專利名稱：數(shù)字微鏡器件及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及投影儀技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及數(shù)字微鏡器件及其形成方法。
背景技術(shù)：
DMD(digital mirror device)數(shù)字微鏡器件是一種整合的微機電上層結(jié)構(gòu)電路單元(MEMS superstructure cell)，它是利用CMOS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁導(dǎo)電層和硬化光阻層 (hardened photoresist)交替的上層結(jié)構(gòu),鋁導(dǎo)電層包括地址電極(address electrode)、 絞鏈(hinge)、軛(yoke)和反光鏡，硬化光阻層則作為犧牲層(sacrificial layer)，用來形成空氣間隔(air gaps)。鋁導(dǎo)電層經(jīng)過濺鍍沉積(sputter-d印osited)以及電漿蝕刻 (plasma-etched)處理形成地址電極(address electrode)、絞鏈(hinge)、軛(yoke)禾口反光鏡；犧牲層則經(jīng)過電漿去灰(plasma-ashed)處理，以便制造出層間的空氣間隙。每個反光鏡都能將光線從兩個方向反射出去，實際反射方向則視底層記憶晶胞的狀態(tài)而定；當(dāng)記憶晶胞處于「0N」?fàn)顟B(tài)時，反光鏡會旋轉(zhuǎn)至+12度，記憶晶胞處于「OFF」?fàn)顟B(tài)，反光鏡會旋轉(zhuǎn)至-12度。只要結(jié)合DMD以及適當(dāng)光源和投影光學(xué)系統(tǒng)，反光鏡就會把入射光反射進(jìn)入或是離開投影鏡頭的透光孔，使得「0N」?fàn)顟B(tài)的反光鏡看起來非常明亮，ΓOFFJ狀態(tài)的反光鏡看起來就很黑暗。利用二位脈沖寬度調(diào)變可以得到灰階效果，如果使用固定式或旋轉(zhuǎn)式彩色濾鏡，再搭配一顆或三顆DMD芯片，即可得到彩色顯示效果。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種數(shù)字微鏡的立體分解圖，參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)字微鏡形成在基底10上，其中基底10上形成有CMOS電路結(jié)構(gòu)，該CMOS電路結(jié)構(gòu)為微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術(shù)的數(shù)字微鏡包括反光鏡11、位于所述反光鏡11下方且與所述反光鏡 11相對的軛板(yoke) 12，鉸鏈13，在所述反光鏡11和軛板12之間具有電勢差時，軛板12 與所述反光鏡11之間具有靜電力，所述反光鏡11可繞所述鉸鏈13旋轉(zhuǎn)預(yù)定的角度。反光鏡11具有反光鏡支柱111，反光鏡11通過反光鏡支柱111與鉸鏈13連接。數(shù)字微鏡還包括反光鏡地址電極14，所述反光鏡地址電極14與所述基底10上的CMOS電路結(jié)構(gòu)連接， 通過CMOS電路結(jié)構(gòu)向反光鏡地址電極14提供電壓，反光鏡地址電極14與反光鏡11電連接，從而CMOS電路結(jié)構(gòu)通過反光鏡地址電極14向反光鏡11提供電壓，使反光鏡11具有預(yù)定的電勢。數(shù)字微鏡還包括軛板地址電極15，所述軛板地址電極15與所述基底10上的 CMOS電路結(jié)構(gòu)連接，通過CMOS電路結(jié)構(gòu)向軛板地址電極15提供電壓，軛板地址電極15與軛板12電連接，從而CMOS電路結(jié)構(gòu)通過軛板地址電極15向軛板12提供電壓，使軛板12 具有預(yù)定的電勢。在基底10和軛板12之間具有偏置/復(fù)位總線(bias/reset bus) 16。以上所述的現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)字微鏡器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成品率低，驅(qū)動電壓高(功耗
1 ) O

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)字微鏡器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成品率低，驅(qū)動電壓高(功耗高)。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種數(shù)字微鏡器件，包括基底，所述基底上形成有微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)；位于所述基底上的數(shù)字微鏡陣列，數(shù)字微鏡陣列中的每一數(shù)字微鏡包括一個反光鏡、兩個第一極板、兩個第二極板；所述兩個第二極板位于所述基底上，與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接；所述兩個第一極板位于所述兩個第二極板上方，且分別與所述兩個第二極板相對；所述反光鏡位于所述兩個第一極板上方，且所述反光鏡通過第一插栓與兩個第一極板電連接；相對設(shè)置的兩個卡口，所述卡口固定在基底上且與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接，所述反光鏡的兩相對側(cè)邊可活動設(shè)置在所述卡口內(nèi)，在所述反光鏡與所述卡口接觸時，所述卡口與所述反光鏡電連接；在其中一個第一極板和對應(yīng)的第二極板之間具有電壓差時，所述反光鏡在所述第一極板的帶動下向?qū)?yīng)的第二極板方向偏轉(zhuǎn)。可選的，還包括兩個連接端；所述兩個連接端位于兩個第二極板之間的基底上；所述第二極板通過第二插栓與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接；所述連接端通過第三插栓與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接，所述卡口通過第四插栓與所述連接端電連接?？蛇x的，所述卡口包括底板、頂板以及側(cè)壁；所述底板與所述第四插栓電連接，所述頂板與所述底板相對，所述側(cè)壁連接所述底板與所述頂板?？蛇x的，所述第一極板包括導(dǎo)電層和介質(zhì)層，所述導(dǎo)電層靠近所述第二極板，所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第二極板，所述介質(zhì)層相對于所述導(dǎo)電層具有壓應(yīng)力?？蛇x的，所述第一極板包括導(dǎo)電層和介質(zhì)層，所述導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述第二極板，所述介質(zhì)層靠近所述第二極板，所述介質(zhì)層相對于所述導(dǎo)電層具有拉應(yīng)力?？蛇x的，所述第一極板的介質(zhì)層的材料選自氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅其中之一或者他們的任意組合?？蛇x的，還包括密封蓋陣列，每一個密封蓋在所述每一個數(shù)字微鏡上方遮蓋所述數(shù)字微鏡?？蛇x的，所述密封蓋包括封蓋層、密封層和連接柱；所述封蓋層位于所述數(shù)字微鏡上方，通過連接柱與所述卡口連接，所述封蓋層具有開口 ；所述密封層位于所述封蓋層表面，且密封所述開口。可選的，所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)為CMOS控制電路結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供一種形成數(shù)字微鏡器件的方法，包括提供基底，所述基底上形成有微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)；在所述基底上形成第二極板、連接端以及第二極板、連接端與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)連接的第二插栓和第三插栓；形成第一犧牲層，覆蓋所述第二極板和基底形成的表面，在所述第一犧牲層的表面形成第一極板；
