專利名稱：制造三維集成電路的系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路之制造。詳言之，本發(fā)明系關(guān)于一種制造三維(3-D)集成電路之系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
受惠于半導(dǎo)體集成電路(IC)技術(shù)之突飛猛進，動態(tài)矩陣液晶電視(AMLCD TV)及計算機顯示器之制程已有長足進步。近年來，液晶電視及計算機顯示器之尺寸不斷放大，但價格則逐漸大眾化。就半導(dǎo)體IC而言，各技術(shù)世代系由電路設(shè)計規(guī)則中之關(guān)鍵尺寸(⑶)加以定義。隨著技術(shù)世代之演進，新世代IC之圖征關(guān)鍵尺寸目標值逐漸縮小，誤差容許度亦更趨嚴格。但就平板顯示器(FPD)而言，各技術(shù)世代系依照制程中所用基板之實體尺寸加以分類。例如，F(xiàn)ro分別于2005、2007及2009年進入第六代(G6)、第八代(G8)及第十代(GlO)，其對應(yīng)之基板尺寸(毫米X毫米)分別為1500xl800、2160x2460及2880x3080。無論是半導(dǎo)體IC或FPD基板,其微影(lithography)制程所面臨之挑戰(zhàn)均為如何一方面加大產(chǎn)品之尺寸，一方面使產(chǎn)品平價化；但兩者之制程卻截然不同。IC業(yè)界之一主要挑戰(zhàn)，系于直徑300毫米之晶圓上形成具有小關(guān)鍵尺寸之圖征，其目標為盡可能提高晶體管之安裝數(shù)量，以使相同大小之芯片具有更佳功能。然而，F(xiàn)H)業(yè)界之一主要挑戰(zhàn)系盡可能加大可處理之矩形基板尺寸，因為生產(chǎn)在線所能處理之FPD基板愈大，則所能制造之電視或顯示器愈大，且成本愈低。為提高效能，一般液晶電視及顯示器之設(shè)計均采用較為復(fù)雜之薄膜晶體管(TFT)，但TFT之關(guān)鍵尺寸目標值仍停留在相同之規(guī)格范圍內(nèi)。從某一觀點而言，F(xiàn)PD制程之一主要挑戰(zhàn)，系使后續(xù)各世代之單位時間產(chǎn)出量均具有合理之成本效益，而其中一項重要之考慮因素系令制程良率達到獲利水平，同時維持適當(dāng)之制程窗口。常規(guī)用于制造Fro之微影技術(shù)系由制造IC之微影制程演變而來。Fro基板所用之微影曝光工具大多為步進式及/或掃描式投影系統(tǒng)，其中從光罩至基板之投影比例共有二比一(縮小)與一比一兩種。為將光罩圖案投影至基板，光罩本身便須依可接受之關(guān)鍵尺寸規(guī)格制造。FPD之光罩制程與半導(dǎo)體IC之光罩制程類似，不同之處在于:制造半導(dǎo)體IC所用之光罩尺寸約為每邊150毫米(約6英寸)，而制造FPD所用之光罩，其每邊尺寸在一實例中可為前述每邊尺寸之八倍左右，即每邊超過一米。請參閱圖la，圖中繪示一用以將光罩圖案掃描至FH)基板之投影曝光工具常規(guī)架構(gòu)。此架構(gòu)所用之曝光光源主要為高壓短弧汞(Hg)燈。入射之照明光經(jīng)由反射鏡102反射后，依序通過光罩104及投影透鏡106，最后到達FH)基板108。然而，若欲以圖1a所示之常規(guī)光罩式曝光工具架構(gòu)為新世代之FPD進行微影制程，必須解決光罩尺寸日益加大之問題。以第八代FH)為例，其光罩尺寸約為1080毫米X1230毫米，而第八代基板之面積則為其四倍。由于TFT之關(guān)鍵尺寸規(guī)格在3微米±10%之范圍內(nèi)，如何在每邊超過兩米之第八代基板上控制TFT之關(guān)鍵尺寸實乃一大挑戰(zhàn)；相較于在直徑300毫米之硅晶圓上微影制印先進IC圖案并控制其規(guī)格，前者難度更高。FH)業(yè)界所須解決之問題，系如何以符合成本效益之方式建造出適用于新世代FPD之光罩式曝光工具，同時保留可接受之微影制程能力區(qū)限(又稱制程窗口)。若欲減少FPD曝光區(qū)域內(nèi)關(guān)鍵尺寸不一致之情形，方法之一系使用多重曝光法，其中標稱曝光量系由多個依適當(dāng)比例分配之曝光分量所組成，而每一曝光分量則使用預(yù)選波長之照明，并搭配對應(yīng)之投影透鏡以完成掃描及步進。此類曝光工具須包含多于一個投影透鏡，但僅配有單一照明光源，其原因在于必須使用以千瓦(KW)計之高輸出功率短弧汞燈照明光源。至于選擇曝光波長之方式，系于光源處安裝適當(dāng)之濾光鏡。在一實例中，此多波長曝光法可降低第八代基板上關(guān)鍵尺寸均一性所可能受到之負面影響，故可使用較平價之透鏡及照明設(shè)備。在使用多波長曝光法時，必須為光罩本身訂定較嚴格之關(guān)鍵尺寸目標值及關(guān)鍵尺寸均一度。在一實例中，TFT光罩之關(guān)鍵尺寸誤差容許值小于100納米，此數(shù)值遠小于光罩關(guān)鍵尺寸標稱目標值3微米所需之誤差容許值。這對于使用現(xiàn)有曝光工具架構(gòu)的制程方式而言，較易于掌控FPD微影制程之制程窗口。然而，對FPD光罩關(guān)鍵尺寸規(guī)格之要求愈嚴，將使原本即所費不貲之光罩組愈加昂貴。在某些情況下，為第八代FPD制作關(guān)鍵光罩之成本極高，且備貨期甚長。常規(guī)方法之另一問題在于，使用大型光罩時不易進行瑕疵密度管控。以大型光罩進行多重曝光之微影制程時，即使一開始使用全無瑕疵之光罩，最后仍有可能出現(xiàn)有害之瑕疵。若制程有產(chǎn)生瑕疵之虞，不但良率將受到影響，光罩成本亦隨之提高。圖1b繪示常規(guī)曝光工具之另一種架構(gòu)。如圖1b所示，該曝光工具包含光源110、第一投影透鏡112、光罩114、第二投影透鏡116、晶圓118及晶圓平臺120。我們可控制光源110，使其光線經(jīng)由第一投影透鏡112射至光罩114，其中該光罩含有待成像于晶圓118之圖案。部分光線將被光罩114阻擋，而部分光線則可通過光罩114并穿透第二投影透鏡116，致使晶圓118曝光。通過光罩114之光線將使晶圓118之特定區(qū)域曝光，從而產(chǎn)生一組對應(yīng)于光罩122上所形成之IC設(shè)計圖案之圖案影像。請注意，該晶圓系固定于晶圓平臺120上，而該晶圓平臺則可在我們之控制下沿箭頭所示方向移動。在一常規(guī)步進系統(tǒng)中，光源110可為藍色可見光或近紫外光，第一投影透鏡112、光罩114與第二投影透鏡116系固定不動，至于晶圓118及用以固定該晶圓之晶圓平臺120則可移動，以使晶圓118上之不同區(qū)域曝光。此步進系統(tǒng)可用于制造解析精度達I至3微米之設(shè)計圖案，例如可制造小尺寸光罩、發(fā)光二極管(LED)，以及第四代與更早世代之平板顯示器。在一常規(guī)掃描系統(tǒng)中，光源110、第一投影透鏡112及第二投影透鏡116均固定不動，而光罩114、晶圓118及用以固定該晶圓之晶圓平臺120則均可移動，以便使晶圓118上之不同區(qū)域曝光。相較于步進系統(tǒng)，掃描系統(tǒng)處理大尺寸光罩及平板顯示器之效率較高，但其價格亦較高。掃描系統(tǒng)大多用于制造基板甚大之第六代或更新世代之平板顯示器。圖1c至圖1e繪示常規(guī)曝光工具固定光罩之多種方式，以及常規(guī)曝光工具如何使光罩對準以進行曝光。在圖1c中系令光罩130與基板晶圓132保持接觸，故此系統(tǒng)一般稱為接觸式對準系統(tǒng)。在圖1d中，光罩130系固定于鄰近基板晶圓132之位置，故此系統(tǒng)一般稱為接近式對準系統(tǒng)。常規(guī)接觸式對準系統(tǒng)與接近式對準系統(tǒng)大多用于制造印刷電路板、觸控面板(25至40微米)、發(fā)光二極管(3至5微米)及太陽能板(> 100微米)，至于接觸式對準系統(tǒng)與接近式對準系統(tǒng)之缺點則包括無法處理高分辨率之設(shè)計圖案、翹曲之晶圓或大于4英寸之基板。圖1e繪示一常規(guī)投影式對準系統(tǒng)，其于光罩130與基板晶圓132之間另設(shè)有一投影透鏡131。此系統(tǒng)大多用于制造5至10微米之電路。此種投影式對準系統(tǒng)較適合以大尺寸之光罩制造平板顯示器之彩色濾光片，但大尺寸光罩之價格甚高。因此，若無法接受較高之光罩成本，則以投影式對準系統(tǒng)制造印刷電路板及發(fā)光二極管便無成本效益可言。圖2繪示一用于制造光罩之曝光工具之常規(guī)架構(gòu)。在此曝光工具架構(gòu)中，射向分光鏡204之照明光202將局部反射并穿過傅利葉透鏡208以照亮空間光調(diào)制器(SLM) 206。此成像光經(jīng)反射后，依序通過傅利葉透鏡208、分光鏡204、傅利葉濾光鏡210及縮小透鏡212,最后到達空白光罩基板216。光罩數(shù)據(jù)214系以電子方式傳送至空間光調(diào)制器206,從而設(shè)定微鏡像素。反射光在空白光罩基板216上產(chǎn)生亮點，而空白光罩基板216上無反射光處則形成暗點。通過控制及編排反射光，即可將光罩數(shù)據(jù)圖案轉(zhuǎn)移至空白光罩基板216上。請注意，在此種曝光工具架構(gòu)中，照明光程系經(jīng)折曲以便垂直射入空間光調(diào)制器。此折曲之照明光程與曝光成像路徑形成T字形。此類曝光系統(tǒng)除使用高功率之照明光源夕卜，亦須使用具有高縮小比率之投影透鏡，以便提高光罩圖案寫入之準確度與精度。基本上，透鏡縮小比率約為100比I。使用具有高縮小比率之投影透鏡時，單一空間光調(diào)制器芯片所產(chǎn)生之曝光區(qū)域甚小?？臻g光調(diào)制器之芯片實體尺寸約為一厘米，經(jīng)縮小100倍后，空間光調(diào)制器之寫入?yún)^(qū)域約為100微米。若欲以此極小之寫入?yún)^(qū)域?qū)懲暌徽诎舜鶩ro光罩，其所需時間甚長。另一常規(guī)方法系以多道激光束循序照射空間光調(diào)制器。此多道光束系由單一照明激光光源經(jīng)旋轉(zhuǎn)式多面反射鏡反射而成。多道照明光束可在特定時間內(nèi)產(chǎn)生多重曝光，因而提高光罩寫入速度。在一實例中，以此方法寫完一片第八代Fro光罩約需20小時。由于寫入時間偏長，控制機器并維持其機械及電子運作之成本亦隨之增加，進而拉高其Fro光罩成品之成本。若將此曝光工具應(yīng)用于第十代或更新世代之FPD光罩，則制造成本恐將更聞。為降低制作少量原型時之光罩成本，另一常規(guī)方法所用之曝光工具架構(gòu)系以透明之空間光調(diào)制器為光罩。此方法系將光罩圖案讀入空間光調(diào)制器中，使其顯現(xiàn)所需之光罩圖案，如此一來便不須使用實體光罩。換言之，此透明空間光調(diào)制器之功能可取代實體光罩，從而節(jié)省光罩成本。就曝光工具之架構(gòu)而言，此方法基本上與光罩式投影系統(tǒng)并無二致。然而，若與實體光罩相比，此空間光調(diào)制器光罩之影像質(zhì)量較低，不符合Fro制程之圖案規(guī)格要求。第6，906，779號美國專利(以下簡稱第‘779號專利)則公開另一種制造顯示器之常規(guī)方法，該方法系利用一滾動條式制程對網(wǎng)狀基板進行同步微影曝光。簡言之，第‘779號專利系將光罩圖案曝光至成卷之基板上。另一種常規(guī)之滾動條式微影制程可參見SeHyun Ahn 等人之專文“ High-Speed Roll-to-Roll Nano imprint Lithography on FlexiblePlastic Substrates(ffiley-VCH Verlag GmbH&C0.KGaA,ffeinheim,Advanced Materials,2008，20，第2044-2049頁(以下簡稱Ahn專文)。然而，上述兩種常規(guī)方法限用預(yù)定尺寸之光罩，而光罩尺寸則實質(zhì)限縮可制造之撓性顯示器之大小。第‘779號專利及Ahn專文所述常規(guī)方法之另一問題在于，若欲達到適當(dāng)之微影制印效果，曝光過程中必須將成卷之基板拉平。如此一來，基板表面之平整度將遜于一般液晶電視屏幕所用之硬式玻璃基板。應(yīng)用此種光罩式微影技術(shù)時，焦深(DOF)會因基板表面不平而受限，因此，上述常規(guī)方法恐難以形成關(guān)鍵尺寸為5微米或以下之TFT圖征。若欲使TFT顯示器之分辨率達一定水平，則TFT光罩圖征之關(guān)鍵尺寸須為3微米左右。在制造未來世代FPD時所可能面臨之上述各種挑戰(zhàn)，乃肇因于FPD業(yè)界亟須降低成本，而主要動機之一，系令新世代產(chǎn)品之制程具有成本效益。微影技術(shù)必須一方面維持產(chǎn)出效率，一方面確保產(chǎn)品良率逐代提升。欲達此目的，必須加大微影制程之制程窗口，并減少制程瑕疵，以因應(yīng)日益增大之Fro基板。一如前述，現(xiàn)有曝光工具架構(gòu)之缺點甚多，其中一主要缺點系與光罩之使用有關(guān)，亦即光罩尺寸過大，導(dǎo)致光罩之制造不符成本效益。由于光罩尺寸勢必持續(xù)加大方能滿足未來世代FPD之需求，此一缺點將愈趨嚴重。因此，需有一種經(jīng)改良之成像寫入系統(tǒng)，以解決常規(guī)工具與方法之諸多問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明系關(guān)于多種用以在微影制程中將光罩數(shù)據(jù)圖案施用于基板之系統(tǒng)及方法。在一實施例中，本發(fā)明之成像系統(tǒng)包含多個空間光調(diào)制器(SLM)成像單元，其中各SLM成像單元包含一個或多個照明光源、一個或多個對準光源、一個或多個投影光源及多個微鏡，該等微鏡可將光線從該一個或多個照明光源投射至對應(yīng)之一個或多個投影透鏡。此成像系統(tǒng)還包含一用以控制該等SLM成像單元之控制器，該控制器可在各SLM成像單元將光罩數(shù)據(jù)寫入一基版之微影制程中，分別調(diào)整該等SLM成像單元。在另一實施例中，一種制造一三維集成電路之方法包含下列步驟:提供一具有多個SLM成像單元之成像寫入系統(tǒng)，其中該等SLM成像單元系排列成一個或多個平行陣列；接收待寫入該三維集成電路中一層或多層之光罩數(shù)據(jù)；處理該光罩數(shù)據(jù)，以形成多個對應(yīng)于該三維集成電路中該一層或多層之分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案；指派一個或多個SLM成像單元負責(zé)處理各分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案；以及控制該等SLM成像單元，以將該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案并行寫入該三維集成電路之該一層或多層。