專利名稱：光刻版圖的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，特別涉及一種光刻版圖的形成方法。
背景技術(shù)：
在目前半導(dǎo)體的制作過(guò)程中，在晶圓上制作半導(dǎo)體器件之前，需對(duì)晶圓進(jìn)行布局設(shè)計(jì)，將晶圓劃分為若干單元區(qū)(Die)和位于單元區(qū)之間的切割道(Scribe lane)，單元區(qū)用于后續(xù)形成半導(dǎo)體器件，切割道則是在半導(dǎo)體器件制作完成時(shí)，作為封裝階段單元區(qū) (Die)分割時(shí)的切割線。在光刻的版圖設(shè)計(jì)中通常將光刻對(duì)位圖形(alignment mark)和套刻測(cè)量圖形 (overlay mark)等光刻工藝中所需要用到的光刻圖形形成在切割道。現(xiàn)有普通的切割道的寬度通常在60微米以上，因此光刻對(duì)位圖形(alignment mark)和套刻測(cè)量圖形(overlay mark)等光刻圖形可任意的形成在切割道，但是隨著晶圓切割由刀片切割技術(shù)向激光切割技術(shù)發(fā)展，晶圓布局時(shí)切割道的寬度越來(lái)越小，現(xiàn)有將光刻對(duì)位圖形和套刻測(cè)量圖形形成在切割道的形成方法，會(huì)使對(duì)位圖形和套刻測(cè)量圖形超出切割道的區(qū)域，導(dǎo)致單元區(qū)形成的半導(dǎo)體器件的失效，顯然現(xiàn)有光刻版圖的形成方法已不能滿足技術(shù)發(fā)展的需求。更多關(guān)于光刻版圖的形成方法請(qǐng)參考公開號(hào)為CN1690859A的中國(guó)專利。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種光刻版圖的形成方法，滿足技術(shù)發(fā)展的需求。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種光刻版圖的形成方法，包括提供待形成半導(dǎo)體器件圖形；提供第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，且第二尺寸大于第一尺寸；提供待形成光刻版圖的光刻版，所述光刻版具有至少一個(gè)曝光區(qū)，所述曝光區(qū)具有多個(gè)單元區(qū)、環(huán)繞每個(gè)單元區(qū)的保護(hù)區(qū)和隔離相鄰保護(hù)區(qū)的切割道，所述單元區(qū)用于形成多個(gè)半導(dǎo)體器件圖形；根據(jù)半導(dǎo)體器件圖形獲取所述保護(hù)區(qū)尺寸；若保護(hù)區(qū)尺寸< (第一尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在單元區(qū)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形；若(第一尺寸-切割道尺寸)/2 <保護(hù)區(qū)尺寸< (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)， 在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道內(nèi)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)，在單元區(qū)形成第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形；若保護(hù)區(qū)尺寸> (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，且第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)；在未形成有第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的單元區(qū)內(nèi)形成半導(dǎo)體器件圖形?？蛇x的，所述切割道尺寸范圍15微米至30微米?？蛇x的，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的寬度為大于或等于40微米且小于50微米，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的長(zhǎng)度大于或等于第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的寬度。可選的，所述第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的寬度為50微米，所述第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的長(zhǎng)度大于或等于第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的寬度?？蛇x的，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形為光刻對(duì)位圖形或套刻測(cè)量圖形?？蛇x的，所述第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形為光刻對(duì)位圖形或套刻測(cè)量圖形?？蛇x的，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形同時(shí)形成在單元區(qū)時(shí)，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形相互平行。可選的，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形形成在一個(gè)單元區(qū)時(shí)， 所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形一部分位于單元區(qū)臨近的保護(hù)區(qū)和切割道，一部分位于保護(hù)區(qū)。