專利名稱：孔的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種孔的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法。
背景技術(shù)：
目前，光學(xué)臨近效應(yīng)修正(OPC, Optical Proximity Correction)技術(shù)，作為一種分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET, Resolution Enhancement Technology),已普遍應(yīng)用于 0. 13 U m 技術(shù)節(jié)點(diǎn)以上的關(guān)鍵層工藝。但是，隨著半導(dǎo)體工藝尺寸的日益縮小，圖形的設(shè)計(jì)規(guī)則(design rule)越來(lái)越小，同時(shí)也越來(lái)越復(fù)雜。如何配合光刻工藝進(jìn)行工藝窗口的擴(kuò)大(例如，基于光刻工藝窗口的OPC修正方法)，已成為目前OPC工藝的研究方向。在孔圖形層次，目前的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC, design rule check)軟件對(duì)于圖形與圖形的距離都是通過(guò)邊與邊之間的距離，而不是點(diǎn)與點(diǎn)之間的距離來(lái)定義的。假設(shè)孔圖形層次的設(shè)計(jì)規(guī)則為孔的大小為a，孔與孔之間的最小間距為b。由于設(shè)計(jì)規(guī)則檢查軟件的功能設(shè)置，孔與孔之間的距離一般必須保證數(shù)值b。當(dāng)孔與孔之間位于同一直線時(shí)，圖形間距離的定義如圖1所示；當(dāng)孔與孔之間的位置不在同一直線上時(shí)，圖形間距離的定義則如圖2所示。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種孔的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，它可以增大孔圖形的光刻工藝窗口。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的孔的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，在對(duì)孔圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正前，將一個(gè)或多個(gè)原始孔圖形的一個(gè)或多個(gè)角切除，以相應(yīng)增加孔圖形的邊數(shù)。本發(fā)明通過(guò)調(diào)整孔圖形的形狀，規(guī)避了孔圖形受MRC的限制，增大了孔圖形在非正交方向的OPC修正空間，從而間接增大了孔圖形的光刻工藝窗口。


圖1 2是現(xiàn)有設(shè)計(jì)規(guī)則檢查軟件定義圖形間距離的方式示意圖；其中，圖1中的兩孔位于同一直線；圖2中的兩孔處在非正交位置。圖3 4是采用本發(fā)明的方法后，確定圖形間距離的方式示意圖。圖5是用本發(fā)明實(shí)施例的方法對(duì)90nm節(jié)點(diǎn)的SRAM的圖形進(jìn)行OPC修正得到的結(jié)果圖。
具體實(shí)施例方式為對(duì)本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效有更具體的了解，現(xiàn)結(jié)合圖示的實(shí)施方式詳述如下本實(shí)施例的孔的OPC修正方法，其具體步驟如下步驟I,通過(guò)EDA (Electronic Design Automation,電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)軟件畫出正方形的孔圖形?？椎拇笮?即正方形邊長(zhǎng))為a，孔與孔之間的距離為b (最小距離)。所述EDA軟件可以是Mentor的Calibre DRC工具，也可以是其他EDA工具。步驟2，通過(guò)EDA軟件將需要調(diào)整形狀的孔圖形切去角。被切除的角的直角邊長(zhǎng)小于正方形孔的邊長(zhǎng)的1/2。步驟3，對(duì)步驟2得到的孔圖形數(shù)據(jù)做OPC修正。經(jīng)過(guò)上述修正后，孔與孔之間的距離由b擴(kuò)大為b’，如圖3所示。由于設(shè)計(jì)規(guī)則檢查軟件要求孔與孔之間的距離達(dá)到最小距離b即可，因此，我們可以適當(dāng)?shù)財(cái)U(kuò)大孔的大小，如圖4所示，孔可以從a擴(kuò)大到a’(此時(shí)孔與孔之間的距離為最小距離b)。應(yīng)用上述方法對(duì)90nm節(jié)點(diǎn)的SRAM的圖形(產(chǎn)品為EF90，嵌入式閃存)進(jìn)行OPC修正，得到如圖5所示的結(jié)果，圖中，內(nèi)部輪廓線圍成的圖形(即斜線填充的圖形)為孔層OPC修正前切除角的圖形；外部輪廓線圍成的圖形(即黑點(diǎn)填充的圖形)為孔層OPC修正后的圖形。在實(shí)踐中，也可以通過(guò)EDA軟件直接畫出去掉角的八角形孔圖形，然后再對(duì)半導(dǎo)體芯片數(shù)據(jù)做OPC修正。綜上，本發(fā)明的孔的OPC修正方法，通過(guò)引入切除孔圖形的角，形成一條小邊，規(guī)避了孔圖形由于掩膜版規(guī)則檢查MRC(Mask Rule Check)的限制，增大了孔圖形在非正交方向的OPC修正空間，從而間接增大了孔圖形的光刻工藝窗口，而在正交方向，孔與孔之間還是會(huì)被原來(lái)的MRC限定住，因此，不會(huì)出現(xiàn)過(guò)度修正。
權(quán)利要求
1.孔的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，其特征在于，在對(duì)孔圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正前，將一個(gè)或多個(gè)原始孔圖形的一個(gè)或多個(gè)角切除，以相應(yīng)增加孔圖形的邊數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述原始孔圖形為矩形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述原始孔圖形為正方形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述正方形原始孔圖形被切除角后形成的圖形為八邊形，被切除的角的直角邊長(zhǎng)小于該正方形邊長(zhǎng)的1/2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任何一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述原始孔圖形的角通過(guò)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具切除。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種孔的光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，該方法在對(duì)孔圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正前，將一個(gè)或多個(gè)原始孔圖形的一個(gè)或多個(gè)角切除，以相應(yīng)增加孔圖形的邊數(shù)。該方法通過(guò)改變孔圖形的形狀，增大了孔圖形在非正交方向的OPC修正空間，從而增大了孔圖形的光刻工藝窗口。
文檔編號(hào)G03F1/36GK103048873SQ20111030966
公開(kāi)日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2011年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月13日
發(fā)明者陳福成, 袁春雨 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司