專利名稱：一種靜電保護(hù)電路、陣列基板和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示屏的制備工藝領(lǐng)域，特別涉及一種靜電保護(hù)電路、陣列基板和液晶顯示器。
背景技術(shù)：
在TFT-IXD (薄膜晶體管液晶顯示器)制造行業(yè)，靜電問題直接影響生產(chǎn)的液晶顯示面板的良品率。由于靜電產(chǎn)生的方式多種多樣，所以在TFT-IXD制造顯示面板的過程中，很多工藝過程會(huì)產(chǎn)生高電壓靜電荷。例如在進(jìn)行摩擦工藝時(shí)，摩擦布和顯示面板之間發(fā)生的摩擦?xí)a(chǎn)生高壓靜電。由于高壓靜電電荷很可能擊穿控制像素驅(qū)動(dòng)的薄膜晶體管，導(dǎo)致像素驅(qū)動(dòng)失敗，使得液晶顯示面板的品質(zhì)低劣，所以就要求在TFT-IXD制造顯示面板的過程中，及時(shí)有效地將高壓靜電釋放或均衡。在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過程中，設(shè)計(jì)人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在以下問題現(xiàn)有的靜電保護(hù)電路，通常設(shè)計(jì)在Gate Line與Gate Line之間，Date Line與Date Line之間，或者(iate (Date)Line與Common之間，無(wú)法在更多的線路之間提供保護(hù)，例如既能在Gate (Date) Line之間進(jìn)行靜電放電保護(hù)，又能在(kite (Data) Line與Common Line之間進(jìn)行的靜電放電保護(hù)，保護(hù)功能較弱。由此可見現(xiàn)有技術(shù)中存在靜電保護(hù)電路保護(hù)功能較弱的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的，靜電保護(hù)電路保護(hù)功能較弱的問題，提供一種靜電保護(hù)電路、陣列基板和液晶顯示器。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種靜電保護(hù)電路，包括至少兩個(gè)分支靜電保護(hù)電路，各分支靜電保護(hù)電路分別包括兩個(gè)連接端子，兩個(gè)連接端子分別用于接收靜電信號(hào)和輸出靜電信號(hào)，各分支靜電保護(hù)電路中的一個(gè)連接端子相互連接，另一個(gè)連接端子相互斷接。進(jìn)一步，分支靜電保護(hù)電路包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的柵極和漏極短接，第二薄膜晶體管的柵極和漏極短接，第一薄膜晶體管的漏極與第二薄膜晶體管的源極連接，第二薄膜晶體管的漏極與第一薄膜晶體管的源極連接。進(jìn)一步，分支靜電保護(hù)電路包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的柵極和漏極短接，第一薄膜晶體管的源極、第二薄膜晶體管的源極和第三薄膜晶體管的柵極短接，第二薄膜晶體管的柵極和漏極短接，第三薄膜晶體管的源極和漏極分別連接，第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極。進(jìn)一步，各分支靜電保護(hù)電路第一薄膜晶體管的柵極和漏極的短接點(diǎn)，作為連接端子相互連接，各分支靜電保護(hù)電路第二薄膜晶體管的柵極和漏極的短接點(diǎn)，作為連接端子相互斷接。進(jìn)一步，分支靜電保護(hù)電路的數(shù)量為兩個(gè)。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種陣列基板，陣列基板上設(shè)置有如前述的靜電保護(hù)電[0012]進(jìn)一步，其中的一個(gè)分支靜電保護(hù)電路的兩個(gè)連接端子分別連接第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，另一個(gè)分支靜電保護(hù)電路的兩個(gè)連接端子分別連接第一數(shù)據(jù)線和一條公共線，其中相互連接在一起的連接端子連接第一數(shù)據(jù)線。進(jìn)一步，其中的一個(gè)分支靜電保護(hù)電路的兩個(gè)連接端子分別連接第一柵極線和第二柵極線，另一個(gè)分支靜電保護(hù)電路的兩個(gè)連接端子分別連接第一柵極線和一條公共線，其中相互連接在一起的連接端子連接第一柵極線。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種液晶顯示器，液晶顯示器上設(shè)置有如前述的陣列基板。由于各分支靜電保護(hù)電路中的一個(gè)連接端子相互連接，另一個(gè)連接端子相互斷接，基于此能在更多的線路之間通過保護(hù)，保護(hù)功能得到增強(qiáng)。

圖1表示本實(shí)用新型第一實(shí)施例的靜電保護(hù)電路圖；圖2表示本實(shí)用新型第二實(shí)施例的靜電保護(hù)電路圖；圖3表示本實(shí)用新型第三實(shí)施例的靜電保護(hù)電路圖；圖4表示本實(shí)用新型第二實(shí)施例的靜電保護(hù)電路在一條柵線積累過多的靜電電荷形成高電壓時(shí)的放電示意圖；圖5表示本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的靜電保護(hù)電路在另一條柵線積累過多的靜電電荷形成高電壓時(shí)的放電示意圖；圖6表示本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的靜電保護(hù)電路在公共線積累過多的靜電電荷形成高電壓時(shí)的放電示意圖；圖7表示本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的靜電保護(hù)電路在多條柵線中的一條積累過多的靜電電荷形成高電壓時(shí)的放電示意圖；圖8表示本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的靜電保護(hù)電路在TFT 