指派一個或多個SLM成像單元負責(zé)處理各分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案之步驟至少包含下列其中之一:根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行縮放比例修正，其中各分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均有一對應(yīng)之縮放比例修正動作；根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行對準狀態(tài)修正，其中各分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均有一對應(yīng)之對準狀態(tài)修正動作；根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行視點間距修正，其中各分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均有一對應(yīng)之視點間距修正動作；根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行轉(zhuǎn)動因子修正，其中各分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均有一對應(yīng)之轉(zhuǎn)動因子修正動作；以及根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行基板變形修正，其中各分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均有一對應(yīng)之基板變形修正動作?？刂圃摰萐LM成像單元之步驟包含:針對各SLM成像單元，使其對應(yīng)之分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案獨立于該成像寫入系統(tǒng)中其它SLM成像單元而曝光。在另一實施例中，一種在一印刷電路板(PCB)上平行制造多個設(shè)計圖案之方法包含下列步驟:提供一具有多個SLM成像單元之成像寫入系統(tǒng)，其中該等SLM成像單元系排列成一個或多個平行陣列；提供一已劃分出多個區(qū)域之印刷電路板，其中各區(qū)域均包含一待制造之設(shè)計圖案；接收待寫入該印刷電路板該多個區(qū)域之光罩數(shù)據(jù)；處理該光罩數(shù)據(jù)，以形成多個對應(yīng)于該印刷電路板該多個區(qū)域之分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案；指派一個或多個SLM成像單元負責(zé)處理各分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案，其中所述指派包含至少執(zhí)行下列其中之一:縮放比例修正、對準狀態(tài)修正、視點間距修正、轉(zhuǎn)動因子修正與基板翹曲修正；以及控制該等SLM成像單元，以將該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案并行寫入該印刷電路板之該多個區(qū)域。在另一實施例中，一種利用部分晶圓之制造方法包含下列步驟:提供一具有多個SLM成像單元之成像寫入系統(tǒng)，其中該等SLM成像單元系排列成一個或多個平行陣列；提供一個或多個待加工制造之部分晶圓；接收光罩數(shù)據(jù)，其中該光罩數(shù)據(jù)系供寫入該一個或多個部分晶圓之基板；處理該光罩數(shù)據(jù)以形成多個分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案，該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案系對應(yīng)于該一個或多個部分晶圓之基板；指派一個或多個SLM成像單元負責(zé)處理各分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案，其中所述指派包含至少執(zhí)行下列其中之一:縮放比例修正、對準狀態(tài)修正、視點間距修正、轉(zhuǎn)動因子修正與基板翹曲修正；以及控制該等SLM成像單元，以將該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案并行寫入該一個或多個部分晶圓之基板。在另一實施例中，一種平行制造多個發(fā)光二極管(LED)之方法包含下列步驟:提供一具有多個SLM成像單元之成像寫入系統(tǒng)，其中該等SLM成像單元系排列成一個或多個平行陣列；提供一個或多個對應(yīng)于該等待制造之LED之基板；接收光罩數(shù)據(jù)，其中該光罩數(shù)據(jù)系供寫入該一個或多個對應(yīng)于該等LED之基板；處理該光罩數(shù)據(jù)以形成多個分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案，該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案系對應(yīng)于該等LED之該等基板；指派一個或多個SLM成像單元負責(zé)處理各分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案；以及控制該等SLM成像單元，以將該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案并行與入該等LED之該等基板。處理該光罩數(shù)據(jù)之步驟至少包含下列其中之一:處理該光罩數(shù)據(jù)以形成多個分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案，其中該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案系對應(yīng)于該等LED之該等基板且為相同之設(shè)計；以及處理該光罩數(shù)據(jù)以形成多個分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案，其中該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案系對應(yīng)于該等LED之該等基板且為不同之設(shè)計?？刂圃摰萐LM成像單元之步驟至少包含下列其中之一:偵測各SLM成像單元相關(guān)基板上各局部區(qū)域之變形狀況，并根據(jù)各基板上各局部區(qū)域之變形狀況調(diào)整對應(yīng)SLM成像單元之焦點；偵測各SLM成像單元相關(guān)基板上各局部區(qū)域之轉(zhuǎn)動誤差，從而決定對應(yīng)分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案之轉(zhuǎn)動修正因子，并將該等轉(zhuǎn)動修正因子應(yīng)用于各SLM成像單元相關(guān)基板之各局部區(qū)域所對應(yīng)之分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案；以及偵測各SLM成像單元相關(guān)基板上各局部區(qū)域因基板變形所造成之圖案扭曲，從而決定對應(yīng)分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案之圖案修正因子，并將該等圖案修正因子應(yīng)用于各SLM成像單元相關(guān)基板之各局部區(qū)域所對應(yīng)之分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案。在另一實施例中，一種執(zhí)行自動光學(xué)檢查之方法包含下列步驟:提供一具有多個SLM成像單元之成像寫入系統(tǒng)，其中該等SLM成像單元系排列成一個或多個平行陣列；提供一個或多個待檢查之圖案化基板；將該一個或多個圖案化基板劃分為多個區(qū)域；接收對應(yīng)于該一個或多個圖案化基板之參考光罩數(shù)據(jù)；處理該參考光罩數(shù)據(jù)以形成多個分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案，該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案系對應(yīng)于該一個或多個圖案化基板之該多個區(qū)域；利用該等SLM成像單元擷取該一個或多個圖案化基板該多個區(qū)域之信息；以對應(yīng)之多個分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案為參照對象，分析該多個區(qū)域之信息，從而產(chǎn)生檢查結(jié)果；以及將該等檢查結(jié)果儲存于一內(nèi)存裝置中。分析該多個區(qū)域之信息之步驟包含:檢查該一個或多個圖案化基板之該多個區(qū)域與對應(yīng)之多個分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案是否有所差異；以及若在該一個或多個圖案化基板之一個或多個區(qū)域中找出差異，則在該一個或多個圖案化基板中辨識出該一個或多個區(qū)域以便修復(fù)。檢查差異之步驟至少包含下列其中之一:以對應(yīng)之多個分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案為參照對象，檢查該一個或多個圖案化基板之該多個區(qū)域是否出現(xiàn)基板圖案扭曲，若在該一個或多個圖案化基板之一個或多個區(qū)域中發(fā)現(xiàn)基板圖案扭曲，則在該一個或多個圖案化基板中辨識出該一個或多個區(qū)域以便修復(fù)；檢查該一個或多個圖案化基板之該多個區(qū)域是否包含不應(yīng)出現(xiàn)在基板上之額外電路組件，若在該一個或多個圖案化基板之一個或多個區(qū)域中發(fā)現(xiàn)不應(yīng)出現(xiàn)之額外電路組件，則在該一個或多個圖案化基板中辨識出該一個或多個區(qū)域以便修復(fù)；檢查該一個或多個圖案化基板之該多個區(qū)域是否缺漏本應(yīng)出現(xiàn)在基板上之電路組件，若在該一個或多個圖案化基板之一個或多個區(qū)域中發(fā)現(xiàn)缺漏之電路組件，則在該一個或多個圖案化基板中辨識出該一個或多個區(qū)域以便修復(fù)；以及檢查該一個或多個圖案化基板之該多個區(qū)域是否出現(xiàn)外來微粒，若在該一個或多個圖案化基板之一個或多個區(qū)域發(fā)現(xiàn)外來微粒，則在該一個或多個圖案化基板中辨識出該一個或多個區(qū)域以便修復(fù)。該執(zhí)行自動光學(xué)檢查之方法還包含下列步驟:在該一個或多個圖案化基板之該一個或多個經(jīng)辨識為須予以修復(fù)之區(qū)域上，重新涂布基板光阻；在該一個或多個圖案化基板之該一個或多個經(jīng)辨識為須予以修復(fù)之區(qū)域上，執(zhí)行圖案之重建；利用該等SLM成像單元，重新檢查該一個或多個圖案化基板之該一個或多個經(jīng)辨識為須予以修復(fù)之區(qū)域；以及根據(jù)該重新檢查所得之信息，更新該等檢查結(jié)果。該執(zhí)行自動光學(xué)檢查之方法還包含下列步驟:在該一個或多個圖案化基板之該多個區(qū)域上，重新涂布基板光阻；在該一個或多個圖案化基板之該多個區(qū)域上，執(zhí)行圖案之重建；利用該等SLM成像單元，重新檢查該一個或多個圖案化基板之該多個區(qū)域；以及根據(jù)該重新檢查所得之信息，更新該等檢查結(jié)果。


在一并參閱本發(fā)明多種實施例之詳細說明及附圖后，當(dāng)可對本發(fā)明之技術(shù)特征及優(yōu)點有更完整之了解。附圖中:圖1a至圖1e繪示多種用以制造集成電路、印刷電路板及平板顯示器之常規(guī)曝光工具。圖2繪示一用以制造光罩之曝光工具常規(guī)架構(gòu)。圖3繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之?dāng)?shù)字微鏡裝置(DMD)范例。圖4繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之DMD投影系統(tǒng)。圖5繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之柵狀光閥(GLV)裝置，并同時顯示其鏡面反射狀態(tài)與衍射狀態(tài)之范例。圖6繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之小型空間光調(diào)制器(SLM)成像單元范例。圖7繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之SLM成像單元平行陣列范例。圖8系圖7所示SLM成像單元平行陣列之俯視圖。圖9右側(cè)繪示如何利用本發(fā)明實施例之陣列式成像系統(tǒng)進行局部制程窗口最佳化，而左側(cè)與之對照者則為一常規(guī)單一透鏡投影系統(tǒng)。圖10繪示本發(fā)明實施例中一種將基板局部不平處最佳化之方法。圖11繪示本發(fā)明實施例中光罩數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)之一應(yīng)用方式。圖12繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之平行陣列加總曝光法。圖13繪示本發(fā)明實施例中一種于成像寫入系統(tǒng)內(nèi)形成冗余度之方法。圖14繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之楔形邊界融合法。圖15繪示本發(fā)明實施例中一種將SLM成像單元排成陣列之方法。圖16繪示本發(fā)明實施例中一種用以制造撓性顯示器之無光罩成像寫入系統(tǒng)范例。圖17繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之SLM成像單元。圖18繪示本發(fā)明實施例中一種使用SLM成像單元線性陣列之滾動條式無光罩微影法。圖19繪示本發(fā)明實施例中一種使用SLM成像單元二維陣列之滾動條式無光罩微影法。圖20繪示本發(fā)明實施例中一種利用無光罩微影法為多種不同尺寸之基板成像之方法。圖21繪示本發(fā)明實施例中一種依照基板表面局部狀況定位各SLM成像單元之方法。圖22繪示本發(fā)明實施例中一種偵測像素焦點之方法。圖23a至圖23c繪示本發(fā)明實施例中三種用于實時偵測SLM成像單元焦點之裝置范例。圖24繪示本發(fā)明實施例中一適用像素加總曝光法之成像圖案范例。圖25繪示本發(fā)明實施例中一種透過像素加總曝光法改善焦深(DOF)之方法。圖26a與圖26b繪示本發(fā)明實施例中利用重迭區(qū)域接合相鄰成像區(qū)之方法。圖27a與圖27b繪示本發(fā)明實施例中量測及利用相鄰SLM成像單元中心間之視點間距之方法。
圖28a與圖28b繪示本發(fā)明實施例中成像寫入系統(tǒng)量測及修正對準狀態(tài)之方法。圖29a至圖29d繪示本發(fā)明實施例中之三維集成電路無光罩平行制造法。圖30繪示本發(fā)明實施例中之一多晶圓直接成像法。圖31繪示本發(fā)明實施例中另一種多晶圓直接成像法。圖32a與圖32b繪示本發(fā)明實施例中利用部分晶圓之無光罩平行制造法。圖32c與圖32d繪示本發(fā)明實施例中為不同形狀之設(shè)計圖案直接成像之方法。圖33a與圖33b繪示本發(fā)明實施例中之無光罩制造法。在本說明書中，相同之組件均使用相同標號。
