專利名稱：液晶顯示裝置、以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及液晶顯示裝置。本發(fā)明特別涉及通過產(chǎn)生具有平行于襯底的成分的電場來控制液晶分子的半導(dǎo)體裝置及液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置的技術(shù)開發(fā)方針之一是擴大視角。作為實現(xiàn)廣視角的技術(shù)，現(xiàn)在采用通過產(chǎn)生平行于襯底(即，水平方向)的電場來在平行于襯底的一面內(nèi)移動液晶分子以控制灰度的方式。作為這種方式，可以舉出IPSan-Plane switching ；平面內(nèi)切換)和 FFS (Fringe-field switching ；邊緣場切換)。在IPS方式的液晶顯示裝置中，在一對襯底之一方上配置兩個梳狀電極(也稱為梳齒型電極或梳型電極)。由此，通過利用因這些電極(兩個梳狀電極之一是像素電極而另一是公共電極)之間的電位差而產(chǎn)生的橫向電場，在平行于襯底的一面內(nèi)移動液晶分子。作為FFS，可以舉出如下方式在液晶下配置具有開口的第二電極(例如，電壓根據(jù)每個像素被控制的像素電極)，并在所述開口下配置第一電極(例如，公共電壓被提供給所有像素的公共電極)。液晶因電場施加到像素電極和公共電極之間而被控制。因為水平方向的電場被施加到液晶，故可以利用所述電場控制液晶分子。換言之，能夠在平行于襯底的方向上控制被取向為與襯底平行的液晶分子(所謂的平行取向)，因此可以擴大視角。在控制液晶分子的現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置及液晶顯示裝置中，像素電極或公共電極由具有透光性的導(dǎo)電膜，例如銦錫氧化物andium Tin Oxide(ITO))形成(例如參照專利文件 1)。專利文件1日本專利第3742836號如上所述，像素電極或公共電極由具有透光性的導(dǎo)電膜，例如ITO構(gòu)成。當(dāng)制造控制液晶分子的透過型半導(dǎo)體裝置及透過型液晶顯示裝置時，需要使用具有透光性的導(dǎo)電膜形成像素電極及公共電極。在現(xiàn)有技術(shù)中，在形成具有透光性的導(dǎo)電膜之后通過蝕刻等成形，以形成像素電極及公共電極。因此，制造工序數(shù)量和掩模數(shù)量多，這導(dǎo)致了制造成本的增高。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種具有廣視角的半導(dǎo)體裝置、液晶顯示裝置、以及電子設(shè)備，其中制造工序數(shù)量和掩模數(shù)量少且制造成本低。在本發(fā)明中，作為液晶顯示裝置的像素電極或公共電極之一，形成具有透光性的導(dǎo)電膜(以下稱為透光導(dǎo)電膜)并將它在不成形的狀態(tài)下用作電極。因此，不需要對透光導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻等來成形，可以減少制造工序數(shù)量和光掩模數(shù)量，因而可以抑制制造成本。注意，液晶元件通過利用因像素電極和連接到像素部的多個像素的公共電極之間的電位差而產(chǎn)生的橫向電場，來在大致平行于襯底的方向上轉(zhuǎn)動控制光量的液晶分子的分子排列即可。本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，包括形成在襯底的一個表面的整個面上的第一電極；形成在該第一電極上的第一絕緣膜；形成在該第一絕緣膜上的薄膜晶體管；形成在該薄膜晶體管上的第二絕緣膜；形成在該第二絕緣膜上并具有多個開口的第二電極；以及所述第二電極上的液晶，其中通過利用所述第一電極和所述第二電極之間的電場控制所述液晶。在本發(fā)明中，所述薄膜晶體管是頂柵型薄膜晶體管。在本發(fā)明中，所述薄膜晶體管是底柵型薄膜晶體管。在本發(fā)明中，所述第一電極和所述第二電極是具有透光性的導(dǎo)電膜。在本發(fā)明中，所述第一電極或所述第二電極之一是具有透光性的導(dǎo)電膜，而所述第一電極或所述第二電極的另一個是具有反射性的導(dǎo)電膜。另外，本發(fā)明還涉及具備通過使用本發(fā)明而形成的液晶顯示裝置的電子設(shè)備。下面，說明可適用于本發(fā)明的液晶顯示裝置及半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。以下所述的結(jié)構(gòu)根據(jù)需要適用于本發(fā)明的液晶顯示裝置及半導(dǎo)體裝置即可。作為開關(guān)，可以使用各種形式的開關(guān)。例如，可以舉出電開關(guān)或機械開關(guān)等。換言之，只要是能夠控制電流流動的開關(guān)即可，不局限于特定的開關(guān)。例如，可以使用晶體管(例如雙極晶體管、MOS晶體管等)、二極管(例如，PN 二極管、PIN 二極管、肖特基二極管、MIM (Metal Insulator Metal ；金屬-絕緣體-金屬)二極管、MIS (Metal Insulator Semiconductor ；金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)二極管、以及二極管連接的晶體管等)、可控硅整流器等作為開關(guān)?；蛘撸梢允褂媒M合了這些的邏輯電路作為開關(guān)。作為機械開關(guān)的例子，可以舉出像數(shù)字微鏡裝置(DMD)那樣的采用了 MEMS(微電子機械系統(tǒng))技術(shù)的開關(guān)。該開關(guān)具有能夠機械工作的電極，該電極工作而控制連接及非連接。在晶體管用作開關(guān)的情況下，由于該晶體管只作為開關(guān)工作，所以對晶體管的極性(導(dǎo)電型)沒有特別的限制。但是，在想要抑制截止電流的情況下，優(yōu)選使用具有截止電流低一方的極性的晶體管。作為低截止電流的晶體管，可以舉出提供有LDD區(qū)域的晶體管或采用了多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管等?；蛘撸?dāng)用作開關(guān)的晶體管的源極端子的電位接近于低電位側(cè)電源(Vss、GND、0V等)的電位地工作時，優(yōu)選采用N溝道型晶體管，相反，當(dāng)源極端子的電位接近于高電位側(cè)電源(Vdd等)的電位地工作時，優(yōu)選采用P溝道型晶體管。這是因為如下緣故若是N溝道型晶體管，則當(dāng)源極端子接近于低電位側(cè)電源的電位地工作時可以增加?xùn)艠O-源極間電壓的絕對值，相反，若是P溝道型晶體管，則當(dāng)源極端子接近于高電位側(cè)電源的電位地工作時可以增加?xùn)艠O-源極間電壓的絕對值，因此，作為開關(guān)能夠進(jìn)行更準(zhǔn)確的工作。另外，這是因為由于進(jìn)行源極跟隨工作的情況少，所以，輸出電壓小的情況少的緣故。此外，可以通過使用N溝道型晶體管和P溝道型晶體管雙方來形成CMOS型開關(guān)。 當(dāng)采用CMOS型開關(guān)時，若P溝道型晶體管及N溝道型晶體管之一方導(dǎo)通則電流流動，因此容易用作開關(guān)。例如，即使輸向開關(guān)的輸入信號的電壓高或低，也可以適當(dāng)?shù)剌敵鲭妷骸Ｔ僬?，由于可以減少用來使開關(guān)導(dǎo)通或截止的信號的電壓振幅值，所以還可以減少耗電量。注意，在將晶體管用作開關(guān)的情況下，開關(guān)具有輸入端子(源極端子或漏極端子的一個)、輸出端子(源極端子或漏極端子的另一個)、以及控制導(dǎo)通的端子(柵極端子)。 另一方面，在將二極管用作開關(guān)的情況下，開關(guān)有時不具有控制導(dǎo)通的端子。因此，與使用晶體管作為開關(guān)的情況相比，通過使用二極管作為開關(guān)，可以進(jìn)一步減少用來控制端子的布線數(shù)量。注意，明顯地描述“A和B連接”的情況包括如下情況A和B電連接；A和B以功能方式連接；以及A和B直接連接。這里，以A和B為對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、 電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。因此，還包括除了附圖或文章所示的連接關(guān)系以外的連接關(guān)系， 而不局限于預(yù)定的連接關(guān)系如附圖或文章所示的連接關(guān)系。例如，在A和B電連接的情況下，也可以在A和B之間配置一個以上的能夠電連接 A和B的元件(例如開關(guān)、晶體管、電容元件、電感器、電阻元件、二極管等)。或者，在A和B 以功能方式連接的情況下，也可以在A和B之間配置一個以上的能夠以功能方式連接A和B 的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉(zhuǎn)換電路(DA轉(zhuǎn)換電路、 AD轉(zhuǎn)換電路、γ校正電路等)、電平轉(zhuǎn)換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、轉(zhuǎn)換信號電平的電平轉(zhuǎn)移電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差動放大電路、源極跟隨電路、緩沖電路等)、信號產(chǎn)生電路、存儲電路、控制電路等)?；蛘?，在A和B直接連接的情況下，也可以直接連接A和B而其中間不夾有其他元件或其他電路。注意，當(dāng)明顯描述“A和B直接連接”時，包括如下兩種情況A和B直接連接(就是說，A和B連接而其中間不夾有其他元件或其他電路)；A和B電連接(就是說，A和B連接并在其中間夾有其他元件或其他電路)。注意，當(dāng)明顯描述“A和B電連接”時，包括如下情況A和B電連接(就是說，A和 B連接并在其中間夾有其他元件或其他電路)；A和B以功能方式連接(就是說，A和B以功能方式連接并在其中間夾有其他電路)；以及，A和B直接連接(就是說，A和B連接而其中間不夾有其他元件或其他電路)。像這樣，當(dāng)明顯描述“電連接”時，其意思與只明顯描述 “連接”的情況相同。顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發(fā)光元件、以及作為具有發(fā)光元件的裝置的發(fā)光裝置可以采用各種方式或具有各種元件。例如，作為顯示元件、顯示裝置、 發(fā)光元件或發(fā)光裝置，可以使用對比度、亮度、反射率、透過率等因電磁作用而變化的顯示媒體，如EL(電致發(fā)光)元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、電子發(fā)射元件、液晶元件、電子墨、電泳元件、光柵閥(GLV)、等離子體顯示器(PDP)、數(shù)字微鏡裝置(DMD)、壓電陶瓷顯示器、碳納米管等。此外，作為使用EL元件的顯示裝置，可以舉出EL顯示器，另外，作為使用電子發(fā)射元件的顯示裝置，可以舉出場致發(fā)光顯示器(FED) 或 SED 方式平 0 型顯示器(SED Surface-conduct ion Electron-emitter Display ；表 HH專導(dǎo)電子發(fā)射顯示器)等，而作為使用液晶元件的顯示裝置，可以舉出液晶顯示器(透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)。作為使用電子墨或電泳元件的顯示裝置，可以舉出電子紙。
注意，EL元件是包括陽極、陰極、以及夾在陽極和陰極之間的EL層的元件。作為EL層，可以使用如下層利用來自單態(tài)激子的發(fā)光(熒光)的層；利用來自三重態(tài)激子的發(fā)光(磷光)的層；包括利用來自單態(tài)激子的發(fā)光(熒光)的層、以及利用來自三重態(tài)激子的發(fā)光(磷光)的層的層；由有機物構(gòu)成的層；由無機物構(gòu)成的層；包括由有機物構(gòu)成的層、以及由無機物構(gòu)成的層的層；高分子材料；低分子材料；包含高分子材料和低分子材料的層等。本發(fā)明可以采用各種EL元件，而不局限于如上所述的結(jié)構(gòu)。注意，電子發(fā)射元件是將高電場聚集到尖銳的陰極而引出電子的元件。例如，作為電子發(fā)射元件可以采用Spindt型、碳納米管(CNT)型、層疊了金屬-絕緣體-金屬的MIM (Metal-Insulator-Metal)型、層疊了金屬-絕緣體-半導(dǎo)體的MIS (Metal -Insulator-Semiconductor)型、MOS型、硅型、薄膜二極管型、金剛石型、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射SCD 型、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體-金屬型等的薄膜型、HEED型、EL型、多孔硅型、表面?zhèn)鲗?dǎo)(SED) 型等。但是，本發(fā)明可以采用各種電子發(fā)射元件，而不局限于此。注意，液晶元件是利用液晶的光學(xué)調(diào)制作用來控制透過光及不透過光的元件，其由一對電極及液晶構(gòu)成。由施加到液晶的電場(包括橫向電場、縱向電場或斜向電場)控制液晶的光學(xué)調(diào)制作用。作為液晶元件，可以使用向列液晶、膽甾醇型液晶、層列液晶、盤型液晶、熱致液晶、溶致液晶、低分子液晶、高分子液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶、主鏈型液晶、側(cè)鏈型高分子液晶、等離子體選址液晶(PALC)、香蕉型液晶、TNCTwisted Nematic ；扭轉(zhuǎn)向列)方式、 STN(Super Twisted Nematic ；超扭轉(zhuǎn)向列)方式、IPSan-Plane-Switching ；平面內(nèi)切換) 方式、FFS(Fringe Field Switching ；邊緣場切換)方式、MVA(Multi-domain Vertical Alignment ；多像限垂直配向)方式、PVA (Patterned Vertical Alignment ；垂直取向構(gòu)型)方式、ASV(Advanced Super View ；超視角)方式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell ；軸線對稱排列微單元)方式、OCB(Optical Compensated Birefringence ； 光學(xué)補償彎曲)方式、ECB(Electrically Controlled Birefringence ；電控雙折射)方
FLC(Ferroelectric Liquid Crystal :^ ! ) Tj^i, AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal ；反鐵電性液晶)、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal ；聚合物分散液晶)方式、賓主方式等。本發(fā)明可以采用各種液晶元件，而不局限于如上所述的結(jié)構(gòu)。注意，電子紙指的是如下電子紙諸如光學(xué)各向異性和染料分子取向之類的以分子進(jìn)行顯示的；諸如電泳、粒子移動、粒子轉(zhuǎn)動、相變之類的以粒子進(jìn)行顯示的；膜的一端移動而進(jìn)行顯示的；以分子的發(fā)色/相變而進(jìn)行顯示的；以分子的光吸收而進(jìn)行顯示的；電子和空穴結(jié)合而以自發(fā)光進(jìn)行顯示的，等等。例如，作為電子紙，可以采用微囊型電泳、水平移動型電泳、垂直移動型電泳、球狀旋轉(zhuǎn)球、磁旋轉(zhuǎn)球、圓柱旋轉(zhuǎn)球方式、帶電調(diào)色劑、電子粉流體、磁泳型、磁感熱式、電潤濕法、光散射(透明/白濁變化)、膽留醇型液晶/光導(dǎo)電層、膽留醇型液晶、雙穩(wěn)向列液晶、鐵電液晶、兩色性色素 液晶分散型、可動膜、由無色染料導(dǎo)致的發(fā)色及掉色、光致變色、電致變色、電沉積、柔性有機EL等。本發(fā)明可以采用各種電子紙，而不局限于如上所述的結(jié)構(gòu)。
這里，通過利用微囊型電泳，可以解決作為電泳方式的缺點的泳動粒子匯聚、沉積的問題。電子粉流體具有高速響應(yīng)性、高反射率、廣視角、低耗電量、存儲性等的優(yōu)點。注意，等離子體顯示器具有以狹小間隔配置有彼此相對的兩種襯底且封入有稀有氣體的結(jié)構(gòu)，該兩種襯底之一是在表面上形成有電極的襯底，而另一是在表面上形成有電極及微小的槽并在該槽內(nèi)形成有熒光體層的襯底。通過將電壓施加到電極之間，產(chǎn)生紫外線并使熒光體發(fā)光，因此可以進(jìn)行顯示。此外，作為等離子體顯示器，可以采用DC型PDP、 AC型PDP。等離子體顯示器面板可以采用如下驅(qū)動方法ASW(Address While Sustain)驅(qū)動；將子幀分割成復(fù)位期間、尋址期間、維持期間的ADS(AddreSS Display S印arated ；尋址與顯不分離)驅(qū)動；CLEAR (High-Contrast, Low Energy Address and Reduction of False Contour Sequence ；高對比度、低能量尋址及降低偽輪廓)驅(qū)動；ALIS(Alternate Lighting of Surfaces ；交替發(fā)光表面)方式；TERES (Technology of Reciprocal Sustainer ；倒易維持技術(shù))驅(qū)動等。本發(fā)明可以采用各種等離子體顯示器，而不局限于如上所述的結(jié)構(gòu)。注意，需要光源的顯示裝置，例如液晶顯示器(透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)、使用光柵閥(GLV)的顯示裝置、使用數(shù)字微鏡裝置(DMD)的顯示裝置等的光源可以采用電致發(fā)光、冷陰極管、熱陰極管、LED、激光光源、汞燈等。本發(fā)明可以采用各種光源，而不局限于此。此外，作為晶體管，可以使用各種方式的晶體管。因此，對晶體管的種類沒有限制。 例如，可以使用具有以非晶硅、多晶硅或微晶(也稱為半晶)硅為代表的非單晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管(TFT)等。在使用TFT的情況下，具有各種優(yōu)點。例如，可以在比使用單晶硅時低的溫度下制造TFT，因此可以實現(xiàn)制造成本的降低、或制造裝置的大型化。由于可以使用大型制造裝置，所以可以在大型襯底上制造。因此，可以同時制造多個顯示裝置，所以，能夠以低成本制造。再者，制造溫度低，因此可以使用低耐熱性襯底。因此，可以在具有透光性的襯底上制造晶體管。并且，可以通過使用形成在具有透光性的襯底上的晶體管控制在顯示元件上的光透過?；蛘?，因為晶體管的膜厚薄，所以構(gòu)成晶體管的膜的一部分能夠透過光。 因此，可以提高開口率。注意，當(dāng)制造多晶硅時，可以使用催化劑(鎳等)來進(jìn)一步提高結(jié)晶性，并可以制造電特性良好的晶體管。其結(jié)果，可以在襯底上一體形成柵極驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路)、源極驅(qū)動電路(信號線驅(qū)動電路)、以及信號處理電路(信號產(chǎn)生電路、Y校正電路、 DA轉(zhuǎn)換電路等)。注意，當(dāng)制造微晶硅時，可以使用催化劑(鎳等)來進(jìn)一步提高結(jié)晶性，并可以制造電特性良好的晶體管。此時，通過只進(jìn)行熱處理而不進(jìn)行激光照射，可以提高結(jié)晶性。其結(jié)果，可以在襯底上一體形成柵極驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路)和源極驅(qū)動電路的一部分 (模擬開關(guān)等)。再者，當(dāng)不進(jìn)行激光照射以實現(xiàn)結(jié)晶化時，可以抑制硅結(jié)晶性的不均勻。因此，可以實現(xiàn)高圖像質(zhì)量。注意，可以制造多晶硅或微晶硅而不使用催化劑(鎳等)。注意，優(yōu)選在整個面板上將硅的結(jié)晶性提高到多晶或微晶等，但是本發(fā)明不局限于此。也可以只在面板的部分區(qū)域上提高硅的結(jié)晶性。為了選擇性地提高結(jié)晶性，可以選擇性地照射激光等。
例如，也可以只對除了像素以外的外圍電路區(qū)域照射激光?；蛘?，也可以只對柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路等的區(qū)域照射激光?；蛘?，也可以只對源極驅(qū)動電路的一部分(例如模擬開關(guān))區(qū)域照射激光。其結(jié)果，可以只在需要使電路高速工作的區(qū)域上提高硅的結(jié)晶化。像素區(qū)域不需要高速工作，因此即使結(jié)晶性不提高，也可以使像素電路工作而沒有問題。由于需要提高結(jié)晶性的區(qū)域少，所以可以減少制造工序，因此可以提高生產(chǎn)率，并可以降低制造成本。由于所需要的制造裝置少，所以可以降低制造成本?；蛘撸梢酝ㄟ^使用半導(dǎo)體襯底或SOI襯底等形成晶體管。因此，可以制造電流供給能力高且尺寸小的晶體管，而特性、尺寸及形狀等的不均勻性低。通過使用這些晶體管， 可以實現(xiàn)電路的低耗電量化或電路的高集成化?；蛘?，可以使用具有aiO、B-InGaZnO, SiGe, GaAs, IZO、ITO、SnO等的化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體的晶體管、使這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體薄膜化了的薄膜晶體管等。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以降低制造溫度，例如可以在室溫下制造晶體管。其結(jié)果，可以在低耐熱性襯底如塑料襯底或膜襯底上直接形成晶體管。此外，這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體不僅可以用于晶體管的溝道部分，而且還可以作為其他用途使用。例如，這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體可以用作電阻元件、像素電極、具有透光性的電極。再者，它們可以與晶體管同時形成，這導(dǎo)致成本降低?；蛘?，也可以使用通過噴墨法或印刷法而形成的晶體管等。因此，可以在室溫下制造，以低真空度制造，或在大型襯底上制造。由于可以制造晶體管而不使用掩模(中間掩模)，所以可以容易改變晶體管的布局。再者，由于不需要抗蝕劑，所以可以減少材料費用， 并減少工序數(shù)量。并且，因為只在需要的部分上形成膜，所以與在整個面上形成膜之后進(jìn)行蝕刻的制造方法相比，可以實現(xiàn)低成本而不浪費材料。或者，也可以使用具有有機半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管等。因此，可以在能夠彎曲的襯底上形成晶體管。因此，對沖擊的耐性高。再者，可以使用各種結(jié)構(gòu)的晶體管。例如，可以使用MOS型晶體管、結(jié)晶體管、雙極晶體管等作為晶體管。通過使用MOS型晶體管，可以減少晶體管尺寸。因此，可以安裝多個晶體管。通過使用雙極晶體管，可以使大電流流過。因此，可以使電路高速工作。此外，也可以將MOS型晶體管、雙極晶體管等混合而形成在一個襯底上。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)低耗電量、小型化、高速工作等。除了上述以外，還可以采用各種晶體管。注意，可以使用各種襯底形成晶體管。對襯底的種類沒有特別的限制。作為襯底， 例如可以使用單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、紙襯底、玻璃紙襯底、石材襯底、木材襯底、布襯底(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)、 或再生纖維(乙酸鹽、銅氨纖維、人造絲、再生聚酯)等)、皮革襯底、橡皮襯底、不銹鋼襯底、 具有不銹鋼箔的襯底等。或者，可以使用動物如人等的皮膚(表皮、真皮)或皮下組織作為襯底?；蛘?，也可以使用一個襯底形成晶體管，然后將晶體管移動到另一襯底上，以在另一襯底上配置晶體管。作為配置有被移動了的晶體管的襯底，可以使用單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、紙襯底、玻璃紙襯底、石材襯底、木材襯底、布襯底(包括天然纖維(絲、 棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)、或再生纖維(乙酸鹽、銅氨纖維、人造絲、再生聚酯)等)、皮革襯底、橡皮襯底、不銹鋼襯底、具有不銹鋼箔的襯底等?；蛘?，可以使用動物如人等的皮膚(表皮、真皮)或皮下組織作為襯底。或者，也可以使用襯底形成晶體管，并拋光該襯底以使它減薄。作為被拋光的襯底，可以使用單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、紙襯底、玻璃紙襯底、石材襯底、木材襯底、布襯底(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)、或再生纖維(乙酸鹽、 銅氨纖維、人造絲、再生聚酯)等)、皮革襯底、橡皮襯底、不銹鋼襯底、具有不銹鋼箔的襯底寸?；蛘?，可以使用動物如人等的皮膚(表皮、真皮)或皮下組織作為襯底。通過使用這些襯底，可以形成特性良好的晶體管，形成低耗電量的晶體管，制造不容易破壞的裝置， 賦予耐熱性，并可以實現(xiàn)輕量化或薄型化。此外，可以采用各種結(jié)構(gòu)的晶體管，而不局限于特定的結(jié)構(gòu)。例如，可以采用具有兩個以上的柵電極的多柵極結(jié)構(gòu)。在多柵極結(jié)構(gòu)中，溝道區(qū)域串聯(lián)，而成為多個晶體管串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。通過采用多柵極結(jié)構(gòu)，可以降低截止電流并提高晶體管的耐壓性，而提高可靠性。 或者，在采用多柵極結(jié)構(gòu)的情況下，當(dāng)在飽和區(qū)工作時，即使漏極和源極之間的電壓變化， 漏極和源極之間電流的變化也不太大，而可以獲得電壓及電流特性穩(wěn)定的特性。通過利用電壓及電流特性穩(wěn)定的特性，可以實現(xiàn)理想的電流源電路或電阻值非常高的有源負(fù)載。其結(jié)果，可以實現(xiàn)特性良好的差動電路或電流鏡電路。作為其他例子，可以采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)。通過采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，溝道區(qū)域增加，而可以增加電流值，并容易產(chǎn)生耗盡層而可以降低S值。采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，由此， 成為多個晶體管并聯(lián)的結(jié)構(gòu)。另外，也可以采用柵電極配置在溝道上的結(jié)構(gòu)、正交錯結(jié)構(gòu)、反交錯結(jié)構(gòu)、將溝道區(qū)域分成多個區(qū)域的結(jié)構(gòu)、溝道區(qū)域并聯(lián)的結(jié)構(gòu)、或溝道區(qū)域串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。再者，還可以采用溝道區(qū)域(或其一部分)與源電極或漏電極重疊的結(jié)構(gòu)。通過采用溝道區(qū)域(或其一部分)與源電極或漏電極重疊的結(jié)構(gòu)，可以防止因電荷集合在溝道區(qū)域的一部分而使工作不穩(wěn)定。或者，可以采用提供了 LDD區(qū)域的結(jié)構(gòu)。通過提供LDD區(qū)域，可以降低截止電流，或者，可以提高晶體管的耐壓性來提高可靠性?；蛘?，在提供有LDD區(qū)域的情況下，當(dāng)在飽和區(qū)工作時，即使漏極和源極之間的電壓變化，漏極和源極之間電流的變化也不太大，而可以獲得電壓及電流特性穩(wěn)定的特性。作為晶體管，可以采用各種各樣的類型，并可以使用各種襯底形成。因此，實現(xiàn)預(yù)定功能所需的所有電路可以形成在同一襯底上。例如，實現(xiàn)預(yù)定功能所需的所有電路也可以使用各種襯底如玻璃襯底、塑料襯底、單晶襯底或SOI襯底等來形成。實現(xiàn)預(yù)定功能所需的所有電路使用同一襯底形成，而可以減少部件個數(shù)來降低成本、可以減少與電路部件之間的連接個數(shù)來提高可靠性?；蛘?，也可以是實現(xiàn)預(yù)定功能所需的電路的一部分形成在一個襯底上，而實現(xiàn)預(yù)定功能所需的電路的另一部分形成在另一襯底上。換言之，實現(xiàn)預(yù)定功能所需的所有電路也可以不使用同一襯底形成。例如，也可以是實現(xiàn)預(yù)定功能所需的電路的一部分使用晶體管而形成在玻璃襯底上，而實現(xiàn)預(yù)定功能所需的電路的另一部分形成在單晶襯底上，并通過COG (Chip On Glass;玻璃上芯片)將由使用單晶襯底而形成的晶體管構(gòu)成的IC芯片連接到玻璃襯底，以在玻璃襯底上配置該IC芯片?；蛘?，也可以通過 TAB (Tape Automated Bonding ；卷帶式自動結(jié)合)或印刷襯底使該IC芯片和玻璃襯底連接。像這樣，通過將電路的一部分形成在同一襯底上，可以減少部件個數(shù)來降低成本、可以減少與電路部件之間的連接個數(shù)來提高可靠性?；蛘?，在驅(qū)動電壓高的部分及驅(qū)動頻率高的部分的電路中，耗電量為高，因此將該部分的電路不形成在同一襯底上，例如，將該部分的電路形成在單晶襯底上來使用由該電路構(gòu)成的IC芯片，以防止耗電量的增加。注意，一個像素指的是能夠控制亮度的一個單元。因此，例如一個像素指的是一個色彩單元，并由所述一個色彩單元表現(xiàn)亮度。因此，在采用由R(紅色)、G(綠色)和B (藍(lán)色)這些色彩單元構(gòu)成的彩色顯示裝置的情況下，圖像的最小單位由R像素、G像素和B像素這三個像素構(gòu)成。色彩單元并不局限于三種顏色，多于三種顏色也可以使用，并且可以使用除了 RGB以外的顏色。例如，可以加上白色來實現(xiàn)RGBW(W是白色)?；蛘?，可以對RGB加上黃色、藍(lán)綠色、紫紅色、翡翠綠及朱紅色等的一種以上的顏色。例如，也可以對RGB加上類似于RGB中的至少一種的顏色。例如，可以采用R、G、B1、B2。Bl和B2雖然都是藍(lán)色，但是其頻率稍微不同。與此同樣，可以采用R1、R2、G、B。通過采用這種色彩單元，可以進(jìn)行與實物更接近的顯示。通過采用這種色彩單元，可以降低耗電量。作為其他例子，在一個色彩單元的亮度使用多個區(qū)域控制的情況下，所述區(qū)域中的一個可以是一個像素。因此，作為一個例子，在使用面積灰度方法或具有子像素(亞像素)的情況下，一個色彩單元具有控制亮度的多個區(qū)域，并由它們?nèi)w表現(xiàn)灰度，其中控制亮度的區(qū)域中的一個可以是一個像素。因此，在此情況下，一個色彩單元由多個像素形成?；蛘?，即使在一個色彩單元中具有多個控制亮度的區(qū)域，也可以將它們總合而以一個色彩單元為一個像素。因此，在此情況下，一個色彩單元由一個像素形成?；蛘?，在以多個區(qū)域控制一個色彩單元的亮度的情況下，有助于顯示的區(qū)域的大小可能依賴于每個像素而不同?；蛘?，在一個色彩單元所具有的多個控制亮度的區(qū)域中，也可以使被提供到各個的信號稍微不同，以擴大視角。就是說，一個色彩單元所具有的多個區(qū)域的每一個具有的像素電極的電位也可以互不相同。其結(jié)果，施加到液晶分子的電壓在各像素電極之間不相同。因此，可以擴大視角。注意，在明顯描述“一個像素(對于三種顏色)，，的情況下，將R、G和B三個像素看作一個像素考慮；在明顯描述“一個像素(對于一種顏色)，，的情況下，當(dāng)每個色彩單元具有多個區(qū)域時，將該多個區(qū)域匯總并作為一個像素考慮。注意，像素有時配置(排列)為矩陣形狀。這里，像素配置(排列)為矩陣形狀指的是如下情況在縱向或橫向上，像素排列而配置在直線上，或者，像素配置在鋸齒形線上。 因此，在以三種色彩單元(例如RGB)進(jìn)行全彩色顯示的情況下，可以采用條形配置，或者， 三種色彩單元的點也可以配置為三角形狀。再者，還可以以拜爾(Bayer)方式進(jìn)行配置。此外，色彩單元并不局限于三種顏色，并且多于三種顏色也可以使用，例如RGBW(W是白色)、 或加上了黃色、藍(lán)綠色、紫紅色等的一種以上顏色的RGB等。此外，每個色彩單元的點也可以具有不同大小的顯示區(qū)域。因此，可以實現(xiàn)低耗電量化、或顯示元件的長壽命化。此外，可以采用像素具有有源元件的有源矩陣方式、或像素沒有有源元件的無源矩陣方式。在有源矩陣方式中，作為有源元件(非線性元件)，不僅可以使用晶體管，而且還可使用各種有源元件(非線性元件)。例如，可以使用MIM(Metal Insulator Metal ；金屬-絕緣體-金屬)或TFD(Thin Film Diode ；薄膜二極管)等。這些元件的制造工序少， 所以可以降低制造成本或提高成品率。再者，由于元件尺寸小，所以可以提高開口率，并實現(xiàn)低耗電量化或高亮度化。除了有源矩陣方式以外，還可以采用沒有有源元件(非線性元件)的無源矩陣方式。由于不使用有源元件(非線性元件)，所以制造工序少，而可以降低制造成本或提高成品率。因為不使用有源元件(非線性元件)，所以可以提高開口率，并實現(xiàn)低耗電量化或高
