專利名稱：具有光導(dǎo)涂層的照明設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及具有光導(dǎo)以散布光的照明設(shè)備，包括用于顯示器的照明裝置，并且本公開涉及機電系統(tǒng)。相關(guān)技術(shù)描述機電系統(tǒng)(EMS)包括具有電氣及機械元件、致動器、換能器、傳感器、光學組件(例如，包括鏡子)以及電子器件的設(shè)備。機電系統(tǒng)可以在各種尺度上制造，包括但不限于微米尺度和納米尺度。例如，微機電系統(tǒng)(MEMS)器件可包括具有范圍從大約一微米到數(shù)百微米或以上的大小的結(jié)構(gòu)。納米機電系統(tǒng)(NEMS)器件可包括具有小于一微米的大小(包括，例如小于幾百納米的大小)的結(jié)構(gòu)。機電元件可使用沉積、蝕刻、光刻和/或蝕刻掉基板和/或所沉積材料層的部分或添加層以形成電氣及機電器件的其它微機械加工工藝來制作。一種類型的機電系統(tǒng)器件被稱為干涉測量(interferometric)調(diào)制器(IM0D)。如本文所使用的，術(shù)語干涉測量調(diào)制器或干涉測量光調(diào)制器是指使用光學干涉原理來選擇性地吸收和/或反射光的器件。在一些實現(xiàn)中，干涉測量調(diào)制器可包括一對導(dǎo)電板，這對導(dǎo)電板中的一者或兩者可以是完全或部分透明的和/或反射性的，且能夠在施加恰適電信號時進行相對運動。在一實現(xiàn)中，一塊板可包括沉積在基板上的靜止層，而另一塊板可包括與該靜止層相隔一氣隙的反射膜。一塊板相對于另一塊板的位置可改變?nèi)肷湓谠摳缮鏈y量調(diào)制器上的光的光學干涉。干涉測量調(diào)制器器件具有范圍廣泛的應(yīng)用，且預(yù)期將用于改善現(xiàn)有產(chǎn)品以及創(chuàng)造新產(chǎn)品，尤其是具有顯示能力的那些產(chǎn)品。經(jīng)反射的環(huán)境光被用于在一些顯示設(shè)備中形成圖像，諸如使用由干涉測量調(diào)制器形成的像素的那些圖像。這些顯示器的感知亮度取決于朝觀察者反射的光的量。在低環(huán)境光狀況下，來自人造光源的光被用于照明反射式像素，這些像素隨后朝觀察者反射光以生成圖像。為了滿足市場需求和設(shè)計準則，正不斷開發(fā)新的照明設(shè)備以滿足顯示設(shè)備(包括反射式和透射式顯示器)的需要。概述本公開的系統(tǒng)、方法和設(shè)備各自具有若干個創(chuàng)新性方面，其中并不由任何單個方面全權(quán)負責本文中所公開的期望屬性。本公開中所描述的主題內(nèi)容的一個創(chuàng)新性方面可實現(xiàn)在照明系統(tǒng)中。該照明系統(tǒng)包括光導(dǎo)，該光導(dǎo)具有:光學透射支撐層；以及該支撐層上的光轉(zhuǎn)向膜。該光轉(zhuǎn)向膜能液相沉積于該支撐層上。在該光轉(zhuǎn)向膜的主表面上的凹槽中形成多個光轉(zhuǎn)向特征。該光轉(zhuǎn)向膜可由玻璃材料形成。該玻璃可以是旋涂式玻璃。在一些實現(xiàn)中，該旋涂式玻璃可以是光可限定的。在一些實現(xiàn)中，形成光轉(zhuǎn)向膜的材料可以是光可限定的聚合物。本公開中所描述的主題內(nèi)容的另一個創(chuàng)新性方面可實現(xiàn)在照明系統(tǒng)中。該照明系統(tǒng)包括光導(dǎo)，該光導(dǎo)包括:光學透射支撐層；以及用于容適用于光轉(zhuǎn)向特征的凹槽的裝置。該用于容適凹槽的裝置能以液態(tài)來沉積。該用于容適凹槽的裝置可以是由旋涂式玻璃或光可限定的聚合物形成的光轉(zhuǎn)向膜。本公開中所描述的主題內(nèi)容的又一個創(chuàng)新性方面可實現(xiàn)在用于形成照明系統(tǒng)的方法中。該方法包括:提供光學透射支撐層；在該支撐層上沉積液體材料以形成光轉(zhuǎn)向膜；以及在該光轉(zhuǎn)向膜中限定凹槽以在該光轉(zhuǎn)向膜中形成多個光轉(zhuǎn)向特征。沉積該液體材料可包括執(zhí)行旋涂式沉積。限定這些凹槽可包括:透過光罩使該光轉(zhuǎn)向膜暴露于光；以及然后使該光轉(zhuǎn)向膜暴露于顯影蝕刻劑以形成這些凹槽。 本說明書中所描述的主題內(nèi)容的一個或多個實現(xiàn)的詳情在附圖及以下描述中闡述。其它特征、方面和優(yōu)點將從該描述、附圖和權(quán)利要求書中變得明了。注意，以下附圖的相對尺寸可能并非按比例繪制。附圖簡要說明

圖1示出描繪了干涉測量調(diào)制器(IMOD)顯示設(shè)備的一系列像素中的兩個毗鄰像素的等軸視圖的示例。圖2示出解說納入了 3X3干涉測量調(diào)制器顯示器的電子設(shè)備的系統(tǒng)框圖的示例。圖3示出解說圖1的干涉測量調(diào)制器的可移動反射層位置相對于所施加電壓的圖示的示例。圖4示出解說在施加各種共用電壓和分段電壓時干涉測量調(diào)制器各種狀態(tài)的表的示例。圖5A示出解說圖2的3X3干涉測量調(diào)制器顯示器中的一幀顯示數(shù)據(jù)的圖示的示例。圖5B示出可用于寫圖5A中所解說的該幀顯示數(shù)據(jù)的共用信號和分段信號的時序圖的示例。圖6A示出圖1的干涉測量調(diào)制器顯示器的局部橫截面的示例。圖6B - 6E示出干涉測量調(diào)制器的不同實現(xiàn)的橫截面的示例。圖7示出解說干涉測量調(diào)制器的制造過程的流程圖的示例。圖8A - SE示出制作干涉測量調(diào)制器的方法中的各個階段的橫截面示意圖解的示例。圖9A示出照明系統(tǒng)的橫截面的示例。圖9B示出光轉(zhuǎn)向特征的橫截面的示例。圖10示出設(shè)有部署在光導(dǎo)上方的鈍化層的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。圖11示出設(shè)有光學解耦層的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。圖12示出了反射率相對于直接位于光導(dǎo)上的鈍化層的厚度的標繪。圖13示出了反射率相對于直接位于光轉(zhuǎn)向特征上的鈍化層的厚度的標繪。圖14示出具有多個鈍化層的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。圖15A和15B示出具有上覆鈍化層的光轉(zhuǎn)向特征和光導(dǎo)的橫截面的示例。圖16A和16B示出帶有具有上覆圖案化的鈍化層的光轉(zhuǎn)向特征和光導(dǎo)的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。圖17示出設(shè)有多層光導(dǎo)的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。圖18A-18F示出了用于制造照明系統(tǒng)的工藝序列中的各個階段處的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。圖19示出解說用于照明系統(tǒng)的制造過程的流程圖的示例。圖20A和20B示出解說包括多個干涉測量調(diào)制器的顯示設(shè)備的系統(tǒng)框圖的示例。