可選的，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形形成在單元區(qū)時(shí)，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的長(zhǎng)度大于尺寸時(shí)，將單元區(qū)第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和 /或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形形成在兩個(gè)或兩個(gè)以上的單元區(qū)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)利用保護(hù)區(qū)，根據(jù)保護(hù)區(qū)的寬度和切割道寬度的關(guān)系，若保護(hù)區(qū)尺寸< (第一尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在單元區(qū)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形；若(第一尺寸-切割道尺寸)/2 <保護(hù)區(qū)尺寸< (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道內(nèi)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)，在單元區(qū)形成第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形；若保護(hù)區(qū)尺寸> (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)， 在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，且第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)，提高了單元區(qū)形成的半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，節(jié)約了單元區(qū)的數(shù)量，減少單元區(qū)的損耗量，提高了芯片的成品數(shù)量。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例光刻版圖的形成方法的流程示意圖；圖2 圖8為本發(fā)明實(shí)施例光刻版圖的形成方法的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式半導(dǎo)體器件(芯片)制作完成后，在封裝過(guò)程中，通常要將晶圓沿切割道切割成一個(gè)一個(gè)獨(dú)立的芯片，現(xiàn)有對(duì)晶圓的刀片切割技術(shù)包括首先利用研磨機(jī)的磨輪對(duì)晶圓的背部進(jìn)行減薄(backside grinding)，接著利用切割刀具，沿單元區(qū)(Die)之間的切割道，自晶圓區(qū)的正面向背面進(jìn)行切割，使單元區(qū)(Die)分離，形成一個(gè)一個(gè)獨(dú)立的芯片，晶圓的正面指晶圓形成半導(dǎo)體器件的表面，另一面為晶圓的背面。切割刀具具有一定的厚度，由于材料和技術(shù)的限制，切割刀具的厚度極難做的很小，且切割刀具切割時(shí)容易產(chǎn)生晶圓破損等問(wèn)題，因此在晶圓布局設(shè)計(jì)時(shí)，切割道的寬度通常大于60微米，但是隨著激光切割技術(shù)的應(yīng)用，由于激光的高能量和高密度，切割道的寬度設(shè)計(jì)已小于60微米，隨著激光切割技術(shù)的不斷進(jìn)步，在切割道的寬度設(shè)計(jì)進(jìn)入15 30微米后，由于現(xiàn)有先進(jìn)曝光設(shè)備能識(shí)別的光刻對(duì)位圖形的最小有效寬度為40或50微米，現(xiàn)有將光刻對(duì)位圖形(alignment mark)和套刻測(cè)量圖形(overlay mark)等光刻圖形設(shè)置在切割道的光刻版圖的形成方法顯然已不能應(yīng)用，由于光刻圖形的寬度大于切割道的寬度，使得光刻圖形的部分位于單元區(qū)，會(huì)引起單元區(qū)形成的半導(dǎo)體器件的失效。發(fā)明人進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，在切割道的寬度進(jìn)入15 30微米后，光刻版圖布局時(shí)， 將光刻對(duì)位圖形(alignment mark)和套刻測(cè)量圖形(overlay mark)等光刻圖形設(shè)置在相鄰的兩個(gè)單元區(qū)內(nèi)，但是直接將光刻圖形設(shè)置在單元區(qū)的形成方法使晶圓損失部分?jǐn)?shù)量單元區(qū)，最終使得芯片的成品數(shù)量降低。為解決上述問(wèn)題發(fā)明人提出一種光刻版圖的形成方法，滿足技術(shù)發(fā)展的需求，節(jié)約單元區(qū)的數(shù)量，提高芯片成品率。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，示意圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。參考圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例光刻版圖的形成方法的流程示意圖，包括步驟S201，提供待形成半導(dǎo)體器件圖形；步驟S202，提供第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，且第二尺寸大于第一尺寸；步驟S203，提供待形成光刻版圖的光刻版，所述光刻版具有多個(gè)單元區(qū)、環(huán)繞每個(gè)單元區(qū)的保護(hù)區(qū)和隔離相鄰保護(hù)區(qū)的切割道，所述單元區(qū)用于形成多個(gè)半導(dǎo)體器件圖形；步驟S204，根據(jù)半導(dǎo)體器件圖形獲取所述保護(hù)區(qū)尺寸；步驟S205，若保護(hù)區(qū)尺寸< (第一尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在單元區(qū)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形；步驟S206，若(第一尺寸-切割道尺寸)/2 <保護(hù)區(qū)尺寸< (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道內(nèi)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)，在單元區(qū)形成第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形；步驟S207，若保護(hù)區(qū)尺寸> (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，且第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)；步驟S208，在未形成有第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的單元區(qū)內(nèi)形成半導(dǎo)體器件圖形。