專利名稱：Tft-lcd陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種TFT-1XD陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
TFT-1XD(薄膜晶體管液晶顯示器)具有低電壓、微功耗、顯示信息量大、易于彩色化等優(yōu)點(diǎn)，在當(dāng)前的顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。其已被廣泛應(yīng)用于電子計(jì)算機(jī)、電子記事本、移動(dòng)電話、攝像機(jī)、高清電視機(jī)等電子設(shè)備中。TFT-1XD最基本的構(gòu)件之一是顯示屏，所述顯示屏包括對(duì)盒而成的陣列基板和彩膜基板，以及充滿在陣列基板和彩膜基板之間的間隙內(nèi)的液晶層。所述顯示屏顯示圖像的基本原理是:通過(guò)在所述陣列基板和彩膜基板上施加作用于液晶層上的電場(chǎng)，控制所述液晶層分子的取向，從而控制穿透過(guò)液晶層分子的照射光線的多少，即達(dá)到調(diào)制通過(guò)液晶層的光強(qiáng)的目的?，F(xiàn)有技術(shù)中，彩膜基板上的結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，通常僅包括:基板；設(shè)置于所述基板上的黑矩陣及彩色濾光片；覆蓋所述黑矩陣及彩色濾光片的公共電極，而將更多復(fù)雜的控制電路等設(shè)置于陣列基板上。請(qǐng)參考圖1，其為現(xiàn)有的TFT-LCD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一。如圖1所示，陣列基板I包括:襯底基板10 ;以及設(shè)置于所述襯底基板10上的子像素電極CA、數(shù)據(jù)線SA、柵極線GA和公共電極線VA ;所述數(shù)據(jù)線SA與柵極線GA交叉設(shè)置，相鄰兩根數(shù)據(jù)線SA與相鄰兩根柵極線GA相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有一個(gè)子像素電極CA ;所述公共電極線VA經(jīng)過(guò)所述子像素電極CA與柵極線GA的交界處，且與所述柵極線GA平行設(shè)置。在此，當(dāng)需要形成m列像素電極時(shí)，便需要m根數(shù)據(jù)線，相應(yīng)的，也需要提供m根數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)的源極驅(qū)動(dòng)電路。源極驅(qū)動(dòng)電路的成本相對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的成本更加高昂，為此，現(xiàn)有技術(shù)中又提出了一種雙柵極線TFT-LCD陣列基板。請(qǐng)參考圖2，其為現(xiàn)有的TFT-1XD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二。如圖2所示，陣列基板2包括:襯底基板20 ;以及設(shè)置于所述襯底基板20上的子像素電極CA、數(shù)據(jù)線SA、柵極線組GAS和公共電極線VA ;所述數(shù)據(jù)線SA兩側(cè)均耦接有子像素電極CA，所述柵極線組GAS由兩根柵極線GA構(gòu)成；所述數(shù)據(jù)線SA與柵極線GA交叉設(shè)置，任一柵極線組GAS與相鄰兩根數(shù)據(jù)線SA相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)子像素電極CA，該兩個(gè)子像素電極CA分別與不同的數(shù)據(jù)線SA及不同的柵極線GA耦接，且該兩個(gè)子像素電極CA呈一行排列；公共電極線VA經(jīng)過(guò)同一區(qū)域內(nèi)兩個(gè)子像素電極CA的交界處，且所述公共電極線VA整體走向與所述柵極線組GAS平行。上述陣列基板2可有效減少數(shù)據(jù)線SA的使用量，通常，當(dāng)需要形成m列像素電極時(shí)，僅需要m/2根數(shù)據(jù)線，相應(yīng)的，也僅需要提供m/2根數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)的源極驅(qū)動(dòng)電路即可，從而有效降低了成本。但是，在該陣列基板2中，由于同一區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極CA呈一行排列，而所述公共電極線VA整體走向與所述柵極線組GAS平行，從而經(jīng)過(guò)同一區(qū)域內(nèi)兩個(gè)子像素電極CA交界處的部分公共電極線VA與所述公共電極線VA整體走向垂直，這極大的不利于公共電壓的傳導(dǎo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種TFT-1XD陣列基板及其制造方法，以解決現(xiàn)有的雙柵極線TFT-LCD陣列基板中不利于公共電壓的傳導(dǎo)的問(wèn)題。