條組104交錯(cuò)排 列成方形，以分別實(shí)現(xiàn)Y方向和X方向的對(duì)準(zhǔn)，其中X方向與Y方向相互垂直。
如圖1B的放大圖所示，第一對(duì)準(zhǔn)柵條組102由多個(gè)沿Y方向彼此平行設(shè)置的第一對(duì)準(zhǔn)柵條106和均勻地隔開第一對(duì)準(zhǔn)柵條106的第一對(duì)準(zhǔn)柵條間隔108構(gòu)成。類似地，如圖1C的放大圖所示，第二對(duì)準(zhǔn)柵條組104由多個(gè)沿X方向彼此平行設(shè)置的第二對(duì)準(zhǔn)柵條110 和均勻地隔開第二對(duì)準(zhǔn)柵條的第二對(duì)準(zhǔn)柵條間隔112構(gòu)成。
基于圖1A至IC所示的現(xiàn)有技術(shù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，本公開實(shí)施例提出了一種改進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，即XPA-MN型對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記200，下面將參照?qǐng)D2A至2H對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。
與圖1中所示的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記100類似，圖2所示的本公開實(shí)施例的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記200由兩個(gè)沿Y方向設(shè)置的第一對(duì)準(zhǔn)柵條組202和兩個(gè)沿X方向設(shè)置的第二對(duì)準(zhǔn)柵條組 204交錯(cuò)排列成方形，參見圖2A。需要說明的是，盡管在本實(shí)施例中例示了沿X和Y方向各具有兩組對(duì)準(zhǔn)柵條且這四組對(duì)準(zhǔn)柵條交錯(cuò)排列成方形的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，但是在其他實(shí)施例中， 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在X和Y方向上可以僅各有一組對(duì)準(zhǔn)柵條，或者各具有兩組以上的對(duì)準(zhǔn)柵條，且多組對(duì)準(zhǔn)柵條的布置不限于圖2A中所示的方形形狀。
圖2B和2C是分別示出了圖2A中的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記200的第一對(duì)準(zhǔn)柵條組202的一部分和第二對(duì)準(zhǔn)柵條組204的一部分的放大圖。圖2D和2E是分別示出了第一對(duì)準(zhǔn)柵條組202的一部分和第二對(duì)準(zhǔn)柵條組204的一部分的進(jìn)一步放大圖。
如圖2B的放大圖所示，第一對(duì)準(zhǔn)柵條組202由多個(gè)沿Y方向彼此平行設(shè)置的第一對(duì)準(zhǔn)柵條206和均勻地隔開第一對(duì)準(zhǔn)柵條206的第一對(duì)準(zhǔn)柵條間隔208構(gòu)成。類似地，如圖 2C的放大圖所示，第二對(duì)準(zhǔn)柵條組204由多個(gè)沿X方向彼此平行設(shè)置的第二對(duì)準(zhǔn)柵條210 和均勻地隔開第二對(duì)準(zhǔn)柵條的第二對(duì)準(zhǔn)柵條間隔212構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖2D和2E 的進(jìn)一步放大圖所示，第一對(duì)準(zhǔn)柵條206的寬度Wl和第二對(duì)準(zhǔn)柵條210的寬度W3相等，例如均為8 μ m。
與圖1A至IC所示的現(xiàn)有技術(shù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記XPA-OO不同的是，在圖2A至2H所示的本公開實(shí)施例的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記XPA-MN中，第一對(duì)準(zhǔn)柵條206被進(jìn)一步細(xì)分為多條精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條， 即每個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條206由第一預(yù)定個(gè)數(shù)(“N”個(gè))的第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條220以及第二預(yù)定個(gè)數(shù)(“M-N”個(gè))的均勻地隔開第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條220的第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔222構(gòu)成，如圖2B和2D的放大圖所示。類似地，對(duì)每個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條210也進(jìn)行同樣的精細(xì)劃分， 即每個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條210由第一預(yù)定個(gè)數(shù)(“N”個(gè))的第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條224以及第二預(yù)定個(gè)數(shù)(“M-N”個(gè))的均勻地隔開第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條224的第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔226構(gòu)成，如圖2C和2E的放大圖所示。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條220的寬度W5與第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔222 的寬度W6相等，并且第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條224的寬度W7與第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔226的寬度W8相等。在這種情況下，W5 = W6 = W1/M,并且W7 = W8 = W3/M。
