專利名稱：曝光方法、曝光裝置、組件制造方法、以及膜的評(píng)估方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種透過(guò)液體使基板曝光的曝光方法、曝光裝置、組件制造方法、以及膜的評(píng)估方法。本案基于2005年4月27日所提出申請(qǐng)的日本特愿2005_1四517號(hào)案、以及2005 年7月21日所提出申請(qǐng)的日本特愿2005-211319號(hào)案主張優(yōu)先權(quán)，而將其內(nèi)容援用于本文中。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體組件或液晶顯示組件等微組件制造工藝之一的光刻步驟中，采用將掩膜上所形成的圖案投影曝光在感旋光性基板上的曝光裝置。此曝光裝置，具有用以保持掩膜的掩膜載臺(tái)、以及用以保持基板的基板載臺(tái)，一邊使掩膜載臺(tái)與基板載臺(tái)依序移動(dòng)、一邊透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)將掩膜圖案投影曝光在基板。在微組件的制造中，為了達(dá)成組件的高密度化， 要求于基板上所形成的圖案的微細(xì)化。為了因應(yīng)此要求，故希望曝光裝置可更進(jìn)一步高分辨率化，用以實(shí)現(xiàn)該高分辨率化的方法之一，如下述專利文獻(xiàn)1所揭示的液浸曝光裝置，于基板上形成液體的液浸區(qū)域，透過(guò)該液浸區(qū)域的液體來(lái)使基板曝光。[專利文獻(xiàn)1]國(guó)際公開第99/49504號(hào)說(shuō)明書。然而，為曝光對(duì)象的基板表面所設(shè)置的光刻膠膜、或是其上層所設(shè)置的覆涂膜等通常使用各種材料，但是作為與液浸區(qū)域液體的接觸面的膜種類變更時(shí)，依膜的種類，可能無(wú)法將曝光用光的光路上的液體維持在所希望狀態(tài)。此種情況下，會(huì)產(chǎn)生液浸曝光裝置的通用性顯著降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題所完成，其目的在于提供一種可對(duì)于設(shè)置不同種類膜的基板分別良好地進(jìn)行液浸曝光的曝光方法、曝光裝置、以及組件制造方法為了解決上述課題，本發(fā)明采用與實(shí)施方式所示各圖相對(duì)應(yīng)的以下構(gòu)成。其中，附于各要件的帶括號(hào)符號(hào)僅為該要件的例示，而并非用來(lái)限定各要件者。根據(jù)本發(fā)明的第1方案，提供一種曝光方法，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域 LR,透過(guò)液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來(lái)使基板P曝光；并根據(jù)在基板P表面與液體W之間所作用的附著力來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。根據(jù)本發(fā)明的第1方案，由于根據(jù)在基板表面與液體之間所作用的附著力來(lái)決定使基板曝光時(shí)的曝光條件，故不論表面的膜種類為何都可對(duì)基板良好地進(jìn)行液浸曝光。根據(jù)本發(fā)明的第2方案，提供一種曝光方法，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域 LR,透過(guò)液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來(lái)使基板P曝光；并根據(jù)液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角及液體LQ于基板P表面的滑落角來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。根據(jù)本發(fā)明的第2方案，由于根據(jù)液體于基板表面的靜態(tài)接觸角與滑落角來(lái)決定使基板曝光時(shí)的曝光條件，故不論表面的膜種類為何都可對(duì)基板良好地進(jìn)行液浸曝光。根據(jù)本發(fā)明的第3方案，提供一種曝光方法，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域 LR,透過(guò)液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來(lái)使基板P曝光；并根據(jù)將基板P表面傾斜時(shí)的基板P表面與液體W的后退接觸角來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。根據(jù)本發(fā)明的第3方案，由于根據(jù)將基板表面傾斜時(shí)的基板表面與液體的后退接觸角來(lái)決定使基板曝光時(shí)的曝光條件，故不論表面的膜種類為何都可對(duì)基板良好地進(jìn)行液浸曝光。根據(jù)本發(fā)明的第4方案，提供一種組件制造方法，該方法使用上述方案的曝光方法。根據(jù)本發(fā)明的第4方案，不論表面的膜種類為何都可對(duì)基板良好地進(jìn)行液浸曝光，故可制造具有所欲性能的組件。根據(jù)本發(fā)明的第5方案，提供一種曝光裝置EX，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR，透過(guò)液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來(lái)使基板P曝光，該曝光裝置EX具備測(cè)量裝置60，以測(cè)量在基板P表面與液體LQ之間所作用的附著力。根據(jù)本發(fā)明的第5方案，由測(cè)量在基板表面與液體之間所作用的附著力，而可根據(jù)該測(cè)量結(jié)果，不論表面的膜種類為何都可對(duì)基板良好地進(jìn)行液浸曝光。根據(jù)本發(fā)明的第6方案，提供一種曝光裝置EX，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR，透過(guò)液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來(lái)使基板P曝光；該曝光裝置(EX)具備測(cè)量裝置60，以測(cè)量將基板P表面傾斜時(shí)的基板P表面與液體LQ的后退接觸角。根據(jù)本發(fā)明的第6方案，由測(cè)量將基板表面傾斜時(shí)的基板表面與液體的后退接觸角，而可根據(jù)該測(cè)量結(jié)果，不論表面的膜種類為何都可對(duì)基板良好地進(jìn)行液浸曝光。根據(jù)本發(fā)明的第7方案，提供一種曝光裝置EX，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR，透過(guò)液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來(lái)使基板P曝光；該曝光裝置EX具備第1測(cè)量裝置60，用以測(cè)量液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角；第2測(cè)量裝置60，用以測(cè)量液體LQ于基板P表面的滑落角；控制裝置C0NT，根據(jù)第1測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果與第2測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。根據(jù)本發(fā)明的第7方案，根據(jù)由第1、第2測(cè)量裝置所測(cè)量的液體于基板表面的靜態(tài)接觸角與滑落角來(lái)決定使基板曝光時(shí)的曝光條件，故不論表面的膜種類為何都可對(duì)基板良好地進(jìn)行液浸曝光。根據(jù)本發(fā)明的第8方案，提供一種曝光裝置EX，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR，透過(guò)液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來(lái)使基板P曝光，該曝光裝置EX具備輸入裝置INP，用以輸入液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角信息與液體LQ于基板 P表面的滑落角信息；以及控制裝置C0NT，根據(jù)由輸入裝置INP所輸入的接觸角信息與滑落角信息來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。根據(jù)本發(fā)明的第8方案，由于根據(jù)由輸入裝置所輸入的液體于基板表面的靜態(tài)接觸角信息與滑落角信息來(lái)決定使基板曝光時(shí)的曝光條件，故不論表面的膜種類為何都可對(duì)基板分別良好地進(jìn)行液浸曝光。根據(jù)本發(fā)明的第9方案，提供一種曝光裝置EX，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR，透過(guò)液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來(lái)使基板P曝光，該曝光裝置EX具備輸入裝置INP，用以輸入將基板P表面傾斜時(shí)的基板P表面與液體LQ的后退接觸角信息；以及控制裝置C0NT，根據(jù)由輸入裝置INP所輸入的后退接觸角信息來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。根據(jù)本發(fā)明的第9方案，由于根據(jù)由輸入裝置所輸入的將基板表面傾斜時(shí)基板表面與液體的后退接觸角信息來(lái)決定使基板曝光時(shí)的曝光條件，故不論表面的膜種類為何都可對(duì)基板分別良好地進(jìn)行液浸曝光。根據(jù)本發(fā)明的第10方案，提供一種組件制造方法，其使用上述方案的曝光裝置 EX0根據(jù)本發(fā)明的第10方案，可對(duì)設(shè)有不同種類膜的復(fù)數(shù)基板分別良好地進(jìn)行液浸曝光，可制造具有所欲性能的組件。根據(jù)本發(fā)明的第11方案，提供一種膜的評(píng)估方法，該方法對(duì)在透過(guò)液體被曝光的基板所形成的膜進(jìn)行評(píng)估，該方法具有對(duì)在該膜與該液體之間作用的附著力進(jìn)行測(cè)定的步驟；以及基于所測(cè)定的該附著力的值、與根據(jù)曝光條件所定的該附著力的容許范圍的比較，判斷該膜對(duì)該曝光條件的適性的步驟。根據(jù)本發(fā)明的第12方案，提供一種膜的評(píng)估方法，該方法對(duì)在透過(guò)液體被曝光的基板所形成的膜進(jìn)行評(píng)估，所述方法具有對(duì)該基板傾斜時(shí)的該液體于該膜表面的后退接觸角進(jìn)行測(cè)定的步驟；以及基于所測(cè)定的該后退接觸角的值、與根據(jù)曝光條件所定的該后退接觸角的容許范圍的比較，判斷該膜對(duì)于該曝光條件的適性的步驟。根據(jù)本發(fā)明，可對(duì)設(shè)有不同種類膜的復(fù)數(shù)基板分別良好地進(jìn)行液浸曝光。


圖1顯示曝光裝置的一實(shí)施方式的示意構(gòu)成圖。圖2用以說(shuō)明使基板曝光時(shí)的液浸區(qū)域與基板的位置關(guān)系圖。圖3A顯示基板一例的截面圖。圖;3B顯示基板一例的截面圖。圖4顯示測(cè)量裝置的一實(shí)施方式的圖。圖5用以說(shuō)明附著力的圖。圖6用以說(shuō)明曝光方法的一實(shí)施方式的流程圖。圖7顯示用以導(dǎo)出靜態(tài)接觸角與滑落角與容許速度的關(guān)系所進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖。圖8顯示靜態(tài)接觸角與滑落角與容許速度的關(guān)系圖。圖9用以說(shuō)明后退接觸角的圖。圖10顯示用以導(dǎo)出后退接觸角與容許速度的關(guān)系所進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖。圖11顯示后退接觸角與滑落角與容許速度的關(guān)系圖。
圖12用以說(shuō)明微組件之一制造工藝?yán)牧鞒虉D。主要組件符號(hào)說(shuō)明1液浸機(jī)構(gòu)11液體供給裝置12 供給口13供給管21液體回收裝置22 回收口23回收管60測(cè)量裝置61保持構(gòu)件62滴下構(gòu)件63觀察裝置64照明裝置65驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)70噴嘴構(gòu)件70A 下面91，93 移動(dòng)鏡92，94激光干涉儀96 凹部97 上面AR投影區(qū)域AX 光軸BP基座構(gòu)件CONT控制裝置DY顯示裝置EL曝光用光EX曝光裝置H搬送裝置IL照明光學(xué)系統(tǒng)INP輸入裝置Kl光路空間LR液浸區(qū)域LQ 液體LSl最終光學(xué)組件M 掩膜MST掩膜載臺(tái)MSTD掩膜載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MRY儲(chǔ)存裝置
P 基板PK 鏡筒PL投影光學(xué)系統(tǒng)PH基板保持具PST基板載臺(tái)PSTD基板載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置Rg 第 1 膜Sl S21曝光照射區(qū)域Tc 第 2 膜W 基材
