專利名稱：顯示單元、顯示器與其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于顯示単元，且特別是有關(guān)于ー種于顯示器或顯示面板中利用電子紙技術(shù)的顯示單元。發(fā)明背景電子紙(E-paper)為ー種顯示器的技術(shù)，用來(lái)模仿一般紙上的墨水。以粒子為 基礎(chǔ)的顯示器，例如電泳顯示器，已被廣泛應(yīng)用在電子紙(E-paper)上。以粒子為基礎(chǔ)的顯示器，包括多個(gè)獨(dú)立的可定位顯示單元排置在ー陣列中，其中每ー個(gè)顯示單元包括多個(gè)顏料粒子，這些顏料粒子被安置在ー對(duì)相對(duì)且分隔開的電極之間。電泳顯示器(electrophoretic diplay)可為ー粉末型的顯示器,其中具有不同極性和對(duì)比顏色的粒子散布在顯示單元的氣相介質(zhì)中，如圖IA所示。電泳顯示器可為ー微膠囊型的顯示器，其中具有不同極性和對(duì)比顏色的粒子被封閉在多個(gè)微膠囊中，如圖IB所示。電泳顯示器也可為一微杯型的顯示器，其中帶電的粒子散布在對(duì)比顏色的液體中，如圖IC所示。在平面開關(guān)模式下操作的顯示器，其兩個(gè)電極都位于同一平面或基板上。在上下開關(guān)模式下操作的顯示器，其兩個(gè)電極位于不同的基板上(頂部和底部)。在所有的情況下，兩個(gè)基板中至少有ー個(gè)基板是透明的，以便透過此透明基板觀察粒子的狀態(tài)。當(dāng)施加一電壓差或一電場(chǎng)于兩電極之間時(shí)，顔料粒子就會(huì)遷移到帶有與其相反極性的電極。因此，透過選擇性改變電極的極性，促使透明電極呈現(xiàn)的顏色或深淺變化。當(dāng)顔料粒子遷移到與其帶有相反極性的電極時(shí)，甚至在電源關(guān)閉后電子仍會(huì)透過接觸表面逐漸地漏損。因此，粒子接觸到電極的時(shí)間越長(zhǎng)，保留在粒子表面的電荷密度(每單位質(zhì)量的電荷，Q/W)越少，并且將更難靠電場(chǎng)重新驅(qū)動(dòng)顏料粒子。

發(fā)明內(nèi)容
總結(jié)來(lái)說(shuō)，本發(fā)明第一個(gè)概念是有關(guān)于半導(dǎo)體鈍化層(semiconductingpassivation layer)的使用，在至少ー帶電的粒子型顯示平面或EPD的電極上。半導(dǎo)體鈍化層可由M0x/y、MSx/y或MNx/y制成，其中M為金屬或半導(dǎo)體，例如鋁、錫、鋅、硅、鍺、鎳、鈦、或鎘；x為一正整數(shù)，例如0、1、2...，而y為ー非零的正整數(shù)，例如1、2、3...。半導(dǎo)體鈍化層材料的例子包括，但不限于A10x/y、SnOx7y, ZnOx/y、AlNx/y、SiNx7y, ZnSx7y, NiOx/y、CdSx7y, TiOx/y、或前述之組合。該半導(dǎo)體鈍化層尚可用缺電子原子摻雜以形成P-型半導(dǎo)體鈍化層或用供電子原子摻雜以形成n-型半導(dǎo)體鈍化層。此外，半導(dǎo)體鈍化層可用摻雜硅或III-V型半導(dǎo)體層形成。半導(dǎo)體層最好是用摻雜ZnOx/y、ZnSx/y、CdSx/y、或TiOx/y形成。半導(dǎo)體鈍化層的摻質(zhì)性質(zhì)可為n-型供質(zhì)(donor),像是氮、磷、神、氟；或p_型受質(zhì)(acceptor),像是硼、鋁、鎵、銦、鈹、鎂、鈣...。再者，半導(dǎo)體鈍化層可由一種或多種有機(jī)P-型材料所組成，像是聚(3-己基噻吩)、三-(9，9- ニ甲基芴)、3-(2-苯并噻唑基)-7-( ニこ氨基)香豆素、三苯胺、酞菁、銅復(fù)合物、或銅酞菁。半導(dǎo)體層可藉由薄膜沉積制程被沉積在電極上，像是濺鍍、氣相沉積法、或是半導(dǎo)體材料的溶液或分散液的濕式涂布法。本發(fā)明第二個(gè)概念是有關(guān)于ー帶電粒子型的顯示器或EPD，包括以半導(dǎo)體鈍化層涂布的電極。