具體實施例方式本發(fā)明提供一種制造三維(3-D)集成電路之系統(tǒng)及方法。以下之說明，系為使熟習(xí)此項技藝之人士得以制作及應(yīng)用本發(fā)明。本文有關(guān)特定實施例及應(yīng)用方式之說明僅供例示之用，熟習(xí)此項技藝者可輕易思及多種修改及組合該等范例之方式。本文所述之基本原理亦適用于其它實施例及應(yīng)用而不悖離本發(fā)明之精神與范圍。因此，本發(fā)明并不限于本文所描述及繪示之范例，而應(yīng)涵蓋符合本文所述原理及技術(shù)特征之最大范圍。在以下之詳細說明中，部分內(nèi)容之呈現(xiàn)系透過流程圖、邏輯方塊圖，及其它可于計算機系統(tǒng)中執(zhí)行之信息運算步驟之圖標。在本文中，任一程序、計算機可執(zhí)行之步驟、邏輯方塊及流程等，均系由一或多道步驟或指令所組成之自相一致之序列，其目的系為達成預(yù)定之結(jié)果。該等步驟系指實際操控物理量之步驟，而物理量之形式則包含可于計算機系統(tǒng)中儲存、轉(zhuǎn)移、結(jié)合、比較，及以其它方式操控之電性、磁性或無線電訊號。在本文中，該些訊號有時以位、數(shù)值、元素、符號、字符、項、號碼或類似名稱稱之。各步驟之執(zhí)行者可為硬件、軟件、固件，或以上各項之組合。本發(fā)明之實施例使用以空間光調(diào)制器(SLM)為基礎(chǔ)之影像投射裝置?？晒┦褂弥甋LM影像投射方式共有兩種，一種系透過數(shù)字微鏡裝置(DMD)，另一種則系透過柵狀光閥(GLV)裝置，兩種裝置均可以微機電(MEM)制造法制成。圖3繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之?dāng)?shù)字微鏡裝置范例。在此范例中，標號302為單一 DMD芯片，而標號304則為該DMD芯片之放大簡化圖。若欲將DMD用作空間光調(diào)制器，可令DMD中之微鏡傾斜至固定角度(大多約為± 10°或± 12° )。DMD之微鏡鏡面對入射照明光之反射性極高。各微鏡可由下方之晶體管控制器使其傾斜(如標號306所示)或維持原本位置不變(如標號308所示)。在一實施例中，DMD之間距可為約14微米，而微鏡之間距可為約I微米。單一 DMD芯片上之像素數(shù)可為1920X1080個微鏡像素，此一像素數(shù)可與高畫質(zhì)電視(HDTV)之顯示器規(guī)格兼容。圖4繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之DMD投影系統(tǒng)。在此范例中，微鏡共有三種狀態(tài):
I)傾角約為+10°之“啟動”狀態(tài)402 ；2)未傾斜之“持平”狀態(tài)404 ;以及3)傾角約為-10°之“關(guān)閉”狀態(tài)406。在圖4中，光源408所在位置系與DMD形成-20°之角度，當(dāng)此光源射出光束時，處于“啟動”狀態(tài)(或二進制中之“I”)之微鏡將反射該光束，使其直接穿過投影透鏡410，因而在顯示器基板上形成亮點。至于“持平”狀態(tài)及“關(guān)閉”狀態(tài)(或二進制中之“O”)之微鏡，其反射光束將有所偏斜(其角度分別為約-20°及-40° )，并落在該投影透鏡之聚光錐之外。換言之，后兩種狀態(tài)之微鏡之反射光并不會穿過投影透鏡410，因此，顯示器基板上將形成暗點。由于微鏡之反射光無法以目視方式分解，我們可將一組投射出之亮點及暗點依適當(dāng)比例組合，以形成灰階。此方法可利用百萬種灰色調(diào)與色彩，投射出逼真之影像。請注意，來自“持平”狀態(tài)微鏡之較高級數(shù)衍射光及來自“關(guān)閉”狀態(tài)微鏡之第二級衍射光仍可進入該投影透鏡之聚光錐，并產(chǎn)生我們所不樂見之閃光，進而降低影像對比度。根據(jù)本發(fā)明之實施例，可利用一精確瞄準及聚焦之高強度照明光源提高像素之衍射效率，以便將DMD成像寫入系統(tǒng)之投影光學(xué)設(shè)計最佳化。根據(jù)本發(fā)明之其它實施例，GLV系另一種投射影像之方法。GLV裝置之頂層系一呈線性排列之材料層，又稱帶狀元件(ribbon)，其具有極佳之反射性。在一實施例中，該等帶狀元件之長度可為100至1000微米，寬度可為I至10微米，間距可為0.5微米?；旧?，GLV之成像機構(gòu)系利用可操控之動態(tài)衍射光柵，其作用如同相位調(diào)制器。GLV裝置可包含一組共六條帶狀元件，其經(jīng)交替折曲后便形成動態(tài)衍射光柵。圖5為一剖視圖，顯示本發(fā)明實施例中一 GLV裝置之鏡面反射狀態(tài)及衍射狀態(tài)范例。當(dāng)GLV帶狀元件共面時(如標號502所示)，入射光將產(chǎn)生鏡面反射，亦即衍射級數(shù)為
O。當(dāng)入射光射至一組交替折曲之帶狀元件(如標號504所示)時，強烈之±1級衍射光及偏弱之O級衍射光將形成衍射圖案。若濾除O級衍射光與土 I級衍射光其中之一，即可產(chǎn)生高對比之反射影像。換言之，若物鏡重新捕集所有O級或±1級衍射光，將不會形成任何影像。GLV與DMD不同之處在于，GLV視野中所形成之整個影像系以逐條掃描方式建構(gòu)而成，因為線性排列之帶狀元件光柵可一次形成一條線狀衍射影像。我們可由圖1與圖2之相關(guān)說明得知，為達單位時間之產(chǎn)量要求，必須搭配如常規(guī)系統(tǒng)所使用之高功率照明光源。在一范例中系使用功率達千瓦范圍之高壓短弧汞燈，而在另一范例中則使用高功率之準分子激光。由于使用高功率之照明光源，照明光程須來自遠處以減少所生之熱能，且須經(jīng)折曲以產(chǎn)生適當(dāng)之照明效果。此一設(shè)計將照明系統(tǒng)與SLM成像系統(tǒng)分為兩獨立單元，且光程系與透鏡垂直。為突破常規(guī)系統(tǒng)與方法之限制，本發(fā)明經(jīng)改良之曝光工具架構(gòu)避免使用高功率之照明光源。本發(fā)明提供一共線成像系統(tǒng)，其中各成像單元均包含SLM、照明光源、對準光源、電子控制器及成像透鏡。此系統(tǒng)若使用低功率之發(fā)光二極管(LED)及二極管激光照明光源，其單位時間之曝光處理量較低，但若增加成像單元之?dāng)?shù)量即可提高單位時間之曝光處理量。使用小型SLM成像單元之一優(yōu)點在于，可以該等單元構(gòu)成不同尺寸之陣列以利不同之成像應(yīng)用。在一應(yīng)用實例中系以超過1000個上述小型SLM成像單元排成陣列，其單位時間之寫入處理量高于現(xiàn)有多波長光罩式曝光工具架構(gòu)。圖6繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之小型SLM成像單元范例。在此范例中，該小型SLM成像單元包含空間光調(diào)制器602、一組微鏡604、一個或多個照明光源606、一個或多個對準光源608，及投影透鏡610。照明光源606可采用波長小于450納米之藍光或近紫外光LED或二極管激光。對準光源608可采用非光化激光源或LED以便穿透透鏡進行對焦及對準調(diào)整。投影透鏡610可采用縮小比率為5X或IOX之透鏡。如圖6所示，照明光源606及對準光源608均位于該投影透鏡之聚光錐之外。在此實施例中，可使用數(shù)值孔徑NA為0.25且解像力約為I微米之市售透鏡。較低之NA值可確保較佳焦深(DOF)。在一微影制程實例中，光阻關(guān)鍵尺寸目標值為I微米，透鏡NA值為0.25，則焦深大于5.0微米。分辨率及焦深之計算系根據(jù)雷利準則(Rayleigh criterion):最小圖征分辨率=Ii1 ( λ /NA)焦深=k2U/NA2)其中匕與1^2為制程能力因子，λ為曝光波長。在一使用酚醛樹脂化學(xué)光阻之微影制程實例中，ki介于0.5與0.7之間，而k2則介于0.7與0.9之間。為滿足小形狀因子之要求，照明光源可為藍光、近紫外光LED或半導(dǎo)體二極管激光。另為達足夠之照明強度，本案之一設(shè)計實例使用多個照明光源，且該等照明光源系圍繞SLM并靠近SLM表面。SLM可為具有適當(dāng)光學(xué)透鏡設(shè)計之DMD或GLV。在一范例中，基板處之目標照明強度目標值以有效光化曝光波長計，可達每平方厘米10至100毫瓦。在此曝光工具架構(gòu)范例中，各小型成像系統(tǒng)之電子控制板外殼均符合一指定之小形狀因子。為便于通風(fēng)及散熱，此外殼系位于SLM之頂部且遠離照明光源。單一小型SLM成像單元之實體尺寸取決于所需之成像效能及可用之市售組件，例如投影透鏡、LED或二極管激光照明光源，以及對焦/對準用之二極管激光，各組件均須有其散熱空間?；蛘咭嗫墒褂糜喼平M件，以進一步降低單一 SLM成像單元實體尺寸之形狀因子。一訂制之SLM成像單元，其二維剖面尺寸可小至5厘米x5厘米左右；以市售現(xiàn)成組件構(gòu)成之SLM成像單元，其二維剖面尺寸則約為10厘米XlO厘米。就第十代Fro制程而言，典型之基板尺寸為2880毫米x3130毫米。若使用小型SLM成像單元，則整個系統(tǒng)可能包含數(shù)百個排列成平行陣列之小型SLM成像單元。圖7繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之SLM成像單元平行陣列范例。在此范例中系由600至2400個SLM成像單元平行陣列(702、704、706、708等)同時進行成像寫入，且各平行陣列可包含多個SLM成像單元。根據(jù)本發(fā)明之實施例，在計算單位時間之曝光處理量時，可以一 SLM光罩寫入系統(tǒng)之已知單位時間處理量實例(例如以1300毫米X1500毫米之光罩曝光20小時)作為計算起始點。單位時間處理量取決于基板所在平面之照明強度。在本范例中，若照明強度為每平方厘米50毫瓦(LED或二極管激光光源均可提供此照明強度)，標稱曝光能量為30毫焦耳/平方厘米-秒，則曝光時間為約0.6秒。在另一范例中，曝光工具系采高功率照明光源，因此基板處之照明強度為每平方厘米至少200毫瓦；此光罩式步進/掃描系統(tǒng)之單位時間處理量約為每小時50片第八代FPD基板。在一范例中，若將高功率與低功率照明光源同時納入考慮，則單位時間預(yù)估處理量為每小時25至100片基板，端視各平行陣列中之SLM成像單元密度而定。此一陣列式平行曝光架構(gòu)之經(jīng)濟性具有競爭優(yōu)勢。圖8系圖7所示SLM成像單元平行陣列之俯視圖。在此范例中，各行或各列可分別代表一 SLM成像單元平行陣列，且各平行陣列可包含多個SLM成像單元802。微影制程之良率與制程窗口息息相關(guān)。制程窗口在此系指相互搭配且可制印出符合規(guī)格之圖征關(guān)鍵尺寸之焦點設(shè)定范圍及曝光量設(shè)定范圍 。換言之，制程窗口愈有彈性，則其容許之失焦設(shè)定值及/或曝光量設(shè)定值愈為寬松。較大之制程窗口有助于提高產(chǎn)品良率。然而，隨著基板尺寸逐代加大，微影制程之制程窗口則愈變愈小，主要原因在于較大、較薄之基板材料也較容易彎曲及垂陷。為解決此一問題，必須嚴格規(guī)范基板材料之厚度及表面均勻度。就光罩式曝光工具而言，若曝光區(qū)域單邊大于約兩米，不僅需耗費極大成本方可維持全區(qū)之均勻度及焦點控制，在技術(shù)上亦有其困難度。曝光工具須能執(zhí)行焦點及照明之局部及全面最佳化，方可落實制程窗口之設(shè)定值。圖8所示之平行陣列曝光系統(tǒng)即可解決上述問題，因為各小型SLM成像單元均可局部最佳化，以便在其個別曝光區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生最佳之照明及對焦效果。如此一來便可確保各SLM成像單元之曝光區(qū)域均有較佳之制程窗口，而各SLM成像單元之最佳化則可改善整體之制程窗口。圖9系對比常規(guī)單一透鏡投影系統(tǒng)之制程窗口與本發(fā)明實施例中陣列式成像系統(tǒng)之局部最佳化制程窗口。圖9左側(cè)之常規(guī)單一透鏡投影系統(tǒng)902必須調(diào)整至如點線所示之折衷焦平面904。圖中實線906代表基板表面之實際剖面形狀，雙箭頭線段908代表單一透鏡為圖案成像時之最佳焦點設(shè)定范圍，雙圓頭線段910代表各成像透鏡所對應(yīng)之基板表面剖面形狀最大變化范圍，而兩條點虛線則分別代表焦點范圍之上下限。如圖9所示，對常規(guī)單一透鏡投影系統(tǒng)而言，圖中大尺寸基板之彎曲幅度可能已超出透鏡之對焦范圍，且焦點設(shè)定范圍之中心點可能僅勉強適用于基板彎曲剖面之峰部及谷部，因而限縮整體制程窗口。圖9右側(cè)所示之改良式投影系統(tǒng)則使用排成陣列狀之成像單元，其中成像單元912之焦點914可為個別成像區(qū)而單獨調(diào)整，因此，各焦點設(shè)定范圍(如雙圓頭線段916所示)均妥適位于焦點控制之上下限范圍內(nèi)。除可微調(diào)各成像區(qū)之焦點外，各成像單元亦可調(diào)整其照明，使照明均勻度優(yōu)于單一透鏡系統(tǒng)調(diào)整照明后之效果。是以，使用陣列式之成像單元系統(tǒng)可提供較佳之制程窗口。圖10繪示本發(fā)明實施例中一種將基板局部不平處最佳化之方法。在此范例中已偵測出基板表面形狀不平之區(qū)域，如標號1002所示。一微調(diào)式之最佳化方法系將一焦點平均程序應(yīng)用于一 SLM成像單元所對應(yīng)之局部不平整曝光區(qū)域以及該SLM成像單元附近之SLM成像單元所對應(yīng)之區(qū)域。該不平整區(qū)域附近可納入此平均程序之成像單元愈多，則整體最佳化之效果愈佳。熟習(xí)此項技藝之人士當(dāng)知，本發(fā)明之成像系統(tǒng)亦可利用其它平均技術(shù)以提聞?wù)迳现跋窬鶆蚨?。在一實施例中，以薄膜晶體管(TFT)為基礎(chǔ)之液晶顯示器(IXD)系使用以下所述之光罩數(shù)據(jù)格式。請注意，我們雖可利用階層式數(shù)據(jù)串流格式GDSII將光罩數(shù)據(jù)交予制造業(yè)者，但此種光罩數(shù)據(jù)格式可能不太適用于本案之平行SLM成像系統(tǒng)。若欲將階層式之光罩數(shù)據(jù)扁平化，可使用市售之CAD軟件程序，但光罩數(shù)據(jù)在扁平化之后，尚須進一步處理。本案之陣列式平行成像寫入系統(tǒng)若搭配適當(dāng)之光罩數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，將可形成高質(zhì)量之影像。就本案之陣列式平行成像寫入系統(tǒng)而言，光罩數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)經(jīng)扁平化之后，尚需分割為預(yù)定大小之區(qū)塊，方可妥適或均勻傳送至各SLM成像單元。光罩數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)內(nèi)之信息不但明訂各光罩數(shù)據(jù)區(qū)塊相對于其對應(yīng)成像單元之放置位置，亦明訂橫跨多個成像單元之圖征應(yīng)如何分割。