專利名稱：用于同軸式光纖裝置的具有帶引腳的饋通線的氣密性封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于光纖裝置的氣密性封裝，具體而言，涉及一種用于同軸式光纖裝置的引腳式封裝，且所述封裝提供電饋通件，而所述電饋通件與使用微機(jī)加工硅晶圓(micromachined silicon wafer)的批處理工藝兼容。
背景技術(shù)：
除在標(biāo)準(zhǔn)的電子封裝中所遇到的挑戰(zhàn)之外，光纖裝置還使封裝設(shè)計(jì)師面臨特殊挑戰(zhàn)。光纖設(shè)計(jì)師尤其關(guān)心的是用于在封裝內(nèi)的光學(xué)元件與封裝外的元件之間提供光學(xué)通信
的光學(xué)饋通件。此種光學(xué)饋通件常常使用一或多條光纖，所述一或多條光纖必須被可靠地緊固至封裝并同時被氣密性地密封，以防止可對內(nèi)部光學(xué)元件的長期可靠性產(chǎn)生不利影響的大氣水分進(jìn)入。此外，光纖裝置常常要求使用電饋通件，以使電信號能夠往來于封裝內(nèi)的電子元件進(jìn)行傳送。此種電饋通件遵循與光學(xué)饋通件相同的可靠性及氣密性要求。然而，由于材料及處理溫度不同，電饋通件在制造中常常具有許多與光學(xué)饋通件不同的處理要求。因此，除要實(shí)現(xiàn)更小且成本更低的封裝的挑戰(zhàn)之外，對于光纖封裝設(shè)計(jì)師而言，在一制造環(huán)境中同時容納光學(xué)饋通件及電饋通件也是一種挑戰(zhàn)。本文所使用的術(shù)語“氣密性(hermetic)”表示封閉結(jié)構(gòu)具有防止空氣進(jìn)入的不可滲透性。然而，所有的封閉結(jié)構(gòu)均具有某種程度的滲透性。因此，為清楚起見，下文中所使用的術(shù)語“氣密性”是表示由所測量的進(jìn)入封閉結(jié)構(gòu)的氦氣流率小于5'10_8 atm-cc/sec (其為常用于光電子裝置的限值)所表達(dá)的可滲透性。在同軸式光纖裝置中，光通過單一且連續(xù)的光纖進(jìn)入及離開封裝，這又帶來了進(jìn)一步的挑戰(zhàn)。同軸式裝置的實(shí)例是美國專利第6，535，671號(于2003年3月18日頒發(fā)給CraigD. Poole)以及第 7，116，870 號(于 2006 年 10 月 3 日頒發(fā)給 Craig D. Poole)中所述的光纖分接頭(tap)，其中一結(jié)構(gòu)直接形成于光纖的中間部分，從而使光被射出(“分接出(tapped)”)光纖外。在此種裝置中，通過將光纖端部插入套箍中而圍繞光纖形成密封來氣密性地密封玻璃纖維的眾所周知的方法(如在例如美國專利第5，692，086號中所述者)是不適用的，因其缺少終端光纖端部。Poole的第6，535，671號專利闡述了一種通過以下方式而將同軸式光纖分接頭氣密性地密封在容納有光電二極管的殼體內(nèi)的方法將光纖穿過狹窄的管，隨后使用放置于光纖與管壁之間的密封玻璃將該狹窄的管密封。由于必須保持較小的管直徑以使作用于光纖的應(yīng)力最小化，當(dāng)此種光纖長度可能超過2米時，此種方法需要將一段長的光纖穿過狹窄的管，因此導(dǎo)致此種方法對于低成本制造而言變得不切實(shí)際。為了氣密性地密封同軸式光纖裝置，人們想到了其中將兩個部件結(jié)合于一起以通過使用某種類型的密封材料而圍繞光纖形成密封的“夾層(sandwich)”幾何結(jié)構(gòu)。美國專利6，074, 104 (于2001年6月13日頒發(fā)給Kimikazu Higashikawa)中闡述了此種方法的實(shí)例。其中，通過使用低溫玻璃焊料及樹脂作為密封介質(zhì)而將光纖夾置于金屬殼與金屬密封罩之間，從而將單一的光纖端部密封于氣密性腔內(nèi)。除提供光學(xué)饋通件之外，Poole的第6，535，671號專利及Higashikawa的第6，074，104號專利均闡述了包括電饋通件的封裝，所述 電饋通件連接至引線，所述引線用于將完工的封裝直接安裝至電子印刷電路板。