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形成第二犧牲層，覆蓋所述第一極板和所述第一犧牲層，在所述第二犧牲層和第一犧牲層中形成第四插栓，在所述第四插栓上形成所述卡口的底板；形成第三犧牲層，覆蓋所述第二犧牲層、所述卡口的底板，在所述第三犧牲層和第二犧牲層中形成第一插栓，在所述第三犧牲層的表面形成反光鏡；形成第四犧牲層，覆蓋所述第三犧牲層和所述反光鏡，在所述第四犧牲層和第三犧牲層中形成卡口的側(cè)壁、第四犧牲層的表面形成卡口的頂板；去除第四犧牲層、第三犧牲層、第二犧牲層以及第一犧牲層?？蛇x的，在所述第四犧牲層和第三犧牲層中形成卡口的側(cè)壁、第四犧牲層的表面形成卡口的頂板之后，去除第四犧牲層、第三犧牲層、第二犧牲層以及第一犧牲層之前還包括形成密封蓋陣列，每一個密封蓋在所述每一個數(shù)字微鏡上方遮蓋所述數(shù)字微鏡。可選的，所述在所述基底上形成第二極板、連接端以及第二極板、連接端與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)連接的第二插栓和第三插栓包括在所述基底上形成介質(zhì)層；圖形化所述介質(zhì)層，形成第二通孔和第三通孔；在所述第二通孔和第三通孔中沉積導(dǎo)電材料形成第二插栓和第三插栓，第二通孔對應(yīng)形成第二插栓，第三通孔對應(yīng)形成第三插栓；在所述圖形化的介質(zhì)層和第二插栓、第三插栓形成的表面形成導(dǎo)電層；圖形化所述導(dǎo)電層，形成第二極板、連接端?？蛇x的，在所述第一犧牲層的表面形成第一極板包括在所述第一犧牲層的表面依次形成導(dǎo)電層、介質(zhì)層；圖形化所述第一犧牲層表面上的介質(zhì)層和導(dǎo)電層，形成第一極板?？蛇x的，在所述第二犧牲層和第一犧牲層中形成第四插栓，在所述第四插栓上形成所述卡口的底板包括圖形化所述第二犧牲層和第一犧牲層，在所述第二犧牲層和第一犧牲層中形成第四通孔；在所述第四通孔的側(cè)壁形成介質(zhì)層；在所述第四通孔的側(cè)壁形成介質(zhì)層后，在所述第四通孔內(nèi)填滿導(dǎo)電材料，形成第四插栓；在所述第四插栓和所述第二犧牲層組成的表面上形成導(dǎo)電層；圖形化所述第四插栓和第二犧牲層的表面上的導(dǎo)電層，形成卡口的底板?？蛇x的，所述在所述第三犧牲層和第二犧牲層中形成第一插栓包括圖形化所述第三犧牲層和第二犧牲層，在所述第三犧牲層和第二犧牲層中形成第一通孑L ；在所述第一通孔的側(cè)壁形成介質(zhì)層；所述第一通孔中填充導(dǎo)電材料，覆蓋所述第一通孔側(cè)壁的介質(zhì)層，形成第一插栓。可選的，所述在所述第三犧牲層的表面上形成反光鏡包括在所述第三犧牲層的表面上形成導(dǎo)電層；圖形化所述第三犧牲層的表面上的導(dǎo)電層，形成反光鏡?？蛇x的，所述在所述第四犧牲層和第三犧牲層中形成卡口的側(cè)壁、第四犧牲層的表面形成卡口的頂板包括在所述第四犧牲層表面形成圖形化的光刻膠層；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述第四犧牲層，在所述第四犧牲層、第三犧牲層中形成開口，所述開口暴露出所述底板的邊緣部分；在所述開口的側(cè)壁、底部以及所述第四犧牲層的表面形成導(dǎo)電層；圖形化所述第四犧牲層的表面的導(dǎo)電層，保留所述開口側(cè)壁、底部以及與所述底板相對的第四犧牲層表面的導(dǎo)電層，形成卡口的側(cè)壁以及頂板，其中與所述底板相對的導(dǎo)電層為頂板，連接頂板和底板的開口側(cè)壁的導(dǎo)電層為卡口的側(cè)壁?？蛇x的，在所述開口的側(cè)壁、底部以及所述第四犧牲層的表面形成導(dǎo)電層之后，圖形化所述導(dǎo)電層之前，還包括形成介質(zhì)層，填滿所述開口覆蓋所述開口內(nèi)的導(dǎo)電層，且覆蓋所述圖形化的第四犧牲層的表面的導(dǎo)電層；在圖形化所述導(dǎo)電層時，也圖形化所述介質(zhì)層。可選的，所述形成密封蓋包括形成第五犧牲層，覆蓋所述第四犧牲層和所述卡口 ；圖形化所述第五犧牲層，在所述第五犧牲層中形成連接孔，定義出連接柱；形成介質(zhì)層，填滿所述連接孔且覆蓋所述第五犧牲層，所述連接孔內(nèi)的介質(zhì)層作為連接柱，所述第五犧牲層表面的介質(zhì)層作為封蓋層；圖形化所述封蓋層，在所述封蓋層中形成開口，所述開口暴露出所述第五犧牲層?？蛇x的，在去除第四犧牲層、第三犧牲層、第二犧牲層以及第一犧牲層時，也去除第五犧牲層?？蛇x的，所述第一犧牲層、第二犧牲層、第三犧牲層、第四犧牲層以及第五犧牲層的材料為非晶碳、光刻膠、二氧化硅、鍺或者非晶硅?？蛇x的，去除非晶碳或者光刻膠的方法為將氧等離子體通入所述開口，在溫度范圍為150°C 450°C的條件下灰化所述非晶碳或者光阻；去除二氧化硅的方法為將HF蒸汽通入所述開口去除二氧化硅；去除非晶硅的方法為通過所述開口利用包含SF6W2和CHF3的混合氣體的等離子體等離子刻蝕所述非晶硅以去除非晶硅?？蛇x的，所述形成密封蓋還包括在去除第一犧牲層、第二犧牲層、第三犧牲層、第四犧牲層和第五犧牲層后，形成密封層，覆蓋所述封蓋層，且密封所述開口。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本技術(shù)方案的數(shù)字微鏡器件，結(jié)構(gòu)簡單，而且，反光鏡的相對側(cè)邊可活動設(shè)置于卡口內(nèi)，因此反光鏡對力比較敏感，這樣可以提高數(shù)字微鏡器件的靈敏度。進(jìn)一步的，位于所述第二極板上方的第一極板也包括導(dǎo)電層和介質(zhì)層，所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第二極板，所述導(dǎo)電層靠近所述第二極板，所述介質(zhì)層相對于所述導(dǎo)電層具有壓應(yīng)力。由于介質(zhì)層對導(dǎo)電層的壓應(yīng)力的存在，當(dāng)?shù)谝粯O板和第二極板之間具有電勢差，具有吸引力時，第一極板較容易向第二極板方向偏轉(zhuǎn)，從而反光鏡容易偏轉(zhuǎn)，這樣第一極板和第二極板之間的電勢差相對于現(xiàn)有技術(shù)可以降低，因此可以降低驅(qū)動電壓，從而可以降低功耗。進(jìn)一步的，數(shù)字微鏡器件的頂部形成有密封蓋，該密封蓋的存在可以起到密封數(shù)字微鏡器件的作用，防止水蒸氣、灰塵、雜質(zhì)等進(jìn)入數(shù)字微鏡器件內(nèi)，這樣可以提高數(shù)字微鏡器件的壽命，防止水蒸氣、灰塵、雜質(zhì)等進(jìn)入數(shù)字微鏡器件內(nèi)影響數(shù)字微鏡器件的使用。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)字微鏡的立體分解示意圖；圖2是本發(fā)明具體實施例的數(shù)字微鏡的立體分解示意圖；圖3為本發(fā)明具體實施方式
