專利名稱：完成小線距的導(dǎo)線制作方法
完成小線距的導(dǎo)線制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種光刻方法，特別是有關(guān)于一種完成小線距的導(dǎo)線制作方法。背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，在液晶面板的金屬線路制作過(guò)程中，會(huì)于玻璃基板上透過(guò)濺鍍形成一金屬層，再涂布光阻于所述金屬層上，光阻經(jīng)過(guò)曝光顯影工藝后形成圖案化的光阻層，再透過(guò)蝕刻工藝移除未被光阻層覆蓋的金屬層部分，最后移除圖案化的光阻層后即可形成所需的金屬線路。利用光刻技術(shù)可以對(duì)光阻曝光出不同線路圖案，但當(dāng)線路圖案的線與線之間的線距(line-to-line space)較小時(shí)，光阻會(huì)因?yàn)楣馔高^(guò)率較低的關(guān)系而沒(méi)有獲得足夠曝光。 經(jīng)過(guò)顯影工藝之后，如圖1所示，原本應(yīng)被去除的特定光阻部份仍有殘留，而導(dǎo)致光阻層 900的區(qū)塊仍連接在一起，使得底下金屬層910在光刻后無(wú)法形成所需線路圖案。因此，線路圖案的有效線距往往受限于曝光機(jī)的曝光精度。然而，在特定的液晶顯示裝置的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，線路圖案有時(shí)需要采用較小的線距， 以提高產(chǎn)品的性能，例如，液晶的光穿透率。目前，液晶面板所采用的8. 5代曝光機(jī)的最小曝光精度都受限于曝光機(jī)解析力(約3微米左右)，而無(wú)法制造線距小于曝光機(jī)解析力的產(chǎn)
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ΡΠ O故，有必要提供一種完成小線距的導(dǎo)線制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的主要目的在于提供一種完成小線距的導(dǎo)線制作方法，其在光罩曝光及顯影工藝之后增加光阻的灰化步驟，以去除受限于曝光精度而未能在顯影工藝中被完整去除的光阻。為達(dá)成本發(fā)明的前述目的，本發(fā)明提供一種完成小線距的導(dǎo)線制作方法，導(dǎo)線制作方法包含下列步驟Sl 提供一導(dǎo)體層；S2 涂布一光阻層于所述導(dǎo)體層上；S3 對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光顯影處理；S4 對(duì)所述光阻層進(jìn)行灰化處理，以去除對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域的殘留光阻而圖案化所述光阻層；以及S5 對(duì)所述導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻處理并去除所述圖案化光阻層，以形成導(dǎo)線。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，步驟S3進(jìn)一步包含下列步驟通過(guò)光罩對(duì)所述光阻層進(jìn)行局部曝光；以及對(duì)所述光阻層進(jìn)行顯影處理，以初步去除所述光阻層對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域的部份。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述光罩具有寬度小于曝光機(jī)解析力的隙縫。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述導(dǎo)體層為銦錫氧化層或是金屬層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述灰化處理是利用加熱或激光照射的方式使光阻層碳化揮發(fā)以去除所述殘留光阻。本發(fā)明主要是在光罩曝光及顯影工藝之后增加對(duì)光阻的灰化處理，以去除受限于曝光精度而未能在顯影工藝中被完整去除的光阻，以在有限曝光精度的曝光顯影設(shè)備下， 于基板上制作出線距更小的導(dǎo)線。

圖1是現(xiàn)有液晶面板的金屬線路制作過(guò)程中因曝光精度有限而導(dǎo)致顯影后光阻殘留的示意圖。圖2A 2E是本發(fā)明完成小線距的導(dǎo)線制作方法一較佳實(shí)施例的制造示意圖。圖3是本發(fā)明完成小線距的導(dǎo)線制作方法一較佳實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。再者，本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、 「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。