專利名稱：引線結(jié)構(gòu)、液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)和液晶顯示屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種引線結(jié)構(gòu)、液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)和液晶顯示屏，尤其涉及一種可有效避免鉆刻的引線結(jié)構(gòu)、液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)和擁有該引線區(qū)結(jié)構(gòu)的液晶顯示屏。
背景技術(shù)：
液晶顯示屏因其重量輕，厚度薄和功耗低等特點，被廣泛的應(yīng)用于電子產(chǎn)品中。與液晶顯示屏顯示區(qū)相連接，還設(shè)置有引線區(qū)。在引線區(qū)的玻璃基板上設(shè)置有柵極層，柵極絕緣結(jié)構(gòu)，源極絕緣層和像素電極；源極絕緣層形成后，需要對其進行刻蝕，以形成過孔；刻蝕后，沉積像素電極；該像素電極與下層的柵極層連接，使顯示信號可以通過柵極傳輸?shù)斤@示區(qū)的薄膜晶體管上。在上述過程中，如圖1所示，通過在刻蝕設(shè)備的腔體內(nèi)吹入刻蝕氣體對引線區(qū)進行刻蝕，在柵極絕緣層3底部，刻蝕氣體沿柵極層5平行方向?qū)艠O絕緣層3進行刻蝕。為提高刻蝕的均勻性，需要增加刻蝕時間，此時則會在柵極絕緣層3底部的過孔6中造成鉆刻的情況，使柵極絕緣層3的底部坡度角增大。在像素電極沉積的過程中，像素電極沉積到過孔中，因所沉積的像素電極較薄，則在過孔處6像素電極1斷裂，使像素電極1上的顯示信號無法加載到柵極層5上，則顯示信號無法傳輸?shù)斤@示區(qū)的薄膜晶體管上，造成液晶顯示器的線性不良，從而降低了液晶顯示屏的良品率。

實用新型內(nèi)容本實用新型的實施例提供了一種可有效避免鉆刻的引線結(jié)構(gòu)、液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)和擁有該引線區(qū)結(jié)構(gòu)的液晶顯示屏。為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案一種引線結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板；在該玻璃基板上設(shè)置有引線電極；在該引線電極上設(shè)置有絕緣結(jié)構(gòu)；在所述引線電極上方的絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有過孔；在該過孔中和絕緣結(jié)構(gòu)表面設(shè)置有連接電極，該連接電極緊密覆蓋過孔中所露出的引線電極；所述絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置有至少三層絕緣層，且最下層的絕緣層的致密性最大。—種液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板；在該玻璃基板上設(shè)置有柵極層；在該柵極層上設(shè)置有柵極絕緣結(jié)構(gòu)；在該柵極絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有源極絕緣層；在所述柵極層上方的源極絕緣層和柵極絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有過孔；在該過孔中和源極絕緣層表面設(shè)置有像素電極，該像素電極緊密覆蓋過孔中所露出的柵極層；所述柵極絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置有至少三層?xùn)艠O絕緣層，且最下層的柵極絕緣層的致密性最大。一種液晶顯示屏，包括引線區(qū)；該引線區(qū)，包括玻璃基板；在該玻璃基板上設(shè)置有柵極層；在該柵極層上設(shè)置有柵極絕緣結(jié)構(gòu)；在該柵極絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有源極絕緣層；在所述柵極層上方的源極絕緣層和柵極絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有過孔；在該過孔中和源極絕緣層表面設(shè)置有像素電極，該像素電極緊密覆蓋過孔中所露出的柵極層；所述柵極絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置有至少三層?xùn)艠O絕緣層，且最下層的柵極絕緣層的致密性最大。本實用新型實施例提供的一種引線結(jié)構(gòu)、液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)和液晶顯示屏， 通過在引線電極上沉積至少三層絕緣層，且最下方的絕緣層的致密性最大，即下層的絕緣層難以刻蝕，在增加刻蝕時間保證刻蝕均勻性和過孔坡度角平滑的情況下，避免最下層的引線絕緣層鉆刻的發(fā)生，提高了引線結(jié)構(gòu)和使用該種引線結(jié)構(gòu)的液晶顯示屏生產(chǎn)的良品率。