的形成數(shù)字微鏡器件的方法的流程圖；圖4a、4b 圖21a、圖21b為本發(fā)明具體實施例的形成數(shù)字微鏡器件的方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，各幅a圖為圖2中所示的a-a方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，各幅b圖為圖 2中所示的b-b方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式圖2為本發(fā)明具體實施例的數(shù)字微鏡器件的立體結(jié)構(gòu)示意圖，圖21a為圖2所示的數(shù)字微鏡器件沿a-a方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖21b為圖2所示的數(shù)字微鏡器件沿b_b 方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中a-a方向垂直于b-b方向，結(jié)合參考圖2和圖21a、圖21b，本發(fā)明的數(shù)字微鏡器件，包括基底30，所述基底30上形成有微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)31 ；位于所述基底30上的數(shù)字微鏡陣列，數(shù)字微鏡陣列中的每一數(shù)字微鏡包括反光鏡36、兩個第一極板35、兩個第二極板33 ；所述兩個第二極板33位于所述基底30上，與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)31電連接；所述兩個第一極板35位于所述兩個第二極板33上方，且所述兩個第一極板35與所述兩個第二極板33相對設(shè)置；所述反光鏡36位于所述第一極板35上方， 且所述反光鏡36通過第一插栓361與第一極板35電連接，在其中一個第一極板和對應(yīng)的第二極板之間具有電壓差時，所述反光鏡在所述第一極板的帶動下向?qū)?yīng)的第二極板方向偏轉(zhuǎn)。本發(fā)明還包括相對設(shè)置的兩個卡口 37，所述卡口 37固定在基底上且與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)31電連接，所述反光鏡36的兩相對側(cè)邊可活動設(shè)置在所述卡口 37內(nèi)，在所述反光鏡36與所述卡口 37接觸時，所述卡口 37與所述反光鏡36電連接。本發(fā)明具體實施方式
的數(shù)字微鏡器件，結(jié)構(gòu)簡單，而且，反光鏡的相對側(cè)邊可活動設(shè)置于卡口內(nèi)，因此反光鏡對力比較敏感，這樣可以提高數(shù)字微鏡器件的靈敏度。結(jié)合參考圖2和圖21b，在本發(fā)明中，所述第一極板35包括導(dǎo)電層351和介質(zhì)層 352，所述介質(zhì)層352遠(yuǎn)離所述第二極板33，所述導(dǎo)電層351靠近所述第二極板33，所述介質(zhì)層352相對于所述導(dǎo)電層351具有壓應(yīng)力。由于介質(zhì)層352對導(dǎo)電層351的壓應(yīng)力的存在，使得第一極板35的邊緣相對于中央向第二極板33靠近，當(dāng)?shù)谝粯O板35和第二極板33 之間具有電勢差，具有吸引力時，第一極板35較容易向第二極板33方向偏轉(zhuǎn)，這樣第一極板35和第二極板33之間的電勢差相對于現(xiàn)有技術(shù)可以降低，因此可以降低驅(qū)動電壓，從而可以降低功耗。所述第一極板35的介質(zhì)層352的材料選自氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅其中之一或者他們的任意組合。所述第一極板35的導(dǎo)電層351的材料選自金、銀、銅、 鋁、鈦、鉻、鉬、鎘、鎳、鈷其中之一或者他們的任意的組合；或者，選自多晶硅、非晶硅、多晶鍺、非晶鍺、多晶鍺硅、非晶鍺硅其中之一或者他們的任意組合。
在另一實施例中也可以所述第一極板包括導(dǎo)電層和介質(zhì)層，所述導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述第二極板，所述介質(zhì)層靠近所述第二極板，所述介質(zhì)層相對于所述導(dǎo)電層具有拉應(yīng)力，使得第一極板35的邊緣相對于中央向第二極板33靠近。結(jié)合參考圖2以及圖21a、圖21b，本發(fā)明具體實施例中，兩個第一極板35厚度相同，兩者的上下表面均在同一平面上，且兩者之間具有一定間距。兩個第一極板35的形狀在本發(fā)明具體實施例中相同，且均為三角形，然而，第一極板35的形狀不限于三角形，可以為任意形狀的平板。結(jié)合參考圖2以及圖2la、圖21b，本發(fā)明具體實施例中，每一個數(shù)字微鏡還包括兩個連接端332 ；所述兩個連接端332位于兩個第二極板33之間的基底上。兩個第二極板33 厚度相同，兩者的上下表面均在同一平面上，且兩者之間具有一定間距。兩個第二極板33 的形狀在本發(fā)明具體實施例中相同，且均為三角形，然而，第二極板33的形狀不限于三角形，可以為任意形狀的平板。在本發(fā)明具體實施例中，第一極板35和第二極板33的形狀相同。所述第二極板33的材料選自金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、鉬、鎘、鎳、鈷其中之一或者他們的任意的組合；或者，選自多晶硅、非晶硅、多晶鍺、非晶鍺、多晶鍺硅、非晶鍺硅其中之一或者他們的任意組合。結(jié)合參考圖21a和圖21b，本發(fā)明具體實施例中，卡口 37通過第四插栓343與所述連接端332電連接?？?37具有一底板371、與底板371相對的頂板373，以及與所述底板371和頂板373連接的側(cè)壁372，其中，底板371與所述第四插栓343的頂部接觸電連接， 所述反光鏡36的兩相對側(cè)邊可活動置于底板371和頂板373之間，在重力的作用下，反光鏡36與底板371接觸，從而反光鏡36可以與卡口 37電連接。本發(fā)明中，卡口 37的形狀不限于以上本發(fā)明具體實施例中限定的形狀。所述卡口 37的材料選自金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、 鉬、鎘、鎳、鈷其中之一或者他們的任意的組合；或者，選自多晶硅、非晶硅、多晶鍺、非晶鍺、 多晶鍺硅、非晶鍺硅其中之一或者他們的任意組合。所述第二極板33通過第二插栓333與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接，所述連接端332通過第三插栓334與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接，所述卡口 37通過第四插栓343與兩個連接端332電連接。因此，結(jié)合參考圖2以及圖21a和圖21b，本發(fā)明具體實施例中，反光鏡36通過第一插栓361與第一極板35電連接，卡口通過第四插栓343、連接端332以及第三插栓334與微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接31 ；也就是說，微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)31通過第三插栓334、連接端332以及第四插栓343提供給卡口 37電勢，反光鏡36 在重力的作用下，會自然而然的與卡口 37接觸，這樣卡口 37與反光鏡36具有相同的電勢， 繼而，由于反光鏡36通過第一插栓361與第一極板35電連接，因此，卡口 37、反光鏡36、第一插栓361以及第一極板35具有相同的電勢。參考圖21b，第二極板33通過第二插栓333 與微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接，即微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)通過第二插栓333向第二極板 33提供電勢。