專利名稱：薄膜晶體管面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
薄膜晶體管面板
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種液晶顯示器件，特別是涉及一種薄膜晶體管面板，包括基板， 絕緣層，透明導(dǎo)電材料；
背景技術(shù)：
現(xiàn)有薄膜晶體管面板中，兩相鄰的條狀透明導(dǎo)電電極4之間具有間隙，如圖1所示，這造成了部分區(qū)域的液晶接收到的電場(chǎng)不足，液晶不傾斜，如圖2所示，從而在這些間隙區(qū)域的穿透率非常低，如圖3所示，影響了液晶面板的顯示效果。制造這種薄膜晶體管面板需要高解析度曝光能力的機(jī)臺(tái)，對(duì)制程有極大的困難。故，有必要提供一種薄膜晶體管面板及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種薄膜晶體管面板，以解決薄膜晶體管面板中部分區(qū)域的液晶接收的電場(chǎng)不足從而導(dǎo)致穿透率低，顯示效果受限的技術(shù)問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型構(gòu)造了一種薄膜晶體管面板，包括基板，絕緣層，透明導(dǎo)電材料，所述絕緣層背向所述基板的一面上設(shè)有突出物，相鄰兩個(gè)所述突出物的間距的取值范圍為1-ΙΟμπι(微米)；所述透明導(dǎo)電材料設(shè)置在所述絕緣層的所述突出物的頂面和側(cè)面上，或者頂面和底部周圍的平面上，或者頂面、側(cè)面和底部周圍的平面上，所述絕緣層與所述突出物為同一材料及層別。在本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板中，若所述透明電極設(shè)置在所述絕緣層的所述突出物的頂面和底部周圍的平面上，或者頂面、側(cè)面和底部周圍的平面上，兩個(gè)相鄰的所述突出物上的所述透明導(dǎo)電材料相連。在本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板中，所述設(shè)置在所述突出物上的所述透明導(dǎo)電材料是條狀的或者是片狀的。在本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板中，所述突出物的高度的取值范圍為10-100納米。在本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀是規(guī)則的形狀或者不規(guī)則的形狀。上述薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀為矩形。上述薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀為梯形。上述薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀為三角形。上述薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀為平行四邊形。上述薄膜晶體管面板中，所述突出物的截面形狀為半圓形。本實(shí)用新型相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，消除了現(xiàn)有技術(shù)中兩透明導(dǎo)電電極之間液晶不傾斜的盲區(qū)，顯示區(qū)域中的穿透率均勻，增強(qiáng)了顯示效果。[0016]為讓本實(shí)用新型的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管面板的薄膜晶體管與像素區(qū)域的俯視圖；圖2為圖1中A-A，截面的局部視圖；圖3為圖2中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖4為本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板的第一較佳實(shí)施例的俯視圖；圖5為圖4中B-B，截面的局部視圖；圖6為圖5中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖7為本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板的第二較佳實(shí)施例的示意圖；圖8為圖7中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖9為本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板的第三較佳實(shí)施例的俯視圖；圖10為圖9中C-C’截面的局部視圖；圖11為圖10中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖12為本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板的第四較佳實(shí)施例的示意圖；圖13為圖12中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖14為本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板的第五較佳實(shí)施例的示意圖；圖15為圖14中薄膜晶體管面板的穿透率的示意圖；圖16為本實(shí)用新型薄膜晶體管面板的制造方法較佳實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施方式以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本實(shí)用新型可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本實(shí)用新型所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、 「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本實(shí)用新型，而非用以限制本實(shí)用新型。