專利名稱：一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的冗余圖形填充方法，尤其是一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的冗余圖形填充方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的集成電路制造工藝中，為了提高化學(xué)機(jī)械研磨及刻蝕工藝的均一性，通常會(huì)在0. 25微米以下的工藝需要化學(xué)機(jī)械研磨或刻蝕的層中，加入冗余圖形。一種常用的冗余圖形式樣是矩形方塊的陣列，而這種圖形與某些光刻機(jī)的粗對準(zhǔn)標(biāo)記圖形有很高的相似度。當(dāng)光刻機(jī)的預(yù)對準(zhǔn)精度較差時(shí)，粗對準(zhǔn)標(biāo)記附近的冗余圖形很容易被認(rèn)作是粗對準(zhǔn)標(biāo)記或干擾到粗對準(zhǔn)標(biāo)記的信號，從而導(dǎo)致硅片光刻對準(zhǔn)失敗。如圖1所示，光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記1與周圍的冗余圖形2非常相似，致使光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記附近有很強(qiáng)的干擾信號如圖2所示，易造成對準(zhǔn)信號誤認(rèn)，進(jìn)而導(dǎo)致硅片光刻對準(zhǔn)失敗。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有的冗余圖形填充過程中存在的問題，本發(fā)明提供一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的冗余圖形填充方法。本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為
一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，于一包含光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的預(yù)定層中加入冗余圖形，且使靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的所述冗余圖形相互錯(cuò)開。上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述預(yù)定層為需要化學(xué)機(jī)械研磨的層或者需要刻蝕的層。上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述冗余圖形為矩形方塊陣列。上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的所述冗余圖形為距所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記距離小于10um-500um的冗余圖形。上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯(cuò)開水平距離為lnm-5000nm。上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯(cuò)開垂直距離為lnm-5000nm。上述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形與所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記水平距離小于等于lOOum，垂直距離小于等于lOOum，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯(cuò)開水平距離0. 2um，靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯(cuò)開垂直距離0. 2um。本發(fā)明的有益效果是
在硅片光刻粗對準(zhǔn)時(shí)，使冗余圖形的信號與光刻對準(zhǔn)標(biāo)記有明顯的區(qū)別，從而使其不能被光刻機(jī)誤認(rèn)為粗對準(zhǔn)標(biāo)記或干擾粗對準(zhǔn)標(biāo)記的信號，以降低光刻對準(zhǔn)的失效率。


圖1是本現(xiàn)有的冗余圖形填充方法填充完后光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記附近冗余圖形的樣式；
圖2是現(xiàn)有的冗余圖形填充方法填充完后光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的信號； 圖3是本發(fā)明一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法的冗余圖形填充方法填充完后光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記附近冗余圖形的樣式；
圖4是本發(fā)明一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法的冗余圖形填充方法填充完后光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的信號。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。如圖3所示本發(fā)明一種降低光刻對準(zhǔn)失效率地方法，包括于一包含光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的預(yù)定層中加入冗余圖形2，且使靠近光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的冗余圖形2彼此之間相互錯(cuò)開。其中預(yù)定層為需要化學(xué)機(jī)械研磨的層或者需要刻蝕的層，加入的冗余圖形2為矩形方塊陣列，靠近光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的冗余圖形2是指距光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記1距離小于10um-500um的冗余圖形2。進(jìn)一步的，靠近光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的冗余圖形2相互錯(cuò)開水平距離在 lnm-5000nm的范圍內(nèi)，垂直距離在lnm_5000nm的范圍內(nèi)。為了使硅片光刻粗對準(zhǔn)時(shí)，冗余圖形2的信號與光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記1有明顯的區(qū)別，在填充冗余圖形2時(shí)，將光刻機(jī)粗準(zhǔn)標(biāo)記2附近的矩形冗余圖形2錯(cuò)開放置，可以有效降低光刻機(jī)粗對準(zhǔn)的誤認(rèn)，從而降低光刻對準(zhǔn)失效率。在上述此基礎(chǔ)上，本發(fā)明可以通過以下較佳的方式實(shí)施
其中，靠近光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的冗余圖形2與光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記1水平距離小于等于lOOum，垂直距離小于等于lOOum，靠近光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記1的冗余圖形2彼此間相互錯(cuò)開水平距離0. 2um,垂直距離0. 2um。如圖4所示，以上述較佳的方式實(shí)施的冗余圖形2的填充方法使光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記1附近無其他干擾信號，降低了對準(zhǔn)信號誤認(rèn)的可能。以上所述僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的申請專利范圍，所以凡運(yùn)用本發(fā)明說明書及圖示內(nèi)容所作出的等效結(jié)構(gòu)變化、利用公知的與本發(fā)明中提到具等同作用的物質(zhì)進(jìn)行代替，利用公知的與本發(fā)明中提到的手段方法具等同作用的手段方法進(jìn)行替換，所得到的實(shí)施方式或者實(shí)施結(jié)果均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其特征在于，于一包含光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的預(yù)定層中加入冗余圖形，且使靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的所述冗余圖形相互錯(cuò)開。
2.如權(quán)利要求1所述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其特征在于，所述預(yù)定層為需要化學(xué)機(jī)械研磨的層或者需要刻蝕的層。
3.如權(quán)利要求1所述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其特征在于，所述冗余圖形為矩形方塊陣列。
4.如權(quán)利要求1所述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的所述冗余圖形為距所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記距離小于10um-500um的冗余圖形。
5.如權(quán)利要求1所述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯(cuò)開水平距離為lnm-5000nm。
6.如權(quán)利要求1所述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯(cuò)開垂直距離為lnm-5000nm。
7.如權(quán)利要求2所述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其特征在于，所述冗余圖形為矩形方塊陣列。
8.如權(quán)利要求7所述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的所述冗余圖形為距所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記距離小于10um-500um的冗余圖形。
9.如權(quán)利要求8所述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯(cuò)開水平距離為lnm-5000nm。
10.如權(quán)利要求9所述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯(cuò)開垂直距離為lnm-5000nm。
11.如權(quán)利要求1-10所述一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其特征在于，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形與所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記水平距離小于等于lOOum， 垂直距離小于等于lOOum，所述靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯(cuò)開水平距離 0. 2um，靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的冗余圖形相互錯(cuò)開垂直距離0. 2um。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種降低光刻對準(zhǔn)失效率的方法，其中，于一包含光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的多層復(fù)合結(jié)構(gòu)的預(yù)定層中加入冗余圖形，且使靠近所述光刻機(jī)粗對準(zhǔn)標(biāo)記的所述冗余圖形相互錯(cuò)開。本發(fā)明的有益效果是在硅片光刻粗對準(zhǔn)時(shí)，使冗余圖形的信號與光刻對準(zhǔn)標(biāo)記有明顯的區(qū)別，從而使其不能被光刻機(jī)誤認(rèn)為粗對準(zhǔn)標(biāo)記或干擾粗對準(zhǔn)標(biāo)記的信號，以降低光刻對準(zhǔn)的失效率。
文檔編號G03F9/00GK102445864SQ201110322329
公開日2012年5月9日 申請日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月21日
發(fā)明者闞歡, 魏芳 申請人:上海華力微電子有限公司