TFT-LCD陣列基板及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)具有低電壓、微功耗、顯示信息量大、易于彩色化等優(yōu)點，在當(dāng)前的顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。其已被廣泛應(yīng)用于電子計算機、電子記事本、移動電話、攝像機、高清電視機等電子設(shè)備中。薄膜晶體管液晶顯示器包括對盒而成的陣列基板和彩膜基板，以及充滿在陣列基板和彩膜基板之間的間隙內(nèi)的液晶層。所述薄膜晶體管液晶顯示器顯示圖像的基本原理是：通過在所述陣列基板和彩膜基板上施加作用于液晶層上的電場，控制所述液晶層分子的取向，從而控制穿透過液晶層分子的照射光線的多少，即達到調(diào)制通過液晶層的光強的目的。在半導(dǎo)體器件中，靜電放電(ElectroStaticDischarge，ESD)是一種常見的現(xiàn)象，靜電放電會導(dǎo)致絕緣介質(zhì)的擊穿，從而引起各種損傷。而薄膜晶體管液晶顯示器由于其陣列基板及彩膜基板均是絕緣的玻璃，從而在制造過程中產(chǎn)生的靜電電荷極易聚集在玻璃的陣列基板及彩膜基板上，并且，靜電電荷能夠施加到各膜層上，從而產(chǎn)生嚴(yán)重的靜電放電損害，造成薄膜晶體管的失效；傳輸線的短路、斷路等問題，影響產(chǎn)品的生產(chǎn)良率?，F(xiàn)有的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板上交叉設(shè)置有數(shù)據(jù)線及修復(fù)線，其中所述數(shù)據(jù)線向薄膜晶體管提供預(yù)設(shè)的電壓數(shù)據(jù)，用以控制薄膜晶體管液晶顯示器各像素的液晶偏轉(zhuǎn)程度等；而所述修復(fù)線在陣列基板出現(xiàn)斷線等情況時，用以修復(fù)斷線，提高陣列基板產(chǎn)品的良率。所述修復(fù)線與陣列基板上的柵極線同一層形成，其與數(shù)據(jù)線之間通過柵絕緣層隔離。修復(fù)線上易于聚集大量靜電電荷，由于靜電放電現(xiàn)象的存在，所述數(shù)據(jù)線與修復(fù)線的交叉位置極易發(fā)生擊穿，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)線和修復(fù)線短路，降低了薄膜晶體管液晶顯示器的可靠性及良率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，以解決現(xiàn)有的TFT-LCD陣列基板中修復(fù)線上易于聚集大量靜電電荷，數(shù)據(jù)線與修復(fù)線的交叉位置極易由于靜電放電現(xiàn)象而發(fā)生擊穿，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線和修復(fù)線短路，降低了薄膜晶體管液晶顯示器的可靠性及良率的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種TFT-LCD陣列基板，包括：梳形修復(fù)線及梳形公共電極線；所述梳形修復(fù)線的梳齒與所述梳形公共電極線的梳齒相對設(shè)置，且末端均成尖銳狀；其中，所述梳形修復(fù)線與所述梳形公共電極線位于第一金屬層?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，還包括：非晶硅片，所述非晶硅片分別與所述梳形修復(fù)線的梳齒及所述梳形公共電極線的梳齒部分重疊?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，所述非晶硅片位于所述第一金屬層之上的非晶硅層?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，所述第一金屬層及所述非晶硅層之間形成有柵絕緣層，所述柵絕緣層上設(shè)置有開口，所述開口露出所述梳形修復(fù)線的梳齒及所述梳形公共電極線的梳齒，通過所述開口，所述非晶硅片分別與所述梳形修復(fù)線的梳齒及所述梳形公共電極線的梳齒部分重疊?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，所述梳形修復(fù)線的梳齒與所述梳形公共電極線的梳齒末端間的距離為3微米～5微米。