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。參考圖4和圖5，圖4為本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板的第一較佳實(shí)施例的俯視圖，圖5為圖4中B-B’截面的局部視圖。透明導(dǎo)電材料(第一透明導(dǎo)電材料12和第二透明導(dǎo)電材料1 是條狀的。絕緣層5設(shè)置在基板6上，絕緣層5背向基板6的一面上設(shè)有突出物7，突出物7具有頂面8、第一側(cè)面9和第二側(cè)面10。在本實(shí)施例中，突出物7的截面是矩形的，絕緣層5與突出物7為同一材料及層別。突出物7的頂面8上設(shè)有第一透明導(dǎo)電材料12，突出物7的根部所在的平面11設(shè)有第二透明導(dǎo)電材料15。彩色濾光片2設(shè)置在公共電極1之上，液晶層3置于公共電極1和透明材料(第一透明導(dǎo)電材料12和第二透明導(dǎo)電材料1 之間。在本實(shí)施例中，第二透明導(dǎo)電材料15與突出物7的第一側(cè)面9和相鄰的突出物7的第二側(cè)面10相接觸。第一透明導(dǎo)電材料12的厚度和第二透明導(dǎo)電材料15的厚度固定，在這里，厚度固定定義為在第一透明導(dǎo)電材料12和第二透明導(dǎo)電材料15上任意選取兩個(gè)區(qū)域，這兩個(gè)區(qū)域的厚度相差不超過(guò)10%。突出物7的高度H均可在IO-IOOnm(納米)內(nèi)取值。兩個(gè)相鄰的突出物7的間距為D，D的取值范圍為1-10 μ m(微米)。本實(shí)用新型中，由于在絕緣層5上設(shè)置突出物7，并且在突出物7的頂面8和突出物7根部所在的平面11上均設(shè)置透明導(dǎo)電材料(第一透明導(dǎo)電材料12和第二透明導(dǎo)電材料1 ，因此消除了現(xiàn)有技術(shù)中的液晶不傾斜的盲區(qū)，提升了穿透率，如圖6所示，圖6中第一透明導(dǎo)電材料12區(qū)域?qū)?yīng)的穿透率跟第二透明導(dǎo)電材料15區(qū)域?qū)?yīng)的穿透率相差不大，同時(shí)由于兩個(gè)透明導(dǎo)電材料在垂直方向上具有一定的落差，即電場(chǎng)的發(fā)出點(diǎn)錯(cuò)開(kāi)布置，增加了電場(chǎng)對(duì)液晶的作用，提升了穿透率。參考圖7，圖7為本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板的第二較佳實(shí)施例的示意圖。透明導(dǎo)電材料(第一透明導(dǎo)電材料12、第三透明導(dǎo)電材料13和第二透明導(dǎo)電材料15組成的整體)是條狀的，本實(shí)施例的薄膜晶體管面板的俯視圖與圖4類似。絕緣層5設(shè)置在基板 6上，絕緣層5背向基板6的一面上設(shè)有突出物7，突出物7具有頂面8、第一側(cè)面9和第二側(cè)面10，絕緣層5與突出物7為同一材料及層別。在本實(shí)施例中，突出物7的截面是直角梯形。突出物7的頂面8、第二側(cè)面10上分別設(shè)有第一透明導(dǎo)電材料12和第三透明導(dǎo)電材料 13，第三透明導(dǎo)電材料13延伸到突出物7根部所在的平面11，與第二透明導(dǎo)電材料15連接，優(yōu)選地，第一透明導(dǎo)電材料12與第三透明導(dǎo)電材料13相連。彩色濾光片2設(shè)置在公共電極1之上，液晶層3置于公共電極1和透明材料(第一透明導(dǎo)電材料12、第三透明導(dǎo)電材料13和第二透明導(dǎo)電材料15組成的整體)之間。第一透明導(dǎo)電材料12和第三透明導(dǎo)電材料13的厚度固定，在這里，厚度固定定義為在第一透明導(dǎo)電材料12、第三透明導(dǎo)電材料 13和第二透明導(dǎo)電材料15上任意選取兩個(gè)區(qū)域，這兩個(gè)區(qū)域的厚度相差不超過(guò)10%。突出物7的高度H的取值范圍為lO-lOOnm。兩個(gè)相鄰的突出物7的間距為D，D的取值范圍為1-10 μ m。如圖8所示，第三透明導(dǎo)電材料13區(qū)域?qū)?yīng)的穿透率跟第一透明導(dǎo)電材料12 區(qū)域?qū)?yīng)的穿透率相差不大，即消除了現(xiàn)有技術(shù)中兩相鄰的透明導(dǎo)電材料之間的液晶不傾斜的盲區(qū)。參考圖9和圖10，圖9為本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板的第三較佳實(shí)施例的俯視圖，圖10為圖9中C-C’截面的局部視圖。透明導(dǎo)電材料(第一透明導(dǎo)電材料12、第二透明導(dǎo)電材料15、第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14組成的整體)是片狀的。絕緣層5設(shè)置在基板6上，絕緣層5背向基板6的一面上設(shè)有突出物7，突出物7具有頂面8、第一側(cè)面9和第二側(cè)面10，突出物7的截面形狀是等腰梯形，絕緣層5與突出物7為同一材料及層別。