圖2B至2E示出了 M為5且N為3的情況下的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，即XPA-53。其中，每個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條206由3個(gè)第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條220和2個(gè)第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔222構(gòu)成；而且每個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條210由3個(gè)第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條224和2個(gè)第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔226 構(gòu)成。在第一對(duì)準(zhǔn)柵條206的寬度Wl和第二對(duì)準(zhǔn)柵條210的寬度W3均為8 μ m的實(shí)施例中，若第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條220的寬度W5與第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔222的寬度W6，則W5 = W6 = 8/5 μ m =1. 6 μ m ;若第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條224的寬度W7與第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔226 的寬度 W8 相等，則 W7 = W8 = 8/5 μ m = L 6 μ m。
然而，也可以采用其他精細(xì)劃分的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記XPA-MN。在如圖2F所示的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記XPA-32中，每個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條206由2個(gè)第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條220和I個(gè)第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔222構(gòu)成。在第一對(duì)準(zhǔn)柵條206的寬度為8 μ m的實(shí)施例中，第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條220和第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔222的寬度均為8/3 μ m 2. 67 μ m。對(duì)第二對(duì)準(zhǔn)柵條210也進(jìn)行類似的精細(xì)劃分，在此不再贅述，也未在圖2F中示出。
此外，如圖2G所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記XPA-74中的每個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條206由4個(gè)第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條220和3個(gè)第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔222構(gòu)成。若第一對(duì)準(zhǔn)柵條206的寬度為8 μ m， 則第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條220和第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔222的寬度均為8/7μπι 1. 142 μ m。 對(duì)第二對(duì)準(zhǔn)柵條210也進(jìn)行類似的精細(xì)劃分，在此不再贅述，也未在圖2G中示出。
相比于現(xiàn)有技術(shù)的XPA-OO的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，如圖2A至2G所示的本公開實(shí)施例的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記XPA-MN具有更精細(xì)的對(duì)準(zhǔn)柵條，由此可以在X方向和Y方向上實(shí)現(xiàn)更高的套準(zhǔn)精度。此外，本申請(qǐng)的發(fā)明人實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對(duì)于銅后段制程而言，與圖2F所示的XPA-32和圖2G所示的XPA-74相比，圖2B至2E所示的XPA-53的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的套準(zhǔn)精度最優(yōu)。需要說明的是，盡管在本說明書中以XPA-53、XPA-32和XPA-74為例描述了本發(fā)明的XPA-MN 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)具體工藝流程完全可以采用其他精細(xì)劃分式樣的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
在一些實(shí)施例中，取決于工藝需要，第一對(duì)準(zhǔn)柵條間隔208的寬度W2和第二對(duì)準(zhǔn)柵條間隔212的寬度W4可以相等，例如均為8 μ m或9. 6 μ m。在其他實(shí)施例中，第一對(duì)準(zhǔn)柵條間隔208的寬度W2和第二對(duì)準(zhǔn)柵條間隔212的寬度W4可以不等，例如W2 = 8 μ m，而W4 =9. 6 μ m,反之亦然。
在一些實(shí)施例中，根據(jù)工藝需要，如圖2A所示的兩個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條組202中的第一對(duì)準(zhǔn)柵條間隔208的寬度W2也可以不相等。例如，左上角處的第一對(duì)準(zhǔn)柵條組202中的第一對(duì)準(zhǔn)柵條間隔208的寬度W2為8 μ m，右下角處的第一對(duì)準(zhǔn)柵條組202中的第一對(duì)準(zhǔn)柵條間隔208的寬度W2可以為9. 6 μ m，反之亦然。類似地，如圖2A所示的兩個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條組204中的第二對(duì)準(zhǔn)柵條間隔212的寬度W2也可以不相等，例如分別為8 μ m和9. 6 μ m。
在一些實(shí)施例中，如圖2B至2G中所示的第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條220和第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條224可以由金屬形成 ，而第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔222、第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔226、第一對(duì)準(zhǔn)柵條間隔208和第二對(duì)準(zhǔn)柵條間隔212可以由氧化物形成。然而，在其他一些實(shí)施例中，第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條220和第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條224可以由氧化物形成，而第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔222、第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間隔226、第一對(duì)準(zhǔn)柵條間隔208和第二對(duì)準(zhǔn)柵條間隔212 可以由金屬形成，如圖2H所示，這種類型的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在本文中稱為“反式”對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，與圖 2B至2G所示的“正式”對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相對(duì)。下面將結(jié)合圖4來詳細(xì)說明如何采用“反式”對(duì)準(zhǔn)T 己 O
