專利名稱：反射鏡、用于極紫外投射曝光系統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)以及制造組件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于EUV (極紫外)輻射的反射鏡。本發(fā)明還涉及一種照明光學(xué)系統(tǒng)(illumination optical system) >一種投身寸光學(xué)系統(tǒng)(projection optical system) >一種光學(xué)系統(tǒng)及一種EUV投射曝光系統(tǒng)(projection exposure system)。此外,本發(fā)明涉及一種制造微結(jié)構(gòu)化或納米結(jié)構(gòu)化組件的方法及一種以此方法制造的組件。
背景技術(shù)：
從EPl 927 892A1獲知用于EUV輻射的反射鏡及EUV投射曝光系統(tǒng)。從US6 522717B1獲知X光顯微鏡。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于開發(fā)一種用于EUV輻射的反射鏡，使得可以改進EUV投射曝光系統(tǒng)的光學(xué)質(zhì)量。通過根據(jù)權(quán)利要求1的反射鏡實現(xiàn)此目的。根據(jù)本發(fā)明認識到，用作光刻掩模(lithography mask)的掩模母版(reticle)的反射能力從用于照明的EUV輻射的特定入射角起快速下降。傾斜照明還導(dǎo)致嚴重的遠心誤差(telecentric error)。然而，在掩模母版的垂直照明下，換句話說，在照明光學(xué)系統(tǒng)的主光束(mainbeam)的路線平行于光軸且掩模母版相對于此垂直取向的情況下，由于結(jié)構(gòu)上的限制，在照明和/或投射光學(xué)系統(tǒng)中發(fā)生光束路徑的遮蔽(obscuration)。物場點(object field point)(換句話說,掩模母版上的特定點)的主光束在此定義為該物場點與照明光學(xué)系統(tǒng)的光瞳(pupil)中心之間的連線。根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于EUV輻射的反射鏡，其設(shè)有至少一個EUV輻射反射區(qū)以及至少兩個、尤其是更多個、尤其是至少三個、尤其是至少四個、尤其是至少五個EUV輻射可穿透區(qū)。尤其，EUV福射可穿透區(qū)在此構(gòu)造為反射鏡主體中的通孔(through-opening)。尤其，輻射可穿透區(qū)在反射鏡主體中布置為分離的。尤其，輻射可穿透區(qū)在反射鏡主體上布置為分散的，使得它們的包絡(luò)界定一面積，該面積覆蓋輻射反射區(qū)的總面積的至少30%、尤其是至少40%、尤其是至少50%、尤其是至少60%、尤其是至少70%、尤其是至少80%、尤其是至少 90%o對應(yīng)地，也可以有與此相反的反射鏡構(gòu)造，其中反射區(qū)和可穿透區(qū)正好對調(diào)。在此相反構(gòu)造下，提供較多個、尤其是至少兩個、尤其是至少三個、尤其是至少四個、尤其是至少五個EUV輻射反射區(qū)。尤其，輻射反射區(qū)在此可構(gòu)造為分離的。尤其，輻射反射區(qū)可利用交叉支柱(cross-strut)彼此機械鏈接。尤其，福射反射區(qū)可應(yīng)用于編結(jié)型支架(braiding-type holder)中。在反射鏡的此構(gòu)造中，EUV福射可穿透面積構(gòu)成此反射鏡的總面積的尤其是至少50%、尤其是至少60%、尤其是至少70%、尤其是至少80%、尤其是至少90%。使用根據(jù)本發(fā)明的反射鏡，即使在照明光學(xué)系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑(numericalaperture)的情況下，也可以較小入射角照明掩模母版，而不會發(fā)生掩模母版反射的EUV輻射的遮蔽。使用根據(jù)本發(fā)明的反射鏡，尤其可以引導(dǎo)掩模母版反射的EUV輻射的零衍射級(zero diffraction order)通過投射光學(xué)系統(tǒng)而沒有任何遮蔽。使用根據(jù)本發(fā)明的反射鏡，可以形成照明和成像光束路徑的空間分離(spatialseparation)。根據(jù)權(quán)利要求2，反射鏡具有相關(guān)聯(lián)的EUV輻射反射區(qū)用于每一個EUV輻射可穿透區(qū)。該EUV輻射反射區(qū)又稱為與相應(yīng)輻射可穿透區(qū)互補的區(qū)域。