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種TFT-1XD陣列基板，包括:襯底基板，以及設(shè)置于所述襯底基板上的子像素電極、數(shù)據(jù)線、柵極線組和公共電極線，其中，所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構(gòu)成；所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設(shè)置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)子像素電極，其中，一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一列排列；所述公共電極線經(jīng)過(guò)同一區(qū)域內(nèi)兩個(gè)子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，同一柵極線組與多根數(shù)據(jù)線相交而成的多個(gè)區(qū)域中，連續(xù)相鄰的三個(gè)區(qū)域?yàn)橐唤M，其中，中間區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的子像素電極分別呈一列排列?？蛇x的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，組成同一組的三個(gè)區(qū)域中，其中，中間區(qū)域中:居于左側(cè)的子像素電極用以顯示藍(lán)色，居于右側(cè)的子像素電極用以顯示紅色；中間區(qū)域左側(cè)的區(qū)域中:居于上側(cè)的子像素電極用以顯示紅色，居于下側(cè)的子像素電極用以顯示綠色；中間區(qū)域右側(cè)的區(qū)域中:居于上側(cè)的子像素電極用以顯示綠色，居于下側(cè)的子像素電極用以顯示藍(lán)色?？蛇x的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，同一區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極分別與不同的數(shù)據(jù)線及不同的柵極線耦接?？蛇x的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，所述公共電極線還經(jīng)過(guò)所述子像素電極和數(shù)據(jù)線的部分交界處，及所述子像素電極和柵極線的部分交界處?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，所述柵極線組和公共電極線位于襯底基板上的第一金屬層；所述數(shù)據(jù)線位于第一金屬層之上的第二金屬層；所述像素電極位于第二金屬層之上的透明導(dǎo)電層?？蛇x的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，還包括設(shè)置于襯底基板上的公共電極總線，所述公共電極總線與所述數(shù)據(jù)線平行，且與所述數(shù)據(jù)線位于同一金屬層。可選的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉處設(shè)置有薄膜晶體管，所述子像素電極通過(guò)所述薄膜晶體管與所述柵極線及數(shù)據(jù)線耦接。本發(fā)明還提供一種上述TFT-1XD陣列基板的制造方法，包括:提供襯底基板；在所述襯底基板上形成第一金屬層，通過(guò)所述第一金屬層形成柵極線組及公共電極線；在所述第一金屬層之上形成第二金屬層，通過(guò)所述第二金屬層形成數(shù)據(jù)線；在所述第二金屬層之上形成透明導(dǎo)電層，通過(guò)所述透明導(dǎo)電層形成子像素電極；
其中，所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構(gòu)成；所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設(shè)置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)子像素電極，其中，一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一列排列；所述公共電極線經(jīng)過(guò)同一區(qū)域內(nèi)兩個(gè)子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行。在本發(fā)明提供的TFT-1XD陣列基板及其制造方法中，通過(guò)部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一列排列，且公共電極線整體走向與柵極線組平行，從而使得經(jīng)過(guò)這些區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極交界處的部分公共電極線與公共電極線整體走向相同，即均為平行于柵極線組的方向，從而提高公共電壓的傳導(dǎo)。


圖1是現(xiàn)有的TFT-1XD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；圖2是現(xiàn)有的TFT-1XD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；圖3是本發(fā)明實(shí)施例的TFT-1XD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的TFT-LCD陣列基板及其制造方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。