專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置和一種器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是將所需圖案應用于基底上通常是基底靶部上的一種裝置。光刻裝置是可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件或者可稱為掩模或中間掩模版，它可用于產(chǎn)生形成在IC的一個單獨層上的電路圖案。該圖案可以被傳遞到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一個或者多個管芯)。通常這種圖案的傳遞是通過成像在涂敷于基底的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般地、單一的基底將包含相繼構(gòu)圖的相鄰靶部的整個網(wǎng)格。已知的光刻裝置包括所謂的步進器，它通過將整個圖案一次曝光到靶部上而輻射每一靶部，已知的光刻裝置還包括所謂的掃描器，它通過在輻射光束下沿給定的方向(“掃描”方向)掃描所述圖案，并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來輻射每一靶部。還可以通過將圖案壓印到基底上把圖案從構(gòu)圖部件傳遞到基底上。已經(jīng)有人提議將光刻投影裝置中的基底浸入具有相對較高折射率的液體中，如水，從而填充投影系統(tǒng)的最后一個元件與基底之間的空間。由于曝光輻射在該液體中具有更短的波長，從而使得能夠?qū)Ω〉奶卣鬟M行成像。(液體的作用也可以認為是增加了系統(tǒng)的有效NA(數(shù)值孔徑)和增加了焦深。)也有人提議其它浸液，包括其中懸浮有固體微粒 (如石英)的水。但是，將基底或者基底和基底臺浸沒在液體浴糟(例如參見US4，509，853，在此將該文獻全文引入作為參考)中意味著在掃描曝光過程中必須加速大量的液體。這需要附加的或者功率更大的電機，并且液體中的紊流可能導致不期望的和不可預料的結(jié)果。提出的一種用于液體供給系統(tǒng)的技術(shù)方案是僅在基底的局部區(qū)域上以及投影系統(tǒng)的最后一個元件和基底(通常該基底具有比投影系統(tǒng)的最后一個元件更大的表面區(qū)域) 之間提供液體。在PCT專利申請W099/49504中公開了一種已經(jīng)提出的用于該方案的方式在此將該文獻全文引入作為參考。如圖2和3所示，道過至少一個入口 IN將液體提供到基底上，優(yōu)選地沿基底相對于最后一個元件的移動方向提供，以及在經(jīng)過投影系統(tǒng)下方之后通過至少一個出口 OUT去除液體。也就是說，沿-X方向在該元件下方掃描基底時，在元件的+X —側(cè)提供液體，-X—側(cè)接收。圖2示出了示意性的布置，其中通過入口 IN提供液體， 和通過與低壓源相連接的出口 OUT在元件的另一側(cè)接收。在圖2的說明中，沿基底相對于最后一個元件的移動方向提供液體，盡管可以不必這樣。圍繞最后一個元件定位的入口和出口的各種定向和數(shù)量都是可能的，圖3示出了一個實例，其中在圍繞最后一個元件的規(guī)則圖案中提供了四組位于任一側(cè)的入口以及出口。
在濕浸式光刻技術(shù)中，投影系統(tǒng)和基底之間的空間填充有液體(如水)。在基底的曝光過程中，基底構(gòu)成限制液體邊界的一部分。在移去基底并用另一個基底更換的過程中， 例如，液體可以從所述空間排出，以便允許更換基底。一種該方法的可能不利方面是可能在與液體接觸的投影系統(tǒng)的一個元件上形成干燥點。附加地或者可替換地，在液體和去除液體的真空流中的變化可能需要時間進行處理，這可能導致生產(chǎn)量的下降。

發(fā)明內(nèi)容
因此，有利的是，例如在移動基底的過程中，通過用封閉板替換基底而不擾動存在于基底和光學元件之間的液體使浸沒光刻投影裝置的元件浸潤。通過使用另一個具有提供限制液體邊界的功能的本體(如封閉板)，可以不必在移動基底(和提供新的基底)的過程中從基底和投影系統(tǒng)之間去除液體。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻投影裝置，包括配置成保持基底的基底臺；配置成把帶圖案的輻射光束投影到基底上的投影系統(tǒng)；液體限制結(jié)構(gòu)、其配置成把液體限制在投影系統(tǒng)和基底之間的空間中、基底、基底臺或上述兩者配置成構(gòu)成所述空間的邊界的一部分；以及封閉板，封閉板配置成當基本上沒有擾動液體、液體限制結(jié)構(gòu)或上述兩者而移動時，該替代基底、基底臺或上述兩者構(gòu)成空間的邊界的一部分。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種器件制造方法，包括以下步驟；將液體提供給帶圖案的光束穿過的空間，基底、基底臺或上述兩者構(gòu)成所述空間的邊界的一部分；交液體密封在空間中，所述密封在基底、基底臺或上述兩者和另一個結(jié)構(gòu)之間作用；用封閉板替換基底、基底臺或上述兩者作為所述空間邊界的一部分，而不破壞所述密封；以及使帶圖案的輻射光束穿過液體投影到基底上。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光刻投影裝置，包括配置成保持基底的基底臺；配置在把帶圖案的輻射光束投影到基底上的投影系統(tǒng)；液體限制結(jié)構(gòu)，其配置成把液體限制在投影系統(tǒng)和基底之間的空間中，基底、基底臺或上述兩者配置成構(gòu)成所述空間的邊界的一部分；以及在水平面中替換基底臺的封閉板，該封閉板配置成替代基底、基底臺或上述兩者構(gòu)成空間的邊界的一部分；以及配置成在水平面中移動所述封閉板的致動裝置。