若欲辨識數(shù)據(jù)放置位置是否經(jīng)過微調(diào)，可檢視相鄰成像單元所對應(yīng)之相鄰光罩數(shù)據(jù)區(qū)塊之相關(guān)光罩數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。圖11繪示本發(fā)明實施例中光罩數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)之一應(yīng)用方式。在此范例中，先將一包含多層光罩數(shù)據(jù)實例1102之階層式光罩數(shù)據(jù)敘述扁平化，使其形成扁平化光罩數(shù)據(jù)1104。然后將此扁平化光罩數(shù)據(jù)1104分割為多個分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案，其中一分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案在圖中系以陰影區(qū)域1106表示。此陰影區(qū)域1106亦出現(xiàn)在圖11下方以點線劃分之九宮格中，成為其正中央之方塊。相鄰成像單元之間須有足夠之光罩圖案重迭部分(即圖中之水平及垂直長條部分1108)，方可確保邊界周圍之圖案能均勻融合。九宮格中之每一方塊分別代表即將由一個或多個SLM成像單元成像之一分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案。根據(jù)本發(fā)明之實施例，分區(qū)光罩數(shù)據(jù)包含第一組辨識元及第二組辨識元，其中第一組辨識元系用于辨識一 SLM成像單元中微鏡像素過多之狀態(tài)(run-1n conditions)，而第二組辨識元則用于辨識一 SLM成像單元中微鏡像素不足之狀態(tài)(run-out conditions)。若兩SLM成像單元間之區(qū)域出現(xiàn)過多像素，即為微鏡像素過多之狀態(tài)；若兩SLM成像單元間之區(qū)域出現(xiàn)像素不足現(xiàn)象，則為微鏡像素不足之狀態(tài)。各分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案系傳送至對應(yīng)之SLM成像單元進行處理，再由各SLM成像單元將相關(guān)之分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案寫入預(yù)定之重迭區(qū)域。各SLM成像單元在寫入時均以相鄰之SLM成像單元為參考依據(jù)，以確保影像融合度及均勻度均符合設(shè)計準則。分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案可經(jīng)最佳化以便進行平行加總曝光，進而提高圖征關(guān)鍵尺寸之一致性。使用平行加總曝光法可降低不利于關(guān)鍵尺寸一致性之各種制程變數(shù)。進行加總曝光時，若微鏡像素之曝光數(shù)足夠，可去除因使用二極管激光而產(chǎn)生之高斯斑點。圖12繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之平行陣列加總曝光法。此方法先將光罩數(shù)據(jù)逐行送至各SLM成像單元，再依序照亮對應(yīng)于各行光罩數(shù)據(jù)之成行微鏡像素，其間系從各行微鏡像素之一端開始，次第照亮至另一端。在一范例中，此方法系從方塊1201開始，先照亮其最下方之一行微鏡像素；然后移至方塊1202，照亮其倒數(shù)第二行微鏡像素；接著在方塊1203中，照亮其倒數(shù)第三行微鏡像素。此方法接續(xù)處理方塊1204、1205、1206及1207，并照亮其對應(yīng)行之微鏡像素，然后進入方塊1208，照亮此范例中之最后一行微鏡像素(即方塊1208最上方之一行微鏡像素)。此一逐行照亮微鏡像素之程序?qū)⒅芏鴱?fù)始以完成對應(yīng)之曝光動作，進而將圖案寫入基板。由于照亮微鏡之速度甚快，特征圖案可經(jīng)由快速之逐行照亮程序多次曝光，直到達到標稱曝光量為止。質(zhì)言之，此一圖案寫入程序系由多個微鏡像素之個別曝光加總而成。我們可利用相同之加總曝光程序，并以相互協(xié)調(diào)之速度及方向移動基板平臺，從而完成整片基板之寫入作業(yè)。圖12所示之逐行循環(huán)方式僅為一范例，若欲使各成像單元依序完成平行加總曝光中之局部或細部曝光，亦可采用其它循環(huán)方式。在其它實施例中，亦可以列或斜向之列/行為單位，循序進行，以有效完成平行加總曝光。此外亦可發(fā)展出其它加總方式，例如由兩相鄰SLM成像單元交錯進行逐行照亮之程序，或同時以多個數(shù)據(jù)行為起始行，分別沿多個方向進行，藉此提高微影制印之效能，但可能尚需搭配平臺之進一步移動。若在大量生產(chǎn)之情況下使用陣列式平行曝光法，可內(nèi)建一定之冗余度或容錯度以防止制程中斷。換言之，曝光控制例程一旦偵測出某一 SLM成像單元故障，將關(guān)閉故障之成像單元，并將其光罩數(shù)據(jù)重新分配至一個或多個相鄰之成像單元，以便由該等相鄰之成像單元完成曝光任務(wù)，最后再卸除完成曝光之基板。此一曝光修正程序?qū)⒊掷m(xù)進行，直到整批基板完成曝光為止。而整個流程亦將持續(xù)進行，直到成像效能及單位時間處理量均達到可接受之水平為止。圖13繪示本發(fā)明實施例中一種于成像寫入系統(tǒng)內(nèi)形成冗余度之方法。在此范例中，成像單元212—經(jīng)發(fā)現(xiàn)故障，隨即關(guān)閉。在相鄰之八個成像單元中，可擇一取代成像單元212。在此情況下，原本由成像單元212負責(zé)之區(qū)域須待其它區(qū)域曝光完畢后才完成寫入。若因基板翹曲或垂陷導(dǎo)致兩相鄰SLM成像單元成像扭曲，該兩SLM成像單元之間將形成微尺度之不匹配邊界(局部與局部之間)。此不匹配邊界在圖14中以標號1402表示，其中數(shù)據(jù)圖案有部分超出框線區(qū)域外，此時重迭區(qū)域內(nèi)之圖案融合便需最佳化。圖14繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之楔形邊界融合法。如圖14所示，此方法開啟位于所選邊界末端1404之微鏡像素，而此邊界末端1404則與相鄰之成像單元寫入?yún)^(qū)域1406重迭，以使兩區(qū)相互匹配。熟習(xí)此項技藝之人士應(yīng)可了解，亦可以其它方式選擇性開啟所需位置之微鏡像素，藉此達成邊界融合之目的。根據(jù)本發(fā)明之某些實施例，若以交替或互補之方式開啟相鄰重迭邊界間之選定微鏡像素，亦可達融合之效果。根據(jù)本發(fā)明之其它實施例，若在進行逐列照亮之加總曝光程序時，搭配開啟選定位置之像素，則其融合效果更佳。此外，為使本案之陣列式平行成像系統(tǒng)達到預(yù)定之對準精確度，本案之方法將對準程序依序分為多個精確度等級。第一對準等級強調(diào)整體之對準準確度，而次一對準等級則將目標縮小至中階精準度。本案之方法即利用此一由下而上之程序，達成所需等級之精確度。在一范例中共分三種精確度等級:單元透鏡之放置、透鏡中心之微調(diào)，以及微鏡成像數(shù)據(jù)之操控。圖15繪示本發(fā)明實施例中一種將SLM成像單元排成陣列之方法。此方法可將多個SLM成像單元1502之整體放置準確度控制在數(shù)毫米之范圍內(nèi)。然后再以電子方式調(diào)整各SLM成像單元中投影透鏡總成之位置，使其達到微米等級之精確度。欲達此一目的，可利用氦氖激光(或其它非光化對準光源)將透鏡中心對準平臺上之已知參考位置。最后再控制微鏡，使其達到納米等級之對準精確度。根據(jù)本發(fā)明之實施例，曝光對準程序可包含下列步驟:(I)利用平臺上之已知參考位置，校準陣列中各SLM成像單元之透鏡中心。如此一來便可參照實體透鏡陣列，建立一組數(shù)學(xué)陣列格點。(2)在寫入第一光罩層時，由于基板上尚未印出任何對準記號,基板系以機械方式對準，且主要依賴平臺之精確度。(3)基板經(jīng)由先前之光罩層取得遍布基板之對準記號，而此些對準記號可由對應(yīng)之SLM成像單元偵得。如此一來便可參照基板上之實際影像位置，建立一格點圖。(4)比較兩格點圖(SLM成像單元本身之格點圖以及從基板測得之微影制印對準記號格點圖)，進而建立可引導(dǎo)平臺移動之格點圖配對數(shù)學(xué)模型。(5)在一范例中系針對第十代基板建構(gòu)一包含2400個SLM成像單元之陣列，而平臺之最大水平(X)或垂直(Y)移動距離約為120毫米，此移動距離亦納入格點圖配對之計算中。請注意，此平臺移動距離甚短，因此相較于光罩式曝光工具在為第十代基板成像時，其平臺之移動距離須達基板之全寬及全長，本案之方法具有技術(shù)上之優(yōu)勢。由于第十代基板重量可觀，若能縮短平臺負重移動之距離，將可提高系統(tǒng)運作之精確度。(6)為微調(diào)至次微米等級之對準精確度，本案之方法將修正因子內(nèi)建于傳送至對應(yīng)成像單元之光罩數(shù)據(jù)中。換言之，各成像單元之修正因子可能互不相同，需視各成像單元在基板上成像之相對位置而定。此外，由于各基板之翹曲狀況不同，修正因子也可能隨基板而變化。各基板之彎曲狀況可于曝光前先行偵得。圖16繪示本發(fā)明實施例中一種制造撓性顯示器之無光罩成像寫入系統(tǒng)范例。如圖16所示，無光罩成像寫入系統(tǒng)1600系由一個或多個SLM成像單元陣列所組成，其中單一SLM成像單元以標號1602表示。該一個或多個SLM成像單元陣列可依特定應(yīng)用之需要，形成特定形狀，如圓形。在另一實施例中，該無光罩成像寫入系統(tǒng)可用于制造非撓性顯示器。圖17繪示一根據(jù)本發(fā)明實施例之SLM成像單元。該SLM成像單元包含藍光及紅光二極管激光1702、孔口 1704、透鏡1706、球面鏡1708、安裝于印刷電路板1712上之DMD1710、光束收集裝置(beam dump) 1714、分光鏡1716、電荷耦合組件(CXD)攝影機1718以及透鏡總成1720。藍光及紅光二極管激光1702進一步包含一個紅光激光二極管(非光化性)1722及四個藍光激光二極管(光化性)1723、1724、1725與1726。該等激光二極管之排列方式可如圖17所示。位于中央之紅光激光二極管屬于非光化性，主要系于初始焦點設(shè)定時作對準或瞄準之用，至于四個屬于光化性之藍光激光二極管則用于曝光。該等激光二極管之?dāng)?shù)量及排列方式，亦可視激光二極管之封裝大小而采用不同設(shè)計，只要其照明強度均勻即可。在另一范例中，亦可利用光纖束傳輸該光化照明。在此情況下，各激光二極管系照射于光纖束之一端，再由光纖將光化光線傳送至光纖束之另一端出光。在其它實施例中，亦可以LED取代二極管激光。若采用此一設(shè)計，可將多個藍光LED緊密靠攏以提供均勻之照明強度，另將多個紅光LED分別置于可供對準及初始對焦之位置。在此范例中，藍光及紅光二極管激光1702所發(fā)出之光線依序穿過孔口 1704及透鏡1706，然后照射至球面鏡1708，再由球面鏡1708反射至DMD1710。該DMD可利用其不同狀態(tài)之微鏡，將光線直接反射至光束收集裝置1714，抑或使光線經(jīng)由透鏡總成1720而照射于基板。形成于基板上之影像將向上反射，穿過透鏡1720與分光鏡1716，最后到達CXD攝影機1718。圖18繪示本發(fā)明實施例中一種使用SLM成像單元線性陣列之滾動條式無光罩微影法。在此范例中，SLM成像單元1802系排成單一線性陣列，如圖18所示?；?804可在我們之控制下，沿基板移動方向(X方向)移動，而SLM成像單元1802之線性陣列則可在我們之控制下，于基板1804所在之平面上,沿著垂直于該基板移動方向之方向(Y方向)來回移動。我們可調(diào)整該SLM成像單元線性陣列之曝光，使其隨著基板卷動而同步處理基板1804之特定區(qū)域。如此一來便可控制該SLM成像單元線性陣列，使其為大于該SLM成像單元線性陣列之基板成像。圖18所示之成像寫入系統(tǒng)不但可控制該等SLM成像單元，使其沿基板移動方向移動，亦可使其垂直于基板移動方向而移動，故可突破第‘779號專利及Ahn專文所述常規(guī)方法對實體光罩尺寸之限制。圖19繪示本發(fā)明實施例中一種使用SLM成像單元二維陣列之滾動條式無光罩微影法。圖19系以俯視方式繪示SLM成像單元二維陣列1902，其中每一圓圈代表一 SLM成像單元。類似于圖18所示之范例，圖19中之基板1904可在我們之控制下沿X方向移動，而SLM成像單元二維陣列1902則可在我們之控制下，于基板1904所在之平面上，沿Y方向往復(fù)移動。我們可調(diào)整該SLM成像單元二維陣列之曝光，使其隨著基板卷動而同步處理基板1904之特定區(qū)域，如此一來便可控制該SLM成像單元二維陣列，使其為大于該SLM成像單元二維陣列之基板成像。因此，圖19所示之成像寫入系統(tǒng)可突破第‘779號專利及Ahn專文所述常規(guī)方法對實體光罩尺寸之限制。請注意，在某些實施例中，該SLM成像單元二維陣列可以交錯或非交錯之方式排列。圖20繪示本發(fā)明實施例中一種利用無光罩微影法為多種不同尺寸之基板成像之方法。與圖19所示之方法類似，圖20中之成像寫入系統(tǒng)亦使用一 SLM成像單元二維陣列2002。SLM成像單元二維陣列2002可在我們之控制下，自動連續(xù)接收并處理成像數(shù)據(jù)，因此，此成像寫入系統(tǒng)若以無縫方式加載不同之TFT光罩數(shù)據(jù)，便可切換不同之基板設(shè)計圖案；相較之下，第‘779號專利及Ahn專文所述之常規(guī)方法則須停止運作以便更換不同光罩。在圖20所示范例中，基板包含不同尺寸之基板設(shè)計圖案，如標號2006、2008、2010、2012及2014所示，而當(dāng)基板卷動時，SLM成像單元二維陣列2002可實時處理該等不同尺寸之基板設(shè)計圖案。圖21繪示本發(fā)明實施例中一種依照基板表面局部狀況定位各SLM成像單元之方法。此范例之方法系于曝光過程中檢視基板表面2104之不平整度，并據(jù)此調(diào)整SLM成像單元線性陣列2102。圖21系以夸大方式顯示基板2104之不平整度，藉此突顯本方法將各SLM成像單元調(diào)整至最佳高度之優(yōu)點。透過調(diào)整各SLM成像單元之最佳高度，自動調(diào)焦時便可將焦點調(diào)整至預(yù)定分辨率關(guān)鍵尺寸I至5微米所需之焦深范圍內(nèi)。本方法之細節(jié)容后述。在一范例中，為微影制印以TFT為基礎(chǔ)之太陽能板(PVpanel)，最小圖征關(guān)鍵尺寸可能超過50微米。在此微影制印分辨率范圍內(nèi)，我們往往將噴墨印刷法視為一成本較低之選擇。但噴墨印刷法之一主要缺點在于，墨水霧滴有可能造成瑕疵，此為小滴墨水流之副作用。噴墨印刷法原本即不如微影制程干凈，或許可用于微影制印光罩圖征，但不宜以此形成電路驅(qū)動線組件；噴墨印刷法主要適用于制印非電路驅(qū)動線之信息讀取。以滾動條微影制印法制造主動式TFT組件時，尺寸可縮放之SLM成像單元陣列由于組件良率較高，仍為較佳之無光罩式微影技術(shù)方案。