各個附圖中相似的附圖標記和命名指示相似要素。詳細描述以下詳細描述針對旨在用于描述創(chuàng)新性方面的某些實現(xiàn)。然而，本文的教示可用眾多不同方式來應(yīng)用。所描述的實現(xiàn)可在配置成顯示圖像的任何設(shè)備中實現(xiàn)，無論該圖像是運動的(例如，視頻)還是不動的(例如，靜止圖像)，且無論其是文本的、圖形的還是畫面的。更具體而言，構(gòu)想了這些實現(xiàn)可在各種各樣的電子設(shè)備中實現(xiàn)或與各種各樣的電子設(shè)備相關(guān)聯(lián)，這些電子設(shè)備諸如但不限于:移動電話、具有因特網(wǎng)能力的多媒體蜂窩電話、移動電視接收機、無線設(shè)備、智能電話、藍牙設(shè)備、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持式或便攜式計算機、上網(wǎng)本、筆記本、智能本、平板電腦、打印機、復(fù)印機、掃描儀、傳真設(shè)備、GPS接收機/導(dǎo)航儀、相機、MP3播放器、攝錄像機、游戲控制臺、手表、鐘表、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀設(shè)備(例如，電子閱讀器)、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、駕駛座艙控件和/或顯示器、相機取景顯示器(例如，車輛中的后視相機的顯示器)、電子照片、電子告示牌或招牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波爐、冰箱、立體音響系統(tǒng)、卡式錄音機或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無線電、便攜式存儲器芯片、停車計時器、洗衣機、烘干機、洗衣機/烘干機、封裝(例如，機電系統(tǒng)(EMS )、MEMS和肖_ MEMS )、美學結(jié)構(gòu)(例如，關(guān)于一件珠寶的圖像的顯示)以及各種各樣的機電系統(tǒng)設(shè)備。本文中的教示還可用在非顯示器應(yīng)用中，諸如但不限于:電子交換設(shè)備、射頻濾波器、傳感器、加速計、陀螺儀、運動感測設(shè)備、磁力計、用于消費者電子設(shè)備的慣性組件、消費者電子產(chǎn)品的部件、可變電抗器、液晶設(shè)備、電泳設(shè)備、驅(qū)動方案、制造工藝、電子測試裝備。因此，這些教示無意被局限于只是在附圖中描繪的實現(xiàn)，而是具有如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易明白的廣泛應(yīng)用性。在一些實現(xiàn)中，照明系統(tǒng)設(shè)有光導(dǎo)以散布光。光導(dǎo)可包括支撐層上的光轉(zhuǎn)向膜。在一些實現(xiàn)中，光轉(zhuǎn)向膜可由能作為液體沉積在支撐層上的材料形成。形成光轉(zhuǎn)向膜的材料可以是光可限定的材料，其可以是玻璃(諸如旋涂式玻璃)、或者可以是聚合物。在一些其他實現(xiàn)中，光轉(zhuǎn)向膜可由不是光可限定的玻璃(諸如，旋涂式玻璃)形成。該光轉(zhuǎn)向膜可包括限定光轉(zhuǎn)向特征的凹槽，這些光轉(zhuǎn)向特征可被配置成將在光導(dǎo)內(nèi)傳播的光重定向成離開該光導(dǎo)。例如，這些凹槽的形成光轉(zhuǎn)向特征的側(cè)面可形成將光反射到光導(dǎo)外的刻面。在一些實現(xiàn)中，這些凹槽的側(cè)面可涂敷有反射涂層?？稍谠摲瓷渫繉由戏教峁┥细脖Ｗo層(諸如鈍化層)以保護其與環(huán)境中的化學反應(yīng)劑隔離。在一些實現(xiàn)中，該保護層也可由玻璃材料(諸如旋涂式玻璃)形成。在一些實現(xiàn)中，由光轉(zhuǎn)向特征重定向的光可被應(yīng)用于照明顯示器(諸如反射式顯示器)，其可以是干涉測量調(diào)制器顯示器。 可實現(xiàn)本公開中所描述的主題內(nèi)容的具體實現(xiàn)以達成以下潛在優(yōu)點中的一項或多項。通常情況下，光轉(zhuǎn)向膜可由化學氣相沉積材料形成。由于沉積過程相對較慢并且因此導(dǎo)致制造光導(dǎo)的低吞吐量，此類膜的制造成本可能很高。另外，用于在此類光轉(zhuǎn)向膜中限定光轉(zhuǎn)向特征的蝕刻過程通常具有低蝕刻速率，由此進一步降低了吞吐量。在一些實現(xiàn)中，使用光可限定材料(包括光可限定玻璃材料)或非光可限定玻璃材料允許通過相對快速的體沉積(例如，液相材料沉積，諸如旋涂式涂敷工藝)來形成光轉(zhuǎn)向膜。在一些實現(xiàn)中，光轉(zhuǎn)向膜可以相對快速地被蝕刻。例如，可使用顯影蝕刻來蝕刻這些光可限定材料。此類濕法蝕刻可比干法蝕刻更快地移除材料。此外，由于光轉(zhuǎn)向膜可以是光可限定的，因此不需要單獨的掩模形成和圖案轉(zhuǎn)移步驟來限定光轉(zhuǎn)向膜中的凹槽。因此，可提高制造吞吐量，由此降低制造成本。另外，這些材料的成本可低于化學氣相沉積材料的成本，由此進一步降低制造成本?？蓱?yīng)用所描述的方法和實現(xiàn)的合適MEMS或機電系統(tǒng)(EMS)器件的一個示例是反射式顯示設(shè)備。反射式顯示設(shè)備可納入干涉測量調(diào)制器(IMOD)以使用光學干涉原理來選擇性地吸收和/或反射入射到其上的光。IMOD可包括吸收體、可相對于該吸收體移動的反射體、以及在該吸收體與該反射體之間限定的光學諧振腔。