現(xiàn)在僅僅通過實例的方式，參考隨附的示意圖描述本發(fā)明的各個實施方案，附圖中相應的參考標記表示相應的部件，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的光刻裝置；
圖2和3示出了一種在光刻投影裝置中使用的液體供給系統(tǒng)；圖4示出了另一種在光刻投影裝置中使用的液體供給系統(tǒng)；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的另一種液體供給系統(tǒng)的封閉視圖；圖6a和6b示出了在根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的方法中的第一步；圖7a和7b示出了在根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的方法中的第二步；圖8a和8b示出了在根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的方法中的第三步；圖9a和9b示出了在根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的方法中的第四步。
具體實施例方式圖1示意性地表示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的光刻裝置。該裝置包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置成調(diào)節(jié)輻射光束PB(例如UV輻射或DUV輻射)。-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩摸臺)MT，其構(gòu)造成支撐構(gòu)圖部件(例如掩模)MA，并與配置成依照某些參數(shù)將該構(gòu)圖部件精確定位的第一定位裝置PM連接；-基底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造成保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W，并與配置成依照某些參數(shù)將基底精確定位的第二定位裝置PW連接；以及-投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡系統(tǒng))PL，其配置成將通過構(gòu)圖部件MA賦予給輻射光束PB的圖案投影到基底W的靶部C(例如包括一個或多個管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如包括用于引導、整形或者控制輻射的折射光學部件、反射光學部件、磁性光學部件、電磁光學部件、靜電光學部件或其它類型的光學部件，或者其任意組合。支撐結(jié)構(gòu)以一種方式保持構(gòu)圖部件，該方式取決于構(gòu)圖部件的定向、光刻裝置的設計以及其它條件、例如構(gòu)圖部件是否保持在真空環(huán)境中。支撐結(jié)構(gòu)可以使用機械、真空、 靜電或其它夾緊技術(shù)來保持構(gòu)圖部件。支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的。支撐結(jié)構(gòu)可以確保構(gòu)圖部件例如相對于投影系統(tǒng)位于所需的位置。這里任何術(shù)語“中間掩摸版”或者“掩摸”的使用可以認為與更普通的術(shù)語 “構(gòu)圖部件”同義。這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”應廣義地解釋為能夠給輻射光束在其截面賦予圖案從而在基底的靶部中形成圖案的任何裝置。應該注意，賦予給輻射光束的圖案可以不與基底靶部中的所需圖案精確一致，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。一般地， 賦予給輻射光束的圖案與在靶部中形成的器件(如集成電路)的特殊功能層相對應。構(gòu)圖部件可以是透射的或者反射的。構(gòu)圖部件的示例包括掩模，可編程反射鏡陣列，以及可編程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二進制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩摸類型?？