請(qǐng)參考圖3，其為本發(fā)明實(shí)施例的TFT-LCD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，陣列基板3包括:襯底基板30，以及設(shè)置于所述襯底基板30上的子像素電極(Cll、C22、C12、C23、C13、C24、C31、C42、C32、C43、C33、C44)、數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)、柵極線組(G12、G34)和公共電極線(V1、V2)，其中，所述數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)兩側(cè)均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構(gòu)成；所述數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)與柵極線組(G12、G34)交叉設(shè)置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)子像素電極，其中，一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一列排列；所述公共電極線(V1、V2)經(jīng)過(guò)同一區(qū)域內(nèi)兩個(gè)子像素電極的交界處，且所述公共電極線(V1、V2)整體走向與所述柵極線組(G12、G34)平行。具體的，所述數(shù)據(jù)線S2兩側(cè)耦接有子像素電極(C22、C12、C42、C32);所述數(shù)據(jù)線S3兩側(cè)耦接有子像素電極(C23、C13、C43、C33)，由于圖3只是一結(jié)構(gòu)示意圖，并未呈現(xiàn)完整的陣列基板，在此，數(shù)據(jù)線S1、S4并未體現(xiàn)出兩側(cè)均耦接有子像素電極，但須知，完整的陣列基板上，數(shù)據(jù)線兩側(cè)將均耦接有子像素電極。在本實(shí)施例中，示意圖性地呈現(xiàn)了兩組柵極線組(G12、G34)，其中，柵極線組G12由柵極線G1、G2構(gòu)成；柵極線組G34由柵極線G3、G4構(gòu)成。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)與柵極線組(G12、G34)相交而成的區(qū)域共有6個(gè)，分別為區(qū)域R1、區(qū)域R2、區(qū)域R3、區(qū)域R4、區(qū)域R5、區(qū)域R6。其中，區(qū)域Rl內(nèi)設(shè)置有子像素電極Cll、C22，子像素電極Cll與子像素電極C22呈一列排列；區(qū)域R2內(nèi)設(shè)置有子像素電極C12、C23，子像素電極C12與子像素電極C23呈一行排列；區(qū)域R3內(nèi)設(shè)置有子像素電極C13、C24，子像素電極C13與子像素電極C24呈一列排列；區(qū)域R4內(nèi)設(shè)置有子像素電極C31、C42，子像素電極C31與子像素電極C42呈一列排列；區(qū)域R5內(nèi)設(shè)置有子像素電極C32、C43，子像素電極C32與子像素電極C43呈一行排列；區(qū)域R6內(nèi)設(shè)置有子像素電極C33、C44，子像素電極C33與子像素電極C44呈一列排列。所述公共電極線Vl經(jīng)過(guò)子像素電極Cll與子像素電極C22、子像素電極C12與子像素電極C23、子像素電極C13與子像素電極C24的交界處，由于子像素電極Cll與子像素電極C22、子像素電極C13與子像素電極C24呈一列排列，因此，經(jīng)過(guò)該兩對(duì)子像素電極的交界處的部分公共電極線與柵極線組(G12、G34)平行，即與公共電極線Vl的整體走向相同，均是水平走向，從圖3中顯示的便是從左往右或者從右往左的走向，從而經(jīng)過(guò)該兩對(duì)子像素電極的交界處的部分公共電極線的公共電壓傳導(dǎo)得到了提高，即相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中圖2所示的雙柵極線TFT-LCD陣列基板2中的公共電壓傳導(dǎo)，本實(shí)施例中的陣列基板3的公共電壓傳導(dǎo)得到了顯著地提高，約提高了 67%。所述公共電壓的傳導(dǎo)包括:公共電壓的傳導(dǎo)效率、傳導(dǎo)量、傳導(dǎo)能力等各類指標(biāo)。請(qǐng)繼續(xù)參考圖3，在本實(shí)施例中，同一柵極線組與多根數(shù)據(jù)線相交而成的多個(gè)區(qū)域中，連續(xù)相鄰的三個(gè)區(qū)域?yàn)橐唤M，其中，中間區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的子像素電極分別呈一列排列。例如，柵極線組G12與數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)相交而成的區(qū)域中，以連續(xù)相鄰的三個(gè)區(qū)域R1、R2、R3為一組，其中，中間區(qū)域R2內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另兩個(gè)區(qū)域R1、R3內(nèi)的子像素電極分別呈一列排列。即，若在數(shù)據(jù)線S4右側(cè)繼續(xù)順次形成有數(shù)據(jù)線S5、S6、S7，柵極線組G12與數(shù)據(jù)線(S4、S5、S6、S7)相交而成有三個(gè)區(qū)域R7、R8、R9，則該三個(gè)區(qū)域R7、R8、R9內(nèi)的子像素電極的排列與區(qū)域Rl、R2、R3子像素電極的排列一致。具體的，中間區(qū)域R8 (與區(qū)域R2對(duì)應(yīng))內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另兩個(gè)區(qū)域R7、R9 (分別與區(qū)域Rl、R3對(duì)應(yīng))內(nèi)的子像素電極分別呈一列排列。