亮度化。晶體管是具有至少三個端子的元件，其中包括柵極、漏極、源極，并在漏區(qū)和源區(qū)之間提供有溝道區(qū)域，而且電流能夠通過漏區(qū)、溝道區(qū)域、以及源區(qū)流動。這里，晶體管的源極和漏極根據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)或工作條件等而改變，因此不容易說哪個是源極或漏極。因此， 在本文件(說明書、權(quán)利要求書或附圖等)中，有時將用作源極及漏極的區(qū)域不稱為源極或漏極。在此情況下，作為一個例子，將它們分別記為第一端子和第二端子?；蛘撸瑢⑺鼈兎謩e記為第一電極和第二電極?；蛘?，將它們記為源區(qū)和漏區(qū)。注意，晶體管也可以是具有至少三個端子的元件，其中包括基極、發(fā)射極及集電極。在此情況下，有時也同樣地將發(fā)射極及集電極分別記為第一端子和第二端子。柵極是指包括柵電極和柵極布線(也稱為柵極線、柵極信號線、掃描線、掃描信號線等)的整體，或者是指這些中的一部分。柵電極指的是其中間夾著柵極絕緣膜與形成溝道區(qū)域的半導(dǎo)體重疊的部分的導(dǎo)電膜。此外，柵電極的一部分有時其中間夾著柵極絕緣膜與LDD(Lightly Doped Drain;輕摻雜漏極)區(qū)域或源區(qū)(或漏區(qū))重疊。柵極布線是指用于連接各晶體管的柵電極之間的布線、用于連接各像素所具有的柵電極之間的布線、或用于連接?xùn)烹姌O和其它布線的布線。注意，也存在著用作柵電極并用作柵極布線的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為柵電極或柵極布線。換言之，也存在著不可明確區(qū)別柵電極和柵極布線的區(qū)域。例如，在溝道區(qū)域與延伸而配置的柵極布線的一部分重疊的情況下，該部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)不僅用作柵極布線，而且還用作柵電極。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為柵電極或柵極布線。另外，由與柵電極相同的材料構(gòu)成并形成與柵電極相同的島而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極。與此同樣，由與柵極布線相同的材料構(gòu)成并形成與柵極布線相同的島而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵極布線。嚴(yán)密地說，有時這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)與溝道區(qū)域不重疊，或者，不具有與其它柵電極之間實現(xiàn)連接的功能。但是，因為電路結(jié)構(gòu)等，具有由與柵電極或柵極布線相同的材料構(gòu)成并形成與柵電極或柵極布線相同的島而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極或柵極布線。例如，在多柵極晶體管中，一個柵電極在很多情況下通過由與柵電極相同的材料構(gòu)成的導(dǎo)電膜連接到其他的柵電極。這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)是用于連接?xùn)烹姌O和柵電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)，因此可以稱為柵極布線，但是，由于也可以將多柵極晶體管看作一個晶體管，所以也可以稱為柵電極。換言之，由與柵電極或柵極布線相同的材料構(gòu)成并形成與柵電極或柵極布線相同的島而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極或柵極布線。另外，例如，也可以將是連接?xùn)烹姌O和柵極布線的部分的導(dǎo)電膜并由與柵電極或柵極布線不同的材料構(gòu)成的導(dǎo)電膜稱為柵電極或柵極布線。柵極端子是指柵電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)或與柵電極電連接的部分 (區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)中的一部分。注意，在稱為柵極布線、柵極線、柵極信號線、掃描線、掃描信號線等的情況下，布線有時不連接到晶體管的柵極。在此情況下，柵極布線、柵極線、柵極信號線、掃描線、掃描信號線有可能意味著以與晶體管的柵極相同的層形成的布線、由與晶體管的柵極相同的材料構(gòu)成的布線、或與晶體管的柵極同時形成的布線。作為一個例子，可以舉出保持電容用布線、電源線、標(biāo)準(zhǔn)電位供給布線等。此外，源極是指包括源區(qū)、源電極、源極布線(也稱為源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線等)的整體，或者是指這些中的一部分。源區(qū)是指包含很多P型雜質(zhì)(硼或鎵等)或N型雜質(zhì)(磷或砷等)的半導(dǎo)體區(qū)域。因此，稍微包含P型雜質(zhì)或N型雜質(zhì)的區(qū)域，即，所謂的LDD區(qū)域，不包括在源區(qū)。源電極是指由與源區(qū)不相同的材料構(gòu)成并與源區(qū)電連接而配置的部分的導(dǎo)電層。注意，源電極有時包括源區(qū)地稱為源電極。源極布線是指用于連接各晶體管的源電極之間的布線、用于連接各像素所具有的源電極之間的布線、或用于連接源電極和其它布線的布線。但是，也存在著用作源電極并用作源極布線的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為源電極或源極布線。換言之，也存在著不可明確區(qū)別源電極和源極布線的區(qū)域。例如，在源區(qū)與延伸而配置的源極布線的一部分重疊的情況下，其部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)不僅用作源極布線，而且還用作源電極。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為源電極或源極布線。另外，由與源電極相同的材料構(gòu)成并形成與源電極相同的島而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)、或連接源電極和源電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為源電極。另外，與源區(qū)重疊的部分也可以稱為源電極。與此同樣，由與源極布線相同的材料構(gòu)成并形成與源極布線相同的島而連接的區(qū)域也可以稱為源極布線。嚴(yán)密地說，這種部分 (區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)有時不具有與其它源電極之間實現(xiàn)連接的功能。但是，因為電路結(jié)構(gòu)等，具有由與源電極或源極布線相同的材料構(gòu)成并與源電極或源極布線連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為源電極或源極布線。另外，例如，也可以將是連接源電極和源極布線的部分的導(dǎo)電膜并由與源電極或源極布線不同的材料構(gòu)成的導(dǎo)電膜稱為源電極或源極布線。源極端子是指源區(qū)、源電極、與源電極電連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)中的一部分。注意，在稱為源極布線、源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線等的情況下，布線有時不連接到晶體管的源極(漏極)。在此情況下，源極布線、源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線有可能意味著以與晶體管的源極(漏極)相同的層形成的布線、由與晶體管的源極(漏極)相同的材料構(gòu)成的布線、或與晶體管的源極(漏極)同時形成的布線。作為一個例子，可以舉出保持電容用布線、電源線、標(biāo)準(zhǔn)電位供給布線等。注意，漏極與源極相同。半導(dǎo)體裝置是指具有包括半導(dǎo)體元件(晶體管、二極管、可控硅整流器等)的電路的裝置。另外，也可以將通過利用半導(dǎo)體特性起到作用的所有裝置稱為半導(dǎo)體裝置?；蛘撸?將具有半導(dǎo)體材料的裝置稱為半導(dǎo)體裝置。顯示元件指的是光學(xué)調(diào)制元件、液晶元件、發(fā)光元件、EL元件(有機EL元件、無機 EL元件或包含有機物及無機物的EL元件)、電子發(fā)射元件、電泳元件、放電元件、光反射元件、光衍射元件、數(shù)字微鏡裝置(DMD)等。但是，本發(fā)明不局限于此。顯示裝置指的是具有顯示元件的裝置。此外，顯示裝置也可以具有包含顯示元件的多個像素。顯示裝置可以包括驅(qū)動多個像素的外圍驅(qū)動電路。驅(qū)動多個像素的外圍驅(qū)動電路也可以與多個像素形成在同一襯底上。此外，顯示裝置可以包括通過引線鍵合或凸塊等而形成在襯底上的外圍驅(qū)動電路、通過所謂的玻璃上芯片(COG)而連接的IC芯片、或通過TAB等而連接的IC芯片。顯示裝置也可以包括安裝有IC芯片、電阻元件、電容元件、電感器、晶體管等的柔性印刷電路(FPC)。此外，顯示裝置可以通過柔性印刷電路(FPC)等連接，并包括安裝有IC芯片、電阻元件、電容元件、電感器、晶體管等的印刷線路板(PWB)。顯示裝置也可以包括偏振片或相位差板等的光學(xué)片。此外，顯示裝置還包括照明裝置、外殼、 聲音輸入輸出裝置、光傳感器等。這里，諸如背光燈單元之類的照明裝置也可以包括導(dǎo)光板、棱鏡片、擴散片、反射片、光源(LED、冷陰極管等)、散熱裝置(水冷式、氣冷式)等。照明裝置指的是具有背光燈單元、導(dǎo)光板、棱鏡片、擴散片、反射片、光源(LED、冷陰極管、熱陰極管等)、散熱裝置等的裝置。發(fā)光裝置指的是具有發(fā)光元件等的裝置。在具有發(fā)光元件作為顯示元件的情況下，發(fā)光裝置是顯示裝置的具體例子之一。反射裝置指的是具有光反射元件、光衍射元件、光反射電極等的裝置。液晶顯示裝置指的是具有液晶元件的顯示裝置。作為液晶顯示裝置，可以舉出直觀型、投射型、透過型、反射型、半透過型等。驅(qū)動裝置指的是具有半導(dǎo)體元件、電路、電子電路的裝置。例如，控制將信號從源極信號線輸入到像素內(nèi)的晶體管(有時稱為選擇用晶體管、開關(guān)用晶體管等)、將電壓或電流提供到像素電極的晶體管、將電壓或電流提供到發(fā)光元件的晶體管等是驅(qū)動裝置的一個例子。再者，將信號提供到柵極信號線的電路(有時稱為柵極驅(qū)動器、柵極線驅(qū)動電路等)、 將信號提供到源極信號線的電路(有時稱為源極驅(qū)動器、源極線驅(qū)動電路等)等是驅(qū)動裝置的一個例子。注意，可能同時包括顯示裝置、半導(dǎo)體裝置、照明裝置、散熱裝置、發(fā)光裝置、反射裝置、驅(qū)動裝置等。例如，顯示裝置具有半導(dǎo)體裝置及發(fā)光裝置。或者，半導(dǎo)體裝置具有顯示裝置及驅(qū)動裝置。在本發(fā)明中，明顯地描述“B形成在A之上”或“B形成在A上”的情況不局限于B 直接接觸地形成在A之上的情況。還包括不直接接觸的情況，即，在A和B之間夾有其它對象物的情況。這里，A和B是對象物(例如裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層
寸乂 O因此，例如，“B層形成在A層之上(或A層上)”包括如下兩種情況B層直接接觸地形成在A層之上；以及，其它層(例如C層或D層等)直接接觸地形成在A層之上，并且B層直接接觸地形成在所述其它層上。注意，其他層(例如C層或D層等)可以是單層
或疊層。與此同樣，“B形成在A之上方”的記載也不局限于B直接接觸A之上的情況，而還包括在A和B之間夾有其它對象物的情況。因此，例如，“B層形成在A層之上方”包括如下兩種情況B層直接接觸地形成在A層之上；以及，其它層(例如C層或D層等)直接接觸地形成在A層之上，并且B層直接接觸地形成在所述其它層上。注意，其他層(例如C層或 D層等)可以是單層或疊層。注意，“B直接接觸地形成在A之上”的記載意味著B直接接觸地形成在A之上的情況，而不包括在A和B之間夾有其它對象物的情況?！癇形成在A之下”或“B形成在A之下方”的記載與上述情況同樣。注意，作為單個記載的優(yōu)選是單個，但是本發(fā)明不局限于此，也可以是多個。與此同樣，作為多個記載的優(yōu)選是多個，但是本發(fā)明不局限于此，也可以是單個。如上所述，說明了可適用于本發(fā)明的液晶顯示裝置及半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。上述結(jié)構(gòu)可以根據(jù)需要適用于本發(fā)明的液晶顯示裝置及半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有廣視角且其制造成本比以往低的液晶顯示裝置。在本發(fā)明中，將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性液晶顯示裝置、以及具有液晶顯示裝置的半導(dǎo)體裝置。另外，在本發(fā)明中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性液晶顯示裝置、以及具有液晶顯示裝置的半導(dǎo)體裝置。


圖1是表示使用了頂柵型薄膜晶體管的像素部的結(jié)構(gòu)例子的截面圖；圖2是表示使用了底柵型薄膜晶體管的像素部的結(jié)構(gòu)例子的截面圖；圖3是表示使用了頂柵型薄膜晶體管的像素部的結(jié)構(gòu)例子的截面圖；圖4是圖1及圖3所示的像素部的平面圖；圖5是本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖6是本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖7是本發(fā)明的液晶顯示裝置的俯視圖；圖8A至8D是本發(fā)明的液晶顯示裝置的俯視圖；圖9A至9D是本發(fā)明的液晶顯示裝置的俯視圖；圖10是本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖11是本發(fā)明的液晶顯示裝置的俯視圖；圖12是本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖13是本發(fā)明的液晶顯示裝置的俯視圖；圖14A和14B是本發(fā)明的液晶顯示裝置的俯視圖及截面圖；圖15A至15D是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造工序的截面圖；圖16A至16C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造工序的截面圖17A至17C是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造工序的截面圖；圖18是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造工序的截面圖；圖19A和19B是本發(fā)明的液晶顯示裝置的電路圖；圖20A和20B是本發(fā)明的液晶顯示裝置的電路圖；圖21A至21H是表示使用本發(fā)明的液晶顯示裝置而形成的電子設(shè)備的例子的圖；圖22是本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖23A和2 是本發(fā)明的液晶顯示裝置的俯視圖；圖M是本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖25是本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖沈是本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖27是本發(fā)明的液晶顯示裝置的俯視圖；圖觀是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的圖；圖29A至29G是說明根據(jù)本發(fā)明的晶體管的截面圖；圖30是說明根據(jù)本發(fā)明的晶體管的截面圖；圖31是說明根據(jù)本發(fā)明的晶體管的截面圖；圖32是說明根據(jù)本發(fā)明的晶體管的截面圖；圖33是說明根據(jù)本發(fā)明的晶體管的截面圖；圖34A至34C是說明根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖35A和35B是說明根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖36是說明根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖37是說明根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的驅(qū)動方法之一的圖；圖38是說明根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的驅(qū)動方法之一的圖；圖39A和39B是說明根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的驅(qū)動方法之一的圖；圖40是說明根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖41A至41D是說明根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖42是說明根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖43A至43C是說明根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖44是說明根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖45A和45B是說明根據(jù)本發(fā)明的像素的電路圖；圖46是說明根據(jù)本發(fā)明的像素的電路圖；圖47是說明根據(jù)本發(fā)明的像素的電路圖；圖48A至48E是說明根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法之一的圖；圖49A和49B是說明根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法之一的圖；圖50A至50C是說明根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法之一的圖；圖51A至51C是說明根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法之一的圖；圖52A至52C是說明根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法之一的圖；圖53A和53B是說明根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖M是說明根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖55是說明根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖56是說明根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖57A至57C是說明根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖58是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖59是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖60A和60B是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖61是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖62A至62C是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖63是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖64是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖65是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖66是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖67A和67B是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖68A和68B是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖69A至69C是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖70A和70B是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖71是說明根據(jù)本發(fā)明的電子設(shè)備的圖。
具體實施例方式以下參照

本發(fā)明的實施方式。其中，本發(fā)明可以通過多種不同的方式來實施，本領(lǐng)域人員可以很容易地理解一個事實就是，其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式，而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在實施方式所記載的內(nèi)容中。此外，在以下所示的附圖中，使用同一標(biāo)號來表示同一部分或具有相同功能的部分，并省略其重復(fù)的說明。實施方式1下面，參照圖1、圖3、圖4及圖5說明本實施方式。圖1是使用頂柵型薄膜晶體管(Thin Film Transistor(TFT))作為像素部的開關(guān)元件的例子。在襯底101的一個表面的整個面上形成有作為FFS(Fringe-field switching ；邊緣場切換)驅(qū)動中的第一電極的導(dǎo)電膜115。作為導(dǎo)電膜115，使用具有透光性的導(dǎo)電膜(以下稱為透光導(dǎo)電膜)。作為這種透光導(dǎo)電膜，可以使用銦錫氧化物andium Tin Oxide (ITO))膜、銦鋅氧化物Qndium Zinc Oxide(IZO))膜、添加了硅的銦錫氧化物(也稱為ITS0)膜、氧化鋅(SiO)膜、氧化錫鎘 (CTO)膜、氧化錫(SnO)膜等。在導(dǎo)電膜115上形成有基底膜102，并在基底膜102上形成有薄膜晶體管 (TFT) 121。TFT121具有有源層103，該有源層103包括作為源區(qū)及漏區(qū)之一的區(qū)域131a、 作為源區(qū)及漏區(qū)之另一的區(qū)域131b、以及溝道形成區(qū)域132 ；柵極絕緣膜104 ；以及柵電極 105。注意，在圖1中，柵極絕緣膜104只形成在溝道形成區(qū)域132的上部，但是也可以形成在溝道形成區(qū)域132的上部以外的部分。在TFT121及基底膜102上形成有層間絕緣膜106。在層間絕緣膜106上形成有電極107(源極布線)及108，該電極107及108分別通過形成在層間絕緣膜106中的接觸孔電連接到源區(qū)或漏區(qū)。在層間絕緣膜106以及電極107至109上形成有層間絕緣膜111，并在層間絕緣膜111上形成有通過形成在層間絕緣膜111中的接觸孔電連接到電極108的像素電極113 及11 至114c。注意，像素電極113也可以電連接到電極107，而不電連接到電極108。另外，也可以只形成層間絕緣膜106及111之一。如圖1所示，在像素電極113及114(11 至114c)和導(dǎo)電膜115之間產(chǎn)生電場 125。如下所述，液晶分子被該電場125驅(qū)動。另外，如圖3所示，導(dǎo)電膜115通過形成在層間絕緣膜106及基底膜102中的接觸孔電連接到連接電極109，并且連接電極109和布線119電連接。此外，以與柵電極105相同的材料及工序形成布線119，并以與電極107及108相同的材料及工序形成連接電極109。 像這樣，可以在不增加制造工序的狀態(tài)下形成，因此可以減少光掩模數(shù)量。注意，在圖1及圖3所示的結(jié)構(gòu)中，使用同一標(biāo)號表示同一部分。布線119也可以配置為與柵電極105平行。通過將布線119配置為與柵電極105 平行，可以抑制開口率的降低。另外，通過根據(jù)每個像素將布線119連接到導(dǎo)電膜115，可以降低導(dǎo)電膜115的電阻。在此情況下，可以減少波形畸變。連接電極109也可以延伸而配置在像素上，而不將連接電極109連接到布線119。 此時，優(yōu)選將連接電極109配置為與源極布線107平行。圖4是圖1及圖3的俯視圖。圖3是沿圖4的A-A'及B-B'截斷的截面圖，而圖 1是沿圖4的A-A'截斷的截面圖。在像素電極113及l(fā)Ha、114b、lHc等中形成有槽(也稱為開口、槽縫、間隙、空隙、空間)117。如圖4所示，多個源極布線107配置為彼此平行(在圖中上下方向上延伸)且彼此分離。多個柵極布線105在與源極布線107大致正交的方向(圖中，左右方向)上延伸且彼此分離。布線119配置在與多個柵極布線105的每一個相鄰的位置上，并在平行于柵極布線105的方向上，即在與源極布線107正交的方向上(圖中，左右方向)延伸。通過將它們配置為上述方式，可以提高開口率。由源極布線107、布線119及柵極布線105圍繞大致為矩形的空間，并在該空間中配置有液晶顯示裝置的像素電極113。驅(qū)動像素電極113的薄膜晶體管121配置在圖中左上的角落。多個像素電極及薄膜晶體管配置為矩陣形狀。在本實施方式中，雖然在每個像素中布線119和導(dǎo)電膜115通過接觸孔連接，但是不局限于此。注意，在圖4中提供布線119，相反，圖27示出不提供布線119而使用柵極布線105 代替布線119的例子。圖27的截面圖與圖3相同，在此情況下，布線119與柵極布線105 相同。此外，柵極線105、布線119及源極布線107優(yōu)選由如下材料構(gòu)成選自由鋁(Al)、 鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅 (Cu)、鎂(Mg)、鈧(Sc)、鈷(Co)、鋅(Zn)、鈮(Nb)、硅(Si)、磷(P)、硼(B)、砷(As)、鎵(Ga)、 銦an)、錫(Sn)、氧(0)構(gòu)成的組中的一種或多種元素；以選自所述組中的一種或多種元素為成分的化合物或合金材料(例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、包含硅的銦錫氧化物(ITSO)、氧化鋅(SiO)、氧化錫(SnO)、氧化錫鎘(CTO)、鋁釹(Al-Nd)、鎂銀(Mg-Ag)、鉬鈮(Mo-Nb)等)?；蛘撸瑬艠O線105、布線119及源極布線107優(yōu)選由組合了這些化合物的物質(zhì)等構(gòu)成?；蛘撸瑑?yōu)選由如下材料構(gòu)成選自所述組中的一種或多種元素和硅的化合物 (硅化物)(例如鋁硅、鉬硅、鎳硅化物等)；選自所述組中的一種或多種元素和氮的化合物 (例如氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬等)。此外，硅(Si)可以包含η型雜質(zhì)(磷等)或P型雜質(zhì)(硼等)。通過將雜質(zhì)包含在硅中，可以提高導(dǎo)電率，并可以起到與通常的導(dǎo)體相同的作用。因此，可以容易用作布線或電極等。另外，硅可以是單晶、多晶(多晶硅)、或微晶(微晶硅)等的具有各種結(jié)晶性的硅?；蛘撸枰部梢允欠蔷?非晶硅)等的沒有結(jié)晶性的硅。通過使用單晶硅或多晶硅，可以降低布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等的電阻。通過使用非晶硅或微晶硅，可以以簡單的工序形成布線等。至于鋁或銀，其導(dǎo)電率高，因此可以減少信號延遲，并且由于容易被蝕刻，所以可以進(jìn)行微細(xì)加工。至于銅，其導(dǎo)電率高，因此可以減少信號延遲。在使用銅的情況下，優(yōu)選采用疊層結(jié)構(gòu)，以提高緊密性。此外，即使鉬或鈦與氧化物半導(dǎo)體(ΙΤ0或IZO等)、或硅接觸，也不會產(chǎn)生不良，容易進(jìn)行蝕刻，并且其耐熱性高，因此優(yōu)選使用鉬或鈦。優(yōu)選使用鎢，因為具有高耐熱性等的優(yōu)點。此外，優(yōu)選使用釹，因為具有高耐熱性等的優(yōu)點。尤其是，當(dāng)使用釹和鋁的合金時， 其耐熱性提高，而且鋁不容易產(chǎn)生小丘。此外，優(yōu)選使用硅，因為可以與晶體管具有的半導(dǎo)體層同時形成，并其耐熱性高寸。IT0、IZ0、ITS0、氧化鋅(SiO)、硅(Si)、氧化錫(SnO)、氧化錫鎘(CTO)具有透光性， 而可適用于透過光的部分。例如，它們可用作像素電極或公共電極。此外，優(yōu)選使用ΙΖ0，因為容易蝕刻而容易加工。IZO不容易引起當(dāng)蝕刻時留下渣滓的問題。因此，通過使用IZO作為像素電極，可以減少給液晶元件或發(fā)光元件帶來的負(fù)面影響(短路、取向無序等)。此外，布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等也可以由單層或疊層構(gòu)成。通過采用單層結(jié)構(gòu)，可以簡化制造布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等的工序并減少制造天數(shù)，這導(dǎo)致成本降低。另一方面，當(dāng)采用多層結(jié)構(gòu)時，可以使用各種材料的優(yōu)點并且可以減少其缺點， 從而形成高性能布線或電極等。舉例來說，通過在多層結(jié)構(gòu)中包括低電阻材料(鋁等)，可以降低布線的電阻。另外，當(dāng)采用低耐熱性材料被夾在高耐熱性材料之間的疊層結(jié)構(gòu)時，可以使用低耐熱性材料的優(yōu)點并且可以提高布線或電極等的耐熱性。例如，優(yōu)選采用包含鋁的層被夾在包含鉬、鈦、釹等的層之間的疊層結(jié)構(gòu)。另外，在布線或電極等彼此直接接觸的情況下，它們可能不利地彼此影響。例如， 一個布線或電極等可能進(jìn)入另一個布線或電極等的材料中，從而改變其性質(zhì)，從而不能實現(xiàn)希望的目的。作為其他例子，當(dāng)形成或制造高電阻部分時，有時發(fā)生問題并且不能正常地制造。在這種情況下，優(yōu)選將因疊層結(jié)構(gòu)而容易引起反應(yīng)的材料夾在不容易引起反應(yīng)的材料之間，或者，優(yōu)選使用不容易引起反應(yīng)的材料覆蓋容易引起反應(yīng)的材料。例如，在連接ITO和鋁的情況下，優(yōu)選在ITO和鋁之間插入鈦、鉬、釹合金。另外，在連接硅和鋁的情況下，優(yōu)選在硅和鋁之間插入鈦、鉬、釹合金。注意，布線指的是所配置的導(dǎo)電體。它可以配置為線狀，或者，也可以配置為其長度短而不配置為線狀且其長度長。因此，布線包括電極在內(nèi)。優(yōu)選使用其耐熱性比源極布線107高的材料形成柵極布線105。這是因為在制造工序中，與源極布線107相比，柵極布線105在很多情況下配置在高溫下的緣故。優(yōu)選使用其電阻比柵極布線105低的材料形成源極布線107。這是因為，只有H信號及L信號的這二值信號輸向柵極布線105，相反，模擬信號輸向源極布線107并有助于顯示的緣故。因此，優(yōu)選使用低電阻材料形成源極布線107，以能夠提供準(zhǔn)確大小的信號。此外，也可以不提供布線119，但是通過提供布線119，可以使每個像素中的公共電極的電位穩(wěn)定化。此外，在圖4中，布線119雖然配置為與柵極布線平行，但是本發(fā)明不局限于此。布線119也可以配置為與源極布線107平行。在此情況下，布線119優(yōu)選由與源極布線107相同的材質(zhì)構(gòu)成。但是，布線119優(yōu)選配置為與柵極布線平行，因為可以提高開口率并高效地進(jìn)行布局。襯底101是玻璃襯底、石英襯底、由氧化鋁等的絕緣體構(gòu)成的襯底、能夠耐受后工序的處理溫度的具有耐熱性的塑料襯底、單晶襯底(單晶硅襯底)、SOI襯底、或金屬襯底。 另外，也可以是多晶硅。在用作透過型顯示裝置的情況下，襯底101優(yōu)選具有透光性。導(dǎo)電膜115由具有透光性的導(dǎo)電膜(例如，氧化銦氧化錫合金(ITO)膜、銦鋅氧化物(也稱為ΙΖ0)膜、氧化鋅(SiO)膜、氧化錫(SnO)膜、或加入有雜質(zhì)的多晶硅膜或非晶硅膜)構(gòu)成。在導(dǎo)電膜115上形成有絕緣膜作為基底膜102。絕緣膜102是防止雜質(zhì)從襯底101 擴散的膜，其用作基底膜。絕緣膜102例如由包含氧或氮的絕緣物質(zhì)如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、包含氮的氧化硅(SiOxNy :x > y)、包含氧的氮化硅(SiNxOy :x > y)等構(gòu)成，并可以采用通過層疊多個這些膜而形成的疊層膜。此外，在襯底101和導(dǎo)電膜115之間也可以形成有起到與絕緣膜102相同的作用的絕緣膜。例如，基底膜102可以采用氮化硅膜和氧化硅膜的疊層膜。另外，也可以采用氧化硅膜的單層膜。在使用氧化硅膜作為基底膜102的情況下，通過使它比柵極絕緣膜104厚， 可以降低與柵極布線105之間的電容耦合，因此是有用的。因此，基底膜102比柵極絕緣膜 104厚，優(yōu)選是柵極絕緣膜104的3倍以上的厚度。在絕緣膜102上形成有半導(dǎo)體膜103。在半導(dǎo)體膜103中形成有用作薄膜晶體管 121的源區(qū)及漏區(qū)之一的區(qū)域131a及用作源區(qū)及漏區(qū)之另一的區(qū)域131b。區(qū)域131a及 131b例如是η型雜質(zhì)區(qū)域，但是也可以是ρ型雜質(zhì)區(qū)域。作為賦予η型的雜質(zhì)，例如可以舉出磷(P)及砷(As)。作為賦予ρ型的雜質(zhì)，例如可以舉出硼(B)及鎵(Ga)。并且，在區(qū)域 131a和區(qū)域131b之間形成有溝道形成區(qū)域132。再者，也可以在區(qū)域131a和溝道形成區(qū)域132之間、以及在區(qū)域131b和溝道形成區(qū)域132之間形成低濃度雜質(zhì)區(qū)域。如圖4所示，導(dǎo)電膜115形成在像素的大致整個面上。在由源極布線107、布線119及柵極布線105圍繞的矩形狀區(qū)域中分別配置有薄膜晶體管121。就是說，形成有柵極布線105作為第一布線、源極布線107作為第二布線、以及布線119作為第三布線。