在本發(fā)明之一實(shí)施例中，所有的電極都被半導(dǎo)體鈍化層所涂布。顯示器可為AMEPD、S-EPD 或 PMEPD。本發(fā)明的第三個(gè)概念是有關(guān)于ー PMEPD，其中在像素中，相對(duì)電極的其中之一被P-型半導(dǎo)體層所涂布，而另ー個(gè)電極則是被n-型半導(dǎo)體層所涂布。本發(fā)明的第四個(gè)概念是有關(guān)于一具有多個(gè)像素的AMEPD，每個(gè)像素包括一共用電極和ー像素電極，其中這些電極的其中之一被P-型半導(dǎo)體鈍化層所涂布，而另ー個(gè)電極則被n-型半導(dǎo)體鈍化層所涂布。本發(fā)明的第五個(gè)概念是有關(guān)于一具有多個(gè)像素的S-Ero，每個(gè)像素包括一共用電極和一片段電極，其中這些電極的其中之一被P-型半導(dǎo)體鈍化層所涂布，而另ー個(gè)電極則 被n-型半導(dǎo)體鈍化層所涂布。在本發(fā)明之各個(gè)實(shí)施例中，取決于驅(qū)動(dòng)電壓及所使用的材料，半導(dǎo)體鈍化層的厚度可小于約0. I至5微米。半導(dǎo)體鈍化層應(yīng)該要夠薄，從而使有效粒子電荷得以通過該半導(dǎo)體鈍化層。在本發(fā)明之各個(gè)實(shí)施例中，在半導(dǎo)體鈍化層上可提供ー額外的保護(hù)層(aprotective layer),用以提升EPDs的耐久性及壽命。該保護(hù)層可包括由Si0x/y、SiNx/y、A10x/y、AlNx/y、或其他類似物所形成的一薄膜，其中X和y的定義與前述相同。在本發(fā)明之ー實(shí)施例中，該保護(hù)層的厚度比底下的半導(dǎo)體鈍化層薄。根據(jù)本發(fā)明之各個(gè)不同實(shí)施例，帶電顏料粒子可分散在介電液體媒介中或懸浮在氣相媒介中，且被封閉在微網(wǎng)格(micro-grids)、微杯、或微膠囊中。介電液體媒介包括水、油、酒精、或其他類似物。根據(jù)本發(fā)明之各個(gè)不同實(shí)施例，半導(dǎo)體鈍化層可由一種或多種無(wú)機(jī)材料制成。根據(jù)本發(fā)明之各個(gè)不同實(shí)施例，半導(dǎo)體鈍化層可由一種或多種有機(jī)P-型材料制成，像是聚(3-己基噻吩)、三-(9，9- ニ甲基弗)、3- (2-苯并噻唑基)-7- ( ニこ胺基)香豆素、三苯胺、酞菁、銅復(fù)合物、或銅酞菁。根據(jù)本發(fā)明之各不同實(shí)施例，半導(dǎo)體鈍化層可由一種或多種有機(jī)n-型材料制成，像是五苯、蒽并[2〃，1"，9" :4，5，6;6"，5"，10 " :4’，5’，6’] ニ異喹啉并[2，l-a:2’，l’-a’] ニ萘嵌間ニ氮雜苯-12，25-ニ酮、3，4，9，10-茈四甲酸ニ酐(PTCDA)、(6，6)_苯基-C61 丁酸甲酷、或N，N-雙(2，5 ニ叔丁基苯基)3，4，9，10-茈ニ甲酰亞胺。


圖IA繪示出顯示單元中，于氣相媒介中之一典型粉末型電泳顯示器；圖IB繪示出一典型微膠囊型電泳顯示器，包括帶有不同極性和對(duì)比顏色的粒子；圖IC繪示出一典型微杯型電泳顯示器，包括分散于對(duì)比顔色流體中的帶電粒子；圖2A繪示出本發(fā)明ー實(shí)施例中在共用電極上具有半導(dǎo)體鈍化層之主動(dòng)矩陣EPD ；圖2B繪示出本發(fā)明ー實(shí)施例中在像素電極上具有半導(dǎo)體鈍化層之主動(dòng)矩陣EPD ；圖2C繪示出本發(fā)明一實(shí)施例中在共用電極和像素電極上具有半導(dǎo)體鈍化層之主動(dòng)矩陣Ero ；