第一透明導(dǎo)電材料12設(shè)置在突出物7的頂面8上，第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14分別設(shè)置在第一側(cè)面9和第二側(cè)面10上，第二透明導(dǎo)電材料15設(shè)置在突出物7根部所在的平面11上。彩色濾光片2設(shè)置在公共電極1之上，液晶層3置于公共電極1和透明材料(第一透明導(dǎo)電材料12、第二透明導(dǎo)電材料15、第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14組成的整體)之間。第一透明導(dǎo)電材料12、第二透明導(dǎo)電材料15、第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14的厚度固定，在這里，厚度固定定義為在第一透明導(dǎo)電材料12、第二透明導(dǎo)電材料15、第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14上任意選取兩個(gè)區(qū)域，這兩個(gè)區(qū)域的厚度相互之間相差不超過(guò)10%。突出物7的高度為H，H的取值范圍為lO-lOOnm。兩個(gè)相鄰的突出物7的間距為D，D的取值范圍為1_10 μ m。參考圖 11，穿透率曲線很平坦，消除現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的關(guān)于穿透率的波谷，增強(qiáng)了顯示效果。參考圖12，圖12為本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板的第四較佳實(shí)施例的示意圖。透明導(dǎo)電材料(第一透明導(dǎo)電材料、第二透明導(dǎo)電材料15、第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明
5導(dǎo)電材料14組成的整體)是片狀的，本實(shí)施例的薄膜晶體管面板的俯視圖與圖9類似。絕緣層5設(shè)置在基板6上，絕緣層5背向基板6的一面上設(shè)置有突出物7，突出物7具有頂面 8、第一側(cè)面9和第二側(cè)面10，突出物7的截面形狀是矩形，絕緣層5與突出物7為同一材料及層別。第一透明導(dǎo)電材料12設(shè)置在突出物7的頂面8上，第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14分別設(shè)置在第一側(cè)面13和第二側(cè)面14上，第二透明導(dǎo)電材料15設(shè)置在突出物7根部所在的平面11上。兩個(gè)相鄰的突出物7上的透明導(dǎo)電材料相連。彩色濾光片2設(shè)置在公共電極1之上，液晶層3置于公共電極1和透明材料(第一透明導(dǎo)電材料 12、第二透明導(dǎo)電材料15、第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14組成的整體)之間。第一透明導(dǎo)電材料12、第二透明導(dǎo)電材料15、第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14的厚度固定，在這里，厚度固定定義為在第一透明導(dǎo)電材料12、第二透明導(dǎo)電材料15、 第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14上任意選取兩個(gè)區(qū)域，這兩個(gè)區(qū)域的厚度相互之間相差不超過(guò)10%。突出物7的高度為H，H的取值范圍為lO-lOOnm。兩個(gè)相鄰的突出物7的間距為D，D的取值范圍為1-10 μ m。圖13，穿透率曲線很平坦，消除現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的關(guān)于穿透率的波谷，增強(qiáng)了顯示效果。參考圖14，圖14為本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板的第五較佳實(shí)施例的示意圖。透明導(dǎo)電材料(第一透明導(dǎo)電材料12、第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14組成的整體)是片狀的，本實(shí)施例的薄膜晶體管面板的俯視圖與圖9類似。絕緣層5設(shè)置在基板6 上，絕緣層5背向基板6的一面上設(shè)有突出物7，突出物7具有頂面8、第一側(cè)面9和第二側(cè)面10，突出物7為非規(guī)則形狀，突出物7的第一側(cè)面9和第二側(cè)10面均是曲面，特別地，在本實(shí)施例中，突出物7的第一側(cè)面9和第二側(cè)面10均是四分之一圓弧曲面，絕緣層5與突出物7為同一材料及層別。第一透明導(dǎo)電材料12設(shè)置在突出物7的頂面8上，第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14分別設(shè)置在第一側(cè)面13和第二側(cè)面14上，相鄰兩個(gè)突出物7的相對(duì)的側(cè)面上的透明導(dǎo)電材料相連。彩色濾光片2設(shè)置在公共電極1之上，液晶層3置于公共電極1和透明材料(第一透明導(dǎo)電材料12、第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14組成的整體)之間。第一透明導(dǎo)電材料12、第三透明導(dǎo)電材料13和第四透明導(dǎo)電材料14的厚度固定，在這里，厚度固定定義為在透明材料上任意選取兩個(gè)區(qū)域，這兩個(gè)區(qū)域的厚度相互之間相差不超過(guò)10%。突出物7的高度為H，H的取值范圍為lO-lOOnm。 