專利名稱：石榴石型單晶、光隔離器及激光加工機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及石榴石型單晶、光隔離器及激光加工機(jī)。
背景技術(shù)：
光隔離器具有利用磁場(chǎng)的施加使入射光的偏振面旋轉(zhuǎn)的法拉第旋光器，近年來，不僅在光通信中，在激光加工機(jī)中也逐漸開始使用。作為這樣的在光隔離器中使用的法拉第旋光器，以往以來已知有鋱 鈧 鋁 石榴石型單晶(TSAG =Tb3Sc2Al3O12)(下述非專利文獻(xiàn)I)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)I:吉川，外5名，“法拉第旋光器用Tb3Sc2Al3O12單晶的直拉法生長(zhǎng)”(Crochral ski growth of Tb3Sc2Al3O12 single crystal forFaraday rotator),材料 石開究·公報(bào)(Materials Research Bulletin), 2001 年，第 37 卷，ρ· I — 10

發(fā)明內(nèi)容
但是，上述非專利文獻(xiàn)I中記載的石榴石型單晶雖然具有透明性，但有時(shí)單晶會(huì)產(chǎn)生裂紋。本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，目的在于提供一種具有透明性且能夠充分抑制裂紋的產(chǎn)生的石榴石型單晶、光隔離器及激光加工機(jī)。本發(fā)明人等為了解決上述課題進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在非專利文獻(xiàn)I的單晶中，通過用Sc置換Tb的一部分，從而能夠解決上述課題，完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明的石榴石型單晶，以下述通式表示(Tb3_xScx (S(VyAly) Al3O12-Z(I)(式中，X滿足 O < X < 0. I)。該單晶具有透明性且能夠充分抑制裂紋的產(chǎn)生。其中，特別是對(duì)于可充分抑制裂紋的產(chǎn)生的理由，本發(fā)明人等推測(cè)原因是通過Tb的一部分被Sc置換，從而使石榴石結(jié)構(gòu)穩(wěn)定化。另外，上述石榴石型單晶優(yōu)選用于法拉第旋光器。在上述通式(I)中，優(yōu)選y和ζ同時(shí)滿足下式O ^ y ^ 0. 2O 彡 ζ 彡 0.3。此時(shí)，與y和ζ偏離上述范圍的情況相比，能夠更充分地抑制單晶的透射率的降低。在上述通式(I)中，進(jìn)一步優(yōu)選x、y以及ζ滿足下式0. 05 彡 X 彡 0. 070. 07 ^ y ^ 0. 11
O. 08 彡 ζ 彡 O. 12。滿足上述式的單晶在1064nm的波長(zhǎng)處具有更大的弗爾德常數(shù)。因此，滿足上述式的石榴石型單晶極其適于用作以Nd:YAG激光作為光源的激光加工機(jī)的光隔離器中使用的法拉第旋光器用單晶。另外，本發(fā)明的光隔離器，是具有法拉第旋光器的光隔離器，上述法拉第旋光器由上述石榴石型單晶構(gòu)成。在本發(fā)明的光隔離器中，法拉第旋光器由上述石榴石型單晶構(gòu)成，由于能夠由上述單晶大量地得到法拉第旋光器，所以能夠使法拉第旋光器低價(jià)格化。因此，如果利用本發(fā)明的光隔離器，則能夠低價(jià)格化。 此外，本發(fā)明的激光加工機(jī)，具有上述光隔離器。根據(jù)本發(fā)明的激光加工機(jī)，由于石榴石型單晶為透明的，所以石榴石型單晶所致的光的吸收減少。因此，能夠提高光隔離器的光的耐損傷性。并且，由于能夠抑制結(jié)晶內(nèi)的晶格缺陷等，所以不會(huì)產(chǎn)生裂紋。因此，能夠使光隔離器長(zhǎng)壽命化。其結(jié)果能夠在光加工機(jī)中減少光隔離器的交換頻率。根據(jù)本發(fā)明，提供一種具有透明性且能夠充分抑制裂紋的產(chǎn)生的石榴石型單晶、光隔離器以及激光加工機(jī)。