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限定于此。第1實(shí)施方式針對(duì)第1實(shí)施方式做說(shuō)明。圖1顯示第1實(shí)施方式的曝光裝置EX的示意構(gòu)成圖。 于圖1中，曝光裝置EX具有掩膜載臺(tái)MST (可保持著掩膜M做移動(dòng))、基板載臺(tái)PST (具有保持基板P的基板保持具PH，可將保持著基板P的基板保持具PH做移動(dòng))、照明光學(xué)系統(tǒng) IL (以曝光用光EL來(lái)照明保持在掩膜載臺(tái)MST的掩膜M)、投影光學(xué)系統(tǒng)PL (將以曝光用光 EL照明后的掩膜M的圖案像投影在基板Pi)、以及控制裝置CONT (控制曝光裝置EX整體的動(dòng)作)。于控制裝置CONT連接著儲(chǔ)存有關(guān)于曝光處理信息的儲(chǔ)存裝置MRY、用以輸入關(guān)于曝光處理信息的輸入裝置INP、以及用以顯示關(guān)于曝光處理信息的顯示裝置DY。輸入裝置 INP包含例如鍵盤或是觸控面板等。顯示裝置DY包含例如液晶顯示器等顯示器裝置。又， 曝光裝置EX具備對(duì)基板載臺(tái)PST搬送基板P的搬送裝置H。本實(shí)施方式的曝光裝置EX為采用液浸法(為了使曝光波長(zhǎng)實(shí)質(zhì)變短來(lái)提高分辨率，并實(shí)質(zhì)增大焦點(diǎn)深度)的液浸曝光裝置，具備液浸機(jī)構(gòu)1，用以以液體LQ充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面附近的曝光用光EL的光路空間Kl。液浸機(jī)構(gòu)1設(shè)置于光路空間Kl附近，具備噴嘴構(gòu)件70 (具有供給液體IjQ的供給口 12以及回收液體W的回收口 22)、液體供給裝置11 (透過(guò)供給管13以及設(shè)置在噴嘴構(gòu)件70的供給口 12來(lái)供給液體LQ)、以及液體回收裝置21 (透過(guò)設(shè)置在噴嘴構(gòu)件70的回收口 22以及回收管23來(lái)回收液體LQ)。噴嘴構(gòu)件 70在基板P (基板載臺(tái)PST)的上方形成為環(huán)狀而將構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的復(fù)數(shù)光學(xué)組件當(dāng)中最接近投影光學(xué)系統(tǒng)PL像面的最終光學(xué)組件LSl加以圍繞。又，本實(shí)施方式的曝光裝置EX采用局部液浸方式，即，在基板P上的一部份區(qū)域 (包含投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR)局部形成較投影區(qū)域AR大且較基板P小的液體LQ 的液浸區(qū)域LR。曝光裝置EX至少在將掩膜M的圖案像投影至基板P之間，使用液浸機(jī)構(gòu) 1，由以液體LQ充滿最接近投影光學(xué)系統(tǒng)PL像面的最終光學(xué)組件LSl和配置在與最終光學(xué)組件LSl對(duì)向的位置的基板P之間的曝光用光EL的光路空間K1，以在基板P上形成液體 LQ的液浸區(qū)域LR，透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL與液浸區(qū)域LR的液體LQ將通過(guò)掩膜M的曝光用光EL照射于基板P上，由此將掩膜M的圖案像投影至基板P?？刂蒲b置CONT使用液浸機(jī)構(gòu) 1的液體供給裝置11供給既定量的液體LQ，并使用液體回收裝置21對(duì)液體LQ做既定量回收，由此，以液體LQ來(lái)充滿光路空間K1，而在基板P上的部分區(qū)域局部形成液體LQ的液浸區(qū)域LR。又，于本實(shí)施方式中，就液浸區(qū)域LR形成于基板P上的情況做說(shuō)明，但也可在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)龋渲糜谂c最終光學(xué)組件LSl對(duì)向的位置的物體上(例如包含基板P 的基板載臺(tái)PST的上面等)處形成。又，曝光裝置EX具備測(cè)量裝置60，用以測(cè)量在基板P表面與液體LQ之間所作用的附著力(附著能)。于本實(shí)施方式中，測(cè)量裝置60設(shè)置于搬送裝置H的搬送路徑上。在本實(shí)施方式中，在曝光裝置EX方面所舉例說(shuō)明者為使用掃描型曝光裝置(所謂的掃描步進(jìn)機(jī))，一邊使掩膜M與基板P朝掃描方向同步移動(dòng)一邊將形成于掩膜M的圖案曝光于基板P上。于以下的說(shuō)明中，將水平面內(nèi)掩膜M與基板P的同步移動(dòng)方向(掃描方向) 定為Y軸方向，將水平面內(nèi)與Y軸方向呈正交的方向定為X軸方向(非掃描方向)，將垂直于X軸方向及Y軸方向且和投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX為一致的方向定為Z軸方向。又， 繞X軸、Y軸、Z軸的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別定為ΘΧ、ΘΥ、ΘΖ方向。又，此處所說(shuō)的“基板”包含于半導(dǎo)體晶圓等的基材上涂布了感光材(光刻膠)者，“掩膜”包含形成有縮小投影在基板上的組件圖案的光柵。照明光學(xué)系統(tǒng)IL具有曝光用光源、將曝光用光源所射出的光束照度予以均勻化的光學(xué)積分器、將來(lái)自光學(xué)積分器的曝光用光EL加以聚光的聚光透鏡、延遲透鏡系統(tǒng)、以及對(duì)曝光用光EL在掩膜M上的照明區(qū)域進(jìn)行設(shè)定的視野光闌等。掩膜M上的既定照明區(qū)域由照明光學(xué)系統(tǒng)IL以均勻的照度分布的曝光用光EL來(lái)照明。自照明光學(xué)系統(tǒng)IL所射出的曝光用光EL，可使用例如自水銀燈所射出的亮線(g線、h線、i線)以及KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)M8nm)等遠(yuǎn)紫外光(DUV光)、ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)以及F2激光(波長(zhǎng) 157nm)等的真空紫外光(VUV光)等。于本實(shí)施方式中使用ArF準(zhǔn)分子激光。于本實(shí)施方式中，液體LQ使用純水。純水不僅可讓ArF準(zhǔn)分子激光穿透，且也可讓例如水銀燈所射出的亮線(g線、h線、i線)以及KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)M8nm)等遠(yuǎn)紫外光(DUV光)穿透。掩膜載臺(tái)MST可保持掩膜M進(jìn)行移動(dòng)。掩膜載臺(tái)MST使用真空吸附(或是靜電吸附)機(jī)構(gòu)來(lái)將掩膜M加以保持。掩膜載臺(tái)MST可由掩膜載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MSTD (包含由控制裝置CONT所控制的線性馬達(dá)等)的驅(qū)動(dòng)，在保持著掩膜M的狀態(tài)下，而可在垂直于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX的平面內(nèi)(即XY平面內(nèi))做2維空間移動(dòng)以及θ Z方向的微旋轉(zhuǎn)。于掩膜載臺(tái)MST上設(shè)置有移動(dòng)鏡91。又，于既定位置設(shè)有激光干涉儀92。掩膜載臺(tái)MST上的掩膜M的2維空間方向的位置、以及θ Z方向的旋轉(zhuǎn)角(有時(shí)也包含ΘΧ、θ Y方向的旋轉(zhuǎn)角)使用移動(dòng)鏡91由激光干涉儀92做實(shí)時(shí)測(cè)量。激光干涉儀92的測(cè)量結(jié)果輸出至控制裝置C0NT。控制裝置CONT根據(jù)激光干涉儀92的測(cè)量結(jié)果來(lái)驅(qū)動(dòng)掩膜載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MSTD， 而對(duì)保持在掩膜載臺(tái)MST的掩膜M進(jìn)行位置控制。投影光學(xué)系統(tǒng)PL將掩膜M的圖案以既定的投影倍率β投影曝光于基板P上，由復(fù)數(shù)光學(xué)組件所構(gòu)成，該等光學(xué)組件由鏡筒Hi所保持。于本實(shí)施方式中，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影倍率β為例如1/4、1/5、或是1/8的縮小系統(tǒng)。又，投影光學(xué)系統(tǒng)PL也可為等倍系統(tǒng)以及放大系統(tǒng)的任一者。又，投影光學(xué)系統(tǒng)PL也可為不含反射光學(xué)組件的折射系統(tǒng)、不含折射光學(xué)組件的反射系統(tǒng)、包含反射光學(xué)組件與折射光學(xué)組件的反射折射系統(tǒng)中任一者。又，于本實(shí)施方式中，構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的復(fù)數(shù)光學(xué)組件由鏡筒1 所保持而使只有最接近投影光學(xué)系統(tǒng)PL像面的最終光學(xué)組件LSl與液體LQ接觸?；遢d臺(tái)PST具有保持基板P的基板保持具PH，于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?，可于基座?gòu)件BP上移動(dòng)?；灞３志逷H使用例如真空吸附機(jī)構(gòu)等來(lái)保持基板P。于基板載臺(tái)PST上設(shè)有凹部96，用以保持基板P的基板保持具PH配置于凹部96。再者，基板載臺(tái) PST當(dāng)中凹部96以外的上面97是一平坦面，其高度與保持于基板保持具PH的基板P的表面為大致相同(同一面)。又，只要能持續(xù)充滿液體LQ于光路空間K1，則基板載臺(tái)PST的上面97與基板保持具PH所保持的基板P的表面也可有高低差?；遢d臺(tái)PST由驅(qū)動(dòng)基板載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD(包含以控制裝置CONT所控制的線性馬達(dá)等)，在透過(guò)基板保持具PH保持基板P的狀態(tài)下，于基座構(gòu)件BP上可在XY平面內(nèi)作2維空間移動(dòng)以及可在θ Z方向作微旋轉(zhuǎn)。再者基板載臺(tái)PST也能于Z軸方向、θ X方向、以及θ Y方向移動(dòng)。因此，保持于基板載臺(tái)PST的基板P的表面，可在X軸、Y軸、Z軸、 θ X、θ Y以及θ Z方向的6自由度方向移動(dòng)。于基板載臺(tái)PST的側(cè)面設(shè)置有移動(dòng)鏡93。又，于既定位置設(shè)置有激光干涉儀94。 基板載臺(tái)PST上的基板P的2維空間方向位置以及旋轉(zhuǎn)角使用移動(dòng)鏡93由激光干涉儀94 做實(shí)時(shí)測(cè)量。又，雖未圖標(biāo)，但曝光裝置EX具備用以檢測(cè)保持于基板載臺(tái)PST的基板P表面的面位置信息的聚焦校平(focus leveling)檢測(cè)系統(tǒng)。聚焦校平檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)基板P表面的面位置信息(Z軸方向的位置信息、以及ΘΧ與θ Y方向的傾斜信息)進(jìn)行檢測(cè)。激光干涉儀94的測(cè)量結(jié)果輸出至控制裝置C0NT。聚焦校平檢測(cè)系統(tǒng)的測(cè)量結(jié)果也輸出至控制裝置C0NT?？刂蒲b置CONT根據(jù)聚焦校平檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)結(jié)果來(lái)驅(qū)動(dòng)基板載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置 PSTD，對(duì)基板P的聚焦位置(Ζ位置)以及傾斜角(θ X、θ Y)進(jìn)行控制來(lái)調(diào)整基板P表面與透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL及液體LQ的像面的位置關(guān)系，且根據(jù)激光干涉儀94的測(cè)量結(jié)果，進(jìn)行基板P在X軸方向、Y軸方向以及ΘΖ方向的位置控制。其次，說(shuō)明液浸機(jī)構(gòu)1。液浸機(jī)構(gòu)1的液體供給裝置11具備收容液體LQ的槽、力口壓泵、將供給的液體LQ的溫度加以調(diào)整的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)、減低所供給的液體LQ中的氣體成分的除氣裝置、以及移除液體LQ中異物的過(guò)濾器單元等。供給管13的一端部連接于液體供給裝置11，供給管13的另一端部則連接于噴嘴構(gòu)件70。液體供給裝置11的液體供給動(dòng)作由控制裝置CONT所控制?？刂蒲b置CONT由對(duì)液體供給裝置11進(jìn)行控制，可調(diào)整來(lái)自供給口 12的每單位時(shí)間的液體供給量。又，液體供給裝置11的槽、加壓泵、溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)、除氣裝置、過(guò)濾器單元等曝光裝置EX無(wú)需全部具備，也可使用設(shè)置有曝光裝置EX的工廠等設(shè)備來(lái)取代。液浸機(jī)構(gòu)1的液體回收裝置21具備真空泵等的真空系統(tǒng)、將回收的液體LQ與氣體加以分離的氣液分離器、以及將回收的液體LQ加以收容的槽等?；厥展?3的一端部連接于液體回收裝置21，回收管23的另一端部則連接于噴嘴構(gòu)件70。液體回收裝置21的液體回收動(dòng)作由控制裝置CONT所控制?？刂蒲b置CONT由對(duì)液體回收裝置21進(jìn)行控制，而可調(diào)整透過(guò)回收口 22的每單位時(shí)間的液體回收量。又，液體回收裝置21的真空系統(tǒng)、氣液分離器、以及槽等曝光裝置EX無(wú)需全部具備，也可使用設(shè)置有曝光裝置EX的工廠等設(shè)備來(lái)取代。供給液體LQ的供給口 12以及回收液體LQ的回收口 22于噴嘴構(gòu)件70的下面70Α處形成。噴嘴構(gòu)件70的下面70A設(shè)置于與基板P的表面、以及基板載臺(tái)PST的上面97對(duì)向的位置。噴嘴構(gòu)件70設(shè)置成圍繞最終光學(xué)組件LSl側(cè)面的環(huán)狀構(gòu)件，供給口 12于噴嘴構(gòu)件70的下面70A以圍繞投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最終光學(xué)組件LSI (投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸 AX)的方式設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)。又，回收口 22于噴嘴構(gòu)件70的下面70A，相對(duì)最終光學(xué)組件LSl較供給口 12更位于外側(cè)(較供給口 12更離開)來(lái)設(shè)置，且設(shè)置成圍繞最終光學(xué)組件LSl與供給口 12。