圖2 圖8為本發(fā)明實(shí)施例光刻版圖的形成方法的結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖4 圖8 為圖3的局部放大結(jié)構(gòu)示意圖。步驟S201，提供待形成半導(dǎo)體器件圖形。所述半導(dǎo)體器件圖形為后續(xù)在單元區(qū)形成的需要用到光刻板的晶體管、電阻、電容、互聯(lián)線等圖形，許多半導(dǎo)體器件圖形能構(gòu)成一個(gè)完整的集成電路。集成電路的復(fù)雜度， 決定了半導(dǎo)體制作工藝的復(fù)雜度，復(fù)雜的集成電路一般要經(jīng)過(guò)幾十次的光刻，每次光刻都需要進(jìn)行對(duì)位以及光刻后的套刻測(cè)量。步驟S202，提供第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，且第二尺寸大于第一尺
參考圖2，提供第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305，且第二尺寸大于第一尺寸，本發(fā)明中第二尺寸和第一尺寸指第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形 305的寬度。在半導(dǎo)體制作應(yīng)用的先進(jìn)曝光機(jī)中，使用最廣的為尼康(Mkon)公司生產(chǎn)的步進(jìn)曝光機(jī)和阿斯麥(ASML)公司生產(chǎn)的掃描式曝光機(jī)。尼康(Nikon)曝光機(jī)和阿斯麥(ASML) 曝光機(jī)在對(duì)位時(shí)的原理和過(guò)程是不一樣，例如尼康(Nikon)FIA(Field Image Alignment) 對(duì)位它以圖像方式(CXD)讀取圓片上的對(duì)位標(biāo)記并對(duì)圖像進(jìn)行處理，檢測(cè)標(biāo)記的位置來(lái)進(jìn)行對(duì)位，而ASML利用收集激光打到對(duì)位標(biāo)記上所產(chǎn)生的衍射光來(lái)進(jìn)行對(duì)位，這就使得尼康 (Nikon)曝光機(jī)和阿斯麥(ASML)曝光機(jī)在結(jié)構(gòu)上和尺寸上存在差異，兩者是不能共用的。尼康(Nikon)公司生產(chǎn)的步進(jìn)曝光機(jī)能識(shí)別的光刻對(duì)位圖形的最小有效寬度為 50微米，阿斯麥(ASML)公司生產(chǎn)的掃描式曝光機(jī)能識(shí)別的光刻對(duì)位圖形的最小有效寬度為40微米。對(duì)于要同時(shí)使用兩種曝光機(jī)的產(chǎn)品，由于尼康(Nikon)和阿斯麥(ASML)的對(duì)位標(biāo)記尺寸上存在差異性，在使用較小尺寸的對(duì)位標(biāo)記時(shí)，特別是在切割道的寬度進(jìn)入15 30微米后，現(xiàn)有的光刻版圖的形成方法顯然已不能應(yīng)用已不能應(yīng)用。所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304的寬度大于或等于40微米且小于50微米，本發(fā)明實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例中，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304的第一尺寸指第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304的寬度，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304的寬度是指第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304邊長(zhǎng)中的較小值，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304的長(zhǎng)度大于或等于第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304的寬度。所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304為光刻曝光機(jī)臺(tái)用于對(duì)準(zhǔn)的光刻對(duì)位圖形、光刻工藝用于監(jiān)測(cè)前層后層對(duì)準(zhǔn)精度的套刻測(cè)量圖形。所述第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的寬度為50微米，本發(fā)明實(shí)施例中，第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的第二尺寸指第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的寬度，第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的寬度是指第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305邊長(zhǎng)中的較小值，所述第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的長(zhǎng)度大于或等于第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的寬度。所述第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305包括光刻曝光機(jī)臺(tái)用于對(duì)準(zhǔn)的光刻對(duì)位圖形、光刻工藝用于監(jiān)測(cè)前層后層對(duì)準(zhǔn)精度的套刻測(cè)量圖形。步驟S203，提供待形成光刻版圖的光刻版，所述光刻版具有多個(gè)單元區(qū)、環(huán)繞每個(gè)單元區(qū)的保護(hù)區(qū)和隔離相鄰保護(hù)區(qū)的切割道，所述單元區(qū)用于形成多個(gè)半導(dǎo)體器件圖形。參考圖3，提供光刻板30，所述光刻板30包括若干單元區(qū)301、環(huán)繞每個(gè)單元區(qū)的保護(hù)區(qū)302、隔離相鄰保護(hù)區(qū)的切割道303，所述單元區(qū)301用于形成多個(gè)半導(dǎo)體器件圖形。光刻板30上單元區(qū)301、保護(hù)區(qū)302、切割道303對(duì)應(yīng)晶圓上的單元區(qū)(Die)、保護(hù)區(qū)、切割道。