1和/或TFT 2損壞時(shí)的放電示意圖；圖9表示本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的靜電保護(hù)電路當(dāng)TFT 3損壞時(shí)的放電示意圖；圖10表示本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的靜電保護(hù)電路當(dāng)TFT 4損壞時(shí)的放電示意圖；圖11表示本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的靜電保護(hù)電路當(dāng)TFT 3和TFT 4損壞時(shí)的放電示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說明，為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的靜電保護(hù)電路保護(hù)功能較弱的問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種靜電保護(hù)電路、陣列基板和液晶顯不器。本實(shí)用新型第一實(shí)施例提供的靜電保護(hù)電路，如圖1所示，包括至少兩個(gè)分支靜電保護(hù)電路，分別是第一分支靜電保護(hù)電路10和第二分支靜電保護(hù)電路20，第一分支靜電保護(hù)電路包括兩個(gè)連接端子11、12，第二分支靜電保護(hù)電路包括兩個(gè)連接端子21、22，各分支靜電保護(hù)電路的兩個(gè)連接端子分別用于接收靜電信號(hào)和輸出靜電信號(hào)，連接端子11和連接端子21相互連接，連接端子12和連接端子22相互斷接。本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供的靜電保護(hù)電路如圖2所示，第一分支靜電保護(hù)電路10包括薄膜晶體管TFT 1(為了描述方便，后續(xù)文檔中薄膜晶體管用TFT加阿拉伯?dāng)?shù)字標(biāo)識(shí)表示)和TFT 2，TFT 1的柵極和漏極短接，TFT 2的柵極和漏極短接，TFT 1的漏極與TFT2的源極連接，TFT 2的漏極與TFT 1的源極連接。第二分支靜電保護(hù)電路20包括TFT 3和TFT 4，TFT 3的柵極和漏極短接，TFT 4的柵極和漏極短接，TFT 3的漏極與TFT 4的源極連接，TFT4的漏極與TFT 3的源極連接。TFT UTFT 3的柵極和漏極短接點(diǎn)作為連接端子相互連接，TFT 2、TFT 4的柵極和漏極短接點(diǎn)作為連接端子相互斷接。本實(shí)用新型第三實(shí)施例提供的靜電保護(hù)電路如圖3所示，分支靜電保護(hù)電路還可以是，包括三個(gè)TFT，TFT 5的柵極和漏極短接，TFT 6的柵極和漏極短接，TFT 5的源極、TFT 6的源極和TFT 7的柵極短接，TFT 6的柵極和漏極短接，TFT 7的源極和漏極分別連接，TFT 5的柵極和TFT 6的柵極。本實(shí)施例中可以采用圖3中的分支靜電保護(hù)電路代替圖2中的第一分支靜電保護(hù)電路10和/或第二分支靜電保護(hù)電路20。本實(shí)用新型第四實(shí)施例還提供一種陣列基板，陣列基板上設(shè)置有如前述的靜電保護(hù)電路，下面以第一分支靜電保護(hù)電路10兩個(gè)連接點(diǎn)分別連接兩條柵線fete Line 30、40，第二分支靜電保護(hù)電路20兩個(gè)連接點(diǎn)分別連接前述的一條柵線fete Line 30和一條公共線Common Line 50。當(dāng)然前述的柵線也可以換成數(shù)據(jù)線Data Line。以下均以(iate Line舉例，相同的方法適用于Data Line，分支靜電保護(hù)電路采用圖2中的電路。如圖4所示，當(dāng)(kite Line 30積累過多的靜電電荷形成高電壓時(shí)，TFT 1和TFT 3打開，將電荷分別傳導(dǎo)至Gate Line 40和Common Line 50中。如圖5所示，當(dāng)(kite Line 40積累過多的靜電電荷形成高電壓時(shí)，TFT 2和TFT 3依次打開，將電荷分別傳導(dǎo)至Gate Line 30和Common Line 50。如圖6所示，當(dāng)Common Line 50積累過多電荷形成高壓時(shí)，TFT 4打開，將電荷傳導(dǎo)至(kite Line 30，然后TFT 1打開，再將電荷傳導(dǎo)至(kite Line 40中，更有效的實(shí)現(xiàn)放電效果。如圖7所示，由于(kite Line的周期性，即有多條(kite Line，每條(kite Line31同時(shí)充當(dāng)(kite Line 30和(kite Line 40的作用，更好的實(shí)現(xiàn)靜電放電的有效性。如圖8所示，TFT 1損壞，TFT 2損壞或TFT 1和TFT 2均損壞這三種情況下，等效為2個(gè)TFT工作的靜電環(huán)電路，并說明其保護(hù)方法當(dāng)fete line 30積累過多電荷形成高壓時(shí)，TFT 3打開，將電荷傳導(dǎo)至Common line 50;當(dāng)Common line 50積累過多電荷形成高壓時(shí)，TFT 4打開，將電荷傳導(dǎo)至(kite line30。如圖9所示，TFT 3損壞，等效為3個(gè)TFT工作的靜電環(huán)電路，并說明其保護(hù)方法當(dāng)(kite line 30或者(kite line 40積累過多電荷形成高壓時(shí)，TFT 1或者TFT 2打開，將電荷傳導(dǎo)至Gate line 40或者Gate line 30;當(dāng)Common line50積累過多電荷形成高壓時(shí)，TFT 4打開，將電荷傳導(dǎo)至(kite line 30。