圖I是表示本發(fā)明的光隔離器的一個(gè)實(shí)施方式的圖。圖2是表示培育本發(fā)明的石榴石型單晶的工序的工序圖。圖3是表不本發(fā)明的激光加工機(jī)的一個(gè)實(shí)施方式的簡(jiǎn)圖。
具體實(shí)施例方式以下，邊參照附圖邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。圖I是表示本發(fā)明的光隔離器的一個(gè)實(shí)施方式的圖。如圖I所示，光隔離器10具備起偏器I、檢偏器2以及配置在起偏器I與檢偏器2之間的法拉第旋光器3。其中，偏振器I和檢偏器2以它們的透射軸彼此相互成為非平行的方式，例如以形成45°角度的方式而配置。例如沿著從起偏器I朝向檢偏器2的方向，即沿著光的入射方向?qū)Ψɡ谛馄?施加磁場(chǎng)B,法拉第旋光器3因磁場(chǎng)B的施加,使通過起偏器I的光L的偏振面旋轉(zhuǎn),使其通過檢偏器2的透射軸。在此，詳細(xì)說明法拉第旋光器3。法拉第旋光器3，由以下述通式表示的法拉第旋光器用石榴石型單晶構(gòu)成。(Tb3_xScx (Sc2 —yAly)Al3012_z(I)(上述式中，X滿足O< X < O. I)在此，以上述通式(I)表示的單晶表示鋪 鈧 招 石槽石型單晶。上述通式(I)表不的單晶以Tb3Sc2Al3O12為基準(zhǔn)時(shí),利用(Sc2_yAly)的部分表不Sc的一部分可被Al置換，利用(Tb3 _xScx)的部分表不Tb的一部分可被Sc置換。根據(jù)上述通式(I)表不的石槽石型單晶，至少在紅外光和可見光的波長(zhǎng)區(qū)域具有透明性且能夠充分抑制切出時(shí)的裂紋的產(chǎn)生。在上述通式(I)中，X滿足O < X < O. I。如果X為0，則單晶切出時(shí)，單晶產(chǎn)生裂紋。如果X為O. I以上，則在結(jié)晶中有第2相結(jié)晶而無法實(shí)現(xiàn)單晶。X優(yōu)選為O. 04 O. 09。在上述通式(I)中，y通常為O O. 2，優(yōu)選為O. 02 O. 2。在上述通式(I)中，ζ通常為O O. 3,優(yōu)選為O O. 2。應(yīng)予說明，ζ不為O時(shí),氧原子數(shù)小于石榴石型結(jié)晶中的氧原子數(shù)，即小于12，這是由單晶中的缺陷引起的。特別是為了更充分地抑制因氧缺陷引起的透光率的降低，所以在上述通式(I)中，優(yōu)選y和ζ同時(shí)滿足下式O ^ y ^ O. 2O ^ z ^ O. 3o·其中，在將法拉第旋光器3用于以Nd:YAG (振蕩波長(zhǎng)1064nm)為光源的激光加工機(jī)的光隔離器情況下，為了使弗爾德常數(shù)更大，優(yōu)選在上述通式(I)中，X、I以及ζ同時(shí)滿足下式O. 05 彡 X 彡 O. 07O. 07 ^ y ^ O. 11O. 08 彡 ζ 彡 O. 12。接著，對(duì)上述單晶的培育方法進(jìn)行說明。首先，在說明單晶的培育方法之前，邊參照?qǐng)D2邊對(duì)培育上述單晶的結(jié)晶培育裝置進(jìn)行說明。圖2是表示培育本發(fā)明的法拉第旋光器用石榴石型單晶的工序的工序圖。如圖2所示，結(jié)晶培育裝置20主要具備銥制坩堝21、收容坩堝21的陶瓷制的筒狀容器22以及在筒狀容器22周圍卷繞的高頻線圈23。高頻線圈23用于使坩堝21產(chǎn)生感應(yīng)電流來加熱坩堝21。接著，對(duì)使用上述結(jié)晶培育裝置20的上述單晶的培育方法進(jìn)行說明。首先，準(zhǔn)備Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末。然后，如果應(yīng)當(dāng)培育的單晶組成即上述通式(I)中的x、y、z確定，則根據(jù)該組成來決定Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的配合率。此時(shí)，上述Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末如下所述。