圖3A繪示出本發(fā)明ー實(shí)施例中在橫向電極上具有半導(dǎo)體鈍化層之被動(dòng)矩陣EPD ；圖3B繪示出本發(fā)明ー實(shí)施例中在縱向電極上具有半導(dǎo)體鈍化層之被動(dòng)矩陣EPD ；第3C圖繪示出本發(fā)明ー實(shí)施例中在橫向電極和縱向電極上具有半導(dǎo)體鈍化層之被動(dòng)矩陣Ero ；圖4A繪示具有不同厚度半導(dǎo)體鈍化層(AZO)的被動(dòng)矩陣ETO之標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)比度對(duì)更新周期作圖之圖表。圖4B繪示具有不同厚度半導(dǎo)體鈍化層(TiO2)的被動(dòng)矩陣EH)之標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)比度對(duì)更新周期作圖之圖表。
圖4C繪示具有不同厚度半導(dǎo)體鈍化層(Si)的被動(dòng)矩陣Ero之標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)比度對(duì)更新周期作圖之圖表。圖4D繪示具有不同厚度半導(dǎo)體鈍化層(ZnO)的被動(dòng)矩陣ETO之標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)比度對(duì)更新周期作圖之圖表。圖5繪示出本發(fā)明ー實(shí)施例之半導(dǎo)體鈍化層，被ー絕緣材料所制成的保護(hù)層涂布。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種電泳顯示器(EPD)之性能改良方法，其帶電顏料粒子可被分散在一介電液體或被懸浮在空氣中。在本發(fā)明之一實(shí)施例中，如圖2A所示，將一半導(dǎo)體鈍化層45涂布在顯示器4之上基板41上的共用電極層411，從而因?yàn)楣灿秒姌O層411和下基板42上之像素電極421間的電壓，使得帶電顏料粒子43被吸引至上基板41，顯示器例如主動(dòng)矩陣電泳顯示器(AMEH))或一片段電泳顯示器(S-ETO)。同時(shí)，帶有不同電量的顔料粒子44與電極421保持接觸。如圖2A所示，帶電粒子43是與半導(dǎo)體鈍化層45接觸，而不是與共用電極411的表面接觸。在本發(fā)明之另ー實(shí)施例中，如圖2B所示，將一半導(dǎo)體鈍化層46涂布在顯示器4之下基板42上的至少ー些像素電極421，即前述之AMEH)或S-ETO，這樣ー來(lái)，當(dāng)帶電顏料粒子44被吸引至像素電極421吋，是與半導(dǎo)體鈍化層46接觸，而不是與像素電極421接觸。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，AMEH)或S-EH)中所有的像素電極421均被一半導(dǎo)體鈍化層46所涂布。又在本發(fā)明的另ー實(shí)施例中，上基板41上的共用電極411以及至少ー些下基板42上的像素電極421被半導(dǎo)體鈍化層45、46所涂布，如圖2C所示。又在本發(fā)明之另ー實(shí)施例中，如第3A和3B圖所示，將半導(dǎo)體鈍化層55、56涂布在顯不器5之至少一些橫向電極和縱向電極51、52上,顯不器例如一被動(dòng)矩陣電泳顯不器(EPD) 0在本發(fā)明的一實(shí)施例中，如第3C圖所示，顯示器(即所述之PMETO)的所有橫向電極和縱向電極51、52被半導(dǎo)體鈍化層55、56所涂布。如圖3A所示，只有電極511被半導(dǎo)體鈍化層55所涂布，因此該些帶電顏料粒子53是與半導(dǎo)體鈍化層55接觸，而不是與電極511接觸。如圖3B所示，只有電極521被半導(dǎo)體鈍化層56所涂布，因此該些帶電顏料粒子54是與半導(dǎo)體鈍化層56接觸，而不是與電極521接觸。如第3C圖所示，電極511被半導(dǎo)體鈍化層55所涂布，而電極521被半導(dǎo)體鈍化層56所涂布。根據(jù)本發(fā)明之各個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體鈍化層包括一半導(dǎo)體材料，像是M0x/y、MSx/y、或MNx/y，其中M為ー金屬或半導(dǎo)體，像是鋁、錫、鋅、硅、鍺、鎳、鈦、或鎘び為一整數(shù)，像是0、1、2、...