光刻工藝就是通過(guò)曝光和顯影將光刻板30上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面的光刻膠層上，為了更清楚的闡述本發(fā)明的意圖，因此本發(fā)明中光刻板30上涉及第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形 304(圖2所示)、第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305 (圖2所示)、單元區(qū)301、保護(hù)區(qū)302、切割道303 等的尺寸(寬度、長(zhǎng)度)均與通過(guò)曝光和顯影將光刻板30上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上的實(shí)際尺寸一致。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中光刻板30尺寸可等比例的放大或縮小。所述切割道303包括橫向和縱向的切割道。所述切割道303的寬度為15 30微米。隨著切割道303的不斷減小，由于光刻對(duì)位圖形的最小寬度為40微米或50微米，顯然溝道區(qū)303不能形成光刻對(duì)位圖形。所述切割道303作為芯片制作完成時(shí)，分割芯片時(shí)的分割線。現(xiàn)有晶圓切割的方法包括刀片切割技術(shù)和激光切割技術(shù)，采用刀片切割時(shí)，切割道寬度的設(shè)計(jì)通常大于60微米，光刻對(duì)位圖形等光刻圖形可以任意的形成在切割道。采用激光切割時(shí)，由于激光的高能量和高密度，切割道的寬度設(shè)計(jì)已小于60微米，隨著激光切割技術(shù)的不斷進(jìn)步，當(dāng)切割道的寬度設(shè)計(jì)進(jìn)入15 30微米后，由于現(xiàn)有先進(jìn)曝光設(shè)備能識(shí)別的光刻對(duì)位圖形的最小有效寬度為40或50微米，若采用繼續(xù)現(xiàn)有將光刻對(duì)位圖形(alignment mark)和套刻測(cè)量圖形(overlay mark)等光刻圖形設(shè)置在切割道的光刻版圖的形成方法，光刻圖形的寬度大于切割道的寬度，將使得光刻圖形的部分位于單元區(qū)，會(huì)引起單元區(qū)形成的半導(dǎo)體器件的失效，顯然現(xiàn)有的光刻版圖的形成方法顯然已不能應(yīng)用。步驟S204，根據(jù)半導(dǎo)體器件圖形獲取所述保護(hù)區(qū)尺寸。所述保護(hù)區(qū)302環(huán)繞所述單元區(qū)301，作為單元區(qū)301和切割道303的緩沖區(qū)，本發(fā)明實(shí)施例中所述保護(hù)區(qū)302的尺寸為保護(hù)區(qū)302的寬度，即保護(hù)區(qū)302的外側(cè)到內(nèi)測(cè)的垂直距離。本發(fā)明的實(shí)施例充分利用保護(hù)區(qū)302，在切割道303和保護(hù)區(qū)302形成寬度較小的第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305，在切割道的寬度進(jìn)入15 30微米后，而不必將第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305都形成在單元區(qū)301，減少了單元區(qū)301得消耗，提高成品的數(shù)量。保護(hù)區(qū)302的寬度與半導(dǎo)體器件圖形的數(shù)量、特征尺寸、形成的復(fù)雜度相關(guān)，即光刻的次數(shù)越多相應(yīng)的保護(hù)區(qū)的寬度較寬，由于集成電路的制作是一層一層往上疊加的，層與層之間存在對(duì)準(zhǔn)誤差，疊加的層數(shù)越多，這種偏差越大，導(dǎo)致器件的形成可能會(huì)超出晶圓上的單元區(qū)，保護(hù)區(qū)的寬度相對(duì)較寬。所述保護(hù)區(qū)的寬度范圍為5 20微米，保護(hù)區(qū)太寬的話，浪費(fèi)晶圓的空間，提高了成本。步驟S205，若保護(hù)區(qū)尺寸< (第一尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在單元區(qū)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形。參考圖4，圖4為圖3的一實(shí)施例的局部放大結(jié)構(gòu)示意圖，包括，兩個(gè)單元區(qū)301， 圍繞每個(gè)單元區(qū)301的保護(hù)區(qū)302，位于保護(hù)區(qū)302之間的切割道303，為了更簡(jiǎn)單和清楚的描述本發(fā)明的意圖，圖4及后續(xù)的附圖中只示出了兩個(gè)單元區(qū)301之間共同的切割道 (縱向切割道)，單元區(qū)301另外三個(gè)方向的切割道未示出。所述切割道303的寬度為15 30微米，本實(shí)施例中切割道303的尺寸指切割道 303的寬度。切割道303的寬度是指兩個(gè)單元區(qū)301之間，切割道303 —側(cè)邊緣到另一側(cè)邊緣的垂直距離A ；所述保護(hù)區(qū)302的寬度為B，保護(hù)區(qū)302的寬度是指保護(hù)區(qū)302的邊緣外側(cè)到邊緣內(nèi)側(cè)的垂直距離。若保護(hù)區(qū)302尺寸< (第一尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在單元區(qū)301形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305，這種情況下由于保護(hù)區(qū)302寬度和切割道303的寬度之和要小于或等于40微米，而第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的最小寬度為40微米，如果將第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305形成在切割道303， 第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305將有部分會(huì)形成在單元區(qū)301，會(huì)使得后續(xù)單元區(qū)301上形成的半導(dǎo)體器件失效，對(duì)于保護(hù)區(qū)302寬度和切割道303的寬度之和剛好為40微米，可以形成寬度為40微米的第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304的情形，為了保證單元區(qū)301 上形成半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，將40微米的第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304形成在單元區(qū)301。