該反射體可被移至兩個或更多個不同位置，這可以改變光學諧振腔的大小并由此影響該干涉測量調(diào)制器的反射。IMOD的反射譜可創(chuàng)建相當廣的譜帶，這些譜帶可跨可見波長移位以產(chǎn)生不同顏色。譜帶的位置可通過改變光學諧振腔的厚度(即，通過改變反射體的位置)來調(diào)整。圖1示出描繪了干涉測量調(diào)制器(IMOD)顯示設(shè)備的一系列像素中的兩個毗鄰像素的等軸視圖的示例。該IMOD顯示設(shè)備包括一個或多個干涉測量MEMS顯示元件。在這些設(shè)備中，MEMS顯示元件的像素可處于亮狀態(tài)或暗狀態(tài)。在亮(“松弛”、“打開”或“接通”)狀態(tài)，顯示元件將入射可見光的很大部分反射(例如，去往用戶)。相反，在暗(“致動”、“關(guān)閉”或“關(guān)斷”)狀態(tài)，顯示元件幾乎不反射所入射的可見光。在一些實現(xiàn)中，可顛倒接通和關(guān)斷狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可配置成主導(dǎo)性地在特定波長上發(fā)生反射，從而除了黑白以外還允許彩色顯示。IMOD顯示設(shè)備可包括MOD的行/列陣列。每個頂OD可包括一對反射層，即，可移動反射層和固定的部分反射(partially reflective)層,這些反射層定位在彼此相距可變且可控的距離處以形成氣隙(也稱為光學間隙或腔)。可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。在第一位置(即，松弛位置)，可移動反射層可定位在離該固定的部分反射層有相對較大距離處。在第二位置(即，致動位置)，該可移動反射層可定位成更靠近該部分反射層。取決于可移動反射層的位置，從這兩個層反射的入射光可相長地或相消地干涉，從而產(chǎn)生每個像素總體上的反射或非反射的狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，MOD在未致動時可處于反射狀態(tài)，此時反射可見譜內(nèi)的光，并且在致動時可處于暗狀態(tài)，此時反射在可見范圍之外的光(例如，紅外光)。然而，在一些其它實現(xiàn)中，MOD可在未致動時處于暗狀態(tài)，而在致動時處于反射狀態(tài)。在一些實現(xiàn)中，所施加電壓的引入可驅(qū)動像素改變狀態(tài)。在一些其它實現(xiàn)中，所施加電荷可驅(qū)動像素改變狀態(tài)。圖1中所描繪的像素陣列部分包括兩個毗鄰的干涉測量調(diào)制器12。在左側(cè)(如圖所示)的IM0D12中，可移動反射層14圖解為處于離光學堆棧16有預(yù)定距離的松弛位置，光學堆棧16包括部分反射層?？缱髠?cè)的IM0D12施加的電壓Vtl不足以引起對可移動反射層14的致動。在右側(cè)的IM0D12中，可移動反射層14圖解為處于靠近或毗鄰光學堆棧16的致動位置?？缬覀?cè)的M0D12施加的電壓Vila足以將可移動反射層14維持在致動位置。在圖1中，像素12的反射性質(zhì)用指示入射在像素12上的光的箭頭13、以及從左側(cè)的像素12反射的光的箭頭15來一般化地解說。盡管未詳細地解說，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，入射在像素12上的光13的絕大部分將透射穿過透明基板20去往光學堆棧16。入射在光學堆棧16上的光的一部分將透射穿過光學堆棧16的部分反射層，且一部分將被反射回去穿過透明基板20。光13透射穿過光學堆棧16的那部分將在可移動反射層14處朝向透明基板20反射回去(且穿過透明基板20)。從光學堆棧16的部分反射層反射的光與從可移動反射層14反射的光之間的干涉(相長的或相消的)將決定從像素12反射的光15的波長。光學堆棧16可包括單層或若干層。該(些)層可包括電極層、部分反射且部分透射層以及透明介電層中的一者或多者。在一些實現(xiàn)中，光學堆棧16是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，并且可以例如通過將上述層中的一者或多者沉積在透明基板20上來制造。電極層可由各種各樣的材料形成，諸如各種金屬，例如氧化銦錫(ΙΤ0)。部分反射層可由各種各樣的部分反射的材料形成，諸如各種金屬，例如鉻(Cr)、半導(dǎo)體以及電介質(zhì)。部分反射層可由一層或多層材料形成，且每一層可由單種材料或由材料組合形成。在一些實現(xiàn)中，光學堆棧16可包括單個半透明的金屬或半導(dǎo)體厚層，其既用作光吸收體又用作導(dǎo)體，而(例如，IMOD的光學堆棧16或其它結(jié)構(gòu)的)不同的、更導(dǎo)電的層或部分可用于在IMOD像素之間匯流信號。光學堆棧16還可包括覆蓋一個或多個導(dǎo)電層或?qū)щ?吸收層的一個或多個絕緣或介電層。在一些實現(xiàn)中，光學堆棧16的(諸)層可被圖案化為平行條帶，并且可如下文進一步描述地形成顯示設(shè)備中的行電極。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，術(shù)語“圖案化”在本文中用于指掩模以及蝕刻工藝。在一些實現(xiàn)中，可將高傳導(dǎo)且高反射的材料(諸如，鋁(Al))用于可移動反射層14，且這些條帶可形成顯示設(shè)備中的列電極。可移動反射層14可形成為一個或數(shù)個沉積金屬層的一系列平行條帶(與光學堆棧16的行電極正交)，以形成沉積在柱子18以及各個柱子18之間所沉積的居間犧牲材料頂上的(諸)列。當該犧牲材料被蝕刻掉時，便可在可移動反射層14與光學堆棧16之間形成限定的間隙19或即光學腔。在一些實現(xiàn)中，各個柱子18之間的間距可近似為1- lOOOum，而間隙19可小于10，000埃(A)。在一些實現(xiàn)中，頂OD的每個像素(無論處于致動狀態(tài)還是松弛狀態(tài))實質(zhì)上是由該固定反射層和移動反射層形成的電容器。在無電壓被施加時，可移動反射層14保持在機械松弛狀態(tài)，如由圖1中左側(cè)的像素12所解說的，其中在可移動反射層14與光學堆棧16之間存在間隙19。然而，當將電位差(例如，電壓)施加至所選行和列中的至少一者時，在對應(yīng)像素處的該行電極和列電極的交叉處形成的電容器變?yōu)閹щ姷?，且靜電力將這些電極拉向一起。若所施加電壓超過閾值，則可移動反射層14可形變并且移動到靠近或靠倚光學堆棧16。