專利名稱：一種接觸式掩膜版的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體光刻工藝設(shè)備，尤其涉及一種具有較長使用壽命、耐磨損的接觸式掩膜版器件。
背景技術(shù)：
在目前半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過程中，有一部分光刻工藝使用的是接觸式曝光法，此種曝光方式需要掩膜版和硅片直接接觸。如圖1和圖2所示，在正常工作時，需要將硅片2放置在掩膜版1之上，通過移動硅片2來對準(zhǔn)。只有當(dāng)對準(zhǔn)完成后方可進(jìn)行曝光。但在對準(zhǔn)過程中，硅片表面很容易導(dǎo)致掩膜版被劃傷損壞，在重復(fù)利用少數(shù)幾次后便需要更換掩膜版， 這樣造成曝光光刻成本升高，同時由于無法及時檢查出劃傷，也會進(jìn)一步影響產(chǎn)品的質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提出一種接觸式掩膜版，解決接觸式曝光對掩膜版的損傷從而導(dǎo)致成本增加以及對產(chǎn)品質(zhì)量的影響問題。本實(shí)用新型的上述目的，其實(shí)現(xiàn)方式是一種接觸式掩膜版，在對硅片進(jìn)行曝光法光刻工藝中與硅片相對接，其特征在于所述掩膜版與硅片相對的一面設(shè)有透光性的硬膜涂層。實(shí)施本實(shí)用新型的技術(shù)方案，其優(yōu)點(diǎn)在于相對使用普通掩膜版可以有效延長掩膜版使用壽命十倍以上，且成本增加少于三分之一。

圖1是俯視情況下硅片與掩膜版的疊合示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)采用普通掩膜版進(jìn)行曝光工藝的側(cè)視示意圖；圖3是采用本實(shí)用新型接觸式掩膜版進(jìn)行曝光工藝的側(cè)視示意圖。
具體實(shí)施方式
以下便結(jié)合實(shí)施例附圖，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳述，以使本實(shí)用新型技術(shù)方案更易于理解、掌握。本實(shí)用新型為了解決接觸式曝光時硅片對掩膜版的損傷從而導(dǎo)致成本增加以及對產(chǎn)品曝光質(zhì)量的影響問題，通過對已經(jīng)制成的掩膜版貼上一層PET為原材的保護(hù)膜或者氣相沉積一層金剛石(Diamond coating)的方式，鍍上一層透光性以及硬度極高的保護(hù)膜， 從而延長掩膜版壽命。為達(dá)到上述目的及效果，具體來看如圖3所示，本實(shí)用新型技術(shù)方案為在普通掩膜版1上與硅片2相對的一面設(shè)置透光性的硬膜涂層3。該硬膜涂層需要滿足兩個性能要求，其一即為其透光性應(yīng)滿足不影響曝光光刻效果，其二即為其硬質(zhì)強(qiáng)度需滿足相對硅片粗糙表面的耐磨性，不容易被硅片劃傷。通過以上技術(shù)改進(jìn)，掩膜版很好地得到了硬膜涂層的保護(hù)，相對使用普通掩膜版可以有效延長其使用壽命十倍以上，且成本增加少于三分之一。
權(quán)利要求1. 一種接觸式掩膜版，在對硅片進(jìn)行曝光法光刻工藝中與硅片相對接，其特征在于 所述掩膜版與硅片相對的一面設(shè)有透光性的硬膜涂層。
專利摘要本實(shí)用新型揭示了一種接觸式掩膜版，在對硅片進(jìn)行曝光法光刻工藝中與硅片相對接，其特別之處為該掩膜版與硅片相對的一面設(shè)有透光性的硬膜涂層。該硬膜涂層的厚度沒有特定限制，僅作透光性及耐磨損性兩方面要求。實(shí)施本實(shí)用新型的技術(shù)方案，其優(yōu)點(diǎn)在于相對使用普通掩膜版可以有效延長掩膜版使用壽命十倍以上，且成本增加少于三分之一。
文檔編號G03F1/48GK202230297SQ20112034132
公開日2012年5月23日 申請日期2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月13日
發(fā)明者劉勇, 劉明, 南京, 羅強(qiáng) 申請人:康可電子(無錫)有限公司