然而，這兩種方法均使用傳統(tǒng)的TO罐、DIP或表面安裝電子封裝，而所述傳統(tǒng)的TO罐、DIP或表面安裝電子封裝無法輕易地用于批處理方法并在密封光纖之前需要進(jìn)行大量的處理步驟來形成引腳式封裝。這些方法難以實(shí)現(xiàn)低成本制造。因此，目前在本技術(shù)領(lǐng)域中需要一種用于同時包用括光學(xué)饋通件及電饋通件的同軸式光纖裝置的氣密性封裝，所述氣密性封裝應(yīng)與使用微機(jī)加工硅晶圓的批處理技術(shù)兼容并較佳地補(bǔ)救本技術(shù)領(lǐng)域中的上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過使用單一金屬引線結(jié)構(gòu)(single metal lead structure)來滿足前述需要，所述單一金屬引線結(jié)構(gòu)被氣密性地安裝至硅基板，并與密封腔內(nèi)的電子元件之間的電連通，所述腔是由娃基板及單獨(dú)的娃密封覆蓋層而形成，孔(through hole)蝕刻所述娃基板。所述金屬引線結(jié)構(gòu)具有通過垂直孔而延伸至密封腔中的圓柱形突起，所述垂直孔是通過使用深反應(yīng)性離子蝕刻(deep reactive ion etching ;DRIE)方法在娃基板中蝕刻而成。使用低溫密封玻璃來密封以此種方式形成的電饋通件。較佳地，所述硅基板及密封覆蓋層中形成有免費(fèi)的槽，以用于氣密性地密封玻璃纖維，所述玻璃纖維用于與密封腔內(nèi)的元件進(jìn)行光學(xué)通信。以此種方式形成的密封結(jié)構(gòu)被進(jìn)一步封閉于兩件式金屬護(hù)罩(two-piece metalshroud)中，為所述密封結(jié)構(gòu)提供結(jié)構(gòu)支撐并屏蔽電氣噪聲。結(jié)果得到可被直接安裝于印刷電路板上的引腳式封裝。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，所述封裝形成同軸式功率監(jiān)視器(in-line powermonitor)，在所述同軸式功率監(jiān)視器中，密封腔容納有光電二極管，所述光電二極管電性連接至與光纖進(jìn)行光學(xué)通信的電引線，從而使引線所載送的電流與由光纖載送的光功率成比例。優(yōu)選實(shí)施例還包括被添加至玻璃基質(zhì)以密封電饋通件的間隔珠(spacer bead),用以控制硅基板與引線結(jié)構(gòu)之間的間距，從而控制封裝的電容。此外，本發(fā)明的教示內(nèi)容還擴(kuò)展至用于使用微機(jī)加工硅晶圓來制造引腳式封裝的批處理工藝。所述批處理工藝?yán)媒z網(wǎng)印刷(screen printing)技術(shù)在晶圓上涂覆玻璃焊膏，隨后進(jìn)行熱處理來燒盡殘余的有機(jī)物并涂覆密封玻璃。在將晶圓切成各個單獨(dú)部件之前，對電引線進(jìn)行附連，以在硅晶圓中形成氣密性的電饋通件。如此一來，可一起處理許多部件，從而大大地提高生產(chǎn)量并降低成本。


通過結(jié)合附圖來考慮以下詳細(xì)說明，可輕易地理解本發(fā)明的教示內(nèi)容，在附圖中圖I顯示引腳式封裝100的立體分解 圖2顯示圖I所示引腳式封裝100的傳統(tǒng)實(shí)施例的剖視圖，該剖面是沿圖I中的虛線框所示的平面截取的；
圖3顯示根據(jù)本發(fā)明的圖I所示引腳式封裝100的實(shí)施例的剖視圖，該剖面是以與圖2相同的方式截取的；
圖4顯示根據(jù)本發(fā)明的具有蝕刻圖案的硅晶圓的底面；
圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的引線安裝裝置的立體圖；以及 圖6是根據(jù)本發(fā)明的具有蝕刻圖案且附連有電引線的硅晶圓的頂面的立體圖。為便于讀者理解，使用相同的參考編號來表示各附圖中共有的相同或相似的元件。應(yīng)理解，各附圖未按比例繪制。
具體實(shí)施方式