本發(fā)明具體實施例的數(shù)字微鏡的工作原理為通過微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)31向第一極板35和第二極板33提供電壓，控制第一極板35和第二極板33之間的電勢差，使其中一個第一極板35和第二極板33之間具有吸引力，由于第一極板35和反光鏡36連接，因此第一極板35在第二極板33的吸引力的作用下可以帶動反光鏡36旋轉(zhuǎn)預(yù)定的角度。由于具有兩個第一極板35和兩個第二極板33，因此反光鏡36根據(jù)具有電勢差的其中一個第一極板35和第二極板33決定偏轉(zhuǎn)的方向。反光鏡36旋轉(zhuǎn)的角度與第一極板35和第二極板33之間的電勢差有關(guān)。在反光鏡36旋轉(zhuǎn)時，由于反光鏡36是可活動置于卡口 37內(nèi)，因此反光鏡36對力比較敏感，這樣可以提高數(shù)字微鏡器件的靈敏度。結(jié)合參考圖21a和圖21b，本發(fā)明中，所述數(shù)字微鏡器件還包括密封蓋陣列，每一個密封蓋在所述每一個數(shù)字微鏡上方遮蓋所述數(shù)字微鏡。該密封蓋的存在可以起到密封數(shù)字微鏡器件的作用，防止水蒸氣、灰塵、雜質(zhì)等進(jìn)入數(shù)字微鏡器件內(nèi)，這樣可以提高數(shù)字微鏡器件的壽命，防止水蒸氣、灰塵、雜質(zhì)等進(jìn)入數(shù)字微鏡器件內(nèi)影響數(shù)字微鏡器件的使用。本發(fā)明具體實施例中，所述密封蓋包括封蓋層381、密封層382和連接柱383，所述封蓋層381位于所述反光鏡36上方，通過連接柱383與所述卡口 37連接，所述封蓋層381 具有開口 384 ；所述密封層382位于所述封蓋層381表面，密封所述開口 384。連接柱383 為兩個，分別與兩個卡口 37連接，一起起到支撐密封蓋的作用。在此，連接柱383僅為本發(fā)明的一實施例，在其他實施例中，也可以其他方式支撐密封蓋。所述密封層的材料均選自氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅其中之一或者他們的任意組合。封蓋層的材料均選自氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅其中之一或者他們的任意組合。根據(jù)以上所述的本發(fā)明的數(shù)字微鏡器件，本發(fā)明還提供了一種形成數(shù)字微鏡器件的方法。為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合

本發(fā)明具體實施方式
的形成數(shù)字微鏡器件的方法，圖3本發(fā)明具體實施例的形成數(shù)字微鏡器件的方法的流程圖，參考圖3，本發(fā)明具體實施例的形成數(shù)字微鏡器件的方法包括步驟Si，提供基底，所述基底上形成有微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)；步驟S2，在所述基底上形成第二極板、連接端以及第二極板、連接端與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)連接的第二插栓和第三插栓；步驟S3，形成第一犧牲層，覆蓋所述第二極板和基底形成的表面，在所述第一犧牲層的表面形成第一極板；步驟S4，形成第二犧牲層，覆蓋所述第一極板和所述第一犧牲層，在所述第二犧牲層和第一犧牲層中形成第四插栓，在所述第四插栓上形成所述卡口的底板；步驟S5，形成第三犧牲層，覆蓋所述第二犧牲層、所述卡口的底板，在所述第三犧牲層和第二犧牲層中形成第一插栓，在所述第三犧牲層的表面形成反光鏡；步驟S6，形成第四犧牲層，覆蓋所述第三犧牲層和所述反光鏡，在所述第四犧牲層和第三犧牲層中形成卡口的側(cè)壁、第四犧牲層的表面形成卡口的頂板；步驟S7，去除第四犧牲層、第三犧牲層、第二犧牲層以及第一犧牲層。為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明的形成數(shù)字微鏡器件的方法，下面結(jié)合附圖以及具體實施例詳細(xì)說明本發(fā)明形成數(shù)字微鏡器件的方法。圖^、4b 圖21a、圖 21b為本發(fā)明具體實施例的形成數(shù)字微鏡器件的方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，各幅a圖為圖2中所示的a-a方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，各幅b圖為圖2中所示的b_b方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合參考圖3和圖4a、4b 圖21a、圖21b詳細(xì)說明本發(fā)明具體實施例的形成數(shù)字微鏡器件的方法。結(jié)合參考圖3和圖如、圖4b，執(zhí)行步驟Si，提供基底30，所述基底30上形成有微鏡
12器件控制電路結(jié)構(gòu)31。本發(fā)明具體實施例中，所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)31為CMOS SRAM 電路結(jié)構(gòu)。結(jié)合參考圖3和圖5a、圖恥，執(zhí)行步驟S2，在所述基底30上形成第二極板33、連接端332以及第二極板33、連接端332與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)31連接的第二插栓 333和第三插栓334。本發(fā)明具體實施例中，所述在所述基底30上形成第二極板33、連接端332以及第二極板33、連接端332與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)連接的第二插栓333和第三插栓334 包括在所述基底30上形成介質(zhì)層32 ；圖形化所述介質(zhì)層32，形成第二通孔和第三通孔； 在所述第二通孔和第三通孔中填充導(dǎo)電材料，形成第二插栓333和第三插栓334，第二通孔對應(yīng)形成第二插栓333，第三通孔對應(yīng)形成第三插栓334 ；在所述圖形化的介質(zhì)層和第二插栓、第三插栓形成的表面形成導(dǎo)電層；圖形化所述導(dǎo)電層，形成第二極板33、連接端332。 本發(fā)明中，形成第二極板33、連接端332后，沉積介質(zhì)材料于第二極板33、連接端332之間的間隙，該介質(zhì)材料起到保護(hù)第二極板33、連接端332以及絕緣的作用。其中，基底30上形成的介質(zhì)層的材料可以選自氧化硅、碳氧化硅、氮氧化硅等本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的介質(zhì)層材料其中之一或者他們的任意組合，形成介質(zhì)層的方法為化學(xué)氣相沉積，利用化學(xué)氣相沉積形成介質(zhì)層后，對介質(zhì)層進(jìn)行平坦化工藝，使介質(zhì)層的表面平坦化。之后在介質(zhì)層的表面利用旋涂法形成光刻膠層，利用曝光、顯影工藝圖形化光刻膠層，形成圖形化的光刻膠層，定義出第二通孔和第三通孔，然后以圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕介質(zhì)層，形成圖形化的介質(zhì)層，在介質(zhì)層中形成第二通孔和第三通孔，之后灰法去除圖形化的光刻膠。接著，在第二通孔和第三通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，形成第二插栓和第三插栓。