删幊谭瓷溏R陣列的一個示例采用微小反射鏡的矩陣排列，每個反射鏡能夠獨立地傾斜，從而沿不同的方向反射入射的輻射光束。傾斜的反射鏡可以在由反射鏡矩陣反射的輻射光束中賦予圖案。這里所用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學系統(tǒng)，反射光學系統(tǒng)、反折射光學系統(tǒng)、磁性光學系統(tǒng)、電磁光學系統(tǒng)和靜電光學系統(tǒng)， 或其任何組合，如適合于所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如使用的浸液或使用的真空。這里任何術(shù)語“投影透鏡”的使用可以認為與更普通的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
如這里指出的，該裝置是透射型(例如采用透射掩模)?；蛘撸撗b置可以是反射型(例如采用上面提到的可編程反射鏡陣列，或采用反射掩摸)。光刻裝置可以具有兩個(雙臺)或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩摸臺)。 在這種“多臺式”裝置中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。參考圖1，照射器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以是獨立的機構(gòu)，例如當輻射源是受激準分子激光器時。在這種情況下，不認為輻射源構(gòu)成了光刻裝置的一部分，輻射光束借助于光束輸送系統(tǒng)BD從源SO傳輸?shù)秸丈淦鱅L，所述輸送系統(tǒng)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器。在其它情況下，輻射源可以是光刻裝置的組成部分，例如當源是汞燈時。源SO和照射器IL，如裝需要連同光束輸送系統(tǒng)BD —起可以稱作輻射系統(tǒng)。照射器IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AD，用于調(diào)節(jié)輻射光束的角強度分布。一投地，至少可以調(diào)節(jié)在照射器光瞳平面上強度分布的外和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱為σ-外和 σ-內(nèi))。此外，照射器IL可以包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。照射器可以用于調(diào)節(jié)輻射光束，從而該光束在其橫截面上具有所需的均勻度和強度分布。輻射光束PB入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(如掩模分MT)上的的圖部件(如掩摸MA) 上，并由構(gòu)圖部件進行構(gòu)圖。橫向穿過掩摸MA后，輻射光束PB通過投影系統(tǒng)PL，該投影系統(tǒng)將光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如干涉測量器件、線性編碼器或電容傳感器)的輔助下，可以精確地移動基底臺WT，從而例如在輻射光束 PB的光路中定位不同的靶部C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)來使掩模MA相對于輻射光束PB的光路精確定位。一般地，借助于長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊 (精確定位)，可以實現(xiàn)掩模臺MT的移動，其中長行程模塊和短行程摸塊構(gòu)成第一定位裝置 PW的一部分。在步進器(與掃描裝置相對)的情況下，掩模臺MT可以只與知行程致動裝置連接，或者固定。可以使用掩模對準標記M1、M2和基底對準標記P1、P2對準掩模MA與基底 W。盡管如所示出的基底對準標記占據(jù)了指定的靶部，它們可以投置在各個靶部(這些標記是公知的劃線對準標記)之間的空間中。類似地，在其中在掩膜MA上提供了超過一個管芯的情況下，可以在各個管芯之間設置掩膜對準標記。所示的裝置可以按照下面摸式中的到少一種使用1.在步進模式中，掩模臺MT和基底臺WT基本保持不動，而賦予輻射光束的整個圖案被一次投影到靶部C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后沿X和/或Y方向移動基底臺WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的靶部C的尺寸。2.在掃描模式中，當賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C時，同步掃描掩模臺MT 和基底臺WT(即單次動態(tài)曝光)。基底臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向通過投影系統(tǒng) PL的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次動態(tài)曝光中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描移動的長度確定了靶部的高度(沿掃描方向)。