在闡述交互式氣密性封裝之前，為了增進(jìn)讀者的理解，將參照圖I及圖2來解釋用于同軸式光纖分接頭的傳統(tǒng)封裝。參見附圖，圖I顯示引腳式封裝100的立體圖，引腳式封裝100具有硅基板102、硅密封覆蓋層104、光纖106、光纖分接頭108、及光電二極管110。光電二極管110安裝于井112的底部，井112是通過使用各向異性濕法蝕刻而形成于硅基板102中。分別位于硅基板102及密封覆蓋層104中的玻璃焊料114及116、以及槽118及120形成氣密性密封的腔，當(dāng)在適宜溫度及壓力下將覆蓋層104與基板102結(jié)合于一起而使玻璃焊料114及116流動并形成連續(xù)密封時，所述密封的腔會封閉光纖分接頭108、光電二極管110及井112。在密封之前，將光纖分接頭108置于光電二極管110上方，使得射出分接頭108的光能夠有效地照亮光電二極管110。光電二極管110所產(chǎn)生的光電流由分別連接至光電二極管110的陰極及陽極的引線122及124使用形成于引線122及124頂部的突起126及128載送。具有突起126的引線122及具有突起128的引線124均可由單片金屬(例如“Kovar”材料，其為卡彭特技術(shù)公司(Carpenter Technology Corporation)的注冊商標(biāo))通過沖壓操作形成。突起126及128通過穿透井112的底部而蝕刻出的孔向上延伸，并使用低溫密封玻璃130而被緊固至基板102的底部。以下將提供對電饋通件的更詳細(xì)說明。在密封之后，使用環(huán)氧樹脂136將包括硅基板102、硅密封覆蓋層104、及附連引線122及124的結(jié)構(gòu)緊固至底部金屬護(hù)罩132 (metal shroud),接著通過添加金屬護(hù)罩蓋134(metal shroud cover)來封閉所述結(jié)構(gòu)。除為拿放提供機(jī)械支撐及保護(hù)(mechanicalsupport and protection)之外,金屬護(hù)罩蓋134及底部金屬護(hù)罩132還為被封閉的元件提供電屏蔽。圖2顯示圖I所示引腳式封裝100的傳統(tǒng)實(shí)施例的剖面，其中金屬護(hù)罩蓋134及底部金屬護(hù)罩132已被移除。如上所述，該剖面(與圖3的情形一樣)是沿圖I中的虛線框所示的平面截取的。在此實(shí)施例中，在使用Poole的第7，116，870號專利中所述的方法進(jìn)行組裝之前，在光纖106中形成光纖分接頭108。光電二極管110與引線122及124之間的電連通是由通過蝕刻孔202及204而向上延伸的突起126及128提供。中心井112以及蝕刻孔202及204是通過使用各向異性濕法蝕刻以兩步過程形成的其中，首先蝕刻中心井112，隨后再第二蝕刻步驟中蝕刻蝕刻孔202及204。中心井112以及蝕刻孔202及204的形狀實(shí)質(zhì)上為正方形，且由于在單晶硅中所優(yōu)選的各向異性濕法蝕刻處理而形成角度為54. 7度的傾斜側(cè)壁。突起126及128具有錐形形狀，該錐形形狀的側(cè)角角度與蝕刻孔202及204的傾斜壁的角度互補(bǔ)，以在突起126及128與孔202及204的壁表面之間提供均勻的間隙。為形成氣密性密封，使用低溫的密封玻璃130填充此間隙。優(yōu)選地，將選擇熔融溫度高于玻璃焊料114及116的密封玻璃130，以在硅覆蓋層104與基板102之間形成密封時保持結(jié)構(gòu)完整性。使用導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂206及絲焊線208將光電二極管110連接至突起126及128。此外，可使用共晶軟焊料復(fù)合物(例如，80/20的金/錫焊料)來取代導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂206。為避免突起126及128以及光電二極管110對硅基板102形成電短路，在組裝之前使用氧化物(Si02)絕緣層(圖中未示出，但其眾所周知)涂覆硅基板102的表面。圖2所示的傳統(tǒng)電饋通件具有如下幾個問題· (I)由于硅的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，各向異性濕法蝕刻工藝必定形成正方形的通孔。此種孔具有會集中應(yīng)力的尖銳的角，從而使密封的可靠性降低。(2)蝕刻孔202及204的角度為54. 