此方法系透過放大投影完成無光罩式成像；詳言之，SLM成像單元之曝光透鏡并非縮小物鏡而系放大物鏡，此放大物鏡可在我們之控制下，將產(chǎn)品圖征尺寸從25微米放大至數(shù)百微米。為能在未必絕對平整之基板各處維持最佳對焦狀態(tài)，方法之一系于曝光過程中監(jiān)視并調(diào)整SLM成像單元之焦點。圖22繪示本發(fā)明實施例中一種偵測像素焦點之方法。若欲監(jiān)視焦點，可利用可穿透透鏡之監(jiān)視攝影機擷取曝光中之影像，然后分析所擷取之明暗像素影像，并與預(yù)期之曝光圖案比較，以取得失焦程度之一相對度量。圖22所示范例為一對明暗像素(2202與2204)及其準焦(2206與2208)與失焦狀態(tài)(2210)。就明暗交界處之過渡圖案而言，該對準焦之明暗像素呈現(xiàn)對比度相對較大之過渡圖案，而該對失焦之明暗像素則呈現(xiàn)模糊之過渡圖案，其中模糊過渡之程度可以測繪方式對應(yīng)于失焦之程度。在其它范例中，我們可監(jiān)視并分析影像中之空間頻率。由于對焦誤差優(yōu)先降低較高之空間頻率，我們在擷取影像后，僅需比較影像中高頻成分之損失量即可評估失焦之程度。另一方法系監(jiān)視并分析一組明暗圖案之影像對比度，其中使用最佳焦點設(shè)定之影像具有最高對比度，而對比度之損失則對應(yīng)于失焦之程度。上述方法雖可有效監(jiān)視對焦誤差之大小，但卻無法指明誤差之方向。為解決此一問題，本發(fā)明之系統(tǒng)可于軟件之控制下，在以目標焦點為中心之一范圍內(nèi)不斷微幅變化焦點位置，同時更新目標焦點所在位置，以維持最佳對焦狀態(tài)。我們僅需在所述范圍兩端之誤差之間取得平衡，即可靈敏調(diào)整至最佳對焦狀態(tài)，但最好避免故意使曝光影像失焦。欲達此一目的，可以受控之方式擾動攝影機之焦點，但不改變曝光影像之焦點；例如，若使用可穿透透鏡之監(jiān)視攝影機，則可改變攝影機與物鏡間之有效光程。就一階近似而言，改變透鏡在攝影機側(cè)之焦距(圖中之&)與同比例改變之效果相同。欲使焦點產(chǎn)生此一變化，可將攝影機前后振動、或利用一振動之反射鏡反射影像，或者如圖23a所示，使光線通過一轉(zhuǎn)盤，其中該轉(zhuǎn)盤具有多個厚度及/或折射率不同之扇形部分，以使有效光程產(chǎn)生所需之變化。上述轉(zhuǎn)盤即圖式中之第一光程差(OPD)調(diào)制器2316及第二 (PD調(diào)制器2326。此外，亦可利用一附有反射鏡之圓盤反射影像，其中該圓盤具有多個不同高度之扇形部分。圖23a繪示本發(fā)明實施例中一種可實時偵測SLM成像單元焦點之裝置范例。如圖23a所示，該裝置包含成像光源2302、分光鏡2304、物鏡2306，以及物鏡2306之外殼2308。成像光源2302之一范例如圖17所示，包含組件1702至1714。該裝置亦包含第一攝影傳感器2310 (以下亦簡稱攝影機或傳感器)、第一馬達2312、第一折射盤2314及第一 OPD調(diào)制器2316。第一 OPD調(diào)制器2316可由一圓形光學(xué)裝置2317所形成，該圓形光學(xué)裝置2317可具有多個扇形部分(如標號2318所示)。各扇形部分系以具有不同折射率之材料制成，或者系以具有相同折射率但不同厚度之材料制成，其中該等不同厚度可形成光程差。另一種判定焦點調(diào)整方向之方法系利用兩臺攝影機以不同之光程長度擷取影像，如圖23b與圖23c所示。圖23b與圖23c繪示本發(fā)明實施例中另兩種可實時偵測SLM成像單元焦點之裝置范例。除圖23a所示組件外，此兩裝置范例還包含第二攝影傳感器2322(以下亦簡稱攝影機或傳感器)及第二 OPD調(diào)制器2326。圖23c還包含第三OPD調(diào)制器2330。第二與第三OPD調(diào)制器2326、2330之構(gòu)造可與第一 OPD調(diào)制器2316類似。使用該兩攝影傳感器2310與2322時，可對應(yīng)置該兩具有不同折射率之OPD調(diào)制器2316與2326以決定焦點調(diào)整方向。在另一實施例中，該兩不同(PD調(diào)制器2316與2326之實施方式僅系將對應(yīng)之?dāng)z影機2310與2322設(shè)于不同距離處。圖23b與圖23c所示之范例分別檢查第一攝影傳感器與第二攝影傳感器之影像，以便比較并分析焦點調(diào)整方向，然后調(diào)整焦點設(shè)定，以使兩攝影傳感器所測得之失焦程度相等，如此一來便可確保最佳對焦狀態(tài)系由兩攝影傳感器間之一光程差決定。第一及第二攝影傳感器系透過互補之焦點偏移量觀測基板，以決定目標焦點之方向。另一方法則不以上下移動物鏡之方式調(diào)整焦點，而系將第三OPD調(diào)制器2330置于物鏡2306之外殼2308上方，進而透過改變有效光程長度之方式調(diào)整焦點。焦點之實時監(jiān)視與調(diào)整包含下列步驟:I)將基板表面與物鏡之間距設(shè)定在對焦范圍內(nèi)。2)首先，以非光化照明成像并擷取此影像，此步驟不會對曝光用之感光材料造成任何破壞。換言之，利用非光化照明設(shè)定初始焦點，然后配合調(diào)整物鏡，以達最佳對焦狀態(tài)。3)曝光平臺一旦開始沿基板之移動方向(X方向)移動，即開始光化曝光。4)在光化照明下監(jiān)視所擷取之影像，并配合調(diào)整物鏡。5)請注意，每次調(diào)整焦點之動作系以上一個曝光位置之最佳曝光狀態(tài)為依據(jù)，但卻用于下一個曝光位置。6)根據(jù)Π與f2之光程差量測值，決定物鏡之調(diào)焦幅度。一如前述，我們可在曝光過程中利用一或多臺攝影機實時監(jiān)控影像之寫入。透過微鏡像素加總曝光法，每一影像圖案均由多個DMD微鏡像素曝光而成。此曝光法在初始曝光階段原本即具有較大之對焦誤差裕度，因為每一微鏡像素所提供之曝光僅為所需總曝光能量之一小部分；而后在進行像素加總曝光時，尚可實時調(diào)整各SLM成像單元之焦點。在寫入由暗區(qū)包圍之獨立“孔狀”圖案(如圖24所示)或由亮區(qū)包圍之獨立“島狀”圖案時，此對焦誤差裕度尤為重要，其原因在于上述兩種特征圖案在我們擾動焦點設(shè)定之過程中缺少影像之變化，故不易于初始階段設(shè)定其最佳對焦狀態(tài)，須待多次曝光后方可決定其最佳對焦狀態(tài)。
在另一范例中，前述之自動對焦機構(gòu)可用于“焦點加總曝光”以擴大整體焦深。圖25繪示本發(fā)明實施例中一種透過像素加總曝光法改善焦深之方法。在圖25所示范例中，我們可在像素加總曝光過程中動態(tài)調(diào)整最佳曝光設(shè)定，如此一來便可透過焦深范圍內(nèi)之不同最佳對焦狀態(tài)完成像素加總曝光。經(jīng)由此一方式，最終之影像圖案系利用多種焦點設(shè)定2502共同曝光而成，而該等焦點設(shè)定2502亦將擴大整體之最終焦深2504。圖26a與圖26b繪示本發(fā)明實施例中利用重迭區(qū)域接合相鄰成像區(qū)之方法。圖26a顯示兩相鄰成像區(qū)2602、2606及其對應(yīng)之SLM2604、2608。兩相鄰成像區(qū)2602與2606間之區(qū)域定義為重迭區(qū)域2610。SLM2604之成像范圍可跨越理論邊界2612并延伸至成像區(qū)2606內(nèi)之使用者自訂邊界2614(虛線)，而SLM2608之成像范圍同樣可跨越理論邊界2612并延伸至成像區(qū)2602內(nèi)之另一使用者自訂邊界2616(虛線)。由于重迭區(qū)域2610同時涵蓋在SLM2604與2608之成像范圍內(nèi)，此方法可利用該兩相鄰成像區(qū)中之某一區(qū)補償另一區(qū)之不一致性，例如位置上之不匹配或曝光量之差異。圖26b顯示另兩相鄰成像區(qū)2622、2626及其對應(yīng)之SLM2624、2628。在此范例中，該兩SLM及其對應(yīng)之成像區(qū)均采水平設(shè)置，而非如圖26a所示之垂直設(shè)置。圖26a與圖26b中重迭區(qū)域之走向雖然不同，但均可應(yīng)用類似之技術(shù)。在其它實施例中，水平重迭區(qū)域之處理方式亦可與垂直重迭區(qū)域不同。與圖26a類似，兩相鄰成像區(qū)2622、2626間之區(qū)域定義為重迭區(qū)域2630，其中SLM2624之成像范圍可跨越理論邊界2632并延伸至成像區(qū)2626內(nèi)之使用者自訂邊界2634(虛線)，而SLM2628之成像范圍同樣可跨越理論邊界2632并延伸至成像區(qū)2622內(nèi)之另一使用者自訂邊界2636(虛線)。若欲在重迭區(qū)域2630內(nèi)成像，可令兩SLM2624及2628之成像強度朝彼此遞減。折線2638與折線2639 (虛線)分別概略顯示SLM2624與2628之成像強度。在重迭區(qū)域2630中，SLM2624之強度從完整強度漸變至零，而SLM2628之強度則從零漸變至完整強度。請注意，在此范例中，若理論邊界實質(zhì)對齊成像區(qū)之實際漸變段(例如兩者之距離在50納米以內(nèi))，則可產(chǎn)生良好之成像效果。自動化光學(xué)檢查(AOI)可應(yīng)用于集成電路(IC)、印刷電路板(PCB)及平板顯示器(FPD)之制造。以當(dāng)前最先進之超大規(guī)模集成電路(VLSI)制程而言，其設(shè)計規(guī)范中之關(guān)鍵線寬已達深紫外光(DUV)曝照波長之若干分之一，約為193納米。若欲確保PCB、FH)及類似線寬等級之電子裝置之生產(chǎn)良率，則AOI乃制程中之一關(guān)鍵步驟。例如，AOI可用于檢查線寬、捕捉遠小于目標線寬之微粒、偵測基板表面之污染狀況，并找出缺漏、扭曲或多余之圖案。AOI可以多種方法判定一 PCB是否符合產(chǎn)品質(zhì)量規(guī)范。第一種方法系將AOI所得之影像與一已知參考圖案(又稱PCB黃金參考標準)之影像進行比對。第二種方法系將所擷取之影像圖案與已知且預(yù)先儲存之良好PCB影像及劣等PCB影像進行比對。第三種方法系衍生自第二種方法，并采用統(tǒng)計學(xué)之圖案比對技術(shù)。詳言之，第三種方法之比對對象包含一已知黃金參考標準及多個不合格度輕重有別之劣等PCB影像，如此一來便可在容許些微偏差之條件下進行統(tǒng)計學(xué)判定。就PCB及使用類似基板與類似線寬等級之電子裝置而言，AOI之主要目的系協(xié)助使用者迅速判定不合格之根本原因，以便及早修正，避免大量電路板發(fā)生相同問題，同時亦可快速淘汰無法使用之瑕疵零件，進而確保產(chǎn)品之整體出貨質(zhì)量。受限于成本、資源與時間因素，若非為了特定工程目的，否則PCB之瑕疵品絕少送修。在一般量產(chǎn)生產(chǎn)線中，此等瑕疵品可能均標示為淘汰品。另就Fro及使用類似基板與類似線寬等級之電子裝置而言，實施AOI之目的同樣系為執(zhí)行各項檢查，例如偵測微粒、污染狀況及不應(yīng)出現(xiàn)之圖案瑕疵。在各類圖案瑕疵中，mura(即日文“斑”)系指對比低但可目視察覺并影響目視效果之拍頻干擾圖案。其它類型之圖案瑕疵則包括圖案缺漏、額外多出之圖案，或兩者兼有；以上三者均會造成圖案畸變。在處理尺寸甚大之基板時，AOI之硬件機構(gòu)可采用不同之配置方式。例如，原本為掃描及擷取基板不同位置之影像而以高架方式安裝于一快速移動之X-Y軌道平臺上之?dāng)z影機，可改為沿水平方向緊密排成一行，至于其掃描整塊基板之方式系令基板沿著垂直于該行攝影機之方向水平移動，并從下方完全通過該行攝影機。基板以此單線軸向方式移動時，其移動速度可保持與影像擷取速率一致，其位置亦可維持在成行攝影機下方之焦距范圍內(nèi)。此外，各攝影機可擷取上萬條掃描線影像，且各像素線可具有8位之像素，其它細節(jié)則不予詳述。在一范例中，可使用分辨率為7.5微米之?dāng)z影機檢查線寬為8至10微米之TFT彩色濾光片面板產(chǎn)品。若所欲檢查之線寬更窄，例如欲檢查I至3微米之TFT陣列，則可使用分辨率更高之?dāng)z影機。在此例中，線寬將接近照明波長，故數(shù)據(jù)量及影像處理之算法亦須配合調(diào)整。一高分辨率面板產(chǎn)品若為視覺傳達方面之應(yīng)用，則任何目視可見之瑕疵均將導(dǎo)致無法出貨。然而，由于制造新世代產(chǎn)品所需之基板愈來愈大，基板材料價格亦隨之上揚，我們實有必要針對經(jīng)由AOI檢出瑕疵之所有面板進行修復(fù)，而非將高價之基板材料報廢。因此，瑕疵修復(fù)已成為FPD及類似電子裝置之一重要制程步驟。以第十代Fro之基板為例，一解決方案系透過AOI找出瑕疵所在位置，然后修復(fù)圖案以去除瑕疵。由于基板尺寸甚大，可達2.88x3.08米，若以人工方式修復(fù)將十分困難，最好能以機器人進行自動化修復(fù)。我們可設(shè)置機器人，使其自動執(zhí)行各種瑕疵修復(fù)工序，例如去除表面微粒、以激光蝕刻或強力氣流移除多余之圖案，以及在圖案稀疏處局部沉積與制程兼容之薄膜以增補缺漏之部分圖案。以上工序均可透過軟件運算法執(zhí)行。AOI可提供精確之位置、定義待修復(fù)之區(qū)域、辨別圖案瑕疵之類型(例如缺漏或多余)，并與預(yù)定之參考圖案進行比對，因此，后續(xù)須處理之問題即為如何從兼有缺漏圖案及多余圖案之畸變圖案瑕疵中重建所需之圖案。在找出畸變圖案后，若欲利用激光去除法及局部薄膜沉積法進行圖案之重建，就初級影像處理而言，必須先辨識圖案之哪些部分出現(xiàn)缺漏及/或出現(xiàn)不應(yīng)有之多余圖案。為此，可利用一 SLM成像單元擷取瑕疵影像，并使所擷取之影像與原始光罩圖案產(chǎn)生關(guān)聯(lián)。詳言之，可利用一 SLM成像單元陣列執(zhí)行影像掃描，但該等SLM成像單元僅擷取圖案影像而未實際進行曝光?；蛘撸稍谝?AOI系統(tǒng)中安裝單一 SLM成像單元。該AOI系統(tǒng)在完成瑕疵類型之分析，并判定有必要進行后續(xù)之瑕疵檢視及分類后，將命令該額外設(shè)置之SLM成像單元執(zhí)行上述動作。在圖28c之左側(cè)圖式中，組件2810已判定為一瑕疵，詳言之則為兩平行矩形2812間之一多余圖案。在圖28c之右側(cè)圖式中，瑕疵2810經(jīng)判定后已從原始光罩上移除(以虛線間之白色區(qū)域表示)。根據(jù)本發(fā)明之實施例，另一種在AOI后重建圖案之方法系利用SLM成像單元在出現(xiàn)瑕疵之局部區(qū)域以無光罩成像法修復(fù)圖案。此成像法須搭配光阻之局部或全面重涂。若須局部重涂，光阻僅涂布于部分區(qū)域，隨即顯影。但若基板上有多處圖案需要重建，最好整塊基板均重新涂上光阻。此方法類似于單線軸向移動之微影制程，其不同處在于，僅瑕疵圖案需再次成像以達圖案重建之目的。此方法可以單一 SLM成像單元或一 SLM成像單元陣列完成再次圖案化，其首要步驟系對準已圖案化之區(qū)域，一如以SLM成像單元執(zhí)行光罩對準之動作。但就此局部成像法而言，此對準動作系對準前次之光罩層，而非如首次微影曝光時可將光罩圖案并行寫入。詳言之，在重建圖案時系對準已完成蝕刻之光罩層圖案，因此，所對準之光罩圖案可能在外觀上已與原光罩圖案不同，端視其實際經(jīng)歷之制程條件而定。重建圖案時須將制程條件列入考慮因素，方能使重建后之圖案與周遭圖案更加匹配。換言之，重新成像時須納入制程修正因子，例如將重建圖案區(qū)放大或縮小。