本發(fā)明具體實施例中，第二極板33、連接端332間隙中的介質(zhì)材料可以選自氧化硅、碳氧化硅、氮氧化硅等本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的介質(zhì)材料其中之一或者他們的任意組合，形成介質(zhì)材料的方法為化學(xué)氣相沉積，利用化學(xué)氣相沉積形成介質(zhì)材料后，對介質(zhì)材料進(jìn)行平坦化工藝。本發(fā)明具體實施例中，在所述第二插栓和第三插栓中填充導(dǎo)電材料之前，還包括形成擴散阻擋層，覆蓋所述第二通孔的側(cè)壁和底部、第三通孔的側(cè)壁和底部；之后，在所述第二通孔和第三通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成第二插栓333和第三插栓334，所述導(dǎo)電材料并覆蓋所述擴散阻擋層。所述第二通孔、第三通孔內(nèi)的導(dǎo)電材料為銅或鎢或?qū)щ姷姆墙饘伲瑢?dǎo)電的非金屬可以為重參雜的多晶硅、非晶硅、多晶鍺、非晶鍺、多晶鍺硅、非晶鍺硅等。結(jié)合參考圖3和圖6a、圖6b，執(zhí)行步驟S3，形成第一犧牲層41，覆蓋所述第二極板和基底形成的表面，在所述第一犧牲層的表面形成第一極板。本發(fā)明具體實施例中，第一犧牲層41的材料為非晶碳，形成第一犧牲層的方法為其形成方法為CMOS工藝中的普通的化學(xué)氣相沉積工藝。形成第一犧牲層41后，在所述第一犧牲層上形成第一極板。本發(fā)明具體實施例中，所述第一極板35包括導(dǎo)電層351和介質(zhì)層352，所述第一極板35的導(dǎo)電層351靠近所述第二極板33，所述第一極板35的介質(zhì)層352遠(yuǎn)離所述第二極板33，即導(dǎo)電層351位于第一犧牲層41上，介質(zhì)層352位于導(dǎo)電層351上，所述第一極板35的介質(zhì)層352相對于所述第一極板35的導(dǎo)電層351具有壓應(yīng)力。由于介質(zhì)層對導(dǎo)電層的壓應(yīng)力的存在，使得第一極板35的邊緣相對于中央向第二極板33靠近，當(dāng)?shù)谝粯O板和第二極板之間具有電勢差，具有吸引力時，第一極板較容易向第二極板方向偏轉(zhuǎn)，這樣第一極板和第二極板之間的電勢差相對于現(xiàn)有技術(shù)可以降低，因此可以降低驅(qū)動電壓，從而可以降低功耗。形成第一極板35 的方法為依次沉積介質(zhì)層和導(dǎo)電層于所述第一犧牲層41的表面上，然后圖形化介質(zhì)層和導(dǎo)電層形成第一極板35的導(dǎo)電層351和介質(zhì)層352。在另一實施例中也可以所述第一極板包括導(dǎo)電層和介質(zhì)層，所述導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述第二極板，所述介質(zhì)層靠近所述第二極板，所述介質(zhì)層相對于所述導(dǎo)電層具有拉應(yīng)力，使得第一極板35的邊緣相對于中央向第二極板33靠近。在該另一實施例中，第一極板35的介質(zhì)層和導(dǎo)電層的形成順序需要做相應(yīng)的調(diào)整。結(jié)合參考圖3和圖10a、圖10b，執(zhí)行步驟S4,形成第二犧牲層42，覆蓋所述第一極板和所述第一犧牲層41，在所述第二犧牲層42和第一犧牲層41中形成第四插栓343，在所述第四插栓343上形成所述卡口的底板371。具體為參考圖7a和圖7b，形成第二犧牲層42，覆蓋所述第一極板和所述第一犧牲層41。 本發(fā)明具體實施例中，第二犧牲層42的材料為非晶碳，形成第二犧牲層42的方法為CMOS 工藝中的普通的化學(xué)氣相沉積工藝。第二犧牲層42覆蓋第一極板和所述第一犧牲層41，也就是說，在第一極板和所述第一犧牲層41組成的表面上形成第二犧牲層42。本發(fā)明具體實施例中，形成第二犧牲層42后，在第一犧牲層41和第二犧牲層42 中形成第四插栓的方法具體包括參考圖8a和圖8b，利用光刻、刻蝕工藝圖形化所述第二犧牲層42和第一犧牲層41，在所述第二犧牲層42和第一犧牲層41中形成第四通孔421。 參考圖9a和圖％，在所述第四通孔421的側(cè)壁形成介質(zhì)層422 ；在所述第四通孔421的側(cè)壁形成介質(zhì)層422后，在所述第四通孔421內(nèi)填滿導(dǎo)電材料，形成第四插栓343。本發(fā)明具體實施例中，在所述第四通孔421的側(cè)壁形成介質(zhì)層422后，在所述第四通孔內(nèi)填滿導(dǎo)電材料之前，還包括在所述第四通孔的側(cè)壁和底部形成擴散阻擋層423，所述擴散阻擋層423 在第四通孔的側(cè)壁覆蓋第四通孔側(cè)壁的介質(zhì)層422 ；在所述第四通孔的側(cè)壁和底部形成擴散阻擋層423后，在所述第四通孔內(nèi)填滿導(dǎo)電材料，形成第四插栓343。也就是說，在本發(fā)明的其他實施例中，也可以沒有擴散阻擋層423，在第四通孔的側(cè)壁形成介質(zhì)層后，用導(dǎo)電材料填滿第四通孔形成第四插栓343。本發(fā)明具體實施例中，所述第四通孔側(cè)壁的介質(zhì)層的材料為氧化硅，在第四通孔的側(cè)壁形成介質(zhì)的方法為利用化學(xué)氣相沉積方法沉積氧化硅于第四通孔內(nèi)，并填滿第四通孔，之后利用平坦化工藝平坦化高于第一犧牲層表面的氧化硅，接著利用干法刻蝕工藝去除第四通孔內(nèi)的氧化硅，保留第四通孔側(cè)壁的預(yù)定厚度的氧化硅。其中，第四通孔側(cè)壁的介質(zhì)層的作用為在之后去除第一犧牲層后，介質(zhì)層422可以起到支撐第四插栓的作用。本發(fā)明中，第四通孔側(cè)壁的介質(zhì)層422的材料不限于氧化硅，其可以選自氧化硅、 碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅其中之一或者他們的任意組合。第四通孔內(nèi)的導(dǎo)電材料為銅或鎢或?qū)щ姷姆墙饘?，?dǎo)電的非金屬可以為重參雜的多晶硅、非晶硅、多晶鍺、非晶鍺、多晶鍺硅、非晶鍺硅等。結(jié)合參考圖IOa和圖10b，形成第四插栓343后，在所述第四插栓343上形成所述卡口的底板371。本發(fā)明具體實施例中，底板371的材料選自金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、鉬、鎘、 鎳、鈷其中之一或者他們的任意的組合；或者，選自多晶硅、非晶硅、多晶鍺、非晶鍺、多晶鍺硅、非晶鍺硅其中之一或者他們的任意組合。在所述第四插栓343上形成所述卡口的底板 371的方法為利用氣相沉積方法形成導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層覆蓋第二犧牲層42、以及第四插栓343，之后，圖形化該導(dǎo)電層形成底板371。其中，圖形化導(dǎo)電層的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知的光刻、刻蝕工藝，此不做贅述。結(jié)合參考圖3和圖12a、圖12b，執(zhí)行步驟S5，形成第三犧牲層43，覆蓋所述第二犧牲層42、所述卡口的底板371，在所述第三犧牲層43和第二犧牲層42中形成第一插栓361， 在所述第三犧牲層的表面形成反光鏡36。具體為參考圖Ila和圖11b，本發(fā)明具體實施例中，第三犧牲層43的材料為非晶碳，形成第三犧牲層43的方法為CMOS工藝中的普通的化學(xué)氣相沉積工藝。形成第三犧牲層43后， 在所述第三犧牲層43和第二犧牲層42中形成第一插栓361。