7度的傾斜壁以及中心井112使得在蝕刻孔202及204進(jìn)入中心井112處形成刃狀物210。此種刃狀物及其他類似形成的部分是脆弱的并具有斷裂的趨勢，從而導(dǎo)致保護(hù)性氧化物涂層與基板102分離，由此使金屬引線122及124對基板102的主體硅形成短路。(3)由于在將引線122及124附連至基板102時在金屬引線結(jié)構(gòu)與硅基板之間形成的玻璃密封間距d具有可變性，因此不能良好地控制封裝的電容。圖3詳細(xì)繪示根據(jù)本發(fā)明的改良電饋通件來顯示引腳式封裝100的剖面。光電二極管Iio與引線122及124之間的電連通是由穿過蝕刻孔306及308而向上延伸的突起302及304提供。使用各向異性濕法蝕刻來形成中心井112，其中由于在單晶硅中進(jìn)行各向異性蝕刻工藝，因此中心井112還是具有角度為54. 7度的傾斜側(cè)壁。在第二蝕刻步驟中，使用深反應(yīng)性離子蝕刻(DRIE)在硅基板102中形成蝕刻孔306及308。蝕刻孔306及308的形狀為圓柱形，并具有小于2度的側(cè)壁坡度。引線122及124具有圓柱形突起302及304，該圓柱形具有垂直側(cè)壁(側(cè)壁坡度小于2度)且突起基部處的曲率半徑最大為O. 002"(約為.0051 cm),且引線122及124可由單片金屬(例如Kovar材料)通過沖壓操作形成。突起302及304的直徑能夠在突起與孔306及308的壁表面之間提供均勻的間隙。優(yōu)選地，圓柱形突起的直徑標(biāo)稱為O. 012"(約為.0305 cm)。為形成氣密性密封，使用低溫密封玻璃310填充突起302與304之間的間隙以及引線結(jié)構(gòu)312及314與硅基板102之間的間隙。此種長的玻璃密封路徑長度將提供氣密性密封并使引線122及124以機(jī)械方式牢固地附連至硅基板102。密封玻璃310在其玻璃基質(zhì)中包含間隔珠(spacer bead),以控制硅102與引線結(jié)構(gòu)312及314之間的玻璃密封間距d，從而控制封裝的電容。優(yōu)選地，間隔珠由標(biāo)稱珠直徑為O. 002"(約為.0051 cm)的硼硅酸鹽玻璃組成。間隔珠以小于O. 4 wt%的濃度而被添加至玻璃焊膏中。此外，密封玻璃310被選擇成熔融溫度高于玻璃焊料114及116，以在硅覆蓋層104與基板102之間形成密封時保持結(jié)構(gòu)完整性。使用導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂206及絲焊線208將光電二極管110連接至突起302及304。此外，可使用共晶軟焊料復(fù)合物(例如，80/20的金/錫焊料)來取代導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂206。為避免突起302及304以及光電二極管110對硅基板102形成電短路，在組裝之前使用氧化物(Si02)絕緣層涂覆硅基板102的表面。圖4顯示由硅基板102的陣列構(gòu)成的100 mm (約為4")的微機(jī)加工硅晶圓402，在其背面上，在孔302及304周圍具有低溫密封玻璃310。以如下方式實(shí)現(xiàn)硅晶圓402的批處理對晶圓的正面進(jìn)行各向異性濕法蝕刻，隨后對背面進(jìn)行DRIE處理以形成孔302及304。將低溫密封玻璃310在晶圓的背面孔302及304周圍涂覆，以實(shí)現(xiàn)電引線的附連。優(yōu)選地，使用絲網(wǎng)印刷工藝將玻璃焊膏涂覆至晶圓，隨后進(jìn)行熱處理來燒盡殘余的有機(jī)物并涂覆密封玻璃310以準(zhǔn)備進(jìn)行電引線附連，其中所述絲網(wǎng)印刷工藝能夠在孔302及304周圍將玻璃焊膏精確地放置成數(shù)字8的圖案。較佳地使用玻璃焊膏的雙層絲網(wǎng)印刷工藝，以提供對玻璃焊膏的厚度及其在孔302及304周圍的放置位置的精確控制。