；而7為ー非零之整數(shù)，像是1、2、3、...。一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體鈍化層包括氧化物、次氧化物、或是鋁、錫、鋅、硅、鍺、鎳、鎘或鈦的硫化物、或是鋁或硅的氮化物。半導(dǎo)體鈍化層尚可用一缺電子原子摻雜以形成一 P-型半導(dǎo)體鈍化層，或用一供電子原子摻雜以形成一 n-型半導(dǎo)體鈍化層。另外，半導(dǎo)體鈍化層包括摻雜硅或III-V型的半導(dǎo)體鈍化層。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體鈍化層包括一摻雜的ZnOx/y、ZnSx7y, CdSx7y或TiOx/y，其中x、y的定義與前述相同。再者，半導(dǎo)體鈍化層可由一種或多種有機(jī)P-型材料制成，像是聚(3-己基噻吩)、三-(9，9-ニ甲基芴)、3-(2-苯并噻唑基)-7-(ニこ氨基)香豆素、三苯胺、酞菁、銅復(fù)合物、或銅酞菁。再者，半導(dǎo)體鈍化層可由薄膜沉積制程被沉積在電極上，像是濺鍍、氣相沉積法、或半導(dǎo)體材料的溶液或分散液的濕式涂布法。電泳顯示器憑著帶電顏料粒子的重新定位達(dá)到ー影像變換。具有合適顏色和電荷極性的粒子被分散在相對(duì)的電極之間并由一電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，可視情況額外包括ー磁場(chǎng)。藉由控制電場(chǎng)就可能完成一彩色影像或一黒白影像。取決于驅(qū)動(dòng)電壓和半導(dǎo)體鈍化層所使用的材料，半導(dǎo)體鈍化層的厚度可薄如0. I微米甚至更薄或厚如0. 5微米。在任何情況下，半導(dǎo)體 鈍化層應(yīng)要夠薄到可以讓粒子電荷有效地滲透該保護(hù)層。值得注意的是，電荷可能會(huì)困陷在顏料粒子表面，且電荷密度和顔料粒子表面特性及電極之間的相互作用有很大的關(guān)系。在粉末型的EPD中，可藉由顏料粒子間的摩擦電作用或利用合適的電荷控制媒介進(jìn)而增加或穩(wěn)定電荷密度。然而，電荷可能經(jīng)由相對(duì)電場(chǎng)方向的電極消散或漏損，特別是在粒子可長(zhǎng)時(shí)間與該電極保持接觸的時(shí)候。因此，長(zhǎng)時(shí)間停留在電極上的粒子，將因?yàn)殡姾傻南⒒蚵p而更難被供應(yīng)電壓驅(qū)動(dòng)。如DLVO (Der jaguim, Landau, Verwey and Overbeek)理論所預(yù)測(cè)，由于相較于庫(kù)倫斥力，凡得瓦力可能成為粒子-粒子間較優(yōu)勢(shì)的作用力，因此低電荷密度的粒子也傾向于經(jīng)由次級(jí)最小電位(secondary potential minimum)聚集或凝聚。電荷密度和粒子的聚集或凝聚會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓的增加，或是延長(zhǎng)到達(dá)特定對(duì)比度所需的時(shí)間。在一些例子中，它們同樣導(dǎo)致閾值電壓及操作溫度范圍的改變，并且隨之導(dǎo)致影像調(diào)制、影像粘性和迭影等難題。根據(jù)本發(fā)明，半導(dǎo)體鈍化層的功能之一是避免因帶電顏料粒子和電極之間的交互作用所造成的電極惡化。半導(dǎo)體鈍化層可降低帶電顏料粒子上電荷量的變化。這使得經(jīng)由電極漏損電荷的情況被控制住，并使得在反向偏壓可被顯著性降低的時(shí)候，雙穩(wěn)定性和閾值電壓穩(wěn)定性也可同時(shí)維持。半導(dǎo)體鈍化層被當(dāng)作ー電位障壁，從而在熱平衡之下于金屬/半導(dǎo)體界面提供一個(gè)高電位障壁電阻。該電位障壁的寬度可被表示為ゐ待|/2其中e s為半導(dǎo)體之介電常數(shù)，朽為金屬/半導(dǎo)體之內(nèi)建電位；Nd為半導(dǎo)體之摻雜濃度，q為電荷。