如圖10所示，TFT 4損壞，等效為3個(gè)TFT工作的靜電環(huán)電路，并說明其保護(hù)方法當(dāng)(kite Line 30積累過多的電荷形成高壓時(shí)，TFT 1打開將電荷傳導(dǎo)至(kite Line 40，同時(shí)TFT 3打開將電荷傳導(dǎo)至Common Line 50;當(dāng)feiteLine 40積累過多的電荷，TFT 2打開后一部分電荷傳導(dǎo)至feite Line 30，另一部分會(huì)使TFT 3打開，將電荷傳導(dǎo)至Common Line50。如圖11所示，TFT 3和TFT 4損壞，等效為2個(gè)TFT工作的靜電環(huán)電路，并說明其保護(hù)方法Gate Line 30或者40積累過多的電荷形成高壓時(shí)，TFT 1或者TFT 2打開，將電荷傳導(dǎo)至 Gate line 40 或者 Gate line 30。本實(shí)用新型第五實(shí)施例還提供一種液晶顯示器，液晶顯示器上設(shè)置有如前述的陣列基板。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非對(duì)其進(jìn)行限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換亦不能使修改后的技術(shù)方案脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種靜電保護(hù)電路，其特征在于，包括至少兩個(gè)分支靜電保護(hù)電路，各分支靜電保護(hù)電路分別包括兩個(gè)連接端子，兩個(gè)連接端子分別用于接收靜電信號(hào)和輸出靜電信號(hào)，各分支靜電保護(hù)電路中的一個(gè)連接端子相互連接，另一個(gè)連接端子相互斷接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護(hù)電路，其特征在于，分支靜電保護(hù)電路包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的柵極和漏極短接，第二薄膜晶體管的柵極和漏極短接，第一薄膜晶體管的漏極與第二薄膜晶體管的源極連接，第二薄膜晶體管的漏極與第一薄膜晶體管的源極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護(hù)電路，其特征在于，分支靜電保護(hù)電路包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的柵極和漏極短接，第二薄膜晶體管的柵極和漏極短接，第一薄膜晶體管的源極、第二薄膜晶體管的源極和第三薄膜晶體管的柵極短接，第三薄膜晶體管的源極和漏極分別連接，第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的靜電保護(hù)電路，其特征在于，各分支靜電保護(hù)電路第一薄膜晶體管的柵極和漏極的短接點(diǎn)，作為連接端子相互連接，各分支靜電保護(hù)電路第二薄膜晶體管的柵極和漏極的短接點(diǎn)，作為連接端子相互斷接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電保護(hù)電路，其特征在于，分支靜電保護(hù)電路的數(shù)量為兩個(gè)。
6.一種陣列基板，其特征在于，陣列基板上設(shè)置有如權(quán)利要求1-5任一權(quán)利要求所述的靜電保護(hù)電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，其中的一個(gè)分支靜電保護(hù)電路的兩個(gè)連接端子分別連接第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，另一個(gè)分支靜電保護(hù)電路的兩個(gè)連接端子分別連接第一數(shù)據(jù)線和一條公共線，其中相互連接在一起的連接端子連接第一數(shù)據(jù)線。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，其中的一個(gè)分支靜電保護(hù)電路的兩個(gè)連接端子分別連接第一柵極線和第二柵極線，另一個(gè)分支靜電保護(hù)電路的兩個(gè)連接端子分別連接第一柵極線和一條公共線，其中相互連接在一起的連接端子連接第一柵極線。
9.一種液晶顯示器，其特征在于，液晶顯示器上設(shè)置有如權(quán)利要求6、7、8任一權(quán)利要求所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種靜電保護(hù)電路、陣列基板和液晶顯示器，涉及液晶顯示屏的制備工藝領(lǐng)域，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的，靜電放電效果較差的問題，靜電保護(hù)電路包括至少兩個(gè)分支靜電保護(hù)電路，各分支靜電保護(hù)電路分別包括兩個(gè)連接端子，兩個(gè)連接端子分別用于接收靜電信號(hào)和輸出靜電信號(hào)，各分支靜電保護(hù)電路中的一個(gè)連接端子相互連接，另一個(gè)連接端子相互斷接，由于采用至少兩個(gè)分支靜電保護(hù)電路，使得靜電放電效果得到增強(qiáng)。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK202332851SQ20112046750
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月22日
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