此外，控制裝置CONT使用液體供給裝置11對(duì)光路空間Kl供給既定量液體LQ，并使用液體回收裝置21將光路空間Kl的液體LQ做既定量回收，由此，以液體充滿在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P之間的曝光用光EL的光路空間Kl，而在基板P上局部形成液體LQ的液浸區(qū)域LR。在形成液體LQ的液浸區(qū)域LR時(shí)，控制裝置CONT分別驅(qū)動(dòng)液體供給裝置11與液體回收裝置21。一旦在控制裝置CONT的控制下自液體供給裝置11送出液體LQ，則自該液體供給裝置11所送出的液體LQ于流經(jīng)供給管13后，透過(guò)噴嘴構(gòu)件70的供給流路而自供給口 12供給于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?。又，一旦在控制裝置CONT的控制下驅(qū)動(dòng)液體回收裝置21，則投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊后wLQ會(huì)透過(guò)回收口 22而流入噴嘴構(gòu)件70 的回收流路，于流經(jīng)回收管23后，被回收于液體回收裝置21。圖2用以說(shuō)明使基板P曝光時(shí)液浸區(qū)域LR與保持基板P的基板載臺(tái)PST的位置關(guān)系一例的圖。如圖2所示，于基板P上將復(fù)數(shù)的曝光照射區(qū)域Sl S21設(shè)定成數(shù)組狀。 如上述般，本實(shí)施方式的曝光裝置EX —邊使掩膜M與基板P朝Y軸方向(掃描方向)移動(dòng)，一邊將掩膜M的圖案投影曝光于基板P，當(dāng)對(duì)基板P的曝光照射區(qū)域Sl S21分別進(jìn)行曝光時(shí)，控制裝置CONT在圖2中例如箭頭yl所示般使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR以及覆蓋投影區(qū)域AR的液浸區(qū)域LR與基板P做相對(duì)移動(dòng)，同時(shí)透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的液體 LQ對(duì)基板P上照射曝光用光EL?？刂蒲b置CONT以投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR(曝光用光EL)在基板P沿著箭頭yl移動(dòng)的方式控制基板載臺(tái)PST的動(dòng)作?？刂蒲b置CONT于一個(gè)曝光照射區(qū)域的曝光結(jié)束后，將基板P (基板載臺(tái)PST)做步進(jìn)移動(dòng)而將下一曝光照射區(qū)域移動(dòng)至掃描開始位置，然后，一邊以步進(jìn)掃描方式移動(dòng)基板P，一邊依序?qū)Ω髌毓庹丈鋮^(qū)域Sl S21進(jìn)行掃描曝光。又控制裝置CONT為了形成所欲狀態(tài)的液浸區(qū)域LR，乃控制液浸機(jī)構(gòu)1的動(dòng)作，使液體LQ的供給動(dòng)作與回收動(dòng)作并行。圖3A以及;3B用以說(shuō)明基板P的一例的截面圖。圖3A所示的基板P具有基材W、 于該基材W上面所形成的第1膜Rg?；腤包含硅晶圓。第1膜Rg由光刻膠(感光材) 所形成，以既定厚度被覆于幾乎占據(jù)基材W上面中央部的區(qū)域。又，圖:3B所示的基板P具有覆蓋第1膜Rg表面的第2膜Tc。第2膜Tc例如被稱為覆涂膜的保護(hù)膜或是反射防止膜。如上述般，于基板P表面形成有由光刻膠等所構(gòu)成的第1膜Rg、或是于該第1膜 Rg上層所設(shè)置的覆涂膜等的第2膜Tc。因此，于基板P最上層(基板P表面)所設(shè)置的膜于液浸曝光時(shí)形成與液體LQ接觸的液體接觸面。其次，參照?qǐng)D4說(shuō)明測(cè)量裝置60。于圖4中，測(cè)量裝置60具備保持基板P的保持構(gòu)件61、可對(duì)保持于保持構(gòu)件61的基板P表面滴下液體LQ的液滴的滴下構(gòu)件62、可觀察基板P表面的液體LQ (液滴)狀態(tài)的觀察裝置63、以及對(duì)基板P表面的液體LQ (液滴) 進(jìn)行照明的照明裝置64。
基板P由搬送裝置H負(fù)載(搬入)于保持構(gòu)件61，而保持構(gòu)件61則保持由搬送裝置H所搬送的基板P。搬送裝置H將曝光處理前的基板P搬送至保持構(gòu)件61。測(cè)量裝置 60測(cè)量曝光處理前的基板P。觀察裝置63具備光學(xué)系統(tǒng)以及以CXD等所構(gòu)成的攝像組件等。攝像組件可透過(guò)光學(xué)系統(tǒng)取得液體LQ的圖像(光學(xué)像)。于本實(shí)施方式中，觀察裝置63配置于保持在保持構(gòu)件61的基板P的+X側(cè)(一側(cè))，自離開基板P與保持構(gòu)件61的位置來(lái)觀察基板P上的液體LQ的液滴狀態(tài)。照明裝置64夾著基板P (保持構(gòu)件61)而設(shè)置在與觀察裝置63對(duì)向的位置。艮口， 照明裝置64配置于保持在保持構(gòu)件61的基板P的-X側(cè)(另一側(cè))，自離開基板P與保持構(gòu)件61的位置對(duì)基板P上的液體LQ的液滴進(jìn)行照明。因此，觀察裝置63可取得以照明裝置64所照明的液體LQ的液滴圖像。觀察裝置63與控制裝置CONT連接著，觀察裝置63將所取得的液體LQ的液滴圖像轉(zhuǎn)變?yōu)殡姎庑盘?hào)，將該信號(hào)(圖像信息)輸出至控制裝置C0NT。控制裝置CONT可將來(lái)自觀察裝置63的圖像信息顯示于顯示裝置DY。因此，于顯示裝置DY顯示出基板P表面的液體LQ的液滴圖像。測(cè)量裝置60具備可使保持有基板P的保持構(gòu)件61旋轉(zhuǎn)(傾斜)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)65。 驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)65的動(dòng)作由控制裝置CONT所控制，保持構(gòu)件61可在保持有基板P的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn) (傾斜)。于本實(shí)施方式中，保持有基板P的保持構(gòu)件61由驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)65的驅(qū)動(dòng)而朝ΘΧ方向旋轉(zhuǎn)(傾斜)。測(cè)量裝置60可測(cè)量于基板P表面與液體LQ之間所作用的附著力(附著能)E、液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角θ、以及液體LQ于基板P表面的滑落角a。附著力(附著能)E為使液體在物體表面(此處為基板P表面)移動(dòng)所需要的力。此處，參照?qǐng)D5來(lái)說(shuō)明附著力E。于圖5中，假定于基板P上的液滴的外形為圓的一部分的情況，即，當(dāng)假定圖5中在基板P上的液滴表面為理想球面時(shí)，附著力E定義為E= (mXgX sin α )/(2X π XR) (1)其中，m 在基板P上的液體U!的液滴質(zhì)量g:重力加速度α 對(duì)于水平面的滑落角R 在基板P上的液體LQ的液滴半徑滑落角α是液體的液滴附著于物體表面(此處為基板P的表面)的狀態(tài)下，將該物體表面相對(duì)于水平面傾斜時(shí)，于物體表面所附著的液體的液滴因?yàn)橹亓ψ饔枚路交?開始移動(dòng))時(shí)的角度。換言之，所謂的滑落角α是將附著有液體液滴的物體表面傾斜時(shí)，該液滴滑落的臨界角度。又，圖5中，θ表示液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角。接觸角θ指使液體液滴附著于物體表面(此處為基板P的表面)，在靜止?fàn)顟B(tài)下液滴表面與物體表面所成的角度 (取位于液體內(nèi)部的角度)。此處如上述般，液滴外形假定為圓的一部分，在圖5中，雖然將傾斜面與液體LQ的接觸角圖標(biāo)為θ，但是接觸角θ與水平面呈平行的面的接觸角。又，滴下構(gòu)件62可調(diào)整所滴下的液滴的質(zhì)量(或是體積)m，當(dāng)其質(zhì)量(或是體積)m為已知的情況，由測(cè)量接觸角 θ，可根據(jù)該接觸角θ來(lái)導(dǎo)出幾何學(xué)上的半徑R。再者，只要知道接觸角θ，則液滴與基板 P表面接觸的接觸面的半徑r(以下權(quán)宜地稱為“著液半徑r”)也可由幾何學(xué)來(lái)導(dǎo)出。同樣地，只要知道接觸角θ，則也可導(dǎo)出液體對(duì)于基板P表面的高度h。即，基板P表面的液體 LQ的液滴半徑R，是對(duì)應(yīng)于液體LQ的接觸角θ的值，由求出液體LQ的接觸角θ，即可求出上述⑴式的半徑R。如參照?qǐng)D3Α與;3Β所說(shuō)明般，于基板P上最上層所設(shè)置的膜，(第1膜Rg、第2膜 Tc)于液浸曝光時(shí)形成與液體LQ接觸的液體接觸面，根據(jù)該膜的種類(物性)，上述接觸角 Θ、滑落角α?xí)兓?。測(cè)量裝置60測(cè)量接觸角θ與滑落角α，而可對(duì)每個(gè)基板P求出附著力Ε。其次，參照?qǐng)D6的流程圖以說(shuō)明使用測(cè)量裝置60的測(cè)量順序及使基板P曝光時(shí)的一曝光順序例。若由搬送裝置H將曝光處理前的基板P負(fù)載于測(cè)量裝置60的保持構(gòu)件61，則控制裝置CONT使用測(cè)量裝置60開始測(cè)量動(dòng)作。首先，測(cè)量裝置60測(cè)量液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角θ (步驟SAl)。測(cè)量液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角θ時(shí)，測(cè)量裝置 60透過(guò)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)65來(lái)調(diào)整保持構(gòu)件61的位置(姿勢(shì))使保持于保持構(gòu)件61的基板P表面與水平面(XY平面)大致為平行。然后，測(cè)量裝置60對(duì)于與水平面呈大致平行的基板P 表面，自滴下構(gòu)件62將液體LQ的液滴滴下。滴下構(gòu)件62可調(diào)整所滴下的液滴的質(zhì)量(或是體積)m，而在基板P表面滴下質(zhì)量m的液滴。將質(zhì)量m的液滴配置于基板P表面后，測(cè)量裝置60以照明裝置64將配置在基板P表面的液滴加以照明，并使用觀察裝置63來(lái)取得液滴的圖像。觀察裝置63將所取得的關(guān)于圖像的圖像信息輸出至控制裝置C0NT?？刂蒲b置 CONT根據(jù)自觀察裝置63所輸出的信號(hào)(圖像信息)，將基板P表面的液滴圖像以顯示裝置 DY來(lái)顯示。又，控制裝置CONT將觀察裝置63所輸出的信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算處理(圖像處理)，根據(jù)其處理結(jié)果來(lái)求出基板P表面與液體LQ液滴的接觸角θ。如此一來(lái)，液體LQ于基板P 表面的靜態(tài)接觸角θ可由包含控制裝置CONT的測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量。又，包含控制裝置CONT的測(cè)量裝置60可導(dǎo)出在基板P上的液體LQ的液滴半徑 R(步驟SA》。如上述般，滴下構(gòu)件62可調(diào)整所滴下的液滴的質(zhì)量m，由于半徑R可由幾何學(xué)來(lái)導(dǎo)出，故包含控制裝置CONT的測(cè)量裝置60可根據(jù)已知值的液滴的質(zhì)量m與測(cè)量結(jié)果的接觸角θ，進(jìn)行既定的運(yùn)算處理，而可求出在基板P上的液體LQ的液滴半徑R。又此處滴下構(gòu)件62以可調(diào)整滴下的液滴質(zhì)量m來(lái)說(shuō)明，但液體LQ的密度(比重) P為已知，只要可調(diào)整滴下構(gòu)件62所滴下的液滴體積V，即可根據(jù)密度P與體積V來(lái)導(dǎo)出質(zhì)量 m(m = P XV)。其次，測(cè)量裝置60可測(cè)量基板P表面與液體LQ的滑落角α (步驟SA!3)。當(dāng)測(cè)量基板P表面與液體LQ的滑落角α?xí)r，測(cè)量裝置60在將質(zhì)量m的液滴配置于基板P表面的狀態(tài)下，如圖4中箭頭Kl所示般，使用驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)65將保持該基板P的保持構(gòu)件61朝θ X方向旋轉(zhuǎn)(傾斜)。伴隨保持構(gòu)件61的旋轉(zhuǎn)(傾斜)，基板P表面也旋轉(zhuǎn)(傾斜)。在基板P 旋轉(zhuǎn)之間，觀察裝置63持續(xù)觀察配置在基板P表面的液滴。伴隨基板P的旋轉(zhuǎn)，如圖4中箭頭Κ2所示般，于基板P表面所附著的液滴會(huì)因?yàn)橹亓ψ饔枚路交?開始移動(dòng))。觀察裝置63可觀察液滴滑出，而將所取得的關(guān)于圖像的圖像信息輸出至控制裝置C0NT。S卩，控制裝置CONT可根據(jù)自觀察裝置63輸出的信號(hào)(圖像信息)算出基板P表面的液滴開始移動(dòng)的時(shí)刻(滑出時(shí)刻)。又，控制裝置CONT可由驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)65對(duì)保持構(gòu)件61的驅(qū)動(dòng)量(傾斜量)來(lái)求出在基板P表面的液滴開始移動(dòng)時(shí)的基板P表面的角度(即滑落角)α。即，控制裝置CONT可根據(jù)自觀察裝置63所輸出的信號(hào)(圖像信息)與驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)65對(duì)保持構(gòu)件 61的驅(qū)動(dòng)量來(lái)求出在基板P表面的液體LQ液滴的滑落角a。以此方式，基板P表面的液體I^Q的滑落角α可由包含控制裝置CONT的測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量。又，也可將液滴狀態(tài)顯示于顯示裝置DY，而由目視來(lái)測(cè)量基板P表面的液滴開始移動(dòng)時(shí)的基板P表面的角度(即滑落角)α。其次，測(cè)量裝置60可求出在基板P與液體LQ的間所作用的附著力E (步驟SA4)。 