光學堆棧16內(nèi)的介電層(未示出)可防止短路并控制層14與層16之間的分隔距離，如圖1中右側(cè)的致動像素12所解說的。不管所施加電位差的極性如何，行為都是相同的。雖然陣列中的一系列像素在一些實例中可被稱為“行”或“列”，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易理解，將一個方向稱為“行”并將另一方向稱為“列”是任意的。要重申的是，在一些取向中，行可被視為列，而列被視為行。此外，顯示元件可均勻地排列成正交的行和列(“陣列”)，或排列成非線性配置，例如關(guān)于彼此具有某些位置偏移(“馬賽克”)。術(shù)語“陣列”和“馬賽克”可以指任一種配置。因此，雖然將顯示器稱為包括“陣列”或“馬賽克”，但在任何實例中，這些元件本身不一定要彼此正交地排列、或部署成均勻分布，而是可包括具有非對稱形狀以及不均勻分布的元件的布局。圖2示出解說納入了 3X3干涉測量調(diào)制器顯示器的電子設(shè)備的系統(tǒng)框圖的示例。該電子設(shè)備包括處理器21，其可配置成執(zhí)行一個或多個軟件模塊。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)，處理器21還可配置成執(zhí)行一個或多個軟件應(yīng)用，包括web瀏覽器、電話應(yīng)用、電子郵件程序、或任何其它軟件應(yīng)用。
處理器21可配置成與陣列驅(qū)動器22通信。陣列驅(qū)動器22可包括例如向顯示陣列或面板30提供信號的行驅(qū)動器電路24和列驅(qū)動器電路26。圖1中所解說的MOD顯示設(shè)備的橫截面由圖2中的線1-1示出。盡管圖2為清晰起見解說了 3X3的IMOD陣列，但顯示陣列30可包含很大數(shù)目的M0D，并且可在行中具有與列中不同的數(shù)目的MOD，反之亦然。圖3示出解說圖1的干涉測量調(diào)制器的可移動反射層位置相對于所施加電壓的圖示的示例。對于MEMS干涉測量調(diào)制器，行/列(即，共用/分段)寫規(guī)程可利用這些器件的如圖3中所解說的滯后性質(zhì)。干涉測量調(diào)制器可使用例如約10伏的電位差以使可移動反射層或鏡從松弛狀態(tài)改變?yōu)橹聞訝顟B(tài)。當電壓從該值減小時，可移動反射層隨電壓降回至(在此示例中為)10伏以下而維持其狀態(tài)，然而，可移動反射層并不完全松弛，直至電壓降至2伏以下。因此，如圖3中所示，存在一電壓范圍(大約為3至7伏)，在此電壓范圍中有該器件要么穩(wěn)定于松弛狀態(tài)要么穩(wěn)定于致動狀態(tài)的所施加電壓窗口。該窗口在本文中稱為“滯后窗”或“穩(wěn)定態(tài)窗”。對于具有圖3的滯后特性的顯示陣列30，行/列寫規(guī)程可被設(shè)計成每次尋址一行或多行，以使得在對給定行尋址期間，被尋址行中要被致動的像素暴露于在此示例中約10伏的電壓差，而要被松弛的像素暴露于接近O伏的電壓差。在尋址之后，這些像素暴露于在此示例中約5伏的穩(wěn)態(tài)或偏置電壓差，以使得它們保持在先前的閘選狀態(tài)中。在該示例中，在被尋址之后，每個像素都經(jīng)受落在約3-7伏的“穩(wěn)定態(tài)窗”內(nèi)的電位差。該滯后性質(zhì)特征使得像素設(shè)計(諸如圖1中所解說的像素設(shè)計)能夠在相同的所施加電壓條件下保持穩(wěn)定在要么致動要么松弛·的事先存在的狀態(tài)中。由于每個頂OD像素(無論是處于致動狀態(tài)還是松弛狀態(tài))實質(zhì)上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器，因此該穩(wěn)定狀態(tài)在落在該滯后窗內(nèi)的平穩(wěn)電壓下可得以保持，而基本上不消耗或損失功率。此外，若所施加電壓電位保持基本上固定，則實質(zhì)上很少或沒有電流流入MOD像素中。在一些實現(xiàn)中，可根據(jù)對給定行中像素的狀態(tài)所期望的改變(若有)，通過沿該組列電極施加“分段”電壓形式的數(shù)據(jù)信號來創(chuàng)建圖像的幀?？奢喠鲗ぶ吩撽嚵械拿恳恍?，以使得每次寫該幀的一行。為了將期望數(shù)據(jù)寫到第一行中的像素，可在諸列電極上施加與該第一行中的像素的期望狀態(tài)相對應(yīng)的分段電壓，并且可向第一行電極施加特定的“共用”電壓或信號形式的第一行脈沖。該組分段電壓隨后可被改變?yōu)閷?yīng)于對第二行中像素的狀態(tài)所期望的改變(若有)，且可向第二行電極施加第二共用電壓。在一些實現(xiàn)中，第一行中的像素不受沿諸列電極施加的分段電壓的改變的影響，而是保持于它們在第一共用電壓行脈沖期間被設(shè)定的狀態(tài)?？砂错樞蚍绞綄φ麄€行系列(或替換地對整個列系列)重復(fù)此過程以產(chǎn)生圖像幀。通過以每秒某個期望數(shù)目的幀來不斷地重復(fù)此過程，便可用新圖像數(shù)據(jù)來刷新和/或更新這些幀?？缑總€像素施加的分段信號和共用信號的組合(S卩，跨每個像素的電位差)決定每個像素結(jié)果所得的狀態(tài)。圖4示出解說在施加各種共用電壓和分段電壓時干涉測量調(diào)制器各種狀態(tài)的表的示例。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易理解的，可將“分段”電壓施加于列電極或行電極，并且可將“共用”電壓施加于列電極或行電極中的另一者。如圖4中(以及圖5B中所示的時序圖中)所解說的，當沿共用線施加有釋放電壓VCeel時，沿該共用線的所有干涉測量調(diào)制器元件將被置于松弛狀態(tài)，替換地稱為釋放狀態(tài)或未致動狀態(tài)，不管沿各分段線所施加的電壓如何(即，高分段電壓VSh和低分段電壓VSJ。具體而言，當沿共用線施加釋放電壓VC.時，在沿該像素的對應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh和低分段電壓這兩種情況下，跨該調(diào)制器的電位電壓(替換地稱為像素電壓)皆落在松弛窗(參見圖3，也稱為釋放窗)內(nèi)。當在共用線上施加有保持電壓時(諸如高保持電壓VCmD H或低保持電壓VCmD J，該干涉測量調(diào)制器的狀態(tài)將保持恒定。例如，松弛的IMOD將保持在松弛位置，而致動的IMOD將保持在致動位置。