S卩，通常以Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的總計(jì)摩爾數(shù)為基準(zhǔn)，Tb4O7粉末的配合率為21. O 23. I摩爾％。通常以Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的總計(jì)摩爾數(shù)為基準(zhǔn)，Sc2O3粉末的配合率為30. 8 33. 5摩爾％。通常以Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的總計(jì)摩爾為基準(zhǔn)，Al2O3粉末的配合率為45. O 46. I摩爾％。然后，以該決定的配合率將上述Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末干式混合而得到混合粉末。接下來，將上述混合粉末裝入坩堝21。接著，對(duì)高頻線圈23施加電流。然后，坩堝21被加熱，在坩堝21內(nèi)混合粉末熔融而得到熔液24。接下來，準(zhǔn)備棒狀的籽晶25，將該籽晶25的前端浸潰于熔液24后，邊以規(guī)定的轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)籽晶25邊以規(guī)定的提拉速度提拉。此時(shí)，例如可以使用釔·鋁·石榴石(YAG)等石榴石型單晶作為籽晶25。
籽晶25的轉(zhuǎn)數(shù)優(yōu)選為3 50rpm,更優(yōu)選為3 lOrpm。籽晶25的提拉速度優(yōu)選為O. I 3mm/h,更優(yōu)選為O. 2 lmm/h。籽晶25的提拉優(yōu)選在非活性氣體環(huán)境下進(jìn)行，作為非活性氣體，通常使用氮?dú)?。另外，籽?5的提拉通常在大氣壓下進(jìn)行。如果這樣提拉籽晶25，則能夠在籽晶25的前端得到上述通式(I)表示的塊狀的單晶26。接著，邊參照?qǐng)D3邊對(duì)本發(fā)明的激光加工機(jī)進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)予說明，在圖3中，對(duì)與圖I相同或等同的構(gòu)成要素標(biāo)以相同符號(hào)，省略重復(fù)的說明。圖3是表不本發(fā)明的激光加工機(jī)的一個(gè)實(shí)施方式的簡(jiǎn)圖。如圖3所不,激光加工機(jī)100具備激光源11和在從激光源11射出的激光L的光路P上配置的光隔離器10。根據(jù) 該激光加工機(jī)100，從激光源11射出的激光L通過光隔離器10射出，利用該射出光能夠加工被加工體Q。此處，在光隔離器10的法拉第旋光器中使用的石榴石型單晶具有透明性，所以石榴石型單晶所致的光的吸收減少。因此，也能夠提高法拉第旋光器3的光的耐損傷性。另外，如果是作為法拉第旋光器3使用的上述石榴石型單晶，則能夠抑制結(jié)晶內(nèi)的晶格缺陷等，所以不會(huì)產(chǎn)生裂紋。因此，能夠使光隔離器10長(zhǎng)壽命化。其結(jié)果是在激光加工機(jī)100中能夠減少光隔離器10的交換頻率。作為激光源11，例如可以使用振蕩波長(zhǎng)為106411111以上的激光源，例如制16激光或振蕩波長(zhǎng)為IOSOnm的摻Y(jié)b纖維激光器。另外，作為激光源11，還可以使用振蕩波長(zhǎng)低于1064nm的激光源。作為振蕩波長(zhǎng)低于1064nm的激光源,例如可以使用振蕩波長(zhǎng)為400 700nm的激光源。作為振蕩波長(zhǎng)為400 700nm的激光源,例如可舉出振蕩波長(zhǎng)為405nm的GaN系半導(dǎo)體激光器、振蕩波長(zhǎng)為700nm的鈦藍(lán)寶石激光器等。應(yīng)予說明，激光源11的振蕩波長(zhǎng)在700 1064nm的范圍內(nèi)，例如可以為800nm附近，或者也可以為1030 1080nm。