尤其，反射鏡上與特定輻射可穿透區(qū)相關(guān)聯(lián)及其中成像掩模母版反射的輻射的零衍射級的區(qū)域稱為共軛區(qū)(conjugated region)。術(shù)語“互補區(qū)(complementary region) ” 及“共軛區(qū)”只是用來說明本發(fā)明。對應(yīng)區(qū)不一定具有限定的機械限制?；パa區(qū)，尤其是共軛區(qū)，分別布置在反射鏡上相對于輻射可穿透區(qū)的預(yù)定位置。原則上，在掩模母版上反射的輻射，尤其是較高衍射級的輻射，可落在反射鏡的任何區(qū)上。然而，利用傳統(tǒng)使用的掩模母版的結(jié)構(gòu)的知識，可以通過有目標(biāo)地布置輻射可穿透區(qū)及輻射反射區(qū)來預(yù)先確定反射光的哪些衍射級對這些掩模母版投射到像場(image field)中有貢獻。尤其，可以針對明場照明(bright fieldillumination)或暗場照明(dark field illumination)來構(gòu)造反射鏡。根據(jù)權(quán)利要求3，分別與EUV輻射可穿透區(qū)共軛的EUV輻射反射區(qū)被布置為與相關(guān)聯(lián)的EUV輻射可穿透區(qū)相對于對稱軸對稱。此布置有利于明場應(yīng)用(bright fieldapplication)，因為這確保掩模母版上反射的輻射的至少零衍射級可分別精確地落在EUV福射反射區(qū)上。因此，點鏡射的照明光瞳(point-mirrored illumination pupil)的至少一部分，尤其是整個點鏡射的照明光瞳，是成像光束路徑的組件。反射鏡，尤其是EUV輻射反射區(qū)及EUV輻射可穿透區(qū)的布置，可被適配于特定的預(yù)定掩模母版、尤其是典型使用的掩模母版。使用具有典型掩模母版結(jié)構(gòu)(尤其是具有要成像的已知結(jié)構(gòu))的給定掩模母版，在反射鏡上適當(dāng)?shù)夭贾肊UV輻射可穿透區(qū)，尤其可實現(xiàn):作為零衍射級的補充或替代，在掩模母版上反射的輻射的其他衍射級，尤其是+/_第一衍射級，分別精確地落在EUV輻射反射區(qū)上。如果這里及下文提及區(qū)的“對稱軸”及“對稱布置”，則其分別還用于表示反射鏡的對應(yīng)變形構(gòu)造(correspondingly distorted configuration),這對于反射鏡相對于光束路徑的主光束的位置傾斜的情況是必須的。使用根據(jù)本發(fā)明的反射鏡，可照明掩模母版，致使主光束的角度(即主光線角(chief ray angle,CRA))小于物側(cè)數(shù)值孔徑(object-side numerical aperture,NA0)的反正弦(arcsin),即 CRA〈arcsin(NAO)。根據(jù)權(quán)利要求4，反射鏡分別具有較多的輻射可穿透區(qū)及與其共軛的輻射反射區(qū)。一方面，這允許有較多的不同照 明設(shè)定(illumination setting),以及另一方面，由此減少用來在像場中成像物場(object field)的全部福射的每一個單獨(individual)福射可穿透區(qū)及與其共軛的相應(yīng)福射反射區(qū)的相對比率(relative fraction)。如果與單獨的特定輻射可穿透區(qū)相關(guān)聯(lián)的反射輻射的衍射級偶然地再次照射在輻射可穿透區(qū)上并因此未被反射，則由此將減少其對成像質(zhì)量的影響。因此，可以使成像質(zhì)量整體更加穩(wěn)定。為此目的，尤其是，如果相對于總光學(xué)可用面(換句話說，反射的反射鏡面)，輻射可穿透區(qū)分別盡可能小，則是有利的。由于根據(jù)權(quán)利要求5，在繞著對稱軸的圓圈上布置輻射可穿透區(qū)，因此可實現(xiàn)掩模母版的特別一致(uniform)、均勻的照明。尤其，輻射可穿透區(qū)在此可等距離地布置在圓圈上。等距離布置奇數(shù)個輻射可穿透區(qū)在此精確地導(dǎo)致明場構(gòu)造(bright fieldconfiguration),因為,在此情況中，福射反射區(qū)關(guān)于對稱軸與每一個福射可穿透區(qū)相對。因此，等距離布置偶數(shù)個輻射可穿透區(qū)導(dǎo)致暗場構(gòu)造(dark fieldconfiguration),因為另一福射可穿透區(qū)關(guān)于對稱軸精確地與每一個福射可穿透區(qū)相對。