由于由上述步驟SAl SA3來(lái)求出在基板P上的液滴質(zhì)量m、在基板P上的液體LQ的液滴半徑R、以及滑落角α，故由將此等值代入上述(1)式，而可求出在基板P表面與液體LQ之間所作用的附著力(附著能)Ε。如上述般，在基板P上的液體LQ的液滴半徑R對(duì)應(yīng)于液體LQ的接觸角θ的值， 故附著力E的值由基板P表面與液體LQ的接觸角θ、以及基板P表面與液體LQ的滑落角 α所決定。又，于上述步驟SAl SA3中，測(cè)量接觸角θ與滑落角α?xí)r，也可一邊改變液滴的質(zhì)量(或是體積)m，一邊進(jìn)行復(fù)數(shù)次的接觸角θ與滑落角α的測(cè)量動(dòng)作，使用由此等各測(cè)量動(dòng)作所得的接觸角θ、半徑R、滑落角α的平均值來(lái)導(dǎo)出附著力Ε。其次，控制裝置CONT根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件(步驟SA5)。即，控制裝置CONT根據(jù)由步驟SA4所導(dǎo)出的作用于基板P表面與液體 LQ之間的附著力Ε，以決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。如上述般，由于附著力E由液體LQ 于基板P表面的靜態(tài)接觸角θ、以及液體LQ于基板P表面的滑落角α所決定的值，故控制裝置CONT乃根據(jù)在步驟SAl所測(cè)量的測(cè)量結(jié)果的基板P表面與液體LQ的靜態(tài)接觸角θ、 以及在步驟SA3所測(cè)量的測(cè)量結(jié)果的基板P表面與液體LQ的滑落角α來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。此處，曝光條件包含使基板P移動(dòng)時(shí)的移動(dòng)條件、以及形成液浸區(qū)域LR時(shí)的液浸條件中至少一者?；錚的移動(dòng)條件包含基板P的移動(dòng)速度、加速度、減速度、移動(dòng)方向、以及朝單方向的連續(xù)移動(dòng)距離中至少一部分。又，液浸條件包含為了形成液浸區(qū)域LR而供給液體LQ時(shí)的供給條件、將形成液浸區(qū)域LR的液體LQ回收時(shí)的回收條件中至少一者。供給條件包含自供給口 12對(duì)光路空間 Kl每單位時(shí)間的液體供給量?；厥諚l件包含自回收口 22的每單位時(shí)間的液體回收量。又，所謂的曝光條件，不僅僅在將曝光用光EL照射于基板P上的各曝光照射區(qū)域的曝光中，也包含各曝光照射區(qū)域的曝光前、以及/或是曝光后。又，在對(duì)應(yīng)基板P表面的膜與液體LQ的靜態(tài)接觸角θ等，液體LQ的壓力產(chǎn)生變化，而有可能因投影光學(xué)系統(tǒng)PL (最終光學(xué)組件LSI)的變動(dòng)造成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性發(fā)生變動(dòng)的情況，也能以用以補(bǔ)償光學(xué)特性變動(dòng)的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的調(diào)整條件做為曝光條件而儲(chǔ)存于儲(chǔ)存裝置MRY。
于儲(chǔ)存裝置MRY事先儲(chǔ)存有關(guān)于對(duì)應(yīng)附著力E的最佳曝光條件的信息。具體而言， 儲(chǔ)存裝置MRY將液浸曝光時(shí)基板P上接觸于液體LQ的液體接觸面所形成的膜和液體LQ之間所作用的附著力E以及與對(duì)應(yīng)該附著力E的最佳曝光條件的關(guān)系以復(fù)數(shù)地圖數(shù)據(jù)(map data)的形式來(lái)儲(chǔ)存。關(guān)于對(duì)應(yīng)該附著力E的最佳曝光條件的信息(地圖數(shù)據(jù))可由事先的實(shí)驗(yàn)或是仿真來(lái)求出，而儲(chǔ)存于儲(chǔ)存裝置MRY。于本實(shí)施方式中，為了簡(jiǎn)單說(shuō)明起見，儲(chǔ)存裝置MRY中儲(chǔ)存有關(guān)于對(duì)應(yīng)附著力E的基板P最佳移動(dòng)速度的信息、及關(guān)于對(duì)應(yīng)附著力E的每單位時(shí)間最佳液體供給量的信息來(lái)做為對(duì)應(yīng)附著力E的最佳曝光條件。控制裝置CONT根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果與儲(chǔ)存裝置MRY的儲(chǔ)存信息來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。即，控制裝置CONT根據(jù)步驟SA4所求出的基板P表面與液體LQ 間所作用的附著力E、儲(chǔ)存裝置MRY所事先儲(chǔ)存的關(guān)于對(duì)應(yīng)附著力E的最佳曝光條件的信息 (地圖數(shù)據(jù))，而自儲(chǔ)存裝置MRY的儲(chǔ)存信息(地圖數(shù)據(jù))中選擇、決定對(duì)于待曝光處理的基板P的最佳曝光條件。在本實(shí)施方式中，控制裝置CONT對(duì)應(yīng)附著力E來(lái)決定基板P的移動(dòng)速度，與液浸機(jī)構(gòu)1對(duì)光路空間Kl每單位時(shí)間的液體供給量。此外，控制裝置CONT使用搬送裝置H將測(cè)量裝置60結(jié)束測(cè)量的基板P負(fù)載于基板載臺(tái)PST，根據(jù)由步驟SA5所決定的曝光條件來(lái)對(duì)基板P進(jìn)行液浸曝光(步驟SA6)。在本實(shí)施方式中，控制裝置CONT根據(jù)步驟SA5所決定的曝光條件，一邊調(diào)整基板 P的移動(dòng)速度與液浸機(jī)構(gòu)1對(duì)光路空間Kl每單位時(shí)間的液體供給量，一邊對(duì)基板P的各曝光照射區(qū)域進(jìn)行曝光。例如，當(dāng)作用于待曝光處理的基板P表面與液體LQ之間的附著力E大的情況，若將基板P的移動(dòng)速度高速化，則可能難以以液體LQ良好地充滿光路空間K1，于是控制裝置 CONT根據(jù)附著力E來(lái)減慢基板P的移動(dòng)速度。由此，可在以液體LQ良好地充滿光路空間 Kl的狀態(tài)下，使基板P曝光。另一方面，當(dāng)附著力E小的情況，可將基板P的移動(dòng)速度高速化，而可提高處理量。此處，基板P的移動(dòng)速度當(dāng)然包含關(guān)于Y軸方向(掃描方向)的移動(dòng)速度，另外也包含關(guān)于X軸方向(步進(jìn)方向)的移動(dòng)速度。又，控制裝置CONT根據(jù)所決定的曝光條件來(lái)控制液浸機(jī)構(gòu)1的動(dòng)作，調(diào)整對(duì)光路空間Kl每單位時(shí)間的液體供給量。例如，當(dāng)作用于待曝光處理的基板P表面與液體LQ之間的附著力E小的情況，液體LQ中可能變得容易生成氣泡。因此，當(dāng)附著力E小的情況，控制裝置CONT根據(jù)附著力E增加對(duì)光路空間Kl每單位時(shí)間的液體供給量，自供給口 12將除氣后的液體LQ大量供給于光路空間K1。由此，即使在光路空間Kl的液體LQ中存在氣泡的情形，也可將該氣泡溶入經(jīng)除氣的液體LQ中，而使其減少或消失。因此，可在以所希望狀態(tài)的液體LQ充滿光路空間Kl的狀態(tài)下，使基板P曝光。又，即使光路空間Kl有氣泡生成，仍可由所大量供給的液體LQ，將氣泡從光路空間Kl中立即驅(qū)趕走。另一方面，當(dāng)附著力E大的情況，可減少對(duì)光路空間Kl每單位時(shí)間的液體供給量，而可抑制所使用的液體LQ的量。如以上所說(shuō)明般，對(duì)應(yīng)于基板P表面與液體LQ間所作用的附著力E來(lái)決定使基板 P曝光時(shí)的曝光條件，因此可對(duì)形成有不同種類的膜的復(fù)數(shù)基板P分別良好地進(jìn)行液浸曝光。因此，可提升液浸曝光裝置EX的通用性。
又，如上述般，基板P的移動(dòng)條件，可包含移動(dòng)基板P時(shí)的加減速度、以及對(duì)于光路空間Kl的移動(dòng)方向(移動(dòng)軌跡)等?？刂蒲b置CONT可根據(jù)附著力E來(lái)決定加減速度、移動(dòng)方向(移動(dòng)軌跡)，并基于該決定的加減速度、移動(dòng)方向(移動(dòng)軌跡)，一邊控制基板載臺(tái) PST的動(dòng)作、一邊對(duì)基板P進(jìn)行液浸曝光。此時(shí)，可于儲(chǔ)存裝置MRY中事先儲(chǔ)存關(guān)于與附著力E對(duì)應(yīng)的最佳加速度、移動(dòng)方向(移動(dòng)軌跡)等的信息，控制裝置CONT則可根據(jù)附著力E 與儲(chǔ)存裝置MRY的儲(chǔ)存信息來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的最佳加速度、移動(dòng)方向(移動(dòng)軌跡)。 做為一例，當(dāng)附著力E大的情況，若將基板P的加速度高速化，由于可能難以以液體LQ良好地充滿光路空間K1，因此將基板P的加速度減低。另一方面，當(dāng)附著力E小的情況，可增加基板P的加速度。又，上述供給條件，也可包含對(duì)光路空間Kl的液體供給位置(距離)、供給方向等。 艮口，供給條件可包含對(duì)光路空間Kl的供給口 12的位置、距離、數(shù)量等。控制裝置CONT可根據(jù)附著力E來(lái)決定該等供給條件，并根據(jù)該決定的供給條件，一邊控制液浸機(jī)構(gòu)1的動(dòng)作， 一邊對(duì)基板P進(jìn)行液浸曝光。此時(shí)，也可于儲(chǔ)存裝置MRY中事先儲(chǔ)存關(guān)于與附著力E對(duì)應(yīng)的最佳供給位置(距離)、供給方向等信息，而控制裝置CONT可根據(jù)附著力E與儲(chǔ)存裝置 MRY的儲(chǔ)存信息來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的最佳供給條件?？刂蒲b置CONT由對(duì)應(yīng)附著力E來(lái)調(diào)整供給液體LQ時(shí)的供給條件，可良好地供給液體LQ，而形成所欲狀態(tài)的液浸區(qū)域LR。又，如上述般，液浸條件，也包含將光路空間Kl的液體LQ回收時(shí)的回收條件?；厥諚l件，不僅僅是自光路空間Kl每單位時(shí)間的液體回收量，也包含對(duì)光路空間Kl的液體回收位置(距離)、回收方向等。即，回收條件，可包含液體回收裝置21的回收力(吸引力)、對(duì)光路空間Kl的回收口 22的位置、距離、數(shù)量等?？刂蒲b置CONT可根據(jù)附著力E來(lái)決定該等回收條件，而可根據(jù)該決定的回收條件來(lái)一邊控制液浸機(jī)構(gòu)1的動(dòng)作，一邊對(duì)基板P進(jìn)行液浸曝光。此時(shí)，也可于儲(chǔ)存裝置MRY中事先儲(chǔ)存關(guān)于與附著力E對(duì)應(yīng)的最佳每單位時(shí)間的液體回收量、回收位置(距離)、回收方向等的信息，控制裝置CONT可根據(jù)附著力E與儲(chǔ)存裝置MRY的儲(chǔ)存信息來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的最佳回收條件。雖伴隨附著力E的不同， 回收液體LQ時(shí)液浸機(jī)構(gòu)1的回收性(回收能力)有可能會(huì)變動(dòng)，但控制裝置CONT可對(duì)應(yīng)于附著力E來(lái)調(diào)整回收液體LQ時(shí)的回收條件，以良好地回收液體LQ，而形成所欲狀態(tài)的液浸區(qū)域LR。又，于本實(shí)施方式中，于儲(chǔ)存裝置MRY所儲(chǔ)存的條件，當(dāng)然為使基板P的移動(dòng)條件與液浸條件最佳化者。例如，在基板P的移動(dòng)速度為高速的情況，由增加每單位時(shí)間的液體供給量，并以對(duì)應(yīng)該液體供給量的液體回收量來(lái)回收液體LQ，以將液體LQ良好地充滿于光路空間K1。另一方面，當(dāng)基板P的移動(dòng)速度為相對(duì)低速的情況，可減低每單位時(shí)間的液體供給量。又，于上述實(shí)施方式中，由一個(gè)測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角θ、以及液體LQ于基板P表面的滑落角α，但也可個(gè)別設(shè)置用以測(cè)量基板P表面與液體LQ的靜態(tài)接觸角θ的第1測(cè)量裝置，以及用以測(cè)量基板P表面與液體LQ的滑落角α 的第2測(cè)量裝置。又，于上述實(shí)施方式中，測(cè)量裝置60設(shè)置于搬送裝置H的搬送路徑上，但測(cè)量裝置 60的設(shè)置位置也可為搬送裝置H的搬送路徑上以外的位置。又，于上述實(shí)施方式中，對(duì)每片基板P進(jìn)行在測(cè)量裝置60的測(cè)量，但當(dāng)在表面所形成的膜與先前所測(cè)量的基板P為相同的情況，也可省略在測(cè)量裝置60的測(cè)量。例如，也可僅對(duì)由復(fù)數(shù)片基板P所構(gòu)成的一批次中前列的基板P以測(cè)量裝置60來(lái)進(jìn)行測(cè)量。又，于上述實(shí)施方式中，根據(jù)在測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果，來(lái)決定對(duì)測(cè)量后基板P的曝光條件，但也可對(duì)該測(cè)量后基板P上的每個(gè)曝光照射區(qū)域設(shè)定不同的曝光條件。又，于上述實(shí)施方式中，使用純水做為液體LQ，求出對(duì)于該液體LQ的基板P的附著力E，根據(jù)該附著力E來(lái)決定使基板P曝光的曝光條件，但也可將液體LQ改為例如氟系油等液體LQ的種類(物性)，來(lái)將附著力E調(diào)整為所欲值。又，也可根據(jù)該附著力E來(lái)決定曝光條件。或者，通過(guò)于液體(純水)LQ中添加既定的材料(添加物)來(lái)改變?cè)撘后w(純水)LQ的物性。又，于上述第1實(shí)施方式中，說(shuō)明了為制造組件而在實(shí)際受到曝光的基板P表面配置液體LQ的液滴，并以測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量使該基板P傾斜時(shí)的液滴狀態(tài)，但也可例如于具有與實(shí)際受到曝光的基板P表面大致同樣表面的物體(例如測(cè)試基板)上配置液滴，并測(cè)量使該物體表面傾斜時(shí)的液滴狀態(tài)。第2實(shí)施方式其次，說(shuō)明第2實(shí)施方式。