下面將參照?qǐng)D3來描述具有如圖2A至2H所示的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的掩模板300。如圖3的示意圖所示，掩模板300包括中心區(qū)域302和邊緣區(qū)域304。中心區(qū)域302具有與晶片上要形成的電路圖案相對(duì)應(yīng)的掩模圖案。如圖2A至2H所示的本公開實(shí)施例的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記306放置于作為非電路圖案區(qū)域的邊緣區(qū)域304中。
需要說明的是，圖3僅僅示意性示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的掩模板，掩模板的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域以及光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸比例未按實(shí)際應(yīng)用繪制。實(shí)際上，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記306與中心區(qū)域302的尺寸比例遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于所示情形。
在掩模板的邊緣區(qū)域304的空間允許的情況下，可以放置有多個(gè)如圖2A至2H所 不的本公開實(shí)施例的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記306。在一些實(shí)施例中，這多個(gè)光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以具有不 同的精細(xì)劃分式樣。例如，在一個(gè)掩模板300上可以同時(shí)制作XPA-53和XPA-74兩種對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記，然后根據(jù)工藝需要，來決定應(yīng)采用哪種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記實(shí)施對(duì)準(zhǔn)。
在應(yīng)用中，可以僅在需要采用本公開實(shí)施例的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記306時(shí)，例如在處理 具有小尺寸劃線槽的芯片時(shí)，在掩模板的邊緣區(qū)域上制作該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記306，因而不會(huì)影響主 流程，也不會(huì)增加額外的掩模板成本。
下面將參照?qǐng)D4來描述根據(jù)本公開實(shí)施例的具有如圖2A至2H所示的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記的半導(dǎo)體晶片400。如前所述，半導(dǎo)體晶片400通常包括多個(gè)晶片層402-1至402_i，其 中i為大于I中的整數(shù)(下文中在不特定指代某一晶片層時(shí)，以402統(tǒng)指晶片層)。每個(gè) 晶片層402包括主芯片區(qū)域404和標(biāo)記區(qū)域406。主芯片區(qū)域404經(jīng)過曝光和顯影后形成 所需的電路圖案。標(biāo)記區(qū)域406可以用于容納一個(gè)或多個(gè)光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記410，如圖2A至2H 中所示的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記200。
需要說明的是，圖4僅僅示意性示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片，晶片層 的主芯片區(qū)域和標(biāo)記區(qū)域以及光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸比例未按實(shí)際應(yīng)用繪制。實(shí)際上，光刻 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記410與標(biāo)記區(qū)域406的尺寸比例遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于所示情形。
如圖4所示，在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)晶片層402的標(biāo)記區(qū)域406都位于其角部。在 一個(gè)實(shí)施例中，標(biāo)記區(qū)域406可以由多個(gè)標(biāo)記子區(qū)域406-1至406-j (其中j為大于I中的 整數(shù))構(gòu)成，并且這些標(biāo)記子區(qū)域分布在晶片層402的至少兩個(gè)角部，優(yōu)選地分布在至少兩 個(gè)相對(duì)的角部。如圖4中的示例所示，標(biāo)記區(qū)域406由第一標(biāo)記子區(qū)域406-1和第二標(biāo)記 子區(qū)域406-2構(gòu)成，并且第一標(biāo)記子區(qū)域406-1和第二標(biāo)記子區(qū)域406-2分別位于晶片層 402的左下角和右上角。在其他示例中，第一標(biāo)記子區(qū)域406-1和第二標(biāo)記子區(qū)域406-2也 可以分別位于晶片層402的右下角和左上角。
如前所述，為了獲得良好的對(duì)準(zhǔn)信號(hào)強(qiáng)度，在本公開實(shí)施例中，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以 設(shè)置于晶片層402-1至402-1中的部分或全部層中的標(biāo)記區(qū)域406內(nèi)。通常而言，晶片層 402將包括一個(gè)或多個(gè)金屬層，在這種情況下，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記410可以形成在部分或全部金 屬層的標(biāo)記區(qū)域內(nèi)。
除了金屬層之外，晶片層402通常還將包括有源區(qū)層、多晶硅柵層、接觸層和鈍化 層。這些層也可能會(huì)在一定程度上削弱對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的信號(hào)強(qiáng)度，因此，為了獲得進(jìn)一步良好的 對(duì)準(zhǔn)信號(hào)強(qiáng)度，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記410還可以形成在有源區(qū)層、接觸層和鈍化層的標(biāo)記區(qū)域內(nèi)。 在一些實(shí)施例中，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記410還形成在多晶硅柵層的標(biāo)記區(qū)域內(nèi)。