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本實(shí)施例中，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305相互平行的形成在單元區(qū)301中，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的寬度方向與坐標(biāo)軸χ方向垂直，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304下邊緣和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的上邊緣重合或者相距很小的距離，以節(jié)省第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305占用的單元區(qū)301的空間，在第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305數(shù)量較多時(shí)，節(jié)省占用的單元區(qū)301 的個(gè)數(shù)。本發(fā)明的其他實(shí)施例中，單元區(qū)301形成的第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的寬度方向與坐標(biāo)軸χ方向平行。在本發(fā)明另一實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖5，當(dāng)?shù)谝怀叽鐚?duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305數(shù)量為多個(gè)，一個(gè)單元區(qū)301形成不下所有的第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305，將第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的部分形成在保護(hù)區(qū)302， 另一部分形成在單元區(qū)301，以減少形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305占用單元區(qū)301的個(gè)數(shù)。在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖6，當(dāng)單元區(qū)301的沿χ方向的寬度小于第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304或/和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的長(zhǎng)度時(shí)，將第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305形成在兩個(gè)相鄰的單元區(qū)301上，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305相互平行，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304下邊緣和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的上邊緣重合或者相距很小的距離，以節(jié)省占用的單元區(qū)301數(shù)量。步驟S206，若(第一尺寸-切割道尺寸)/2 <保護(hù)區(qū)尺寸< (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道內(nèi)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)，在單元區(qū)形成第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形。參考圖7，在保護(hù)區(qū)302和與保護(hù)區(qū)302相鄰的切割道303內(nèi)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304覆蓋切割道303且部分位于保護(hù)區(qū)302，在單元區(qū)301 形成第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305。保護(hù)區(qū)302的寬度和切割道303的寬度之和要大于40微米小于或等于50微米， 第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304的寬度大于或等于40微米且小于50微米，將第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304 形成在保護(hù)區(qū)302和切割道303，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304的寬度方向平行切割道303的寬度方向，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304不會(huì)超出保護(hù)區(qū)302，因此不會(huì)影響相鄰的單元區(qū)301上形成的半導(dǎo)體器件的性能，本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304位于單元區(qū)301 上方或下方的橫向切割道(圖中為示出)和保護(hù)區(qū)302 ；第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的寬度為 50微米，將第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305形成在單元區(qū)301，第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305為多個(gè)時(shí)，第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305之間相互平行。