由掩模母版從每一個輻射可穿透區(qū)反射的輻射的零衍射級因此至少局部地(尤其是完全地)再次精確地照射在輻射可穿透區(qū)上，因此不會被反射鏡反射，并因此無法對物場在像場中的成像做出貢獻。此外，輻射可穿透區(qū)可布置在繞著對稱軸的多個同心圓上。因此，可以有不同入射角的不同照明設(shè)定。由此可減少干涉效應(yīng)(interference effect)。根據(jù)權(quán)利要求6，輻射可穿透區(qū)被布置成它們的共同重心(centre of gravity)與對稱軸重合。因此，可以照明掩模母版，使得照明輻射的主光束具有0°的入射角。本發(fā)明其他目的在于改進用于將物場成像于像場中的EUV照明光學(xué)系統(tǒng)和EUV投射光學(xué)系統(tǒng)。通過權(quán)利要求7和8的特征來實現(xiàn)這些目的。此類型照明/投射光學(xué)系統(tǒng)的優(yōu)點對應(yīng)于上文已經(jīng)說明的優(yōu)點。根據(jù)權(quán)利要求9，反射鏡被布置為接近光瞳。當(dāng)滿足下列條件時，反射鏡M被布置為接近光瞳:
P (M) =D (SA) / (D (SA) +D (CR))彡 0.5。D(SA)是從物場點發(fā)射的筆形光束(beam pencil)在反射鏡M處的子孔徑直徑(sub-aperture diameter),以及D(CR)是在反射鏡M的表面上的、由成像光學(xué)系統(tǒng)成像的有效物場的主光束在光學(xué)系統(tǒng)的參考平面(reference plane)中所測量的最大間隔。參考平面可以是成像光學(xué)系統(tǒng)的對稱平面或子午面(meridional plane)。參數(shù)P(M)的定義對應(yīng)于W02009/024164A1中給出的定義。在場平面(field plane)中，P(M)=O。在瞳平面(pupil plane)中，P(M)=1。通過接近于光瞳的布置可確保掩模母版反射的輻射的至少零衍射級分別完全落在輻射反射區(qū)上。此外，本發(fā)明基于改進用于EUV投射曝光系統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)及此類型系統(tǒng)的目的。通過權(quán)利要求10至13的特征來實現(xiàn)此目的。其優(yōu)點對應(yīng)于上文已經(jīng)說明的優(yōu)點。本發(fā)明其他目的在于公開一種使用投射曝光系統(tǒng)制造組件的方法及一種利用該方法制造的組件。根據(jù)本發(fā)明，通過根據(jù)權(quán)利要求14的制造方法以及根據(jù)權(quán)利要求15的組件實現(xiàn)這些目的。 這些主題的優(yōu)點對應(yīng)于上文已經(jīng)說明的優(yōu)點。


下面將借助于附圖更詳細地說明本發(fā)明的實施例，其中:圖1顯示用于EUV光刻的EUV投射曝光系統(tǒng)的組件的示意圖；圖2顯示根據(jù)圖1的投射曝光系統(tǒng)的照明光及成像光的光束路徑在要在投射曝光中成像的反射物體(形式為掩模母版)的區(qū)域中的部分放大的示意圖；圖3顯示類似于圖2的照明光及成像光的光束路徑的部分放大的示意圖，但以另一方式引導(dǎo)光束路徑；圖4A、4B顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的反射鏡的示意圖；圖5A、5B顯不根據(jù)本發(fā)明另一實施例的反射鏡的不意圖；圖6及圖7顯不反射鏡的另一實施例的不意圖；圖8顯示結(jié)合施瓦茲希爾(Schwarzschild)光學(xué)系統(tǒng)使用根據(jù)本發(fā)明的反射鏡的示意圖；及圖9顯不反射鏡的另一實施例的不意圖。
具體實施例方式圖1以子午剖面(meridional section)示意性地顯示用于光刻的投射曝光系統(tǒng)I的組件。投射曝光系統(tǒng)I的照明系統(tǒng)2除了光束源(beam source) 3之外，還包含曝光物平面(object plane)6中的物場5的照明光學(xué)系統(tǒng)4。這里曝光的掩模母版7 (僅以截面顯示)被布置在物場5中且由掩模母版保持器(reticle holder)8保持。投射光學(xué)系統(tǒng)9被用來成像物場5于像平面(image plane) 11的像場10中。掩模母版7上的結(jié)構(gòu)被成像于晶片12的感光層上，該晶片被布置在像平面11中的像場10的區(qū)域中，其由也示意性地顯示的晶片保持器13保持。輻射源3是EUV輻射源,其發(fā)射EUV輻射14。EUV輻射源3所發(fā)射的有用輻射的波長在5nm至30nm的范圍中。也可以使用在光刻中使用且可由合適光源獲得的其他波長。