可選的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，所述梳形修復(fù)線的梳齒與所述梳形公共電極線的梳齒的數(shù)量為多個?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，還包括：柵極線，所述柵極線與所述梳形修復(fù)線及梳形公共電極線平行設(shè)置，且所述柵極線位于第一金屬層；數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述梳形修復(fù)線及梳形公共電極線交叉設(shè)置，且所述數(shù)據(jù)線位于第二金屬層?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，所述梳形修復(fù)線的梳齒與所述梳形公共電極線的梳齒正對所述數(shù)據(jù)線。本發(fā)明還提供一種TFT-LCD陣列基板的制造方法，包括：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上形成第一金屬層，通過所述第一金屬層形成梳形修復(fù)線及梳形公共電極線，所述梳形修復(fù)線的梳齒與所述梳形公共電極線的梳齒相對設(shè)置，且末端均成尖銳狀?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法中，還包括：在所述第一金屬層之上形成非晶硅層，通過所述非晶硅層形成非晶硅片，所述非晶硅片與所述梳形修復(fù)線的梳齒及所述梳形公共電極線的梳齒連接?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法中，在所述第一金屬層之上形成非晶硅層之前，還包括：在所述第一金屬層上形成柵絕緣層，所述柵絕緣層上形成開口，所述開口露出所述梳形修復(fù)線的梳齒及所述梳形公共電極線的梳齒?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法中，還包括：在所述非晶硅層上形成第二金屬層，通過所述第二金屬層形成數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述梳形修復(fù)線及梳形公共電極線交叉設(shè)置。在本發(fā)明提供的一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法中，通過梳形修復(fù)線的梳齒與梳形公共電極線的梳齒相對設(shè)置，且末端均成尖銳狀，利用尖端放電效應(yīng)，消除修復(fù)線上的靜電電荷，即避免了修復(fù)線上由于靜電電荷聚集過多，擊穿與數(shù)據(jù)線隔離的柵絕緣層，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線和修復(fù)線短路的問題，提高了薄膜晶體管液晶顯示器的可靠性及良率。特別的，將聚集在修復(fù)線上的靜電電荷導(dǎo)入到公共電極線上，利用公共電極線與固定電位連接，有效消除聚集的靜電電荷。進一步的，還包括：非晶硅片，所述非晶硅片與所述梳形修復(fù)線的梳齒及所述梳形公共電極線的梳齒連接。通過所述非晶硅片的雪崩放電效應(yīng)，提高修復(fù)線上的靜電電荷釋放的數(shù)量與速度。進一步提高薄膜晶體管液晶顯示器的可靠性及良率。附圖說明圖1是本發(fā)明實施例一的TFT-LCD陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1所示的TFT-LCD陣列基板沿AA’的剖面示意圖；圖3是本發(fā)明實施例二的TFT-LCD陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3所述的TFT-LCD陣列基板沿BB’的剖面示意圖。具體實施方式以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提供的TFT-LCD陣列基板及其制造方法作進一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，通過梳形修復(fù)線的梳齒與梳形公共電極線的梳齒相對設(shè)置，且末端均成尖銳狀，利用尖端放電效應(yīng)，消除修復(fù)線上的靜電電荷，即避免了修復(fù)線上由于靜電電荷聚集過多，擊穿與數(shù)據(jù)線隔離的柵絕緣層，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線和修復(fù)線短路的問題，提高了薄膜晶體管液晶顯示器的可靠性及良率。