圖1為背景技術(shù)中一種液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)鉆刻示意圖；圖2為本實用新型一種引線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3為本實用新型一種液晶顯示屏引線區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型實施例一種引線結(jié)構(gòu)、液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)和液晶顯示屏進行詳細描述。一種引線結(jié)構(gòu)，如圖2所示，包括玻璃基板4 ；在該玻璃基板4上設(shè)置有引線電極 5 ；在該引線電極5上設(shè)置有絕緣結(jié)構(gòu)3 ；在所述引線電極5上方的絕緣結(jié)構(gòu)3上設(shè)置有過孔6 ；在該過孔6中和絕緣結(jié)構(gòu)3表面設(shè)置有連接電極1，該連接電極1緊密覆蓋過孔6中所露出的引線電極5;所述絕緣結(jié)構(gòu)3設(shè)置有至少三層絕緣層，且最下層的絕緣層的致密性最大。根據(jù)刻蝕的需要，可設(shè)置多層絕緣層結(jié)構(gòu)3，所述絕緣結(jié)構(gòu)3的整體厚度為固定值。在成膜的過程中，首先將玻璃基板4移動到第一噴濺設(shè)備的腔體中，斜置于腔體， 在該腔體另一側(cè)，設(shè)置有靶材，通過該靶材形成引線電極5，所述引線電極5的材料為鋁、 鎢、鉻、鉭或鉬中的一種。向腔體中通入惰性氣體，例如氬氣。此時，在腔體中玻璃基板4和靶材外側(cè)加載高電壓，使腔體中形成電場，并在玻璃基板4外側(cè)加載磁場。在腔體中所加載的高電壓作用下，氬氣形成等離子體，并在電場的作用下使氬氣的等離子體轟擊靶材，將靶材轟擊出靶材原子，并在磁場的作用下沉積于玻璃基板4上，形成引線電極5。將沉積引線電極5的玻璃基板4取出，并在該引線電極5上噴灑光刻膠；將玻璃基板4置入曝光設(shè)備中，進行曝光；曝光后，將該玻璃基板4放入顯影液中進行顯影，此時曝光部分的光刻膠在顯影液的作用下溶解，在玻璃基板4上剩下光刻膠未曝光的部分。將玻璃基板4從顯影液中取出，放置于濕法刻蝕設(shè)備中，對引線電極5進行刻蝕。 刻蝕完成后將玻璃基板4放入剝離液中，將殘留的光刻膠剝離。為形成絕緣結(jié)構(gòu)3，所述絕緣結(jié)構(gòu)3的材料為氮化硅，在完成光刻膠的剝離后，將玻璃基板4放入第二噴濺設(shè)備的腔體中，此時玻璃基板4放置于腔體下部；將反應(yīng)氣體通入腔體中，如SiH3或SiH4氣體和NH3氣體的混合氣體，當腔體中的壓強達到一定值時，在玻璃基板4下側(cè)和腔體上部加載電壓；在腔體內(nèi)的兩極管上加載高頻電壓，使反應(yīng)氣體進行輝光放電，產(chǎn)生反應(yīng)氣體的等離子體，在電場的作用下沉積在玻璃基板4和引線電極5上，并排除反應(yīng)后的氣體。在第二噴濺設(shè)備的腔體內(nèi)，為形成至少三層絕緣層，會進行三次沉積，三次沉積中，兩極管上所加的電壓各不相同，從而使反應(yīng)氣體的放電功率不同，即最下層的第一絕緣層32沉積時，兩極管上加載的電壓最低，氣體放電功率最小，沉積緩慢進行，使第一絕緣層32的致密性最大；在沉積中間的第二絕緣層31時，兩極管上所加載的電壓高于沉積第一絕緣層32的電壓，氣體放電功率增大，沉積速度加快，使第二絕緣層31的致密性低于第一絕緣層32 ；在沉積最上層的第三絕緣層30時，兩極管上所加載的電壓高于沉積第二絕緣層31的電壓，氣體放電功率再次增大，沉積速度再次加快，使第三絕緣層30的致密性低于第二絕緣層31。此時，絕緣結(jié)構(gòu)3上噴灑光刻膠7，并在曝光機中對光刻膠7進行曝光處理，在顯影液中將光刻膠7的曝光部分溶解。為形成過孔6將玻璃基板4及上方結(jié)構(gòu)放入刻蝕設(shè)備內(nèi)，向該設(shè)備中通入刻蝕氣體，對絕緣結(jié)構(gòu)3進行刻蝕。