在優(yōu)選實(shí)施例中雖然使用100 mm的娃晶圓,但將娃晶圓的尺寸增大至150 mm(約為6")或200 mm (約為8")則會顯著地增加可由單一晶圓制成的部件數(shù)目。圖5顯示固定裝置，所述固定裝置被開發(fā)成通過在孔302及304周圍的低溫密封玻璃310將電引線122及124附連至晶圓402。在放置引線之前，將晶圓402裝載于真空固定裝置502上。真空固定裝置502支撐晶圓402及移動載體504，同時對兩者進(jìn)行吸持，以在放置引線期間使穩(wěn)定性最大化。梳狀固定裝置506由分開的支撐臂508支撐，支撐臂508使梳狀固定裝置506相對于晶圓402移動。梳狀固定裝置506具有以規(guī)則的間距機(jī)加工而成的狹槽510，所述間距與晶圓402中的饋通孔間距相匹配。當(dāng)開啟真空時，真空固定裝置502將通過晶圓402中的孔302及304來提供吸持，使得當(dāng)電引線122及124與孔306及308中的圓柱形突起302及304 —起放置于定位上時，所述吸持足以使電引線保持于定位上?？稍谟烧婵諏⒁徽须娨€保持于定位上的同時將該整列電引線恰當(dāng)?shù)囟ㄎ唬S后，借助支撐臂508來推進(jìn)梳狀固定裝置506。當(dāng)推進(jìn)梳狀固定裝置506時，已被放置的引線進(jìn)入狹槽510中，在狹槽510中所述引線被封閉且被保護(hù)而不發(fā)生變位。真空固定裝置502、移動載體504、梳狀固定裝置506及支撐臂508被設(shè)計(jì)成具有適宜特性，以使狹槽510、引線122及124、以及晶圓402之間能夠精確地平行對齊。在推進(jìn)梳狀固定裝置506之后，可應(yīng)用下一列電引線并重復(fù)所述過程，以此類推。在所有引線均被置于其對應(yīng)的孔上方之后，由支撐臂508使梳狀固定裝置506下降，直至梳狀固定裝置506的整個重量向下壓在電引線結(jié)構(gòu)312及314上為止。隨后關(guān)閉真空，且位于孔306及308中的引線突起302及304通過由梳狀固定裝置506所提供并經(jīng)梳狀齒512施加于引線結(jié)構(gòu)312及314上的力而保持于定位上。隨后，使用支撐臂508將移動載體504、晶圓402、梳狀固定裝置506及電引線122及124傳送至熱源(例如，加熱板)上，在熱源處將整個總成加熱至密封玻璃310的密封溫度。優(yōu)選地，此溫度使密封玻璃310圍繞電引線上的突起302及304流動，以填充突起與孔壁302及304之間的空隙以及引線結(jié)構(gòu)312及314與硅102之間的空隙，從而在電饋通件與硅基板之間形成氣密性密封。存在于密封玻璃310中的間隔珠以及由梳狀固定裝置506施加的力在晶圓中控制引線結(jié)構(gòu)312與314之間的密封厚度d，從而控制封裝的電容。由于在將引線122及124附連至晶圓402時涉及高溫處理，因此，梳狀固定裝置506應(yīng)由耐高溫且隔熱的材料制成，以在密封期間使自硅晶圓402以及引線122及124產(chǎn)生的熱傳導(dǎo)最小化。此種材料的實(shí)例是由柯寧玻璃公司(Corning Glass WorksCorporation)生產(chǎn)的“Macor”可機(jī)加工陶瓷(“Macor”是柯寧玻璃公司的注冊商標(biāo))。另一方面，移動載體504應(yīng)由導(dǎo)熱材料(例如氮化鋁)制成，以有效地將熱遞送至整個總成，從而進(jìn)行密封。在將引線122及124附連至晶圓402的背面之后，將低溫密封玻璃114在蝕刻井112周圍涂覆至晶圓402的正面，如圖6所示。在將引線附連至晶圓402的背面之后，將晶圓放置于新的移動載體上，該移動載體被設(shè)計(jì)成在玻璃焊膏被絲網(wǎng)印刷至晶圓的正面時容納引線。以跑道圖案涂覆此種玻璃焊膏以圍繞井112 (參見圖I及圖3)，使得槽118也填充有此種焊膏，隨后進(jìn)行熱處理以燒盡殘余的有機(jī)物并涂覆密封玻璃114以準(zhǔn)備將硅覆蓋層104氣密性地密封至基板102。沉積于槽118中的玻璃焊膏的量是通過改變在印刷中所使用的絲網(wǎng)的設(shè)計(jì)而調(diào)整，以及通過使用雙層絲網(wǎng)印刷工藝來調(diào)整。在優(yōu)選實(shí)施例中，絲網(wǎng)的跑道圖案在槽118的位置處略微地變細(xì)，以改變所沉積的玻璃焊膏的量。