本實(shí)例中第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的形成方法，利用保護(hù)區(qū)302，將第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304形成在保護(hù)區(qū)302和切割道 303，相比于將第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304直接形成在單元區(qū)301，節(jié)約了單元區(qū)301的數(shù)量，減少單元區(qū)301的損耗量，提高了芯片的成品數(shù)量。對(duì)于保護(hù)區(qū)302的寬度和切割道303的寬度之和等于50微米，可以形成寬度為50 微米的第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的情形，為了保證單元區(qū)301上形成半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，將 50微米的第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305形成在單元區(qū)301。步驟S207，若保護(hù)區(qū)尺寸> (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，且第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)。參考圖8，在保護(hù)區(qū)302和與保護(hù)區(qū)302相鄰的切割道303形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形 304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305，且第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305覆蓋切割道303且部分位于保護(hù)區(qū)302。保護(hù)區(qū)302寬度和切割道303的寬度之和大于50微米，保護(hù)區(qū)302寬度和切割道 303的寬度之和要大于第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304的寬度和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的寬度，將第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305形成在保護(hù)區(qū)302和切割道303，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305覆蓋切割道303且部分位于保護(hù)區(qū)302，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305的寬度方向平行切割道303的寬度方向，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304的下邊緣和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305上邊緣重合或相距較小。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305形成在橫向切割道(圖中未示出)和保護(hù)區(qū)302。利用保護(hù)區(qū)302，將第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305 形成在切割道303和保護(hù)區(qū)302的光刻版圖的形成方法，相比于直接將第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形 304和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形305形成在單元區(qū)301，不會(huì)影響相鄰單元區(qū)301上形成的半導(dǎo)體器件的性能，并且節(jié)約了單元區(qū)301的數(shù)量，減少單元區(qū)301的損耗量，提高了芯片的成品數(shù)量。步驟S208，在未形成有第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的單元區(qū)內(nèi)形成半導(dǎo)體器件圖形。綜上，本發(fā)明實(shí)施例提供的光刻版圖的形成方法，利用保護(hù)區(qū)，根據(jù)保護(hù)區(qū)的寬度和切割道寬度的關(guān)系，若保護(hù)區(qū)尺寸< (第一尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在單元區(qū)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形；若(第一尺寸-切割道尺寸)/2 <保護(hù)區(qū)尺寸< (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道內(nèi)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形， 所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)，在單元區(qū)形成第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形； 若保護(hù)區(qū)尺寸> (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，且第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)，提高了單元區(qū)形成的半導(dǎo)體穩(wěn)定性，節(jié)約了單元區(qū)的數(shù)量，減少單元區(qū)的損耗量，提高了芯片的成品數(shù)量。