兩個(gè)相鄰的突出物7的間距為D，D的取值范圍為1-10 μ m。圖15，穿透率曲線很平坦，消除現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的關(guān)于穿透率的波谷，增強(qiáng)了顯示效果。在本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板中，突出物7的截面形狀除了可以是上述形狀外，還可以是三角形、平行四邊形、半圓形等規(guī)則形狀，還可以是其它不規(guī)則的形狀。參考圖16，圖16為本實(shí)用新型的薄膜晶體管面板的制造方法的較佳實(shí)施例流程圖。在步驟1601，在基板6背向光源的一面上設(shè)置絕緣層5。在步驟1602，對(duì)所述絕緣層 5背向基板6的一面進(jìn)行蝕刻以形成突出物7，兩個(gè)相鄰的所述突出物7的間距的取值范圍為1-10μπι。在步驟1603，去除絕緣層5上蝕刻后產(chǎn)生的殘留物。在步驟1604，在絕緣層5進(jìn)行了蝕刻的一面上設(shè)置透明導(dǎo)電材料，具體地，可以使用磁控濺射或者沉積的方式在絕緣層進(jìn)行了蝕刻的一面上設(shè)置厚度固定的透明導(dǎo)電材料在這里，厚度固定是指任意選取透明導(dǎo)電材料的兩個(gè)區(qū)域，這兩個(gè)區(qū)域的厚度相差不超過(guò)10% ；另外，還可以使用沉積的方式在絕緣層進(jìn)行了蝕刻的一面上沉積厚度不固定的透明導(dǎo)電材料，在這里，厚度不固定是指在兩個(gè)相鄰的突出物之間(包括突出物7的第一側(cè)面9、第二側(cè)面10和突出物7根部所在的平面11)的透明導(dǎo)電材料的厚度與在突出物7頂面8的透明導(dǎo)電材料的厚度相差超過(guò)10%，特別地，如果前者大于后者，那么在相鄰兩個(gè)突出物7之間的透明導(dǎo)電材料的表面上進(jìn)行蝕刻，使蝕刻后的透明導(dǎo)電材料厚度固定，在這里，厚度固定是指任意選取透明導(dǎo)電材料的兩個(gè)區(qū)域，這兩個(gè)區(qū)域的厚度相差不超過(guò)10%，蝕刻后，去除透明導(dǎo)電材料上的殘留物，如果前者小于后者，那么在突出物7頂面8的透明導(dǎo)電材料的表面上進(jìn)行蝕刻，使蝕刻后的透明導(dǎo)電材料厚度固定，在這里，厚度固定是指任意選取透明導(dǎo)電材料的兩個(gè)區(qū)域，這兩個(gè)區(qū)域的厚度相差不超過(guò)10%，蝕刻后，去除透明導(dǎo)電材料上的殘留物。 綜上所述，雖然本實(shí)用新型已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本實(shí)用新型，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種薄膜晶體管面板，包括基板，絕緣層，透明導(dǎo)電材料，其特征在于所述絕緣層背向所述基板的一面上設(shè)有突出物，相鄰兩個(gè)所述突出物的間距的取值范圍為1-10微米；所述透明導(dǎo)電材料設(shè)置在所述絕緣層的所述突出物的頂面和側(cè)面上，或者頂面和底部周圍的平面上，或者頂面、側(cè)面和底部周圍的平面上，所述絕緣層與所述突出物為同一材料及層別。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，若所述透明電極設(shè)置在所述絕緣層的所述突出物的頂面和底部周圍的平面上，或者頂面、側(cè)面和底部周圍的平面上，兩個(gè)相鄰的所述突出物上的所述透明導(dǎo)電材料相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，設(shè)置在所述突出物上的所述透明導(dǎo)電材料是條狀的或者是片狀的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的高度的取值范圍為10-100納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀是規(guī)則的形狀或者不規(guī)則的形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀為矩形。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀為梯形。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀為三角形。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀為平行四邊形。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述突出物的截面形狀為半圓形。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種薄膜晶體管面板，包括基板，絕緣層，透明導(dǎo)電材料，所述絕緣層背向所述基板的一面上設(shè)有突出物，相鄰兩個(gè)所述突出物的間距的取值范圍為1-10μm；所述透明導(dǎo)電材料設(shè)置在所述絕緣層的所述突出物的頂面和側(cè)面上，或者頂面和底部周圍的平面上，或者頂面、側(cè)面和底部周圍的平面上。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK202183001SQ20112020634
公開(kāi)日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月19日
發(fā)明者賀成明, 邱鐘毅 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司