保持電壓可被選擇成使得在沿對應(yīng)的分段線施加高分段電壓VSh和低分段電壓這兩種情況下，像素電壓皆將保持落在穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)。因此，分段電壓擺幅(即，高分段電壓VSh與低分段電壓VSlj之差)小于正穩(wěn)定態(tài)窗或負穩(wěn)定態(tài)窗任一者的寬度。當在共用線上施加有尋址或即致動電壓(諸如高尋址電壓VCaddh或低尋址電壓VCadd J時，通過沿各自相應(yīng)的分段線施加分段電壓，就可選擇性地將數(shù)據(jù)寫到沿該線的各調(diào)制器。分段電壓可被選擇成使得致動是取決于所施加的分段電壓。當沿共用線施加有尋址電壓時，施加一個分段電壓將結(jié)果得到落在穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)的像素電壓，從而使該像素保持未致動。相反，施加另一個分段電壓將結(jié)果得到超出該穩(wěn)定態(tài)窗的像素電壓，從而導(dǎo)致該像素的致動。引起致動的特定分段電壓可取決于使用了哪個尋址電壓而變化。在一些實現(xiàn)中，當沿共用線施加有高尋址電壓VCadd H時，施加高分段電壓VSh可使調(diào)制器保持在其當前位置，而施加低分段電壓V&可引起該調(diào)制器的致動。作為推論，當施加有低尋址電壓VCadd^時，分段電壓的效果可以是相反的，其中高分段電壓VSh引起該調(diào)制器的致動，而低分段電壓對該調(diào)制器的狀態(tài)無影響(即，保持穩(wěn)定)。在一些實現(xiàn)中，可使用產(chǎn)生相同極性的跨調(diào)制器電位差的保持電壓、尋址電壓和分段電壓。在一些其它實現(xiàn)·中，可使用使調(diào)制器的電位差的極性交變的信號?？缯{(diào)制器極性的交變(即，寫規(guī)程極性的交變)可減少或抑制在反復(fù)的單極性寫操作之后可能發(fā)生的電荷累積。圖5A示出解說圖2的3X3干涉測量調(diào)制器顯示器中的一幀顯示數(shù)據(jù)的圖示的示例。圖5B示出可用于寫圖5A中所解說的該幀顯示數(shù)據(jù)的共用信號和分段信號的時序圖的示例?？蓪⑦@些信號施加于例如圖2的3X3陣列，這將最終結(jié)果導(dǎo)致圖5B中所解說的線時間60e的顯示布局。圖5A中的致動調(diào)制器處于暗狀態(tài)，即，其中所反射光的大體部分在可見譜之外，從而給例如觀看者造成暗觀感。在寫圖5A中所解說的幀之前，這些像素可處于任何狀態(tài)，但圖5B的時序圖中所解說的寫規(guī)程假設(shè)了在第一線時間60a之前，每個調(diào)制器皆已被釋放且駐留在未致動狀態(tài)中。在第一線時間60a期間:在共用線I上施加有釋放電壓70 ;在共用線2上施加的電壓始于高保持電壓72且移向釋放電壓70 ;并且沿共用線3施加有低保持電壓76。因此，沿共用線I的調(diào)制器(共用1，分段I)、(共用1，分段2)和(共用1，分段3)在第一線時間60a的歷時里保持在松弛或即未致動狀態(tài)，沿共用線2的調(diào)制器(2，I)、(2，2)和(2，3)將移至松弛狀態(tài)，而沿共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3，2)和(3，3)將保持在其先前狀態(tài)中。參考圖4，沿分段線1、2和3施加的分段電壓將對諸干涉測量調(diào)制器的狀態(tài)沒有影響，這是因為在線時間60a期間，共用線1、2或3皆不暴露于引起致動的電壓水平(即，VC.-松弛和VChold l -穩(wěn)定)。在第二線時間60b期間，共用線I上的電壓移至高保持電壓72，并且由于沒有尋址或即致動電壓施加在共用線I上，因此沿共用線I的所有調(diào)制器皆保持在松弛狀態(tài)中，不管所施加的分段電壓如何。沿共用線2的諸調(diào)制器由于釋放電壓70的施加而保持在松弛狀態(tài)中，而當沿共用線3的電壓移至釋放電壓70時，沿共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3，2)和(3，3)將松弛。在第三線時間60(:期間，通過在共用線I上施加高尋址電壓74來尋址共用線I。由于在該尋址電壓的施加期間沿分段線I和2施加了低分段電壓64，因此跨調(diào)制器(1，I)和(1,2)的像素電壓大于這些調(diào)制器的正穩(wěn)定態(tài)窗的高端(即，電壓差分超過了預(yù)定義閾值)，并且調(diào)制器(1，I)和(1，2)被致動。相反，由于沿分段線3施加了高分段電壓62，因此跨調(diào)制器(1，3)的像素電壓小于調(diào)制器(1，I)和(1，2)的像素電壓，并且保持在該調(diào)制器的正穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)；調(diào)制器(1，3)因此保持松弛。同樣在線時間60c期間，沿共用線2的電壓減小至低保持電壓76，且沿共用線3的電壓保持在釋放電壓70，從而使沿共用線2和3的調(diào)制器留在松弛位置。在第四線時間60d期間，共用線I上的電壓返回至高保持電壓72，從而使沿共用線I的調(diào)制器留在其各自相應(yīng)的被尋址狀態(tài)中。共用線2上的電壓減小至低尋址電壓78。由于沿分段線2施加了高分段電壓62，因此跨調(diào)制器(2，2)的像素電壓低于該調(diào)制器的負穩(wěn)定態(tài)窗的下端，從而導(dǎo)致調(diào)制器(2，2)致動。相反，由于沿分段線I和3施加了低分段電壓64，因此調(diào)制器(2，1)和(2，3)保持在松弛位置。共用線3上的電壓增大至高保持電壓72，從而使沿共用線3的調(diào)制器留在松弛狀態(tài)中。最終，在第五線時間60e期間，共用線I上的電壓保持在高保持電壓72，且共用線2上的電壓保持在低保持電壓76，從而使沿共用線I和2的調(diào)制器留在其各自相應(yīng)的被尋址狀態(tài)中。共用線3上的電壓增大至高尋址電壓74以尋址沿共用線3的調(diào)制器。由于在分段線2和3上施加了低分段電壓64，因此調(diào)制器(3，2)和(3，3)致動，而沿分段線I施加的高分段電壓62使調(diào)制器(3，I)保持在松弛位置。