通過配置薄膜晶體管121，更高效地形成像素中的對顯示有效的區(qū)域。換言之，可以提高開口率。此外，半導(dǎo)體膜103例如是多晶硅膜，但是也可以是其他半導(dǎo)體膜(例如非晶硅膜、單晶硅膜、 有機半導(dǎo)體膜、或碳納米管)、微晶硅膜(也稱為半晶硅膜)。以半晶硅膜為代表的半晶半導(dǎo)體膜指的是含有具備非晶半導(dǎo)體膜和具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體(包括單晶和多晶)膜的中間的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體的膜。該半晶半導(dǎo)體膜是具有自由能方面穩(wěn)定的第三狀態(tài)的半導(dǎo)體膜，并且具有短程有序且具有晶格畸變的結(jié)晶，可以使其以0. 5至20nm粒徑分散到非單晶半導(dǎo)體膜中而存在。半晶半導(dǎo)體膜的拉曼光譜偏移到低于520CHT1的波數(shù)一側(cè)，此外，通過X射線衍射可以觀察到來自Si晶格的(111)、(220)的衍射峰。此外，使其含有至少1原子％以上的氫或鹵素，以便終止懸掛鍵。在本說明書中， 為方便起見，將這種半導(dǎo)體膜稱作半晶半導(dǎo)體(SAQ膜。進(jìn)而，通過使該半導(dǎo)體膜包含氦、 氬、氪、氖等稀有氣體元素，進(jìn)一步助長其晶格畸變，從而增加穩(wěn)定性，獲得良好的半晶半導(dǎo)體膜。此外，可以通過對含硅的氣體進(jìn)行輝光放電分解來獲得SAS膜。典型的含硅氣體為SiH4，也可以使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等。此外，通過使用氫或在氫中添加了選自氦、氬、氪、氖中的一種或多種的稀有氣體元素的氣體稀釋上述含硅的氣體，易于形成SAS膜。優(yōu)選在稀釋比率為2至1000倍的范圍內(nèi)稀釋含硅的氣體。再者，也可以將碳化物氣體如CH4、C2H6等、鍺化氣體如GeH4、GeF4等、F2等混合到含硅的氣體中，來將能帶寬度調(diào)整為1. 5至2. 4eV或0. 9至1. IeV0也可以在柵極布線105下配置半導(dǎo)體層。因此，可以降低導(dǎo)電膜115和柵極布線 105之間的電容耦合。因此，能夠迅速進(jìn)行柵極布線105的充電及放電，并可以抑制波形畸變。在半導(dǎo)體膜103上形成有薄膜晶體管121的柵極絕緣膜104。注意，柵極絕緣膜104可能只形成在溝道區(qū)域附近，而不形成在其他部分。另外， 柵極絕緣膜104可能部分具有不同的厚度及疊層結(jié)構(gòu)。例如，有時只在溝道附近其厚度厚或?qū)訑?shù)量多，而在其他部分其厚度薄或?qū)訑?shù)量少。若采用這種結(jié)構(gòu)，則容易控制向源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)添加。另外，通過改變位于溝道附近的柵極絕緣膜104的厚度或?qū)訑?shù)量，可以使向半導(dǎo)體膜的雜質(zhì)添加量因場所而不同，以形成LDD區(qū)域。通過形成LDD區(qū)域，可以降低泄漏電流，并可以抑制產(chǎn)生熱載流子來提高可靠性。在像素電極113被形成的區(qū)域中，也可以不形成柵極絕緣膜104。可以減少像素電極113和導(dǎo)電膜115之間的距離，容易控制電場。柵極絕緣膜104例如由包含氧或氮的絕緣物質(zhì)如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、 包含氮的氧化硅(SiOxNy :x > y)、包含氧的氮化硅(SiNxOy :x > y)等構(gòu)成。另外，也可以采用通過層疊多個這些膜而形成的疊層膜。在柵極絕緣膜104上形成有位于半導(dǎo)體膜103 上方的柵電極105。如圖4及圖3所示，柵電極(柵極布線)105是與布線119相同的布線層。在柵極絕緣膜104上及柵電極105上形成有第一層間絕緣膜106?？梢允褂脽o機材料或有機材料形成第一層間絕緣膜106。作為有機材料，可以使用聚酰亞胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑、硅氧烷、或聚硅氮烷等。作為無機材料，可以使用包含氧或氮的絕緣物質(zhì)如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、包含氮的氧化硅(SiOxNy :x > y)、包含氧的氮化硅(SiNxOy :x>y)等。另外，也可以是層疊了多個這些膜的疊層膜，或者，也可以是有機材料和無機材料組合而成的疊層膜。在絕緣膜102、柵極絕緣膜104、以及第一層間絕緣膜106中形成有位于區(qū)域131a 上的接觸孔、位于區(qū)域131b上的接觸孔、位于導(dǎo)電膜115上的接觸孔、以及位于布線119上的接觸孔。在第一層間絕緣膜106上形成有源極布線107、電極108、以及連接用電極109。此外，通過使用無機材料作為絕緣膜，可以防止水分或雜質(zhì)的侵入。尤其是在使用包含氮的層的情況下，對水分或雜質(zhì)的阻擋能力高。此外，通過使用有機材料作為絕緣膜，可以使表面平坦。因此，對形成在其上的層很有效。例如，可以使形成在有機材料上的層平坦，因此可以避免液晶的取向無序。源極布線107位于區(qū)域131a上方，并通過接觸孔電連接到區(qū)域131a。因此，電極 108通過接觸孔電連接到區(qū)域131b。注意，也可以直接連接像素電極113和區(qū)域131b，而其中間不夾著連接用導(dǎo)電膜。 在此情況下，需要使用來連接像素電極113和區(qū)域131b的接觸孔深，但是不需要連接用導(dǎo)電膜，因此可以以其區(qū)域為開口區(qū)域來用于圖像顯示。因此，可以提高開口率，并實現(xiàn)低耗電量。連接電極109位于布線119上方，并電連接到布線119及導(dǎo)電膜115。像這樣，導(dǎo)電膜115其中間夾著連接用電極109地電連接到布線119。此外，也可以提供多個連接用電極109。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以使導(dǎo)電膜115的電位穩(wěn)定化。另外，通過其中間夾著連接用電極109地連接導(dǎo)電膜115和布線119，可以減少形成接觸孔的次數(shù)，因此可以簡化制造工序。這里，雖然在形成源極布線107的同時使用同一材料形成連接用電極109，但是本發(fā)明不局限于此。也可以在形成像素電極113的同時使用同一材料形成連接用電極109。在源極布線107、電極108、連接用電極109、以及第一層間絕緣膜106上形成有第二層間絕緣膜111。此外，也可以不形成第二層間絕緣膜111(參照圖觀)。可以使用無機材料或有機材料形成第二層間絕緣膜111。作為有機材料，可以使用聚酰亞胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑、或硅氧烷、聚硅氮烷等。作為無機材料，可以使用包含氧或氮的絕緣物質(zhì)如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、包含氮的氧化硅(SiOxNy :x > y)、包含氧的氮化硅(SiNxOy :x>y)等。另外，也可以是層疊了這些膜的疊層膜，或者，也可以是有機材料和無機材料組合而成的疊層膜。圖觀是當(dāng)不形成第二層間絕緣膜111時的截面圖。在圖觀中，使用同一標(biāo)號表示與圖3相同的部分。因為不形成電極108，所以像素電極113直接連接到島狀半導(dǎo)體膜 103。源極布線107、像素電極113、像素電極114、以及連接用電極109以同一材料及同一工序形成。在圖觀所示的結(jié)構(gòu)中，可以減少像素電極113和導(dǎo)電膜115之間的間隔，并容易控制電場。在第二層間絕緣膜111上形成有作為FSS驅(qū)動的第二電極的像素電極113、114a、 114b、lHc等。注意，雖然在作為截面圖的圖1及圖3中，為方便起見，分別示出像素電極 113和像素電極114(lHa、114b、lHC等)，但是從作為俯視圖的圖4來看，像素電極具有如下結(jié)構(gòu)在以同一材料及同一工序形成的導(dǎo)電膜中形成有槽(也稱為開口、槽縫、間隙、空隙、空間)117(117￡1、117以117(3等)。因此，在下文中，有時將像素電極113、114(11乜、11413、 IHc等)總稱為像素電極113來進(jìn)行說明。像素電極113用作電壓分別提供到每個像素的像素電極，并由如下材料構(gòu)成 ITO (氧化銦氧化錫合金)、ai0(氧化鋅)、通過使用將2至20wt%的ZnO混合到氧化銦中的靶而形成的IZO(銦鋅氧化物)、氧化錫(SnO)等。像素電極113的一部分位于電極108 上方，并電連接到電極108。像這樣，像素電極113其中間夾著電極108而電連接到薄膜晶體管121的區(qū)域131b。此外，在不形成有連接用電極109的情況下，像素電極113直接連接到薄膜晶體管 121的區(qū)域131b。如圖3及圖4所示，像素電極113大致呈矩形，并具有多個槽117a、117b、117c等。 作為槽117a、117b、117c等的例子，可以舉出多個槽縫互相平行的形狀。在圖4所示的例子中，槽117a、117b、117c等相對于源極布線107傾斜，像素的位于附圖上半部分的槽和位于附圖下半部分的槽的方向互不相同。通過形成槽117a、117b、 117c等，從像素電極114的每一個向?qū)щ娔?15產(chǎn)生在導(dǎo)電膜115和像素電極113之間具有平行于襯底的成分的電場。因此，通過控制像素電極113及114的電位，可以控制如下所述的液晶的取向。另外，如圖4所示，通過使槽117 (117a、117b、117c等)的方向互不相同，可以提供液晶分子的移動方向不同的多個區(qū)域。換言之，可以采用多區(qū)域(multi-domain)結(jié)構(gòu)。通過采用多區(qū)域結(jié)構(gòu)，可以防止當(dāng)在某個方向上看時的圖像異常顯示，其結(jié)果可以擴大視角。此外，槽的形狀不局限于本實施方式的形狀。作為槽的形狀，包括不形成有導(dǎo)電體的空間，例如梳齒形電極中的梳齒部分相互之間的空間等。當(dāng)對像素電極113的厚度和導(dǎo)電膜115的厚度進(jìn)行比較時，導(dǎo)電膜115優(yōu)選比像素電極113厚。更優(yōu)選導(dǎo)電膜115的膜厚為像素電極113的1.5倍以上。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以降低電阻。如圖5所示，在第二層間絕緣膜111及像素電極113上層疊有第一取向膜112及液晶116。作為液晶116，可以使用鐵電性液晶(FLC)、雙穩(wěn)態(tài)液晶、向列液晶、層列液晶、高分子分散型液晶、成為平行取向的液晶、成為垂直取向的液晶等。除了液晶以外，還可以使用電圖像元件等。在液晶116上配置有相對襯底120，其中間夾著第二取向膜123及濾色片 122。此外，襯底101及相對襯底120分別提供有偏振片126及124。此外，除了偏振片以外，在很多情況下還配置有相位差板或λ /4板等。此外，在上述結(jié)構(gòu)中，由導(dǎo)電膜115、像素電極113中的不形成有槽的部分、以及位于它們相互之間的各絕緣膜形成電容。通過形成所述電容，可以增加保持電容。接著，說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置和液晶顯示裝置的制造方法的一個例子。首先， 在襯底101的整個面上形成具有透光性的導(dǎo)電膜115(例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物 (IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)、或硅(Si))。另外，如圖25所示，也可以在開口部中去除層間絕緣膜106?；蛘撸部梢赃€去除柵極絕緣膜104和基底膜102。就是說，可以制造在開口部中去除了層間絕緣膜106的半導(dǎo)體裝置、在開口部中去除了層間絕緣膜106及柵極絕緣膜104的半導(dǎo)體裝置、在開口部中去除了層間絕緣膜106、柵極絕緣膜104、基底膜102的半導(dǎo)體裝置。因此，可以減少像素電極 114(在圖25中，像素電極IHa至114f中的像素電極114b、IHc及114d)和導(dǎo)電膜115的間隔d，其結(jié)果容易控制電場。接著，在襯底101及導(dǎo)電膜115上形成絕緣膜102。絕緣膜102優(yōu)選比如下所述的柵極絕緣膜104厚。然后，在絕緣膜102上形成半導(dǎo)體膜(例如多晶硅膜)，并進(jìn)行使用了抗蝕劑的蝕刻來選擇性地去除所述半導(dǎo)體膜。因此，島狀半導(dǎo)體膜103形成在絕緣膜102上。半導(dǎo)體膜不僅可以使用多晶硅膜，而且還可以使用非晶硅膜或其他非單晶硅膜。 另外，不局限于硅，也可以使用ai0、a-hfeiai0、SiGe、GaAs等的化合物半導(dǎo)體?；蛘?，也可以使用半導(dǎo)體襯底或SOI (Silicon On hsulator ；絕緣硅)襯底作為襯底101，形成島狀半導(dǎo)體膜103。接著，在半導(dǎo)體膜103及絕緣膜102上形成柵極絕緣膜104。柵極絕緣膜104例如是包含氮的氧化硅膜或氧化硅膜，并是通過等離子體CVD法而形成的。此外，柵極絕緣膜 104也可以由氮化硅膜、或包含氮化硅及氧化硅的多層膜構(gòu)成。接著，在柵極絕緣膜104上形成導(dǎo)電膜，并蝕刻該導(dǎo)電膜來選擇性地去除。因此，柵電極105形成在位于半導(dǎo)體膜103 上的柵極絕緣膜104上。另外，通過進(jìn)行這種工序，形成柵極布線105及布線119。通過如上所述那樣形成布線119，可以在各像素中使導(dǎo)電膜115的電位穩(wěn)定化。另外，也可以不形成布線119。另外，布線119也可以形成在其他層(例如與源極布線107相同的層、與導(dǎo)電膜115相同的層、或與像素電極113相同的層)中，或者，也可以分為多個層而形成。另外，在本圖中，布線119在與源極布線107正交的方向上延伸，但是布線119也可以在與源極布線107相同的方向上延伸。此外，構(gòu)成柵電極105和布線119的導(dǎo)電膜優(yōu)選由如下材料構(gòu)成選自由鋁(Al)、 鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅 (Cu)、鎂(Mg)、鈧(Sc)、鈷(Co)、鋅(Zn)、鈮(Nb)、硅(Si)、磷(P)、硼(B)、砷(As)、鎵(Ga)、 銦(In)、錫(Sn)、氧(0)構(gòu)成的組中的一種或多種元素；以選自所述組中的一種或多種元素為成分的化合物或合金材料(例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、包含硅的銦錫氧化物(ITSO)、氧化鋅(SiO)、氧化錫(SnO)、氧化錫鎘(CTO)、鋁釹(Al-Nd)、鎂銀(Mg-Ag)、鉬鈮(Mo-Nb)等)；組合了這些化合物的物質(zhì)等?；蛘?，優(yōu)選由選自所述組中的一種或多種元素和硅的化合物(硅化物)(例如鋁硅、鉬硅、鎳硅化物等)、或選自所述組中的一種或多種元素和氮的化合物(例如氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬等)構(gòu)成。此外，硅(Si)可以包含η型雜質(zhì)(磷等)或P型雜質(zhì)(硼等)。通過將雜質(zhì)包含在硅中，可以提高導(dǎo)電率，并可以起到與通常的導(dǎo)體相同的作用。因此，可以容易用作布線或電極等。另外，硅可以是單晶、多晶(多晶硅)、或微晶(微晶硅)等的具有各種結(jié)晶性的硅?；蛘?，硅也可以是非晶(非晶硅)等的沒有結(jié)晶性的硅。通過使用單晶硅或多晶硅，可以降低布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等的電阻。通過使用非晶硅或微晶硅，可以以簡單的工序形成布線等。至于鋁或銀，其導(dǎo)電率高，因此可以減少信號延遲，并且由于容易被蝕刻，所以可以進(jìn)行微細(xì)加工。
至于銅，其導(dǎo)電率高，因此可以減少信號延遲。在使用銅的情況下，優(yōu)選采用疊層結(jié)構(gòu)，以提高緊密性。此外，即使鉬或鈦與氧化物半導(dǎo)體(ΙΤ0或IZO等)、或硅接觸，也不產(chǎn)生缺陷，容易進(jìn)行蝕刻，并且其耐熱性高，因此優(yōu)選使用鉬或鈦。優(yōu)選使用鎢，因為具有高耐熱性等的優(yōu)點。此外，優(yōu)選使用釹，因為具有高耐熱性等的優(yōu)點。尤其是，當(dāng)使用釹和鋁的合金時， 其耐熱性提高，而且鋁不容易產(chǎn)生小丘。此外，優(yōu)選使用硅，因為可以與晶體管具有的半導(dǎo)體層同時形成，并其耐熱性高寸。IT0、IZ0、ITS0、氧化鋅(SiO)、硅(Si)、氧化錫(SnO)、氧化錫鎘(CTO)具有透光性， 而可適用于透過光的部分。例如，它們可用作像素電極或公共電極。此外，優(yōu)選使用ΙΖ0，因為容易蝕刻而容易加工。IZO不容易引起當(dāng)蝕刻時留下渣滓的問題。因此，通過使用IZO作為像素電極，可以減少給液晶元件或發(fā)光元件帶來的負(fù)面影響(短路、取向無序等)。此外，構(gòu)成柵電極105和布線119的導(dǎo)電膜也可以由單層或疊層構(gòu)成。通過采用單層結(jié)構(gòu)，可以簡化制造構(gòu)成柵電極105和布線119的導(dǎo)電膜的工序并減少制造天數(shù)，這導(dǎo)致成本降低。另一方面，當(dāng)采用多層結(jié)構(gòu)時，可以使用各種材料的優(yōu)點并且可以減少其缺點， 從而形成高性能布線或電極等。舉例來說，通過在多層結(jié)構(gòu)中包括低電阻材料(鋁等)，可以降低布線的電阻。另外，當(dāng)采用低耐熱性材料被夾在高耐熱性材料之間的疊層結(jié)構(gòu)時，可以使用低耐熱性材料的優(yōu)點并且可以提高布線或電極等的耐熱性。例如，優(yōu)選采用包含鋁的層被夾在包含鉬、鈦、釹等的層之間的疊層結(jié)構(gòu)。另外，在布線或電極等彼此直接接觸的情況下，它們可能不利地彼此影響。例如， 一個布線或電極等可能進(jìn)入另一個布線或電極等的材料中，從而改變其性質(zhì)，從而不能實現(xiàn)希望的目的。作為其他例子，當(dāng)形成或制造高電阻部分時，有時發(fā)生問題并且不能正常地制造。在這種情況下，優(yōu)選將因疊層結(jié)構(gòu)而容易引起反應(yīng)的材料夾在不容易引起反應(yīng)的材料之間，或者，優(yōu)選使用不容易引起反應(yīng)的材料覆蓋容易引起反應(yīng)的材料。例如，在連接ITO 和鋁的情況下，優(yōu)選在ITO和鋁之間插入鈦、鉬、釹合金。另外，在連接硅和鋁的情況下，優(yōu)選在硅和鋁之間插入鈦、鉬、釹合金。注意，布線指的是所配置的導(dǎo)電體。它可以配置為線狀，或者，也可以配置為其長度短而不配置為線狀且其長度長。因此，布線包括電極在內(nèi)。接著，以柵電極105為掩模將雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體膜103中。因此，作為源區(qū)及漏區(qū)之一的區(qū)域131a、作為源區(qū)及漏區(qū)之另一的131b、以及溝道形成區(qū)域132形成在半導(dǎo)體膜 103中。此外，可以分別添加η型雜質(zhì)元素和ρ型雜質(zhì)元素，或者，也可以在特定區(qū)域中一起添加η型雜質(zhì)元素和ρ型雜質(zhì)元素。注意，在后者的情況下，將η型雜質(zhì)元素及ρ型雜質(zhì)元素中的任何一種的添加量設(shè)定為比另一種多。此外，在本工序中，也可以使用抗蝕劑作為掩模。此時，也可以改變柵極絕緣膜104的厚度或疊層結(jié)構(gòu)，來形成LDD區(qū)域。關(guān)于想要形成LDD區(qū)域的部分，只要使柵極絕緣膜104厚或者增加層數(shù)量即可。其結(jié)果是，雜質(zhì)的添加量降低，因此可以容易形成LDD區(qū)域。
此外，在將雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體膜103的情況下，也可以在形成柵電極105之前例如在形成柵極絕緣膜104之前或之后添加雜質(zhì)。在這種情況下，使用抗蝕劑作為掩模。因此， 可以在以與柵極相同的層形成的電極和添加有雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜之間形成電容。由于在以與柵極相同的層形成的電極和添加有雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜之間形成有柵極絕緣膜，所以可以形成厚度薄的大電容。接著，形成第一層間絕緣膜106及接觸孔。然后，在第一層間絕緣膜106上形成導(dǎo)電膜(例如金屬膜)，并進(jìn)行使用了掩模的蝕刻來選擇性地去除所述導(dǎo)電膜。因此，形成源極布線107、電極108、以及連接電極109。接著，形成第二層間絕緣膜111及接觸孔。然后，在第二層間絕緣膜111上形成具有透光性的導(dǎo)電膜(例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫 (SnO)、或硅(Si))，并進(jìn)行使用了抗蝕劑的蝕刻選擇性地去除所述導(dǎo)電膜。因此，形成像素電極113。此外，在嵌入有電極108的一部分的接觸孔和嵌入有像素電極113的一部分的接觸孔的位置相同的情況下，可以將這些接觸孔形成在一個地方內(nèi)，而可以高效地進(jìn)行布局。 因此，可以提高像素的開口率。此外，嵌入有電極108的一部分的接觸孔和嵌入有像素電極113的一部分的接觸孔的位置也可以互不相同。通過采用這種結(jié)構(gòu)，即使電極108及像素電極113中的位于接觸孔上的部分凹陷，所述凹部也不會重疊。因此，深凹部分不形成在像素電極113中，因此可以抑制所述抗蝕劑的缺陷。然后，去除抗蝕劑。接著，形成第一取向膜112，并在與形成有濾色片122和第二取向膜123的相對襯底120之間密封液晶116。然后，在不接觸液晶116 —側(cè)的相對襯底120或襯底101上形成偏振片1 及124、相位差板(未圖示)、λ /4板等的光學(xué)膜(未圖示)、擴散板或棱鏡片等的光學(xué)膜等。再者，還提供背光燈或前光燈。作為背光燈，可以采用直下型或側(cè)光型。作為光源，可以使用冷陰極管或LED (發(fā)光二極管)。作為LED，可以使用白色LED，或者，也可以組合每個顏色的LED (例如白色、紅色、藍(lán)色、綠色、藍(lán)綠色、紫紅色、黃色等)。通過使用LED， 由于光的波長峰值尖銳，所以可以提高顏色純度。在采用側(cè)光型的情況下，配置導(dǎo)光板，來實現(xiàn)均勻的面光源。像這樣，形成液晶顯示裝置。此外，液晶顯示裝置也可以只意味著襯底、相對襯底、以及夾在它們之間的液晶的部分。再者，作為液晶顯示裝置，也可以配置有偏振片或相位差板等的光學(xué)膜。除此以外， 也可以包括擴散板、棱鏡片、光源(冷陰極管或LED等)、導(dǎo)光板等。另外，在本實施方式中，說明了在溝道區(qū)域上配置有柵電極的所謂的頂柵型薄膜晶體管，但是本發(fā)明并不局限于此。也可以采用在溝道區(qū)域下配置有柵電極的所謂的底柵型薄膜晶體管、或在溝道區(qū)域上下配置有柵電極的薄膜晶體管。 在本實施方式中，說明了形成有一個柵電極的所謂的單柵極TFT，但是也可以形成具有兩個以上的柵電極的所謂的多柵極TFT。 液晶顯示裝置可以是透過型液晶顯示裝置或反射型液晶顯示裝置。反射型液晶顯示裝置是通過例如使用透光膜(例如銦錫氧化物(ITO)膜、銦鋅氧化物(IZO)膜、氧化鋅 (ZnO)膜、或加入有雜質(zhì)的多晶硅膜或非晶硅膜)形成導(dǎo)電膜115并使用具有反射性的導(dǎo)電膜如金屬膜形成像素電極113而實現(xiàn)的。另外，也可以使用透光膜形成像素電極113，并且使用具有反射性的導(dǎo)電膜如金屬膜形成導(dǎo)電膜115的一部分并使用透光膜形成另一部分， 以實現(xiàn)半透過型液晶顯示裝置。另外，在反射型液晶顯示裝置中，通過使用具有反射性的導(dǎo)電膜如金屬膜作為導(dǎo)電膜115，可以使導(dǎo)電膜115起到反射板的作用?？梢允褂镁哂蟹瓷湫缘膶?dǎo)電膜形成像素電極113及導(dǎo)電膜115這二者，或者，也可以使用具有反射性的導(dǎo)電膜形成像素電極113及導(dǎo)電膜115的任意一方。另外，也可以在襯底101和導(dǎo)電膜115之間形成絕緣膜(例如氧化硅膜)，以在所述絕緣膜中形成作為反射膜的金屬膜。再者，也可以在襯底101的外側(cè)一面提供作為反射膜的反射片(例如鋁膜)。此外，這里所述的內(nèi)容也可以同樣地適用于如下所述的各實施方式。根據(jù)本實施方式，可以提供具有廣視角且其制造成本比以往低的液晶顯示裝置。另外，在本實施方式中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性半導(dǎo)體裝置。另外，在本實施方式中制造具有頂柵型薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置，因此背柵的電位穩(wěn)定，而可以獲得高可靠性半導(dǎo)體裝置。實施方式2在本實施方式中，參照圖2說明制造底柵型TFT作為像素部的開關(guān)元件的例子。在襯底201上形成有導(dǎo)電膜202、基底膜203、柵電極204、柵極絕緣膜213、作為有源層的島狀半導(dǎo)體膜206、作為源區(qū)及漏區(qū)之一的區(qū)域208a、作為源區(qū)及漏區(qū)的另一個的區(qū)域208b、作為源電極及漏電極之一的電極207a、作為源電極及漏電極的另一個的電極 207b、像素電極209及214 (214a.214b.214c等)。由柵電極204、柵極絕緣膜213、島狀半導(dǎo)體膜206、區(qū)域208a及區(qū)域208b構(gòu)成TFT212。在像素電極214和導(dǎo)電膜202之間產(chǎn)生橫向電場225。因此，液晶分子被驅(qū)動。
另外，在基底膜203上配置有以與柵電極204相同材料及工序形成的電極205。并且，配置有形成在絕緣膜210上并以與像素電極209相同材料及工序形成的電極211。電極 211通過形成在基底膜203、柵極絕緣膜213及絕緣膜210中的接觸孔電連接到導(dǎo)電膜202 和電極205。襯底201使用與襯底101相同的材料，即可。導(dǎo)電膜202使用與實施方式1所述的導(dǎo)電膜115相同的導(dǎo)電膜，即可。只要使用與基底膜102相同的材料形成基底膜203，即可。只要以與柵電極105相同的材料及工序形成柵電極204及電極205，即可。柵極絕緣膜213使用與柵極絕緣膜104或?qū)娱g絕緣膜106相同的材料形成在襯底201的整個面上。在本實施方式中，說明形成有一個柵電極的所謂的單柵極TFT，但是也可以形成具有兩個以上的柵電極的所謂的多柵極TFT。作為有源層的島狀半導(dǎo)體膜206以與島狀半導(dǎo)體膜103相同的材料形成，即可。優(yōu)選使用非晶半導(dǎo)體膜、微晶半導(dǎo)體膜(半晶半導(dǎo)體膜)。在此情況下，在形成本征半導(dǎo)體膜 (島狀半導(dǎo)體膜206)之后，形成包含賦予一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜。例如，作為賦予 η型的雜質(zhì)，可以使用磷(P)及砷(As)等。作為賦予ρ型的雜質(zhì)，可以使用硼(B)。本實施方式的底柵型TFT具有溝道蝕刻結(jié)構(gòu)，因此需要在形成島狀半導(dǎo)體膜、源電極、漏電極之后蝕刻溝道形成區(qū)域的一部分。接著，在柵極絕緣膜213及島狀半導(dǎo)體膜206上形成導(dǎo)電膜，然后通過蝕刻形成電極207a及207b。接下來，以電極207a及207b為掩模蝕刻包含賦予一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的半導(dǎo)體膜的一部分，來形成區(qū)域208a及208b。絕緣膜210形成在島狀半導(dǎo)體膜206、區(qū)域208a、區(qū)域20汕、電極207a、以及電極 207b上。只要以與層間絕緣膜106或?qū)娱g絕緣膜111相同的材料及工序形成絕緣膜210， 即可。注意，通過不使用有機材料作為絕緣膜210，可以減少像素電極214和導(dǎo)電膜202的間隔d，并可以容易控制電場。在絕緣膜210上形成像素電極209及214(2Ha、214b、2Hc等)、電極211。像素電極209及214是如像素電極113及114那樣形成有槽的導(dǎo)電膜。電極211通過形成在柵極絕緣膜213及絕緣膜210中的接觸孔電連接到電極205， 并通過形成在基底膜203、柵極絕緣膜213及絕緣膜210中的接觸孔電連接到導(dǎo)電膜202。取向膜215形成在像素電極209及214、電極211上。只要使用與取向膜112相同的材料形成取向膜215，即可。在相對襯底221上形成有濾色片222和取向膜223。相對襯底221、濾色片222及取向膜223使用與相對襯底120、濾色片122及取向膜123相同的材料，即可。在使相對襯底221上的取向膜223和襯底201上的取向膜215相對而形成的空隙中添加液晶216。然后，在不接觸液晶216 —側(cè)的相對襯底221或襯底201上形成偏振片2M及217、 相位差板(未圖示)、λ/4板等的光學(xué)膜(未圖示)、擴散板或棱鏡片等的光學(xué)膜等。再者，還提供背光燈或前光燈。作為背光燈，可以采用直下型或側(cè)光型。作為光源，可以使用冷陰極管或LED (發(fā)光二極管)。作為LED，可以使用白色LED，或者，也可以組合每個顏色的LED(例如白色、紅色、藍(lán)色、綠色、藍(lán)綠色、紫紅色、黃色等)。通過使用LED，由于光的波長峰值尖銳，所以可以提高顏色純度。在采用側(cè)光型的情況下，配置導(dǎo)光板，來實現(xiàn)均勻的面光源。像這樣，形成液晶顯示裝置。圖沈示出TFT212的有源層由結(jié)晶半導(dǎo)體膜構(gòu)成的例子。注意，在圖沈中，使用同一標(biāo)號表示與圖2相同的部分。在圖沈中，TFT212具有結(jié)晶半島體膜253作為有源層， 而且結(jié)晶半島體膜253具有溝道形成區(qū)域256、作為源區(qū)及漏區(qū)之一的區(qū)域258a、以及作為源區(qū)及漏區(qū)之另一個的區(qū)域258b。另外，使用以與作為源電極及漏電極之一的電極207a、以及作為源電極及漏電極的另一個的電極207b相同的材料及工序形成的電極251代替圖2所示的電極211。注意，本實施方式與實施方式1不同之處只是將實施方式1的TFT121轉(zhuǎn)換成底柵型TFT212，因此其他結(jié)構(gòu)的制造材料及制造工序可以參照實施方式1所述的制造材料及制