輻射源3可以是等離子體源,例如DPP源或LPP源。也可使用基于同步加速器(synchrotron)的輻射源作為輻射源3。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可找到有關(guān)此類型輻射源的信息，例如從US6859 515B2。提供集光器(collector) 15，以使來自EUV輻射源3的EUV輻射14成束。EUV輻射14又稱為照明光或成像光。照明光學(xué)系統(tǒng)4包含具有大量場分面(field facet) 17的場分面反射鏡(fieldfacet mirror) 16。場分面反射鏡16布置在照明光學(xué)系統(tǒng)4的平面中，該平面與物平面6光學(xué)共軛。EUV輻射14由場分面反射鏡16反射至照明光學(xué)系統(tǒng)4的瞳分面反射鏡(pupilfacet mirror) 18。瞳分面反射鏡18具有大量瞳分面(pupil facet) 19。借助瞳分面反射鏡18，場分面反射鏡16的場分面17被成像于物場5中。對于場分面反射鏡16上的每一個場分面17，在瞳分面反射鏡18上有正好一個相關(guān)聯(lián)的瞳分面19。在各情況中,在場分面17與瞳分面19之間構(gòu)造光通道(light channel)。至少一個分面反射鏡16、18的分面17、19可以是可切換的(switchable)。這些分面尤其可以可傾翻地(tiltably)布置在場分面反射鏡16、18上。這里可以使僅一部分可傾翻，例如使分面17、19的最多30%、最多50%或最多70%可傾翻。也可以使所有分面17、19可傾翻?？汕袚Q的分面17、19尤其是場分面17。通過傾斜場分面17，其相對于相應(yīng)瞳分面19的分配以及因此光通道的構(gòu)造可以被改變。有關(guān)具有可傾翻分面17、19的分面反射鏡16、18的更多細節(jié)，參考DElO 2008 009 600A1。有關(guān)照明光學(xué)系統(tǒng)4的更多細節(jié)，也參考DElO 2008 009 600A1。從圖1無法推斷EUV輻射14在照明光學(xué)系統(tǒng)4及投射光學(xué)系統(tǒng)9中的光束路徑，且尤其無法推斷場分面反射鏡16及瞳分面反射鏡18的結(jié)構(gòu)布置?？梢钥刂频姆绞轿灰蒲谀Ｄ赴姹３制?，使得在投射曝光期間可在物平面6中在位移方向中位移掩模母版7。因此，可以控制的方式位移晶片保持器13，使得可在像平面11中在位移方向中位移晶片12。因此，可分別穿過物場5和像場10掃描掩模母版7和晶片
12。位移方向在下文中也稱為掃描方向。掩模母版7及晶片12在掃描方向中的位移優(yōu)選可彼此同步地進行。投射光學(xué)系統(tǒng)9包含大量投射反射鏡(圖1未顯不)。投射光學(xué)系統(tǒng)9包含尤其是至少三個、尤其是至少五個投射反射鏡。投射光學(xué)系統(tǒng)9尤其可具有至少六個、七個或八個投射反射鏡。投射光學(xué)系統(tǒng)9尤其包含反射鏡20，其詳細說明如下。反射鏡20具有含反射鏡面24的反射鏡主體21，反射鏡面24具有大量EUV輻射可穿透區(qū)22及相應(yīng)相關(guān)聯(lián)的EUV輻射反射區(qū)23。與EUV輻射可穿透區(qū)22相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)EUV輻射反射區(qū)23又稱為與EUV輻射可穿透區(qū)22互補的區(qū)域。尤其，在反射鏡20上與特定輻射可穿透區(qū)22相關(guān)聯(lián)的輻射反射區(qū)23 (由掩模母版7反射的輻射14的0衍射級在其中成像)稱為共軛區(qū)23。很明顯地，與EUV輻射可穿透區(qū)22互補的EUV輻射反射區(qū)23不僅包含相應(yīng)共軛區(qū)23 (在圖中為了觀察而表示)。原則上，互補區(qū)在每種情況下均包含整個反射鏡面24。反射鏡20中輻射可穿透區(qū)22的數(shù)目尤其精確對應(yīng)于瞳分面反射鏡18上的瞳分面19的數(shù)目。然而，這并非絕對必要。尤其對于可切換分面17、19的情況，輻射可穿透區(qū)22的數(shù)目亦可多于或少于瞳分面反射鏡18上瞳分面19和/或場分面反射鏡16上場分面17的數(shù)目。一般地，反射鏡20具有至少兩個EUV輻射可穿透區(qū)22。這些EUV輻射可穿透區(qū)22被構(gòu)造為反射鏡主體21中的通孔。EUV輻射反射區(qū)23可構(gòu)造為連續(xù)構(gòu)造的反射鏡面24的除通孔22之外的部分區(qū)域。EUV輻射反射區(qū)23尤其可為連接的。