此外，考慮到空間混色的效果，在本實(shí)施例中，組成同一組的三個(gè)區(qū)域中，其中，中間區(qū)域中:居于左側(cè)的子像素電極用以顯示藍(lán)色，居于右側(cè)的子像素電極用以顯示紅色；中間區(qū)域左側(cè)的區(qū)域中:居于上側(cè)的子像素電極用以顯示紅色，居于下側(cè)的子像素電極用以顯示綠色；中間區(qū)域右側(cè)的區(qū)域中:居于上側(cè)的子像素電極用以顯示綠色，居于下側(cè)的子像素電極用以顯示藍(lán)色。例如，組成同一組的三個(gè)區(qū)域R1、R2、R3，其中，中間區(qū)域R2中:居于左側(cè)的子像素電極C12用以顯示藍(lán)色，居于右側(cè)的子像素電極C23用以顯示紅色；中間區(qū)域R2左側(cè)的區(qū)域Rl中:居于上側(cè)的子像素電極Cll用以顯示紅色，居于下側(cè)的子像素電極C22用以顯示綠色；中間區(qū)域R2右側(cè)的區(qū)域R3中:居于上側(cè)的子像素電極C13用以顯示綠色，居于下側(cè)的子像素電極C24用以顯示藍(lán)色。在本實(shí)施例中，同一區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極分別與不同的數(shù)據(jù)線及不同的柵極線耦接。例如，區(qū)域Rl內(nèi)的子像素電極Cll與數(shù)據(jù)線SI及柵極線Gl耦接；而子像素電極C22與數(shù)據(jù)線S2及柵極線G2耦接。具體的，數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)和柵極線組(G12、G34)的交叉處設(shè)置有薄膜晶體管(Til、T22、T12、T23、T13、T24、T31、T42、T32、T43、T33、T44)，子像素電極(cil、C22、C12、C23、C13、C24、C31、C42、C32、C43、C33、C44)通過(guò)這些薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線及柵極線耦接。在本實(shí)施例中，所述公共電極線還經(jīng)過(guò)所述子像素電極和數(shù)據(jù)線的部分交界處，及所述子像素電極和柵極線的部分交界處。例如，公共電極線Vl經(jīng)過(guò)子像素電極C12和數(shù)據(jù)線S2的部分交界處，經(jīng)過(guò)子像素電極C12和柵極線G2的部分交界處。此外，在本實(shí)施例中，所述柵極線組和公共電極線位于襯底基板上的第一金屬層；所述數(shù)據(jù)線位于第一金屬層之上的第二金屬層；所述像素電極位于第二金屬層之上的透明導(dǎo)電層。還包括設(shè)置于襯底基板上的公共電極總線(VB1、VB2)，所述公共電極總線(VB1、VB2)與所述數(shù)據(jù)線平行，且與所述數(shù)據(jù)線位于同一金屬層。通過(guò)所述公共電極總線(VB1、VB2)向公共電極線V1、V2提供公共電壓。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種上述TFT-1XD陣列基板的制造方法。該制造方法包括:提供襯底基板；在所述襯底基板上形成第一金屬層，通過(guò)所述第一金屬層形成柵極線組及公共電極線；在所述第一金屬層之上形成第二金屬層，通過(guò)所述第二金屬層形成數(shù)據(jù)線；在所述第二金屬層之上形成透明導(dǎo)電層，通過(guò)所述透明導(dǎo)電層形成子像素電極；其中，所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構(gòu)成；所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設(shè)置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)子像素電極，其中，一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一列排列；所述公共電極線經(jīng)過(guò)同一區(qū)域內(nèi)兩個(gè)子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行。其中，所述術(shù)語(yǔ)“上”指代所涉及的兩膜層之間無(wú)其他膜層；所述術(shù)語(yǔ)“之上”指代所涉及的兩膜層之間還有其他膜層。在本實(shí)施例中，在形成第二金屬層之前，在第一金屬層上首先形成柵絕緣層，用以將第一金屬層上的柵極線及公共電極線與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線相隔離，此外，在形成柵絕緣層之后第二金屬層之前，還將形成一非晶硅層。而在形成透明導(dǎo)電層之前，在第二金屬層上首先形成一鈍化層，用以將第二金屬層上的數(shù)據(jù)線與后續(xù)形成的子像素電極相隔離。上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書(shū)的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT-1XD陣列基板，其特征在于，包括: 襯底基板，以及設(shè)置于所述襯底基板上的子像素電極、數(shù)據(jù)線、柵極線組和公共電極線，其中，所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構(gòu)成； 所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設(shè)置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)子像素電極，其中，一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一列排列； 所述公共電極線經(jīng)過(guò)同一區(qū)域內(nèi)兩個(gè)子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，同一柵極線組與多根數(shù)據(jù)線相交而成的多個(gè)區(qū)域中，連續(xù)相鄰的三個(gè)區(qū)域?yàn)橐唤M，其中，中間區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的子像素電極分別呈一列排列。