當(dāng)在多個(gè)晶片層中形成有光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)，為了避免相鄰的標(biāo)記放置層之間的對(duì) 準(zhǔn)信號(hào)干擾，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記410在不同晶片層402的標(biāo)記區(qū)域406中的位置需要相互錯(cuò)開。 在一個(gè)實(shí)施例中，相鄰的標(biāo)記放置層中的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記需要相互隔開1_。然而，當(dāng)需要在 較大數(shù)量的晶片層402中放置光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記410時(shí)，為了滿足以上所述的不同層的光刻對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記相互隔開一定距離的要求，通常需要較大尺寸的標(biāo)記區(qū)域，這會(huì)導(dǎo)致晶片的管芯總 數(shù)減少。
為了減小標(biāo)記區(qū)域的尺寸，可以采用如圖2H所示的“反式”對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與如圖2B至 2G所示的“正式”對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記逐層交替放置的堆疊式標(biāo)記放置方式。例如，在前一標(biāo)記放置層中，如果放置的是精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條由金屬形成且所有對(duì)準(zhǔn)柵條的間隔由氧化物形成的“正 式”對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，那么在后一標(biāo)記放置層中，可以采用精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條由氧化物形成且所有對(duì)準(zhǔn) 柵條的間隔由金屬形成的“反式”對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，依此交替地形成這兩種類型的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
在這種標(biāo)記放置方式中，每個(gè)晶片層402中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在標(biāo)記區(qū)域406中的位置 可以相互重置，由此能夠減小標(biāo)記區(qū)域406占用的晶片空間，從而能夠進(jìn)一步提聞晶片中 的管芯總數(shù)。堆疊式標(biāo)記放置方式的細(xì)節(jié)請(qǐng)參照授予本申請(qǐng)申請(qǐng)人的申請(qǐng)日為2009年4 月29日、專利號(hào)為ZL200710047360. 7且題為“一種堆疊式光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記”的中國(guó)專利，該 專利的全部?jī)?nèi)容通過引用并入于此。
下面將參照?qǐng)D5A和5B來描述具有本公開實(shí)施例的如圖2A至2H所示的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 的半導(dǎo)體晶片的一個(gè)具體示例。圖5A中所示的半導(dǎo)體晶片500從下至上依次包括有源區(qū) 層AA 501、多晶硅柵層Pl 502、接觸層CT 503、第一金屬層Ml 504、第一過孔層Vl 505、第 二金屬層M2 506、第二過孔層V2 507、第三金屬層M3 508、第三過孔層V3509、第四金屬層 M4 510、第四過孔層V4 511、第五金屬層M5 512、頂部過孔層TV 513、頂部金屬層TM 514、 鈍化層PA 515以及鋁焊盤層ALPAD 516。
如前所述，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記550可以形成在顯著削弱對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記信號(hào)的金屬層和鈍化層等 中。如圖5A所示，如圖2A至2H所示的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記550可以形成在有源區(qū)層AA 501、接觸層 CT 503、第一金屬層Ml 504、第四金屬層M4 510和鈍化層PA 515中。在其他示例中，光刻 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記550還可以形成在多晶硅柵層Pl 502、第二金屬層M2 506、第三金屬層M3 508、第 五金屬層M5 512和頂部金屬層TM 514中的任一個(gè)或多個(gè)層中。
圖5B是例示了圖5A所示的半導(dǎo)體晶片500的光刻對(duì)準(zhǔn)樹。如圖5B所示，依據(jù)圖 5A所示的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記放置，多晶硅柵層Pl 502與有源區(qū)層AA 501中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)； 接觸層CT 503與有源區(qū)層AA 501中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；第一金屬層Ml 504與接觸層CT 503 中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；第一過孔層Vl 505至第三過孔層V3 509均與第一金屬層Ml 504中的 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；第四金屬層M4 510與第一金屬層Ml 504中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；第四過孔層 V4 511至頂部金屬層TM 514與第四金屬層M4 510中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；鈍化層PA 515與 第四金屬層M4 510中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；以及鋁焊盤層ALPAD 516與鈍化層PA 515中的對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
本公開實(shí)施例的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成在晶片的圖案層邊緣的標(biāo)記區(qū)域中，而不象傳 統(tǒng)的劃線槽對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記那樣形成在晶片的劃線槽中，由此不受劃線槽尺寸的影響，故而可以 應(yīng)用于具有小尺寸劃線槽的芯片中。此外，本公開實(shí)施例的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以更為精細(xì)劃分 的柵條形成在多個(gè)選定晶片層中，由此能夠獲得較強(qiáng)的對(duì)準(zhǔn)信號(hào)并實(shí)現(xiàn)更精確的對(duì)準(zhǔn)。