EUV輻射可穿透區(qū)22尤其可以分離的方式布置在反射鏡主體21中。反射鏡面24可為凸面、平面或凹面。輻射可穿透區(qū)22被布置為與反射鏡20的對稱軸25隔開，尤其是布置成每一個EUV輻射可穿透區(qū)22可通過繞著對稱軸25旋轉(zhuǎn)而被轉(zhuǎn)移至與其共軛的相應(yīng)EUV輻射反射區(qū)23中。對稱軸25尤其垂直于反射鏡面24。在中央?yún)^(qū)中，換句話說，在對稱軸25穿過的點的區(qū)域中，反射鏡20(換句話說，反射鏡面24)尤其是反射的。原則上，亦可設(shè)想反射鏡20設(shè)有中央通孔。反射鏡20相對于對稱軸25具有離散的至少二重旋轉(zhuǎn)對稱性(two-foldrotational symmetry) 0其尤其可具有奇數(shù)(例如三重、五重或七重)旋轉(zhuǎn)對稱性。也可以使用更多重對稱性。對奇數(shù)旋轉(zhuǎn)對稱性而言，每一個EUV輻射可穿透區(qū)22被布置為相對于對稱軸25對稱于與其共軛的相應(yīng)EUV輻射反射區(qū)23。通孔22的形狀精確對應(yīng)于瞳分面反射鏡18上的瞳分面19的形狀。這些通孔尤其是圓形。也可以使用卵形(oval)，尤其是橢圓形構(gòu)造。有利的是，輻射可穿透區(qū)22在反射鏡20上的布置及瞳分面19在瞳分面反射鏡18上的布置被適配于彼此。輻射可穿透區(qū)22總計覆蓋反射鏡面24的最多50%、尤其是最多40%、尤其是最多30%、尤其是最多20%、尤其是最多10%。在圖4A、4B及圖5A、5B中顯示的實施例中，EUV輻射可穿透區(qū)22被布置在繞著對稱軸25的圓圈上。一般而言,輻射可穿透區(qū)22的至少一部分被布置在繞著對稱軸25的圓圈上。這些輻射可穿透區(qū)尤其被等距離地布置在圓圈上。這些輻射可穿透區(qū)亦可布置在繞著對稱軸的多個同心圓上。輻射可穿透區(qū)22尤其布置成使得它們的共同重心與對稱軸25重合。輻射可穿透區(qū)22的全體可通過外包絡(luò)35來描述。輻射可穿透區(qū)22尤其在反射鏡20上被布置成它們的外包絡(luò)35界定一個面積，該面積覆蓋總面積(換句話說，多個輻射反射區(qū)23的組合，尤其是整個反射鏡面24)的至少30%、尤其是至少40%、尤其是至少50%、尤其是至少60%、尤其是至少70%、尤其是至少80%、尤其是至少90%。在圖4A、4B的圖解中，顯示具有三個圓形輻射可穿透區(qū)22的反射鏡20。相應(yīng)地，在圖5A、5B中，顯示具有五個相應(yīng)圓形輻射可穿透區(qū)22的反射鏡20。此外，為了圖解，在圖4A及5A中，顯示輻射可穿透區(qū)22及與其共軛的輻射反射區(qū)23還分別被圈起并以連續(xù)數(shù)字編號，與特定輻射可穿透區(qū)22共軛的相應(yīng)輻射反射區(qū)23被標(biāo)有相同的數(shù)字且在其后加上r。圈起共軛區(qū)23只是為了圖解且在實際反射鏡20上沒有結(jié)構(gòu)對應(yīng)性。尤其，取決于掩模母版7的結(jié)構(gòu)以及與其關(guān)聯(lián)的、由此反射的輻射14的衍射級的位置，整個反射鏡面24可形成EUV輻射反射區(qū)23。與輻射可穿透區(qū)22相關(guān)聯(lián)的輻射反射區(qū)23尤其可被構(gòu)造為重疊(overlapping)和/或連接。圖4A及5A中顯示的反射鏡20具有三線(three-line)或五線(five-line)旋轉(zhuǎn)對稱。輻射可穿透區(qū)22因此分別布置為相對于對稱軸25對稱于與其共軛的輻射反射區(qū)23。`在根據(jù)圖6的實施例中，反射鏡20具有三個扇區(qū)的圓形輻射可穿透區(qū)22。在根據(jù)圖7的實施例中，反射鏡20具有四個扇區(qū)的圓形輻射可穿透區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的反射鏡20的功能示意性地顯示于圖3中。來自構(gòu)造于場分面17和瞳分面19之一之間的光通道的EUV輻射14分別通過反射鏡20的相關(guān)聯(lián)的EUV輻射可穿透區(qū)22，在掩模母版7上被反射，然后照射在瞳平面26的在輻射反射區(qū)23上的區(qū)域中，該瞳平面26尤其是照明光學(xué)系統(tǒng)4的出瞳平面及投射光學(xué)系統(tǒng)9的入瞳平面，該輻射反射區(qū)23與輻射可穿透區(qū)22共軛，從輻射反射區(qū)23起，EUV輻射14還被投射光學(xué)系統(tǒng)9進一步反射。圖2舉例顯示諸如可用例如根據(jù)圖4A及4B的反射鏡20實現(xiàn)的光束路徑。