造工序。根據(jù)本實施方式，可以提供具有廣視角且其制造成本比以往低的液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性液晶顯示裝置。實施方式3在本實施方式中，圖6表示將像素電極113形成為與區(qū)域131b直接連接，而不形成實施方式1的電極108的例子。在圖6中的標(biāo)號使用實施方式1中的標(biāo)號。其他結(jié)構(gòu)的制造材料及制造工序可以參照實施方式1所述的制造材料及制造工序。在本實施方式中， 由于不形成電極108，所以可以提高開口率。根據(jù)需要，也可以采用實施方式2所述的底柵型TFT。根據(jù)本實施方式，可以提供具有廣視角且其制造成本比以往低的液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的液晶顯示裝置時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性液晶顯示裝置。實施方式4下面，參照圖10、圖11、圖12及圖13說明本實施方式。在圖10、圖11、圖12及圖 13中的標(biāo)號使用實施方式1中的標(biāo)號。其他結(jié)構(gòu)的制造材料及制造工序可以參照實施方式 1所述的制造材料及制造工序。根據(jù)需要，也可以采用實施方式2所述的底柵型TFT。根據(jù)需要，也可以采用實施方式3所述的像素電極直接連接于有源層的結(jié)構(gòu)。在圖10中，使用以與像素電極113相同的材料及工序形成的電極141代替圖6的連接電極109。布線119及導(dǎo)電膜115通過電極141電連接。圖11是圖10的俯視圖。在圖11中，使用同一標(biāo)號表示與圖4及圖10相同的部分。圖10是沿圖11的C-C'及D-D'截斷的截面圖。在圖12中，使用以與像素電極113相同的材料及工序形成的電極141、以及以與電極107及108相同的材料及工序形成的電極142代替圖6的連接電極109。布線119及導(dǎo)電膜115通過電極141及142電連接。圖13是圖12的俯視圖。在圖13中，使用同一標(biāo)號表示與圖4及圖12相同的部分。圖12是沿圖13的C-C'及E-E'截斷的截面圖。根據(jù)本實施方式，可以提供具有廣視角且其制造成本比以往低的液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的液晶顯示裝置時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性液晶顯示裝置。實施方式5在本實施方式中，參照圖7、圖8A至8D及圖9A至9D說明將像素電極形成為各種形狀的例子。在圖7、圖8A至8D及圖9A至9D中的標(biāo)號使用實施方式1中的標(biāo)號。其他結(jié)構(gòu)的制造材料及制造工序可以參照實施方式1所述的制造材料及制造工序。根據(jù)需要，也可以采用實施方式2所述的底柵型TFT。根據(jù)需要，也可以采用實施方式3所述的像素電極直接連接于有源層的結(jié)構(gòu)。另外，還可以采用實施方式4所述的導(dǎo)電膜115和布線119的連接結(jié)構(gòu)。圖7表示梳狀像素電極113，沿圖7的A-A'及B-B'截斷的截面圖與圖3相同。 另外，在圖8A至9D中，為了容易理解而只示出像素電極113和導(dǎo)電膜115。在圖8A中，像素電極113形成有多個槽縫狀開口。槽縫狀開口相對于源極布線傾斜。并且，位于像素電極113的上半部分的槽縫狀開口和位于像素電極113的下半部分的槽縫狀開口相對于像素電極113的中心線具有互不相同的角度。位于像素電極113的上半部分的槽縫狀開口和位于像素電極113的下半部分的槽縫狀開口也可以相對于中心線對稱。在圖8B中，像素電極113具有如下形狀具有沿著圓周的形狀且半徑不同的多個電極配置為同心圓形狀，其中所述多個電極彼此連接。并且，各電極之間的空間起到開口的作用。在圖8C中，像素電極113具有如下形狀具有梳齒狀的兩個電極配置為彼此相對且梳子齒兒部分交錯。并且，各梳齒部分之間的空間起到開口的作用。在圖8D中，像素電極113是梳子狀的形狀，并且各梳齒部分之間的空間起到開口的作用。在圖9A中，像素電極113是傾斜的條形，并且條形部分之間的空間起到開口的作用。在圖9B中，像素電極113具有多個矩形開口部。在圖9C中，像素電極113具有如下開口部細(xì)長矩形中的相對兩邊具有波形狀。在圖9D中，像素電極113具有細(xì)長矩形狀的開口部。根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有廣視角且其制造成本比以往低的液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的液晶顯示裝置時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性液晶顯示裝置。實施方式6在本實施方式中，參照圖22、圖23A和2 及圖M說明將濾色片設(shè)置在與實施方式1不同的位置上的例子。圖22是說明根據(jù)本實施方式的FFS方式的液晶顯示裝置的像素部結(jié)構(gòu)的截面圖。 根據(jù)本實施方式的液晶顯示裝置的像素部與實施方式1所示的液晶顯示裝置不同之處如下設(shè)置濾色片241 (紅色濾光片M1R、藍(lán)色濾光片M1B、以及綠色濾光片MlG)代替層間絕緣膜106，而不在相對襯底120側(cè)設(shè)置濾色片。其他結(jié)構(gòu)與實施方式1相同。因此，除了實施方式1以外的其他實施方式所說明的內(nèi)容可適用于本實施方式。 以下，使用同一標(biāo)號表示與實施方式1相同的結(jié)構(gòu)，來省略其說明。此外，也可以在濾色片241和柵電極105之間提供無機材料的絕緣膜。無機材料由包含氧或氮的絕緣物質(zhì)如氧化硅、氮化硅、包含氮的氧化硅、包含氧的氮化硅等構(gòu)成。優(yōu)選使用包含多量氮的材料，以阻擋雜質(zhì)侵入。另外，也可以在濾色片241上形成平整膜。此外，濾色片Ml的顏色也可以是除了紅色、藍(lán)色、以及綠色之外的顏色，也可以是三種以上的顏色如四種或六種顏色。例如，也可以追加黃色、藍(lán)綠色、紫紅色、白色。另外， 除了濾色片之外，還可以配置黑矩陣。黑矩陣可以由樹脂材料構(gòu)成，或者，也可以由金屬膜構(gòu)成。再者，黑矩陣還可以由碳黑構(gòu)成。像這樣，通過在襯底101上配置濾色片對1，不需要對相對襯底120準(zhǔn)確地進(jìn)行位置對準(zhǔn)，因此可以容易制造，成本降低，并且制造成品率提高。根據(jù)本實施方式的液晶顯示裝置的制造方法與根據(jù)實施方式1的液晶顯示裝置大致相同，其中與實施方式1不同的點如下進(jìn)行形成濾色片M1(M1R、241G、以及MlB) 的工序代替形成層間絕緣膜106的工序。濾色片M1R、241G及MlB是反復(fù)進(jìn)行三次的如下工序而形成的形成濾色片層的工序、在濾色片層上形成抗蝕劑的工序、以及以抗蝕劑為掩模對濾色片層選擇性地進(jìn)行干蝕刻的工序?；蛘?，使用感光材料或顏料等代替抗蝕劑。此外，在濾色片層相互之間形成有空間，在該空間中嵌入有層間絕緣膜111。或者，還層疊無機材料或有機材料?；蛘撸瑢盈B黑矩陣等。另外，也可以使用液滴噴射法(例如噴墨法)形成濾色片M1R、241G及M1B、或黑矩陣。因此，可以減少液晶顯示裝置的制造工序數(shù)量。另外，由于在襯底101 —側(cè)設(shè)置濾色片，所以與在相對襯底120上形成濾色片的情況相比，即使與相對襯底120之間產(chǎn)生位置偏差也可以抑制開口率的降低。換言之，對相對襯底120的位置偏差的余量(margin)增大。圖23A是圖22所示的液晶顯示裝置的平面圖。如圖23A所示，在本實施方式的液晶顯示裝置中，在像素部150的周圍形成有作為外圍驅(qū)動電路的源極線驅(qū)動電路152及柵極線驅(qū)動電路154。也可以在源極線驅(qū)動電路152及柵極線驅(qū)動電路巧4上分別提供有紅色濾光片 M1R。通過設(shè)置紅色濾光片M1R，可以防止源極線驅(qū)動電路152及柵極線驅(qū)動電路巧4具有的薄膜晶體管的有源層的光退化，并實現(xiàn)平整化。圖2 是放大圖23A的像素部150的一部分(3X3行列)的圖。在像素部150中， 紅色濾光片M1R、藍(lán)色濾光片M1B、以及綠色濾光片MlG交替地配置為條形狀。另外，在各像素所具有的薄膜晶體管上配置有紅色濾光片M1R。另外，源極布線(未圖示)及柵極布線(未圖示)配置為與濾色片相互之間的空間重疊，因此可以抑制漏光。像這樣，紅色濾光片MlR起到黑矩陣的作用，因此可以省略以往所需要的黑矩陣形成工序。如上所述，根據(jù)本實施方式，可以得到與其他實施方式相同的效果。另外，配置濾色片M1R、241G及MlB代替層間絕緣膜106，因此可以減少液晶顯示裝置的制造工序數(shù)量。 另外，與在相對襯底120上形成濾色片的情況相比，即使與相對襯底120之間產(chǎn)生位置偏差也可以抑制開口率的降低。換言之，對相對襯底120的位置偏差的余量增大。另外，除了濾色片之外，還可以配置黑矩陣。此外，在其他實施方式所示的FFS方式的液晶顯示裝置中，也可以與本實施方式同樣地設(shè)置濾色片241 Q41RJ41G及MlB)代替層間絕緣膜106或第二層間絕緣膜111 (參照圖24)。在這種情況下，也可以得到與本實施方式相同的效果。實施方式7在本實施方式中，說明晶體管的結(jié)構(gòu)及制造方法。圖29A至29G是表示晶體管的結(jié)構(gòu)及制造方法的一個例子的圖。圖29A表示晶體管的結(jié)構(gòu)例子。圖29B至29G表示晶體管的制造方法的一個例子。晶體管的結(jié)構(gòu)及制造方法不局限于圖29々至四6，而可以采用各種結(jié)構(gòu)及制造方法。
首先，參照圖^A說明晶體管的結(jié)構(gòu)例子。圖^A是具有多個不同結(jié)構(gòu)的晶體管的截面圖。在圖^A中示出排列的具有多個不同結(jié)構(gòu)的晶體管，以說明晶體管的結(jié)構(gòu)，但是在實際上，晶體管不需要如圖29A所示那樣排列，而可以根據(jù)需要分別形成晶體管。下面，說明構(gòu)成晶體管的各層的特征。作為襯底7011，可以使用玻璃襯底如鋇硼硅酸鹽玻璃或者鋁硼硅酸鹽玻璃等、 石英襯底、陶瓷襯底、或包括不銹鋼的金屬襯底等。另外可以使用由以聚對苯二甲酸乙酯 (PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、或者聚醚砜(PEQ為代表的塑料、或丙烯等的具有柔性的合成樹脂構(gòu)成的襯底。通過使用具有柔性的襯底，可以制造能夠彎曲的半導(dǎo)體裝置。另外，當(dāng)使用具有柔性的襯底時對其面積及形狀沒有很大的限制，因而，如果使用例如一邊為 1米以上的矩形狀襯底作為襯底7011，可以格外地提高生產(chǎn)率。與使用圓形的硅襯底相比， 這種優(yōu)點是很大的優(yōu)勢。絕緣膜7012用作基底膜，提供它以便防止來自襯底7011的如Na等堿金屬或堿土金屬對半導(dǎo)體元件的特性給以不利的影響。作為絕緣膜7012，可以使用包含氧或氮的絕緣膜例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y)、氮氧化硅(SiNxOy) (χ > y)等的單層結(jié)構(gòu)或者疊層結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)提供具有雙層結(jié)構(gòu)的絕緣膜7012時，優(yōu)選提供氮氧化硅膜作為第一層的絕緣膜和提供氧氮化硅膜作為第二層的絕緣膜。當(dāng)提供具有三層結(jié)構(gòu)的絕緣膜7012時，優(yōu)選提供氧氮化硅膜作為第一層的絕緣膜、提供氮氧化硅膜作為第二層的絕緣膜、和提供氧氮化硅膜作為第三層的絕緣膜。可以用非晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體、或半晶半導(dǎo)體(SAS)形成半導(dǎo)體層7013、7014及 7015?；蛘撸部梢允褂枚嗑О雽?dǎo)體層。SAS是具有非晶和晶體結(jié)構(gòu)(包含單晶和多晶)的中間結(jié)構(gòu)，而且具有在自由能方面穩(wěn)定的第三狀態(tài)的半導(dǎo)體，其中包括具有短程有序和晶格畸變的結(jié)晶區(qū)。至少在膜的一部分區(qū)域中可以觀察從0.5nm到20nm的結(jié)晶區(qū)。在以硅為主要成分的情況下，拉曼光譜偏移到低于520CHT1的波數(shù)一側(cè)。當(dāng)進(jìn)行X射線衍射時觀察到被認(rèn)為是由硅晶格引起的(111)和O20)的衍射峰。含有至少1原子％以上的氫或鹵素以補償懸掛鍵。通過對材料氣體進(jìn)行輝光放電分解(等離子體CVD)形成SAS。除了 SiH4 之夕卜，Si2H6, SiH2Cl2, SiHCl3、SiCl4, SiF2等可以用于材料氣體。或者，可以混合GeF4。也可以用H2或者H2與選自He、Ar、Kr、和Ne中的一種或多種稀有氣體元素稀釋所述材料氣體。 稀釋比率為從2倍到1000倍的范圍，壓力范圍為大約從0. 1 至133Pa，并且電源頻率為 IMHz至120MHz，優(yōu)選為13MHz至60MHz。襯底加熱溫度可以為300°C以下。作為在膜中的雜質(zhì)元素，大氣成分雜質(zhì)如氧、氮、或碳等優(yōu)選為1 X IO20Cm-1以下，特別是氧濃度為5 X IO19/ cm3以下，優(yōu)選為lX1019/cm3以下。這里，通過濺射法、LPCVD法、或等離子體CVD法等使用以硅(Si)為主要成分的材料(例如SixGel-x等)形成非晶半導(dǎo)體層，并通過結(jié)晶方法如激光結(jié)晶方法、使用RTA或者退火爐的熱結(jié)晶方法、使用促進(jìn)結(jié)晶的金屬元素的熱結(jié)晶方法等使該非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶化。作為絕緣膜7016，可以采用包含氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiOx)、氮化硅 (SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y)、氮氧化硅(SiNxOy) (x > y)等的單層結(jié)構(gòu)或者疊層結(jié)構(gòu)。柵電極7017可以采用單層的導(dǎo)電膜或由兩層、三層導(dǎo)電膜構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。作為柵電極7017的材料，可以使用導(dǎo)電膜。例如，可以使用鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)、硅(Si)等的元素的單體膜；所述元素的氮化膜(典型地說，氮化鉭膜、氮化鎢膜、氮化鈦膜)；所述元素組合而成的合金膜(典型地說，Mo-W合金、Mo-Ta合金)；或者，所述元素的硅化物膜(典型地說，硅化鎢膜、硅化鈦膜)等。注意，如上所述的單體膜、氮化膜、合金膜、硅化物膜等也可以由單層或疊層構(gòu)成。絕緣膜7018可以通過濺射法或等離子體CVD法等使用如下材料的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)來形成包含氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y)、氮氧化硅(SiNxOy) (χ > y)等；DLC(類金剛石碳)等的包含碳的膜。絕緣膜7019可以使用如下材料的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)來形成硅氧烷樹脂；包含氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y)、氮氧化硅 (SiNxOy) (χ > y)等；DLC(類金剛石碳)等的包含碳的膜；環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯基苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯等的有機材料。注意，硅氧烷樹脂相當(dāng)于包含Si-O-Si鍵的樹脂。 硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。作為取代基，使用至少包含氫的有機基 (例如烷基、芳烴)。作為取代基，也可以使用氟基。此外，作為取代基，也可以使用至少包含氫的有機基以及氟基。注意，也可以覆蓋柵電極7017地形成絕緣膜7019，而不形成絕緣膜 7018。導(dǎo)電膜7023可以使用如下材料Al、Ni、C、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au、Mn等的元素的
單體膜；所述元素的氮化膜；所述元素組合而成的合金膜；或者，所述元素的硅化物膜等。 例如，作為包含多個所述元素的合金，可以使用包含C及Ti的Al合金、包含Ni的Al合金、 包含C及Ni的Al合金、包含C及Mn的Al合金等。另外，在采用疊層結(jié)構(gòu)的情況下，可以采用將Al夾在Mo或Ti等之間的結(jié)構(gòu)。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以提高Al的對熱或化學(xué)反應(yīng)的耐性。接著，參照圖29A所示的具有多個不同結(jié)構(gòu)的晶體管的截面圖說明各結(jié)構(gòu)的特征。晶體管7001表示單漏極晶體管，并可以以簡單的方法制造，因此其優(yōu)點在于制造成本低并且成品率高。注意，錐形角是45度至95度(包含45度而不包含95度)，優(yōu)選為 60度至95度(包含60度而不包含95度)。或者，錐形角可以是低于45度。這里，半導(dǎo)體層7013及7015具有不同的雜質(zhì)濃度，其中半導(dǎo)體層7013用作溝道區(qū)域，而半導(dǎo)體層7015 用作源區(qū)及漏區(qū)。像這樣，通過控制雜質(zhì)量，可以控制半導(dǎo)體層的電阻率。另外，可以使半導(dǎo)體層和導(dǎo)電膜7023之間的電連接狀態(tài)接近于歐姆連接。此外，作為分別形成雜質(zhì)量不同的半導(dǎo)體層的方法，可以使用以柵電極7017為掩模將雜質(zhì)摻雜到半導(dǎo)體層中的方法。晶體管7002表示柵電極7017具有一定程度以上的錐形角的晶體管，并可以以簡單的方法制造，因此其優(yōu)點在于制造成本低并且成品率高。這里，半導(dǎo)體層7013、7014、 7015具有互不相同的雜質(zhì)濃度，半導(dǎo)體層7013用作溝道區(qū)域，半導(dǎo)體層7014用作低濃度漏(LDD ；輕摻雜漏極)區(qū)域，并且半導(dǎo)體層7015用作源區(qū)及漏區(qū)。像這樣，通過控制雜質(zhì)量，可以控制半導(dǎo)體層的電阻率。另外，可以使半導(dǎo)體層和導(dǎo)電膜7023之間的電連接狀態(tài)接近于歐姆連接。另外，由于具有LDD區(qū)域，所以高電場不容易施加到晶體管內(nèi)部，并可以抑制由熱載流子導(dǎo)致的元件退化。此外，作為分別形成雜質(zhì)量不同的半導(dǎo)體層的方法，可以使用以柵電極7017為掩模將雜質(zhì)摻雜到半導(dǎo)體層中的方法。因為在晶體管7002中，柵電極7017具有一定程度以上的錐形角，所以經(jīng)過柵電極7017而摻雜到半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)的濃度可以具有梯度，而可容易形成LDD區(qū)域。注意，錐形角是45度至95度(包含45度而不包含95度)，優(yōu)選為60度至95度(包含60度而不包含95度)。或者，錐形角可以是低于45度。晶體管7003表示柵電極7017至少由兩個層構(gòu)成且下層?xùn)烹姌O比上層?xùn)烹姌O長的晶體管。在本說明書中，將上層?xùn)烹姌O及下層?xùn)烹姌O的形狀稱為帽子形狀。柵電極7017具有帽子形狀，而可以在不增加光掩模的狀態(tài)下形成LDD區(qū)域。注意，將像晶體管7003那樣 LDD區(qū)域重疊于柵電極7017的結(jié)構(gòu)特別稱為GOLD結(jié)構(gòu)(Gate Overlapped LDD ；柵極重疊 LDD)。此外，作為將柵電極7017形成為帽子形狀的方法，可以使用如下所述的方法。首先，當(dāng)對柵電極7017進(jìn)行蝕刻時，通過干蝕刻對下層?xùn)烹姌O及上層?xùn)烹姌O進(jìn)行蝕刻，以將它們形成為其側(cè)面具有坡度的形狀。接著，通過進(jìn)行各向異性蝕刻，將上層?xùn)烹姌O加工為其坡度接近于垂直。由此，可以形成其截面形狀為帽子形狀的柵電極。然后，進(jìn)行兩次的雜質(zhì)元素?fù)诫s，而形成用作溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層7013、用作LDD區(qū)域的半導(dǎo)體層 7014、以及用作源電極及漏電極的半導(dǎo)體層7015。注意，將重疊于柵電極7017的LDD區(qū)域稱為Lov區(qū)域，并將不重疊于柵電極7017 的LDD區(qū)域稱為LofT區(qū)域。Loff區(qū)域雖然高效地抑制截止電流值，但是不能高效地緩和漏極附近的電場來抑制由熱載流子導(dǎo)致的導(dǎo)通電流值的退化。相反，Lov區(qū)域雖然高效地緩和漏極附近的電場來防止導(dǎo)通電流值的退化，但是不能高效地抑制截止電流值。因此，優(yōu)選根據(jù)各種電路所需要的特性而分別制造合適的晶體管。例如，在將半導(dǎo)體裝置用作顯示裝置的情況下，作為像素晶體管，優(yōu)選使用具有Loff區(qū)域的晶體管，以抑制截止電流值。另一方面，作為外圍電路的晶體管，優(yōu)選使用具有Lov區(qū)域的晶體管，以緩和漏極附近的電場來防止導(dǎo)通電流值的退化。晶體管7004表示具有與柵電極7017的側(cè)面接觸的側(cè)壁7021的晶體管。通過提供側(cè)壁7021，可以將重疊于側(cè)壁7021的區(qū)域用作LDD區(qū)域。晶體管7005表示通過使用掩模7022對半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜以形成LDD (Loff)區(qū)域的晶體管。通過進(jìn)行這種工序，可以確實形成LDD區(qū)域，并可以降低晶體管的截止電流值。晶體管7006表示通過使用掩模對半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜以形成LDD (Lov)區(qū)域的晶體管。通過進(jìn)行這種工序，可以確實形成LDD區(qū)域，并可以緩和晶體管的漏極附近的電場來抑制導(dǎo)通電流值的退化。下面，參照圖29B至29G說明晶體管的制造方法的一個例子。注意，晶體管的結(jié)構(gòu)及其制造方法不局限于圖^A至^G，可以采用各種結(jié)構(gòu)及制造方法。在本實施方式中，對襯底7011的表面、絕緣膜7012的表面、半導(dǎo)體層7013的表面、半導(dǎo)體層7014的表面、半導(dǎo)體層7015的表面、絕緣膜7016的表面、絕緣膜7018的表面、 或絕緣膜7019的表面使用等離子體處理進(jìn)行氧化或氮化，由此，可以使半導(dǎo)體層或絕緣膜氧化或氮化。像這樣，使用等離子體處理對半導(dǎo)體層或絕緣膜進(jìn)行氧化或氮化，由此，該半導(dǎo)體層或絕緣膜的表面改性，并可以形成比通過CVD方法或濺射法形成的絕緣膜更致密的絕緣膜。因此，可以抑制如針孔等的缺陷，以及可以改善半導(dǎo)體裝置的特性等。注意，將通過進(jìn)行等離子體處理而形成的絕緣膜70M稱為等離子體處理絕緣膜。作為側(cè)壁7021，可以使用氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。作為將側(cè)壁7021形成在柵電極7017的側(cè)面的方法，例如可以使用如下方法在形成柵電極7017之后形成氧化硅 (SiOx)或氮化硅(SiNx)膜，接著，通過各向異性蝕刻對氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)膜進(jìn)行蝕刻。通過采用這種方法，可以只在柵電極7017的側(cè)面殘留氧化硅(SiOx)或氮化硅 (SiNx)膜，因此可以在柵電極7017的側(cè)面形成側(cè)壁7021。另外，可以在絕緣膜7012下配置導(dǎo)電膜。該導(dǎo)電膜有時用作公共電極。圖33表示底柵型晶體管的截面結(jié)構(gòu)及電容元件的截面結(jié)構(gòu)。在襯底7091的整個面上形成有第一絕緣膜(絕緣膜709 。但是，本發(fā)明不局限于此。也可以不形成第一絕緣膜(絕緣膜7092)。第一絕緣膜具有防止來自襯底一側(cè)的雜質(zhì)影響到半導(dǎo)體層而改變晶體管的性質(zhì)的功能。就是說，第一絕緣膜用作基底膜。因此，可以制造高可靠性晶體管。注意，作為第一絕緣膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜(SiOxNy)等的單層、或它們的疊層。在第一絕緣膜上形成有第一導(dǎo)電層(導(dǎo)電層7093及導(dǎo)電層7094)。導(dǎo)電層7093 包含用作晶體管7108的柵電極的部分。導(dǎo)電層7094包含用作電容元件7109的第一電極的部分。作為第一導(dǎo)電層，可以使用 Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、！^e、 Ba、Ge等、或它們的合金?；蛘?，可以使用這些元素(包括合金)的疊層。至少覆蓋第一導(dǎo)電層地形成第二絕緣膜(絕緣膜7104)。第二絕緣膜用作柵極絕緣膜。作為第二絕緣膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜(SiOxNy)等的單層或它們的疊層。注意，優(yōu)選使用氧化硅膜作為與半導(dǎo)體層接觸的部分的第二絕緣膜。這是因為在半導(dǎo)體層和第二絕緣膜接觸的界面上陷阱能級變少的緣故。在第二絕緣膜與Mo接觸的情況下，優(yōu)選使用氧化硅膜作為與Mo接觸的部分的第二絕緣膜。這是因為氧化硅膜不使Mo氧化的緣故。在第二絕緣膜上的與第一導(dǎo)電層重疊的部分的一部分上通過光刻法、噴墨法或印刷法等形成半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層的一部分延伸而到達(dá)第二絕緣膜上的不與第一導(dǎo)電層重疊的部分。半導(dǎo)體層具有溝道形成區(qū)域(溝道形成區(qū)域7100)、LDD區(qū)域(LDD區(qū)域7098、 LDD區(qū)域7099)、雜質(zhì)區(qū)域(雜質(zhì)區(qū)域7095、雜質(zhì)區(qū)域7096、雜質(zhì)區(qū)域7097)。溝道形成區(qū)域 7100用作晶體管7108的溝道形成區(qū)域。LDD區(qū)域7098及LDD區(qū)域7099用作晶體管7108 的LDD區(qū)域。注意，不需要一定形成LDD區(qū)域7098及LDD區(qū)域7099。雜質(zhì)區(qū)域7095包含用作晶體管7108的源電極及漏電極之一的部分。雜質(zhì)區(qū)域7096包含用作晶體管7108的源電極及漏電極的另一個的部分。雜質(zhì)區(qū)域7097包含用作電容元件7109的第二電極的部分。在整個面上形成有第三絕緣膜(絕緣膜7101)。在第三絕緣膜的一部分選擇性地形成有接觸孔。絕緣膜7101用作層間膜。作為第三絕緣膜，可以使用無機材料(氧化硅、 氮化硅、氧氮化硅等)或介電常數(shù)低的有機化合物材料(感光或非感光有機樹脂材料)等。 或者，可以使用包含硅氧烷的材料。注意，硅氧烷是其骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成的材料。作為取代基，使用至少包含氫的有機基(例如烷基、芳烴)。作為取代基，也可以使用氟基。此外，作為取代基，也可以使用至少包含氫的有機基以及氟基。在第三絕緣膜上形成有第二導(dǎo)電層(導(dǎo)電層7102及導(dǎo)電層7103)。導(dǎo)電層7102 通過形成在第三絕緣膜中的接觸孔連接到晶體管7108的源電極及漏電極的另一個。因此，導(dǎo)電層7102包含用作晶體管7108的源電極及漏電極的另一個的部分。在導(dǎo)電層7103電連接到導(dǎo)電層7094的情況下，導(dǎo)電層7103包含用作電容元件7109的第一電極的部分?；蛘?，在導(dǎo)電層7103電連接到作為導(dǎo)電層的雜質(zhì)區(qū)域7097的情況下，導(dǎo)電層7103包含用作電容元件7109的第二電極的部分?；蛘?，在導(dǎo)電層7103不連接到導(dǎo)電層7094及雜質(zhì)區(qū)域 7097的情況下，形成與電容元件7109不同的電容元件。該電容元件具有將導(dǎo)電層7103、雜質(zhì)區(qū)域7097及絕緣膜7101分別用作電容元件的第一電極、第二電極及絕緣層的結(jié)構(gòu)。作為第二導(dǎo)電層，可以使用 Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、Fe、Ba、Ge 等、 或它們的合金?；蛘?，可以使用這些元素(包括合金)的疊層。
注意，在形成第二導(dǎo)電層之后的工序中，可以形成各種絕緣膜或各種導(dǎo)電膜。也可以在絕緣膜7092下配置導(dǎo)電膜。該導(dǎo)電膜有時用作公共電極。下面，說明將非晶硅(a_Si:H)膜或微晶硅膜等用于晶體管的半導(dǎo)體層的晶體管及電容元件的結(jié)構(gòu)。圖30表示頂柵型晶體管的截面結(jié)構(gòu)及電容元件的截面結(jié)構(gòu)。在襯底7031的整個面上形成有第一絕緣膜(絕緣膜7032)。第一絕緣膜具有防止來自襯底一側(cè)的雜質(zhì)影響到半導(dǎo)體層而改變晶體管的性質(zhì)的功能。就是說，第一絕緣膜用作基底膜。因此，可以制造高可靠性晶體管。注意，作為第一絕緣膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜(SiOxNy)等的單層、或它們的疊層。注意，不需要一定形成第一絕緣膜。在此情況下，可以減少工序數(shù)量，這導(dǎo)致制造成本的降低。由于可以使結(jié)構(gòu)簡單，所以可以提高成品率。在第一絕緣膜上形成有第一導(dǎo)電層(導(dǎo)電層7033、導(dǎo)電層7034及導(dǎo)電層7035)。 導(dǎo)電層7033包含用作晶體管7048的源電極及漏電極之一的部分。導(dǎo)電層7034包含用作晶體管7048的源電極及漏電極的另一個的部分。導(dǎo)電層7035包含用作電容元件7049的第一電極的部分。作為第一導(dǎo)電層，可以使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、 Si、Zn、狗、Ba、Ge等、或它們的合金。或者，可以使用這些元素(包括合金)的疊層。在導(dǎo)電層7033及導(dǎo)電層7034的上部形成有第一半導(dǎo)體層(半導(dǎo)體層7036及半導(dǎo)體層7037)。半導(dǎo)體層7036包含用作源電極及漏電極之一的部分。半導(dǎo)體層7037包含用作源電極及漏電極的另一個的部分。此外，作為第一半導(dǎo)體層，可以使用包含磷等的硅等。在導(dǎo)電層7033和導(dǎo)電層7034之間及在第一絕緣膜上形成有第二半導(dǎo)體層(半導(dǎo)體層7038)。并且，半導(dǎo)體層7038 —部分延伸而到達(dá)導(dǎo)電層7033上及導(dǎo)電層7034上。半導(dǎo)體層7038包含用作晶體管7048的溝道區(qū)域的部分。作為第二半導(dǎo)體層，可以使用非晶硅(a-Si:H)等的具有非結(jié)晶性的半導(dǎo)體層、或微晶半導(dǎo)體(y-Si:H)等的半導(dǎo)體層等。至少覆蓋半導(dǎo)體層7038及導(dǎo)電層7035地形成第二絕緣膜(絕緣膜7039及絕緣膜7040)。第二絕緣膜用作柵極絕緣膜。作為第二絕緣膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜(SiOxNy)等的單層或它們的疊層。注意，優(yōu)選使用氧化硅膜作為與第二半導(dǎo)體層接觸的部分的第二絕緣膜。這是因為在第二半導(dǎo)體層和第二絕緣膜接觸的界面上陷阱能級變少的緣故。在第二絕緣膜與Mo接觸的情況下，優(yōu)選使用氧化硅膜作為與Mo接觸的部分的第二絕緣膜。這是因為氧化硅膜不使Mo氧化的緣故。在第二絕緣膜上形成有第二導(dǎo)電層(導(dǎo)電層7041及導(dǎo)電層7042)。導(dǎo)電層7041包含用作晶體管7048的柵電極的部分。導(dǎo)電層7042用作電容元件7049的第二電極或布線。作為第二導(dǎo)電層，可以使用 Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Si、Fe、Ba、 Ge等、或它們的合金?；蛘撸梢允褂眠@些元素(包括合金)的疊層。注意，在形成第二導(dǎo)電層之后的工序中，可以形成各種絕緣膜或各種導(dǎo)電膜。也可以在絕緣膜7032下配置導(dǎo)電膜。該導(dǎo)電膜有時用作公共電極。圖31表示反交錯型(底柵型)晶體管的截面結(jié)構(gòu)及電容元件的截面結(jié)構(gòu)。圖31 所示的晶體管特別具有稱為溝道蝕刻型的結(jié)構(gòu)。在襯底7051的整個面上形成有第一絕緣膜(絕緣膜7052)。第一絕緣膜具有防止來自襯底一側(cè)的雜質(zhì)影響到半導(dǎo)體層而改變晶體管的性質(zhì)的功能。就是說，第一絕緣膜用作基底膜。因此，可以制造高可靠性晶體管。注意，作為第一絕緣膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜(SiOxNy)等的單層、或它們的疊層。注意，不需要一定形成第一絕緣膜。在此情況下，可以減少工序數(shù)量，這導(dǎo)致制造成本的降低。由于可以使結(jié)構(gòu)簡單，所以可以提高成品率。在第一絕緣膜上形成有第一導(dǎo)電層(導(dǎo)電層7053及導(dǎo)電層70M)。導(dǎo)電層7053 包含用作晶體管7068的柵電極的部分。導(dǎo)電層70M包含用作電容元件7069的第一電極的部分。作為第一導(dǎo)電層，可以使用 Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、！^e、 Ba、Ge等、或它們的合金?；蛘?，可以使用這些元素(包括合金)的疊層。至少覆蓋第一導(dǎo)電層地形成第二絕緣膜(絕緣膜7055)。第二絕緣膜用作柵極絕緣膜。作為第二絕緣膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜(SiOxNy)等的單層或它們的疊層。注意，優(yōu)選使用氧化硅膜作為與半導(dǎo)體層接觸的部分的第二絕緣膜。這是因為在半導(dǎo)體層和第二絕緣膜接觸的界面上陷阱能級變少的緣故。在第二絕緣膜與Mo接觸的情況下，優(yōu)選使用氧化硅膜作為與Mo接觸的部分的第二絕緣膜。這是因為氧化硅膜不使Mo氧化的緣故。在第二絕緣膜上的與第一導(dǎo)電層重疊的部分的一部分上通過光刻法、噴墨法或印刷法等形成第一半導(dǎo)體層(半導(dǎo)體層7056)。半導(dǎo)體層7056的一部分延伸而到達(dá)第二絕緣膜上的不與第一導(dǎo)電層重疊的部分。半導(dǎo)體層7056包含用作晶體管7068的溝道區(qū)域的部分。作為半導(dǎo)體層7056，可以使用非晶硅(a-Si:H)等的具有非結(jié)晶性的半導(dǎo)體層、或微晶半導(dǎo)體(P-Si = H)等的半導(dǎo)體層等。在第一半導(dǎo)體層上的一部分形成有第二半導(dǎo)體層(半導(dǎo)體層7057及半導(dǎo)體層 7058)。半導(dǎo)體層7057包含用作源電極及漏電極之一的部分。半導(dǎo)體層7058包含用作源電極及漏電極的另一個的部分。此外，作為第二半導(dǎo)體層，可以使用包含磷等的硅等。在第二半導(dǎo)體層上及第二絕緣膜上形成有第二導(dǎo)電層(導(dǎo)電層7059、導(dǎo)電層7060 及導(dǎo)電層7061)。導(dǎo)電層7059包含用作晶體管7068的源電極及漏電極之一的部分。導(dǎo)電層7060包含用作晶體管7068的源電極及漏電極的另一個的部分。并且，導(dǎo)電層7061包含用作電容元件7069的第二電極的部分。作為第二導(dǎo)電層，可以使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、 Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、佝、Ba、Ge等、或它們的合金?；蛘?，可以使用這些元素(包括合金)的疊層。注意，在形成第二導(dǎo)電層之后的工序中，可以形成各種絕緣膜或各種導(dǎo)電膜。
