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Tft陣列基板、顯示屏及顯示裝置的制作方法

文檔序號:2676788閱讀:124來源:國知局
專利名稱:Tft陣列基板、顯示屏及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及TFT陣列基板、顯示屏及顯示裝置。
背景技術(shù)
近幾年,隨著數(shù)字化電視的普及,TFT (Thin Film Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管)因其體積小、功耗低、無輻射、顯示分辨率高等特點,被大量使用并成為主流產(chǎn)品。現(xiàn)有技術(shù)中,TFT陣列基板包括基板、形成在基板上的公共電極層和柵電極、形成在基板上的柵絕緣層、形成在柵電極上的有源層、形成在柵絕緣層上的數(shù)據(jù)線和形成在有源層上的源電極和漏電極、形成在整個基板上的鈍化層、在漏電極位置形成鈍化層過孔以及依次排列的像素電極,該像素電極通過鈍化層過孔與漏極連接。TFT陣列基板的工藝技術(shù)是產(chǎn)品保障的關(guān)鍵技術(shù)之一,在工藝不良的維修中像素結(jié)構(gòu)空間對工藝不良的維修有著至關(guān)重要的作用?,F(xiàn)有技術(shù)中,整個像素空間中可以進行刻蝕的部分組成了該像素空間的維修空間,如圖1所示,刻蝕留下的公共電極層11、數(shù)據(jù)線 12和柵電極13之間的空閑空間14為非維修空間。若A位置發(fā)生故障,先架橋沉積連接故障區(qū)域兩段的數(shù)據(jù)線,確保數(shù)據(jù)線正常使用,然后通過刻除各層故障區(qū)域內(nèi)各層等技術(shù)手段進行維修。該空閑空間14占用了較大的空間,從而導(dǎo)致維修空間不足。

實用新型內(nèi)容本實用新型實施例提供的一種TFT陣列基板、顯示屏及顯示裝置,可以增大維修空間,達到提高維修成功率等效果。本實用新型實施例提供的一種TFT陣列基板,包括基板底層,具有公共電極層、柵電極、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極;鈍化層,覆蓋在所述基板底層上,在所述漏電極的位置處形成鈍化層過孔;位于所述數(shù)據(jù)線和所述鈍化層過孔之間的公共電極層,與所述數(shù)據(jù)線、柵電極構(gòu)成空閑空間;所述空閑空間平行于所述基板底層的截面為四邊形,所述四邊形的寬度滿足所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極層不產(chǎn)生電耦合,且所述公共電極層對應(yīng)在所述四邊形的邊與所述鈍化層過孔的間距滿足刻蝕要求。較佳的,所述空閑空間平行于所述基板底層的截面為正四邊形。較佳的,所述空閑空間中所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極層之間的間距為Ium至2um。較佳的,該TFT陣列基板,還包括像素電極層,形成在所述鈍化層上并通過所述鈍化層過孔與所述漏電極連接。較佳的,所述柵電極下方具有公共電極層。較佳的,所述數(shù)據(jù)線下方具有柵線。本實用新型實施例提供了一種顯示屏,包括彩膜、TFT陣列基板以及位于所述彩膜和TFT陣列基板之間的液晶;
3[0018]所述TFT陣列基板,包括基板底層,具有公共電極層、柵電極、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極;鈍化層,覆蓋在所述基板底層上,在所述漏電極的位置處形成鈍化層過孔;位于所述數(shù)據(jù)線和所述鈍化層過孔之間的公共電極層,與所述數(shù)據(jù)線、柵電極構(gòu)成空閑空間;所述空閑空間平行于所述基板底層的截面為四邊形,所述四邊形的寬度滿足所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極層不產(chǎn)生電耦合,且所述公共電極層對應(yīng)在所述四邊形的邊與所述鈍化層過孔的間距滿足刻蝕要求。較佳的,所述空閑空間中所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極層之間的間距為Ium至2um。較佳的,所述柵電極下方具有公共電極層。本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置,包括所述顯示屏。由于本實用新型實施例提供的TFT陣列基板、顯示屏及顯示裝置,減小公共電極層、數(shù)據(jù)線和柵電極構(gòu)成的空閑空間,而且該空閑空間的空間大小滿足確保數(shù)據(jù)線和公共電極層不產(chǎn)生電耦合。這樣可使得數(shù)據(jù)線和柵線的距離減小,從而增大了鈍化層過孔與數(shù)據(jù)線的距離,即增大了數(shù)據(jù)線和鈍化層過孔之間區(qū)域的公共電極層的面積,增大了進行架橋沉積的實際維修空間。同時,數(shù)據(jù)線和該公共電極層之間也具有一定的間距,防止兩者產(chǎn)生電耦合影響基板的正常使用。公共電極做成四邊形,可以增大公共電極層的電容,使其充電更充分,減少因為充電不夠帶來光學特性的影響,如對比度不達標等不良。此外,由于數(shù)據(jù)線下方具有柵線,也可以在一定程度上增大維修空間。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板的空閑空間結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本實用新型實施例中TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合說明書附圖對本實用新型實施例作進一步詳細描述。