舉例顯示EUV輻射14pl42及143，其分別通過反射鏡20的一個通孔22。就此方面，顯示了圖2中所示的光束路線僅是對圖平面的投影，并因此不描繪與圖平面的傾斜。因此，尤其是通過反射鏡20的光束M1不與反射回到反射鏡20上的光束143重合,而是相對于后者為偏斜。對應(yīng)地，通過反射鏡20的光束143相對于反射回到反射鏡20上的光束M1為偏斜。此外，通過反射鏡20的光束142相對于反射回到反射鏡20上的光束142為偏斜。反射鏡20尤其被布置為接近投射光學(xué)系統(tǒng)9中的光瞳。其中適用的尤其是P(M)彡0.5，尤其是P (M)彡0.7，尤其是P (M)彡0.9。反射鏡20尤其是被布置在瞳平面26中。這確保在反射鏡20的區(qū)域中來自瞳分面反射鏡18的瞳分面19的輻射14至少大致聚焦，及因此至少掩模母版7上反射的相關(guān)聯(lián)的輻射的零衍射級照射在反射鏡20上的預(yù)定限制區(qū)域中。對例如根據(jù)圖4、5或6之一的明場構(gòu)造而言，反射鏡20被構(gòu)造成在掩模母版7上反射的來自于輻射可穿透區(qū)22的輻射14的至少零衍射級精確地照射在與輻射可穿透區(qū)22共軛的輻射反射區(qū)23上，且因此由投射光學(xué)系統(tǒng)9成像于像場10中。由于反射鏡20被布置為接近光瞳，因此可以實現(xiàn)照明及成像光束路徑至少局部地(尤其是完全地)在空間上彼此分離。此分離尤其對于所有場點均相同。尤其，零衍射級的光束路徑在空間上完全彼此分離的區(qū)域中行進。作為瞳平面26中的反射鏡20的布置的替代，亦可將反射鏡20布置為與瞳平面26隔開。這一般導(dǎo)致照明的場相依性(field dependency),換句話說,照明在整個物場中不再均勻。在此情況中，只要對于每一個場點傳輸最小數(shù)的衍射級的足夠(adequate)比率，則在此情況下，不完全成像的光瞳的這些效應(yīng)可被完全校正，尤其是利用場相依和結(jié)構(gòu)相依的校正方法(稱為“光學(xué)鄰近校正(optical proximity correction, 0PC) ”)。在此類型的校正方法中，利用掩模的單個案例相依的結(jié)構(gòu)適配，改進其在晶片上的像。尤其，補償成像誤差(imaging error)并因此校正成像誤差。在暗場構(gòu)造中，掩模母版7上反射的輻射14的零衍射級(例如在圖7中顯示的)精確地在另一輻射可穿透區(qū)22上照射在反射鏡20上并因此不被反射鏡20反射。根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)系統(tǒng)27包含照明光學(xué)系統(tǒng)4及投射光學(xué)系統(tǒng)28。投射光學(xué)系統(tǒng)28包含具有至少一個EUV輻射可穿透區(qū)22的至少一個反射鏡，該至少一個反射鏡被布置在照明光學(xué)系統(tǒng)4的光束路徑中，使得EUV輻射14的至少一部分在照明光學(xué)系統(tǒng)中被引導(dǎo)通過此EUV輻射可穿透區(qū)22。換句話說，照明光學(xué)系統(tǒng)4中的光束路徑因此被引導(dǎo)為使得EUV輻射14在其被掩模母版7反射之前通過至少一個輻射可穿透區(qū)22，并且掩模母版7由投射光學(xué)系統(tǒng)9成像于像場10中。尤其，提供根據(jù)上述投射光學(xué)系統(tǒng)9構(gòu)造的投射光學(xué)系統(tǒng)28。在使用投射曝光系統(tǒng)I時，提供掩模母版7及晶片12，該晶片12攜帶有用于照明光14的感光涂層。接著借助投射曝光系統(tǒng)1，將掩模母版7的至少一部分投射于晶片12上。因此以EUV輻射14照明掩模母版，使得EUV輻射14的主光束(CRA，主光線角)以最多6°、尤其是最多3°、尤其是最多1°、尤其是0°的入射角照射在掩模母版7上。入射角在此定義為在被用于照明掩模母版7的光束的主光束與掩模母版7的法線29之間的角度。主光束的入射角尤其小于物側(cè)數(shù)值孔徑，即CRA〈arcsin(NAO)。在將掩模母版7投射于晶片12上期間，掩模母版保持器8和/或晶片保持器13可在平行于物平面6或平行于像平面的方向中位移。掩模母版7及晶片12的位移優(yōu)選可彼此同步地進行。最后，在晶片12上顯影由照明光曝光的感光涂層。以此方式制造微結(jié)構(gòu)化或納米結(jié)構(gòu)化組件，尤其是半導(dǎo)體芯片。作為在投射曝光系統(tǒng)中使用的替代，根據(jù)本發(fā)明的反射鏡20也可在檢查裝置(inspection device)中使用，尤其是用于檢查反射型光刻掩?；驒z查經(jīng)曝光的晶片基板。