因此，在第五線時間60e結(jié)束時，該3X3像素陣列處于圖5A中所示的狀態(tài)，且只要沿這些共用線施加有保持電壓就將保持在該狀態(tài)中，而不管在沿其它共用線(未示出)的調(diào)制器正被尋址時可能發(fā)生的分段電壓變化如何。在圖5B的時序圖中，給定的寫規(guī)程(即，線時間60a_60e)可包括使用高保持和尋址電壓或使用低保持和尋址電壓。一旦針對給定的共用線已完成該寫規(guī)程(且該共用電壓被設(shè)為與致動電壓具有相同極性的保持電壓)，該像素電壓就保持在給定的穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)且不會穿越松弛窗，直至在該共用線上施加了釋放電壓。此外，由于每個調(diào)制器在被尋址之前作為該寫規(guī)程的一部分被釋放，因此可由調(diào)制器的致動時間而非釋放時間來決定線時間。具體地，在調(diào)制器的釋放時間大于致動時間的實現(xiàn)中，釋放電壓的施加可長于單個線時間，如圖5B中所描繪的。在一些其它實現(xiàn)中，沿共用線或分段線施加的電壓可變化以計及不同調(diào)制器(諸如不同顏色的調(diào)制器)的致動電壓和釋放電壓的差異。根據(jù)上文闡述的原理來操作的干涉測量調(diào)制器的結(jié)構(gòu)細節(jié)可以廣泛地變化。例如，圖6A-6E示出包括可移動反射層14及其支承結(jié)構(gòu)的干涉測量調(diào)制器的不同實現(xiàn)的橫截面的示例。圖6A示出圖1的干涉測量調(diào)制器顯示器的局部橫截面的示例，其中金屬材料條帶(g卩，可移動反射層14)沉積在從基板20正交延伸出的支承18上。在圖6B中，每個MOD的可移動反射層14為大致方形或矩形的形狀，且在拐角處或拐角附近靠系帶32附連至支承。在圖6C中，可移動反射層14為大致方形或矩形的形狀且懸掛于可形變層34，可形變層34可包括柔性金屬。可形變層34可圍繞可移動反射層14的周界直接或間接連接至基板20。這些連接在本文中稱為支承柱。圖6C中所示的實現(xiàn)具有源自可移動反射層14的光學功能與其機械功能(這由可形變層34實施)解耦的附加益處。這種解耦允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料與用于可形變層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料被彼此獨立地優(yōu)化。圖6D示出IMOD的另一示例,其中可移動反射層14包括反射子層14a?？梢苿臃瓷鋵?4支托在支承結(jié)構(gòu)(諸如，支承柱18)上。支承柱18提供了可移動反射層14與下靜止電極(即，所解說MOD中的光學堆棧16的部分)的分離，從而使得(例如當可移動反射層14處在松弛位置時)在可移動反射層14與光學堆棧16之間形成間隙19?？梢苿臃瓷鋵?4還可包括傳導(dǎo)層14c和支承層14b，傳導(dǎo)層14c可配置成用作電極。在此示例中，傳導(dǎo)層14c部署在支承層14b的在基板20遠端的一側(cè)上，而反射子層14a部署在支承層14b的在基板20近端的另一側(cè)上。在一些實現(xiàn)中，反射子層14a可以是傳導(dǎo)性的并且可部署在支承層14b與光學堆棧16之間。支承層14b可包括一層或多層介電材料，例如氧氮化硅(SiON)或二氧化硅(Si02)。在一些實現(xiàn)中，支承層14b可以是諸層的堆棧，諸如舉例而言Si02/Si0N/SiO2三層堆棧。反射子層14a和傳導(dǎo)層14c中的任一者或這兩者可包括例如具有約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金、或其它反射性金屬材料。在介電支承層14b上方和下方采用傳導(dǎo)層14a、14c可平衡應(yīng)力并提供增強的傳導(dǎo)性。在一些實現(xiàn)中，反射子層14a和傳導(dǎo)層14c可由不同材料形成以用于各種各樣的設(shè)計目的，諸如達成可移動反射層14內(nèi)的特定應(yīng)力分布。如圖6D中所解說的，一些實現(xiàn)還可包括黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可形成于光學非活躍區(qū)域中(例如，在各像素之間或在柱子18下方)以吸收環(huán)境光或雜散光。黑色掩模結(jié)構(gòu)23還可通過抑制光從顯示器的非活躍部分反射或透射穿過顯示器的非活躍部分以由此提高對比率來改善顯示設(shè)備的光學性質(zhì)。另外，黑色掩模結(jié)構(gòu)23可以是傳導(dǎo)性的并且配置成用作電匯流層。在一些實現(xiàn)中，行電極可連接至黑色掩模結(jié)構(gòu)23以減小所連接的行電極的電阻。黑色掩模結(jié)·構(gòu)23可使用各種各樣的方法來形成，包括沉積和圖案化技術(shù)。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可包括一層或多層。例如，在一些實現(xiàn)中，黑色掩模結(jié)構(gòu)23包括用作光學吸收體的鑰鉻(MoCr)層、一層、以及用作反射體和匯流層的鋁合金，其厚度分別在約30-80 ,4、500-1000 A和500-6000 A的范圍內(nèi)。這一層或多層可使用各種各樣的技術(shù)來圖案化，包括光刻和干法蝕刻，包括例如用于MoCr及SiO2層的四氟化碳(CF4^P /或氧氣
(O2),以及用于鋁合金層的氯(Cl2)和/或三氯化硼(BC13)。在一些實現(xiàn)中，黑色掩模23可以是標準具(etalon)或干涉測量堆棧結(jié)構(gòu)。在此類干涉測量堆棧黑色掩模結(jié)構(gòu)23中，傳導(dǎo)性的吸收體可用于在每行或每列的光學堆棧16中的下靜止電極之間傳送或匯流信號。在一些實現(xiàn)中，分隔層35可用于將吸收體層16a與黑色掩模23中的傳導(dǎo)層大體上電隔離。圖6E示出MOD的另一示例，其中可移動反射層14是自支承的。不同于圖6D，圖6E的實現(xiàn)不包括支承柱18。作為代替，可移動反射層14在多個位置接觸底下的光學堆棧16，且可移動反射層14的曲度提供足夠的支承以使得在跨該干涉測量調(diào)制器的電壓不足以引起致動時，可移動反射層14返回至圖6E的未致動位置。出于清晰起見，可包含多個(若干)不同層的光學堆棧16在此處被不為包括光學吸收體16a和電介質(zhì)16b。在一些實現(xiàn)中，光學吸收體16a既可用作固定電極又可用作部分反射層。