這里，說明其特征是溝道蝕刻型晶體管的工序的一個例子?？梢允褂猛谎谀Ｐ纬傻谝话雽?dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層。具體地說，連續(xù)形成第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層及第二半導(dǎo)體層以同一掩模形成。這里，說明其特征是溝道蝕刻型晶體管的工序的其他例子。可以形成晶體管的溝道區(qū)域，而不使用新的掩模。具體地說，在形成第二導(dǎo)電層之后，以第二導(dǎo)電層為掩模去除第二半導(dǎo)體層的一部分?；蛘?，使用與第二導(dǎo)電層相同的掩模去除第二半導(dǎo)體層的一部分。 然后，形成在被去除的第二半導(dǎo)體層下部的第一半導(dǎo)體層成為晶體管的溝道區(qū)域。也可以在絕緣膜7052下配置導(dǎo)電膜。該導(dǎo)電膜有時用作公共電極。圖32表示反交錯型(底柵型)晶體管的截面結(jié)構(gòu)及電容元件的截面結(jié)構(gòu)。圖32 所示的晶體管特別具有稱為溝道保護(hù)型(溝道停止)的結(jié)構(gòu)。在襯底7071的整個面上形成有第一絕緣膜(絕緣膜7072)。第一絕緣膜具有防止來自襯底一側(cè)的雜質(zhì)影響到半導(dǎo)體層而改變晶體管的性質(zhì)的功能。就是說，第一絕緣膜用作基底膜。因此，可以制造高可靠性晶體管。注意，作為第一絕緣膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜(SiOxNy)等的單層、或它們的疊層。注意，不需要一定形成第一絕緣膜。在此情況下，可以減少工序數(shù)量，這導(dǎo)致制造成本的降低。由于可以使結(jié)構(gòu)簡單，所以可以提高成品率。在第一絕緣膜上形成有第一導(dǎo)電層(導(dǎo)電層7073及導(dǎo)電層7074)。導(dǎo)電層7073 包含用作晶體管7088的柵電極的部分。導(dǎo)電層7074包含用作電容元件7089的第一電極的部分。作為第一導(dǎo)電層，可以使用 Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、Au、Pt、Nb、Si、Zn、！^e、 Ba、Ge等、或它們的合金。或者，可以使用這些元素(包括合金)的疊層。至少覆蓋第一導(dǎo)電層地形成第二絕緣膜(絕緣膜7075)。第二絕緣膜用作柵極絕緣膜。作為第二絕緣膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜(SiOxNy)等的單層或它們的疊層。注意，優(yōu)選使用氧化硅膜作為與半導(dǎo)體層接觸的部分的第二絕緣膜。這是因為在半導(dǎo)體層和第二絕緣膜接觸的界面上陷阱能級變少的緣故。在第二絕緣膜與Mo接觸的情況下，優(yōu)選使用氧化硅膜作為與Mo接觸的部分的第二絕緣膜。這是因為氧化硅膜不使Mo氧化的緣故。在第二絕緣膜上的與第一導(dǎo)電層重疊的部分的一部分上通過光刻法、噴墨法或印刷法等形成第一半導(dǎo)體層(半導(dǎo)體層7076)。半導(dǎo)體層7076的一部分延伸而到達(dá)第二絕緣膜上的不與第一導(dǎo)電層重疊的部分。半導(dǎo)體層7076包含用作晶體管7088的溝道區(qū)域的部分。作為半導(dǎo)體層7076，可以使用非晶硅(a-Si:H)等的具有非結(jié)晶性的半導(dǎo)體層、或微晶半導(dǎo)體(P-Si = H)等的半導(dǎo)體層等。在第一半導(dǎo)體層上的一部分形成有第三絕緣膜(絕緣膜708 。絕緣膜7082具有防止晶體管7088的溝道區(qū)域被蝕刻而去除的功能。就是說，絕緣膜7082用作溝道保護(hù)膜 (溝道停止膜)。作為第三絕緣膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜(SiOxNy) 等的單層或它們的疊層。在第一半導(dǎo)體層上的一部分及第三絕緣膜上的一部分形成有第二半導(dǎo)體層(半導(dǎo)體層7077及半導(dǎo)體層7078)。半導(dǎo)體層7077包含用作源電極及漏電極之一的部分。半導(dǎo)體層7078包含用作源電極及漏電極的另一個的部分。此外，作為第二半導(dǎo)體層，可以使用包含磷等的硅等。 在第二半導(dǎo)體層上形成有第二導(dǎo)電層(導(dǎo)電層7079、導(dǎo)電層7080及導(dǎo)電層 7081)。導(dǎo)電層7079包含用作晶體管7088的源電極及漏電極之一的部分。導(dǎo)電層7080包含用作晶體管7088的源電極及漏電極的另一個的部分。并且，導(dǎo)電層7081包含用作電容元件7089的第二電極的部分。作為第二導(dǎo)電層，可以使用Ti、Mo、Ta、Cr、W、Al、Nd、Cu、Ag、 Au、Pt、Nb、Si、Si、Fe、Ba、Ge等、或它們的合金?；蛘?，可以使用這些元素(包括合金)的置層。 注意，在形成第二導(dǎo)電層之后的工序中，可以形成各種絕緣膜或各種導(dǎo)電膜。也可以在絕緣膜7072下配置導(dǎo)電膜。該導(dǎo)電膜有時用作公共電極。接著，說明使用半導(dǎo)體襯底作為用來制造晶體管的襯底的例子。通過使用半導(dǎo)體襯底而形成的晶體管具有高遷移率，因此可以減少晶體管的尺寸。其結(jié)果，可以增加在每個單位面積上的晶體管數(shù)量(提高集成度)。當(dāng)采用同一電路結(jié)構(gòu)時，集成度越高，襯底尺寸越小，因此可以降低制造成本。當(dāng)采用同一尺寸的襯底時，集成度越高，電路規(guī)模越大，因此可以以大致相同的制造成本提供更高功能。并且，特性不均勻性低，因此還可以提高成品率。其工作電壓低，因此可以降低耗電量。由于具有高遷移率，所以可以進(jìn)行高速工作。通過集成使用半導(dǎo)體襯底而形成的晶體管而構(gòu)成的電路以IC芯片等的方式安裝在裝置上，而可以使該裝置具有各種功能。例如，通過集成使用半導(dǎo)體襯底而形成的晶體管來構(gòu)成顯示裝置的外圍驅(qū)動電路(數(shù)據(jù)驅(qū)動器(源極驅(qū)動器)、掃描驅(qū)動器(柵極驅(qū)動器)、 時序控制器、圖像處理電路、接口電路、電源電路、振蕩電路等)，可以以低成本及高成品率制造尺寸小、耗電量低且能夠進(jìn)行高速工作的外圍驅(qū)動電路。另外，通過集成使用半導(dǎo)體襯底而形成的晶體管而構(gòu)成的電路可以具有單一極性的晶體管。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以使制造工序簡化，因此可以降低制造成本。通過集成使用半導(dǎo)體襯底而形成的晶體管而構(gòu)成的電路還可以適用于顯示面板。 更詳細(xì)地說，可以適用于LCOS(Liquid Crystal On Silicon ；硅上液晶)等的反射型液晶面板、集成了微小鏡子的DMD(數(shù)字微鏡裝置)元件、EL面板等。通過使用半導(dǎo)體襯底制造這些顯示面板，可以以低成本及高成品率制造尺寸小、耗電量低且能夠進(jìn)行高速工作的顯示面板。注意，顯示面板還可以形成在具有除了驅(qū)動顯示面板以外的功能的元件如大規(guī)模集成電路(LSI)等上。注意，晶體管的結(jié)構(gòu)不局限于附圖所示的結(jié)構(gòu)。例如，可以采用反交錯結(jié)構(gòu)、鰭式 FET結(jié)構(gòu)等的晶體管結(jié)構(gòu)。優(yōu)選采用鰭式FET結(jié)構(gòu)，因為可以抑制由晶體管尺寸的微細(xì)化導(dǎo)致的短溝道效應(yīng)。如上所述，說明了晶體管的結(jié)構(gòu)及晶體管的制造方法。這里，布線、電極、導(dǎo)電層、 導(dǎo)電膜、端子、通路、插頭等優(yōu)選由如下材料構(gòu)成選自由鋁(Al)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、 鎢(W)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎂(Mg)、鈧(Sc)、鈷 (Co)、鋅(Si)、鈮(Nb)、硅(Si)、磷(P)、硼(B)、砷(As)、鎵(Ga)、銦飾)、錫(Sn)、氧(0) 構(gòu)成的組中的一種或多種元素；以選自所述組中的一種或多種元素為成分的化合物或合金材料(例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、包含硅的銦錫氧化物(ITSO)、氧化鋅 (ZnO)、氧化錫(SnO)、氧化錫鎘(CTO)、鋁釹(Al-Nd)、鎂銀(Mg-Ag)、鉬鈮(Mo-Nb)等)?；蛘?，布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等優(yōu)選由組合了這些化合物的物質(zhì)等構(gòu)成?；蛘撸瑑?yōu)選由選自所述組中的一種或多種元素和硅的化合物(硅化物)(例如鋁硅、鉬硅、鎳硅化物等)、或選自所述組中的一種或多種元素和氮的化合物(例如氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬等)構(gòu)成。此外，硅(Si)可以包含η型雜質(zhì)(磷等)或P型雜質(zhì)(硼等)。通過將雜質(zhì)包含在硅中，可以提高導(dǎo)電率，并可以起到與通常的導(dǎo)體相同的作用。因此，可以容易用作布線或電極等。另外，硅可以是單晶、多晶(多晶硅)、或微晶(微晶硅)等的具有各種結(jié)晶性的硅。或者，硅也可以是非晶(非晶硅)等的沒有結(jié)晶性的硅。通過使用單晶硅或多晶硅，可以降低布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等的電阻。通過使用非晶硅或微晶硅，可以以簡單的工序形成布線等。至于鋁或銀，其導(dǎo)電率高，因此可以減少信號延遲，并且由于容易被蝕刻，所以可以進(jìn)行微細(xì)加工。至于銅，其導(dǎo)電率高，因此可以減少信號延遲。在使用銅的情況下，優(yōu)選采用疊層結(jié)構(gòu)，以提高緊密性。此外，即使鉬或鈦與氧化物半導(dǎo)體(ΙΤ0或IZO等)、或硅接觸，也不產(chǎn)生不良，容易進(jìn)行蝕刻，并且其耐熱性高，因此優(yōu)選使用鉬或鈦。優(yōu)選使用鎢，因為具有高耐熱性等的優(yōu)點。此外，優(yōu)選使用釹，因為具有高耐熱性等的優(yōu)點。尤其是，當(dāng)使用釹和鋁的合金時， 其耐熱性提高，而且鋁不容易產(chǎn)生小丘。此外，優(yōu)選使用硅，因為可以與晶體管具有的半導(dǎo)體層同時形成，并其耐熱性高寸。IT0、IZ0、ITS0、氧化鋅(SiO)、硅(Si)、氧化錫(SnO)、氧化錫鎘(CTO)具有透光性， 而可適用于透過光的部分。例如，它們可用作像素電極或公共電極。此外，優(yōu)選使用ΙΖ0，因為容易蝕刻而容易加工。IZO不容易引起當(dāng)蝕刻時留下渣滓的問題。因此，通過使用IZO作為像素電極，可以減少給液晶元件或發(fā)光元件帶來的負(fù)面影響(短路、取向無序等)。此外，布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子、通路、插頭等也可以由單層或疊層構(gòu)成。 通過采用單層結(jié)構(gòu)，可以簡化制造布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等的工序并減少制造天數(shù)，這導(dǎo)致成本降低。另一方面，當(dāng)采用多層結(jié)構(gòu)時，可以使用各種材料的優(yōu)點并且可以減少其缺點，從而形成高性能布線或電極等。舉例來說，通過在多層結(jié)構(gòu)中包括低電阻材料 (鋁等)，可以降低布線的電阻。另外，當(dāng)采用低耐熱性材料被夾在高耐熱性材料之間的疊層結(jié)構(gòu)時，可以使用低耐熱性材料的優(yōu)點并且可以提高布線或電極等的耐熱性。例如，優(yōu)選采用包含鋁的層被夾在包含鉬、鈦、釹等的層之間的疊層結(jié)構(gòu)。這里，在布線或電極等彼此直接接觸的情況下，它們可能不利地彼此影響。例如， 一個布線或電極等可能進(jìn)入另一個布線或電極等的材料中，從而改變其性質(zhì)，從而不能實現(xiàn)希望的目的。作為其他例子，當(dāng)形成或制造高電阻部分時，有時發(fā)生問題并且不能正常地制造。在這種情況下，優(yōu)選將因疊層結(jié)構(gòu)而容易引起反應(yīng)的材料夾在不容易引起反應(yīng)的材料之間，或者，優(yōu)選使用不容易引起反應(yīng)的材料覆蓋容易引起反應(yīng)的材料。例如，在連接ITO 和鋁的情況下，優(yōu)選在ITO和鋁之間插入鈦、鉬、釹合金。另外，在連接硅和鋁的情況下，優(yōu)選在硅和鋁之間插入鈦、鉬、釹合金。注意，布線指的是所配置的導(dǎo)電體。布線形狀可以是線狀，或者，可以為短而不是線狀。因此，布線包括電極在內(nèi)。作為布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子、通路、插頭等，也可以使用碳納米管。由于碳納米管具有透光性，所以可以將它用于透過光的部分。例如，可以用作像素電極或公共電極。注意，在本實施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說明。各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合如上所示的附圖的各部分和其他部分，可以構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合本實施方式的附圖的各部分和其他實施方式的部分，可以構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其變形例子、其一部分改變的例子、改良例子、詳細(xì)例子、應(yīng)用例子、相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以適用于本實施方式所述的內(nèi)容，可以與本實施方式所述的內(nèi)容組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成本實施方式所述的內(nèi)容。實施方式8在本實施方式中，說明顯示裝置的結(jié)構(gòu)。參照圖34A說明顯示裝置的結(jié)構(gòu)。圖34A是顯示裝置的俯視圖。像素部8201、掃描線側(cè)輸入端子8203及信號線側(cè)輸入端子8204形成在襯底8200 上。掃描線從掃描線側(cè)輸入端子8203在行方向上延伸而形成在襯底8200上，并且信號線從信號線側(cè)輸入端子8204在列方向上延伸而形成在襯底8200上。另外，在像素部8201中， 像素8202以矩陣方式配置在掃描線和信號線交叉的部分。如上所述，說明了由外部驅(qū)動電路輸入信號的情況。但是，本發(fā)明不局限于此，可以將IC芯片安裝在顯示裝置上。例如，如圖35A所示，可以通過COG (玻璃上芯片)方式將IC芯片8211安裝在襯底8200上。在此情況下，可以在將IC芯片8211安裝到襯底8200之前進(jìn)行檢查，因此可以提高顯示裝置的成品率。而且，可以提高可靠性。注意，與圖34A所示的結(jié)構(gòu)相同的部分使用同一標(biāo)號來表示，并省略其說明。作為其他例子，如圖35B所示，可以通過TAB (卷帶式自動結(jié)合)方式將IC芯片 8211安裝在FPC(柔性印刷電路)8210上。在此情況下，可以在將IC芯片8211安裝到 FPC8210之前進(jìn)行檢查，因此可以提高顯示裝置的成品率。而且，可以提高可靠性。注意，與圖34A所示的結(jié)構(gòu)相同的部分使用同一標(biāo)號來表示，并省略其說明。這里，不僅可以將IC芯片安裝在襯底8200上，而且還可以將驅(qū)動電路形成在襯底 8200 上。例如，如圖34B所示，可以將掃描線驅(qū)動電路8205形成在襯底8200上。在此情況下，可以減少部件個數(shù)來降低成本。并且，可以減少與電路部件之間的連接個數(shù)來提高可靠性。掃描線驅(qū)動電路8205具有低驅(qū)動頻率，因此通過使用非晶硅或微晶硅作為晶體管的半導(dǎo)體層，可以容易形成掃描線驅(qū)動電路8205。此外，可以通過COG方式將用來將信號輸出到信號線的IC芯片安裝在襯底8200上?；蛘?，可以將通過TAB方式安裝有用來將信號輸出到信號線的IC芯片的FPC配置在襯底8200上。另外，可以通過COG方式將用來控制掃描線驅(qū)動電路8205的IC芯片安裝在襯底8200上?；蛘?，可以將通過TAB方式安裝有用來控制掃描線驅(qū)動電路8205的IC芯片的FPC配置在襯底8200上。注意，與圖34A所示的結(jié)構(gòu)相同的部分使用同一標(biāo)號來表示，并省略其說明。作為其他例子，如圖34C所示，可以將掃描線驅(qū)動電路8205及信號線驅(qū)動電路 8206形成在襯底8200上。因此，可以減少部件個數(shù)來降低成本。并且，可以減少與電路部件之間的連接個數(shù)來提高可靠性。此外，可以通過COG方式將用來控制掃描線驅(qū)動電路8205 的IC芯片安裝在襯底8200上。或者，可以將通過TAB方式安裝有用來控制掃描線驅(qū)動電路8205的IC芯片的FPC配置在襯底8200上。另外，可以通過COG方式將用來控制信號線驅(qū)動電路8206的IC芯片安裝在襯底8200上。或者，可以將通過TAB方式安裝有用來控制信號線驅(qū)動電路8206的IC芯片的FPC配置在襯底8200上。注意，與圖34A所示的結(jié)構(gòu)相同的部分使用同一標(biāo)號來表示，并省略其說明。注意，在本實施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說明。各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合如上所示的附圖的各部分和其他部分，可以構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合本實施方式的附圖的各部分和其他實施方式的部分，可以構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其變形例子、其一部分改變的例子、改良例子、詳細(xì)例子、應(yīng)用例子、相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以適用于本實施方式所述的內(nèi)容，可以與本實施方式所述的內(nèi)容組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成本實施方式所述的內(nèi)容。實施方式9在本實施方式中，說明顯示裝置的工作。圖36表示顯示裝置的結(jié)構(gòu)例子。顯示裝置8400具有像素部8401、信號線驅(qū)動電路8403及掃描線驅(qū)動電路8404。 在像素部8401中，多個信號線Sl至Sn配置為從信號線驅(qū)動電路8403在列方向上延伸。在像素部8401中，多個掃描線Gl至Gm配置為從掃描線驅(qū)動電路8404在行方向上延伸。并且，像素8402以矩陣方式配置在多個信號線Sl至Sn和多個掃描線Gl至Gm交叉的部分。信號線驅(qū)動電路8403具有將信號輸出到信號線Sl至Sn的功能。該信號也可以稱為視頻信號。另外，掃描線驅(qū)動電路8404具有將信號輸出到掃描線Gl至Gm的功能。該信號也可以稱為掃描信號。像素8402至少具有連接到信號線的開關(guān)元件。該開關(guān)元件以掃描線的電位(掃描信號)控制其導(dǎo)通及截止。當(dāng)開關(guān)元件導(dǎo)通時，像素8402被選擇，而當(dāng)開關(guān)元件截止時，像素8402不被選擇。當(dāng)像素8402被選擇(選擇狀態(tài))時，視頻信號從信號線輸入到像素8402。像素 8402的狀態(tài)(例如亮度、透過率、保持電容的電壓等)根據(jù)所輸入的視頻信號而變化。當(dāng)像素8402不被選擇(非選擇狀態(tài))時，視頻信號不輸入到像素8402。但是，像素8402保持與在選擇時所輸入的視頻信號相應(yīng)的電位，因此，像素8402維持相應(yīng)于視頻信號的狀態(tài)(例如亮度、透過率、保持電容的電壓等)。注意，顯示裝置的結(jié)構(gòu)不局限于圖36。例如，也可以根據(jù)像素8402的結(jié)構(gòu)加上布線(掃描線、信號線、電源線、電容線或公共線等)。作為其他例子，還可以加上具有各種功能的電路。圖37是用來說明顯示裝置的工作的時序圖的一個例子。圖37的時序圖表示相當(dāng)于顯示一屏圖像的期間的一幀期間。雖然對一幀期間沒有特別的限制，但是一幀期間優(yōu)選為1/60秒以下，使得觀看圖像的人不會感覺到閃爍。圖37的時序圖表示分別選擇第一行掃描線G1、第i行掃描線Gi (掃描線Gl至Gm 中的任何一個)、第i+Ι行掃描線Gi+Ι、以及第m行掃描線Gm的時序。在選擇掃描線的同時，與該掃描線連接的像素8402也被選擇。例如，當(dāng)選擇第i 行掃描線Gi時，與第i行掃描線Gi連接的像素8402也被選擇。掃描線Gl至Gm的每一個從第一行掃描線Gl到第m行掃描線Gm順序被選擇(以下也稱為掃描)。例如，在第i行掃描線Gi被選擇的期間中，除了第i行掃描線Gi以外的掃描線(Gl至Gi-l、Gi+l至Gm)不被選擇。在下一個期間中，第i+Ι行掃描線Gi+Ι被選擇。注意，將一個掃描線被選擇的期間稱為一個柵極選擇期間。因此，當(dāng)某一行的掃描線被選擇時，視頻信號從信號線Sl至Sn的每一個輸入到與該掃描線連接的多個像素8402。例如，在第i行掃描線Gi被選擇的期間中，與第i行掃描線Gi連接的多個像素8402分別從信號線Sl至Sn的每一個輸入任意的視頻信號。像這樣， 能夠由掃描信號及視頻信號獨立地控制每個像素8402。下面，說明將一個柵極選擇期間分割成多個子?xùn)艠O選擇期間的情況。圖38是在將一個柵極選擇期間分割成兩個子?xùn)艠O選擇期間(第一子?xùn)艠O選擇期間及第二子?xùn)艠O選擇期間)的情況下的時序圖。注意，也可以將一個柵極選擇期間分割成三個以上的子?xùn)艠O選擇期間。圖38的時序圖表示相當(dāng)于顯示一屏圖像的期間的一幀期間。雖然對一幀期間沒有特別的限制，但是一幀期間優(yōu)選為1/60秒以下，使得觀看圖像的人不會感覺到閃爍。注意，一幀被分割成兩個子幀(第一子幀及第二子幀)。圖38的時序圖表示分別選擇第i行掃描線Gi、第i+Ι行掃描線Gi+Ι、第j行掃描線Gj (掃描線Gi+Ι至Gm中的任何一個)、以及第j+Ι行掃描線Gj+Ι的時序。在選擇掃描線的同時，與該掃描線連接的像素8402也被選擇。例如，當(dāng)選擇第i 行掃描線Gi時，與第i行掃描線Gi連接的像素8402也被選擇。掃描線Gl至Gm的每一個在各子?xùn)艠O選擇期間內(nèi)順序被掃描。例如，在某一個柵極選擇期間內(nèi)，第i行掃描線Gi在第一子?xùn)艠O選擇期間中被選擇，而第j行掃描線Gj在第二子?xùn)艠O選擇期間中被選擇。像這樣，可以如同在一個柵極選擇期間中同時選擇兩行掃描信號那樣地進(jìn)行工作。此時，在第一子?xùn)艠O選擇期間及第二子?xùn)艠O選擇期間中，不同的視頻信號分別輸入到信號線Sl至Sn。因此，可以將互不相同的視頻信號輸入到與第i行掃描線 Gi連接的多個像素8402、以及與第j行掃描線Gj連接的多個像素8402。接著，說明實現(xiàn)高圖像質(zhì)量的驅(qū)動方法。圖39A和39B是說明高頻驅(qū)動的圖。圖39A是當(dāng)在顯示兩個輸入圖像的期間中顯示一個內(nèi)插圖像時的圖。期間8410 可以為輸入圖像信號的周期。圖像8411是第一輸入圖像，圖像8412是第一內(nèi)插圖像，圖像 8413是第二輸入圖像，并且圖像8414是第二內(nèi)插圖像。這里，輸入圖像指的是根據(jù)從顯示裝置的外部輸入的信號而形成的圖像。并且，內(nèi)插圖像指的是通過以與輸入圖像不同的時序顯示而對圖像進(jìn)行內(nèi)插的圖像。圖像8412可以為根據(jù)圖像8411及圖像8413的圖像信號而形成的圖像。具體地說，可以根據(jù)包括在圖像8411中的物體的位置和包括在圖像8413中的物體的位置互不相同而推定該物體的位置，以獲得使包括在圖像8412中的物體的位置處于兩者中間狀態(tài)的圖像。這種處理稱為運動補償。圖像8412是通過利用運動補償而形成的圖像，而能夠顯示只有輸入圖像就不能顯示的所述物體的中間位置(1/ ，因此可以使該物體平滑地運動。 或者，圖像8412也可以以圖像8411及8413的圖像信號的平均值來形成。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以減輕由內(nèi)插圖像形成導(dǎo)致的電路的負(fù)擔(dān)，因而可以降低耗電量?；蛘?，圖像8412也可以是根據(jù)圖像8411而形成的圖像。具體地說，通過提高或降低整個圖像8411的亮度或圖像8411的一部分的亮度，可以形成圖像8412。更具體地說，通過轉(zhuǎn)換圖像8411的伽馬特性，可以獲得在整體上的亮度提高或降低了的圖像。圖像8412也可以是黑圖像。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以提高保持型顯示裝置的活動圖像的質(zhì)量。圖39B是當(dāng)在顯示兩個輸入圖像的期間中顯示兩個內(nèi)插圖像時的圖。期間8410 可以為輸入圖像信號的周期。圖像8421是第一輸入圖像，圖像8422是第一內(nèi)插圖像，圖像 8423是第二內(nèi)插圖像，并且圖像8似4是第二輸入圖像。圖像8422及8423可以為根據(jù)圖像8421及圖像8似4的圖像信號而形成的圖像。 具體地說，根據(jù)包括在圖像8421中的物體的位置和包括在圖像84M中的物體的位置互不相同的這一點，可以通過進(jìn)行運動補償來形成。圖像8422及8423是通過利用運動補償而形成的圖像，而能夠顯示只有輸入圖像就不能顯示的所述物體的中間位置(1/3及2/3)，因此可以使該物體平滑地運動?；蛘?，圖像8422及8423也可以以圖像8421及8似4的圖像信號的平均值來形成。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以減輕由內(nèi)插圖像形成導(dǎo)致的電路的負(fù)擔(dān)，因而可以降低耗電量。或者，圖像8422及8423也可以是根據(jù)圖像8421而形成的圖像。具體地說，通過提高或降低整個圖像8421的亮度或圖像8421的一部分的亮度，可以形成圖像8422及8423。 更具體地說，通過轉(zhuǎn)換圖像8421的伽馬特性，可以獲得在整體上的亮度提高或降低了的圖像。圖像8422及8423也可以是黑圖像。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以提高保持型顯示裝置的活動圖像的質(zhì)量。注意，在本實施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說明。各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合如上所示的附圖的各部分和其他部分，可以構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合本實施方式的附圖的各部分和其他實施方式的部分，可以構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其變形例子、其一部分改變的例子、改良例子、詳細(xì)例子、應(yīng)用例子、相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以適用于本實施方式所述的內(nèi)容，可以與本實施方式所述的內(nèi)容組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成本實施方式所述的內(nèi)容。實施方式10在本實施方式中，說明液晶面板的外圍部分。圖40表示具有稱為端面照光方式的背光燈單元5201和液晶面板5207的液晶顯示裝置的一個例子。端面照光方式指的是在背光燈單元的端部配置光源并使該光源的熒光從整個發(fā)光面射出的方式。端面照光式背光燈單元可以實現(xiàn)薄型化及低耗電量化。背光燈單元5201由擴散板5202、導(dǎo)光板5203、反射板5204、燈光反射器5205、以及光源5206構(gòu)成。光源5206具有根據(jù)需要發(fā)光的功能。例如，作為光源5206，使用冷陰極管、熱陰極管、發(fā)光二極管、無機EL元件或有機EL元件等。圖41A至41D表示端面照光式背光燈單元的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。關(guān)于擴散板、導(dǎo)光板及反射板等，省略其說明。圖41A所示的背光燈單元5111使用冷陰極管5113作為光源。并且，設(shè)置有燈光反射器5112，以高效地反射來自冷陰極管5113的光。在這種結(jié)構(gòu)中，能夠從冷陰極管獲得高亮度，而在很多情況下用于大型顯示裝置。圖41B所示的背光燈單元5221使用發(fā)光二極管(LED) 5223作為光源。例如，以預(yù)定的間隔配置發(fā)出白色光的發(fā)光二極管(LED)5223。并且，設(shè)置有燈光反射器5222，以高效地反射來自發(fā)光二極管(LED) 5223的光。圖41C所示的背光燈單元5231使用RGB各種顏色的發(fā)光二極管(LED) 5233、發(fā)光二極管(LED) 5234及發(fā)光二極管(LED) 5235作為光源。例如，以預(yù)定的間隔配置RGB各種顏色的發(fā)光二極管(LED) 5233、發(fā)光二極管(LED) 5234及發(fā)光二極管(LED) 5235。通過使用 RGB各種顏色的發(fā)光二極管(LED) 5233、發(fā)光二極管(LED) 52；34及發(fā)光二極管(LED)5235，可以提高顏色再現(xiàn)性。并且，設(shè)置有燈光反射器5232，以高效地反射來自發(fā)光二極管的光。圖41D所示的背光燈單元5241使用RGB各種顏色的發(fā)光二極管(LED) 5243、發(fā)光二極管(LED) 5244及發(fā)光二極管(LED) 5245作為光源。例如，將在RGB各種顏色的發(fā)光二極管(LED) 5243、發(fā)光二極管(LED) 5244及發(fā)光二極管(LED) 5245中其發(fā)光強度低的顏色 (例如，綠色)的二極管配置為其個數(shù)比其他發(fā)光二極管多。通過使用RGB各種顏色的發(fā)光二極管(LED) 5243、發(fā)光二極管(LED) 5244及發(fā)光二極管(LED) 5245，可以提高顏色再現(xiàn)性。 并且，設(shè)置有燈光反射器5M2，以高效地反射來自發(fā)光二極管的光。圖44表示具有稱為直下方式的背光燈單元和液晶面板的液晶顯示裝置的一個例子。直下方式指的是在發(fā)光面正下配置光源來使該光源的熒光從整個發(fā)光面射出的方式。 直下式背光燈單元可以高效地利用發(fā)光光量。背光燈單元5290由擴散板5291、遮光板5292、燈光反射器5293、及光源5294構(gòu)成。光源5294具有根據(jù)需要發(fā)光的功能。例如，作為光源5四4，使用冷陰極管、熱陰極管、發(fā)光二極管、無機EL元件或有機EL元件等。圖42表示偏振片(也稱為偏振膜)的結(jié)構(gòu)的一個例子。偏振膜5250具有保護(hù)膜5251、襯底膜5252、PVA偏振膜5253、襯底膜52M、粘合劑層5255以及隔離膜5256。通過使用作為基材的膜(襯底膜5252和襯底膜5254)夾住PVA偏振膜5253的兩側(cè)，可以提高可靠性。另外，也可以將PVA偏振膜5253夾在具有高透明性和高耐久性的三醋酸纖維素(TAC)膜之間。襯底膜和TAC膜用作PVA偏振膜5253具有的偏振元件的保護(hù)層。在一個襯底膜(襯底膜5254)上提供有用來貼到液晶面板的玻璃襯底上的粘合劑層5255。通過將粘合劑涂敷到一個襯底膜(襯底膜52M)，形成粘合劑層5255。此外，在粘合劑層5255上提供有隔離膜5256 (分離膜)。此外，保護(hù)膜5251設(shè)置在另一襯底膜(襯底膜525 上。此外，也可以將硬敷散射層(防閃光層)提供在偏振膜5250的表面上。關(guān)于硬敷散射層，在其表面上通過AG處理形成有微細(xì)的凹凸，并具有散射外部光的防閃光功能，因此可以防止外部光映入液晶面板。并且，可以防止表面反射。此外，可以在偏振膜5250的表面上使多個具有不同折射率的光學(xué)薄膜層多層化 (也稱為抗反射處理或AR處理)。被多層化了的多個具有不同折射率的光學(xué)薄膜層可以因光的干涉效應(yīng)而降低表面反射率。圖43A至43C表示液晶顯示裝置的系統(tǒng)框圖的一個例子。在像素部5265中，信號線5269配置為從信號線驅(qū)動電路5263延伸。在像素部 5265中，掃描線5260配置為從掃描線驅(qū)動電路5264延伸。并且，在信號線5269和掃描線 5260的交叉區(qū)域中，多個像素配置為矩陣形狀。多個像素的每一個具有開關(guān)元件。因此，可以將用于控制液晶分子的傾斜的電壓獨立地輸入到每個像素。如此，將在各交叉區(qū)域中設(shè)置有開關(guān)元件的結(jié)構(gòu)稱為有源矩陣型。注意，本發(fā)明并不局限于這種有源矩陣型，也可以具有無源矩陣型的結(jié)構(gòu)。因為無源矩陣型在各像素中沒有開關(guān)元件，所以制作步驟簡便。驅(qū)動電路部5268具有控制電路5沈2、信號線驅(qū)動電路5沈3、掃描線驅(qū)動電路 5264.控制電路5262輸入有圖像信號5261?？刂齐娐?262根據(jù)該圖像信號5261控制信號線驅(qū)動電路5263及掃描線驅(qū)動電路5264。因此，控制電路5262將控制信號分別輸入到信號線驅(qū)動電路5263及掃描線驅(qū)動電路5沈4。信號線驅(qū)動電路5263根據(jù)該控制信號將視頻信號輸入到信號線5269，而掃描線驅(qū)動電路5264將掃描信號輸入到掃描線5260。并且， 相應(yīng)掃描信號選擇像素所具有的開關(guān)元件，因此視頻信號輸入到像素的像素電極。另外，控制電路5262還根據(jù)圖像信號5261控制電源5267。電源5267具有將電力提供給照明單元5266的單元。作為照明單元5266，可以使用端面照光式背光燈單元或直下式背光燈單元。另外，也可以使用前光燈作為照明單元5266。前光燈是指板狀的燈單位，它被安裝在像素部的前面一側(cè)，而且由照射整體的發(fā)光體以及導(dǎo)光體構(gòu)成。通過使用這種照明單元，可以以低耗電量且均勻地照射像素部。如圖4 所示，掃描線驅(qū)動電路5264具有用作移位寄存器5271、電平轉(zhuǎn)移器 5272、緩沖器5273的電路。選通開始脈沖(GSP)、選通時鐘信號(GCK)等的信號被輸入到移位寄存器5271中。如圖43C所示，信號線驅(qū)動電路5263具有用作移位寄存器5281、第一鎖存器 5觀2、第二鎖存器5283、電平轉(zhuǎn)移器5284、緩沖器5285的電路。用作緩沖器5285的電路是指具有放大弱信號的功能的電路，而且它具有運算放大器等。對移位寄存器5281輸入起始脈沖(SSP)等信號，并且對第一鎖存器5282輸入視頻信號等的數(shù)據(jù)(DATA)。在第二鎖存器5283中可以暫時保持鎖存(LAT)信號，而且一齊輸入到像素部5265。將這稱為線順序驅(qū)動。