在此情況中，投射光學(xué)系統(tǒng)9的像場10是檢查裝置的檢查物場。如圖8中示意性地顯示的,根據(jù)本發(fā)明的反射鏡20也可結(jié)合Schwarzschild光學(xué)系統(tǒng)30 (尤其是Schwarzschild透鏡系統(tǒng))一起使用。Schwarzschild透鏡系統(tǒng)包含主反射鏡31及輔助反射鏡32。主反射鏡31尤其為凸面。輔助反射鏡32尤其為凹面。輔助反射鏡32具有用于EUV輻射14的通孔33。根據(jù)本發(fā)明的反射鏡20可被提供為此類型系統(tǒng)中的折迭反射鏡(foldingmirror)。該反射鏡20尤其可被布置為照明光學(xué)系統(tǒng)4在投射光學(xué)系統(tǒng)9的光束路徑中的一部分或投射光學(xué)系統(tǒng)9在照明光學(xué)系統(tǒng)4的光束路徑中的一部分。這是可以互換的。因此，尤其可以在明場及暗場構(gòu)造之間改變。此類型的系統(tǒng)尤其可在檢查裝置中用于檢查反射型光刻掩?；驒z查經(jīng)曝光的晶片基板。圖9顯示反射鏡20a的倒轉(zhuǎn)構(gòu)造。反射鏡20a包含大量福射反射區(qū)23。福射反射區(qū)23在形貌上(topologically)分離。通過保持構(gòu)件(holding means) 34相對于彼此保持福射反射區(qū)23。保持構(gòu)件尤其以類似支柱的方式來構(gòu)造。保持構(gòu)件可以為線形的或拱形的，尤其是圓形的弧形。保持構(gòu)件亦可以類似編結(jié)的方式來構(gòu)造。保持構(gòu)件34盡量薄，以使得陰影盡量少。保持構(gòu)件尤其覆蓋構(gòu)成反射鏡20a的總表面的最多30%、尤其是最多25%、尤其是最多20%、尤其是最多15%、尤其是最多10%、尤其是最多5%的面積。保持構(gòu)件尤其可以由鋁、殷鋼、鈦、銅、陶瓷或碳纖維制成。保持構(gòu)件34的尺寸尤其可設(shè)定成使得輻射反射區(qū)23相對于彼此可靠地固定。原則上,可設(shè)想單體地(monolithically)構(gòu)造反射鏡20a,即，使福射反射區(qū)23在形貌上連接。在此實施例中，與不同輻射反射區(qū)23相關(guān)聯(lián)的各種輻射可穿透區(qū)22可在形貌上連接。這些輻射可穿透區(qū)23 (除了保持構(gòu)件34外)尤其可形成連接的(尤其是以路徑方式(path-wise)連接而不是簡單連接的)總區(qū)域。換句話說，福射可穿透區(qū)22的總區(qū)域(除了保持構(gòu)件34外)是連接的，尤其是以路徑方式連接。然而，單獨輻射可穿透區(qū)22在有限程度上且尤其是至少局部地通過保持構(gòu)件34彼此分離。因此，反射鏡20a亦具有大量(尤其是至少兩個、尤其是至少三個、尤其是至少四個)輻射可穿透區(qū)22。反射鏡20a尤其是照明光學(xué)系統(tǒng)4的一部分。反射鏡20a可布置在投射光學(xué)系統(tǒng)9的光束路徑中。反射鏡20a尤其是布置在投射光學(xué)系統(tǒng)9的光束路徑中，使得投射光學(xué)系統(tǒng)9中的EUV輻射14的至少一部分被引導(dǎo)通過至少一個EUV輻射可穿透區(qū)22。這里，輻射反射區(qū)23在投射光學(xué)系統(tǒng)9中可用作遮蔽光闌(obscuration stop)。在此實施例中，輻射反射區(qū)23被布置為使得掩模母版7上由輻射反射區(qū)23反射的福射14在掩|吳母版7上反射后(換句話說，在投射光學(xué)系統(tǒng)9的光束路徑中)精確地落在輻射可穿透區(qū)22上。這是指在掩模母版7上反射的輻射14的預(yù)定衍射級(尤其是零衍射級)落在輻射可穿透區(qū)22上。很明顯地，輻射反射區(qū)23在反射鏡20a上也可布置為使得掩模母版7反射的輻射14的+/-第一衍射級(作為零衍射級的補充或替代)落在輻射可穿透區(qū)22上。
權(quán)利要求
1.一種用于EUV輻射(14)的反射鏡(20 ；20a) -具有反射鏡主體(21)，所述反射鏡主體(21) —具有至少一個EUV輻射反射區(qū)(23)及 —至少兩個EUV輻射可穿透區(qū)(22)； -其中所述輻射可穿透區(qū)(22)具有包絡(luò)(35)，其中所述包絡(luò)(35)界定一面積，所述面積覆蓋所述至少一個輻射反射區(qū)(23)的總體的至少30%。
2.如權(quán)利要求1所述的反射鏡(20;20a)，其特征在于:對于每一個所述EUV輻射可穿透區(qū)(22)，所述反射鏡(20 ;20a)具有共軛的EUV輻射反射區(qū)(23)，其中每一個EUV輻射可穿透區(qū)(22)可通過繞著對稱軸(25)旋轉(zhuǎn)而被轉(zhuǎn)移至與其相應(yīng)共軛的EUV輻射反射區(qū)(23)中。