根據(jù)本發(fā)明，電位障壁的寬度Xd可藉由選擇半導(dǎo)體鈍化層材料及/或控制摻雜濃度而加以調(diào)整。半導(dǎo)體鈍化層摻質(zhì)(dopant)的性質(zhì)可為n-型供質(zhì)(donor),像是氮、磷、神、氟 、或其類似物。摻質(zhì)也可為P-型受質(zhì)(acc印tor)，像是硼、鋁、鎵、銦、被、鎂、鈣...。藉由設(shè)計(jì)ー合適的電位障壁寬度，帶電顏料粒子的電荷漏損可透過量子穿隧效應(yīng)而得到調(diào)整。穿透電位障壁的電荷滲流系數(shù)T也可被簡(jiǎn)化為T oc e^21 id
其中K1為波向量。由于金屬/半導(dǎo)體與具有歐姆接觸的靜態(tài)帶電粒子之間的電位障壁寬度與摻質(zhì)濃度有關(guān)，熱平衡中的漏電流及由正向或反向偏壓造成的操作電流可由摻質(zhì)濃度控制。根據(jù)本發(fā)明，在生產(chǎn)用來(lái)充電的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，電極上粒子接觸時(shí)間的延遲也被列入考量。在熱平衡的情況下，藉由耗乏區(qū)或量子穿隧效應(yīng)電場(chǎng)中電洞對(duì)所產(chǎn)生的載體可中和部分的帶電粒子。這樣ー來(lái)，在電泳顯示器單元中，帶有相對(duì)極性的帶電顏料粒子間將產(chǎn)生吸引力，因而增加電泳顯示平面的影像穩(wěn)定度。耗乏區(qū)中的電壓與材料的工作函數(shù)之間存在ー種關(guān)系，因此，由于較小的電荷漏損，半導(dǎo)體鈍化層使得帶電顏料粒子變得對(duì)電極具有更強(qiáng)的吸引力。同樣地，具有較小電荷漏損的粒子在供電關(guān)閉時(shí)，可導(dǎo)致較小的反向偏壓產(chǎn)生。這些特性可用來(lái)降低電泳顯示器中的影像粘性問題，并且在顯示影像處于ー閑置狀態(tài)時(shí)，降低帶有相反極性的帶電粒子之間的電場(chǎng)。位于電極上的半導(dǎo)體鈍化層可增進(jìn)帶電顔料粒子上靜電荷的滯留模式。藉由將具吸引力的電極從帶電顏料粒子分離出來(lái)后，顯示器的操作壽命以及性能皆可延長(zhǎng)。使用半 導(dǎo)體鈍化層的好處之ー是半導(dǎo)體鈍化層可實(shí)施于所有形式的EH)上，包括PMEPD、AMEPD和S-EH)。圖2A-2C顯示ー個(gè)具有半導(dǎo)體鈍化層的AMEH)實(shí)施例，其中半導(dǎo)體鈍化層被提供在共用電極上(圖2A);像素電極上(圖2B);及前述兩種電極上(圖2C)。圖3A-3C顯示ー個(gè)具有半導(dǎo)體鈍化層的PMEH)實(shí)施例，其中半導(dǎo)體鈍化層被提供在橫向電極上(圖3A);縱向電極上(圖3B);及橫向電極和縱向電極上(圖3C)。為了顯示半導(dǎo)體鈍化層如何增進(jìn)電泳顯示器的性能，于是針對(duì)具有各種不同厚度的半導(dǎo)體鈍化層(AZO、TiO2, Sn和ZnO)的被動(dòng)矩陣ETO測(cè)量其更新周期-標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)比度。在圖4A到4D的每個(gè)圖中，以標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)比度對(duì)更新周期作圖。如同在圖4A到4D中可看到的，當(dāng)沒有使用半導(dǎo)體鈍化層的時(shí)候，標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)比度會(huì)傾向于隨著更新周期快速的下降；相反的，當(dāng)被動(dòng)矩陣EH)上的電極涂布上一半導(dǎo)體鈍化層時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)比度會(huì)傾向于較緩慢的下降。在本發(fā)明之一實(shí)施例中，半導(dǎo)體鈍化層45 (46、55、或56)還涂布了一保護(hù)層60，如圖5所示。該保護(hù)層可由絕緣材料制成，像是Si0x/y、SiNx/y、A10x/y、AlNx/y、或其類似物，其中X為一正整數(shù)，y為ー非零的正整數(shù)。