因此，如果是進(jìn)行點順序驅(qū)動而不進(jìn)行線順序驅(qū)動的像素，就不需要第二鎖存器。在本實施方式中，可以采用各種各樣的液晶面板。例如，作為液晶面板，可以采用在兩個襯底之間密封有液晶層的結(jié)構(gòu)。在一個襯底上，形成有晶體管、電容元件、像素電極或取向膜等。在與一個襯底的上表面相反一側(cè)可以配置有偏振片、相位差板或棱鏡片。在另一襯底上，形成有濾色片、黑矩陣、相對電極或取向膜等。也可以在與另一襯底的上表面相反一側(cè)配置有偏振片或相位差板。濾色片及黑矩陣也可以形成在一個襯底的上表面。另夕卜，通過在一個襯底的上表面一側(cè)或與它相反一側(cè)配置槽縫(格子)，可以進(jìn)行三維顯示。注意，也可以在兩個襯底之間配置偏振片、相位差板及棱鏡片?；蛘撸梢詫⑺鼈兒蛢蓚€襯底之一形成為一體。注意，在本實施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說明。各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合如上所示的附圖的各部分和其他部分，可以構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合本實施方式的附圖的各部分和其他實施方式的部分，可以構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其變形例子、其一部分改變的例子、改良例子、詳細(xì)例子、應(yīng)用例子、相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以適用于本實施方式所述的內(nèi)容，可以與本實施方式所述的內(nèi)容組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成本實施方式所述的內(nèi)容。實施方式11在本實施方式中，說明可適用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)及像素工作。在本實施方式中，作為液晶元件的工作方式，可以采用TN(扭轉(zhuǎn)向列)方式、 IPS(平面內(nèi)切換)方式、FFS(邊緣場切換)方式、MVA(多像限垂直配向)方式、PVA(垂直取向構(gòu)型)方式、ASM(軸線對稱排列微單元)方式、OCB (光學(xué)補償彎曲)方式、FLC(鐵電性液晶)方式、AFLC(反鐵電性液晶)等。圖45A表示可適用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個例子。像素5600具有晶體管5601、液晶元件5602及電容元件5603。晶體管5601的柵極連接到布線5605。晶體管5601的第一端子連接到布線5604。晶體管5601的第二端子連接到液晶元件5602的第一電極及電容元件5603的第一電極。液晶元件5602的第二電極相當(dāng)于相對電極5607。電容元件5603的第二電極連接到布線5606。布線5604用作信號線，布線5605用作掃描線。布線5606用作電容線，晶體管5601 用作開關(guān)，并且電容元件5603用作保持電容器。晶體管5601用作開關(guān)，即可。晶體管5601的極性可以是P溝道型，也可以是N溝道型。圖45B表示可適用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個例子。圖45B特別表示可適用于與橫向電場方式(包括IPS方式、FFS方式)合適的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個例子。像素5610具有晶體管5611、液晶元件5612及電容元件5613。晶體管5611的柵極連接到布線5615。晶體管5611的第一端子連接到布線5614。晶體管5611的第二端子連接到液晶元件5612的第一電極及電容元件5613的第一電極。液晶元件5612的第二電極連接到布線5616。電容元件5613的第二電極連接到布線5616。布線5614用作信號線，布線5615用作掃描線。布線5616用作電容線，晶體管5611 用作開關(guān)，并且電容元件5613用作保持電容器。晶體管5611用作開關(guān)即可。晶體管5611的極性可以是P溝道型，也可以是N溝道型。圖46表示可適用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個例子。圖46特別表示可以通過減少布線數(shù)量來提高像素的開口率的像素結(jié)構(gòu)的一個例子。圖46表示配置在相同列方向上的兩個像素(像素5620及5630)。例如，若像素 5620配置于第N行，則像素5630配置于第N+1行。像素5620具有晶體管5621、液晶元件5622及電容元件5623。晶體管5621的柵極連接到布線5625。晶體管5621的第一端子連接到布線56M。晶體管5621的第二端子連接到液晶元件5622的第一電極及電容元件5623的第一電極。液晶元件5622的第二電極相當(dāng)于相對電極5627。電容元件5623的第二電極連接到與前一行晶體管的柵極相同的布線。像素5630具有晶體管5631、液晶元件5632及電容元件5633。晶體管5631的柵極連接到布線5635。晶體管5631的第一端子連接到布線56M。晶體管5631的第二端子連接到液晶元件5632的第一電極及電容元件5633的第一電極。液晶元件5632的第二電極相當(dāng)于相對電極5637。電容元件5633的第二電極連接到與前一行晶體管的柵極相同的布線(布線5625)。布線56M用作信號線，布線5625用作第N行掃描線。布線5625還用作第N+1級電容線，晶體管5621用作開關(guān)，并且電容元件5623用作保持電容器。布線5635用作第N+1行掃描線。布線5635還用作第N+2級電容線，晶體管5631 用作開關(guān)，并且電容元件5633用作保持電容器。晶體管5621及晶體管5631用作開關(guān)即可。晶體管5621的極性及晶體管5631的極性可以是P溝道型，也可以是N溝道型。圖47表示可適用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個例子。圖47特別表示可以通過使用子像素來擴大視角的像素結(jié)構(gòu)的一個例子。像素5659具有子像素5640及5650。這里說明像素5659具有兩個子像素的情況， 但是像素5659也可以具有三個以上的子像素。子像素5640具有晶體管5641、液晶元件5642及電容元件5643。晶體管5641的柵極連接到布線5645。晶體管5641的第一端子連接到布線5644。晶體管5641的第二端子連接到液晶元件5642的第一電極及電容元件5643的第一電極。液晶元件5642的第二電極相當(dāng)于相對電極5647。電容元件5643的第二電極連接到布線5646。子像素5650具有晶體管5651、液晶元件5652及電容元件5653。晶體管5651的柵極連接到布線5655。晶體管5651的第一端子連接到布線5644。晶體管5651的第二端子連接到液晶元件5652的第一電極及電容元件5653的第一電極。液晶元件5652的第二電極相當(dāng)于相對電極5657。電容元件5653的第二電極連接到布線5646。布線5644用作信號線，布線5645用作掃描線。布線5655用作掃描線，布線5646 用作電容線，晶體管5641用作開關(guān)，晶體管5651用作開關(guān)，電容元件5643用作保持電容器，并且電容元件5653用作保持電容器。晶體管5641用作開關(guān)即可。晶體管5641的極性可以是P溝道型，也可以是N溝道型。晶體管5651用作開關(guān)即可。晶體管5651的極性可以是P溝道型，也可以是N溝道型。輸入到子像素5640的視頻信號可以具有與輸入到子像素5650的視頻信號不同的值。在此情況下，可以使液晶元件5642的液晶分子的取向和液晶元件5652的液晶分子的取向互不相同，因此可以擴大視角。注意，在本實施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說明。各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合如上所示的附圖的各部分和其他部分，可以構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合本實施方式的附圖的各部分和其他實施方式的部分，可以構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其變形例子、其一部分改變的例子、改良例子、詳細(xì)例子、應(yīng)用例子、相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以適用于本實施方式所述的內(nèi)容，可以與本實施方式所述的內(nèi)容組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成本實施方式所述的內(nèi)容。實施方式12在本實施方式中，說明顯示裝置的驅(qū)動方法。尤其是，說明液晶顯示裝置的驅(qū)動方法。可適用于本實施方式所說明的液晶顯示裝置的液晶面板具有液晶材料夾在兩個襯底之間的結(jié)構(gòu)。兩個襯底分別具備用來控制施加到液晶材料的電場的電極。液晶材料因從外部施加的電場而使其光學(xué)性質(zhì)及電性質(zhì)變化。因此，液晶面板是如下裝置通過使用襯底具有的電極控制施加到液晶材料的電壓，可以獲得所希望的光學(xué)性質(zhì)及電性質(zhì)。并且，通過以平面方式排列多個電極作為像素來分別控制施加到像素的電壓，可以形成能夠顯示精細(xì)圖像的液晶面板。這里，對電場變化的液晶材料響應(yīng)時間取決于兩個襯底的間隔(單元間隙)及液晶材料的種類等，一般為幾毫秒至幾十毫秒。在電場的變化量小的情況下，液晶材料的響應(yīng)時間更長。這種性質(zhì)引起如下問題在使用液晶面板顯示活動的圖像的情況下，產(chǎn)生在顯示圖像時的缺陷如殘留圖像、拖尾、對比度降低，特別是在從中間色調(diào)變化到其它中間色調(diào) (電場的變化小)的情況下，所述缺陷嚴(yán)重。另外，作為采用有源矩陣的液晶面板所特有的問題，可以舉出由恒電荷驅(qū)動導(dǎo)致的寫入電壓變化。下面，說明本實施方式中的恒電荷驅(qū)動。采用有源矩陣的像素電路包括控制寫入的開關(guān)和保持電荷的電容元件。采用有源矩陣的像素電路的驅(qū)動方法如下在使開關(guān)導(dǎo)通來將預(yù)定電壓寫入到像素電路之后，立即使開關(guān)截止來保持像素電路內(nèi)的電荷(處于保持狀態(tài))。在處于保持狀態(tài)時，像素電路的內(nèi)部和外部不進(jìn)行電荷收發(fā)(恒電荷)。通常，開關(guān)處于截止?fàn)顟B(tài)的期間比處于導(dǎo)通狀態(tài)的期間長幾百(掃描線個數(shù))倍左右。因此，像素電路的開關(guān)在大體上處于截止?fàn)顟B(tài)。如上所述，本實施方式中的恒電荷驅(qū)動是在驅(qū)動液晶面板時像素電路在大部分期間中處于保持狀態(tài)的驅(qū)動方法。接著，說明液晶材料的電特性。若從外部施加的電場變化，則在液晶材料的光學(xué)性質(zhì)變化的同時其介電常數(shù)也變化。就是說，在以液晶面板的各像素為夾在兩個電極之間的電容元件(液晶元件)的情況下，該電容元件因所施加的電壓而使其靜電容量變化。這種現(xiàn)象稱為動態(tài)電容。當(dāng)通過采用上述恒電荷驅(qū)動來驅(qū)動因所施加的電壓而使其靜電容量變化的電容元件時，產(chǎn)生如下問題在電荷不移動的保持狀態(tài)下，若液晶元件的靜電容量變化，則所施加的電壓變化。這是因為在關(guān)系式(電荷量)=(靜電電容)x(施加電壓)中電荷量恒定的緣故。如上所述，在采用有源矩陣的液晶面板中，因為恒電荷驅(qū)動，所以在處于保持狀態(tài)時的電壓與在寫入時的電壓不同。其結(jié)果，液晶元件的透過率的變化與不處于保持狀態(tài)的驅(qū)動法中的變化不同。這種狀態(tài)示在圖51A至51C中。圖51A以橫軸為時間并以縱軸為電壓的絕對值來表示寫入到像素電路中的電壓的控制例子。圖51B以橫軸為時間并以縱軸為電壓來表示寫入到像素電路中的電壓的控制例子。在圖51C中，以橫軸為時間并以縱軸為液晶元件的透過率，來表示當(dāng)將圖51A或51B所示的電壓寫入到像素電路中時的液晶元件的透過率的時間變化。在圖51A至51C中，以期間F表示電壓的改寫周期，并以改寫電壓的時刻為t” t2、t3、t4等來進(jìn)行說明。這里，將對應(yīng)于輸入到液晶顯示裝置的圖像數(shù)據(jù)的寫入電壓設(shè)定為如下形式在時刻O中改寫為V1,在時刻tp t2、t3、t4等中改寫為V2 (參照圖51A)。注意，也可以周期性地轉(zhuǎn)換對應(yīng)于輸入到液晶顯示裝置的圖像數(shù)據(jù)的寫入電壓的極性(反相驅(qū)動參照圖51B)。通過使用這種方法，可以將盡量小的直流電壓施加到液晶， 而可以防止由液晶元件的退化導(dǎo)致的重像等。轉(zhuǎn)換極性的周期(反相周期)也可以與電壓改寫周期相同。在此情況下，反相周期短，因此可以減少由反相驅(qū)動導(dǎo)致的閃爍。再者，反相周期可以是電壓改寫周期的整數(shù)倍的周期。在此情況下，反相周期長，而可以減少通過改變極性來寫入電壓的頻次，因此可以降低耗電量。圖51C表示當(dāng)將圖51A或51B所示的電壓施加到液晶元件時的液晶元件的透過率的時間變化。這里，以將電壓V1施加到液晶元件且過了充分時間后的液晶元件的透過率為 TR10與此同樣，以將電壓V2施加到液晶元件且過了充分時間之后的液晶元件的透過率為 TR20在時刻、中，當(dāng)施加到液晶元件的電壓從V1變成V2時，如虛線M61所示，液晶元件的透過率慢慢地變化，而不立即成為T&。例如，當(dāng)電壓改寫周期與60Hz的圖像信號的幀周期 (16. 7毫秒)相同時，需要幾個幀左右的時間以使透過率變成T&。注意，當(dāng)將電壓V2準(zhǔn)確地施加到液晶元件時，透過率如虛線M61所示那樣隨時間平滑地變化。在實際的液晶面板，例如采用有源矩陣的液晶面板中，因為恒電荷驅(qū)動，所以處于保持狀態(tài)時的電壓與在寫入時的電壓不同。因此，液晶元件的透過率如正線M62所示那樣隨時間有階段地變化，而不如虛線M61所示那樣隨時間變化。這是因為如下緣故因為恒電荷驅(qū)動，所以電壓變化，因此只有一次寫入就不能到達(dá)目標(biāo)電壓。其結(jié)果，液晶元件的透過率的響應(yīng)時間在外觀上比本來的響應(yīng)時間(虛線M61)更長，這引起在顯示圖像時的嚴(yán)重缺陷如殘留圖像、拖尾、對比度降低。通過采用過驅(qū)動法，可以同時解決如下兩種問題液晶元件本來的響應(yīng)時間長； 在外觀上的響應(yīng)時間因由動態(tài)電容及恒電荷驅(qū)動導(dǎo)致的寫入不足而變得更長。這種狀態(tài)示在圖52A至52C中。圖52A以橫軸為時間并以縱軸為電壓的絕對值來表示寫入到像素電路中的電壓的控制例子。圖52B以橫軸為時間并以縱軸為電壓來表示寫入到像素電路中的電壓的控制例子。在圖52C中，以橫軸為時間并以縱軸為液晶元件的透過率，來表示當(dāng)將圖 52A或52B所示的電壓寫入到像素電路中時的液晶元件的透過率的時間變化。在圖52A至 52C中，以期間F表示電壓的改寫周期，并以改寫電壓的時刻為、、t2、t3、t4等來進(jìn)行說明。這里，將對應(yīng)于輸入到液晶顯示裝置的圖像數(shù)據(jù)的寫入電壓設(shè)定為如下形式在時刻0中改寫為V1,在時刻、中改寫為V3，在時刻t2、t3、t4等中改寫為V2 (參照圖52A)。注意，也可以周期性地轉(zhuǎn)換對應(yīng)于輸入到液晶顯示裝置的圖像數(shù)據(jù)的寫入電壓的極性(反相驅(qū)動參照圖52B)。通過使用這種方法，可以將盡量小的直流電壓施加到液晶， 而可以防止由液晶元件的退化導(dǎo)致的重像等。轉(zhuǎn)換極性的周期(反相周期)也可以與電壓改寫周期相同。在此情況下，反相周期短，因此可以減少由反相驅(qū)動導(dǎo)致的閃爍。再者，反相周期可以是電壓改寫周期的整數(shù)倍的周期。在此情況下，反相周期長，而可以減少通過改變極性來寫入電壓的頻次，因此可以降低耗電量。圖52C表示當(dāng)將圖52A或52B所示的電壓施加到液晶元件時的液晶元件的透過率的時間變化。這里，以將電壓V1施加到液晶元件且過了充分時間后的液晶元件的透過率為TR115與此同樣，以將電壓V2施加到液晶元件且過了充分時間之后的液晶元件的透過率為TI 2。與此同樣，以將電壓V3施加到液晶元件且過了充分時間之后的液晶元件的透過率為TO3。在時刻、中，當(dāng)施加到液晶元件的電壓從V1變成V3時，如虛線M71所示，液晶元件的透過率以幾個幀變成TR3。但是，到了時刻、就停止施加電壓V3，然后施加電壓V2。因此，液晶元件的透過率是正線M72所示的，而不是虛線M71所示的。這里，優(yōu)選將電壓V3 值設(shè)定為在時刻t2中透過率大致為T&。這里，將電壓V3也稱為過驅(qū)動電壓。就是說，通過改變作為過驅(qū)動電壓的V3，可以以一定程度控制液晶元件的響應(yīng)時間。這是因為液晶的響應(yīng)時間因電場的強度而變化的緣故。具體地說，電場越強，液晶元件的響應(yīng)時間越短，而電場越弱，液晶元件的響應(yīng)時間越長。 注意，優(yōu)選根據(jù)電壓的變化量，即實現(xiàn)目標(biāo)透過率TR1及TR2的電壓V1及V2而改變作為過驅(qū)動電壓的v3。這是因為如下緣故即使液晶元件的響應(yīng)時間因電壓的變化量而變化，也可以根據(jù)其情況改變作為過驅(qū)動電壓的V3,以經(jīng)常獲得最合適的響應(yīng)時間。優(yōu)選根據(jù)TN、VA、IPS、OCB等的液晶元件的方式而改變作為過驅(qū)動電壓的V3。這是因為如下緣故即使液晶元件的響應(yīng)速度根據(jù)液晶元件的方式而不同，也可以根據(jù)其情況改變作為過驅(qū)動電壓的V3,以經(jīng)常獲得最合適的響應(yīng)時間。另外，電壓改寫周期F可以與輸入信號的幀周期相同。在此情況下，可以簡化液晶顯示裝置的外圍驅(qū)動電路，因此可以獲得制造成本低的液晶顯示裝置。電壓改寫周期F也可以比輸入信號的幀周期短。例如，電壓改寫周期F可以是輸入信號的幀周期的1/2倍，也可以是1/3倍以下。這種方法與避免由液晶顯示裝置的保持驅(qū)動導(dǎo)致的活動圖像質(zhì)量劣化的措施如黑插入驅(qū)動、背光燈閃爍、背光燈掃描、根據(jù)運動補償?shù)闹虚g圖像插入驅(qū)動等組合來使用是有效的。就是說，避免由液晶顯示裝置的保持驅(qū)動導(dǎo)致的活動圖像質(zhì)量劣化的措施要求液晶元件的短響應(yīng)時間，因此通過使用本實施方式所述的過驅(qū)動方法，可以比較容易地減少液晶元件的響應(yīng)時間。雖然可以以單元間隙、液晶材料及液晶方式等減少液晶元件的響應(yīng)時間，但是在技術(shù)方面上很困難。因此，使用以驅(qū)動方法減少液晶元件的響應(yīng)時間的方法，例如過驅(qū)動是非常重要的。電壓改寫周期F也可以比輸入信號的幀周期長。例如，電壓改寫周期F可以是輸入信號的幀周期的2倍，也可以是3倍以上。這種方法與判斷在長期間中是否進(jìn)行電壓改寫的單元(電路)組合是有效的。就是說，當(dāng)在長期間中不進(jìn)行電壓改寫時，可以通過不進(jìn)行電壓改寫工作本身來在該期間中停止電路工作，因此可以獲得低耗電量的液晶顯示裝置。下面，說明用來根據(jù)實現(xiàn)目標(biāo)透過率TR1及1 的電壓V1及V2而改變過驅(qū)動電壓 V3的具體方法。過驅(qū)動電路是用來根據(jù)實現(xiàn)目標(biāo)透過率TR1及1 的電壓V1及V2而適當(dāng)?shù)乜刂七^驅(qū)動電壓V3的電路。因此，輸入到過驅(qū)動電路的信號是與實現(xiàn)透過率TR1的電壓V1有關(guān)的信號、以及與實現(xiàn)透過率1 的電壓V2有關(guān)的信號，并且從過驅(qū)動電路輸出的信號是與過驅(qū)動電壓V3有關(guān)的信號。作為這些信號，可以是模擬電壓值如施加到液晶元件的電壓(Vp V2、V3),或者也可以是用來提供施加到液晶元件的電壓的數(shù)字信號。這里，以與過驅(qū)動電路有關(guān)的信號為數(shù)字信號來進(jìn)行說明。首先，參照圖48A說明過驅(qū)動電路的整體結(jié)構(gòu)。這里，作為用來控制過驅(qū)動電壓的信號，使用輸入圖像信號^Ola及MOlb。通過處理這些信號，產(chǎn)生輸出圖像信號M04作為提供過驅(qū)動電壓的信號。這里，實現(xiàn)目標(biāo)透過率TR1及TR2的電壓V1及V2是在相鄰的幀中的圖像信號，因而與此同樣，輸入圖像信號MOla及MOlb也優(yōu)選是在相鄰的幀中的圖像信號。為了獲得這種信號，可以將輸入圖像信號5401a輸入到圖48A中的延遲電路M02，來以所輸出的信號為輸入圖像信號MOlb。例如，可以舉出存儲器作為延遲電路M02。就是說，為了使輸入圖像信號MOla延遲一幀，在將該輸入圖像信號MOla存儲在存儲器中的同時，從存儲器取出在前一幀中所存儲的信號作為輸入圖像信號MOlb，并將輸入圖像信號MOla及MOlb—起輸入校正電路M03，而可以處理在相鄰的幀中的圖像信號。并且，通過將在相鄰的幀中的圖像信號輸入到校正電路M03，可以獲得輸出圖像信號M04。注意，當(dāng)使用存儲器作為延遲電路M02時，可以采用具有能夠存儲一幀圖像信號的容量的存儲器(即，幀存儲器)，以使信號延遲一幀。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以起到延遲電路的作用，而沒有存儲容量過與不足。接著，說明其主要目的在于減少存儲容量的延遲電路M02。通過使用這種電路作為延遲電路M02，可以減少存儲容量，因此可以降低制造成本。作為具有這種特征的延遲電路討02，具體地說，可以使用圖48B所示的電路。圖 48B所示的延遲電路M02具有編碼器M05、存儲器M06、譯碼器M07。下面，說明圖48B所示的延遲電路M02的工作。首先，在使存儲器M06存儲輸入圖像信號5401a之前，使用編碼器M05進(jìn)行壓縮處理。像這樣，可以減少要使存儲器M06 存儲的數(shù)據(jù)尺寸。其結(jié)果，可以減少存儲容量，而可以降低制造成本。然后，被進(jìn)行壓縮處理的圖像信號發(fā)送到譯碼器M07，在此進(jìn)行伸張?zhí)幚?。像這樣，可以恢復(fù)被編碼器M05進(jìn)行壓縮處理之前的信號。這里，編碼器M05及譯碼器M07所進(jìn)行的壓縮及伸張?zhí)幚砜梢允强赡嫘蕴幚怼Ｍㄟ^采用這種結(jié)構(gòu)，即使在進(jìn)行壓縮及伸張?zhí)幚碇髨D像信號也不退化，因此可以在最終顯示在裝置上的圖像質(zhì)量不劣化的狀態(tài)下減少存儲電容。再者，編碼器M05 及譯碼器討07所進(jìn)行的壓縮及伸張?zhí)幚硪部梢允欠强赡嫘蕴幚?。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以使壓縮之后的圖像信號的數(shù)據(jù)尺寸非常小，因此可以大幅度地減少存儲容量。除了上述方法以外，還可以使用各種方法作為減少存儲容量的方法。例如，可以使用如下方法減少圖像信號具有的顏色信息(例如從沈萬色變少到6萬5千色)，或者減少數(shù)據(jù)數(shù)量(降低分辨率)等，而不由編碼器進(jìn)行圖像壓縮。接著，參照圖48C至48E說明校正電路M03的具體例子。校正電路討03是用來使用兩個輸入圖像信號來輸出具有某個值的輸出圖像信號的電路。這里，當(dāng)兩個輸入圖像信號和輸出圖像信號的關(guān)系具有非線性而難以進(jìn)行簡單的運算來獲得時，也可以使用查找表 (LUT)作為校正電路M03。在LUT中，預(yù)先進(jìn)行測定來獲得兩個輸入圖像信號和輸出圖像信號的關(guān)系，因此只要參照LUT就可以獲得對應(yīng)于兩個輸入圖像信號的輸出圖像信號(參照圖48C)。通過使用LUT5408作為校正電路M03，可以實現(xiàn)校正電路M03，而不進(jìn)行復(fù)雜的電路設(shè)計等。LUT是存儲器之一，因此優(yōu)選盡量減少存儲容量，以降低制造成本。為了達(dá)到其目的，可以舉出圖48D所示的電路作為校正電路M03。圖48D所示的校正電路M03具有 LUT5409和加法器M10。LUT5409存儲輸入圖像信號5401a和要輸出的輸出圖像信號M04 的差異數(shù)據(jù)。就是說，使用輸入圖像信號MOla及MOlb從LUT5409中取出對應(yīng)的差異數(shù)據(jù)，并使用加法器MlO使所取出的差異數(shù)據(jù)和輸入圖像信號MOla彼此加上，而可以獲得輸出圖像信號M04。通過使LUT5409存儲差異數(shù)據(jù)，可以實現(xiàn)減少LUT的存儲容量。這是因為差異數(shù)據(jù)比輸出圖像信號M04小而可以減少LUT5409所需要的存儲容量的緣故。如果通過對兩個輸入圖像信號進(jìn)行簡單的運算如四則運算等可以獲得輸出圖像信號，則可以通過組合簡單電路如加法器、減法器、乘法器等來實現(xiàn)校正電路M03。其結(jié)果， 不需要LUT，而可以大幅度地降低制造成本。作為這種電路，可以舉出圖48E所示的電路。 圖48E所示的校正電路M03具有減法器Mil、乘法器M12及加法器M13。首先，通過使用減法器Mll獲得輸入圖像信號5401a及MOlb的差異。然后，通過使用乘法器M12對差異值乘以適當(dāng)?shù)南禂?shù)。然后，通過使用加法器M13使輸入圖像信號MOla和被乘以適當(dāng)?shù)南禂?shù)的差異值彼此加上，可以獲得輸出圖像信號M04。通過使用這種電路，不需要LUT， 而可以大幅度地降低制造成本。注意，通過在某一條件下使用圖48E所示的校正電路討03，可以防止輸出不適當(dāng)?shù)妮敵鰣D像信號M04。該條件如下提供過驅(qū)動電壓的輸出圖像信號M04和輸入圖像信號 5401a及MOlb的差異值具有線性。并且，其線性的傾斜度是被乘法器M12乘以的系數(shù)。 就是說，優(yōu)選對具有這種性質(zhì)的液晶元件使用圖48E所示的校正電路M03。作為具有這種性質(zhì)的液晶元件，可以舉出響應(yīng)速度的灰度依賴性小的IPS方式的液晶元件。像這樣，例如通過將圖48E所示的校正電路M03用于IPS方式的液晶元件，可以大幅度降低制造成本， 并可以獲得能夠防止輸出不適當(dāng)?shù)妮敵鰣D像信號M04的過驅(qū)動電路。注意，也可以進(jìn)行軟件處理來實現(xiàn)與圖48A至48E所示的電路相同的作用。作為用于延遲電路的存儲器，可以使用液晶顯示裝置所具有的其他存儲器、將被顯示的圖像發(fā)送到液晶顯示裝置的裝置(例如，個人計算機或類似于它的裝置所具有的視頻卡等)具有的存儲器等。通過采用這種結(jié)構(gòu)，不僅可以降低制造成本，而且也可以根據(jù)使用者的希望選擇過驅(qū)動的強度和利用狀況等。下面，參照圖49A和49B說明操作公共線的電位的驅(qū)動。圖49A表示多個像素電路，其中在使用具有電容性質(zhì)的顯示元件如液晶元件的顯示裝置中對一個掃描線配置了一個公共線。圖49A所示的像素電路具備晶體管M21、輔助電容器M22、顯示元件M23、圖像信號線MM、掃描線5425、以及公共線討沈。晶體管M21的柵電極電連接于掃描線M25。晶體管M21的源電極及漏電極之一電連接于圖像信號線MM，而其另一電連接于輔助電容器M22的一個電極以及顯示元件 5423的一個電極。輔助電容器M22的另一電極電連接于公共線討沈。首先，在被掃描線M25選擇的像素中，晶體管M21導(dǎo)通，因此對應(yīng)于圖像信號的電壓通過圖像信號線MM被施加到顯示元件M23和輔助電容器M22。此時，如果該圖像信號使連接于公共線M26的所有像素顯示最低灰度，或者該圖像信號使連接于公共線
的所有像素顯示最高灰度，則不需要將圖像信號通過圖像信號線MM寫入各像素中。通過使公共線討26的電位變動，可以改變施加到顯示元件M23的電壓，而不通過圖像信號線 MM寫入圖像信號。圖49B表示多個像素電路，其中在使用具有電容性質(zhì)的顯示元件如液晶元件的顯示裝置中對一個掃描線配置了兩個公共線。圖49B所示的像素電路包括晶體管M31、輔助電容器M32、顯示元件5433、圖像信號線M34、掃描線M35、第一公共線M36以及第二公共線M37。晶體管M31的柵電極電連接于掃描線M35。晶體管M31的源電極及漏電極之一電連接于圖像信號線5434，而另一電連接于輔助電容器M32的一個電極以及顯示元件 M33的一個電極。輔助電容器M32的另一電極電連接于第一公共線M36。此外，在與該像素相鄰的像素中，輔助電容器M32的另一電極電連接于第二公共線M37。在圖49B所示的像素電路中，電連接于一個公共線的像素數(shù)少，因此通過使第一公共線M36或第二公共線M37的電位變動來改變施加到顯示元件M33的電壓，而不通過圖像信號線討；34寫入圖像信號，頻次明顯地增加。另外，可以采用源極反轉(zhuǎn)驅(qū)動或點反轉(zhuǎn)驅(qū)動。通過采用源極反轉(zhuǎn)驅(qū)動或點反轉(zhuǎn)驅(qū)動，可以提高元件可靠性，并可以抑制閃爍。
下面，參照圖50A至50C說明掃描型背光燈。圖50A表示排列了冷陰極管的掃描型背光燈。圖50A所示的掃描型背光燈具有擴散板M41和N個冷陰極管M42-1至M42-N。通過將N個冷陰極管M42-1至M42-N排列在擴散板M41后面，可以使N個冷陰極管M42-1 至M42-N的亮度變化地進(jìn)行掃描。另外，參照圖50C說明在掃描時的各冷陰極管的亮度變化。首先，使冷陰極管 M42-1的亮度以一定時間變化。然后，使配置為與冷陰極管M42-1相鄰的冷陰極管M42-2 的亮度以相同時間變化。像這樣，使冷陰極管討42-1至討424的亮度順序變化。在圖50C 中，以一定時間變化了的亮度比變化之前的亮度小，但是也可以比變化之前的亮度大。另夕卜，雖然從冷陰極管討42-1到冷陰極管M42-N進(jìn)行掃描，但是也可以從冷陰極管M42-N 到冷陰極管M42-1進(jìn)行掃描。通過如圖50A至50C那樣驅(qū)動，可以降低背光燈的平均亮度。因此，可以減小背光燈的耗電量，該耗電量占有液晶顯示裝置的耗電量的大部分。另外，LED也可以用作掃描型背光燈的光源。在此情況下的掃描型背光燈示在圖 50B中。圖50B所示的掃描型背光燈具有擴散板5451、以及排列了 LED的光源M52-1至 5452-N0在LED用作掃描型背光燈的光源的情況下，其優(yōu)點在于背光燈可形成為輕而且薄。 而且，還有可以擴大顏色再現(xiàn)范圍的優(yōu)點。再者，在排列了 LED的光源M52-1至M52-N中的LED可以同樣地掃描，因此可以為點掃描型背光燈。通過采用點掃描型，可以進(jìn)一步提高活動圖象的質(zhì)量。在將LED用作背光燈的光源的情況下，如圖50C所示，也可以使亮度變化地驅(qū)動。注意，在本實施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說明。各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合如上所示的附圖的各部分和其他部分，可以構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合本實施方式的附圖的各部分和其他實施方式的部分，可以構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其變形例子、其一部分改變的例子、改良例子、詳細(xì)例子、應(yīng)用例子、相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以適用于本實施方式所述的內(nèi)容，可以與本實施方式所述的內(nèi)容組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成本實施方式所述的內(nèi)容。實施方式13在本實施方式中說明顯示裝置的一個例子，其特別說明以光學(xué)方式使用的情況。圖53A和5 所示的背面投影顯示裝置7400具有投影儀單元7406、鏡子7407、以及屏幕7401。除此以外，還可以具有揚聲器7402和操作開關(guān)類7404。該投影儀單元7406 被設(shè)在背面投影顯示裝置7400的外殼7405的下部，并將根據(jù)圖像信號而顯示圖像的投射光投射到鏡子7404。背面投影顯示裝置7400顯示從屏幕7401的背面投影的圖像。圖M表示前面投影型顯示裝置7410。前面投影型顯示裝置7410具有投影儀單元 7406和投射光學(xué)系統(tǒng)7411。該投射光學(xué)系統(tǒng)7411將圖像投影到配置在前面的屏幕等。