請(qǐng)參考圖3并同時(shí)配合圖2A 2E所示，其中圖3是本發(fā)明完成小線距的導(dǎo)線制作方法一較佳實(shí)施例的流程圖，圖2A 2E是本發(fā)明完成小線距的導(dǎo)線制作方法一較佳實(shí)施例的流程示意圖，本發(fā)明的完成小線距的導(dǎo)線制作方法包含有下列步驟Sl 提供一導(dǎo)體層100 ；(如圖2A所示)S2 涂布一光阻層110于所述導(dǎo)體層100上；S3 對(duì)所述光阻層110進(jìn)行曝光顯影處理，其中如圖2A所示，所述步驟可通過(guò)一圖案化的光罩2對(duì)所述光阻層110進(jìn)行局部曝光；接著對(duì)所述光阻層110進(jìn)行顯影處理，以初步去除所述光阻層110對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域的部份；如圖2B所示，當(dāng)圖2A的光罩2供光線穿過(guò)的細(xì)縫的寬度d小于曝光機(jī)解析力(例如3微米)時(shí)，顯影后的光阻層110’對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域的位置將仍有光阻殘留；S4 對(duì)所述光阻層110’進(jìn)行灰化處理，以去除對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域的殘留光阻而圖案化所述光阻層；如圖2C所示，經(jīng)過(guò)灰化處理，對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域的殘留光阻已被移除而形成預(yù)定所需的圖案化光阻層110”;本步驟所述的灰化處理是利用加熱或激光照射的方式使光阻層碳化揮發(fā)來(lái)達(dá)到去除所述殘留光阻的目的；S5 對(duì)所述導(dǎo)體層100進(jìn)行蝕刻處理并去除所述圖案化光阻層110”，以形成導(dǎo)線。 如圖2D所示，通過(guò)蝕刻處理以除去暴露的導(dǎo)體層100部份，而對(duì)應(yīng)圖案化所述導(dǎo)體層100 ； 最后，如圖2E所示，去除掉所述圖案化光阻層110”，即形成所需的導(dǎo)線圖案100’。步驟S3所使用的光罩2優(yōu)選是具有寬度小于曝光機(jī)解析力的隙縫。再者，所述導(dǎo)體層100優(yōu)選為銦錫氧化層或是金屬層，但不在此限。由上述說(shuō)明可知，相較于現(xiàn)有導(dǎo)線制作方法受限于曝光精度而無(wú)法制作更小線距的布線圖案，本發(fā)明的導(dǎo)線制作方法在曝光顯影步驟之后進(jìn)一步通過(guò)灰化處理來(lái)移除受限于曝光精度而未能在顯影工藝中被完整去除的光阻，以進(jìn)一步于基板上制作出線距更小的導(dǎo)線。因此，本發(fā)明完成小線距導(dǎo)線制作方法在曝光設(shè)備的精度有限的情況下，仍能制作符合微小線距需求的導(dǎo)線圖案。 本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。 必需指出的是，已公開(kāi)的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書(shū)的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種完成小線距的導(dǎo)線制作方法，其特征在于所述導(dǎo)線制作方法包含下列步驟51提供一導(dǎo)體層；52涂布一光阻層于所述導(dǎo)體層上；53對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光顯影處理；54對(duì)所述光阻層進(jìn)行灰化處理，以去除對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域的殘留光阻而圖案化所述光阻層；以及55對(duì)所述導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻處理并去除所述圖案化光阻層，以形成導(dǎo)線。
2.如權(quán)利要求1所述的完成小線距的導(dǎo)線制作方法，其特征在于 步驟S3進(jìn)一步包含下列步驟通過(guò)光罩對(duì)所述光阻層進(jìn)行局部曝光；以及對(duì)所述光阻層進(jìn)行顯影處理，以初步去除所述光阻層對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域的部份。
3.如權(quán)利要求1所述的完成小線距的導(dǎo)線制作方法，其特征在于 所述光罩具有寬度小于曝光機(jī)解析力的隙縫。
4.如權(quán)利要求1所述的完成小線距的導(dǎo)線制作方法，其特征在于 所述導(dǎo)體層為銦錫氧化層或是金屬層。
5.如權(quán)利要求1所述的完成小線距的導(dǎo)線制作方法，其特征在于所述灰化處理是利用加熱或激光照射的方式使光阻層碳化揮發(fā)以去除所述殘留光阻。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種完成小線距導(dǎo)線制作方法。所述導(dǎo)線制作方法是先于導(dǎo)體層上涂布光阻，經(jīng)過(guò)曝光顯影后，進(jìn)一步通過(guò)灰化處理來(lái)完全移除光阻對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域的部份，再進(jìn)行導(dǎo)體層的蝕刻步驟，以形成所需導(dǎo)線。本發(fā)明所提供的方法可在有限曝光精度的曝光顯影設(shè)備下，于基板上制作出符合微小線距需求的導(dǎo)線圖案。
文檔編號(hào)G03F7/42GK102402138SQ201110369499
公開(kāi)日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月18日
發(fā)明者薛景峰, 許哲豪 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司