此外，本公開實(shí)施例的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以放置于掩模板的非電路圖案區(qū)域中，只 有在處理具有小尺寸劃線槽的芯片時(shí)才使用，因而不會(huì)影響主流程，也不會(huì)增加額外的掩 模板成本。
至此，已經(jīng)詳細(xì)描述了根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器件的光刻對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。為了避免 遮蔽本發(fā)明的構(gòu)思，沒有描述本領(lǐng)域所公知的一些細(xì)節(jié)。本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)上面的描述， 完全可以明白如何實(shí)施這里公開的技術(shù)方案。
雖然已經(jīng)通過示例對(duì)本發(fā)明的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本領(lǐng)域的技 術(shù)人員應(yīng)該理解，以上示例僅是為了進(jìn)行說明，而不是為了限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，對(duì)以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本發(fā) 明的范圍由所附權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
1.一種光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，包括 沿第一方向相互平行設(shè)置的多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條；和 沿與所述第一方向垂直的第二方向相互平行設(shè)置的多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條， 其中，所述多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條中的每一個(gè)由預(yù)定個(gè)數(shù)的均勻間隔開的第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條構(gòu)成，并且所述多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條中的每一個(gè)由所述預(yù)定個(gè)數(shù)的均勻間隔開的第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述預(yù)定個(gè)數(shù)為3個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述預(yù)定個(gè)數(shù)為2個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述預(yù)定個(gè)數(shù)為4個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條的寬度與第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度相等，并且所述第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條的寬度與第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條的寬度為8μ m，并且所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條的寬度為8 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條均勻地間隔開，并且所述多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條均勻地間隔開。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度相等。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度均為8 μ m或者均為9. 6 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度不等。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔兩者之一的寬度為8 μ m，而另一個(gè)的寬度為9. 6μηι。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條分為兩組，其中每一組中的第一對(duì)準(zhǔn)柵條都均勻地間隔開，并且第一組第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與第二組第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度不等。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第一組第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與第二組第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔兩者之一的寬度為8 μ m,而另一個(gè)的寬度為9. 6 μ m。
14.根據(jù)權(quán)利要求1、12或13所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條分為兩組，其中每一組中的第二對(duì)準(zhǔn)柵條都均勻地間隔開，并且第一組第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與第二組第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔的寬度不等。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第一組第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔與第二組第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔兩者之一的寬度為8 μ m,而另一個(gè)的寬度為9. 6 μ m。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條和所述第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條由金屬形成，并且所述第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔由氧化物形成，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔也由所述氧化物形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條和所述第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條由氧化物形成，并且所述第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔由金屬形成，所述第一對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔和所述第二對(duì)準(zhǔn)柵條間的間隔也由所述金屬形成。