下面，說明適用于圖53A和5 所示的背面投影顯示裝置7400和圖討所示的前面投影型顯示裝置7410的投影儀單元7406的結(jié)構(gòu)。圖55表示投影儀單元7406的一個結(jié)構(gòu)例子。該投影儀單元7406具有光源單元 7421和調(diào)制單元7似4。光源單元7421具有包括透鏡類而構(gòu)成的光源光學(xué)系統(tǒng)7423和光源燈7422。光源燈7422被布置在外殼中，以防止雜散光擴散。作為光源燈7422，使用能夠發(fā)射大量光的燈如高壓汞燈或氙燈等。光源光學(xué)系統(tǒng)7423適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有光學(xué)透鏡、具有偏振功能的膜、用來調(diào)節(jié)相位差的膜UR膜等。光源單元7421配置為其發(fā)射光入射到調(diào)制單元7似4。調(diào)制單元74M具有多個顯示面板74 、濾色片、相位差板7427、分色鏡7425、全反射鏡子74 、棱鏡7429、以及投射光學(xué)系統(tǒng)7430。從光源單元7421發(fā)射的光被分色鏡 7425分離為多個光路。在各光路上配置有透過預(yù)定的波長或波長帶的光的濾色片和顯示面板74 。透過型顯示面板74 基于圖像信號調(diào)制透過光。透過顯示面板74 的各種顏色的光入射到棱鏡74 ，來通過投射光學(xué)系統(tǒng)7430將圖像顯示在屏幕上。此外，也可以將菲涅耳透鏡設(shè)在鏡子和屏幕之間。由投影儀單元7406投射且由鏡子反射的投影光被菲涅耳透鏡轉(zhuǎn)換為大致平行的光，來被投影在屏幕上。關(guān)于平行光線，主光線和光軸的偏差優(yōu)選為士 10°以下。 更優(yōu)選地，光線和光軸的偏差為士5°以下。圖56所示的投影儀單元7406具有反射型顯示面板7447、7448及7449。 圖56所示的投影儀單元7406具有光源單元7421和調(diào)制單元7440。光源單元7421 可以具有與圖陽相同的結(jié)構(gòu)。來自光源單元7421的光被分色鏡7441、7442及全反射鏡子 7443分成多個光路，來入射到偏振射束分解器7444、7445及7446。對應(yīng)于與每種顏色相對應(yīng)的反射型顯示面板7447、7448及7449設(shè)置每個偏振射束分解器7444至7446。反射型顯示面板7447、7448及7449基于圖像信號調(diào)制反射光。被反射型顯示面板7447、7448及 7449反射的各種顏色的光入射到棱鏡7450而合成，來通過投射光學(xué)系統(tǒng)7451被投射。關(guān)于從光源單元7421發(fā)射的光，只有具有紅色波長區(qū)域的光被分色鏡7441透過， 而具有綠色和藍(lán)色波長區(qū)域的光被分色鏡7441反射。而且，只有具有綠色波長區(qū)域的光被分色鏡7442反射。透過分色鏡7441的具有紅色波長區(qū)域的光被全反射鏡子7443反射，來入射到偏振射束分解器7444。另外，具有藍(lán)色波長區(qū)域的光入射到偏振射束分解器7445， 而具有綠色波長區(qū)域的光入射到偏振射束分解器7446。偏振射束分解器7444至7446具有將入射光分離成P偏振和S偏振的功能，并具有只透過P偏振的功能。反射型顯示面板 7447至7449基于圖像信號使所入射的光偏振。只有與每種顏色相對應(yīng)的S偏振入射到與每種顏色相對應(yīng)的反射型顯示面板 7447至7449中。注意，反射型顯示面板7447至7449也可以是液晶面板。此時，液晶面板以電控雙折射方式(ECB)工作。并且，液晶分子相對于襯底具有一定角度地處于垂直取向。 因此，在反射型顯示面板7447至7449中，當(dāng)像素處于截止?fàn)顟B(tài)時，顯示分子取向為不使入射光的偏振狀態(tài)變化地進(jìn)行反射。而當(dāng)像素處于導(dǎo)通狀態(tài)時，顯示分子的取向狀態(tài)變化，因此入射光的偏振狀態(tài)變化。圖56所示的投影儀單元7406可適用于圖53A和5 所示的背面投影型顯示裝置 7400和圖M所示的前面投影型顯示裝置7410。圖57A至57C所示的投影儀單元具有單板結(jié)構(gòu)。圖57A所示的投影儀單元7406具有光源單元7421、顯示面板7467、投射光學(xué)系統(tǒng)7471、以及相位差板7464。投射光學(xué)系統(tǒng)7471由一個或多個透鏡構(gòu)成。顯示面板7467具有濾色片。圖57B表示以場序制方式工作的投影儀單元7406的結(jié)構(gòu)。場序制方式是如下方式使紅色、綠色、藍(lán)色等的各種顏色的光時間錯開地順序入射到顯示面板，來進(jìn)行彩色顯示而不使用濾色片。特別是，通過與對輸入信號變化的響應(yīng)速度高的顯示面板組合，可以顯示高精細(xì)圖像。在圖57B中，在光源單元7421和顯示面板7468之間設(shè)置有旋轉(zhuǎn)式顏色濾光板7465，該旋轉(zhuǎn)式顏色濾光板7465具有紅色、綠色、藍(lán)色等的多個濾色片。圖57C所示的投影儀單元7406采用使用微透鏡的顏色分離方式作為彩色顯示的方式。該方式是如下方式將微透鏡陣列7466配置在顯示面板7469的光入射一側(cè)，并從各方向照射各種顏色的光，以實現(xiàn)彩色顯示。在采用了這種方式的投影儀單元7406中，由濾色片導(dǎo)致的光的損失小，因此可以有效地利用來自光源單元7421的光。圖57C所示的投影儀單元7406設(shè)有分色鏡7461、分色鏡7462以及分色鏡7463，以將各種顏色的光從各方向照射到顯示面板7469。注意，在本實施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說明。各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合如上所示的附圖的各部分和其他部分，可以構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合本實施方式的附圖的各部分和其他實施方式的部分，可以構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其變形例子、其一部分改變的例子、改良例子、詳細(xì)例子、應(yīng)用例子、相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以適用于本實施方式所述的內(nèi)容，可以與本實施方式所述的內(nèi)容組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成本實施方式所述的內(nèi)容。實施方式14在本實施方式中，說明電子設(shè)備的例子。圖58表示組合顯示面板9601和電路襯底9605而成的顯示面板模塊。顯示面板 9601包括像素部9602、掃描線驅(qū)動電路9603以及信號線驅(qū)動電路9604。例如，在電路襯底9605上形成有控制電路9606及信號分割電路9607等。由連接布線9608連接顯示面板 9601和電路襯底9605?？梢詫PC等用于連接布線。圖59是表示電視圖像接收機的主要結(jié)構(gòu)的框圖。調(diào)諧器9611接收圖像信號和聲音信號。圖像信號被圖像信號放大電路9612、圖像信號處理電路9613、以及控制電路9622 處理。圖像信號處理電路9613將從圖像信號放大電路9612輸出的信號轉(zhuǎn)換為對應(yīng)于紅、 綠、藍(lán)的各顏色的顏色信號，而控制電路9622用來將圖像信號轉(zhuǎn)換成驅(qū)動電路的輸入格式?？刂齐娐?622將信號分別輸出到掃描線驅(qū)動電路96M和信號線驅(qū)動電路9614。由掃描線驅(qū)動電路96 和信號線驅(qū)動電路9614驅(qū)動顯示面板9621。在進(jìn)行數(shù)字驅(qū)動的情況下，也可以采用如下結(jié)構(gòu)將信號分割電路9623提供在信號線一側(cè)，將輸入數(shù)字信號分割為m(m是正整數(shù))個來提供。
由調(diào)諧器9611接收的信號中，聲音信號送到聲音信號放大電路9615，其輸出經(jīng)過聲音信號處理電路9616提供給揚聲器9617?？刂齐娐?618從輸入部9619收到接收站(接收頻率)及音量的控制信息，并向調(diào)諧器9611或聲音信號處理電路9616送出信號。此外，圖60A表示裝入與圖59不相同的方式的顯示面板模塊而形成的電視圖像接收機。在圖60A中，使用顯示面板模塊形成收納在外殼9631中的顯示屏幕9632。另外，也可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有揚聲器9633、輸入單元(操作鍵9634、連接端子9635、傳感器9636 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、 化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9637)等。圖60B表示只有顯示器能夠無線攜帶的電視圖像接收機。該電視圖像接收機適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有顯示部9643、揚聲器部9647、輸入單元(操作鍵9646、連接端子9648、傳感器 9649(具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、 光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9641)等。外殼9642內(nèi)置有電池以及信號接收器，并由該電池驅(qū)動顯示部9643、揚聲器部9647、傳感器9649及麥克風(fēng)9641。該電池可以用充電器 9640反復(fù)充電。此外，充電器9640能夠發(fā)送及接收圖像信號，并將該圖像信號發(fā)送到顯示器的信號接收器。由操作鍵9646控制圖60B所示的裝置。或者，圖60B所示的裝置還可以以操作鍵9646將信號發(fā)送到充電器9640。就是說，可以為圖像聲音雙向通信裝置?；蛘撸?圖60B所示的裝置還可以以操作鍵9646將信號發(fā)送到充電器9640，并使其它電子設(shè)備接收充電器9640能夠發(fā)送的信號，以進(jìn)行其它電子設(shè)備的通信控制。就是說，可以為通用遙控裝置。本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于顯示部9643。下面，參照圖61說明手機的結(jié)構(gòu)例子。顯示面板9662自由裝卸地裝入到外殼9650中。根據(jù)顯示面板9662的尺寸，外殼 9650適當(dāng)?shù)馗淖兤湫螤罨虺叽纭９潭孙@示面板9662的外殼9650嵌入到印刷襯底9651 并被組成作為模塊。顯示面板9662通過FPC9663連接于印刷襯底9651。在印刷襯底9651上形成有揚聲器9652、麥克風(fēng)9653、發(fā)送/接收電路96M、包括CPU及控制器等的信號處理電路9655、 以及傳感器9661 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、 濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)。這種模塊與操作鍵9656、電池9657、天線9660組合地收納到外殼9659。顯示面板9662的像素部配置為從形成在外殼9659中的開口窗可以視覺確認(rèn)的形式。顯示面板9662可以采用如下結(jié)構(gòu)在襯底上使用晶體管一體形成像素部和外圍驅(qū)動電路的一部分(在多個驅(qū)動電路中，工作頻率為低的驅(qū)動電路)，并將外圍驅(qū)動電路的另一部分(在多個驅(qū)動電路中，工作頻率為高的驅(qū)動電路)形成在IC芯片上，來將該IC芯片通過COG (玻璃上芯片)安裝到顯示面板9662。或者，也可以通過TAB (Tape Automated Bonding;卷帶式自動結(jié)合)或印刷襯底連接該IC芯片和玻璃襯底。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)顯示裝置的低耗電量化，并可以增加通過充電一次而獲得的手機使用時間。而且，可以實現(xiàn)手機的低成本化。
圖61所示的手機具有如下功能顯示各種信息(靜止圖像、活動圖像、文字圖像等)；將日歷、日期或時刻等顯示在顯示部上；對顯示在顯示部上的信息進(jìn)行操作及編輯； 通過利用各種軟件(程序)控制處理；進(jìn)行無線通信；通過利用無線通信功能，與其他手機、固定電話或聲音通信設(shè)備進(jìn)行通話；通過利用無線通信功能，與各種計算機網(wǎng)絡(luò)連接； 通過利用無線通信功能，進(jìn)行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收；振子相應(yīng)來電、數(shù)據(jù)接收或警報而工作；根據(jù)來電、數(shù)據(jù)接收或警報而產(chǎn)生聲音。注意，圖61所示的手機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖62A表示顯示器，包括外殼9671、支撐臺9672、顯示部9673、揚聲器9677、LED 燈9679、輸入單元(連接端子9674、傳感器9675 (具有測定如下因素的功能力量、位移、 位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9676、操作鍵 9678)等。圖62A所示的顯示器具有將各種信息(靜止圖像、活動圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上的功能。注意，圖62A所示的顯示器可以具有各種功能，而不局限于此。圖62B表示相機，包括主體9691，顯示部9692，快門按鈕9696、揚聲器9700、LED 燈9701、輸入單元(圖像接收部9693、操作鍵9694、外部連接端口 9695、連接端子9697、傳感器9698(具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、 傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9699)等。圖62B所示的相機具有如下功能拍攝靜止圖像；拍攝活動圖像；對所拍攝的圖像(靜止圖像或活動圖像)進(jìn)行自動校正；將所拍攝的圖像存儲在記錄介質(zhì)(外部或內(nèi)置于相機)中；將所拍攝的圖像顯示在顯示部上。注意， 圖62B所示的相機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖62C表示計算機，包括主體9711、外殼9712、顯示部9713、揚聲器9720、LED 燈9721、讀寫器9722、輸入單元(鍵盤9714、外部連接端口 9715、定位設(shè)備9716、連接端子9717、傳感器9718(具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、 轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9719)等。圖62C所示的計算機具有如下功能將各種信息(靜止圖像、活動圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上；通過利用各種軟件(程序)控制處理；進(jìn)行無線通信或有線通信；通過利用通信功能，與各種計算機網(wǎng)絡(luò)連接；通過利用通信功能，進(jìn)行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收。注意，圖62C所示的計算機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖69A表示移動計算機，包括主體9791、顯示部9792、開關(guān)9793、揚聲器9799、 LED燈9800、輸入單元(操作鍵9794、紅外端口 9795、連接端子9796、傳感器9797 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、 化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9798)等。圖69A所示的移動計算機具有將各種信息(靜止圖像、活動圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上的功能。而且，在顯示部上，具有如下功能觸控面板；顯示日歷、日期或時刻等。所述移動計算機還具有如下功能通過利用各種軟件(程序)控制處理；進(jìn)行無線通信；通過利用無線通信功能，與各種計算機網(wǎng)絡(luò)連接；通過利用無線通信功能，進(jìn)行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收。注意，圖69A所示的移動計算機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖69B表示設(shè)有記錄介質(zhì)的便攜式圖像再現(xiàn)裝置(具體地說，DVD再現(xiàn)裝置)，包括主體9811、外殼9812、顯示部A9813、顯示部B9814、揚聲器部9817、LED燈9821、輸入單元(記錄介質(zhì)(DVD等)讀取部9815、操作鍵9816、連接端子9818、傳感器9819 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9820)等。顯示部A9813主要顯示圖像信息，并且顯示部B9814主要顯示文子fe息。圖69C表示護(hù)目鏡型顯示器，包括主體9831、顯示部9832、耳機9833、支撐部 9834、LED燈9839、揚聲器9838、輸入單元(連接端子98；35、傳感器9836 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、 聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、 麥克風(fēng)9837)等。圖69C所示的護(hù)目鏡型顯示器具有將從外部獲得的圖像(靜止圖像、活動圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上的功能。注意，圖69C所示的護(hù)目鏡型顯示器可以具有各種功能，而不局限于此。圖70A表示便攜式游玩機，包括外殼9851、顯示部9852、揚聲器部9853、存儲介質(zhì)插入部9855、LED燈9859、輸入單元(操作鍵9邪4、連接端子9856、傳感器9857 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、 化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9858)等。圖70A所示的便攜式游玩機具有如下功能讀出存儲在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)來將它顯示在顯示部上；通過與其他便攜式游玩機進(jìn)行無線通信，共同使用信息。注意，圖70A所示的便攜式游玩機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖70B表示帶電視圖像接收功能的數(shù)碼相機，包括主體9861、顯示部9862、揚聲器9864、快門按鈕9865、LED燈9871、輸入單元(操作鍵9863、圖像接收部9866、天線9867、 連接端子9868、傳感器9869 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9870)等。圖70B所示的帶電視圖像接收功能的數(shù)碼相機具有如下功能拍攝靜止圖像；拍攝活動圖像；對所拍攝的圖像進(jìn)行自動校正；從天線獲得各種信息；存儲所拍攝的圖像、或從天線獲得的信息；將所拍攝的圖像、或從天線獲得的信息顯示在顯示部上。注意，圖70B所示的帶電視圖像接收功能的數(shù)碼相機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖71表示便攜式游玩機，包括外殼9881、第一顯示部9882、第二顯示部9883、揚聲器部9884、記錄介質(zhì)插入部9886、LED燈9890、輸入單元(操作鍵9885、連接端子9887、傳感器9888(具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、 傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9889)等。圖71所示的便攜式游玩機具有如下功能 讀出存儲在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)來將它顯示在顯示部上；通過與其他便攜式游玩機進(jìn)行無線通信，共同使用信息。注意，圖71所示的便攜式游玩機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。
如圖62A至62C、圖69A至69C、圖70A和70B及圖71所示，電子設(shè)備具有顯示某
些信息的顯示部。下面，說明半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例子。圖63表示將半導(dǎo)體裝置和建筑物形成為一體的例子。圖63包括外殼9730、顯示部9731、作為操作部的遙控裝置9732、揚聲器部9733等。半導(dǎo)體裝置被結(jié)合到建筑物內(nèi)作為壁掛式并且不需要較大的空間。圖64表示在建筑物內(nèi)將半導(dǎo)體裝置和建筑物形成為一體的其他例子。顯示面板 9741被結(jié)合到浴室9742內(nèi)，并且洗澡的人可以看到顯示面板9741。顯示面板9741可以通過洗澡的人的操作來顯示信息并可以被用作廣告或娛樂裝置。注意，半導(dǎo)體裝置不限于被應(yīng)用到圖64所示的浴室9742的側(cè)墻內(nèi)，可以應(yīng)用到各種地方。例如，可以將半導(dǎo)體裝置和鏡子的一部分或浴缸本身形成為一體。顯示面板9741 的形狀可以按照鏡子或浴缸的形狀設(shè)定。圖65表示將半導(dǎo)體裝置和建筑物形成為一體的其他例子。顯示面板9752彎曲而配置在柱狀物體9751的彎曲表面上。這里，以柱狀物體9751為電線桿來進(jìn)行說明。圖65所示的顯示面板9752被提供在高于人眼的位置。將顯示面板9752設(shè)置于在屋外樹立的建筑物如電線桿，而非特定多數(shù)的觀察者可以看到廣告。通過從外部控制，可以容易使顯示面板9752顯示同一圖像或者瞬時切換圖像，因此可以得到效率極高的信息顯示和廣告效果。另外，通過將自發(fā)光型顯示元件提供于顯示面板9752，在晚上也作為高可見度顯示媒體有用。另外，設(shè)置在電線桿上，而容易確保顯示面板9752的電力供給。再者， 在災(zāi)難發(fā)生時等的異常情況下，可以用來將準(zhǔn)確信息迅速傳達(dá)給受災(zāi)者。作為顯示面板9752，例如可以使用通過將開關(guān)元件如有機晶體管等設(shè)置在膜狀襯底上來驅(qū)動顯示元件以顯示圖像的顯示面板。在本實施方式中，舉出墻、柱狀物體、以及浴室作為建筑物。但是，本實施方式不局限于此。半導(dǎo)體裝置可以安裝在各種建筑物上。下面，表示將半導(dǎo)體裝置和移動物體形成為一體的例子。圖66表示將半導(dǎo)體裝置和汽車形成為一體的例子。顯示面板9761被結(jié)合到車體 9762，并根據(jù)需要能夠顯示車體的工作或從車體內(nèi)部或外部輸入的信息。另外，也可以具有導(dǎo)航功能。半導(dǎo)體裝置不僅可設(shè)置在圖66所示的車體9762，而且還可設(shè)置在各種各樣的地方。例如，半導(dǎo)體裝置可以與玻璃窗、門、方向盤、變速桿、座位、鏡子等形成為一體。此時， 顯示面板9761的形狀可以根據(jù)設(shè)有顯示面板9761的物體的形狀來設(shè)定。圖67A和67B表示將半導(dǎo)體裝置和火車形成為一體的例子。圖67A表示將顯示面板9772設(shè)置在火車門9771的玻璃上的例子。與由紙構(gòu)成的現(xiàn)有廣告相比，不需要在轉(zhuǎn)換廣告時所需要的人事費。另外，顯示面板9772可以利用來自外部的信號瞬時切換顯示部分顯示的圖像。因此，當(dāng)乘客上下火車時，可以切換顯示面板上的圖像，因而可以得到更有效的廣告效果。圖67B表示除了火車門9771的玻璃以外，顯示面板9772還設(shè)置在玻璃窗9773及天花板9774上的例子。像這樣，半導(dǎo)體裝置可以容易設(shè)置在以前不容易設(shè)置的地方，因而可以得到更有效的廣告效果。另外，半導(dǎo)體裝置可以利用來自外部的信號瞬時切換顯示部分顯示的圖像，因此可以減少在轉(zhuǎn)換廣告時的成本及時間，并可以實現(xiàn)更靈活的廣告運用及信息傳達(dá)。半導(dǎo)體裝置不僅可設(shè)置在圖67A和67B所示的門9771、玻璃窗9773及天花板 9774，而且還可設(shè)置在各種各樣的地方。例如，半導(dǎo)體裝置可以與吊環(huán)、座位、扶手、地板等形成為一體。此時，顯示面板9772的形狀可以根據(jù)設(shè)有顯示面板9772的物體的形狀來設(shè)定。圖68A和68B表示將半導(dǎo)體裝置和旅客用飛機形成為一體的例子。圖68A表示在將顯示面板9782設(shè)置在旅客用飛機的座位上方的天花板9781上的情況下使用顯示面板9782時的形狀。顯示面板9782通過鉸鏈部分9783被結(jié)合到天花板 9781，并且乘客因鉸鏈部分9783伸縮而可以觀看顯示板9782。顯示板9782可以通過乘客的操作來顯示信息，并且可以被用作廣告或娛樂裝置。此外，當(dāng)如圖68B所示鉸鏈部分被彎曲并放入到天花板9781時，可以確保起飛和著陸時的安全。此外，在緊急情況下，可以使顯示面板的顯示元件發(fā)光，而可以用作信息傳達(dá)裝置及緊急撤離燈。半導(dǎo)體裝置不僅可設(shè)置在圖68A和68B所示的天花板9781，而且還可設(shè)置在各種各樣的地方。例如，半導(dǎo)體裝置可以與座位、桌子、扶手、窗等形成為一體。另外，也可以將多數(shù)人能夠同時看到的大型顯示面板設(shè)置在飛機墻上。此時，顯示面板9782的形狀可以根據(jù)設(shè)有顯示面板9782的物體的形狀來設(shè)定。在本實施方式中，舉出火車、汽車、飛機作為移動物體，但是本發(fā)明不限于此，而可以設(shè)在各種移動物體如摩托車、自動四輪車(包括汽車、公共汽車等)、火車(包括單軌、鐵路客車等)、以及船等。半導(dǎo)體裝置可以利用來自外部的信號瞬時切換設(shè)在移動物體內(nèi)的顯示面板所顯示的圖像，因此通過將半導(dǎo)體裝置設(shè)在移動物體上，可以將移動物體用作以非特定多數(shù)用戶為對象的廣告顯示板或在災(zāi)難發(fā)生時的信息顯示板等。注意，在本實施方式中參照各種附圖進(jìn)行了說明。各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合如上所示的附圖的各部分和其他部分，可以構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)可以適用于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以與其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)。再者，通過組合本實施方式的附圖的各部分和其他實施方式的部分，可以構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其變形例子、其一部分改變的例子、改良例子、詳細(xì)例子、應(yīng)用例子、相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以適用于本實施方式所述的內(nèi)容，可以與本實施方式所述的內(nèi)容組合，或者，也可以轉(zhuǎn)換成本實施方式所述的內(nèi)容。實施例1在本實施例中，參照圖14A禾Π 14Β、圖15Α至15D、圖16Α至16C、圖17Α至17C及圖18說明通過使用實施方式1的結(jié)構(gòu)在實際上制造液晶顯示裝置的例子?；窘Y(jié)構(gòu)不局限于實施方式1所述的結(jié)構(gòu)，實施方式2、3、4、5及6的各結(jié)構(gòu)部分可以適用于本實施例。就是說，根據(jù)需要，本實施例當(dāng)然可以與實施方式2所述的底柵型TFT、實施方式3所述的像素電極直接連接到島狀半導(dǎo)體膜的結(jié)構(gòu)、實施方式4所述的電極連接結(jié)構(gòu)、實施方式5的像素電極形狀、實施方式6的濾色片等組合。圖14A是本實施例的液晶顯示裝置的俯視圖，而圖14B是其截面圖。本實施例是具有實施方式1所示的結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置的制造方法的一個例子。因此，可以提高公共電極(相當(dāng)于圖1的導(dǎo)電膜115)和像素電極(相當(dāng)于圖1的像素電極113及114)的間隔的自由度。由于像素電極所具有的開口(相當(dāng)于圖3的槽117)的配置間隔或開口寬度的最合適值取決于像素電極和公共電極之間的距離，所以可以自由地設(shè)定開口的大小、其寬度和間隔。并且，可以控制施加到電極之間的電場的梯度，因此例如可以容易增加在平行于襯底的方向上的電場。就是說，在使用了液晶的顯示裝置中，能夠在平行于襯底的方向上控制被取向為與襯底平行的液晶分子(所謂的平行取向)，因此通過施加最合適的電場來擴大視角。首先，如圖15A所示，在襯底800上形成具有透光性的導(dǎo)電膜801。襯底800是玻璃襯底、石英襯底、由氧化鋁等的絕緣體構(gòu)成的襯底、能夠耐受后工序的處理溫度的耐熱塑料襯底、硅襯底或金屬板。另外，襯底800也可以是在不銹鋼等的金屬或半導(dǎo)體襯底等的表面上形成有氧化硅或氮化硅等的絕緣膜的襯底。此外，在使用塑料襯底作為襯底800的情況下，優(yōu)選使用PC (聚碳酸酯)、PES(聚醚砜)、PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)、或PEN (聚萘二甲酸乙二醇酯)等的玻璃轉(zhuǎn)變點比較高的材料。另外，導(dǎo)電膜801例如是銦錫氧化物(ITO)膜、包含Si元素的銦錫氧化物膜、或由通過使用將2至20wt%的氧化鋅(SiO)混合到氧化銦的靶而形成的材料(在本說明書中， 也稱為IZOdndium Zinc Oxide ；銦鋅氧化物)構(gòu)成的膜。然后，在導(dǎo)電膜801上及襯底800上形成絕緣膜802作為基底膜。絕緣膜802例如是氧化硅膜層疊在氮化硅膜上的膜，或者，也可以是其他絕緣體(例如包含氮的氧化硅膜或包含氧的氮化硅膜)。這里，也可以對由氧化硅膜或包含氮的氧化硅膜等構(gòu)成的絕緣膜802的表面進(jìn)行利用高密度等離子體的氮化處理，以在絕緣膜802的表面上形成氮化硅膜。例如使用2.45GHz的微波來產(chǎn)生高密度等離子體，其電子密度為IXlO11至 1 X IO1Vcm3,電子溫度為以下且離子能量為MV以下。這種高密度等離子體具有低動能的活性物質(zhì)，與以往的等離子體處理相比，等離子體損壞小，因而可以形成缺陷小的膜。產(chǎn)生微波的天線與絕緣膜802之間的距離可被設(shè)定為20至80mm，優(yōu)選為20至60mm。通過在氮氣氛如含有氮和稀有氣體的氣氛、或含有氮、氫和稀有氣體的氣氛、或含有氨和稀有氣體的氣氛下進(jìn)行所述高密度等離子體處理，可以使絕緣膜802的表面氮化。氮化硅膜能夠抑制來自襯底800的雜質(zhì)擴散，并且可以通過進(jìn)行所述高密度等離子體處理形成極為薄的氮化硅膜，因此可以減少給形成在其上的半導(dǎo)體膜帶來的應(yīng)力的影響。接著，如圖15B所示，在絕緣膜802上形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜(例如多晶硅膜)作為半導(dǎo)體膜803。作為形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜的方法，可以舉出在絕緣膜802上直接形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜的方法、以及在將非晶半導(dǎo)體膜形成在絕緣膜802上之后使它結(jié)晶化的方法。作為使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶化的方法，可以使用照射激光的方法、通過使用促進(jìn)半導(dǎo)體膜結(jié)晶化的元素(例如鎳等的金屬元素)進(jìn)行加熱而實現(xiàn)結(jié)晶化的方法、或在通過使用促進(jìn)半導(dǎo)體膜結(jié)晶化的元素進(jìn)行加熱而實現(xiàn)結(jié)晶化之后照射激光的方法。當(dāng)然，也可以使用使非晶半導(dǎo)體膜熱結(jié)晶化而不使用所述元素的方法。但是，其只局限于能夠耐受高溫度的襯底如石英襯底、硅片等。在采用激光照射的情況下，可以使用連續(xù)振蕩激光束(CW激光束)或脈沖振蕩激光束(脈沖激光束)。在此，作為激光束可以采用由如下的一種或多種激光器振蕩的激光束，即氣體激光器如Ar激光器、Kr激光器、受激準(zhǔn)分子激光器等；將在單晶的YAG、YVO4、鎂橄欖石(Mg2SiO4)、YA103、GdV04、或者多晶(陶瓷)的 YAG、Y2O3、YVO4、YAW3、GdVO4 中添加 Nd、Yb, Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質(zhì)的激光器；玻璃激光器；紅寶石激光器；變石激光器；Ti 藍(lán)寶石激光器；銅蒸氣激光器；和金蒸氣激光器。通過照射這種激光束的基波以及所述基波的二次到四次諧波，可以獲得大粒徑的晶體。例如，可以采用Nd: YVO4激光器(基波為1064nm)的二次諧波(532nm)或者三次諧波 (355nm)。此時，激光能量密度需要為0. 01至100MW/cm2左右(優(yōu)選0. 1至10MW/cm2)。而且，以大約10至2000cm/sec的掃描速度來照射激光。并且，將在單晶的YAG、YV04、鎂橄欖石(Ife2SiO4)、YA103、GdV04、或者多晶(陶瓷) 的 YAG、Y2O3> YVO4, YA103、GdVO4 中添加 Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta 之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質(zhì)的激光器、Ar離子激光器、或Ti 藍(lán)寶石激光器可以進(jìn)行連續(xù)振蕩，而且，通過Q開關(guān)動作或鎖模(mode locking)等可以以IOMHz以上的振蕩頻率進(jìn)行脈沖振蕩。當(dāng)以IOMHz以上的振蕩頻率振蕩激光束時，在半導(dǎo)體膜被激光溶化之后且在半導(dǎo)體膜凝固之前向半導(dǎo)體膜發(fā)射下一個脈沖。因此，與使用振蕩頻率低的脈沖激光的情況不同，由于可以在半導(dǎo)體膜中連續(xù)地移動固相和液相之間的界面，而可以獲得沿掃描方向連續(xù)生長的晶粒。通過使用陶瓷(多晶)作為介質(zhì)，可以以短時間和低成本將介質(zhì)形成為任何形狀。 當(dāng)采用單晶時，通常使用直徑為幾mm、長度為幾十mm的圓柱形的介質(zhì)，然而，當(dāng)采用陶瓷時可以形成更大的介質(zhì)。直接有助于發(fā)光的介質(zhì)中的Nd、％等摻雜物的濃度由于在單晶中也好在多晶中也好不能大幅度地更改，因此，通過增加濃度而提高激光輸出就有一定的界限。然而，在采用陶瓷的情況下，與單晶相比，可以顯著增大介質(zhì)的尺寸，所以，可以大幅度地提高輸出。并且，在采用陶瓷的情況下，可以容易地形成平行六面體形狀或長方體形狀的介質(zhì)。通過使用這種形狀的介質(zhì)使振蕩光在介質(zhì)內(nèi)部以鋸齒形前進(jìn)，可以增加振蕩光路的長度。因此，增加幅度變大，可以以大輸出進(jìn)行振蕩。另外，由于從這種形狀的介質(zhì)發(fā)射的激光束在發(fā)射時的截面形狀是四角形狀，所以，與圓形狀的激光束相比，有利于將其成形為線狀。通過利用光學(xué)系統(tǒng)成形這種被發(fā)射的激光束，可以容易地獲取短邊長度為Imm以下、長邊長度為幾mm到幾m的線狀光束。另外，通過將激發(fā)光均勻地照射在介質(zhì)上，線狀光束沿著長邊方向具有均勻的能量分布。通過將上述線狀光束照射在半導(dǎo)體膜上，可以對半導(dǎo)體膜的整個表面更均勻地進(jìn)行退火。在需要直到線狀光束的兩端進(jìn)行均勻的退火的情況下，需要采用一種方法，即在其兩端布置槽縫，以對能量的衰變部分進(jìn)行遮光等。若使用根據(jù)上述步驟而得到的強度均勻的線狀光束對半導(dǎo)體膜進(jìn)行退火，并且使用該半導(dǎo)體膜制造電子設(shè)備，則其電子設(shè)備的特性良好且均勻。