其中當刻蝕到絕緣結(jié)構(gòu)3后，最上層的絕緣層30的致密性較低，刻蝕較容易，而最下層的絕緣層32的致密性較高，較難刻蝕，為使引線電極5完成露出， 提高刻蝕的均勻性，會增加刻蝕時間。因為絕緣結(jié)構(gòu)3設(shè)置有多層絕緣層，且最下層絕緣層的致密性最大，即在對絕緣結(jié)構(gòu)3進行刻蝕時，上層的第三絕緣層30和第二絕緣層31較容易刻蝕，下方的絕緣層較難刻蝕，避免了所有絕緣層的致密性都比較高，從而提高了刻蝕的效率；另一方面，與引線電極5相接觸的第一絕緣層32的致密性較大，在保證刻蝕的均勻性的前提下增加刻蝕時間時，避免因鉆刻而使第一絕緣層32底部的坡度角過大，從而避免在沉積連接電極5時因絕緣層的坡度角過大而使連接電極5斷裂。過孔6形成后，將絕緣結(jié)構(gòu)3上的光刻膠剝離，并沉積連接電極1，完成引線結(jié)構(gòu)的形成。所述連接電極1的材料為銦錫氧化物。與所述一種引線結(jié)構(gòu)相對應(yīng)，本實用新型還提供了一種液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)。一種液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)，如圖3所示，包括玻璃基板4 ；在該玻璃基板4上設(shè)置有柵極層10 ；在該柵極層10上設(shè)置有柵極絕緣結(jié)構(gòu)9 ；在該柵極絕緣結(jié)構(gòu)9上設(shè)置有源極絕緣層8 ；在所述柵極層5上方的源極絕緣層8和柵極絕緣結(jié)構(gòu)3上設(shè)置有過孔6 ；在該過孔6中和源極絕緣層8表面設(shè)置有像素電極7，該像素電極7緊密覆蓋過孔6中所露出的柵極層5 ；所述柵極絕緣結(jié)構(gòu)3設(shè)置有至少三層?xùn)艠O絕緣層，且最下層的柵極絕緣層的致密性最大。所述柵極層10與如圖1所示的引線結(jié)構(gòu)中的引線電極5作用相同；所述柵極絕緣結(jié)構(gòu)9與如圖1所示的引線結(jié)構(gòu)中的絕緣結(jié)構(gòu)3作用相同；所述像素電極7與如圖1所示的引線結(jié)構(gòu)中的連接電極1作用相同。所述源極絕緣層8的材料為氮化硅，該源極絕緣層8的致密度小于柵極絕緣層的致密度。在玻璃基板上已沉積柵極層10和柵極絕緣結(jié)構(gòu)9后，將在所述包含三層?xùn)艠O絕緣層的柵極絕緣結(jié)構(gòu)9上方，沉積源極絕緣層8 ；在該源極絕緣層8沉積完成后，對源極絕緣層8和柵極絕緣結(jié)構(gòu)9進行刻蝕，形成過孔6 ；將像素電極7沉積于源極絕緣層8表面和過孔6中，并使像素電極7緊密覆蓋過孔6以及過孔6中的柵極層10上。與上述一種液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)相對應(yīng)，本實用新型還提供了一種液晶顯示屏。[0032]一種液晶顯示屏，包括引線區(qū)；該引線區(qū)，包括玻璃基板；在該玻璃基板上設(shè)置有柵極層；在該柵極層上設(shè)置有柵極絕緣結(jié)構(gòu)；在該柵極絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有源極絕緣層；在所述柵極層上方的源極絕緣層和柵極絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有過孔；在該過孔中和源極絕緣層表面設(shè)置有像素電極，該像素電極緊密覆蓋過孔中所露出的柵極層；所述柵極絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置有至少三層?xùn)艠O絕緣層，且最下層的柵極絕緣層的致密性最大。本實用新型實施例提供的一種引線結(jié)構(gòu)、液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)和液晶顯示屏， 通過在引線電極上沉積至少三層絕緣層，且最下方的絕緣層的致密性最大，即下層的絕緣層難以刻蝕，在增加刻蝕時間保證刻蝕均勻性和過孔坡度角平滑的情況下，避免最下層的引線絕緣層鉆刻的發(fā)生，提高了引線結(jié)構(gòu)和使用該種引線結(jié)構(gòu)的液晶顯示屏生產(chǎn)的良品率。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求1.