特別的，將聚集在修復(fù)線上的靜電電荷導(dǎo)入到公共電極線上，利用公共電極線與固定電位連接，有效消除聚集的靜電電荷。實施利一請參考圖1和圖2，其中，圖1為本發(fā)明實施例一的TFT-LCD陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1所示的TFT-LCD陣列基板沿AA’的剖面示意圖。如圖1所示，TFT-LCD陣列基板1包括：梳形修復(fù)線11及梳形公共電極線12；所述梳形修復(fù)線11的梳齒112與所述梳形公共電極線12的梳齒122相對設(shè)置，且末端均成尖銳狀；其中，所述梳形修復(fù)線11與所述梳形公共電極線12位于第一金屬層。具體的，所述梳形修復(fù)線11包括梳體111及梳齒112，所述梳體111與梳齒112一體連接；所述梳形公共電極線12包括梳體121及梳齒122，所述梳體121與梳齒122一體連接。為了描述的方便及使得梳形修復(fù)線的梳體、梳齒與梳形公共電極線的梳體、梳齒相區(qū)別，在下文的描述中，將梳形修復(fù)線11的梳體111及梳齒112稱為修復(fù)線梳體111及修復(fù)線梳齒112；將梳形公共電極線12的梳體121及梳齒122稱為公共線梳體121及公共線梳齒122。通過修復(fù)線梳齒112與公共線梳齒122相對設(shè)置，且修復(fù)線梳齒112末端112a及公共線梳齒122末端122a均成尖銳狀，利用尖端放電效應(yīng)，消除修復(fù)線上的靜電電荷，即避免了修復(fù)線上由于靜電電荷聚集過多，擊穿與數(shù)據(jù)線隔離的柵絕緣層，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線和修復(fù)線短路的問題，提高了薄膜晶體管液晶顯示器的可靠性及良率。特別的，將聚集在修復(fù)線上的靜電電荷導(dǎo)入到公共電極線上，利用公共電極線與固定電位連接，有效消除聚集的靜電電荷。在本實施例中，所述TFT-LCD陣列基板1還包括：數(shù)據(jù)線13，所述數(shù)據(jù)線13與所述梳形修復(fù)線11及梳形公共電極線12交叉設(shè)置，且所述數(shù)據(jù)線13位于第二金屬層；柵極線(圖1中未示出)，所述柵極線與所述梳形修復(fù)線11及梳形公共電極線12平行設(shè)置，且所述柵極線位于第一金屬層。此外，在所述柵極線、梳形修復(fù)線11、梳形公共電極線12與所述數(shù)據(jù)線13之間還設(shè)置有柵絕緣層，用以將所述柵極線、梳形修復(fù)線11、梳形公共電極線12與所述數(shù)據(jù)線13隔離。優(yōu)選的，所述修復(fù)線梳齒112末端112a與公共線梳齒122末端122a間的距離為3微米～5微米，從而有效利用尖端放電效應(yīng)，提高修復(fù)線上的靜電電荷釋放的數(shù)量與速度。進一步提高薄膜晶體管液晶顯示器的可靠性及良率。在本實施例中，所述修復(fù)線梳齒112及公共線梳齒122的數(shù)量為多個。進一步的，所述修復(fù)線梳齒112及公共線梳齒122正對所述數(shù)據(jù)線13，在此指所述修復(fù)線梳齒112及公共線梳齒122在玻璃基板上的投影與所述數(shù)據(jù)線13在玻璃基板上的投影重疊或部分重疊。通過多個修復(fù)線梳齒112及公共線梳齒122間的放電效應(yīng)，可提高修復(fù)線上的靜電電荷釋放的數(shù)量與速度。同時，將所述修復(fù)線梳齒112及公共線梳齒122設(shè)置于正對所述數(shù)據(jù)線13的位置，可進一步提高梳形修復(fù)線11與數(shù)據(jù)線13交叉處的修復(fù)線上的靜電電荷的釋放數(shù)量與速度，從而進一步提高薄膜晶體管液晶顯示器的可靠性及良率。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種上述TFT-LCD陣列基板的制造方法，在此，可參考圖1及圖2。