3.在其他摸式中，當賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C上時，掩摸臺MT基本保持不動，支撐可編程構(gòu)圖部件，同時移動或掃描基底臺WT。在該模式中，一般采用脈沖輻射源，并且在每次移動基底臺WT之后，或者在掃描期間兩個相繼的輻射脈沖之間根據(jù)需要更新可編程構(gòu)圖部件。這種操作摸式可以容易地應用于采用可編程構(gòu)圖部件的無掩摸光刻中，所述可編程構(gòu)圖部件例如是上面提到的可編程反射鏡陣列型。還可以采用上述使用模式的組合和/或變化，或者采用完全不同的使用模式。圖4示出了另一種使用局部液體供給系統(tǒng)的浸沒光刻技術(shù)方案。通過位于投影系統(tǒng)PL的任何一側(cè)上兩個凹槽入口 IN提供液體，然后從入口 IN徑向向外布置的多個分立出口 OUT去除液體。入口 IN和OUT可以布置在一個板中，板的中心有一個孔，通過該孔可以投射投影光束。可以通過位于投影系統(tǒng)PL的一側(cè)上的一個凹槽入口 IN提供液體，然后從位于投影系統(tǒng)PL的另一側(cè)上的多個分立出口 OUT去除液體，從而在投影系統(tǒng)PL和基底W 之間形成液體薄膜的流動。所用入口 IN和出口 OUT的組合的選擇取決于基底W的移動方向(其它入口 IN和出口 OUT的組合是不起作用的)。已經(jīng)提出的另一種使用局部液體供給系統(tǒng)的濕浸式光刻技術(shù)方案是提供其有液體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng)，該液體限制結(jié)構(gòu)沿著投影系統(tǒng)的最后一個元件和基底臺之間的空間的至少一部分邊界延神。圖5示出了這種技術(shù)方案。液體限制結(jié)構(gòu)相對于投影系統(tǒng)在XY平面基本上是靜止的，但是在Z方向(光軸方向)可以有一些相對移動。從而在該液體限制結(jié)構(gòu)和基底的表面之間形成密封。在一個實施方案中，密封是非接觸式密封，例如氣封。在美國專利申請案No.US10/705，783中公開了使用氣封的這種系統(tǒng)，在此將其全文引入作為參考。參考圖5，容器10給基底在投影系統(tǒng)的成像區(qū)域周圍形成非接觸的密封，使得液體被限定成填充基底表面和投影系統(tǒng)的最后一個元件之間的空間。容器由定位在提影系統(tǒng) PL的最后一個元件的下方并圍繞其的液體限制結(jié)構(gòu)12形成。使液體流入投影系統(tǒng)下面的空間并進入到液體限制結(jié)構(gòu)12中。液體限制結(jié)構(gòu)12稍微延神到投影系統(tǒng)的最后一個元件上方一點，液面高度升高到該最后一個元件上方，從而提供了一個液體緩沖器。液體限制結(jié)構(gòu)12具有一內(nèi)圓周，其在上端部優(yōu)選非常接近投影系統(tǒng)或其最后一個元件的形狀，例如可以是圓形。在底部，該內(nèi)圓周非常符合成像區(qū)域的形狀，例如是矩形，當然也可以不必是這種形狀。液體由液體限制結(jié)構(gòu)12的底部和基底W的表面之間的密封16如氣封限定在容器中。該氣封可由氣體形成。所述氣體例如是空氣、人造氣體、N2或情性氣體，其可通過入口 15在壓力下提供到液體限制結(jié)構(gòu)12和基底之間的間隙，然后從第一出口 14抽出。如此布置作用在氣體入口 15上的過壓力、作用在第一出口 14上的真空水平以及間隙的幾何尺寸， 使得存在向內(nèi)限定液體的高速氣流。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，可以使用其它類型的密封來限制液體。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，提供致動的封閉板20。它水平地移動到投影系統(tǒng)下方的位置替換基底臺，該基底臺水平地遠離投影系統(tǒng)下方的位置移動。致動的封閉板20的頂面大體上與基底臺處于相同的高度，使得當基底臺遠離投形系統(tǒng)下方的位置移動時，可以進行連續(xù)的、沒有干擾的移動，同時保持使液體包含在液體限制結(jié)構(gòu)中的密封。部分用來移動基底臺的一個或多個長行程致動裝置可以用于水平地致動封閉板。如下文更加詳細描述的，當把與液體限制結(jié)構(gòu)12相關(guān)的力從基底臺轉(zhuǎn)移到封閉板上時，也可以采用作用于基底臺上的垂直負荷變化的有源補償。如此定位和/或成形致動的封閉板20。使得它在用干涉計光束測量的過程中不會擋住這些光束。提供致動的封閉板的一個或多個優(yōu)點包括更快的基底更換、在液體限制結(jié)構(gòu)中和其周圍的氣體、液體以及真空流大體上保持恒定的水平(這樣能夠減少處理時間和減小污染的可能性)、減小了對投影系統(tǒng)和/或基底臺的機械干擾、改進了在基底臺上的空間利用 (因為不以在基底臺上提供單獨的封閉板)以及消除了投影系統(tǒng)中的干燥點。