作為通過使用促進(jìn)非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶化的元素進(jìn)行加熱而實現(xiàn)結(jié)晶化的方法，采用如下方法將促進(jìn)結(jié)晶化的金屬元素添加到非晶半導(dǎo)體膜(也稱為非晶硅膜)并進(jìn)行加熱處理，來以添加區(qū)域為起點使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶化。非晶半導(dǎo)體膜也可通過用強光進(jìn)行照射代替熱處理來結(jié)晶。在這一情況下，可使用紅外光、可見光和紫外光中的任一個或其組合。典型地說，使用從鹵素?zé)?、金屬鹵化物燈、 氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈或高壓汞燈發(fā)出的光。使燈光源發(fā)光1到60秒，優(yōu)選為30到60 秒，且這一發(fā)光重復(fù)1到10次，優(yōu)選為2到6次。燈光源的發(fā)光強度是任意的，但是半導(dǎo)體膜瞬間被加熱到600至1000°C左右。此外，如有必要，可進(jìn)行熱處理以在用強光照射之前排出非晶半導(dǎo)體膜所含的氫?；蛘?，可通過熱處理和用強光照射兩者來進(jìn)行結(jié)晶。在熱處理之后，為提高結(jié)晶半導(dǎo)體膜的結(jié)晶率(由結(jié)晶成分占據(jù)的體積與膜的全部體積之比)并修正保留在晶粒中的缺陷，可在大氣或氧氣氛中用激光照射結(jié)晶半導(dǎo)體膜。激光束可選擇如上所述的激光束。另外，需要從結(jié)晶半導(dǎo)體膜去除被添加了的元素。以下說明其方法。首先，用含有臭氧的水溶液(通常為臭氧水)處理結(jié)晶半導(dǎo)體膜的表面，從而在結(jié)晶半導(dǎo)體膜的表面形成厚度為Inm至IOnm的由氧化膜(稱為化學(xué)氧化物)形成的阻擋層。 當(dāng)在之后的工序中僅選擇性地去除吸雜層時，阻擋層用作蝕刻阻止物。然后，在阻擋層上形成含有稀有氣體元素的吸雜層作為吸雜點。此處，通過CVD法或濺射法形成含有稀有氣體元素的半導(dǎo)體膜作為吸雜層。當(dāng)形成吸雜層時，適當(dāng)?shù)卣{(diào)整濺射條件以將稀有氣體元素添加到吸雜層。稀有氣體元素可以是氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪 (Kr)或氙(Xe)中的一種或多種。此外，在使用含有作為雜質(zhì)元素的磷的原料氣體或者使用含有磷的靶來形成吸雜層的情況下，除使用稀有氣體元素來吸雜之外，還可通過利用磷的庫侖力來進(jìn)行吸雜。在吸雜時，金屬元素(例如，鎳)往往移向具有高濃度氧的區(qū)域，因此，吸雜層所含的氧的濃度優(yōu)選被設(shè)為例如5 X IO18CnT3以上。接著，對結(jié)晶半導(dǎo)體膜、阻擋層和吸雜層進(jìn)行熱處理(例如，加熱處理或用強光照射)，由此對金屬元素(例如，鎳)進(jìn)行吸雜，以使結(jié)晶半導(dǎo)體膜中金屬元素的濃度降低或者去除結(jié)晶半導(dǎo)體膜中的金屬元素。然后，使用阻擋層作為蝕刻阻止物來進(jìn)行已知的蝕刻方法，來僅選擇性地去除吸雜層。之后，例如使用含有氫氟酸的蝕刻劑去除由氧化膜形成的阻擋層。這里，可考慮要制造的TFT的閾值特性來摻雜雜質(zhì)離子。接著，在半導(dǎo)體膜803上通過涂敷法涂敷光致抗蝕劑膜(未圖示)，并對所述光致抗蝕劑膜進(jìn)行曝光及顯影。涂敷法指的是旋轉(zhuǎn)涂敷法、噴射法、絲網(wǎng)印刷法、涂料法等。因此，抗蝕劑形成在半導(dǎo)體膜803上。然后，以所述抗蝕劑為掩模對半導(dǎo)體膜803進(jìn)行蝕刻。 因此，構(gòu)成薄膜晶體管的島狀半導(dǎo)體膜872、873及874形成在絕緣膜802上。接著，在使用含有氫氟酸的蝕刻劑清洗島狀半導(dǎo)體膜872至874的表面之后，在島狀半導(dǎo)體膜872至874上形成IOnm至200nm厚的柵極絕緣膜804。柵極絕緣膜804由以硅為主要成分的絕緣膜如氧化硅膜、氮化硅膜、包含氮的氧化硅膜、包含氧的氮化硅膜等構(gòu)成。另外，其可以是單層或疊層膜。此外，也在絕緣膜802上形成柵極絕緣膜804。在形成柵極絕緣膜804之后，形成柵電極865、866、867、868及電極869，并形成雜質(zhì)區(qū)域 807a、807b、808a、808b、809a、809b、810a、810b、813a、813b、813c、814a、814b、814c、 814d、溝道形成區(qū)域 895、896、897(897a 和 897b)(參照圖 15D)。TFT827的柵電極865具有下層?xùn)烹姌O80 及上層?xùn)烹姌O806a。TFT829的柵電極 866具有下層?xùn)烹姌O80 及上層?xùn)烹姌O806b。并且TFT825的柵電極867具有下層?xùn)烹姌O 805c及上層?xùn)烹姌O806c，而柵電極868具有下層?xùn)烹姌O805d及上層?xùn)烹姌O806d。另外，電極869具有下層電極861及上層電極862。雜質(zhì)區(qū)域807a及807b是TFT827的源區(qū)或漏區(qū)，而雜質(zhì)區(qū)域808a及808b是 TFT827的低濃度雜質(zhì)區(qū)域。溝道形成區(qū)域895位于雜質(zhì)區(qū)域808a和808b之間。雜質(zhì)區(qū)域809a及809b是TFT^9的源區(qū)或漏區(qū)，而雜質(zhì)區(qū)域810a及810b是 TFT829的低濃度雜質(zhì)區(qū)域。溝道形成區(qū)域896位于雜質(zhì)區(qū)域810a和810b之間。雜質(zhì)區(qū)域813a及81 是TFT825的源區(qū)或漏區(qū)，而且雜質(zhì)區(qū)域81 以與雜質(zhì)區(qū)域813a及813c相同的工序形成。雜質(zhì)區(qū)域8Ha、814b、8Hc及814d是TFT825的低濃度雜質(zhì)區(qū)域。溝道形成區(qū)域897a位于雜質(zhì)區(qū)域81 和814b之間，而溝道形成區(qū)域897b位于雜質(zhì)區(qū)域8Hc和814d之間。在本實施例中，雜質(zhì)區(qū)域809a和809b,810a和810b,813a至813c,814a至814d 是η型雜質(zhì)區(qū)域，并包含賦予η型的雜質(zhì)元素如磷(P)或砷(As)。雜質(zhì)區(qū)域809a和809b、 813a至813c也是高濃度雜質(zhì)區(qū)域，其雜質(zhì)濃度比作為低濃度雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域810a和 810b、814a 至 814d 高。在本實施例中，雜質(zhì)區(qū)域807a和807b、808a和808b是ρ型雜質(zhì)區(qū)域，并包含賦予 P型的雜質(zhì)元素如硼(B)。雜質(zhì)區(qū)域807a和807b也是高濃度雜質(zhì)區(qū)域，其雜質(zhì)濃度比作為低濃度雜質(zhì)區(qū)域的雜質(zhì)區(qū)域808a和808b高。就是說，TFT829及825是η溝道型TFT，而TFT827是ρ溝道型TFT。下面，說明柵電極865至868及電極869的制造方法。在形成柵極絕緣膜804之后，清洗柵極絕緣膜804。接著，在柵極絕緣膜804上順序形成第一導(dǎo)電膜及第二導(dǎo)電膜。第一導(dǎo)電膜例如是鎢膜，而第二導(dǎo)電膜是氮化鉭膜。接著，在第二導(dǎo)電膜上涂敷光致抗蝕劑膜，并對所述光致抗蝕劑膜進(jìn)行曝光及顯影。因此，抗蝕劑形成在第二導(dǎo)電膜上。然后，以該抗蝕劑為掩模采用第一條件蝕刻第一導(dǎo)電膜及第二導(dǎo)電膜，而且還采用第二條件蝕刻第二導(dǎo)電膜。因此，下層?xùn)烹姌O80 及上層?xùn)烹姌O806a形成在島狀半導(dǎo)體膜872上，下層?xùn)烹姌O80 及上層?xùn)烹姌O806b形成在島狀半導(dǎo)體膜873上，并且下層?xùn)烹姌O805c及上層?xùn)烹姌O806c、下層?xùn)烹姌O805d及上層?xùn)烹姌O 806d形成在島狀半導(dǎo)體膜874上。下層?xùn)烹姌O80 至805d的各側(cè)面的傾斜角度比上層?xùn)烹姌O806a至806d的各側(cè)面的傾斜角度小。另外，同時形成下層電極861及上層電極862。
然后，去除光致抗蝕劑膜。雜質(zhì)區(qū)域807a、807b、808a、808b、809a、809b、810a、810b、813a、813b、813c、814a、 814b、814c、814d也可以通過以柵電極865至868為掩模以自對準(zhǔn)地引入雜質(zhì)來形成，或者， 也可以通過使用抗蝕劑掩模弓I入雜質(zhì)元素來形成。接著，形成大致覆蓋整個面上的絕緣膜(未圖示)。該絕緣膜例如是氧化硅膜，并是通過等離子體CVD法而形成的。接著，對島狀半導(dǎo)體膜872至874進(jìn)行熱處理，使所添加的雜質(zhì)元素活化。這種熱處理是使用了燈光源的快速熱退火法(RTA法)、從背面照射YAG激光或受激準(zhǔn)分子激光的方法、使用了爐的熱處理、或采用了這些方法中的多種組合而成的方法的處理。通過進(jìn)行所述熱處理，在使雜質(zhì)元素活化的同時，當(dāng)使島狀半導(dǎo)體膜873和874結(jié)晶化時用作催化劑的元素(例如鎳等的金屬元素)被吸雜到包含高濃度的雜質(zhì)(例如磷) 的雜質(zhì)區(qū)域809a和809b、813a至813c，因此島狀半導(dǎo)體膜873和874中的主要成為溝道形成區(qū)域896、897a及897b的部分中的鎳濃度下降。其結(jié)果，溝道形成區(qū)域的結(jié)晶性提高。 因此，TFT的截止電流值下降，并且可以獲得高場效應(yīng)遷移率。像這樣，可以獲得特性良好的 TFT。接著，在包括島狀半導(dǎo)體膜872至874上的整個面上形成絕緣膜815。絕緣膜815 例如是氮化硅膜，并是通過等離子體CVD法而形成的。然后，在絕緣膜815上形成用作層間絕緣膜816的平整膜。作為層間絕緣膜816，使用具有透光性的無機材料(氧化硅、氮化硅、包含氧的氮化硅等)、感光或非感光有機材料 (聚酰亞胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑、或苯并環(huán)丁烯)、或其疊層。另外，作為用于平整膜的其他具有透光性的膜，可以使用通過涂敷法獲得的由含有烷基的SiOx膜構(gòu)成的絕緣膜，例如通過使用石英玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基倍半硅氧烷(silsesquioxane) 聚合物、氫化的倍半硅氧烷聚合物、氫化的烷基倍半硅氧烷聚合物等而形成的絕緣膜。作為硅氧烷類聚合物的一個例子，可以舉出由Toray工業(yè)公司制造的涂敷絕緣膜材料，即 PSB-Kl和PSB-K31，以及由Catalysts & Chemicals工業(yè)有限公司制造的涂敷絕緣膜材料， 即ZRS-5PH。層間絕緣膜816可以是單層膜或疊層膜。接著，在層間絕緣膜816上涂敷光致抗蝕劑膜(未圖示)，并對所述光致抗蝕劑膜進(jìn)行曝光及顯影。因此，抗蝕劑形成在層間絕緣膜816上。然后，以所述抗蝕劑為掩模對層間絕緣膜816、絕緣膜815、以及柵極絕緣膜804進(jìn)行蝕刻。因此，接觸孔817a、817b、817c、 817d、817e、817f、817g及8Hh形成在層間絕緣膜816、絕緣膜815、以及柵極絕緣膜804中 (參照圖16A)。接觸孔817a位于雜質(zhì)區(qū)域807a上，而接觸孔817b位于雜質(zhì)區(qū)域807b上。接觸孔817c位于雜質(zhì)區(qū)域809a上，而接觸孔817d位于雜質(zhì)區(qū)域809b上。接觸孔817e位于雜質(zhì)區(qū)域813a上，接觸孔817f位于雜質(zhì)區(qū)域813c上。接觸孔817g位于導(dǎo)電膜801上，并且接觸孔8Hh位于電極869上。然后，去除抗蝕劑。接著，如圖16B所示，在接觸孔817a至SHh中及層間絕緣膜816上形成第一導(dǎo)電膜875。第一導(dǎo)電膜875是具有透光性的導(dǎo)電膜，例如是銦錫氧化物膜、包含硅的銦錫氧化物膜、或通過使用將2至20wt%的氧化鋅混合到氧化銦中的靶而形成的導(dǎo)電膜。接著，在第一導(dǎo)電膜875上形成第二導(dǎo)電膜876。第二導(dǎo)電膜876例如是金屬膜。接著，在第二導(dǎo)電膜876上涂敷光致抗蝕劑膜820。然后，在光致抗蝕劑膜820上方配置中間掩模840。為了形成中間掩模840，在玻璃襯底上形成半透膜841a、841b、841c、 841d、841e、841f 及 841g，并在半透膜 841a 至 841g 上形成遮光膜 842a、842b、842c、842d、 842e、842f及842g。半透膜841a及遮光膜84 位于接觸孔817a上，半透膜841b及遮光膜84 位于接觸孔817b上，半透膜841c及遮光膜842c位于接觸孔817c上，半透膜841d 及遮光膜842d位于接觸孔817d上，半透膜841e及遮光膜84 位于接觸孔817e上，半透膜841f及遮光膜842f位于接觸孔817f上，半透膜841g及遮光膜842g位于接觸孔817g 及817h上。接著，以中間掩模840為掩模對光致抗蝕劑膜820進(jìn)行曝光。因此，除了位于遮光膜84 至842g下的部分、以及位于半透膜841a至841g下的部分的下層以外，光致抗蝕劑膜820感光。此外，以標(biāo)號821a、821b、821c、821d、821e、821f及821g表示不感光的區(qū)域。接著，如圖17A所示，對光致抗蝕劑膜820進(jìn)行顯影。因此，光致抗蝕劑膜820中的感光部分被去除，因而形成抗蝕劑82^i、822b、822c、822d、82&、822f及822g?？刮g劑82 位于接觸孔817a上，抗蝕劑822b位于接觸孔817b上，抗蝕劑822c位于接觸孔817c上，抗蝕劑822d位于接觸孔817d上，抗蝕劑82 位于接觸孔817e上，抗蝕劑822f位于接觸孔 817f上，抗蝕劑822g位于接觸孔817g及817h上。接著，如圖17B所示，以抗蝕劑82 至822g為掩模對第一導(dǎo)電膜875及第二導(dǎo)電膜876進(jìn)行蝕刻。因此，在不被抗蝕劑82 至822g覆蓋的區(qū)域中，第一導(dǎo)電膜875及第二導(dǎo)電膜876被去除。然后，去除抗蝕劑82 至822g。像這樣，以一片抗蝕劑及一次蝕刻處理形成具有下層電極82 及上層電極823a 的電極881、具有下層電極824b及上層電極82 的電極882、具有下層電極82 及上層電極823c的電極883、具有下層電極824d及上層電極823d的電極884、具有下層電極82 及上層電極82 的電極885、具有下層電極824f及上層電極823f的電極886、以及具有下層電極863及上層電極864的電極887。電極881至887也可以分別形成布線來與該布線電連接，或者，也可以作為布線形成。在此情況下，電極881至887成為布線881至887。電極881電連接到雜質(zhì)區(qū)域807a，電極882電連接到雜質(zhì)區(qū)域807b，電極883電連接到雜質(zhì)區(qū)域809a，電極884電連接到雜質(zhì)區(qū)域809b，電極885電連接到雜質(zhì)區(qū)域813a， 并且電極886電連接到雜質(zhì)區(qū)域813c。另外，電極887電連接導(dǎo)電膜801和電極869。接著，在層間絕緣膜816及電極881至887上形成層間絕緣膜845(參照圖17C)。 層間絕緣膜845可以通過使用與層間絕緣膜816相同的材料來形成。然后，在層間絕緣膜845中形成到達(dá)電極886的接觸孔，并且形成通過接觸孔電連接到電極866的像素電極891(891￡1、89113、891(3、891(1等)(參照圖18)。只要使用具有透光性的材料形成像素電極891，即可，并可以使用與導(dǎo)電膜875相同的材料。在像素電極891 中形成有槽892(89^i、892b、891c等)，參照圖4、圖7、圖8A至8D、圖9A至9D設(shè)定像素電極891及槽892的形狀即可。然后，形成第一取向膜826。像這樣，形成有源矩陣襯底。TFT827及擬9形成在柵極信號線驅(qū)動電路854。雖然在圖14B中示出彼此獨立的 TFT827及829，但是也可以通過電連接電極882和電極883形成作為CMOS電路的TFT827 及擬9。另外，形成連接有源矩陣襯底和外部的第一端子電極838a及第二端子電極 838b (參照圖 14B)。
接著，如圖14A的平面圖及圖14B的沿著K-L切割的截面圖所示，在有源矩陣襯底上形成丙烯樹脂膜等的有機樹脂膜，并進(jìn)行使用了掩模膜的蝕刻來選擇性地去除該有機樹脂膜。因此，柱狀隔離物833形成在有源矩陣襯底上。然后，在密封區(qū)域853中形成密封材料834之后，將液晶滴落到有源矩陣襯底上。在滴落液晶之前，也可以在密封材料上形成防止密封材料和液晶之間引起反應(yīng)的保護(hù)膜。然后，在與有源矩陣襯底相對的位置上配置形成有濾色片832及第二取向膜831 的相對襯底830，并使用密封材料834貼合這些兩個襯底。此時，其中間夾著隔離物833地以均一的間隔貼合有源矩陣襯底和相對襯底830。然后，使用密封劑(未圖示)完全密封兩個襯底之間。因此，液晶846被密封在有源矩陣襯底和相對襯底之間。接著，根據(jù)需要將有源矩陣襯底和相對襯底中的一方或雙方切割為所希望的形狀。再者，提供偏振片83 及83釙。另外，也可以在襯底800和偏振片83 之間、以及在相對襯底830和偏振片83 之間設(shè)置相位差板。再者，相位差板也可以不配置在襯底和偏振片之間，而可以配置在如下一面上，該一面與偏振片83 及83 接觸襯底的一面相反。然后，將柔性印刷襯底(Flexible Printed Circuit ；以下稱為FPC) 837連接到配置在外部端子連接區(qū)域852中的第二端子電極838b，其中間夾著各向異性導(dǎo)電膜836。以下說明像這樣完成的液晶顯示模塊的結(jié)構(gòu)。在有源矩陣襯底的中央部分配置有像素區(qū)域856。在像素區(qū)域856中形成有多個像素。在圖14A中，在像素區(qū)域856上下分別形成有驅(qū)動?xùn)艠O信號線的柵極信號線驅(qū)動電路854。在位于像素區(qū)域856和FPC837之間的區(qū)域中形成有驅(qū)動源極信號線的源極信號線驅(qū)動電路857。也可以只在一側(cè)配置柵極信號線驅(qū)動電路854，只要設(shè)計者考慮到液晶顯示模塊中的襯底尺寸等適當(dāng)?shù)剡x擇即可。注意， 考慮到電路的工作可靠性或驅(qū)動效率等，優(yōu)選其中間夾著像素區(qū)域856地將柵極信號線驅(qū)動電路邪4配置為對稱。并且，信號從FPC837輸入到各驅(qū)動電路。實施例2下面，參照圖19A和19B及圖20A和20B說明根據(jù)實施例1的液晶顯示模塊。在各附圖中，像素部930的結(jié)構(gòu)與實施例1所示的像素區(qū)域856相同，多個像素形成在襯底100上。圖19A是液晶顯示模塊的平面圖，而圖19B是說明源極驅(qū)動器(也稱為源極信號線驅(qū)動電路)910的電路結(jié)構(gòu)的圖。如圖19A所示，在與像素部930相同的襯底100上一體形成柵極驅(qū)動器(也稱為柵極信號線驅(qū)動電路)920及源極驅(qū)動器910這二者。如圖19B 所示，源極驅(qū)動器910具有用來控制將所輸入的視頻信號傳送到哪個源極信號線的多個薄膜晶體管912、以及控制多個薄膜晶體管912的移位寄存器911。圖20A是液晶顯示模塊的平面圖，而圖20B是說明多個模擬開關(guān)TFT940的電路結(jié)構(gòu)的圖。如圖20A所示，包括形成在襯底100上的多個模擬開關(guān)TFT940、以及不形成在襯底 100上的IC950。IC950和多個模擬開關(guān)TFT940例如通過FPC960電連接。IC950例如是使用單晶硅襯底而形成的，其控制多個模擬開關(guān)TFT940并將視頻信號輸入到多個模擬開關(guān)TFT940。多個模擬開關(guān)TFT940基于來自IC的控制信號控制將視頻信號傳送到哪個源極信號線。根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有廣視角且其制造成本比以往低的液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的液晶顯示裝置時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性液晶顯示裝置。實施例3下面，參照圖21A至21H說明將本發(fā)明應(yīng)用于電子設(shè)備的例子，其中該電子設(shè)備配置有如上所述的任一實施方式及實施例所示的顯示裝置或顯示模塊。作為所述電子設(shè)備，可以舉出攝像機、數(shù)字照相機、護(hù)目鏡型顯示器(頭盔顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置(汽車音響組件等)、計算機、游戲機、便攜式信息終端(移動計算機、手機、便攜式游戲機或電子書籍等)、以及配備記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)設(shè)備(具體地舉出，再生數(shù)字通用光盤(DVD)等的記錄介質(zhì)而且具有可以顯示其圖像的顯示器的裝置) 等。圖21A至21H示出這些電子設(shè)備的具體例子。圖21A為電視接收機或個人計算機的監(jiān)視器。其包括外殼2001、支架2002、顯示部2003、揚聲器部2004、視頻輸入端子2005等。如上所述的任一實施方式或?qū)嵤├镜娘@示裝置或顯示模塊適用于顯示部2003。本發(fā)明的監(jiān)視器具有廣視角，其制造成本可以比以往低。另外，在本發(fā)明的監(jiān)視器的顯示部中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性監(jiān)視器。另外，在本發(fā)明的監(jiān)視器中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的顯示部時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性監(jiān)視器。圖21B為數(shù)字照相機。在主體2101的正面部分設(shè)置有圖像接收部2103，并在主體 2101的上面部分設(shè)置有快門按鈕2106。另外，在主體2101的背面部分設(shè)置有顯示部2102、 操作鍵2104、以及外部連接端口 2105。如上所述的任一實施方式或?qū)嵤├镜娘@示裝置或顯示模塊適用于顯示部2102。本發(fā)明的數(shù)字照相機具有廣視角，其制造成本可以比以往低。另外，在本發(fā)明的數(shù)字照相機的顯示部中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性數(shù)字照相機。另外，在本發(fā)明的數(shù)字照相機中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的顯示部時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性數(shù)字照相機。圖21C為筆記型個人計算機。在主體2201中設(shè)置有鍵盤2204、外部連接端口 2205、及定位設(shè)備2206。另外，主體2201安裝有具有顯示部2203的外殼2202。如上所述的任一實施方式或?qū)嵤├镜娘@示裝置或顯示模塊適用于顯示部2203。本發(fā)明的計算機具有廣視角，其制造成本可以比以往低。另外，在本發(fā)明的計算機的顯示部中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性計算機。另外，在本發(fā)明的計算機中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的顯示部時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性計算機。圖21D為移動計算機，其包括主體2301、顯示部2302、開關(guān)2303、操作鍵2304、紅外端口 2305等。在顯示部2302中設(shè)置有有源矩陣顯示裝置。如上所述的任一實施方式或?qū)嵤├镜娘@示裝置或顯示模塊適用于顯示部2302。本發(fā)明的計算機具有廣視角，其制造成本可以比以往低。另外，在本發(fā)明的計算機的顯示部中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上， 因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性計算機。另外，在本發(fā)明的計算機中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的顯示部時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性計算機。圖21E為圖像再現(xiàn)裝置。在主體MOl中設(shè)置有顯示部B2404、記錄介質(zhì)讀取部 2405、以及操作鍵M06。另外，主體MOl安裝有具有揚聲器部M07及顯示部AM03的外殼 2402。如上所述的任一實施方式或?qū)嵤├镜娘@示裝置或顯示模塊適用于顯示部A2403 及顯示部B2404。本發(fā)明的圖像再現(xiàn)裝置具有廣視角，其制造成本可以比以往低。另外，在本發(fā)明的圖像再現(xiàn)裝置的顯示部中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性圖像再現(xiàn)裝置。另外，在本發(fā)明的圖像再現(xiàn)裝置中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的顯示部時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性圖像再現(xiàn)裝置。圖21F為電子書籍。在主體2501中設(shè)置有操作鍵2503。另外，主體2501安裝有多個顯示部2502。如上所述的任一實施方式或?qū)嵤├镜娘@示裝置或顯示模塊適用于顯示部2502。本發(fā)明的電子書籍具有廣視角，其制造成本可以比以往低。另外，在本發(fā)明的電子書籍的顯示部中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性電子書籍。另外，在本發(fā)明的電子書籍中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的顯示部時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性電子書籍。圖21G為攝像機，在主體沈01中設(shè)置有外部連接端口 2604、遙控接收部2605、圖像接收部2606、電池2607、聲音輸入部沈08、操作鍵2609、以及取景器沈10。另外，主體 2601安裝有具有顯示部沈02的外殼沈03。如上所述的任一實施方式或?qū)嵤├镜娘@示裝置或顯示模塊適用于顯示部沈02。本發(fā)明的攝像機具有廣視角，其制造成本可以比以往低。另外，在本發(fā)明的攝像機的顯示部中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性攝像機。另外，在本發(fā)明的攝像機中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的顯示部時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性攝像機。圖21H為手機，其包括主體2701、外殼2702、顯示部2703、聲音輸入部2704、聲音輸出部2705、操作鍵2706、外部連接端口 2707、天線2708等。如上所述的任一實施方式或?qū)嵤├镜娘@示裝置或顯示模塊適用于顯示部2703。本發(fā)明的手機具有廣視角，其制造成本可以比以往低。另外，在本發(fā)明的手機的顯示部中將導(dǎo)電膜形成在襯底整個面上，因此可以防止來自襯底的雜質(zhì)混入到有源層中。因此，可以獲得高可靠性手機。另外，在本發(fā)明的手機中，當(dāng)制造具有頂柵型薄膜晶體管的顯示部時，背柵的電位穩(wěn)定，因此可以獲得高可靠性手機。本說明書根據(jù)2006年10月31日在日本專利局受理的日本專利申請編號 2006-297009而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括襯底的一側(cè)的整個表面上的第一電極； 所述第一電極上的第一絕緣膜，其中所述第一絕緣膜具有開口 ； 所述第一絕緣膜上以及所述第一絕緣膜的開口中的第二絕緣膜； 所述第二絕緣膜上的第二電極，其中所述第二電極在所述第一絕緣膜的開口上具有多個開口 ；以及所述第二電極上的液晶，其中通過所述第一電極和所述第二電極之間的電場來控制所述液晶。
2.一種液晶顯示裝置，包括襯底的一側(cè)的整個表面上的第一電極； 所述第一電極上的第一絕緣膜，其中所述第一絕緣膜具有開口 ； 所述第一絕緣膜上以及所述第一絕緣膜的開口中的第二絕緣膜； 所述第二絕緣膜上的第二電極，其中所述第二電極在所述第一絕緣膜的開口上具有多個開口 ；以及所述第二電極上的液晶，其中通過所述第一電極和所述第二電極之間的電場來控制所述液晶， 其中在所述第二電極與所述第一絕緣膜的開口重疊的第一區(qū)域中所述第一電極和所述第二電極之間的距離小于在所述第二電極與所述第一絕緣膜重疊的第二區(qū)域中所述第一電極和所述第二電極之間的距離。
3.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其中所述第一電極和所述第二電極分別是透光導(dǎo)電膜。
4.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其中所述第一電極和所述第二電極的其中之一是透光導(dǎo)電膜；并且其中所述第一電極和所述第二電極中的另外一個是反射導(dǎo)電膜。
5.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，還包括所述第一電極上的薄膜晶體管。
6.一種顯示模塊，所述顯示模塊包括如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置以及掃描線驅(qū)動電路、信號線驅(qū)動電路、控制電路中的至少一個。
7.一種電子裝置，所述電子裝置配備有如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置。
8.—種制造液晶顯示裝置的方法，包括下列步驟在第一襯底上形成第一電極，其中所述第一電極未被圖案化； 在所述第一電極上形成第一絕緣膜，而未對所述第一電極進(jìn)行圖案化處理，其中所述第一絕緣膜具有開口；在所述第一絕緣膜上以及所述第一絕緣膜的開口中形成第二絕緣膜； 在所述第二絕緣膜上形成第二電極，其中所述第二電極在所述第一絕緣膜的開口上具有多個開口 ；以及將第二襯底貼附到第一襯底，其間具有液晶。
9.一種制造液晶顯示裝置的方法，包括下列步驟在第一襯底上形成第一電極，其中所述第一電極未被圖案化； 在所述第一電極上形成第一絕緣膜，而未對所述第一電極進(jìn)行圖案化處理；移除第一絕緣膜的一部分以便形成開口；在所述第一絕緣膜上以及所述第一絕緣膜的開口中形成第二絕緣膜； 在所述第二絕緣膜上形成第二電極，其中所述第二電極在所述第一絕緣膜的開口上具有多個開口 ；以及將第二襯底貼附到第一襯底，其間具有液晶。
10.如權(quán)利要求8或9所述的方法，其中所述第一電極和所述第二電極是透光導(dǎo)電膜。
11.如權(quán)利要求8或9所述的方法，其中所述第一電極和所述第二電極的其中之一是透光導(dǎo)電膜；并且其中所述第一電極和所述第二電極中的另外一個是反射導(dǎo)電膜。
12.如權(quán)利要求8或9所述的方法，其中所述液晶顯示裝置為顯示模塊而設(shè)，所述顯示模塊包括掃描線驅(qū)動電路、信號線驅(qū)動電路、控制電路中的至少一個。
13.如權(quán)利要求8或9所述的方法，其中所述液晶顯示裝置為電子裝置而設(shè)。
全文摘要
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置以及電子設(shè)備。本發(fā)明的目的在于提供一種具有廣視角的半導(dǎo)體裝置、液晶顯示裝置、以及電子設(shè)備，其中制造工序數(shù)量和掩模數(shù)量比以往少且制造成本低。本發(fā)明的技術(shù)要點是一種液晶顯示裝置，包括形成在襯底的一個表面的整個面上的第一電極；形成在該第一電極上的第一絕緣膜；形成在該第一絕緣膜上的薄膜晶體管；形成在該薄膜晶體管上的第二絕緣膜；形成在該第二絕緣膜上并具有多個開口的第二電極；以及所述第二電極上的液晶，其中利用所述第一電極和所述第二電極之間的電場控制所述液晶。
文檔編號G02F1/133GK102495501SQ20111046143
公開日2012年6月13日 申請日期2007年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月31日
發(fā)明者木村肇 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所