在圖28d中，左側(cè)之瑕疵圖案已加入一已知制程修正因子，右側(cè)圖式則顯示瑕疵圖案之成像對準關(guān)聯(lián)性，亦即以瑕疵所在位置實際所見之圖案與先前擷取之瑕疵圖案相t匕。位于右側(cè)圖式中央之小型深色區(qū)域2820顯示對準關(guān)聯(lián)性甚高，故可精確判定瑕疵位置(即圖案重建位置)。在將制程條件因子納入重建之影像后，即可進行無光罩曝光以完成局部圖案之重建。圖27a與圖27b繪示本發(fā)明實施例中量測及使用相鄰SLM成像單元中心間之視點間距之方法。在圖27a所示實施例中系使用四個排成一行之SLM。視點間距(IOD)系兩相鄰SLM中心間之向量值距離。舉例而言，IOD-x系SLM2702與SLM2704兩者中心間之距離；同樣地，IOD-y系SLM2702與SLM2706兩者中心間之距離。在圖27b中，整個成像區(qū)系分割為一網(wǎng)格中之多個子區(qū)，如子區(qū)2708、2710、2712及2714。各子區(qū)對應(yīng)于一 SLM之成像區(qū)。在此例沖，用以為子區(qū)2708及2710成像之兩SLM間之視點間距經(jīng)量測為IOD-χ，用以為子區(qū)2710及2714成像之兩SLM間之視點間距經(jīng)量測為IOD-y。一旦測得系統(tǒng)中對應(yīng)SLM間之10D，系統(tǒng)即可利用此訊息進行校準，并產(chǎn)生用以控制系統(tǒng)中各SLM曝光方式之光罩數(shù)據(jù)。透過IOD之應(yīng)用，即便各SLM并非位于其成像區(qū)之中央，系統(tǒng)仍可利用IOD制備光罩數(shù)據(jù)，從而補償SLM在系統(tǒng)中之任何對準誤差。圖28a與圖28b繪示本發(fā)明實施例中成像寫入系統(tǒng)量測及修正對準狀態(tài)之方法。在圖28a中，部分SLM系經(jīng)轉(zhuǎn)動，例如SLMl與SLM3系略向右轉(zhuǎn)，SLM5、6、8系略向左轉(zhuǎn)，而SLM成像單元7、9則略向右轉(zhuǎn)(所有轉(zhuǎn)動幅度在圖中均夸大表示)。此等轉(zhuǎn)動誤差可于常規(guī)之系統(tǒng)設(shè)定或系統(tǒng)維護作業(yè)中偵得并加以判定。在此例中，轉(zhuǎn)動修正因子經(jīng)量測為Θ SLMO-旦測得系統(tǒng)中各SLM之Θ SLM,系統(tǒng)即可利用此信息進行校準，并產(chǎn)生用以控制系統(tǒng)中各SLM曝光方式之光罩數(shù)據(jù)。透過轉(zhuǎn)動修正因子之應(yīng)用，即便各SLM相對于其成像區(qū)之方位并不完全準確，系統(tǒng)仍可利用轉(zhuǎn)動修正因子制備光罩數(shù)據(jù)，從而補償SLM在方位上之任何誤差。舉例而言，SLM#72803其成像區(qū)之轉(zhuǎn)動修正因子經(jīng)量測為Θ SU(。在制備光罩數(shù)據(jù)時，系統(tǒng)將納入此等轉(zhuǎn)動修正因子，并產(chǎn)生對準之光罩數(shù)據(jù)2804。圖28b繪示本發(fā)明實施例中之一圖案識別同形對準法。在此例示方法中可以多個預(yù)定圖案作為地標，以以圖案識別為基礎(chǔ)擷取對準目標之影像。舉例而言，可沿成像區(qū)之邊緣使用加號(+)2805作為邊界之識別符號。此外，可以既有之設(shè)計圖案(即圖中之E及F) 2807標示相鄰SLM間成像區(qū)之角落。根據(jù)本發(fā)明之實施例，SLM可同步尋找對準目標。一旦使用對準目標，系統(tǒng)便可求得一組修正因子，例如偏移量、轉(zhuǎn)動修正量、及縮放因子。若有足夠之額外對準記號，更可計算出非線性畸變(例如軸線彎曲或梯形畸變)之修正量。系統(tǒng)可據(jù)以產(chǎn)生光罩數(shù)據(jù)，進而利用上述之修正因子，使所需之圖案2808對準對準記號之實際量測位置。過去四十年來，互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)之設(shè)計尺寸在摩爾定律(Moore’ s Law)之驅(qū)使下不斷縮小，使IC組件制造商得以在相同之芯片面積內(nèi)，隨著組件世代之更迭而加入愈來愈多功能或晶體管，同時提高組件之操作頻率，并降低整體之芯片成本。但經(jīng)濟效益終已到達極限。由于縮小CMOS尺寸之技術(shù)難度已愈來愈高，若欲制造小于20納米之次世代組件，所需之資本投資已非業(yè)界一般廠商所能負擔(dān)。光就微影曝光工具一項而言，預(yù)期之升級成本可能連業(yè)界龍頭都望之怯步。為能以成本較低之方式達成提升系統(tǒng)效能及尺寸微小化之目標，抑或為了落實“超越摩爾定律(Morethan Moore’s Law)”之概念，業(yè)界已于十年前開始注重系統(tǒng)之整合，而非一味增加晶體管密度。近來，透過硅通孔(TSV)互連而實現(xiàn)之三維封裝技術(shù)已提供一種可突破摩爾定律之尺寸縮小途徑。三維封裝技術(shù)使異質(zhì)整合具有可行性，從而使我們得以在空間狹小之封裝體內(nèi)整合射頻(RF)、邏輯、內(nèi)存及MEM傳感器等組件。三維封裝技術(shù)既不同于系統(tǒng)單芯片(SOC)，亦不同于“超越摩爾定律”之概念；系統(tǒng)單芯片系不斷增加二維芯片面積內(nèi)之晶體管數(shù)量，而“超越摩爾定律”之概念則須將設(shè)計尺寸縮小至極致。三維封裝技術(shù)之資本投資門坎較低，對諸如智能型行動裝置等次世代消費性裝置之制造商而言，其經(jīng)濟效益極具吸引力。其實，上述裝置早已成為三維封裝技術(shù)之主要推動力之一。在強大之市場需求帶動下，盡管全球景氣衰退，業(yè)界仍快速開發(fā)出三維系統(tǒng)整合封裝所需之各種制造工具、制程及技術(shù)。三維封裝技術(shù)共有兩種，一種稱為“三維硅(Si)整合”，另一種則稱為“三維IC整合”，兩者皆以硅通孔為基礎(chǔ)，但各有不同等級之制造難度。三維硅整合技術(shù)又稱為晶圓鍵合，此方法可提供較佳之電性效能，且耗能較低，產(chǎn)品之高度與重量亦較低，單位時間產(chǎn)出
量則較高。三維IC整合技術(shù)可用以增加數(shù)字相機內(nèi)CMOS影像傳感器之密度。欲達此目的，可以三維IC互連技術(shù)搭配硅通孔。內(nèi)存之相關(guān)應(yīng)用也可使用三維堆棧技術(shù)，以便縮小產(chǎn)品所占面積，同時滿足提高內(nèi)存密度之嚴格要求。圖29a至圖29d繪示本發(fā)明實施例中之三維集成電路無光罩平行制造法。圖29a共顯示三種形成硅通孔之方式，亦即先鉆孔(via-first)、制程中鉆孔(via-middle)及后鉆孔(via_last);顧名思義,三者分別表示娃通孔系于IC制造完成前、制造過程中及制造完成后形成。在圖29a之范例中，三種類型之硅通孔均以剖面圖顯示。無論何種類型之硅通孔(深灰色)，其通孔圖案皆先透過微影技術(shù)形成，然后于硅基板上蝕刻出一深溝，并以披覆方式在溝內(nèi)填入導(dǎo)電金屬，如銅。接著研磨硅基板之背面，使基板逐漸變薄，終致使硅通孔露出于基板背面。如此一來，露出之硅通孔便可直接連接至具有相配硅通孔設(shè)計之另一芯片。硅通孔之設(shè)計規(guī)則系以“直徑/間距”及“高寬比”(即深度與直徑之比)訂定之。在一范例中，直徑/間距比可為50/250微米，高寬比則為5: I。在另一范例中，直徑/間距比可縮小為10/100微米，高寬比為10: I ;或直徑/間距比為5/50微米，高寬比為16: I ;或直徑/間距比為3/50微米，高寬比為16: I ;或直徑/間距比為1/20微米，高寬比為20: I。就圖案之微影形成技術(shù)及蝕刻技術(shù)而言，上述直徑/間距比屬于合理范圍，但深溝披覆技術(shù)則尚難配合該等比值。為提供成熟之制造工序，實有必要改良既有開發(fā)流程，例如提升通孔形成技術(shù)之電性可靠度、改善對嚴重彎曲/翹曲之薄晶圓之處理方式、提高熱能管理效率，及改進堆棧芯片之測試方式等。方法之一系將硅通孔制程與半導(dǎo)體制程結(jié)合，然而，晶粒良率卻可能受到負面影響。例如，若一具有許多良品晶粒之晶圓在完成后鉆孔制程后必須報廢，則對晶粒良率之影響甚大。另一方法系直接與另一芯片接合，但此另一芯片可能系由另一業(yè)者設(shè)計，且未必系由兼容之半導(dǎo)體制程制造而成。再一方法系以傳統(tǒng)制程制作IC芯片并獨立測試之，以便與其它芯片互連。此方法系使用具有硅通孔之被動中介層，并將IC芯片黏附于此中介層上，之后再行封裝。中介層可為硅或玻璃制之基板材料，其形狀/尺寸則類似硅晶圓或矩形之玻璃基板。中介層之作用系承載具有大量輸出/入端子及高密度路由線(自封裝體至PCB)之1C。此種被動中介層并未設(shè)置主動組件，可由代工廠或以外包方式另行制造。圖29b系一中介層實施例之剖面圖，其中一特定應(yīng)用集成電路(ASIC)邏輯芯片與一動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)芯片堆棧體系比鄰設(shè)置，且接合于同一被動中介層。在該DRAM堆棧體之各內(nèi)存芯片之間可使用另一類型之硅通孔。若欲在主動中介層上形成圖案，亦即使硅通孔之圖案形成于IC組件晶圓上，可利用SLM陣列(Array of SLMs，以下縮寫為AOS)無光罩直接成像工具搭配整合組件制造商(IDM)或代工廠之既有曝光工具，并以混搭(mix-n-match)方式曝光，其單位時間產(chǎn)出量可達一定水平。以制程中鉆孔而言，應(yīng)在設(shè)置晶體管及鎢質(zhì)接點之光罩層后執(zhí)行一光罩步驟，然后再形成多層銅質(zhì)互連體，以便在通孔至通孔間距較大之硅通孔內(nèi)形成直徑3至5微米之互連結(jié)構(gòu)。至于后鉆孔制程之實施方式系先將晶圓打薄，再將晶圓暫時黏合于載體上，然后從晶圓背面以蝕刻方式形成硅通孔，直到蝕刻至阻擋層為止；此種硅通孔之直徑介于8與10微米之間。用于行動裝置之第三代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DDR3DRAM)必須縮小尺寸并降低耗能。就內(nèi)存IC而言，10至50微米厚之硅材可設(shè)置高寬比(AR)為5: I至10: I之通孔，并以電鍍方式在通孔內(nèi)形成銅質(zhì)互連體；換言之，通孔直徑為2至5微米。此直徑范圍大致符合可交由IDM及代工廠制作之硅通孔之直徑。若欲透過被動中介層形成硅通孔之圖案，可由封測代工廠(OSAT)代勞。此種中介層之最終硅材目標厚度可為100至140微米。中介層之厚度若減至100微米以下，硬質(zhì)硅晶圓將變?yōu)閾闲怨璨?。就通孔直徑而言，若高寬比?: I，則硅通孔直徑之成像目標可能在20至30微米左右。一硅質(zhì)中介層包含由被覆銅線所組成之重分布層(RDL)，其中被覆銅線之線寬與間距分別接近對應(yīng)硅通孔之直徑與間距。上述之線寬及直徑均在本案以405納米曝光波長進行AOS無光罩直接成像之能力范圍內(nèi)。中介層可以多種方式運用，例如，可透過中介層使原本過時之組件得以應(yīng)用于難以重新設(shè)計之電路板上。OSAT若欲與代工廠或IDM在中介層之商業(yè)應(yīng)用上一較高下，可提供硅質(zhì)中介層之快速設(shè)計、原型制作，以及小量乃至大量生產(chǎn)之服務(wù)，并透過在中介層上重新布置路由線之方式，使復(fù)雜之基板符合標準大??；此外尚可有其它相關(guān)服務(wù)。在執(zhí)行上述作業(yè)時，本案之AOS無光罩直接成像技術(shù)可提供快速轉(zhuǎn)換，其靈活度為常規(guī)光罩式曝光工具(包括步進式系統(tǒng)及光罩對準系統(tǒng))所無法企及。
本案之AOS無光罩直接成像系統(tǒng)尚可在處理有變形之虞(例如彎曲與翹曲)之超薄基板時提供適切之對準功能。透過本文所公開之方法，本發(fā)明之AOS無光罩直接成像系統(tǒng)可有效率地“拉伸”光罩數(shù)據(jù)以配合既有之基板圖案，從而達成局部對準之目的。常規(guī)光罩式微影技術(shù)則無此功能。在另一方法中，本案之AOS無光罩直接成像系統(tǒng)系用于形成主動硅質(zhì)中介層上之硅通孔圖案。為將三維IC整合組件之熱性質(zhì)及電氣性質(zhì)最佳化，或有必要在研究或開發(fā)階段，或者在為同一晶圓進行不同應(yīng)用目的之分割設(shè)計時，針對硅通孔在主動晶粒上之設(shè)置方式進行實驗設(shè)計(DOE)。本案之AOS無光罩直接成像系統(tǒng)可有效率地達成此一目的，故無須為此訂購任何光罩。圖29c系一二維集成電路之配置圖。如本范例所示,配置圖中之各區(qū)塊(即A、B、C、D、E、F、G)分別代表該集成電路之一部分及其在一晶圓上之對應(yīng)區(qū)域。延伸于區(qū)塊A與C之間、區(qū)塊A與E之間及區(qū)塊C與G之間之線段分別代表該等區(qū)塊彼此互通所需之路由線。熟習(xí)此項技藝者即可明了，在一具有數(shù)十億個晶體管之集成電路中，區(qū)塊間通訊信號之路由十分復(fù)雜，其設(shè)計難度甚高，所涉及之問題包括電阻電容延遲效應(yīng)、串音干擾、耗能及形狀因子等，在在均對集成電路之成本有直接影響。本發(fā)明所公開之系統(tǒng)及方法可解決圖29c中系統(tǒng)單芯片之設(shè)計問題，特別是用于晶粒至晶粒、晶粒至晶圓以及晶圓至晶圓之三維接合，以以更有效之方式制造三維集成電路。如圖29d所示，集成電路可以三維方式排列，因而大幅縮短各區(qū)塊間通訊信號之路由長度。在此例中，區(qū)塊A與C系位于集成電路之第一層，而區(qū)塊B、D、E、F、G則位于集成電路之第二層。凡熟習(xí)此項技藝之人士即可明了，該集成電路內(nèi)之層數(shù)亦可多于兩層，以達該集成電路之特定設(shè)計及成本目的。延伸于區(qū)塊A與E之間、區(qū)塊A與D之間、區(qū)塊A與F之間、區(qū)塊C與B之間、區(qū)塊C與F之間，及區(qū)塊C與G之間之垂直線代表圖示集成電路中不同層區(qū)塊間之通訊信號路由。由于此等路由線系以三維方式排列，其長度已大幅縮短。在其它實施例中，可將模擬電路與數(shù)字電路分設(shè)于三維集成電路之不同層內(nèi)。在另些實施例中，亦可將電路之電源及接地平面分設(shè)于三維集成電路之不同層。若以常規(guī)方法制造三維集成電路，集成電路之每一層均須使用一光罩，但在設(shè)計過程中往往必須多次迭代方可同時滿足功能、效能及成本等各方面之設(shè)計標準。換言之，在設(shè)計及驗證過程中，集成電路各層所對應(yīng)之光罩有可能需要修改，因而增加集成電路之開發(fā)成本及開發(fā)時間。但若使用本發(fā)明之成像寫入系統(tǒng)，各層電路設(shè)計圖案之形成便不須借助光罩。此外，若采用本發(fā)明成像寫入系統(tǒng)之多晶圓直接成像法，則集成電路中之多層將可平行制造，進而減少集成電路之開發(fā)成本并縮短開發(fā)時間。根據(jù)本發(fā)明之實施例，本案之成像寫入系統(tǒng)可用于硅通孔之“先鉆孔”制程，以利三維集成電路芯片之接合。