3.如權(quán)利要求2所述的TFT-1XD陣列基板，其特征在于，組成同一組的三個(gè)區(qū)域中，其中，中間區(qū)域中:居于左側(cè)的子像素電極用以顯示藍(lán)色，居于右側(cè)的子像素電極用以顯示紅色；中間區(qū)域左側(cè)的區(qū)域中:居于上側(cè)的子像素電極用以顯示紅色，居于下側(cè)的子像素電極用以顯示綠色；中間區(qū)域右側(cè)的區(qū)域中:居于上側(cè)的子像素電極用以顯示綠色，居于下側(cè)的子像素電極用以顯示藍(lán)色。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，同一區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極分別與不同的數(shù)據(jù)線及不同的柵極線耦接。
5.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述公共電極線還經(jīng)過(guò)所述子像素電極和數(shù)據(jù)線的部分交界處，及所述子像素電極和柵極線的部分交界處。
6.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的TFT-1XD陣列基板，其特征在于，所述柵極線組和公共電極線位于襯底基板上的第一金屬層；所述數(shù)據(jù)線位于第一金屬層之上的第二金屬層；所述像素電極位于第二金屬層之上的透明導(dǎo)電層。
7.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的TFT-1XD陣列基板，其特征在于，還包括設(shè)置于襯底基板上的公共電極總線，所述公共電極總線與所述數(shù)據(jù)線平行，且與所述數(shù)據(jù)線位于同一金屬層。
8.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉處設(shè)置有薄膜晶體管，所述子像素電極通過(guò)所述薄膜晶體管與所述柵極線及數(shù)據(jù)線耦接。
9.一種如權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的TFT-1XD陣列基板的制造方法，其特征在于，包括: 提供襯底基板； 在所述襯底基板上形成第一金屬層，通過(guò)所述第一金屬層形成柵極線組及公共電極線.在所述第一金屬層之上形成第二金屬層，通過(guò)所述第二金屬層形成數(shù)據(jù)線； 在所述第二金屬層之上形成透明導(dǎo)電層，通過(guò)所述透明導(dǎo)電層形成子像素電極； 其中，所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構(gòu)成； 所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設(shè)置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)子像素電極，其中，一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一列排列； 所述公共電極線經(jīng)過(guò)同一區(qū)域內(nèi)兩個(gè)子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行?！?br> 全文摘要
本發(fā)明提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，包括襯底基板，以及設(shè)置于所述襯底基板上的子像素電極、數(shù)據(jù)線、柵極線組和公共電極線，其中，所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構(gòu)成；所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設(shè)置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有兩個(gè)子像素電極，其中，一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)子像素電極呈一列排列；所述公共電極線經(jīng)過(guò)同一區(qū)域內(nèi)兩個(gè)子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行。通過(guò)該TFT-LCD陣列基板及其制造方法提高了公共電壓的傳導(dǎo)。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK103163698SQ20111040763
公開(kāi)日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2011年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月8日
發(fā)明者曹兆鏗 申請(qǐng)人:上海中航光電子有限公司