于以下的說(shuō)明中，與上述實(shí)施方式相同或同等的構(gòu)成部分賦予相同符號(hào)而簡(jiǎn)略或省略其說(shuō)明。于上述實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)待曝光處理的基板P與液體(純水)LQ的附著力E來(lái)決定(調(diào)整)使基板P曝光時(shí)的曝光條件，但也可設(shè)定附著力E的容許范圍，在使基板P曝光之前，判斷該基板P對(duì)液體(純水)LQ是否具有容許范圍的附著力E的膜，即判斷是否為具有適合進(jìn)行液浸曝光處理的膜的基板P。例如，可在儲(chǔ)存裝置MRY中事先儲(chǔ)存用以判斷是否為適合進(jìn)行液浸曝光處理的附著力E的指針值(容許值)，根據(jù)該指針值來(lái)判斷是否為適合進(jìn)行液浸曝光處理的附著力E。此指針值可由例如實(shí)驗(yàn)或仿真來(lái)預(yù)先求出。然后，根據(jù)上述的判斷結(jié)果，而避免對(duì)具有不適當(dāng)膜的基板P進(jìn)行曝光處理。例如，對(duì)由搬送裝置H搬送至測(cè)量裝置60的基板P的液體(純水)LQ的附著力E進(jìn)行測(cè)量，當(dāng)所測(cè)量的附著力E在預(yù)定容許范圍以外時(shí)，不將該基板P負(fù)載于基板載臺(tái)PST。由此，即可不會(huì)對(duì)具有不適于液浸曝光處理的膜的基板P進(jìn)行曝光，可防止液體LQ的漏出等，有助于曝光裝置EX的運(yùn)轉(zhuǎn)率的提升。又，即使于本實(shí)施方式中，也可改變液體LQ的種類(物性)而使作用于基板P表面與液體LQ間的附著力E在容許范圍?；蛘?，通過(guò)于液體(純水)LQ中添加既定材料(添加物)以使得作用于基板P表面與液體LQ間的附著力E在容許范圍。第3實(shí)施方式其次針對(duì)第3實(shí)施方式做說(shuō)明。于上述第1與第2實(shí)施方式中，以曝光裝置EX內(nèi)的測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角θ、以及液體LQ于基板P表面的滑落角α，但也可不于曝光裝置EX內(nèi)搭載測(cè)量裝置60，而以其它裝置來(lái)測(cè)量靜態(tài)接觸角 θ與滑落角α。在本實(shí)施方式中，為了決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件，液體LQ于基板P 表面的靜態(tài)接觸角θ的信息、以及液體LQ于基板P表面的滑落角α的信息透過(guò)輸入裝置 INP輸入控制裝置CONT。控制裝置CONT根據(jù)由輸入裝置INP所輸入的接觸角θ的信息、 以及滑落角α的信息來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。即，控制裝置CONT根據(jù)由輸入裝置INP所輸入的接觸角θ的信息、以及滑落角α的信息，與上述實(shí)施方式同樣，導(dǎo)出附著力E，根據(jù)該導(dǎo)出的附著力E以及事先儲(chǔ)存于儲(chǔ)存裝置MRY的關(guān)于與附著力E對(duì)應(yīng)的最佳曝光條件的信息(地圖數(shù)據(jù))來(lái)決定對(duì)于待曝光處理的基板P的最適曝光條件。又，輸入于輸入裝置INP的數(shù)據(jù)，也可為根據(jù)所測(cè)量的接觸角θ與滑落角α所計(jì)算的附著力Ε?；蛘撸部刹贿M(jìn)行測(cè)量，而為事先所知的物性值數(shù)據(jù)(靜態(tài)接觸角θ與滑落角α、或是附著力Ε)。又，于上述第1實(shí)施方式 第3實(shí)施方式中，于儲(chǔ)存裝置MRY中儲(chǔ)存有附著力(靜態(tài)接觸角與滑落角)與最佳曝光條件的關(guān)系，但也可將根據(jù)實(shí)驗(yàn)或仿真的結(jié)果所決定的函數(shù)事先儲(chǔ)存于儲(chǔ)存裝置MRY，使用該函數(shù)來(lái)求出對(duì)附著力E的最佳曝光條件。第4實(shí)施方式其次針對(duì)第4實(shí)施方式做說(shuō)明。于上述第1實(shí)施方式 第3實(shí)施方式中，根據(jù)液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角θ、液體LQ于基板P表面的滑落角α來(lái)導(dǎo)出附著力Ε， 對(duì)應(yīng)于該附著力E來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件，而本實(shí)施方式的特征部分則是在于使基板P曝光時(shí)的曝光條件是根據(jù)式(θ -tX α )來(lái)決定這點(diǎn)。于本實(shí)施方式中，控制裝置CONT根據(jù)以下述( 式所定義的值UU = ( θ -tX α ) (2)來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。其中，θ 液體U!于基板P表面的靜態(tài)接觸角θα 液體IjQ于基板P表面的滑落角αt:既定的常數(shù)本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)到對(duì)應(yīng)于值U( = θ-tX α),可將基板P上的液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)的曝光條件(基板P的移動(dòng)條件、液浸條件等)會(huì)有變化。即，將曝光裝置EX的最終光學(xué)組件LSl與基板P的膜之間的光路空間Kl以液體LQ充滿而于基板P上形成液體 LQ的液浸區(qū)域LR時(shí)，可將液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)的曝光條件系按照與基板P的膜以及液體LQ對(duì)應(yīng)的值U而變化。因此，對(duì)應(yīng)于值U來(lái)設(shè)定最佳曝光條件，由此可在避免發(fā)生液體LQ的流出、以及于液體LQ中生成氣泡等不佳情形之下，使基板P曝光。例如，于上述曝光條件中，包含基板P的移動(dòng)條件。即，當(dāng)在曝光裝置EX的最終光學(xué)組件LSl與基板P的膜之間的光路空間Kl以液體LQ充滿而在膜上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR的狀態(tài)下移動(dòng)基板P (膜)時(shí)，可將液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)的最大速度(以下稱為容許速度)按照與基板P的膜以及液體LQ對(duì)應(yīng)的值U而變化。因此，只要在與值U對(duì)應(yīng)的容許速度以下來(lái)移動(dòng)基板P，即可抑制液體LQ的流出、以及于液體LQ中生成氣泡等不佳情形的發(fā)生，同時(shí)在此狀態(tài)下使基板P曝光。于本實(shí)施方式中，控制裝置CONT根據(jù)上述值U來(lái)決定移動(dòng)基板P時(shí)的移動(dòng)條件 (基板P的移動(dòng)速度)。圖7顯示用以導(dǎo)出值U與容許速度的關(guān)系所進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的一例。實(shí)驗(yàn)改變于基板P上的最上層(基板P表面)所設(shè)置的膜的種類，分別測(cè)定該等復(fù)數(shù)種類的膜與液體 LQ的靜態(tài)接觸角θ、以及與液體LQ的滑落角α，并分別求出各膜的值U、以及各膜的基板P 的容許速度。又，于圖7的實(shí)驗(yàn)例所顯示的基板P的容許速度，在以液體LQ充滿于光路空間Κ1，使液體LQ不致流出的狀態(tài)下(于基板P上不殘留液體LQ的液滴以及膜)，可移動(dòng)基板P的速度。又，如圖7所示般，在本實(shí)驗(yàn)例中，準(zhǔn)備沈種類的膜，并分別對(duì)該等復(fù)數(shù)的膜取得數(shù)據(jù)。如上述般，測(cè)量裝置60可測(cè)量液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角θ、以及液體LQ 于基板P表面的滑落角α，在本實(shí)驗(yàn)例中，于各膜表面滴落既定量(例如50微升)的液體 LQ的液滴，使用測(cè)量裝置60來(lái)求出液體LQ于各膜的靜態(tài)接觸角θ以及滑落角α。又，既定的常數(shù)t對(duì)應(yīng)于例如噴嘴構(gòu)件70的構(gòu)造、能力(液體供給能力、液體回收能力等)所定的值，可由實(shí)驗(yàn)或仿真來(lái)導(dǎo)出。此外，于本實(shí)施例中，使既定的常數(shù)t = 1，根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果來(lái)分別導(dǎo)出各膜的值U(即θ-α)，并分別求出各膜的容許速度。如上述般，基板ρ上的膜由于形成液浸曝光時(shí)與液體W接觸的液體接觸面，故如圖7所示般，容許速度會(huì)對(duì)應(yīng)于膜的種類(物性)、即對(duì)應(yīng)于值U而變化。圖8顯示值U(其中t = 1)與容許速度的關(guān)系，即是將圖7的實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖形化的圖。在圖8中，顯示與上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)應(yīng)的點(diǎn)、以及將該等實(shí)驗(yàn)結(jié)果擬合后的近似曲線。如圖8所示般，可知容許速度對(duì)應(yīng)于值U(= θ-tXa)而變化。具體而言，可知值U愈大，容許速度愈大。因此，通過(guò)于基板P上設(shè)置值U大的膜，可在最終光學(xué)組件LSl與基板P (膜) 之間以液體LQ充滿的狀態(tài)下，一邊使基板P高速移動(dòng)，一邊使該基板P曝光。其次，針對(duì)使用測(cè)量裝置60的測(cè)量順序以及使基板P曝光時(shí)的曝光順序一例做說(shuō)明。當(dāng)對(duì)具有既定的膜的基板P進(jìn)行曝光時(shí)，控制裝置CONT在使該基板P曝光之前，使用測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量液體IjQ于基板P表面(膜)的靜態(tài)接觸角θ。又，控制裝置CONT使用測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量液體LQ于基板P表面(膜)的滑落角α。此外，控制裝置CONT根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果來(lái)求出值U(= Θ-tXa)。于儲(chǔ)存裝置MRY中事先儲(chǔ)存有用以導(dǎo)出與值U(靜態(tài)接觸角θ與滑落角α)對(duì)應(yīng)的基板P的容許速度的信息(函數(shù)、地圖數(shù)據(jù)等)。在本實(shí)施方式中，儲(chǔ)存裝置MRY以值U為變量，儲(chǔ)存有函數(shù)(例如與圖8的近似曲線對(duì)應(yīng)的函數(shù))來(lái)導(dǎo)出與該值U對(duì)應(yīng)的基板P的容許速度。如上述般，關(guān)于與此值U對(duì)應(yīng)的基板P的容許速度的信息，可由事先實(shí)驗(yàn)或仿真來(lái)求出，而儲(chǔ)存于儲(chǔ)存裝置MRY?？刂蒲b置CONT根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果與儲(chǔ)存裝置MRY的儲(chǔ)存信息來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件(基板P的移動(dòng)速度)。即，控制裝置CONT根據(jù)所求出的值U(靜態(tài)接觸角θ與滑落角α的信息)、以及于儲(chǔ)存裝置MRY所事先儲(chǔ)存的關(guān)于與值U對(duì)應(yīng)的基板P的容許速度的信息，以避免超過(guò)容許速度的方式來(lái)決定待曝光處理的基板P的移動(dòng)速度。此外，控制裝置CONT根據(jù)所決定的曝光條件(基板P的移動(dòng)速度)來(lái)對(duì)基板P進(jìn)行液浸曝光。例如，當(dāng)與待曝光處理的基板P表面和液體LQ對(duì)應(yīng)的值U小的情況，若將基板 P的移動(dòng)速度高速化，由于有可能難以將液體LQ良好地充滿光路空間Κ1，故控制裝置CONT 對(duì)應(yīng)于值U來(lái)減緩基板P的移動(dòng)速度。由此，可在以液體LQ良好充滿光路空間Kl的狀態(tài)下，使基板P曝光。另一方面，當(dāng)值U大的情況下，可使得基板P的移動(dòng)速度高速化，而提升處理量。又，若考慮到處理量，則基板P的移動(dòng)速度較佳為設(shè)定成與值U對(duì)應(yīng)的容許速度。又，基板P的移動(dòng)速度不僅是基板P上照射著曝光用光EL的曝光中的移動(dòng)速度 (掃描速度)，尚包含于曝光照射間所進(jìn)行的步進(jìn)中的移動(dòng)速度(步進(jìn)速度)。