附加地或者可替換地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的封閉板可以不必去除(然后替換)液體或者據(jù)基底垂直地移動到其它位置，從而可以把封閉板放置在其適當?shù)奈恢?。液體、氣體和真空流中的變化需要時間進行處理，并且垂直的移動可能導致對投影系統(tǒng)和基底臺的干擾。轉(zhuǎn)到圖 6至9，圖6a、7a、8a和9a示出了基底臺WT和致動的封閉板20相對投影系統(tǒng)PL的平面圖。 圖6b、7b、8b和9b出了基底臺WT和致動的封閉板20相對投影系統(tǒng)PL的側(cè)視圖。圖6a和6b示出了例如在基底W的曝光期間基底臺WT和致動的封閉板20的相對位置。該封閉板不會遮住投影系統(tǒng)PL，而基底W與投影系統(tǒng)PL排成直線。圖7a和7b示出了例如當基底W的曝光充分或幾乎充分時基底臺WT和致動的封閉板20的相對位置。據(jù)該致動的封閉板20移動到一個位置，使得其水平地與基底臺WT對準和垂直地與投影系統(tǒng)PL對準。圖和8b示出了例如當基底W的曝光充分時替換基底臺WT的致動的封閉板20。 該致動的封閉板20和基底臺WT沿同一方向移動，并處于相同的高度。圖9a和9b示出了處于投影系統(tǒng)PL下方位置處的致動的封閉板20，此時該封閉板20用作限制液體11的邊界的一個側(cè)面。此時基底W例如能夠與基底臺WT上的另一個基底W進行交換，而不會擾動液體11。該系統(tǒng)的一個優(yōu)點是在整個基底交換過程中都不會干擾液體限制結(jié)構(gòu)12、投影系統(tǒng)PL、基底W和/或致動的封閉板20。此外，基底臺WT和/或致動的封閉板20不案垂直地移動，從而減小了氣體被引入到液體供給系統(tǒng)中的危險。此外，基底臺WT可以包括主動補償器25，其配置成當由液體限制結(jié)構(gòu)施加的力從基底臺上去除時補償該作用力的變化。該補償器可以包括基底臺上的垂直運動傳感器和/ 或壓力傳感器以及配置成把補償信號發(fā)送給如基底臺定位裝置PW的控制系統(tǒng)，該基底臺定位裝置PW配置成響應于所述信號移動基底臺WT，從而補償作用力的變化。附加地或者可替換地，致動的封閉板20還可以包括主動補償器27，以便減小對液體限制結(jié)構(gòu)的干擾，例如當從封閉板上移除液體限制結(jié)構(gòu)時導致的干擾。該補償器可以包括致動的封閉板20上的垂直運動傳感器和/或壓力傳感器以及配置成把補償信號發(fā)送給如液體限制系統(tǒng)定位裝置四的控制系統(tǒng)，該液體限制系統(tǒng)定位裝置四配置成響應于所述信號移動液體限制結(jié)構(gòu)12，從而補償作用力的變化?；着_WT和致動的封閉板20能夠可釋放地耦合。這意味著當致動的封閉板20替換基底臺WT時它們可以連接在一起，反之亦然；但是當替換完成時它們可以彼此分開。致動的封閉板20和基底臺WT可以同樣由同一個系統(tǒng)25或27或者由單獨的系統(tǒng)25和27控制?？梢允褂萌绺綀D中所示的單獨的長行程致動裝置2 和22b;但是該單獨的致動裝置可以由同一控制系統(tǒng)25或27或者不同的控制系統(tǒng)25和27控制。在一個實施方案中，可以測量作用在致動的封閉板20上的力，例如通過致動的封閉板主動補償器27并向前饋送給基底臺WT的控制系統(tǒng)(例如有源補償器2 ，使得可以補償該作用在致動的封閉板20上的力，從而不會影響基底臺WT。通過這種方式致動的封閉板 20可以用作基底臺WT的力測量系統(tǒng)。盡管已經(jīng)就從基底臺移動基底并將另一個基底放置在基底臺上論述了一個或多個實施方案，也可以在其它應用中使用上述一個或多個實施方案。例如，基底可以保持在基底臺上，而封閉板僅用于封閉液體限制結(jié)構(gòu)。此外，盡管已經(jīng)就用作投影系統(tǒng)和基底之間的空間邊界的基底論述了一個或多個實施方案，但是基底臺也可以與基底分開或聯(lián)合構(gòu)成該空間邊界的一部分。例如，基底臺的一部分(例如對準標記)可以位于液體限制結(jié)構(gòu)下方， 并構(gòu)成空間邊界的一部分。因此，封閉板可以替換基底臺作為空間邊界對一部分，或者反之亦然。在歐洲專利申請案No. 03257072. 3中，公開了一種雙或二臺濕浸式光刻裝置的思想。這種裝置具有兩個支撐基底的臺。在沒有浸液的第一位置用一個臺進行高度測量，而在其中提供了浸液的第二位置使用一個臺進行曝光?；蛘?，該裝置僅有一個臺。盡管在本申請中可以具體參考使用該光刻裝置制造IC，但是應該理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應用，例如，它可用于制造集成光學系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，這里任何術(shù)語“晶片”或者“管芯”的使用應認為分別可以與更普通的術(shù)語“基底”或“靶部”同義。在曝光之前或之后，可以在例如軌跡器(通常將抗蝕劑層作用于基底并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)、計量工具和/或檢驗工具對這里提到的基底進行處理。