一種引線結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板；在該玻璃基板上設(shè)置有引線電極；在該引線電極上設(shè)置有絕緣結(jié)構(gòu)；在所述引線電極上方的絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有過孔；在該過孔中和絕緣結(jié)構(gòu)表面設(shè)置有連接電極，該連接電極緊密覆蓋過孔中所露出的引線電極，其特征在于，所述絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置有至少三層絕緣層，且最下層的絕緣層的致密性最大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣結(jié)構(gòu)的整體厚度為固定值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引線電極的材料為鋁、鎢、鉻、鉭或鉬中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣結(jié)構(gòu)的材料為氮化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接電極的材料為銦錫氧化物。
6.一種液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板；在該玻璃基板上設(shè)置有柵極層；在該柵極層上設(shè)置有柵極絕緣結(jié)構(gòu)；在該柵極絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有源極絕緣層；在所述柵極層上方的源極絕緣層和柵極絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有過孔；在該過孔中和源極絕緣層表面設(shè)置有像素電極，該像素電極緊密覆蓋過孔中所露出的柵極層，其特征在于，所述柵極絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置有至少三層?xùn)艠O絕緣層，且最下層的柵極絕緣層的致密性最大。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源極絕緣層的材料為氮化硅。
8.一種液晶顯示屏，包括引線區(qū)；該引線區(qū)，包括玻璃基板；在該玻璃基板上設(shè)置有柵極層；在該柵極層上設(shè)置有柵極絕緣結(jié)構(gòu)；在該柵極絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有源極絕緣層；在所述柵極層上方的源極絕緣層和柵極絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有過孔；在該過孔中和源極絕緣層表面設(shè)置有像素電極，該像素電極緊密覆蓋過孔中所露出的柵極層，其特征在于，所述柵極絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置有至少三層?xùn)艠O絕緣層，且最下層的柵極絕緣層的致密性最大。
專利摘要本實用新型公開了一種引線結(jié)構(gòu)、液晶顯示屏引線區(qū)結(jié)構(gòu)和液晶顯示屏，為解決現(xiàn)有技術(shù)中，在刻蝕形成過孔的過程中，因鉆刻而造成柵極絕緣層的底部坡度角過大，使柵極層上的像素電極斷裂，從而無法將顯示信號加載到顯示區(qū)上，降低了液晶顯示屏的良品率的問題而設(shè)計。一種引線結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板；在該玻璃基板上設(shè)置有引線電極；在該引線電極上設(shè)置有絕緣結(jié)構(gòu)；在所述引線電極上方的絕緣結(jié)構(gòu)上設(shè)置有過孔；在該過孔中和絕緣結(jié)構(gòu)表面設(shè)置有連接電極，該連接電極緊密覆蓋過孔中所露出的引線電極；所述絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置有至少三層絕緣層，且最下層的絕緣層的致密性最大。
文檔編號G02F1/1345GK202189209SQ20112033159
公開日2012年4月11日 申請日期2011年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月5日
發(fā)明者李淳東, 李炳天, 蔣冬華 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司