槽118中的密封玻璃的量應(yīng)足以在硅覆蓋層104被密封至基板102時圍繞光纖106而形成連續(xù)的氣密性密封，但不會過量而影響裝置的光學(xué)性能，優(yōu)選地，密封玻璃114被選擇成熔融溫度 低于密封玻璃310，以在硅覆蓋層104與基板102之間形成密封時保持結(jié)構(gòu)完整性。最后，通過切割將完工的部件與晶圓分離。在切割過程中，通常使用水作為切割潤滑劑/冷卻劑。然而，在使用金剛石鋸進(jìn)行晶圓切割過程中，低溫密封玻璃(例如，此處所使用者)容易與水反應(yīng)。具體而言，密封玻璃114在切割過程中的劣化可導(dǎo)致硅覆蓋層104與硅基板102的不良密封，從而降低封裝的光學(xué)性能及氣密性。除供水以外再添加用于切割的切割潤滑劑(例如，由位于北卡羅來納州羅利市(Raleigh，NC)的UDM系統(tǒng)公司(UDMSystems)提供的L300)會使水與密封玻璃的反應(yīng)性低于原本應(yīng)有的反應(yīng)性。較佳地，本發(fā)明提供一種用于同軸式光纖裝置的非?？煽康臍饷苄苑庋b，所述封裝可使用微機(jī)加工硅的晶圓級處理以及批處理技術(shù)而以高的成本效益制成。顯然，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可輕易地修改本發(fā)明的教示內(nèi)容。就此而言，替代實(shí)施例可使用UV激光切割技術(shù)在硅基板中形成垂直壁孔。作為另一選擇，可通過利用機(jī)器人分配材料而在晶圓級上涂覆玻璃焊膏，然而，分配技術(shù)將會延長晶圓處理時間，并難以在晶圓中保持焊膏在饋通孔周圍的精確放置位置。此外，可通過使用更大的硅晶圓(例如，150 mm或200 mm (分別約為6"及8" cm)直徑)來增大晶圓級處理的規(guī)模，從而顯著地增加每個晶圓上單個部件的數(shù)目。此外，通過使用替代方法(例如，在切割之前在密封玻璃上涂覆保護(hù)涂層，并在切割之后移除該涂層)而非使用切割潤滑劑，替代實(shí)施例可在對單個部件進(jìn)行切割操作期間保護(hù)密封玻璃。雖然本文已詳細(xì)地顯示并闡述了包含本發(fā)明教示內(nèi)容的各種實(shí)施例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可輕易地設(shè)想出許多仍利用這些教示內(nèi)容的其他實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種用于封閉及氣密性地密封同軸式光纖裝置(106，108，110)的封裝(100)，其特征在于，所述封裝包括 第一輸入光纖(106)； 第二輸出光纖(106)； 硅基板(112)，具有至少一個錐形的V形槽(118)，以用于容納及緊固所述輸入光纖或所述輸出光纖； 中心井(112)，被蝕刻至所述基板中并容納至少一個光電二極管； 硅覆蓋層(104)及所述硅基板；以及 至少一個氣密性電饋通件，其包含孔(306，308 )及電引線，所述孔(306，308 )具有實(shí)質(zhì) 上垂直的側(cè)壁，所述電引線具有突出結(jié)構(gòu)(302，304)，所述突出結(jié)構(gòu)(302，304)延伸入所述孔中，且其中所述突出結(jié)構(gòu)與所述孔的所述側(cè)壁之間的空間中填充有玻璃焊料(310)。
2.一種用于將電引線(122，124)附連至硅晶圓(402)的固定裝置，包括具有狹槽(510)的頂部梳狀固定裝置(506)，所述狹槽(510)以規(guī)則的間距被機(jī)加工至所述固定裝置中，其特征在于，所述固定裝置是由隔熱陶瓷材料制成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于同軸式光纖裝置(例如光纖分接頭(106，108，110))的氣密性密封的引腳式封裝(100)。所述封裝較佳地采用電饋通件，且所述電饋通件與微機(jī)加工硅晶圓(402)的批處理工藝兼容。
文檔編號G02B6/42GK102884459SQ201180015705
公開日2013年1月16日 申請日期2011年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月12日
發(fā)明者C·D·葡歐, A·C·吉羅士, C·S·特朗柏 申請人:艾潔萊特公司