如圖2所示,為本實用新型實施例提供的TFT陣列基板,其具體包括基板底層1,具有公共電極層2、柵電極3、數(shù)據(jù)線4、源電極5和漏電極6 ;鈍化層7,覆蓋在基板底層1上,在所述漏電極6的位置處形成鈍化層過孔8 ;位于所述數(shù)據(jù)線4和所述鈍化層過孔8之間的公共電極層2,與所述數(shù)據(jù)線4、柵電極3構(gòu)成空閑空間9 ;所述空閑空間9的空間平行于所述基板底層1的截面為四邊形,所述四邊形的寬度滿足所述數(shù)據(jù)線4和所述公共電極層2不產(chǎn)生電耦合,且所述公共電極層2對應(yīng)在該四邊形的邊與所述鈍化層過孔8的間距滿足刻蝕要求。較佳的,所述空閑空間9平行于所述基板底層的截面為正四邊形。較佳的,所述空閑空間9中所述數(shù)據(jù)線4和所述公共電極層2之間的間距為Ium 至 2um0較佳的,該TFT陣列基板,還包括像素電極層,形成在所述鈍化層7上并通過所述鈍化層過孔8與所述漏電極6連接。較佳的,所述柵電極3下方具有公共電極層2。較佳的,數(shù)據(jù)線4下方具有柵線。下面通過具體實施例對本實用新型提供的TFT陣列基板進行詳細描述。以21. 5 英寸薄膜場效應(yīng)晶體管像素結(jié)構(gòu)為例,如圖1所示,虛線框中公共電極層11與數(shù)據(jù)線12以及柵電極13組成的空閑空間14為不規(guī)則形狀,其橫向?qū)挾仍O(shè)計為7um,然而在實際發(fā)生故障進行維修時,并不會使用到該空閑空間14,導(dǎo)致該處正常維修的空間不足。因此,該空閑空間14設(shè)計存在不合理。如圖2所示,本實用新型提供的TFT陣列基板,減小了不必要的空閑空間,使維修結(jié)構(gòu)更加合理。數(shù)據(jù)線4和鈍化層過孔8之間區(qū)域的公共電極層2,與數(shù)據(jù)線4、柵電極3構(gòu)成該空閑空間9,并且該空閑空間9平行于所述基板底層的截面為四邊形,該四邊形的寬度滿足確保數(shù)據(jù)線4和公共電極層2不產(chǎn)生電耦合,且公共電極層2對應(yīng)在該四邊形的邊與鈍化層過孔8的間距滿足刻蝕要求。這樣,可以通過將該空閑空間9與現(xiàn)有技術(shù)中的空閑空間相比變小,增大了數(shù)據(jù)線4和鈍化層過孔8之間區(qū)域的公共電極層2 的面積,增大了實際維修空間。同時,數(shù)據(jù)線4和該公共電極層2之間也具有一定的間距, 防止兩者產(chǎn)生電耦合,確保基板的正常使用。較佳的,可以將該空閑空間9由原來的不規(guī)則形狀更改為正四邊形,且該正四邊形的區(qū)域大小小于該原不規(guī)則形狀的區(qū)域大小。當然,該空閑空間9可以為任意形狀。但是更改后的空閑空間必須確保其區(qū)域大小小于原不規(guī)則形狀的區(qū)域大小,且數(shù)據(jù)線4和公共電極層2不產(chǎn)生電耦合。較佳的情況,數(shù)據(jù)線4和公共電極層2之間的間距為Ium至2um。該薄膜場效應(yīng)晶體管基板還包括像素電極層,該像素電極層形成在鈍化層上并通過鈍化層過孔與漏電極連接。而且,現(xiàn)有技術(shù)中薄膜場效應(yīng)晶體管基板有較多故障無法進行維修,例如溝道層發(fā)生的故障,為了提高維修效果,可以在刻蝕公共電極層時,在柵電極下方的區(qū)域留有公共電極層,以便發(fā)生故障時,刻除各層直到該留有的部分公共電極層,對此處的公共電極層施加電壓,進行維修。較佳的,還可以在數(shù)據(jù)線下方設(shè)置柵線,該柵線與該數(shù)據(jù)線部分或全部重疊,以便發(fā)生故障時,刻除各層直到該柵線進行維修,相應(yīng)的達到增大維修空間的效果。通過上述描述,可以看出,本實用新型實施例提供的TFT陣列基板,減小公共電極層、數(shù)據(jù)線和柵電極構(gòu)成的空閑空間,而且該空閑空間的空間大小滿足確保數(shù)據(jù)線和公共電極層不產(chǎn)生電耦合。這樣可使得數(shù)據(jù)線和柵線的距離減小,增大了進行架橋沉積的實際維修空間。同時,數(shù)據(jù)線和該公共電極層之間也具有一定的間距,防止兩者產(chǎn)生電耦合影響基板的正常使用。公共電極做成四邊形,可以增大公共電極層的電容,使其充電更充分,減少因為充電不夠帶來光學特性的影響,如對比度不達標等不良。此外,由于柵電極下方具有公共電極層,便于進行維修,在一定程度上節(jié)約了空閑空間。基于同一構(gòu)想,本實用新型還提供了一種顯示屏,包括彩膜、TFT陣列基板以及位于該彩膜和薄膜場效應(yīng)晶體管基板之間的液晶;所述TFT陣列基板,包括基板底層,具有公共電極層、柵電極、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極;鈍化層,覆蓋在所述基板底層上,在所述漏電極的位置處形成鈍化層過孔;位于所述數(shù)據(jù)線和所述鈍化層過孔之間的公共電極層,與所述數(shù)據(jù)線、柵電極構(gòu)成空閑空間;所述空閑空間平行于所述基板底層的截面為四邊形,所述四邊形的寬度滿足所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極層不產(chǎn)生電耦合,且所述公共電極層對應(yīng)在所述四邊形的邊與所述鈍化層過孔的間距滿足刻蝕要求。較佳的,所述空閑空間中所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極層之間的間距為Ium至2um。較佳的,所述柵電極下方具有公共電極層。此外,本實用新型還提供了一種顯示裝置,該顯示裝置包括上述顯示屏。