在諸實現(xiàn)中，諸如圖6A-6E中所示的那些實現(xiàn)中，MOD用作直視設(shè)備，其中是從透明基板20的前側(cè)(即，與布置調(diào)制器的一側(cè)相對的那側(cè))來觀看圖像。在這些實現(xiàn)中，可對該設(shè)備的背部(即，該顯示設(shè)備的在可移動反射層14后面的任何部分，包括例如圖6C中所解說的可形變層34)進行配置和操作而不沖突或不利地影響該顯示設(shè)備的圖像質(zhì)量，因為反射層14在光學上屏蔽了該設(shè)備的那些部分。例如，在一些實現(xiàn)中，在可移動反射層14后面可包括總線結(jié)構(gòu)(未圖解)，這提供了將調(diào)制器的光學性質(zhì)與該調(diào)制器的機電性質(zhì)(諸如，電壓尋址和由此類尋址所導(dǎo)致的移動)分離的能力。另外，圖6A - 6E的實現(xiàn)可簡化處理(諸如，圖案化)。圖7示出解說用于干涉測量調(diào)制器的制造過程80的流程圖的示例，并且圖8A - SE示出此類制造過程80的相應(yīng)階段的橫截面示意圖解的示例。在一些實現(xiàn)中，可實現(xiàn)制造過程80加上圖7中未示出的其它框以制造例如圖1和6中所解說的一般類型的干涉測量調(diào)制器。參考圖1、6和7，過程80在框82處開始以在基板20上方形成光學堆棧16。圖8A解說了在基板20上方形成的此類光學堆棧16?；?0可以是透明基板(諸如，玻璃或塑料)，其可以是柔性的或是相對堅硬且不易彎曲的，并且可能已經(jīng)歷了在先制備工藝(例如，清洗)以便于高效地形成光學堆棧16。如上文所討論的，光學堆棧16可以是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，并且可以是例如通過將具有期望性質(zhì)的一層或多層沉積在透明基板20上來制造的。在圖8A中，光學堆棧16包括具有子層16a和16b的多層結(jié)構(gòu)，但在一些其它實現(xiàn)中可包括更多或更少的子層。在一些實現(xiàn)中，子層16a、16b中的一者可配置成具有光學吸收和傳導(dǎo)性質(zhì)兩者，諸如組合式導(dǎo)體/吸收體子層16a。另外，子層16a、16b中的一者或多者可被圖案化成平行條帶，并且可形成顯示設(shè)備中的行電極。此類圖案化可通過掩模和蝕刻工藝或本領(lǐng)域已知的另一合適工藝來執(zhí)行。在一些實現(xiàn)中，子層16a、16b中的一者可以是絕緣層或介電層，諸如沉積在一個或多個金屬層(例如，一個或多個反射和/或傳導(dǎo)層)上方的子層16b。另外，光學堆棧16可被圖案化成形成顯示器的諸行的個體且平行的條帶。過程80在框84處繼續(xù)以在光學堆棧16上方形成犧牲層25。犧牲層25稍后被移除(例如，在框90處)以形成腔19，且因此在圖1中所解說的結(jié)果所得的干涉測量調(diào)制器12中未示出犧牲層25。圖SB解說包括形成在光學堆棧16上方的犧牲層25的經(jīng)部分制造的器件。在光學堆棧16上方形成犧牲層25可包括以所選厚度來沉積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料(諸如，鑰(Mo)或非晶硅(a-Si))，該厚度被選擇成在后續(xù)移除之后提供具有期望設(shè)計大小的間隙或腔19 (也參見圖1和SE)。沉積犧牲材料可使用諸如物理汽相沉積(PVD，例如濺鍍)、等離子體增強型化學汽相沉積(PECVD)、熱化學汽相沉積(熱CVD)、或旋涂等沉積技術(shù)來實施。過程80在框86處繼續(xù)以形成支承結(jié)構(gòu)(例如，圖1、6和8C中所解說的柱子18)。形成柱子18可包括:圖案化犧牲層25以形成支承結(jié)構(gòu)孔，然后使用沉積方法(諸如PVD、PECVD、熱CVD或旋涂)將材料(例如，聚合物或無機材料，例如氧化硅)沉積至該孔中以形成柱子18。在一些實現(xiàn)中，在犧牲層中形成的支承結(jié)構(gòu)孔可延伸穿過犧牲層25和光學堆棧16兩者到達底下的基板20，從而柱子18的下端接觸基板20，如圖6A中所解說的。替換地，如圖SC中所描繪的，在犧牲層25中形成的孔可延伸穿過犧牲層25，但不穿過光學堆棧16。例如，圖8E解說了支承柱18的下端與光學堆棧16的上表面接觸?？赏ㄟ^在犧牲層25上方沉積支承結(jié)構(gòu)材料層并將該支承結(jié)構(gòu)材料的位于遠離犧牲層25中的孔的部分圖案化來形成柱子18或其它支承結(jié)構(gòu)。這些支承結(jié)構(gòu)可位于這些孔內(nèi)(如圖SC中所解說的)，但是也可至少部分地延伸在犧牲層25的一部分上方。如上所述，對犧牲層25和/或支承柱18的圖案化可通過圖案化和蝕刻工藝來執(zhí)行，但也可通過替換的蝕刻方法來執(zhí)行。過程80在框88處繼續(xù)以形成可移動反射層或膜，諸如圖1、6和8D中所解說的可移動反射層14?？梢苿臃瓷鋵?4可通過采用一個或多個沉積步驟(例如，反射層(例如，鋁、鋁合金)沉積)連同一個或多個圖案化、掩模和/或蝕刻步驟來形成。可移動反射層14可以是導(dǎo)電的，且被稱為導(dǎo)電層。在一些實現(xiàn)中，可移動反射層14可包括如圖8D中所示的多個子層14a、14b、14c。在一些實現(xiàn)中，這些子層中的一者或多者(諸如子層14a、14c)可包括為其光學性質(zhì)所選擇的高反射子層，且另一子層14b可包括為其機械性質(zhì)所選擇的機械子層。由于犧牲層25仍存在于在框88處形成的經(jīng)部分制造的干涉測量調(diào)制器中，因此可移動反射層14在此階段通常是不可移動的。包含犧牲層25的經(jīng)部分制造的MOD在本文也可稱為“未脫?！?MOD。如上文結(jié)合圖1所描述的，可移動反射層14可被圖案化成形成顯示器的諸列的個體且平行的條帶。過程80在框90處繼續(xù)以形成腔，例如圖1、6和SE中所解說的腔19。腔19可通過將(在框84處沉積的)犧牲材料25暴露于蝕刻劑來形成。例如,可蝕刻的犧牲材料(諸如Mo或非晶Si )可通過干法化學蝕刻來移除，例如通過將犧牲層25暴露于氣態(tài)或蒸氣蝕刻劑(諸如，由固態(tài)XeF2得到的蒸氣)長達能有效地移除期望量的材料(通常是相對于圍繞腔19的結(jié)構(gòu)選擇性地移除)的一段時間來移除。還可使用其他蝕刻方法，例如濕法蝕刻和/或等離子蝕刻。由于在框90期間移除了犧牲層25，因此可移動反射層14在此階段之后通常是可移動的。