本發(fā)明具體實施例中，形成第一插栓361的方法為利用光刻、刻蝕工藝，圖形化所述第三犧牲層43和第二犧牲層42，在所述第三犧牲層43和第二犧牲層42中形成第一通孔(圖中未標(biāo)號)，其中，圖形化所述第三犧牲層43和第二犧牲層42的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員常用的方法，此不做詳述；在所述第一通孔的側(cè)壁形成介質(zhì)層(圖中未標(biāo)號)；所述第一通孔中填充導(dǎo)電材料，覆蓋所述第一通孔側(cè)壁的介質(zhì)層，形成第一插栓361。本發(fā)明具體實施中，在所述第一通孔的側(cè)壁形成介質(zhì)層后，在所述第一通孔內(nèi)填滿導(dǎo)電材料之前，還包括在所述第一通孔的側(cè)壁和底部形成擴散阻擋層(圖中未標(biāo)號)，所述擴散阻擋層覆蓋第一通孔側(cè)壁的介質(zhì)層；在所述第一通孔的側(cè)壁和底部形成擴散阻擋層后，在所述第一通孔內(nèi)填滿導(dǎo)電材料，形成第一插栓。在本發(fā)明的其他實施例中，也可以不形成擴散阻擋層，即在第一通孔的側(cè)壁形成介質(zhì)層后，直接在第一通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，形成第一插栓。其中，第一通孔側(cè)壁的介質(zhì)層的材料選自氧化硅、 碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅其中之一或者他們的任意組合。第一通孔內(nèi)的導(dǎo)電材料為銅或鎢或?qū)щ姷姆墙饘?，?dǎo)電的非金屬可以為重參雜的多晶硅、非晶硅、多晶鍺、非晶鍺、多晶鍺硅、非晶鍺硅等。結(jié)合參考圖1 和圖12b，形成第一插栓361后，在所述第三犧牲層43的表面上形成反光鏡36。具體為在所述第三犧牲層43的表面上形成導(dǎo)電層；圖形化所述導(dǎo)電層，形成反光鏡36。圖形化導(dǎo)電層的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的光刻、刻蝕工藝，此不做詳述。 本發(fā)明具體實施例中，反光鏡36的材料選自金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、鉬、鎘、鎳、鈷其中之一或者他們的任意的組合；或者，選自多晶硅、非晶硅、多晶鍺、非晶鍺、多晶鍺硅、非晶鍺硅其中之一或者他們的任意組合。結(jié)合參考圖3和圖15a、圖15b，執(zhí)行步驟S6，形成第四犧牲層44，覆蓋所述第三犧牲層43和所述反光鏡36，在所述第四犧牲層44和第三犧牲層43中形成卡口的側(cè)壁372、 在第四犧牲層44的表面形成卡口的頂板373。具體為結(jié)合參考圖13a和圖13b，形成第四犧牲層44，覆蓋所述第三犧牲層43和和所述反光鏡36。本發(fā)明具體實施例中，第四犧牲層44的材料為非晶碳，形成第四犧牲層42的方法為CMOS工藝中的普通的化學(xué)氣相沉積工藝。圖形化所述第四犧牲層44，在所述第四犧牲層44中形成開口 441，所述開口 441暴露出所述卡口的底板371。其中，圖形化第四犧牲層 44的方法為在第四犧牲層44的表面形成光刻膠層；之后圖形化所述光刻膠層，定義出開口 441的位置；然后以圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕第四犧牲層44，形成開口 441 ；最后灰化去除光刻膠層。結(jié)合參考圖1 和圖14b，在所述開口 441的側(cè)壁、底部以及圖形化的第四犧牲層 44的表面上形成導(dǎo)電層372丨，形成介質(zhì)層374，所述介質(zhì)層374填滿開口 441且覆蓋所述導(dǎo)電層372'。本發(fā)明具體實施例中，導(dǎo)電層372'的材料選自金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、鉬、鎘、 鎳、鈷其中之一或者他們的任意的組合，采用物理氣相沉積方法形成導(dǎo)電層372'。介質(zhì)層 374的材料選自氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅其中之一或者他們的任意組合，利用化學(xué)氣相沉積方法形成介質(zhì)層374。結(jié)合參考圖15a和圖15b，圖形化所述導(dǎo)電層372 ‘和介質(zhì)層374，形成卡口的側(cè)壁372和頂板373。本發(fā)明具體實施例中，圖形化所述導(dǎo)電層372'和介質(zhì)層374時，保留了開口內(nèi)的介質(zhì)層和導(dǎo)電層，其中，與頂板373和底板371均接觸的導(dǎo)電層作為卡口的側(cè)壁 372。圖形化所述導(dǎo)電層372'和介質(zhì)層374的方法為在所述介質(zhì)層374的表面上形成光刻膠層，圖形化所述光刻膠層定義出側(cè)壁372和頂板373的位置，以圖形化的光刻膠層為掩膜，依次刻蝕介質(zhì)層374和導(dǎo)電層372 ‘形成卡口的側(cè)壁372和頂板373，最后灰化去除圖形化的光刻膠層。結(jié)合參考圖3和圖20a、圖20b，執(zhí)行步驟S7，去除第四犧牲層、第三犧牲層、第二犧牲層以及第一犧牲層。本發(fā)明具體實施例中，在所述第四犧牲層44和第三犧牲層43中形成卡口的側(cè)壁 372、第四犧牲層44的表面形成卡口的頂板373之后，去除第四犧牲層44、第三犧牲層43、 第二犧牲層42以及第一犧牲層41之前還包括形成密封蓋陣列，每一個密封蓋在所述每一個數(shù)字微鏡上方遮蓋所述數(shù)字微鏡。形成密封蓋的方法為參考圖16a和圖16b，形成第五犧牲層45，覆蓋所述第四犧牲層44和所述卡口 ；參考圖17a和圖17b，圖形化所述第五犧牲層45，在所述第五犧牲層45 中形成連接孔451，定義出連接柱；參考圖18a和圖18b，形成介質(zhì)層，填滿所述連接孔且覆蓋所述第五犧牲層45，所述連接孔內(nèi)的介質(zhì)層作為連接柱383，所述第五犧牲層45表面的介質(zhì)層作為封蓋層381 ；參考圖19a和圖19b，圖形化所述封蓋層381，在所述封蓋層381中形成開口 384，所述開口 384暴露出所述第五犧牲層45。本發(fā)明具體實施例中，第五犧牲層45的材料為非晶碳，形成第五犧牲層45的方法為CMOS工藝中的普通的化學(xué)氣相沉積工藝。圖形化第五犧牲層45的方法為在第五犧牲層45的表面形成光刻膠層，圖形化光刻膠層定義出連接孔，然后以圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕第五犧牲層45形成連接孔，之后灰化去除光刻膠層。連接孔內(nèi)以及第五犧牲層表面的介質(zhì)層的材料選自氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅其中之一或者他們的任意組合， 利用化學(xué)氣相沉積方法形成介質(zhì)層。圖形化封蓋層381的方法為在封蓋層381的表面形成光刻膠層，圖形化光刻膠層定義出開口，然后以圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕封蓋層381 形成開口 384，之后灰化去除光刻膠層。結(jié)合參考圖20a和圖20b，在去除第四犧牲層、第三犧牲層、第二犧牲層以及第一犧牲層同時去除第五犧牲層，去除第五犧牲層、第四犧牲層、第三犧牲層、第二犧牲層以及第一犧牲層的方法具體為等離化氧氣形成氧等離子體；將所述氧等離子體通入所述開口 384，在溫度范圍為150°C 450°C的條件下灰化所述非晶碳。以上所述的具體實施例中，所述第一犧牲層、第二犧牲層、第三犧牲層、第四犧牲層以及第五犧牲層的材料為非晶碳，在其他實施例中，第一犧牲層、第二犧牲層、第三犧牲層、第四犧牲層以及第五犧牲層的材料也可以為光刻膠、二氧化硅、鍺或者非晶硅。當(dāng)然，第一犧牲層、第二犧牲層、第三犧牲層、第四犧牲層以及第五犧牲層的材料發(fā)生變化以后，形成第一犧牲層、第二犧牲層、第三犧牲層、第四犧牲層以及第五犧牲層的方法也相應(yīng)的需要進(jìn)行變化，其均為本領(lǐng)域技術(shù)人員的常用技術(shù)手段，在此不做贅述。