通過上述描述,可以看出,本實用新型實施例提供的TFT陣列基板、顯示屏及顯示裝置,減小公共電極層、數(shù)據(jù)線和柵電極構(gòu)成的空閑空間,而且該空閑空間的空間大小滿足確保數(shù)據(jù)線和公共電極層不產(chǎn)生電耦合。這樣可使得數(shù)據(jù)線和柵線的距離減小,增大了進行架橋沉積的實際維修空間。同時,數(shù)據(jù)線和該公共電極層之間也具有一定的間距,防止兩者產(chǎn)生電耦合影響基板的正常使用。公共電極做成四邊形,可以增大公共電極層的電容,使其充電更充分,減少因為充電不夠帶來光學特性的影響,如對比度不達標等不良。此外,由于柵電極下方具有公共電極層,便于進行維修,在一定程度上節(jié)約了空閑空間。顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣,倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種TFT陣列基板,其特征在于,包括基板底層,具有公共電極層、柵電極、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極;鈍化層,覆蓋在所述基板底層上,在所述漏電極的位置處形成鈍化層過孔;位于所述數(shù)據(jù)線和所述鈍化層過孔之間的公共電極層,與所述數(shù)據(jù)線、柵電極構(gòu)成空閑空間;所述空閑空間平行于所述基板底層的截面為四邊形,所述四邊形的寬度滿足所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極層不產(chǎn)生電耦合,且所述公共電極層對應(yīng)在所述四邊形的邊與所述鈍化層過孔的間距滿足刻蝕要求。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板,其特征在于,所述空閑空間平行于所述基板底層的截面為正四邊形。
3.如權(quán)利要求1或2所述的TFT陣列基板,其特征在于,所述空閑空間中所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極層之間的間距為Ium至2um。
4.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板,其特征在于,還包括像素電極層,形成在所述鈍化層上并通過所述鈍化層過孔與所述漏電極連接。
5.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板,其特征在于,所述柵電極下方具有公共電極層。
6.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板,其特征在于,所述數(shù)據(jù)線下方具有柵線。
7.—種顯示屏,其特征在于,包括彩膜、TFT陣列基板以及位于所述彩膜和TFT陣列基板之間的液晶;所述TFT陣列基板,包括基板底層,具有公共電極層、柵電極、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極;鈍化層,覆蓋在所述基板底層上,在所述漏電極的位置處形成鈍化層過孔;位于所述數(shù)據(jù)線和所述鈍化層過孔之間的公共電極層,與所述數(shù)據(jù)線、柵電極構(gòu)成空閑空間;所述空閑空間平行于所述基板底層的截面為四邊形,所述四邊形的寬度滿足所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極層不產(chǎn)生電耦合,且所述公共電極層對應(yīng)在所述四邊形的邊與所述鈍化層過孔的間距滿足刻蝕要求。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示屏,其特征在于,所述空閑空間中所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極層之間的間距為Ium至2um。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示屏,其特征在于,所述柵電極下方具有公共電極層。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求7-9中任一所述的顯示屏。
專利摘要本實用新型實施例涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及TFT陣列基板、顯示屏及顯示裝置,該TFT陣列基板包括基板底層,具有公共電極層、柵電極、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極;鈍化層,覆蓋在所述基板底層上,在所述漏電極的位置處形成鈍化層過孔;位于所述數(shù)據(jù)線和所述鈍化層過孔之間的公共電極層,與所述數(shù)據(jù)線、柵電極構(gòu)成空閑空間;所述空閑空間平行于所述基板底層的截面為四邊形,所述四邊形的寬度滿足所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極層不產(chǎn)生電耦合,且所述公共電極層對應(yīng)在所述四邊形的邊與所述鈍化層過孔的間距滿足刻蝕要求。本實用新型實施例提供的TFT陣列基板、顯示屏及顯示裝置,可以增大維修空間,達到提高維修成功率等效果。
文檔編號G02F1/1362GK202042484SQ20112017442
公開日2011年11月16日 申請日期2011年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月27日
發(fā)明者劉國全, 魏廣偉 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司
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