權(quán)利要求
1.ー種方法，包括 在一電泳顯示器上提供一半導(dǎo)體鈍化層，該電泳顯示器包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括一単元區(qū)域，該單元區(qū)域包括多個(gè)帶電顔料粒子，其中該電泳顯示器包括兩個(gè)相對(duì)電極，用以在該些像素中產(chǎn)生可控制該些帶電顔料粒子的電場(chǎng)，其中該半導(dǎo)體鈍化層被提供在該兩個(gè)相對(duì)電極的至少其中ー個(gè)上。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，還包括 提供另一半導(dǎo)體鈍化層于該兩個(gè)相對(duì)電極中的另ー個(gè)電極上。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其中該半導(dǎo)體鈍化層藉由ー薄膜沉積制程或一半導(dǎo)體材料的溶液或分散液的濕式涂布法而沉積在該電極上。
4.一種電泳顯示器裝置，包括 多個(gè)像素，每個(gè)像素包括 ー單元區(qū)域，包括多個(gè)帶電顏料粒子； 兩個(gè)相對(duì)電極，用以在所述像素中產(chǎn)生可控制該些帶電顔料粒子的電場(chǎng)；以及 一半導(dǎo)體鈍化層，設(shè)置于該兩個(gè)相對(duì)電極的至少其中ー個(gè)上。
5.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器裝置，其中每個(gè)該像素海包括另一半導(dǎo)體鈍化層，設(shè)置于該兩個(gè)相對(duì)電極中的另ー個(gè)上。
6.如權(quán)利要求5所述的電泳顯示器裝置，其中該半導(dǎo)體鈍化層設(shè)置于該相對(duì)電極的其中之一上，包括P-型半導(dǎo)體鈍化層，以及該另一半導(dǎo)體鈍化層，設(shè)置于該另ー電極上，包括n-型半導(dǎo)體鈍化層。
7.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器裝置，其中該半導(dǎo)體鈍化層包括MOx/y、MSx/y、MNx/y中的ー種或多種，其中M為金屬或半導(dǎo)體，如招、錫、鋅、娃、鍺、鎳、鈦或鎘；x為正整數(shù)；y獨(dú)立地為非零的正整數(shù)。
8.如權(quán)利要求7所述的電泳顯示器裝置，其中該半導(dǎo)體鈍化層被摻質(zhì)所摻雜，其中該摻質(zhì)包括η-型供質(zhì)或P-型受質(zhì)，其中該η-型供質(zhì)為氮、磷、砷或氟；該P(yáng)-型受質(zhì)為硼、鋁、鎵、銦、鈹、鎂或鈣。
9.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器裝置，其中該半導(dǎo)體鈍化層包括摻雜的Si、ZnOx7y,ZnSx/y、CdSx/y、TiOx/y或III-V型的半導(dǎo)體材料，其中X為正整數(shù)；y為非零的正整數(shù)。
10.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器裝置，其中該電泳顯示器裝置包括被動(dòng)矩陣電泳顯示器、主動(dòng)矩陣電泳顯示器或片段電泳顯示器。
11.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器裝置，其中該半導(dǎo)體鈍化層用作電位障壁以提供高電位障壁電阻，其中該電位障壁的寬度表示為