3.如前述權(quán)利要求中的任一項所述的反射鏡(20;20a)，其特征在于:每一個EUV輻射可穿透區(qū)(22)被布置為相對于所述對稱軸(25)對稱于與其共軛的相應(yīng)EUV輻射反射區(qū)(23)。
4.如前述權(quán)利要求中的任一項所述的反射鏡(20;20a)，其特征在于:具有大量的輻射可穿透區(qū)(22)以及與其共軛的輻射反射區(qū)(23)。
5.如權(quán)利要求4所述的反射鏡，其特征在于:所述輻射可穿透區(qū)(22)的至少一部分被布置在繞著所述對稱軸(25)的圓圈上。
6.如權(quán)利要求4或5所述的反射鏡，其特征在于:所述輻射可穿透區(qū)(22)被布置為使得它們的共同重心與所述對稱軸(25)重合。
7.一種用于利用EUV輻射(14)照明物場(15)的照明光學(xué)系統(tǒng)(4)，其具有如前述權(quán)利要求中的任一項所述的反射鏡(20a)。
8.一種用于將物場(5)成像于像場(10)中的投射光學(xué)系統(tǒng)(9),其具有如權(quán)利要求1至6中的任一項所述的反射鏡(20)。
9.如權(quán)利要求8所述的投射光學(xué)系統(tǒng)(9)，其特征在于:所述反射鏡(20)被布置為接近光瞳。
10.一種用于EUV投射曝光系統(tǒng)(I)的光學(xué)系統(tǒng)(27)，包含: -第一光學(xué)系統(tǒng)(4)，用于利用EUV輻射(14)照明物場(5)， 一其中所述第一光學(xué)系統(tǒng)(4)具有至少一個瞳分面反射鏡(18)，及 一其中在所述第一光學(xué)系統(tǒng)(4)中的EUV輻射具有至少一個特定光束路線以產(chǎn)生特定照明設(shè)定；及 -第二光學(xué)系統(tǒng)(9)，用于將所述物場(5)成像于像場(10)中； -其中所述光學(xué)系統(tǒng)(4、9)中的至少一個包含具有至少一個EUV輻射可穿透區(qū)(22)的至少一個反射鏡(20 ;20a)，所述至少一個反射鏡(20 ;20a)布置在相應(yīng)的另一光學(xué)系統(tǒng)(9、4)的光束路徑中，使得在此光學(xué)系統(tǒng)(9、4)中的EUV輻射的至少一部分被引導(dǎo)通過所述至少一個EUV輻射可穿透區(qū)(22)。
11.如權(quán)利要求10所述的光學(xué)系統(tǒng)(27)，其特征在于:所述第一光學(xué)系統(tǒng)是照明光學(xué)系統(tǒng)(4)，所述第二光學(xué)系統(tǒng)是投射光學(xué)系統(tǒng)(9)，并且所述投射光學(xué)系統(tǒng)(9)包含具有至少一個EUV輻射可穿透區(qū)(22)的至少一個反射鏡(20)，所述至少一個反射鏡(20)布置在所述照明光學(xué)系統(tǒng)(4)的光束路徑中，使得所述照明光學(xué)系統(tǒng)(4)中的EUV輻射(14)的至少一部分被弓I導(dǎo)通過所述至少一個EUV輻射可穿透區(qū)(22 )。
12.如權(quán)利要求10或11所述的光學(xué)系統(tǒng)(27)，其特征在于:如權(quán)利要求8或9所述的投射光學(xué)系統(tǒng)(9)。
13.一種EUV投射曝光系統(tǒng)(I)，包含: -EUV輻射源(3);及 -如權(quán)利要求10至12中的任一項所述的光學(xué)系統(tǒng)(27)。
14.一種制造微結(jié)構(gòu)化或納米結(jié)構(gòu)化組件的方法，具有以下方法步驟: -提供掩模母版(7); -提供具有感光涂層的晶片(12); -借助如權(quán)利要求13所述的投射曝光系統(tǒng)(11)，將所述掩模母版(7)的至少一部分投射于所述晶片(12)上； -顯影所述晶片(12)上被曝光的感光涂層。
15.一種通過如權(quán)利要求14所述的方法制造的組件。
全文摘要
一種用于EUV輻射(14)的反射鏡(20)，其包含反射鏡主體，其具有至少一個EUV輻射反射區(qū)(23)及至少兩個EUV輻射可穿透區(qū)(22)。因此，也可以較小入射角及較大物側(cè)數(shù)值孔徑形成照明和成像光束路徑的空間分離。
文檔編號G03F7/20GK103140802SQ201180047361
公開日2013年6月5日 申請日期2011年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
發(fā)明者J.勞夫, H.費爾德曼 申請人:卡爾蔡司Smt有限責(zé)任公司