18.—種掩模板,包括 中心區(qū)域，其具有與要形成的電路圖案相對(duì)應(yīng)的掩模圖案；和 邊緣區(qū)域，其包括一個(gè)或多個(gè)如權(quán)利要求1-17中任一項(xiàng)所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
19.一種半導(dǎo)體晶片，包括 多個(gè)晶片層，其中每個(gè)晶片層包括 主芯片區(qū)域，其用以形成所需的電路圖案；和 標(biāo)記區(qū)域，其用于容納一個(gè)或多個(gè)如權(quán)利要求1-17中任一項(xiàng)所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記， 其中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記位于所述多個(gè)晶片層中的一個(gè)或多個(gè)選定層中的標(biāo)記區(qū)域內(nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述標(biāo)記區(qū)域位于晶片層的角部。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述標(biāo)記區(qū)域包括多個(gè)標(biāo)記子區(qū)域，所述多個(gè)標(biāo)記子區(qū)域中的每一個(gè)用于容納一個(gè)或多個(gè)所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，并且晶片層的至少兩個(gè)角部各自具有一個(gè)所述標(biāo)記子區(qū)域。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述標(biāo)記區(qū)域包括第一標(biāo)記子區(qū)域和第二標(biāo)記子區(qū)域，并且所述第一標(biāo)記子區(qū)域和第二標(biāo)記子區(qū)域分別位于晶片層的左下角和右上角。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述標(biāo)記區(qū)域包括第一標(biāo)記子區(qū)域和第二標(biāo)記子區(qū)域，并且所述第一標(biāo)記子區(qū)域和第二標(biāo)記子區(qū)域分別位于晶片層的右下角和左上角。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述多個(gè)晶片層包括一個(gè)或多個(gè)金屬層，并且所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成在部分或全部所述一個(gè)或多個(gè)金屬層的標(biāo)記區(qū)域內(nèi)。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述多個(gè)晶片層還包括有源區(qū)層、多晶硅柵層、接觸層和鈍化層，并且所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還形成在有源區(qū)層、接觸層和鈍化層的標(biāo)記區(qū)域內(nèi)。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體晶片，其中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還形成在多晶硅柵層的標(biāo)記區(qū)域內(nèi)。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體晶片，其中，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在不同選定層的標(biāo)記區(qū)域中的位置相互錯(cuò)開。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體晶片，其中，相鄰的選定層中的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置相互隔開1mm。
29.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體晶片，其中，在所述選定層為多個(gè)時(shí)，如權(quán)利要求16所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和如權(quán)利要求17所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記逐層交替地形成在多個(gè)所述選定層的標(biāo)記區(qū)域中，而且不同選定層的標(biāo)記區(qū)域中的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置相互重疊。
30.一種半導(dǎo)體晶片，從下至上依次包括有源區(qū)層、多晶硅柵層、接觸層、第一金屬層、第一過孔層、第二金屬層、第二過孔層、第三金屬層、第三過孔層、第四金屬層、第四過孔層、第五金屬層、頂部過孔層、頂部金屬層、鈍化層以及鋁焊盤層，其中，在有源區(qū)層、接觸層、第一金屬層、第四金屬層和鈍化層中形成有如權(quán)利要求1-17中任一項(xiàng)所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的半導(dǎo)體晶片，其中，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還形成在多晶硅柵層、第二金屬層、第三金屬層、第五金屬層和頂部金屬層中的任一個(gè)或多個(gè)層中。
全文摘要
本公開實(shí)施例提供了一種光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以及包含其的掩模板和半導(dǎo)體晶片。所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括沿第一方向相互平行設(shè)置的多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條；和沿與所述第一方向垂直的第二方向相互平行設(shè)置的多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條，其中，所述多個(gè)第一對(duì)準(zhǔn)柵條中的每一個(gè)由預(yù)定個(gè)數(shù)的均勻間隔開的第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條構(gòu)成，并且所述多個(gè)第二對(duì)準(zhǔn)柵條中的每一個(gè)由所述預(yù)定個(gè)數(shù)的均勻間隔開的第二精細(xì)對(duì)準(zhǔn)柵條構(gòu)成。該光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記放置于掩模板的非電路圖案區(qū)域中以及半導(dǎo)體晶片的多個(gè)層的標(biāo)記區(qū)域中。該光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記能夠應(yīng)用于具有小尺寸劃線槽的芯片中并實(shí)現(xiàn)精確的對(duì)準(zhǔn)，且不會(huì)增加額外的掩模板成本。
文檔編號(hào)G03F1/42GK103019052SQ201110285659
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月23日
發(fā)明者楊曉松, 嚴(yán)軼博, 盧子軒 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司