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如以上所說(shuō)明般，由于根據(jù)式(θ-tX α)來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件，故可對(duì)形成有不同種類膜的復(fù)數(shù)的基板P分別進(jìn)行良好的液浸曝光。因此，可提升液浸曝光裝置EX的通用性。又，于本實(shí)施方式中，根據(jù)值U來(lái)決定基板P的移動(dòng)速度，可決定基板P的加速度、 減速度、移動(dòng)方向(移動(dòng)軌跡)、以及朝特定方向的連續(xù)移動(dòng)距離中至少一部分。即，也可事先求出可將基板P上液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)的最大加速度、最大減速度、最大移動(dòng)距離中至少一部分與值U的關(guān)系，以避免超過(guò)自對(duì)應(yīng)于基板P的膜與液體LQ的值U所求出的容許值的方式來(lái)決定加速度、減速度、移動(dòng)距離中至少一部分。又，當(dāng)值U小的情況，由于隨基板P的移動(dòng)方向的不同，液浸區(qū)域LR可能無(wú)法維持于所欲狀態(tài)，故也可對(duì)應(yīng)于值U來(lái)限制基板P的移動(dòng)方向、或是將基板P朝既定方向移動(dòng)時(shí)的速度設(shè)定為較朝其它方向移動(dòng)時(shí)的速度來(lái)得低。又，可根據(jù)值U來(lái)決定形成液浸區(qū)域LR時(shí)的液浸條件(包含為了形成液浸區(qū)域LR 而供給液體LQ時(shí)的供給條件、以及將形成液浸區(qū)域LR的液體LQ回收時(shí)的回收條件)。例如，只要事先求出在基板P上可將液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)的最大液體供給量與值U的關(guān)系，也能以避免超過(guò)從值U所求得的容許值的方式來(lái)決定液體W的供給量。 又，于第4實(shí)施方式中，也可設(shè)定值U的容許范圍，在使基板P曝光之前，判斷該基板P是否對(duì)于液體(純水)具有容許范圍的值U的膜、即判斷是否為具有適合進(jìn)行液浸曝光處理的膜的基板P。又，于第4實(shí)施方式中，也可分別設(shè)置用以測(cè)量液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角θ的第1測(cè)量裝置、以及用以測(cè)量液體LQ于基板P表面的滑落角α的第2測(cè)量裝置。又，于上述第4實(shí)施方式中，說(shuō)明了為了制造組件而在實(shí)際被曝光的基板P表面配置液體LQ的液滴，以測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量將該基板P傾斜時(shí)的液滴狀態(tài)，但也可例如在具有與實(shí)際被曝光的基板P表面大致相同表面的物體(例如測(cè)試基板等)上配置液滴，測(cè)量將該物體表面傾斜時(shí)的液滴狀態(tài)。第5實(shí)施方式于上述第4實(shí)施方式中，可不于曝光裝置EX內(nèi)搭載測(cè)量裝置60，而以有別于曝光裝置EX的其它裝置來(lái)測(cè)量靜態(tài)接觸角θ與滑落角a。此外，為了決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件，可將液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角θ信息以及液體LQ于基板P表面的滑落角α信息透過(guò)輸入裝置INP輸入至控制裝置CONT?？刂蒲b置CONT根據(jù)從輸入裝置INP 所輸入的接觸角θ信息以及滑落角α信息來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。即，控制裝置CONT根據(jù)從輸入裝置INP所輸入的接觸角θ信息以及滑落角α信息，與上述實(shí)施方式同樣，導(dǎo)出值U，根據(jù)該導(dǎo)出的值U以及于儲(chǔ)存裝置MRY所事先儲(chǔ)存的從值U導(dǎo)出可將液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)的條件的信息，決定對(duì)于待曝光處理的基板P的最佳曝光條件。 當(dāng)然，也可從輸入裝置INP輸入值U,決定最佳曝光條件。第6實(shí)施方式其次針對(duì)第6實(shí)施方式做說(shuō)明。本實(shí)施方式的特征部分，是根據(jù)使基板P表面傾斜時(shí)的基板P表面與液體LQ的后退接觸角來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。于本實(shí)施方式中，控制裝置CONT根據(jù)使基板P表面傾斜時(shí)的基板P表面與液體LQ 的后退接觸角θ κ來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。
參照?qǐng)D9的示意圖來(lái)說(shuō)明后退接觸角θκ。所謂的后退接觸角θκ，在物體表面(此處為基板P表面)附著了液體LQ的狀態(tài)下，相對(duì)于水平面使該物體表面傾斜之際，于物體表面所附著的液體LQ的液滴受到重力作用而向下方滑出(開始移動(dòng))時(shí)的液滴后側(cè)的接觸角。換言之，所謂的后退接觸角θ κ，將附著有液體LQ液滴的物體表面傾斜時(shí)，該液滴滑落的滑落角α的臨界角度中的液滴后側(cè)的接觸角。又，所謂于物體表面所附著的液體LQ 的液滴因?yàn)橹亓ψ饔贸路交?開始移動(dòng))之時(shí)，意指液滴開始移動(dòng)的瞬間，但也可為移動(dòng)即將開始、以及移動(dòng)開始不久后的至少一部分的狀態(tài)。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)對(duì)應(yīng)于基板P表面的液體LQ的后退接觸角θ R,在基板P上可將液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)的曝光條件(基板P的移動(dòng)條件、液浸條件等)會(huì)變化。即，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)將曝光裝置EX的最終光學(xué)組件LSl與基板P的膜之間以液體LQ充滿而于基板 P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR時(shí)，可將液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)的曝光條件會(huì)根據(jù)與基板P的膜以及液體LQ對(duì)應(yīng)的后退接觸角91；而變化。因此，由對(duì)應(yīng)于后退接觸角91；來(lái)設(shè)定最佳曝光條件，可在避免液體LQ的流出、以及于液體LQ中產(chǎn)生氣泡等不良情況的狀態(tài)下，使基板P曝光。例如，于曝光條件中包含基板P的移動(dòng)速度。即，以液體LQ充滿曝光裝置EX的最終光學(xué)組件LSl與基板P的膜之間，在基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR時(shí)，可將液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)的最大速度(容許速度)依后退接觸角θ κ (對(duì)應(yīng)于基板P的膜以及液體LQ)而變化。因此，只要以與后退接觸角θ κ對(duì)應(yīng)的容許速度以下來(lái)移動(dòng)基板P，即可一邊抑制液體LQ的流出以及在液體LQ中生成氣泡等不良情形、一邊使基板P曝光。后退接觸角θ R可使用上述測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量。當(dāng)對(duì)于基板P表面的液體LQ的后退接觸角θ 1；進(jìn)行測(cè)量時(shí)，首先，測(cè)量裝置60透過(guò)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)65來(lái)調(diào)整保持構(gòu)件61的位置 (姿勢(shì))以使得保持于保持構(gòu)件61的基板P表面與水平面(XY平面)成為大致平行。然后，測(cè)量裝置60對(duì)于與水平面大致平行的基板P表面，自滴下構(gòu)件62滴下液體LQ的液滴。 然后，與參照?qǐng)D4所說(shuō)明的順序同樣，測(cè)量裝置60在基板P表面配置有液滴的狀態(tài)下，將保持有該基板P的保持構(gòu)件61使用驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)65朝θ X方向旋轉(zhuǎn)(傾斜)。伴隨保持構(gòu)件61 的旋轉(zhuǎn)(傾斜)，基板P表面也旋轉(zhuǎn)(傾斜)。伴隨基板P表面的旋轉(zhuǎn)(傾斜)，于基板P表面所附著的液滴會(huì)因?yàn)橹亓ψ饔贸路交?開始移動(dòng))。此時(shí)，測(cè)量裝置60以照明裝置 64對(duì)基板P表面所配置的液滴進(jìn)行照明，并使用觀察裝置63來(lái)取得液滴的圖像。觀察裝置 63可觀察液滴滑出的情形，將所取得的關(guān)于圖像的圖像信息輸出至控制裝置C0NT?？刂蒲b置CONT根據(jù)自觀察裝置63所輸出的信號(hào)(圖像信息)來(lái)求出基板P表面的液滴開始移動(dòng)的時(shí)刻(滑出時(shí)刻)。然后，控制裝置CONT對(duì)觀察裝置63所輸出的信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算處理(圖像處理)，根據(jù)該處理結(jié)果可求出基板P表面與液體LQ液滴的后退接觸角θκ。由此，基板 P表面與液體W的后退接觸角θ κ可由包含控制裝置CONT的測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量。又，控制裝置CONT可由驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)65對(duì)保持構(gòu)件61的驅(qū)動(dòng)量(傾斜量)來(lái)求出基板P表面的液滴開始移動(dòng)的時(shí)刻在基板P表面的角度(即滑落角)α。即，控制裝置CONT 可根據(jù)自觀察裝置63所輸出的信號(hào)(圖像信息)以及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)65對(duì)保持構(gòu)件61的驅(qū)動(dòng)量來(lái)求出基板P表面與液體LQ的液滴滑落角α。如此般，基板P表面與液體LQ的滑落角 α可由包含控制裝置CONT的測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量。又，控制裝置CONT可根據(jù)從觀察裝置63所輸出的信號(hào)(圖像信息)，將基板P表面的液滴的圖像以顯示裝置DY來(lái)顯示。因此，也可將液滴的狀態(tài)顯示于顯示裝置DY，由目視來(lái)測(cè)量當(dāng)基板P表面的液滴開始移動(dòng)時(shí)的基板P表面與液體LQ的后退接觸角θ RO圖10顯示為了導(dǎo)出后退接觸角θ R與容許速度的關(guān)系所進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。實(shí)驗(yàn)改變于基板P最上層(基板P表面)所設(shè)的膜種類，并對(duì)該等復(fù)數(shù)種類的膜分別與液體LQ 的后退接觸角θ κ進(jìn)行測(cè)量，且求出各膜個(gè)別的基板P容許速度。又，圖10的實(shí)驗(yàn)例所示的基板P的容許速度可一邊將光路空間Kl以液體LQ充滿、一邊在液體LQ不致流出的狀態(tài)下 (基板P上不殘留液體LQ的液滴與膜)來(lái)移動(dòng)基板P的速度。又，如圖10所示般，本實(shí)驗(yàn)例中準(zhǔn)備M種類的膜，針對(duì)該等復(fù)數(shù)膜分別取得各數(shù)據(jù)。如上述般，測(cè)量裝置60可測(cè)量基板P表面與液體LQ的后退接觸角θ κ，在本實(shí)驗(yàn)例中，于各膜表面滴下數(shù)十微升(例如50微升)的液體LQ，使用測(cè)量裝置60來(lái)求出各膜與液體LQ的后退接觸角θκ。圖11顯示后退接觸角θ R與容許速度的關(guān)系，即將圖10的實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖形化者。在圖11中，顯示了與上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)應(yīng)的點(diǎn)、以及將該等實(shí)驗(yàn)結(jié)果擬合后的近似曲線。如圖 11所示般，已知容許速度系對(duì)應(yīng)于基板P表面與液體LQ的后退接觸角θ R而變化。具體而言，已知后退接觸角θ 1；愈大，容許速度愈大。因此，由于基板P上設(shè)置對(duì)液體LQ的后退接觸角θ κ大的膜，可在最終光學(xué)組件LSl與基板P(膜)之間以液體LQ充滿的狀態(tài)下，一邊高速移動(dòng)基板P、一邊使該基板P曝光。其次，針對(duì)使用測(cè)量裝置60的測(cè)量順序以及使基板P曝光時(shí)的曝光順序的一例做說(shuō)明。當(dāng)對(duì)具有既定膜的基板P進(jìn)行曝光時(shí)，控制裝置C0NT，在該基板P進(jìn)行曝光之前，使用測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量基板P表面(膜)與液體LQ的后退接觸角θ RO然后，控制裝置CONT 根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果、即根據(jù)后退接觸角θ κ，來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。 在本實(shí)施方式中，控制裝置CONT決定將基板P移動(dòng)時(shí)的移動(dòng)條件(基板P的移動(dòng)速度)以做為曝光條件之一。此處，于儲(chǔ)存裝置MRY中事先儲(chǔ)存有用以導(dǎo)出與液體LQ的后退接觸角θ R對(duì)應(yīng)的基板P的容許速度的信息(函數(shù)、地圖數(shù)據(jù)等)。在本實(shí)施方式中，儲(chǔ)存裝置MRY以液體LQ 的后退接觸角θ “故為變量，儲(chǔ)存著用以導(dǎo)出與該后退接觸角θ κ對(duì)應(yīng)的基板P的容許速度的函數(shù)(例如與圖11的近似曲線對(duì)應(yīng)的函數(shù))。此關(guān)于與該后退接觸角θκ對(duì)應(yīng)的基板P 的容許速度的信息，可由事先實(shí)驗(yàn)或仿真來(lái)求出，而儲(chǔ)存于儲(chǔ)存裝置MRY。控制裝置CONT根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果以及儲(chǔ)存裝置MRY的儲(chǔ)存信息來(lái)決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件(基板P的移動(dòng)速度)。即，控制裝置CONT根據(jù)所求出的液體 I^Q的后退接觸角θ κ、以及于儲(chǔ)存裝置MRY所事先儲(chǔ)存的關(guān)于與液體IjQ后退接觸角91；對(duì)應(yīng)的基板P的容許速度的信息，以不致超過(guò)容許速度的方式來(lái)決定待曝光處理的基板P的最佳移動(dòng)速度。然后，控制裝置CONT根據(jù)所決定的曝光條件(基板P的移動(dòng)速度)來(lái)對(duì)基板P進(jìn)行液浸曝光。例如，當(dāng)液體LQ的后退接觸角θ κ小的情況，若使基板P的移動(dòng)速度高速化， 則可能難以以液體LQ良好地充滿光路空間Kl，故控制裝置CONT對(duì)應(yīng)于液體LQ的后退接觸角θ κ來(lái)減慢基板P的移動(dòng)速度。如此一來(lái)，可在以液體LQ良好地充滿光路空間Kl的狀態(tài)下，使基板P曝光。另一方面，當(dāng)液體LQ的后退接觸角θ κ大的情況，可將基板P的移動(dòng)速度高速化，而提高處理量。