需要說明的是，光刻膠的去除方法和非晶碳的去除方法相同，此不做贅述。去除二氧化硅的方法為將HF蒸汽通入所述開口去除二氧化硅。去除非晶硅的方法為通過所述開口利用包含SF6W2和CHF3的混合氣體的等離子體等離子刻蝕所述非晶硅以去除非晶硅。結(jié)合參考圖21a和圖21b，在去除第一犧牲層、第二犧牲層、第三犧牲層、第四犧牲層和第五犧牲層后，形成密封層382，覆蓋所述封蓋層381，且密封所述開口 384。本發(fā)明具體實施例中，所述密封層382的材料選自氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅其中之一或者他們的任意組合，優(yōu)選氧化硅。利用化學(xué)氣相沉積方法在封蓋層381的表面和開口 384 內(nèi)形成氧化硅，密封開口 384，之后利用平坦化工藝平坦化氧化硅表面。在本發(fā)明中，數(shù)字微鏡器件的頂部形成有密封蓋，該密封蓋的存在可以起到密封數(shù)字微鏡器件的作用，防止水蒸氣、灰塵、雜質(zhì)等進(jìn)入數(shù)字微鏡器件內(nèi)，這樣可以提高數(shù)字微鏡器件的壽命，防止水蒸氣、 灰塵、雜質(zhì)等進(jìn)入數(shù)字微鏡器件內(nèi)影響數(shù)字微鏡器件的使用。本發(fā)明具體實施方式
的數(shù)字微鏡器件，結(jié)構(gòu)簡單，而且，反光鏡的相對側(cè)邊可活動設(shè)置于卡口內(nèi)，因此反光鏡對力比較敏感，這樣可以提高數(shù)字微鏡器件的靈敏度。進(jìn)一步的，位于所述第二極板上方的第一極板也包括導(dǎo)電層和介質(zhì)層，所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第二極板，所述導(dǎo)電層靠近所述第二極板，所述介質(zhì)層相對于所述導(dǎo)電層具有壓應(yīng)力。由于介質(zhì)層對導(dǎo)電層的壓應(yīng)力的存在，當(dāng)?shù)谝粯O板和第二極板之間具有電勢差，具有吸引力時，第一極板較容易向第二極板方向偏轉(zhuǎn)，從而反光鏡容易偏轉(zhuǎn)，這樣第一極板和第二極板之間的電勢差相對于現(xiàn)有技術(shù)可以降低，因此可以降低驅(qū)動電壓，從而可以降低功耗。進(jìn)一步的，數(shù)字微鏡器件的頂部形成有密封蓋，該密封蓋的存在可以起到密封數(shù)字微鏡器件的作用，防止水蒸氣、灰塵、雜質(zhì)等進(jìn)入數(shù)字微鏡器件內(nèi)，這樣可以提高數(shù)字微鏡器件的壽命，防止水蒸氣、灰塵、雜質(zhì)等進(jìn)入數(shù)字微鏡器件內(nèi)影響數(shù)字微鏡器件的使用。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種數(shù)字微鏡器件，其特征在于，包括 基底，所述基底上形成有微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)；位于所述基底上的數(shù)字微鏡陣列，數(shù)字微鏡陣列中的每一數(shù)字微鏡包括一個反光鏡、 兩個第一極板、兩個第二極板；所述兩個第二極板位于所述基底上，與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接； 所述兩個第一極板位于所述兩個第二極板上方，且分別與所述兩個第二極板相對； 所述反光鏡位于所述兩個第一極板上方，且所述反光鏡通過第一插栓與兩個第一極板電連接；相對設(shè)置的兩個卡口，所述卡口固定在基底上且與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接，所述反光鏡的兩相對側(cè)邊可活動設(shè)置在所述卡口內(nèi)，在所述反光鏡與所述卡口接觸時， 所述卡口與所述反光鏡電連接；在其中一個第一極板和對應(yīng)的第二極板之間具有電壓差時，所述反光鏡在所述第一極板的帶動下向?qū)?yīng)的第二極板方向偏轉(zhuǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)字微鏡器件，其特征在于，還包括兩個連接端；所述兩個連接端位于兩個第二極板之間的基底上；所述第二極板通過第二插栓與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接； 所述連接端通過第三插栓與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接，所述卡口通過第四插栓與所述連接端電連接。
3.如權(quán)利要求2所述的數(shù)字微鏡器件，其特征在于，所述卡口包括底板、頂板以及側(cè)壁；所述底板與所述第四插栓電連接，所述頂板與所述底板相對，所述側(cè)壁連接所述底板與所述頂板。
4.如權(quán)利要求1 3任一項所述的數(shù)字微鏡器件，其特征在于，所述第一極板包括導(dǎo)電層和介質(zhì)層，所述導(dǎo)電層靠近所述第二極板，所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第二極板，所述介質(zhì)層相對于所述導(dǎo)電層具有壓應(yīng)力。
5.如權(quán)利要求1 3任一項所述的數(shù)字微鏡器件，其特征在于，所述第一極板包括導(dǎo)電層和介質(zhì)層，所述導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述第二極板，所述介質(zhì)層靠近所述第二極板，所述介質(zhì)層相對于所述導(dǎo)電層具有拉應(yīng)力。
6.如權(quán)利要求4所述的數(shù)字微鏡器件，其特征在于，所述第一極板的介質(zhì)層的材料選自氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅其中之一或者他們的任意組合。
7.如權(quán)利要求1 3任一項所述的數(shù)字微鏡器件，其特征在于，還包括密封蓋陣列，每一個密封蓋在所述每一個數(shù)字微鏡上方遮蓋所述數(shù)字微鏡。
8.如權(quán)利要求7所述的數(shù)字微鏡器件，其特征在于， 所述密封蓋包括封蓋層、密封層和連接柱；所述封蓋層位于所述數(shù)字微鏡上方，通過連接柱與所述卡口連接，所述封蓋層具有開Π ；所述密封層位于所述封蓋層表面，且密封所述開口。
9.如權(quán)利要求1 3任一項所述的數(shù)字微鏡器件，其特征在于，所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)為CMOS控制電路結(jié)構(gòu)。
10.一種形成權(quán)利要求3所述的數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，包括 提供基底，所述基底上形成有微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)；在所述基底上形成第二極板、連接端以及第二極板、連接端與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)連接的第二插栓和第三插栓；形成第一犧牲層，覆蓋所述第二極板和基底形成的表面，在所述第一犧牲層的表面形成第一極板；形成第二犧牲層，覆蓋所述第一極板和所述第一犧牲層，在所述第二犧牲層和第一犧牲層中形成第四插栓，在所述第四插栓上形成所述卡口的底板；形成第三犧牲層，覆蓋所述第二犧牲層、所述卡口的底板，在所述第三犧牲層和第二犧牲層中形成第一插栓，在所述第三犧牲層的表面形成反光鏡；形成第四犧牲層，覆蓋所述第三犧牲層和所述反光鏡，在所述第四犧牲層和第三犧牲層中形成卡口的側(cè)壁、第四犧牲層的表面形成卡口的頂板；去除第四犧牲層、第三犧牲層、第二犧牲層以及第一犧牲層。