所述TFT-LCD陣列基板的制造方法包括：提供一玻璃基板10；在所述玻璃基板10上形成第一金屬層(圖中未示出)，通過所述第一金屬層形成梳形修復(fù)線11及梳形公共電極線12，所述梳形修復(fù)線11的梳齒112與所述梳形公共電極線12的梳齒122相對設(shè)置，且末端112a、122a均成尖銳狀。在此，通過所述第一金屬層形成梳形修復(fù)線11及梳形公共電極線12包括：在所述第一金屬層上形成光阻層；對所述光阻層進行曝光及顯影工藝，形成圖案化光阻層；刻蝕第一金屬層，去除圖案化光阻層未遮蓋的部分第一金屬層，形成梳形修復(fù)線11及梳形公共電極線12。當(dāng)然，利用該第一金屬層還可同時形成柵極線及與所述柵極線連接的柵極，所述柵極線與所述梳形修復(fù)線11及梳形公共電極線12平行設(shè)置。即所述梳形修復(fù)線11及梳形公共電極線12的形成，利用了現(xiàn)有的TFT-LCD陣列基板的制程，從而在實現(xiàn)消除修復(fù)線上的靜電電荷的同時，也可簡化制造工藝，降低制造成本。接著，可在所述第一金屬層上形成柵絕緣層，用以將柵極線、梳形修復(fù)線、梳形公共電極線與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線隔離；在所述柵絕緣層上形成非晶硅層，用以形成薄膜晶體管的功能結(jié)構(gòu)PN結(jié)；在所述柵絕緣層上形成第二金屬層，用以形成數(shù)據(jù)線及與所述數(shù)據(jù)線連接的源極、漏極。實施例二請參考圖3和圖4，其中，圖3為本發(fā)明實施例二的TFT-LCD陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3所示的TFT-LCD陣列基板沿BB’的剖面示意圖。如圖3所示，TFT-LCD陣列基板2包括：梳形修復(fù)線21及梳形公共電極線22；所述梳形修復(fù)線21的梳齒212與所述梳形公共電極線22的梳齒222相對設(shè)置，且末端均成尖銳狀；其中，所述梳形修復(fù)線21與所述梳形公共電極線22位于第一金屬層；非晶硅片24，所述非晶硅片24與所述梳形修復(fù)線21的梳齒212及所述梳形公共電極線22的梳齒222部分重疊。本實施例與實施例一的差別在于，還包括：非晶硅片24，所述非晶硅片24與所述梳形修復(fù)線21的梳齒212及所述梳形公共電極線22的梳齒222部分重疊。通過所述非晶硅片24的雪崩放電效應(yīng)，提高修復(fù)線上的靜電電荷釋放的數(shù)量與速度。進一步提高薄膜晶體管液晶顯示器的可靠性及良率。在本實施例中，所述非晶硅片24位于所述第一金屬層之上的非晶硅層。此處，用語“之上”指代，相鄰的上層或者非相鄰的上層。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種上述TFT-LCD陣列基板的制造方法，在此，可參考圖3及圖4。所述TFT-LCD陣列基板的制造方法包括：提供一玻璃基板20；在所述玻璃基板20上形成第一金屬層(圖中未示出)，通過所述第一金屬層形成梳形修復(fù)線21及梳形公共電極線22，所述梳形修復(fù)線21的梳齒212與所述梳形公共電極線22的梳齒222相對設(shè)置，且末端212a、222a均成尖銳狀；在所述第一金屬層之上形成非晶硅層(圖中未示出)，通過所述非晶硅層形成非晶硅片24，所述非晶硅片24與所述梳形修復(fù)線21的梳齒212及所述梳形公共電極線22的梳齒222連接。在本實施例中，所述非晶硅片24的制程利用現(xiàn)有的TFT-LCD陣列基板的制程。特別的，利用在柵絕緣層上形成非晶硅層，用以形成薄膜晶體管的功能結(jié)構(gòu)PN結(jié)這一現(xiàn)有的TFT-LCD陣列基板制程，光刻及刻蝕該非晶硅層形成非晶硅片24，從而可簡化制造工藝，降低制造成本。請參考圖4，其中，為了使得所述非晶硅片24與修復(fù)線梳齒212及公共線梳齒222連接，需在柵絕緣層25上形成柵絕緣層開口25a，所述開口25a露出部分或者全部的所述修復(fù)線梳齒212及公共線梳齒222，通過該柵絕緣層開口25a，所述非晶硅片24便可與修復(fù)線梳齒212及公共線梳齒222連接。在本發(fā)明的其他實施例中，也可不利用現(xiàn)有的TFT-LCD陣列基板制程中的該非晶硅層，例如，在緊鄰所述第一金屬層的上一層或者下一層單獨形成一非晶硅層，以形成非晶硅片24。上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護范圍。