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種光刻版圖的形成方法，其特征在于，包括提供待形成半導(dǎo)體器件圖形；提供第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，且第二尺寸大于第一尺寸；提供待形成光刻版圖的光刻版，所述光刻版具有多個(gè)單元區(qū)、環(huán)繞每個(gè)單元區(qū)的保護(hù)區(qū)和隔離相鄰保護(hù)區(qū)的切割道，所述單元區(qū)用于形成多個(gè)半導(dǎo)體器件圖形；根據(jù)半導(dǎo)體器件圖形獲取所述保護(hù)區(qū)尺寸；若保護(hù)區(qū)尺寸< (第一尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在單元區(qū)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形；若(第一尺寸-切割道尺寸)/2 <保護(hù)區(qū)尺寸< (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道內(nèi)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)，在單元區(qū)形成第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形；若保護(hù)區(qū)尺寸> (第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，且第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形覆蓋切割道且部分位于保護(hù)區(qū)；在未形成有第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的單元區(qū)內(nèi)形成半導(dǎo)體器件圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻版圖的形成方法，其特征在于，所述切割道尺寸范圍15微米至30微米。
3.如權(quán)利要求1所述的光刻版圖的形成方法，其特征在于，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的寬度為大于或等于40微米且小于50微米，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的長(zhǎng)度大于或等于第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的光刻版圖的形成方法，其特征在于，所述第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的寬度為50微米，所述第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的長(zhǎng)度大于或等于第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的寬度。
5.如權(quán)利要求1所述的光刻版圖的形成方法，其特征在于，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形為光刻對(duì)位圖形或套刻測(cè)量圖形。
6.如權(quán)利要求1所述的光刻版圖的形成方法，其特征在于，所述第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形為光刻對(duì)位圖形或套刻測(cè)量圖形。
7.如權(quán)利要求1所述的光刻版圖的形成方法，其特征在于，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形同時(shí)形成在單元區(qū)時(shí)，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形相互平行。
8.如權(quán)利要求1所述的光刻版圖的形成方法，其特征在于，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/ 或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形形成在一個(gè)單元區(qū)時(shí)，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形一部分位于單元區(qū)臨近的保護(hù)區(qū)和切割道，一部分位于保護(hù)區(qū)。
9.如權(quán)利要求1所述的光刻版圖的形成方法，其特征在于，所述第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/ 或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形形成在單元區(qū)時(shí)，第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形的長(zhǎng)度大于尺寸時(shí)，將單元區(qū)第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和/或第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形形成在兩個(gè)或兩個(gè)以上的單元區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種光刻版圖的形成方法，包括提供待形成光刻版圖的光刻版，所述光刻版具有多個(gè)單元區(qū)、環(huán)繞每個(gè)單元區(qū)的保護(hù)區(qū)和隔離相鄰保護(hù)區(qū)的切割道；若保護(hù)區(qū)尺寸≤(第一尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在單元區(qū)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形；若(第一尺寸-切割道尺寸)/2＜保護(hù)區(qū)尺寸≤(第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道內(nèi)形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形，在單元區(qū)形成第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形；若保護(hù)區(qū)尺寸＞(第二尺寸-切割道尺寸)/2時(shí)，在保護(hù)區(qū)和與保護(hù)區(qū)相鄰的切割道形成第一尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形和第二尺寸對(duì)準(zhǔn)圖形。本發(fā)明實(shí)施例的方法，節(jié)約了單元區(qū)的數(shù)量，提高了芯片的成品數(shù)量。
文檔編號(hào)G03F1/44GK102436151SQ20111043636
公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月22日
發(fā)明者孔蔚然, 張迎春, 楊茗荔, 顧以理 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司