另外，在上述實(shí)施方式中，石榴石型單晶在激光加工機(jī)的光隔離器中使用，但并不限于光隔離器，也可以適用于通過使用法拉第旋光器來測(cè)量法拉第旋轉(zhuǎn)角的變化從而觀測(cè)磁場(chǎng)的變化的光磁場(chǎng)傳感器等。另外，石榴石型單晶也可適用于法拉第旋光器以外的用途。實(shí)施例以下，舉出實(shí)施例來更具體地說明本發(fā)明的內(nèi)容，但本發(fā)明不限于下述實(shí)施例。(實(shí)施例I)首先，準(zhǔn)備Tb4O7粉末(純度99. 99%)、Sc2O3粉末(純度99. 99%)以及Al2O3粉末(純度99. 99%)，將這些粉末干式混合而得到混合粉末。此時(shí)，將以Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的總計(jì)摩爾數(shù)為基準(zhǔn)(100摩爾％)的Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的配合率分別設(shè)為23. I摩爾％、30. 8摩爾％以及46. I摩爾％。接下來，將上述混合粉末裝入直徑50mm、深度50mm的筒狀的坩堝21中。接著，對(duì)高頻線圈23施加電流，加熱坩堝21來熔融混合粉末而得到熔液24。接下來，準(zhǔn)備由YAG (釔 鋁·石榴石)構(gòu)成的3X3X70mm的角棒狀的籽晶25，將該籽晶25的前端浸潰于熔液24后，邊以IOrpm的轉(zhuǎn)數(shù)旋轉(zhuǎn)籽晶25邊以lmm/h的提拉速度提拉。此時(shí)，使氮?dú)庖?L/min的流量流入筒狀容器22內(nèi)，在大氣壓下、氮?dú)猸h(huán)境中提拉籽晶25。由此，得到直徑約2. 5cm、長(zhǎng)度約5cm的透明單晶。
對(duì)這樣得到的單晶進(jìn)行X射線衍射的結(jié)果，確認(rèn)了 Tb3Sc2Al3O12的峰。另外，使用Bruker AXS公司制SMART APEX，對(duì)得到的單晶進(jìn)行利用單晶X射線衍射的結(jié)構(gòu)解析，結(jié)果可以確認(rèn)Tb的一部分被Sc置換，Sc的一部分被Al置換，氧原子的一部分缺失。進(jìn)而，對(duì)上述單晶進(jìn)行利用ICP (電感耦合等離子體)的化學(xué)分析，確認(rèn)了單晶的組成(Tb、Sc、Al以及O的原子數(shù)比)。利用ICP的化學(xué)分析具體如下進(jìn)行。即，首先從單晶的直晶身部下端切出50mg，得到切片。接著，將切片放入鉬金坩堝中，然后加入四硼酸鋰250mg。接下來，將該鉬金坩堝收容至高溫加熱爐，在1030°C加熱2小時(shí)，使切片熔解。之后放冷鉬金坩堝后，將切片放入50ml的燒杯中，進(jìn)一步添加20mlHCl。接著，將燒杯配置在熱板上緩慢加熱，從切片使各元素成分(Tb、Sc以及Al)溶解到HCl中。此時(shí)，將燒杯內(nèi)得到的溶液稀釋至50ml，對(duì)該溶液進(jìn)行利用了 ICP的化學(xué)分析。其結(jié)果確認(rèn)得到了具有(Tb2.96SCa(l4)(Sc1.87A10.13) AI3Oil9 的組成的單晶。(實(shí)施例2)
首先，準(zhǔn)備Tb4O7粉末(純度99. 99%)、Sc2O3粉末(純度99. 99%)以及Al2O3粉末(純度99. 99%)，將這些粉末干式混合，得到混合粉末。此時(shí)，將以Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的總計(jì)摩爾數(shù)為基準(zhǔn)(100摩爾％)的Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的配合率分別設(shè)為22. I摩爾％、32. I摩爾％以及45. 8摩爾％。接著，將上述混合粉末裝入直徑50mm、深度50mm的筒狀的坩堝21中。之后與實(shí)施例I同樣地培育單晶。由此得到直徑約2. 5cm、長(zhǎng)度約5cm的透明的單晶。