本案之無光罩方法可取代一使用光罩之常規(guī)填充步驟，此填充步驟原為前段制程(FEOL)前之加工工序(工序I)中之第二步驟，或為前段制程后之加工工序(工序2)中之第三步驟。同樣地，本案之成像寫入系統(tǒng)可用于硅通孔之“后鉆孔”制程，以利三維集成電路芯片之接合。本案之無光罩方法可取代一使用光罩之常規(guī)填充步驟，此填充步驟原為后段制程(BEOL)前之加工工序(工序3)中之第三步驟，或為后段制程后之加工工序(工序4)中之第五步驟。請注意，由于硅通孔之通孔光罩圖案大多采用尺度不同于其它光罩圖案之關(guān)鍵尺寸，本案無光罩方法之靈活度恰可發(fā)揮極大之幫助；因為若采用常規(guī)方法，則以最先進之曝光工具制作通孔光罩圖案之經(jīng)濟效益甚低，相較之下，以最先進之曝光工具在前段制程中形成光罩層則符合經(jīng)濟效益。一如前述，本案成像寫入系統(tǒng)可在成像過程中進行縮放比例修正、視點間距修正及轉(zhuǎn)動因子修正，故可降低產(chǎn)品開發(fā)成本并縮短產(chǎn)品開發(fā)時程。圖30繪示本發(fā)明實施例中一種多晶圓之直接成像法。在圖30所示范例中系以一3x6SLM陣列為兩枚直徑300毫米之晶圓平行成像，其中第一晶圓3002可由第一組3x3SLM陣列成像，第二晶圓3004可由第二組3x3SLM陣列成像。透過此一方法，各晶圓可包含一三維集成電路之不同設(shè)計圖案或不同層。此外，各SLM可為不同類型之通孔成像。再者，各SLM可用于執(zhí)行不同之影像接合運算、縮放比例修正、視點間距修正及轉(zhuǎn)動因子修正。根據(jù)本發(fā)明之實施例，本案之SLM陣列可平行處理多枚晶圓。例如，一 3x3SLM陣列可為九枚2英寸晶圓成像而不須進行影像之接合，其中各枚2英寸晶圓系由一對應(yīng)之SLM直接成像，且本案之成像寫入系統(tǒng)可分別控制各SLM以使九枚晶圓平行曝光。類似于圖30之范例，各SLM亦可執(zhí)行不同之影像接合運算、縮放比例修正、視點間距修正及轉(zhuǎn)動因子修正。在另一方法中，可利用一 3x3SLM陣列為九塊2英寸PCB成像，其中各PCB系由一對應(yīng)之SLM直接成像，且本案之成像寫入系統(tǒng)可分別控制各SLM以使九塊PCB平行曝光。凡熟習(xí)此項技藝者即可了解，所述SLM陣列可有所調(diào)整以因應(yīng)不同之制造需求，例如，可使用一4x6,5x5或12xl2SLM陣列為多個以對應(yīng)方式排列之2英寸晶圓或PCB平行成像。在圖30所示范例中，該AOS無光罩直接成像系統(tǒng)之排列方式可為多枚300毫米晶圓或矩形中介層基板(可用于主動或被動硅通孔中介層)曝光。就主動中介層而言，晶圓之裝載方式可設(shè)計為與光罩式曝光系統(tǒng)兼容。就矩形中介層基板而言，由于其分辨率與對準精確度之要求較低，除可以機器自動 裝載外，尚可以手動方式裝載。此種AOS曝光系統(tǒng)可將多于一枚晶圓或基板裝載于同一曝光平臺上以便同時掃描曝光，端視所需之單位時間產(chǎn)出量而定。圖30所示之范例系為兩枚晶圓平行曝光。在晶圓裝載過程中，須先辨別晶圓之方位，然后再將晶圓裝載于指定位置。各SLM可針對其所對應(yīng)之曝光區(qū)域獨立執(zhí)行“區(qū)域?qū)省敝δ?。一旦計算出各區(qū)域之欠對準修正因子，即可將其分別應(yīng)用于各SLM所對應(yīng)之光罩數(shù)據(jù)。請注意，若使用本案之方法便不須針對各晶圓執(zhí)行精密之預(yù)對準作業(yè)，只要各對準目標系在對應(yīng)之對準攝影機之視野內(nèi)，或在若干平方毫米之區(qū)域內(nèi)即可。然而，由于各SLM成像單元之光罩數(shù)據(jù)可單獨接受欠對準修正，后續(xù)仍可進行對準修正。透過上述功能，本案之AOS無光罩直接成像系統(tǒng)便可為多枚晶圓曝光。在為多枚晶圓進行AOS曝光之過程中，所有基板均位于同一曝光平臺上，因此，AOS可依方位及距離進行實體掃描。由于在曝光前即可將包含修正因子之光罩數(shù)據(jù)分別施用于各SLM，所得之晶圓圖案與透過單一實體光罩形成者并無二致。圖28b即為本方法之圖示。如圖28b所示，我們可在同一晶圓內(nèi)，針對各SLM成像單元所對應(yīng)之光罩數(shù)據(jù)分別進行區(qū)域性之對準修正。此外，兩不同晶圓可能產(chǎn)生不同之預(yù)對準誤差，例如第一晶圓之預(yù)對準誤差為(θχ1，0-)，第二晶圓之預(yù)對準誤差為(0；￡2，0y2)，兩誤差可分別接受修正，然后施用于光罩數(shù)據(jù)以修正光罩數(shù)據(jù)。請注意，我們亦可運用類似之方法，使AOS為矩形基板曝光，并視需要控制及施用修正因子。各SLM成像單元所對應(yīng)之光罩數(shù)據(jù)亦可分別接受區(qū)域性之對準修正。高亮度LED(HB-LED)市場之蓬勃發(fā)展乃受惠于各種顯示器之背光應(yīng)用，包括手持式裝置、電視、計算機監(jiān)視器、廣告廣告牌等。為降低LED芯片之制造成本，方法之一系使用較大之晶圓，例如從2英寸晶圓改為4至6英寸之晶圓。但高亮度LED之磊晶晶圓制程不同于以硅為基礎(chǔ)之IC制程，前者系以藍寶石或碳化硅為材料，然后以金屬有機物化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)沉積一氮化鎵(GaN)薄膜。氮化鎵系一堅硬、具有機械穩(wěn)定性、高熱容量及高導(dǎo)熱性之寬能隙半導(dǎo)體材料。氮化鎵之晶格常數(shù)與藍寶石或碳化硅均不匹配。沉積于基板上之氮化鎵薄膜雖具有抗裂性，但卻使晶圓嚴重翹曲及彎曲，且基板尺寸愈大，晶圓翹曲之問題愈嚴重。例如，2英寸藍寶石晶圓上之氮化鎵薄膜可使晶圓產(chǎn)生20至25微米之翹曲及彎曲，4英寸藍寶石晶圓上之氮化鎵薄膜可使晶圓產(chǎn)生100微米以上之翹曲及彎曲，至于6英寸晶圓，其平度范圍往往超過250微米。相較之下，6英寸硅磊晶晶圓之平度范圍可能僅若干微米。因此，在加大高亮度LED之晶圓時，上述問題實為一大挑戰(zhàn)。目前用以制造LED芯片之主流晶圓大小為2英寸。若欲以具有成本效益之方式，利用微影制程制造出直徑大于2英寸之LED芯片用晶圓，所用之微影工具不僅須具備必要之分辨率，更須具有足夠之焦深。此焦深至少須涵蓋具有氮化鎵薄膜之藍寶石晶圓在各曝光范圍內(nèi)之典型翹曲及彎曲幅度。在晶圓平度欠佳之情況下，層與層間之對準度是否夠高亦為一重要考慮因素。因此，傳統(tǒng)之接觸式對準系統(tǒng)并不適合制造大于2英寸且供高亮度LED芯片使用之晶圓。圖31繪示根據(jù)本發(fā)明實施例之一無光罩掃描曝光系統(tǒng)。如圖31所示，該系統(tǒng)之曝光范圍較小，故可根據(jù)基板表面狀況而以更靈活之方式追蹤焦點以進行掃描曝光。此系統(tǒng)對于嚴重翹曲及彎曲之藍寶石晶圓之容忍度亦較高。請注意，此種無光罩掃描曝光系統(tǒng)可排成一陣列，以便分別為同一平臺上之多枚晶圓進行掃描曝光?；蛘?，可將此種無光罩掃描曝光系統(tǒng)相互接合排列，以為一大尺寸晶圓平行曝光。若欲對同一平臺上之多枚晶圓分別進行掃描曝光，須先將所有晶圓安放于個別之定位，此時各晶圓將有一組特有之轉(zhuǎn)動誤差。經(jīng)過晶圓裝載過程中一粗略之預(yù)對準步驟后，上述轉(zhuǎn)動誤差可調(diào)整至預(yù)設(shè)之限值內(nèi)。之后若欲以對準狀態(tài)進行無光罩曝光，尚須掃描各晶圓上之對準記號(如圖28b所示)，以便確定實際之圖案范圍。除了圖案轉(zhuǎn)動(如圖28a所示)外，各晶圓也可能因為晶格常數(shù)不匹配之狀況在各熱處理循環(huán)中愈加明顯而出現(xiàn)翹曲或彎曲之現(xiàn)象，進而導(dǎo)致圖案偏移或扭曲。各個無光罩掃描曝光單元(即SLM成像單元)可獨立求出光罩數(shù)據(jù)之圖案修正因子，并將該等圖案修正因子分別應(yīng)用于各SLM成像單元所對應(yīng)之光罩數(shù)據(jù)。一如前述，一線性排列之SLM陣列(AOS)可在同一平臺上以平行方式同時執(zhí)行無光罩掃描曝光。為達此目的，該SLM陣列中之各SLM具有相同之光罩數(shù)據(jù),但各SLM之光罩數(shù)據(jù)分別包含一組對應(yīng)于待曝光晶圓之特有修正因子。在另一范例中，一包含兩具SLM之SLM陣列可處理同一晶圓，其中晶圓映像及光罩數(shù)據(jù)修正之步驟實質(zhì)相同，不同之處僅在于此處系由兩具SLM成像單兀為同一晶圓曝光。本案之AOS無光罩掃描曝光系統(tǒng)優(yōu)點甚多，其不僅能以更有效率之方式隨基板表面追蹤焦點，更可對各枚待曝光之晶圓分別施以不同之光罩修正圖案。此外，由于該系統(tǒng)可同時為多枚晶圓平行曝光，制造系統(tǒng)之單位時間產(chǎn)出量系乘以同時曝光之晶圓數(shù)，且其間亦不致影響各晶圓光罩圖案之修正。請注意，在將晶圓裝載于曝光平臺之過程中，本案AOS無光罩掃描曝光系統(tǒng)對預(yù)對準誤差之容忍度頗大，此誤差可在數(shù)毫米之內(nèi)，或在各SLM成像單元中對準攝影機之影像擷取限制范圍內(nèi)。最好搭配使用機器人之晶圓裝載及卸載機構(gòu)，但若有必要，亦可由一熟練之操作人員以手動方式裝載晶圓以執(zhí)行AOS無光罩掃描曝光。在一方法中，本案之SLM陣列可為多枚圖案化藍寶石基板(PSS)發(fā)光二極管(LED)平行成像。由于每具SLM可為一枚PSSLED晶圓曝光，單位時間之產(chǎn)出量甚高。舉例而言，若使用一 5x5SLM陣列，且每枚PSS LED之曝光時間為一分鐘，則每分鐘可為25枚晶圓曝光，亦即每小時可為1500枚晶圓曝光。此等單位時間產(chǎn)出量超過以常規(guī)曝光工具制造PSS LED時之水平。請注意，上述PSS LED制程往往使晶圓承受高應(yīng)力，進而導(dǎo)致基板大幅翹曲；通常每枚晶圓之翹曲幅度為100微米左右。此外，每一批次之晶圓可能具有不同之基板翹曲特性，若使用常規(guī)曝光工具則難以在制程中因應(yīng)此種變化，其原因在于常規(guī)接近式對準系統(tǒng)原本即不適合處理翹曲之基板，而常規(guī)步進系統(tǒng)則將額外增加光罩相關(guān)之成本。為解決此一問題，本案之成像寫入系統(tǒng)可獨立控制各SLM之焦點，以便在各SLM所對應(yīng)之局部區(qū)域產(chǎn)生最佳成像效果。此種以調(diào)適焦點之手段解決基板翹曲問題之方法如圖8、圖13至圖15及圖21所示。圖32a與圖32b繪示本發(fā)明實施例中直接在部分晶圓基板上成像之方法。圖32a系由一 lx3SLM陣列執(zhí)行同形對準曝光。在此方法中，成像圖案可由各SLM分別曝光。請注意，此一處理部分晶圓之功能在制造砷化鎵(GaAs)晶圓時尤其有用，因為砷化鎵晶圓較娃晶圓更容易破裂。若使用常規(guī)工具則難以處理部分晶圓，其原因在于光罩可能無法搭配部分晶圓使用。即使光罩可搭配部分晶圓使用，兩者也不易相互對準。但若使用本案之成像寫入系統(tǒng)，我們在為部分晶圓成像時便可分別控制各SLM，以針對縮放比例、IOD及轉(zhuǎn)動因子修正等項目進行補償。如此一來，部分晶圓無須精確對準也可完成曝光。同樣地，圖32b繪示如何利用一 lx2SLM陣列對兩部分晶圓執(zhí)行平行同形對準曝光，其中各晶圓系分別由一對應(yīng)之SLM曝光。請注意，在圖32b所示范例中，兩部分晶圓不須彼此對準，且兩部分晶圓可有各自之偏位角，該等偏位角可在曝光過程中由SLM于行進間加以補償。圖32c與圖32d則繪示本發(fā)明實施例中為不同形狀之設(shè)計圖案進行直接成像之方法。詳言之，圖32c中之心形設(shè)計圖案3202可由一 lx4SLM陣列以無光罩之方式直接成像，而圖32d中彎曲之矩形設(shè)計圖案3204則可由一 2x4SLM陣列以無光罩之方式直接成像。在以上范例中，我們可將各SLM程序化，以針對翹曲、縮放比例、IOD及轉(zhuǎn)動因子修正等項目進行補償。圖33a與圖33b繪示本發(fā)明實施例中之無光罩制造法。詳言之，圖33a系一使用光罩之常規(guī)制造法，圖33b則為一使用本發(fā)明成像寫入系統(tǒng)之無光罩制造法。在圖33a中，常規(guī)制造法于方塊3302中接收定案之產(chǎn)品設(shè)計圖案，然后分別于方塊3304、3306及3308中執(zhí)行光罩廠預(yù)備作業(yè)、光罩寫入及光罩之檢查與修復(fù)。方塊3304至3308之作業(yè)統(tǒng)稱光罩廠作業(yè)。若在方塊3308中發(fā)現(xiàn)瑕疵，可針對瑕疵進行修復(fù)，有時則須重復(fù)方塊3306之光罩寫入作業(yè)，因而增加額外之成本(圖中以$表示)，此新增成本包括所用材料之成本，以及在方塊3306中制備新光罩所耗費之時間成本。在完成光罩廠作業(yè)后，光罩將于方塊3310中接受品管測試。倘于測試期間發(fā)現(xiàn)錯誤則須重制光罩，換言之，必須返回方塊3306以制造新光罩，然此舉將增加更多成本(圖中以$$表示)，新增之成本包括材料成本及重制光罩所耗費之時間成本。方塊3312則為產(chǎn)品制造驗證。若于驗證期間發(fā)現(xiàn)功能或效能上之問題，產(chǎn)品可能必須重新設(shè)計，亦即必須重復(fù)上述流程，并于方塊3302中重新提出定案之產(chǎn)品設(shè)計圖案。此一情況所增加之成本更高(圖中以$$$表示)，實際金額可達數(shù)百萬美元。若產(chǎn)品順利通過方塊3312之制造驗證，即可進入方塊3314之量產(chǎn)程序。在圖33b中，該無光罩制造法系于方塊3302中接收定案之產(chǎn)品設(shè)計圖案。然后，根據(jù)本發(fā)明之實施例，本案之成像寫入系統(tǒng)將接收此設(shè)計數(shù)據(jù)并加以處理，以便利用一 SLM陣列進行后續(xù)之成像及平行曝光。在處理設(shè)計數(shù)據(jù)以供成像之過程中，本案之成像寫入系統(tǒng)可針對各SLM執(zhí)行對準狀態(tài)修正、縮放比例修正、晶圓翹曲修正、視點間距修正及轉(zhuǎn)動因子修正。上述修正動作系以基板上特定區(qū)域之參數(shù)為基礎(chǔ)，且各SLM系分別接受控制以執(zhí)行該等修正動作。圖33b之方塊3312與圖33a中之對應(yīng)方塊相同，均為產(chǎn)品制造驗證。若驗證后發(fā)現(xiàn)功能或性能上之問題，產(chǎn)品可能必須重新設(shè)計，亦即必須重復(fù)上述流程，并于方塊3302中重新提出定案之產(chǎn)品設(shè)計圖案。此時，由于并未使用實體光罩，且亦不須執(zhí)行光罩廠作業(yè)(方塊3304至3308)或光罩品管作業(yè)，重制光罩之時程將較圖33a所示之常規(guī)制造法為短，產(chǎn)品開發(fā)成本亦較低(如方塊3312至方塊3302之虛線所示)。若順利完成方塊3312之產(chǎn)品制造驗證，即可進入方塊3314之量產(chǎn)程序。根據(jù)本發(fā)明之實施例，本案之成像寫入系統(tǒng)可執(zhí)行集成電路之自動光學(xué)檢查,其中SLM陣列可如圖23a至圖23c所示擷取基板之影像。例如，傳感器2310及2322可擷取一基板某一區(qū)域之一個或多個影像，而該基板則代表一接受檢查之集成電路之一部分。所擷取之每個影像將接受分析以找出異常之圖案，例如不應(yīng)出現(xiàn)之瑕疵及外來微粒等。在一實施例中，本案之成像寫入系統(tǒng)可執(zhí)行下列三種檢查:1)找出基板與光罩數(shù)據(jù)庫間之差異；