又，若考慮處理量，基板P的移動(dòng)速度以設(shè)定為與后退接觸角91；對(duì)應(yīng)的容許速度為佳。又，基板P的移動(dòng)速度不僅是在基板P上照射曝光用光EL的曝光中的移動(dòng)速度 (掃描速度)，尚包含于曝光照射間所進(jìn)行的步進(jìn)中的移動(dòng)速度(步進(jìn)速度)。如以上說(shuō)明般，由于根據(jù)基板P表面與液體LQ的后退接觸角θ R來(lái)決定使基板P 曝光時(shí)的曝光條件，故可分別對(duì)形成有不同種類的膜的復(fù)數(shù)基板P良好地進(jìn)行液浸曝光。 因此，可提升液浸曝光裝置的通用性。又，于本實(shí)施方式中，根據(jù)液體LQ的后退接觸角θ R來(lái)決定基板P的移動(dòng)速度，可決定基板P的加速度、減速度、移動(dòng)方向(移動(dòng)軌跡)、以及朝特定方向的連續(xù)移動(dòng)距離中至少一部分。即，也可事先求出可將基板P上液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)的最大加速度、最大減速度、最大移動(dòng)距離的至少一部分與后退接觸角θ Ε的關(guān)系，以避免超過(guò)自后退接觸角 θ κ(對(duì)應(yīng)于基板P的膜以及液體LQ)所求出的容許值的方式來(lái)決定加速度、減速度、移動(dòng)距離的至少一部分。又，當(dāng)后退接觸角θ^」、的情況，由于隨基板P的移動(dòng)方向的不同，可能無(wú)法將液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)，故也可對(duì)應(yīng)于后退接觸角θ Ε來(lái)限制基板P的移動(dòng)方向、或是將基板P朝既定方向移動(dòng)時(shí)的速度設(shè)定為低于朝其它方向移動(dòng)時(shí)的速度。又，可根據(jù)后退接觸角θ R來(lái)決定形成液浸區(qū)域LR時(shí)的液浸條件(包含用以形成液浸區(qū)域LR而供應(yīng)液體LQ時(shí)的供給條件、以及將形成液浸區(qū)域LR的液體LQ回收時(shí)的回收條件)。例如，只要事先求出在基板P上可將液浸區(qū)域LR維持于所欲狀態(tài)的最大液體供給量與后退接觸角θ κ的關(guān)系，也能以避免超過(guò)從后退接觸角θ κ所求得的容許值的方式來(lái)決定液體LQ的供給量。又，于第6實(shí)施方式中，也可設(shè)定液體LQ的后退接觸角θ R的容許范圍，在使基板 P曝光之前，判斷該基板P是否對(duì)于液體(純水)具有為容許范圍的后退接觸角θκ的膜、 即判斷是否為具有適合液浸曝光處理的膜的基板P。又，于上述第6實(shí)施方式中，說(shuō)明了為了制造組件而在實(shí)際被曝光的基板P表面配置液體LQ的液滴，以測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量使該基板P傾斜時(shí)的液滴狀態(tài)，但也可例如在具有與實(shí)際被曝光的基板P表面大致相同表面的物體(例如測(cè)試基板等)上配置液滴，測(cè)量使該物體表面傾斜時(shí)的液滴狀態(tài)。第7實(shí)施方式又，于上述第6實(shí)施方式中，可不于曝光裝置EX內(nèi)搭載測(cè)量裝置60，以有別于曝光裝置EX的其它裝置來(lái)測(cè)量基板P表面與液體LQ的后退接觸角θκ。然后，為了決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件，將基板P表面與液體LQ的后退接觸角θ R信息透過(guò)輸入裝置INP 輸入至控制裝置CONT?？刂蒲b置CONT根據(jù)自輸入裝置INP所輸入的后退接觸角θκ信息， 決定使基板P曝光時(shí)的曝光條件。即，控制裝置CONT根據(jù)自輸入裝置INP所輸入的后退接觸角θκ信息、以及于儲(chǔ)存裝置MRY所事先儲(chǔ)存的用以自后退接觸角θκ導(dǎo)出可將液浸區(qū)域 LR維持于所欲狀態(tài)的條件的信息來(lái)決定對(duì)于待曝光處理的基板P的最佳曝光條件。又，于上述第1 第7實(shí)施方式中，也可將儲(chǔ)存裝置MRY的儲(chǔ)存信息隨時(shí)更新。例如，當(dāng)對(duì)具有在儲(chǔ)存裝置MRY中未儲(chǔ)存的更不同種類的膜的基板P進(jìn)行曝光時(shí)，只要對(duì)新的膜進(jìn)行實(shí)驗(yàn)或是仿真來(lái)求出與附著力(靜態(tài)接觸角以及滑落角)對(duì)應(yīng)的曝光條件，而將儲(chǔ)存于儲(chǔ)存裝置MRY的儲(chǔ)存信息加以更新即可。又，在儲(chǔ)存信息的更新上，也可例如透過(guò)包含網(wǎng)際網(wǎng)絡(luò)的通信裝置對(duì)曝光裝置EX(儲(chǔ)存裝置MRY)自遠(yuǎn)地來(lái)進(jìn)行。又，于上述第1實(shí)施方式 第7實(shí)施方式中，當(dāng)根據(jù)附著力E (靜態(tài)接觸角以及滑落角)、或是后退接觸角來(lái)決定基板P的移動(dòng)條件的情況，根據(jù)該移動(dòng)條件來(lái)調(diào)整劑量控制參數(shù)。即，控制裝置CONT根據(jù)所決定的基板P的移動(dòng)條件，將曝光用光EL的光量(強(qiáng)度)、 激光的脈沖震蕩周期、被照射曝光用光EL的投影區(qū)域AR在掃描方向的寬度的至少一者加以調(diào)整，使得對(duì)于基板P上各曝光照射區(qū)域的劑量最佳化。又，于上述第1實(shí)施方式 第7實(shí)施方式中，當(dāng)基板P表面的膜的附著力E、靜態(tài)接觸角θ、滑落角α、后退接觸角θ R等在曝光用光EL照射前后發(fā)生變化的情況，也可于曝光用光EL照射前后變更基板P的移動(dòng)條件以及液浸條件等。當(dāng)基板P表面的膜的附著力Ε、 靜態(tài)接觸角Θ、滑落角α、后退接觸角θ R等隨曝光用光EL照射的有無(wú)、與液體LQ的接觸時(shí)間、自基板P表面的膜形成后的經(jīng)過(guò)時(shí)間的至少一者變化的情況，較佳為考慮曝光用光 EL照射的有無(wú)、與液體LQ的接觸時(shí)間、自基板P表面的膜形成后的經(jīng)過(guò)時(shí)間的至少一者，來(lái)決定基板P的移動(dòng)條件以及液浸條件等的曝光條件。又，于上述第1 第7實(shí)施方式中，根據(jù)附著力E(靜態(tài)接觸角θ與滑落角α)、 或是后退接觸角θ κ來(lái)決定曝光條件，但也可考慮液體LQ的其它物性(黏性、揮發(fā)性、耐液性、表面張力、折射率的溫度依存性(dn/dT)、環(huán)境氣氛的溶存性(與液體LQ接觸的氣體在液體LQ中的溶解難易度)來(lái)決定曝光條件。又，于上述第1實(shí)施方式 第7實(shí)施方式中，根據(jù)附著力E(靜態(tài)接觸角θ與滑落角α)、或是后退接觸角θ 1；來(lái)決定曝光條件，但也可根據(jù)于基板P表面所形成的膜與液體界面的滑動(dòng)狀態(tài)(例如在基板P上形成有液浸區(qū)域的狀態(tài)下，將基板P以大致平行于本身表面的方式以既定速度移動(dòng)時(shí)所產(chǎn)生的在膜與液體界面的膜與液體的相對(duì)速度)來(lái)決定曝光條件。又，于上述第1實(shí)施方式 第7實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)于基板P表面的膜來(lái)決定基板P 的移動(dòng)條件以及液浸條件等，但當(dāng)于基板載臺(tái)PST的上面97等基板P以外的其它物體上形成液浸區(qū)域的情況，較佳為對(duì)應(yīng)于該物體表面的膜來(lái)決定基板載臺(tái)PST的移動(dòng)條件以及基板載臺(tái)PST上的液浸條件等。如上述般，本實(shí)施方式中的液體LQ使用純水。純水能輕易于半導(dǎo)體制造工廠等大量取得，且對(duì)于基板P上的光刻膠以及/或是光學(xué)組件(透鏡)等也無(wú)不良影響，為其優(yōu)點(diǎn)所在。又，純水對(duì)環(huán)境無(wú)不良影響，且雜質(zhì)含量極低，故也可期待對(duì)基板P表面以及在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端面所設(shè)置的光學(xué)組件表面進(jìn)行洗凈的作用。再者，純水(水)對(duì)于波長(zhǎng)193nm左右的曝光用光EL的折射率η為約1. 44左右， 當(dāng)曝光用光EL的光源使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)的情況，于基板P上可得到1/n、 即被短波長(zhǎng)化至約134nm的高分辨率。再者，焦點(diǎn)深度相較于空氣中被擴(kuò)大至約η倍(即約1. 44倍)，因此只要在可確保焦點(diǎn)深度與在空氣中使用時(shí)為相同程度的情況，即可進(jìn)一步增加投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑，此也有助于分辨率的提升。于本實(shí)施方式中，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端安裝有光學(xué)組件LS1，可由此光學(xué)組件來(lái)進(jìn)行投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性、例如像差(球面像差、慧形像差)的調(diào)整。又，于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端所安裝的光學(xué)組件，也可為在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性調(diào)整上所使用的光學(xué)板?；蛘咭部蔀榭纱┩钙毓庥霉釫L的平行平面板。
又，因液體LQ的流動(dòng)所產(chǎn)生的投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端的光學(xué)組件與基板P間壓力大的情況，該光學(xué)組件也可非可更換者，而是以壓力來(lái)牢固地固定使光學(xué)組件不能移動(dòng)。又，于本實(shí)施方式中，雖采用于投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P表面的間充滿液體LQ的構(gòu)成，但也可采用例如于基板P的表面安裝有由平行平面板所構(gòu)成的蓋玻璃的狀態(tài)下充滿液體LQ的構(gòu)成。又，于上述實(shí)施方式的投影光學(xué)系統(tǒng)，將前端的光學(xué)組件像面?zhèn)鹊墓饴房臻g以液體充滿，但也可采用國(guó)際公開第2004/019128號(hào)說(shuō)明書所揭示的于前端光學(xué)組件的物體面?zhèn)鹊墓饴房臻g也以液體充滿的投影光學(xué)系統(tǒng)。又，于本實(shí)施方式的液體LQ為水，但也可為水以外的液體，例如，當(dāng)曝光用光EL的光源為F2激光的情況，由于該F2激光無(wú)法穿透水，故液體LQ也可為可穿透F2激光的例如過(guò)氟聚醚(PFPE)或氟系油等氟系流體。此時(shí)，與液體LQ接觸的部分，由例如含氟的極性低分子結(jié)構(gòu)的物質(zhì)來(lái)形成薄膜以進(jìn)行親液化處理。又，液體LQ尚可使用對(duì)曝光用光EL具穿透性且折射率盡可能高、對(duì)于在投影光學(xué)系統(tǒng)PL以及/或是基板P表面所涂布的光刻膠呈穩(wěn)定者(例如柏木油)。又，液體LQ，也可使用折射率為1.6 1.8程度者。再者，也能以折射率高于石英與螢石(例如1. 6以上)的材料來(lái)形成光學(xué)組件LSI。又，上述各實(shí)施方式的基板P不僅可使用半導(dǎo)體組件制造用的半導(dǎo)體晶圓，也可使用顯示器組件用玻璃基板、薄膜磁頭用陶瓷晶圓、或是在曝光裝置所使用的掩膜或光柵的原版(合成石英、硅晶圓)等。在曝光裝置EX方面，除了使掩膜M與基板P同步移動(dòng)而對(duì)掩膜M的圖案進(jìn)行掃描曝光的步進(jìn)掃描方式的掃描型曝光裝置(掃描步進(jìn)機(jī))以外，尚可使用掩膜M與基板P在靜止?fàn)顟B(tài)下對(duì)掩膜M的圖案進(jìn)行全面曝光，讓基板P依序步進(jìn)移動(dòng)的步進(jìn)反復(fù)方式的投影曝光裝置(步進(jìn)機(jī))。又，曝光裝置EX，也可使用第1圖案與基板P在大致靜止的狀態(tài)下以投影光學(xué)系統(tǒng)(例如縮小倍率1/8的不含反射組件的折射型投影光學(xué)系統(tǒng))將第1圖案的縮小像在基板P上進(jìn)行全面曝光的方式的曝光裝置。此種情況下，可在之后進(jìn)一步使用縫合方式的全面曝光裝置，在第2圖案與基板P處于大致靜止的狀態(tài)下，使用投影光學(xué)系統(tǒng)將第2圖案的縮小像與第1圖案做部分重疊并在基板P上進(jìn)行全面曝光。又，縫合方式的曝光裝置，也可使用步進(jìn)縫合方式的曝光裝置，在基板P上使得至少兩個(gè)圖案部分重疊轉(zhuǎn)印，然后依序移動(dòng)基板P。又，本發(fā)明也可適用如日本特開平10-163099號(hào)公報(bào)、日本特開平10-214783號(hào)公報(bào)、日本特表2000-505958號(hào)公報(bào)等所揭示的具備復(fù)數(shù)基板載臺(tái)的雙載臺(tái)型曝光裝置。并且，本發(fā)明也可使用如日本特開平11-13M00號(hào)公報(bào)及日本特開2000-164504 號(hào)公報(bào)所揭示的具備保持基板的基板載臺(tái)與搭載形成有基準(zhǔn)記號(hào)的基準(zhǔn)構(gòu)件及各種光電傳感器的測(cè)量載臺(tái)的曝光裝置。又，于上述實(shí)施方式中，采用在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P之間局部充滿液體的曝光裝置，但本發(fā)明也可采用如日本特開平6-124873號(hào)公報(bào)、日本特開平10-303114號(hào)公報(bào)、 美國(guó)專利第5，825，043號(hào)案等所揭示的在曝光對(duì)象的基板表面整體浸于液體中的狀態(tài)下進(jìn)行曝光的液浸曝光裝置。