對(duì)這樣得到的單晶進(jìn)行X射線衍射，結(jié)果確認(rèn)了 Tb3Sc2Al3O12的峰。另外，對(duì)得到的單晶進(jìn)行利用了單晶X射線衍射的結(jié)構(gòu)解析，結(jié)果確認(rèn)了 Tb的一部分被Sc置換，Sc的一部分被Al置換，氧原子的一部分缺失。進(jìn)而，與實(shí)施例I同樣地對(duì)單晶進(jìn)行利用了 ICP的化學(xué)分析，結(jié)果確認(rèn)得到了具有(Tb2.94Sc0.06) (Sc1.91A10.09) AI3Oil9 的組成的單晶。(實(shí)施例3)首先，準(zhǔn)備Tb4O7粉末(純度99. 99%)、Sc2O3粉末(純度99. 99%)以及Al2O3粉末(純度99. 99%)，將這些粉末干式混合得到混合粉末。此時(shí)，將以Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的總計(jì)摩爾數(shù)為基準(zhǔn)(100摩爾％)的Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的配合率分別設(shè)為21. 2摩爾％、33. 3摩爾％以及45. 5摩爾％。接著，將上述混合粉末裝入直徑50mm、深度50mm的筒狀的坩堝21中。之后與實(shí)施例I同樣地培育單晶。這樣得到直徑約2. 5cm、長(zhǎng)度約5cm的透明單晶。對(duì)這樣得到的單晶進(jìn)行X射線衍射，結(jié)果確認(rèn)了 Tb3Sc2Al3O12的峰。另外，對(duì)得到的單晶進(jìn)行利用了單晶X射線衍射的結(jié)構(gòu)解析，結(jié)果確認(rèn)Tb的一部分被Sc置換，Sc的一部分被Al置換，氧原子的一部分缺失。進(jìn)而，與實(shí)施例I同樣地對(duì)單晶進(jìn)行利用了 ICP的化學(xué)分析，結(jié)果確認(rèn)得到了具有(Tb2.91Sc0.09) (Scl97AI0^3)AI3Oil9 的組成的單晶。(實(shí)施例4)首先，準(zhǔn)備Tb4O7粉末(純度99. 99%)、Sc2O3粉末(純度99. 99%)以及Al2O3粉末(純度99. 99%)，將這些粉末干式混合，得到混合粉末。此時(shí)，將以Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的總計(jì)摩爾數(shù)為基準(zhǔn)(100摩爾％)的Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的配合率分別設(shè)為22. 6摩爾％、31. 4摩爾％以及46. O摩爾％。接著，將上述混合粉末裝入直徑50mm、深度50mm的筒狀的坩堝21中。之后與實(shí)施例I同樣地培育單晶。這樣得到直徑約2. 5cm、長(zhǎng)度約5cm的透明的單晶。對(duì)這樣得到的單晶進(jìn)行X射線衍射，結(jié)果確認(rèn)了 Tb3Sc2Al3O12的峰。另外，對(duì)得到的單晶進(jìn)行利用了單晶X射線衍射的結(jié)構(gòu)解析，結(jié)果確認(rèn)了 Tb的一部分被Sc置換，Sc的一部分被Al置換，氧原子的一部分缺失。進(jìn)而，與實(shí)施例I同樣地對(duì)單晶進(jìn)行利用了 ICP的化學(xué)分析，結(jié)果確認(rèn)得到了具有 (Tb2.99Sc0.01) (Sc1.85A10.15) Al3O11.9 組成的單晶。(比較例I)首先，準(zhǔn)備Tb4O7粉末(純度99. 99%)、Sc2O3粉末(純度99. 99%)以及Al2O3粉末(純度99. 99%)，將這些粉末干式混合，得到混合粉末。此時(shí)，將以Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的總計(jì)摩爾數(shù)為基準(zhǔn)(100摩爾％)的Tb4O7粉末、Sc2O3粉末以及Al2O3粉末的配合率分別設(shè)為22. 7摩爾％、31. 3摩爾％以及46. O摩爾％。