2)找出與基板圖案相關(guān)之畸變；及3)找出基板上之外來微粒。相較于常規(guī)檢查方法，以本案之成像寫入系統(tǒng)進行自動光學(xué)檢查之優(yōu)點甚多。首先，由于SLM陣列可以平行方式比對光罩數(shù)據(jù)庫，系統(tǒng)之單位時間產(chǎn)出量極高。其次，本案之成像寫入系統(tǒng)可執(zhí)行影像接合，故可為大型設(shè)計圖案進行基板圖案與光罩數(shù)據(jù)庫之比對檢查。再者，各SLM可獨立檢查基板之一特定區(qū)域，因此可以更有效之方式因應(yīng)該區(qū)域內(nèi)之各種狀況，例如可進行對準狀態(tài)修正、縮放比例修正、IOD修正、轉(zhuǎn)動因子修正及基板翹曲修正。此種自動光學(xué)檢查技術(shù)適用于非常大型之基板，例如第十代及更新世代之平板顯示器。本發(fā)明之實施例不僅適用且有利于Fro及其光罩之微影制程(亦即在玻璃基板上形成獨一無二之原尺寸圖案或其精密復(fù)制品)，亦適用且有利于集成電路、計算機產(chǎn)生之全像(CGH)、PCB等微尺度與中尺度之大型成像顯示應(yīng)用。本發(fā)明之實施例亦適用且有利于無光罩之微影制程，例如可將預(yù)定之光罩數(shù)據(jù)圖案直接寫入基板，以便省去光罩成本并免除相關(guān)問題。本發(fā)明之實施例使曝光工具得以執(zhí)行無光罩式曝光，并使其單位時間之處理量超越第十代及以上基板所需之水平。更重要者，本發(fā)明之設(shè)計可改善制程窗口，進而確保微影制程之良率。以上雖通過不同之功能單元及處理器闡明本發(fā)明之實施例，但所述功能顯然可于不同之功能單元與處理器間以任何適當(dāng)之方式分配而不悖離本發(fā)明之精神與范圍。舉例而言，由不同處理器或控制器執(zhí)行之功能可改由同一處理器或控制器完成。因此，本文在提及特定功能單元時，系指可提供所述功能之適當(dāng)手段，而非指特定之邏輯或?qū)嶓w結(jié)構(gòu)或組織。本發(fā)明可以任何適當(dāng)形式實現(xiàn)，包括硬件、軟件、固件或其任一組合。本發(fā)明之部分內(nèi)容可視需要而落實為可由一個或多個數(shù)據(jù)處理器及/或數(shù)字訊號處理器執(zhí)行之計算機軟件。本發(fā)明任一實施例中之組件，其實體、功能及邏輯均可以任何適當(dāng)方式實施。所述功能可以單一單元或多個單元實現(xiàn)，抑或落實為其它功能單元之一部分。因此，本發(fā)明可為單一單元，或?qū)⑵鋵嶓w與功能分配至不同之單元與處理器。熟習(xí)此項技藝之人士應(yīng)可明了，本文所公開之實施例可以多種方式修改及組合，但仍保留本發(fā)明之基本機構(gòu)及方法。為便于解說，前文系針對特定實施例加以說明。然而，以上說明并未窮盡所有可能之實施方式，亦未將本發(fā)明限縮于本文所揭示之特定形態(tài)。熟習(xí)此項技藝之人士在參閱以上說明后，或可思及多種修改及變化之方式。之所以選擇并描述特定實施例，乃為闡釋本發(fā)明之原理及其實際應(yīng)用，使熟習(xí)此項技藝之人士得依特定用途進行修改，以善用本發(fā)明及各種實施例。
權(quán)利要求
1.一種制造一三維集成電路的方法，包含下列步驟: 提供一成像寫入系統(tǒng)，其中該成像寫入系統(tǒng)包含多個空間光調(diào)制器(SLM)成像單元，該等SLM成像單元排列成一個或多個平行陣列； 接收光罩數(shù)據(jù)，其中該光罩數(shù)據(jù)供寫入該三維集成電路之一層或多層； 處理該光罩數(shù)據(jù)，以形成多個對應(yīng)于該三維集成電路中該一層或多層之分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案； 指派一個或多個所述SLM成像單元負責(zé)處理各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案；以及控制該等SLM成像單元，以將該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案并行寫入該三維集成電路之該一層或多層。
2.按權(quán)利要求1所述的方法，其中指派一個或多個所述SLM成像單元之步驟包含: 根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行縮放比例修正，其中各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均具有一對應(yīng)之縮放比例修正動作。
3.按權(quán)利要求1所述的方法，其中指派一個或多個所述SLM成像單元之步驟還包含: 根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行對準狀態(tài)修正，其中各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均具有一對應(yīng)之對準狀態(tài)修正動作。
4.按權(quán)利要求1所述的方法，其中指派一個或多個所述SLM成像單元之步驟還包含: 根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行視點間距修正，其中各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均具有一對應(yīng)之視點間距修正動作。
5.按權(quán)利要求1所述的方法，其中指派一個或多個所述SLM成像單元之步驟還包含: 根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行轉(zhuǎn)動因子修正，其中各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均具有一對應(yīng)之轉(zhuǎn)動因子修正動作。
6.按權(quán)利要求1所述的方法，其中指派一個或多個所述SLM成像單元之步驟還包含: 根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行基板變形修正，其中各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均具有一對應(yīng)之基板變形修正動作。
7.按權(quán)利要求1所述的方法，其中控制該等SLM成像單元之步驟包含: 針對各該SLM成像單元，使一對應(yīng)之所述分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案獨立于該成像寫入系統(tǒng)中其它所述SLM成像單元而曝光。
8.一種制造一三維集成電路的系統(tǒng)，包含: 多個空間光調(diào)制器(SLM)成像單元，該等SLM成像單元排列成一個或多個平行陣列；及 一用以控制該等SLM成像單元之控制器，其包含: 第一邏輯，用以接收光罩數(shù)據(jù)，其中該光罩數(shù)據(jù)供寫入該三維集成電路之一層或多層； 第二邏輯，用以處理該光罩數(shù)據(jù)，以形成多個對應(yīng)于該三維集成電路中該一層或多層之分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案； 第三邏輯，用以指派一個或多個所述SLM成像單元負責(zé)處理各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案；以及 第四邏輯，用以控制該等SLM成像單元，以將該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案并行寫入該三維集成電路之該一層或多層。
9.按權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中該用以指派一個或多個所述SLM成像單元之第三邏輯包含: 第五邏輯，其可根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行縮放比例修正，其中各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均具有一對應(yīng)之縮放比例修正動作。
10.按權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中該用以指派一個或多個所述SLM成像單元之第三邏輯還包含: 第六邏輯，其可根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行對準狀態(tài)修正，其中各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均具有一對應(yīng)之對準狀態(tài)修正動作。
11.按權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中該用以指派一個或多個所述SLM成像單元之第三邏輯還包含: 第七邏輯，其可根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行視點間距修正，其中各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均具有一對應(yīng)之視點間距修正動作。
12.按權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中該用以指派一個或多個所述SLM成像單元之第三邏輯還包含: 第八邏輯，其可根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行轉(zhuǎn)動因子修正，其中各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均具有一對應(yīng)之轉(zhuǎn)動因子修正動作。
13.按權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中該用以指派一個或多個所述SLM成像單元之第三邏輯還包含: 第九邏輯，其可根據(jù)該等SLM成像單元，對該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案進行基板變形修正，其中各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案均具有一對應(yīng)之基板變形修正動作。
14.按權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中該用以控制該等SLM成像單元之第四邏輯包含: 第十邏輯，其可針對各該SLM成像單元，使一對應(yīng)之所述分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案獨立于該成像寫入系統(tǒng)中其它所述SLM成像單元而曝光。
15.一種利用部分晶圓的制造方法，包含下列步驟: 提供一成像寫入系統(tǒng)，其中該成像寫入系統(tǒng)包含多個空間光調(diào)制器(SLM)成像單元，該等SLM成像單元排列成一個或多個平行陣列； 提供一個或多個待加工制造之部分晶圓； 接收光罩數(shù)據(jù)，其中該光罩數(shù)據(jù)供寫入該一個或多個部分晶圓之基板； 處理該光罩數(shù)據(jù)以形成多個分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案，該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案對應(yīng)于該一個或多個部分晶圓之所述基板； 指派一個或多個所述SLM成像單元負責(zé)處理各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案，其中所述指派包含至少執(zhí)行下列其中之一:縮放比例修正、對準狀態(tài)修正、視點間距修正、轉(zhuǎn)動因子修正與基板變形修正；以及 控制該等SLM成像單元，以將該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案并行寫入該一個或多個部分晶圓之所述基板。
16.一種在一印刷電路板(PCB)上并行制造多個設(shè)計圖案的方法，包含下列步驟: 提供一成像寫入系統(tǒng)，其中該成像寫入系統(tǒng)包含多個空間光調(diào)制器(SLM)成像單元，該等SLM成像單元排列成一個或多個平行陣列； 提供一印刷電路板，其中該印刷電路板已劃分為多個區(qū)域，各該區(qū)域包含一待制造之設(shè)計圖案；接收光罩數(shù)據(jù)，其中該光罩數(shù)據(jù)供寫入該印刷電路板之該多個區(qū)域； 處理該光罩數(shù)據(jù)，以形成多個對應(yīng)于該印刷電路板該多個區(qū)域之分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案；指派一個或多個所述SLM成像單元負責(zé)處理各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案，其中所述指派包含至少執(zhí)行下列其中之一:縮放比例修正、對準狀態(tài)修正、視點間距修正、轉(zhuǎn)動因子修正與基板變形修正；以及 控制該等SLM成像 單元，以將該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案并行寫入該印刷電路板之該多個區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明公開一種制造三維集成電路之系統(tǒng)及方法。在一實施例中，該方法包含提供一具有多個空間光調(diào)制器(SLM)成像單元之成像寫入系統(tǒng)，其中該等SLM成像單元系排列成一個或多個平行陣列；接收光罩數(shù)據(jù)，其中該光罩數(shù)據(jù)系供寫入一三維集成電路之一層或多層；處理該光罩數(shù)據(jù)，以形成多個對應(yīng)于該三維集成電路該一層或多層之分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案；指派一個或多個所述SLM成像單元負責(zé)處理各該分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案；以及控制該等SLM成像單元，以將該等分區(qū)光罩數(shù)據(jù)圖案并行寫入該三維集成電路之該一層或多層。所述指派包含至少執(zhí)行下列其中之一縮放比例修正、對準狀態(tài)修正、視點間距修正、轉(zhuǎn)動因子修正及基板變形修正。
文檔編號G02B26/00GK103097936SQ201180042657
公開日2013年5月8日 申請日期2011年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者陳正方, T·萊迪格 申請人:派因布魯克成像系統(tǒng)公司