11.如權(quán)利要求10所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，在所述第四犧牲層和第三犧牲層中形成卡口的側(cè)壁、第四犧牲層的表面形成卡口的頂板之后，去除第四犧牲層、第三犧牲層、第二犧牲層以及第一犧牲層之前還包括形成密封蓋陣列，每一個密封蓋在所述每一個數(shù)字微鏡上方遮蓋所述數(shù)字微鏡。
12.如權(quán)利要求10所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，所述在所述基底上形成第二極板、連接端以及第二極板、連接端與所述微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)連接的第二插栓和第三插栓包括在所述基底上形成介質(zhì)層；圖形化所述介質(zhì)層，形成第二通孔和第三通孔；在所述第二通孔和第三通孔中沉積導(dǎo)電材料形成第二插栓和第三插栓，第二通孔對應(yīng)形成第二插栓，第三通孔對應(yīng)形成第三插栓；在所述圖形化的介質(zhì)層和第二插栓、第三插栓形成的表面形成導(dǎo)電層； 圖形化所述導(dǎo)電層，形成第二極板、連接端。
13.如權(quán)利要求10所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，在所述第一犧牲層的表面形成第一極板包括在所述第一犧牲層的表面依次形成導(dǎo)電層、介質(zhì)層； 圖形化所述第一犧牲層表面上的介質(zhì)層和導(dǎo)電層，形成第一極板。
14.如權(quán)利要求10所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，在所述第二犧牲層和第一犧牲層中形成第四插栓，在所述第四插栓上形成所述卡口的底板包括圖形化所述第二犧牲層和第一犧牲層，在所述第二犧牲層和第一犧牲層中形成第四通孔；在所述第四通孔的側(cè)壁形成介質(zhì)層；在所述第四通孔的側(cè)壁形成介質(zhì)層后，在所述第四通孔內(nèi)填滿導(dǎo)電材料，形成第四插栓；在所述第四插栓和所述第二犧牲層組成的表面上形成導(dǎo)電層； 圖形化所述第四插栓和第二犧牲層的表面上的導(dǎo)電層，形成卡口的底板。
15.如權(quán)利要求10所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，所述在所述第三犧牲層和第二犧牲層中形成第一插栓包括圖形化所述第三犧牲層和第二犧牲層，在所述第三犧牲層和第二犧牲層中形成第一通孔；在所述第一通孔的側(cè)壁形成介質(zhì)層；所述第一通孔中填充導(dǎo)電材料，覆蓋所述第一通孔側(cè)壁的介質(zhì)層，形成第一插栓。
16.如權(quán)利要求10所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，所述在所述第三犧牲層的表面上形成反光鏡包括在所述第三犧牲層的表面上形成導(dǎo)電層； 圖形化所述第三犧牲層的表面上的導(dǎo)電層，形成反光鏡。
17.如權(quán)利要求10所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，所述在所述第四犧牲層和第三犧牲層中形成卡口的側(cè)壁、第四犧牲層的表面形成卡口的頂板包括在所述第四犧牲層表面形成圖形化的光刻膠層；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述第四犧牲層，在所述第四犧牲層、第三犧牲層中形成開口，所述開口暴露出所述底板的邊緣部分；在所述開口的側(cè)壁、底部以及所述第四犧牲層的表面形成導(dǎo)電層； 圖形化所述第四犧牲層的表面的導(dǎo)電層，保留所述開口側(cè)壁、底部以及與所述底板相對的第四犧牲層表面的導(dǎo)電層，形成卡口的側(cè)壁以及頂板，其中與所述底板相對的導(dǎo)電層為頂板，連接頂板和底板的開口側(cè)壁的導(dǎo)電層為卡口的側(cè)壁。
18.如權(quán)利要求17所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，在所述開口的側(cè)壁、 底部以及所述第四犧牲層的表面形成導(dǎo)電層之后，圖形化所述導(dǎo)電層之前，還包括形成介質(zhì)層，填滿所述開口覆蓋所述開口內(nèi)的導(dǎo)電層，且覆蓋所述圖形化的第四犧牲層的表面的導(dǎo)電層；在圖形化所述導(dǎo)電層時，也圖形化所述介質(zhì)層。
19.如權(quán)利要求11所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，所述形成密封蓋包括形成第五犧牲層，覆蓋所述第四犧牲層和所述卡口 ； 圖形化所述第五犧牲層，在所述第五犧牲層中形成連接孔，定義出連接柱； 形成介質(zhì)層，填滿所述連接孔且覆蓋所述第五犧牲層，所述連接孔內(nèi)的介質(zhì)層作為連接柱，所述第五犧牲層表面的介質(zhì)層作為封蓋層；圖形化所述封蓋層，在所述封蓋層中形成開口，所述開口暴露出所述第五犧牲層。
20.如權(quán)利要求19所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，在去除第四犧牲層、 第三犧牲層、第二犧牲層以及第一犧牲層時，也去除第五犧牲層。
21.如權(quán)利要求20所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，所述第一犧牲層、第二犧牲層、第三犧牲層、第四犧牲層以及第五犧牲層的材料為非晶碳、光刻膠、二氧化硅、鍺或者非晶硅。
22.如權(quán)利要求21所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，去除非晶碳或者光刻膠的方法為將氧等離子體通入所述開口，在溫度范圍為150°C 450°C的條件下灰化所述非晶碳或者光阻；去除二氧化硅的方法為將HF蒸汽通入所述開口去除二氧化硅；去除非晶硅的方法為通過所述開口利用包含SF6W2和CHF3的混合氣體的等離子體等離子刻蝕所述非晶硅以去除非晶硅。
23.如權(quán)利要求20所述的形成數(shù)字微鏡器件的方法，其特征在于，所述形成密封蓋還包括在去除第一犧牲層、第二犧牲層、第三犧牲層、第四犧牲層和第五犧牲層后，形成密封層，覆蓋所述封蓋層，且密封所述開口。
全文摘要
一種數(shù)字微鏡器件及其形成方法，數(shù)字微鏡器件包括基底，基底上形成有微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)；數(shù)字微鏡陣列，數(shù)字微鏡陣列中的每一數(shù)字微鏡包括反光鏡、兩個第一極板、兩個第二極板；相對設(shè)置的兩個卡口，卡口固定且與微鏡器件控制電路結(jié)構(gòu)電連接，反光鏡的兩相對側(cè)邊可活動設(shè)置在卡口內(nèi)，在反光鏡與卡口接觸時，卡口與反光鏡電連接；在其中一個第一極板和對應(yīng)的第二極板之間具有電壓差時，反光鏡在第一極板的帶動下向?qū)?yīng)的第二極板方向偏轉(zhuǎn)。本技術(shù)方案結(jié)構(gòu)簡單，反射鏡的兩相對側(cè)邊可活動置于卡口內(nèi)，這樣可以提高數(shù)字微鏡器件的靈敏度。
文檔編號G02B26/08GK102360121SQ20111029778
公開日2012年2月22日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者唐德明, 毛劍宏 申請人:上海麗恒光微電子科技有限公司