接著，將上述混合粉末裝入直徑50mm、深度50mm的筒狀的坩堝21中。之后與實(shí)施例I同樣地培育單晶。這樣得到直徑約2. 5cm、長(zhǎng)度約5cm的透明單晶。對(duì)這樣得到的單晶進(jìn)行X射線衍射，結(jié)果確認(rèn)了 Tb3Sc2Al3O12的峰。另外，對(duì)得到的單晶進(jìn)行利用了單晶X射線衍射的結(jié)構(gòu)解析，結(jié)果確認(rèn)了 Sc的一部分被Al置換，氧原子的一部分缺失。進(jìn)而，與實(shí)施例I同樣地對(duì)單晶進(jìn)行利用了 ICP的化學(xué)分析，結(jié)果確認(rèn)得到了具有Tb3 (Sch85Alai5) Al3O11.8 的組成的單晶。[特性評(píng)價(jià)](I)裂紋的有無利用安裝了電沉積金剛石刀片的內(nèi)圓刃切割機(jī)，從實(shí)施例I 4和比較例I的單晶切出約2cm厚的結(jié)晶塊，目視觀察單晶切出時(shí)裂紋的有無。將結(jié)果示于表I。(2)法拉第旋轉(zhuǎn)角對(duì)如上述那樣得到的實(shí)施例I 4和比較例I的單晶，測(cè)定在633nm、1064nm以及1303nm的波長(zhǎng)處的法拉第旋轉(zhuǎn)角。法拉第旋轉(zhuǎn)角的測(cè)定如下進(jìn)行。即，首先以在起偏器與檢偏器之間不配置單晶的狀態(tài)使檢偏器旋轉(zhuǎn)成消光狀態(tài)。接著，將實(shí)施例I 4和比較例I的單晶切出3. 5X3. 5 X 20mm的角棒狀，將其配置到起偏器與檢偏器之間，在沿單晶的長(zhǎng)度方向施加了 O. 42T的磁通密度的狀態(tài)下入射光，再次使檢偏器旋轉(zhuǎn)成消光狀態(tài)。然后，計(jì)算在起偏器與檢偏器之間夾持單晶前的檢偏器的旋轉(zhuǎn)角與夾持單晶后的檢偏器的旋轉(zhuǎn)角之差，將該角度差作為法拉第旋轉(zhuǎn)角。此時(shí)，分別測(cè)定在光源波長(zhǎng)633nm、1064nm以及1303nm處的法拉第旋轉(zhuǎn)角。將結(jié)果示于表I。表I
權(quán)利要求
1.一種石榴石型單晶，其特征在于，以下述通式表示(Tb3 —xScx) (Sc2 _yAly) Al3O12 _z(I) 式中，X滿足0 < X < 0. I。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的石榴石型單晶，其用于法拉第旋光器。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的石榴石型單晶，其中，在所述通式(I)中，y和z滿足下式O ^ y ^ O. 2O ^ z ^ O. 3o
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的石榴石型單晶，其中，在所述通式(I)中，X、y以及z滿足下式O. 05 彡 X 彡 O. 07O. 07 ^ y ^ O. 11O. 08 彡 z 彡 O. 12。
5.一種光隔離器，其特征在于，是具有法拉第旋光器的光隔離器，所述法拉第旋光器由權(quán)利要求I 4中任一項(xiàng)所述的石榴石型單晶構(gòu)成。
6.—種激光加工機(jī),其特征在于,具有權(quán)利要求5所述的光隔離器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種石榴石型單晶，其由下述通式表示(Tb3－xScx)(Sc2－yAly)Al3O12－z (1)(式中，x滿足0＜x＜0.1)。
文檔編號(hào)G02F1/09GK102959139SQ201180031769
公開日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月26日
發(fā)明者船木秋晴, 畑中翼, 島村清史, 比略拉·恩卡納西翁·安東尼亞·加西亞 申請(qǐng)人:株式會(huì)社藤倉(cāng), 獨(dú)立行政法人物質(zhì)·材料研究機(jī)構(gòu)