12.如權(quán)利要求11所述的電泳顯示器裝置，其中穿透該電位障壁的一電荷滲流系數(shù)表示為T OC e~2klXd 其中κ I為波向量。
13.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器裝置，其中該半導(dǎo)體鈍化層進(jìn)ー步被保護(hù)層涂布，其中該保護(hù)層包括SiOx/y、SiNx"' AlOx7y和AlNx/y中的ー種或多種，其中x為正整數(shù)；y為非零的正整數(shù)。
14.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器裝置，其中該半導(dǎo)體鈍化層包括小于或等于5微米的厚度。
15.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器裝置，其中該半導(dǎo)體鈍化層包括小于或等于O.5微米的厚度。
16.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器裝置，其中該些帶電顏料粒子被分散在液相媒介中或懸浮在氣相媒介中。
17.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器裝置，其中該些帶電顏料粒子被封閉在微網(wǎng)格、微杯或微膠囊中。
18.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示器裝置，其中該半導(dǎo)體鈍化層是由ー種或多種有機(jī)材料制成。
19.如權(quán)利要求18所述的電泳顯示器裝置，其中該些有機(jī)材料選自下列所組成的組聚(3-己基噻吩)、三-(9，9- ニ甲基芴)、3- (2-苯并噻唑基)-7- ( ニこ氨基)香豆素、三苯胺、酞菁、銅復(fù)合物及銅酞菁。
20.如權(quán)利要求18所述的電泳顯示器裝置，其中該些有機(jī)材料選自下列所組成的組五苯、蒽并[2〃，1"，9" :4，5，6;6"，5" ,10 " : 4’，5’，6’] ニ異喹啉并[2，トa:2，，Γ-a，] ニ萘嵌間ニ氮雜苯-12，25-ニ酮、3，4，9，10-茈四甲酸ニ酐(PTCDA)、(6，6)_苯基-C61 丁酸甲酷、及N，N-雙(2，5 ニ叔丁基苯基)3，4，9，10-茈ニ甲酰亞胺。
全文摘要
一種電泳顯示器，包括多個(gè)像素，每個(gè)像素有一單元區(qū)域，包括多個(gè)帶電顏料粒子(43)，這些帶電顏料粒子散布于兩個(gè)相對(duì)電極(411、421)之間，及一半導(dǎo)體保護(hù)層(45)被提供在該兩相對(duì)電極(411、421)的一個(gè)電極或兩個(gè)電極上。半導(dǎo)體保護(hù)層可由MOx/y、MSx/y、或MNx/y組成，其中M為一金屬或半導(dǎo)體，例如鋁、錫、鋅、硅、鍺、鎳、鈦、或鎘；x為一正整數(shù)，而y為一非零的正整數(shù)。半導(dǎo)體保護(hù)層可具有摻雜硅、ZnOx/y、ZnSx/y、CdSx/y、TiOx/y、或III-V型半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體保護(hù)層可被一可為n-型供質(zhì)(donor)或p-型受質(zhì)(acceptor)的摻質(zhì)所摻雜；n-型供質(zhì)(donor)為氮、磷、砷、或氟，p-型受質(zhì)(acceptor)為硼、鋁、鎵、銦、鈹、鎂、或鈣。
文檔編號(hào)G02F1/167GK102859432SQ201180013581
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2011年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月12日
發(fā)明者陳照勗, 梁榮昌, 蔡明瑋 申請(qǐng)人:臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司