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曝光裝置EX的種類并不局限于對(duì)基板P進(jìn)行半導(dǎo)體組件圖案曝光的半導(dǎo)體組件制造用曝光裝置，也可廣泛地使用液晶顯示組件制造用或是顯示器制造用的曝光裝置，以及用以制造薄膜磁頭、攝像組件(CXD)或是光柵、掩膜等的曝光裝置等。又，于上述實(shí)施方式中，雖使用了于透光性基板上形成既定遮光圖案(或是相位圖案、減光圖案)的透光型掩膜，但也可取代此掩膜，改用如美國(guó)專利第6，778，257號(hào)公報(bào)所揭示的根據(jù)待曝光的圖案的電子數(shù)據(jù)來(lái)形成穿透圖案或反射圖案或是發(fā)光圖案的電子掩膜。又，本發(fā)明也可使用如國(guó)際公開第2001/035168號(hào)說(shuō)明書所揭示的通過(guò)將干涉條紋形成在基板P上，以在基板P上形成線與間隙圖案的曝光裝置(光刻系統(tǒng))。本案實(shí)施方式的曝光裝置EX，包含著于本案申請(qǐng)專利范圍所舉出各種構(gòu)成要素的各種準(zhǔn)系統(tǒng)，以維持既定的機(jī)械精度、電氣精度、光學(xué)精度的方式組裝而制造者。為了確保各種精度，于組裝的前后，針對(duì)各種光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行用以達(dá)成光學(xué)精度的調(diào)整，針對(duì)各種機(jī)械系統(tǒng)進(jìn)行用以達(dá)成機(jī)械精度的調(diào)整，針對(duì)各種電氣系統(tǒng)進(jìn)行用以達(dá)成電氣精度的調(diào)整。從各種準(zhǔn)系統(tǒng)組裝成為曝光裝置的步驟，包含各種準(zhǔn)系統(tǒng)相互的機(jī)械性連接、電氣電路的配線連接、氣壓回路的配管連接等。從各種準(zhǔn)系統(tǒng)組裝為曝光裝置的步驟前，當(dāng)然有各準(zhǔn)系統(tǒng)個(gè)別的組裝步驟。當(dāng)從各種準(zhǔn)系統(tǒng)組裝為曝光裝置的步驟結(jié)束后，進(jìn)行總體調(diào)整，確保曝光裝置全體的各種精度。又，曝光裝置的制造以于溫度與潔凈度等受到管理的無(wú)塵室進(jìn)行為佳。半導(dǎo)體組件等微組件，如圖12所示般，經(jīng)由下述步驟所制造者進(jìn)行微組件的功能、性能設(shè)計(jì)的步驟201 ；根據(jù)此設(shè)計(jì)步驟來(lái)制作掩膜(光柵)的步驟202 ；制造組件基材的基板的步驟203 ；包含以前述實(shí)施方式的曝光裝置EX將掩膜的圖案曝光于基板的步驟204 ； 組件組裝步驟(含切割步驟、結(jié)合步驟、封裝步驟)205 ；檢查步驟206等。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限制本發(fā)明，任何熟習(xí)該技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求書所要求的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種曝光方法，其特征在于，所述曝光方法具有 于基板上形成液體的液浸區(qū)域的步驟；根據(jù)在所述基板表面與所述液體之間作用的附著力來(lái)決定曝光條件的步驟；以及根據(jù)所述曝光條件透過(guò)所述液浸區(qū)域的所述液體使所述基板曝光的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述附著力是根據(jù)所述液體于所述基板表面的靜態(tài)接觸角、以及所述液體于所述基板表面的滑落角來(lái)決定。
3.如權(quán)利要求1或2所述的曝光方法，其特征在于，所述附著力E為 E = (mXgXsina )/(2Χ π XR)其中，m 在基板上的液體的液滴質(zhì)量 g 重力加速度 α 對(duì)水平面的滑落角 R 在基板上的液體的液滴半徑。
4.一種曝光方法，其特征在于，所述曝光方法具有 于基板上形成液體的液浸區(qū)域的步驟；根據(jù)所述液體于所述基板表面的靜態(tài)接觸角、與所述液體于所述基板表面的滑落角來(lái)決定曝光條件的步驟；以及根據(jù)所述曝光條件透過(guò)所述液浸區(qū)域的所述液體使所述基板曝光的步驟。
5.如權(quán)利要求4所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光條件是根據(jù)式(θ -tX a )來(lái)決定；其中， θ 所述液體于所述基板表面的靜態(tài)接觸角 a 所述液體于所述基板表面的滑落角 t 既定的常數(shù)。
6.如權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光條件的決定，包含對(duì)所述液體于所述基板表面的靜態(tài)接觸角進(jìn)行測(cè)量的步驟；以及對(duì)所述液體于所述基板表面的滑落角進(jìn)行測(cè)量的步驟。
7.—種曝光方法，其特征在于，所述曝光方法具有 于基板上形成液體的液浸區(qū)域的步驟；根據(jù)所述基板傾斜時(shí)所述液體于所述基板表面的后退接觸角來(lái)決定曝光條件的步驟；以及根據(jù)所述曝光條件透過(guò)所述液浸區(qū)域的所述液體使所述基板曝光的步驟。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其特征在于，所述基板的所述曝光，具有一邊移動(dòng)所述基板一邊透過(guò)所述液體對(duì)所述基板照射曝光用光的步驟；所述曝光條件包含移動(dòng)所述基板時(shí)的移動(dòng)條件。
9.如權(quán)利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述移動(dòng)條件包含所述基板的移動(dòng)速度、以及加速度中至少一者。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光條件包含形成所述液浸區(qū)域時(shí)的液浸條件。
11.如權(quán)利要求10所述的曝光方法，其特征在于，所述液浸條件包含對(duì)所述液浸區(qū)域供給所述液體的供給條件。
12.如權(quán)利要求11所述的曝光方法，其特征在于，所述供給條件包含每單位時(shí)間的液體供給量。
13.—種組件制造方法，其特征在于，所述方法使用權(quán)利要求1 12中任一項(xiàng)所述的曝光方法。
14.一種曝光裝置，該曝光裝置透過(guò)基板上形成的液浸區(qū)域的液體使所述基板曝光，其特征在于所述曝光裝置具備測(cè)量裝置，用以測(cè)量在所述基板表面與所述液體之間作用的附著力。
15.如權(quán)利要求14所述的曝光裝置，其特征在于，所述測(cè)量裝置具有 第1測(cè)量器，用以測(cè)量所述液體于所述基板表面的靜態(tài)接觸角；以及第2測(cè)量器，用以測(cè)量所述液體于所述基板表面的滑落角。
16.一種曝光裝置，該曝光裝置透過(guò)基板上形成的液浸區(qū)域的液體使所述基板曝光，其特征在于所述曝光裝置具備測(cè)量裝置，用以測(cè)量所述基板傾斜時(shí)所述液體于所述基板表面的后退接觸角。
17.如權(quán)利要求14或15所述的曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置進(jìn)一步具備 儲(chǔ)存裝置，供事先儲(chǔ)存與所述附著力對(duì)應(yīng)的信息；以及控制裝置，根據(jù)所述測(cè)量裝置的測(cè)量結(jié)果與所述儲(chǔ)存裝置的儲(chǔ)存信息來(lái)決定曝光條件。
18.如權(quán)利要求14或15所述的曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置進(jìn)一步具備控制裝置，該控制裝置根據(jù)所述測(cè)量裝置的測(cè)量結(jié)果來(lái)決定曝光條件。
19.如權(quán)利要求16所述的曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置進(jìn)一步具備 儲(chǔ)存裝置，供事先儲(chǔ)存與所述后退接觸角對(duì)應(yīng)的信息；以及控制裝置，根據(jù)所述測(cè)量裝置的測(cè)量結(jié)果與所述儲(chǔ)存裝置的儲(chǔ)存信息來(lái)決定曝光條件。
20.如權(quán)利要求16所述的曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置進(jìn)一步具備控制裝置， 該控制裝置根據(jù)所述測(cè)量裝置的測(cè)量結(jié)果來(lái)決定曝光條件。
21.一種曝光裝置，該曝光裝置透過(guò)基板上形成的液浸區(qū)域的液體使所述基板曝光，其特征在于，所述曝光裝置具備第1測(cè)量裝置，用以測(cè)量所述液體于所述基板表面的靜態(tài)接觸角； 第2測(cè)量裝置，用以測(cè)量所述液體于所述基板表面的滑落角；以及控制裝置，根據(jù)所述第1測(cè)量裝置的測(cè)量結(jié)果與所述第2測(cè)量裝置的測(cè)量結(jié)果來(lái)決定曝光條件。
22.—種曝光裝置，該曝光裝置透過(guò)基板上形成的液浸區(qū)域的液體使所述基板曝光，其特征在于，所述曝光裝置具備輸入裝置，用以輸入所述液體于所述基板表面的靜態(tài)接觸角信息、與所述液體于所述基板表面的滑落角信息；以及控制裝置，根據(jù)由所述輸入裝置所輸入的所述接觸角信息與所述滑落角信息來(lái)決定曝光條件。
23.如權(quán)利要求21或22所述的曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置進(jìn)一步具備儲(chǔ)存裝置，該儲(chǔ)存裝置儲(chǔ)存與所述靜態(tài)接觸角以及所述滑落角對(duì)應(yīng)的信息；所述控制裝置根據(jù)所述靜態(tài)接觸角及所述滑落角信息、與所述儲(chǔ)存裝置的儲(chǔ)存信息來(lái)決定曝光條件。
24.如權(quán)利要求21至23中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，所述控制裝置根據(jù)式 (θ-tX α)來(lái)決定所述曝光條件，其中θ 所述液體于所述基板表面的靜態(tài)接觸角α 所述液體于所述基板表面的滑落角t:既定的常數(shù)。
25.—種曝光裝置，該曝光裝置透過(guò)基板上形成的液浸區(qū)域的液體使所述基板曝光，其特征在于，所述曝光裝置具備輸入裝置，用以輸入所述基板表面傾斜時(shí)的所述液體于所述基板表面的后退接觸角信息；以及控制裝置，根據(jù)由所述輸入裝置所輸入的所述后退接觸角信息來(lái)決定曝光條件。
26.如權(quán)利要求25所述的曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置進(jìn)一步具備儲(chǔ)存裝置， 儲(chǔ)存與所述后退接觸角對(duì)應(yīng)的信息；所述控制裝置根據(jù)自所述輸入裝置所輸入的后退接觸角信息、以及所述儲(chǔ)存裝置的儲(chǔ)存信息來(lái)決定所述曝光條件。
27.如權(quán)利要求17至沈中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置進(jìn)一步具備可保持所述基板而移動(dòng)的可動(dòng)構(gòu)件；所述控制裝置根據(jù)所述曝光條件來(lái)控制所述可動(dòng)構(gòu)件的動(dòng)作。
28.如權(quán)利要求17至27中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置進(jìn)一步具備可形成所述液浸區(qū)域的液浸機(jī)構(gòu)；所述控制裝置根據(jù)所述曝光條件來(lái)控制所述液浸機(jī)構(gòu)的動(dòng)作。
29.—種組件制造方法，其特征在于，所述方法使用權(quán)利要求14至觀中任一項(xiàng)所述的曝光裝置。
30.一種膜的評(píng)估方法，該方法對(duì)在透過(guò)液體被曝光的基板所形成的膜進(jìn)行評(píng)估，其特征在于，所述方法具有對(duì)在所述膜與所述液體之間作用的附著力進(jìn)行測(cè)定的步驟；以及基于所測(cè)定的所述附著力的值、與根據(jù)曝光條件所定的所述附著力的容許范圍的比較，判斷所述膜對(duì)所述曝光條件的適性的步驟。
31.如權(quán)利要求30所述的膜的評(píng)估方法，其特征在于，所述附著力根據(jù)所述液體于所述膜表面的靜態(tài)接觸角、以及所述液體于所述膜表面的滑落角來(lái)定。
32.一種膜的評(píng)估方法，該方法對(duì)在透過(guò)液體被曝光的基板所形成的膜進(jìn)行評(píng)估，其特征在于，所述方法具有對(duì)所述基板傾斜時(shí)的所述液體于所述膜表面的后退接觸角進(jìn)行測(cè)定的步驟；以及基于所測(cè)定的所述后退接觸角的值、與根據(jù)曝光條件所定的所述后退接觸角的容許范圍的比較，判斷所述膜對(duì)于所述曝光條件的適性的步驟。
全文摘要
一種曝光方法、曝光裝置、組件制造方法、以及膜的評(píng)估方法，該曝光方法具有以下步驟于基板(P)上形成液體(LQ)的液浸區(qū)域(LR)的步驟；根據(jù)在基板(P)表面與液體(LQ)之間作用的附著力來(lái)決定曝光條件的步驟；根據(jù)曝光條件，透過(guò)液浸區(qū)域(LR)的液體(LQ)使基板(P)曝光的步驟。根據(jù)本發(fā)明，可對(duì)設(shè)有不同種類膜的復(fù)數(shù)基板分別良好地進(jìn)行液浸曝光。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102520592SQ20111044684
公開日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2006年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月27日
發(fā)明者長(zhǎng)坂博之 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康