在可應用的地方，這里的公開可應用于這種和其他基底處理工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對基底進行多次處理，因此這里所用的術(shù)語基底也可以指的是已經(jīng)包含多個已處理的層的基底。這里使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有大約365，248，193，157或者126nm的液長)。該申請使用的術(shù)語“透鏡”可以表示任何一個各種類型的光學部件或其組合，包括折射和反射光學部件。盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施方案，但是應該理解可以不同于所描述的實施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可以采取計算機程序的形式，該計算機程序包含一個或多個序列的描述了上面所公開的方法的機器可讀指令，或者包含其中存儲有這種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導體存儲器。磁盤或光盤)。本發(fā)明的一個或多個實施方案可以應用于任何濕浸式光刻裝置，特別地但不唯一的、可以應用于上面提到的那些類型的光刻裝置。這里設想的液體供給系統(tǒng)應該廣義地進行解釋。在一些實施方案中，它可以是一種將液體提供到投影系統(tǒng)和基底和/或基底臺之間的空間的機構(gòu)或其組合。它可以包括一個或多個結(jié)構(gòu)的組合、一個或多個液體入口、一個或多個氣體入口。一個或多個氣體出口和/或一個或多個把液體提供到空間的液體出口。 在一個實施方案中，空間的表面可以是基底和/或基底臺的一部分，或者空間的表面可以完全覆蓋基底和/或基底臺的表面，或者該空間可以遮住基底和/或基底臺。視需要地液體供給系統(tǒng)還包括一個或多個元件，以便控制液體的位置、數(shù)量、質(zhì)量、形狀、流速或任何其它特征。
上面的描述是為了說明，而不是限制。因此，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是在不脫離下面描述的權(quán)利要求書的范圍的條件下，可以對所描述的發(fā)明進行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種光刻投影裝置，包括配置成保持基底的基底臺；配置成把帶圖案的輻射光束投影到基底上的投影系統(tǒng)；液體限制結(jié)構(gòu)，所述液體限制結(jié)構(gòu)被配置成把液體限制在空間中，所述空間為投影系統(tǒng)與基底、基底臺或上述兩者之間的空間，基底、基底臺或上述兩者配置成形成所述空間的邊界的一部分；以及致動的封閉板，該封閉板配置成當基本上未擾動液體、液體限制結(jié)構(gòu)或上述兩者而移動時，替代基底、基底臺或上述兩者構(gòu)成所述空間的邊界的一部分，其中，所述封閉板被定位或成形以使得致動的封閉板的頂面大體上與基底臺處于相同的高度，使得當基底臺遠離投影系統(tǒng)下方的位置移動時，可以進行連續(xù)的、沒有干擾的移動，同時保持使液體包含在液體限制結(jié)構(gòu)中的密封，在用干涉計測量光束的過程中不擋住干涉計裝置的任何干涉計光束；其中，所述致動的封閉板和所述基底臺設置為當所述致動的封閉板水平地移動到投影系統(tǒng)下方的位置從而替換所述基底臺，所述基底臺被構(gòu)造并且設置為水平地遠離投影系統(tǒng)下方的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，包括致動裝置，所述致動裝置配置成在水平面移動所述封閉板。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述致動裝置配置成在與基底、基底臺或上述兩者相同的平面中移動所述封閉板，以便所述封閉板跟隨基底、基底臺或上述兩者越過所述液體限制結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述基底臺包括有源補償器，所述有源補償器被配置成補償由于用封閉板替換基底、基底臺或上述兩者作為空間邊界的一部分而沿與基底臺移動方向垂直的方向作用在基底臺上的負荷變化。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中基底臺和封閉板可釋放地耦合。
全文摘要
光刻裝置和器件制造方法，例如為了在不同基底的曝光之間方便地移動基底，使用致動的封閉板提供基底，基底臺或上述兩者作為限制液體的光刻裝置中的空間邊界的一部分，而不會例如破壞限制液體的密封。
文檔編號G03F7/20GK102323727SQ20111031413
公開日2012年1月18日 申請日期2005年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月18日
發(fā)明者C·A·胡根達姆, J·-G·C·范德托爾恩 申請人:Asml荷蘭有限公司