在移除犧牲材料25之后，結(jié)果所得的已完全或部分制造的MOD在本文中可被稱為“已脫模”頂OD。由于反射式顯示器(諸如具有干涉測量調(diào)制器像素的那些反射式顯示器)使用反射光來形成圖像，因此可能期望在某些環(huán)境下增強環(huán)境光以提高顯示器的亮度。此增強可由照明系統(tǒng)提供，其中來自光源的光被定向至反射式顯示器，該反射式顯示器然后將該光朝觀察者反射回去。圖9A不出照明系統(tǒng)的橫截面的不例。光導(dǎo)120接收來自光源130的光。光導(dǎo)120中的多個光轉(zhuǎn)向特征121被配置成將來自光源130的光(例如，光線150)重定向成反向朝著底下的反射式顯示器160。反射式顯示器160中的反射式像素將該經(jīng)重定向的光向前反射成朝向觀察者170。在一些實現(xiàn)中，這些反射式像素可以是IM0D12 (圖1)。繼續(xù)參考圖9A，光導(dǎo)120可以是平坦的光學透射面板，其部署成面向且平行于顯不器160的主表面以使得入射光穿過光導(dǎo)120到達顯不器160,且從顯不器160反射的光也反向穿過光導(dǎo)120到達觀察者170。光源130可包括任意合適的光源，例如，白熾燈泡、邊緣條、發(fā)光二極管(“LED”)、熒光燈、LED燈條、LED陣列和/或另一光源。在某些實現(xiàn)中，來自光源130的光注入到光導(dǎo)120中以使得一部分光在跨光導(dǎo)120的至少一部分以相對于光導(dǎo)120的與顯示器160對準的表面成低掠射角的方向上傳播，以使得該光在光導(dǎo)120內(nèi)通過全內(nèi)反射(“TIR”)被反射。在一些實現(xiàn)中，光源130包含燈條。從發(fā)光設(shè)備(例如，LED)進入該燈條的光可沿該等條的一些或全部長度傳播并在該燈條的一部分或全部長度上離開該燈條的表面或邊緣。離開該燈條的光可進入光導(dǎo)120的邊緣，并隨后在光導(dǎo)120內(nèi)傳播。光導(dǎo)120中的光轉(zhuǎn)向特征121以足夠使得至少一些光穿出光導(dǎo)120到達反射式顯不器160的角度引導(dǎo)光朝向顯不器160中的顯不兀件。光轉(zhuǎn)向特征121可包括一層或多層，其被配置成提高轉(zhuǎn)向特征121面向遠離觀察者170的反射率和/或用作從觀察者側(cè)的黑色掩模。這些層可統(tǒng)稱為涂層140。圖9B示出其中涂層140包括多個層的光轉(zhuǎn)向特征的橫截面的示例。在某些實現(xiàn)中，轉(zhuǎn)向特征121的涂層140可配置成干涉測量堆棧，其具有:反射層122，其重定向在光導(dǎo)120內(nèi)傳播的光；間隔層123 ;以及覆蓋在間隔層123上的部分反射層124。間隔層123部署在反射層122與部分反射層124之間并通過其厚度來限定一光學諧振腔。該干涉測量堆?？杀慌渲贸山o予涂層140暗外觀，如觀察者170所看到的。例如，光可從反射層122和部分反射層124中的每一者反射，其中間隔123的厚度被選擇成使得反射光相消地干涉，從而涂層140呈現(xiàn)黑色或暗色，如觀察者170從上方所看到的(圖9A)。反射層122可例如包括金屬層，例如，鋁(Al)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鑰(Mo)、金(Au)、以及鉻(Cr)。反射層122的厚度可以在約丨00 A與約700 A之間。在一種實現(xiàn)中，反射層122是大約300人厚。間隔層123可包括各種光學透射材料，例如，空氣、氮氧化硅(SiOxN)、二氧化娃(SiO2)、氧化招(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、氟化鎂(MgF2)、氧化鉻(III) (Cr3O2)、氮化硅(Si3N4)、透明導(dǎo)電氧化物(TC0)、氧化銦錫(ΙΤ0)、以及氧化鋅(ZnO)。在一些實現(xiàn)中，間隔層123的厚度在約500 A與約1500人之間。在一種實現(xiàn)中，間隔層123是大約800人厚。部分反射層124可包括各種材料，例如，鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉻(Cr)等，以及合金(例如，MoCrX在一些實現(xiàn)中，部分反射層124的厚度可以在約20與約300 A之間。在一種實現(xiàn)中，部分反射層124是大約80 A厚。繼續(xù)參考圖9B，由于光主要從光轉(zhuǎn)向特征121的側(cè)面126和127重定向至顯示器160，因此在一些實現(xiàn)中，在這些側(cè)面之間的區(qū)域中，涂層140可設(shè)有光可穿過的開口 125。開口 125可便于環(huán)境光傳播至顯示器160和/或反射光傳播至觀察者170。已發(fā)現(xiàn)，在一些實現(xiàn)中，金屬層(諸如反射涂層140和部分反射層124)可腐蝕或以其它方式進行不期望的反應(yīng)。在不受理論限制的情況下，相信這些不期望的反應(yīng)是由于從環(huán)境擴散至反射涂層140和/或?qū)?24并與其反應(yīng)的濕氣或氣體(例如，氧化劑)而發(fā)生的。這些反應(yīng)可改變反射涂層140的材料性質(zhì)(例如，使這些涂層和層的反射率降級)并由此使涂層140和/或?qū)?24的期望功能性降級。圖10示出設(shè)有部署在光導(dǎo)120上方的鈍化層110的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。光源130被配置成將光注入光導(dǎo)120中。在一些實現(xiàn)中，鈍化層110直接部署在光導(dǎo)120的部分(諸如，該光導(dǎo)在各光轉(zhuǎn)向特征121之間延伸的諸部分)上。鈍化層110也可直接部署在光轉(zhuǎn)向特征121的涂層140上。如圖所示，光轉(zhuǎn)向特征121可形成為光導(dǎo)120中的凹槽，并且鈍化層110可基本上共形地在光導(dǎo)120的頂部主表面上方延伸。在一些實現(xiàn)中，共形鈍化層110在光轉(zhuǎn)向特征121底部處的厚度與共形鈍化層110在光轉(zhuǎn)向特征121側(cè)壁處的厚度之比可以是約5:1、約3:1、約2:1、約1.5:1、或約1:1。這些水平的厚度均勻性可提供用于形成抗反射涂層同時提供鈍化的優(yōu)點，如本文中所討論的。繼續(xù)參考圖10，鈍化層110可以是濕氣屏障。在一些實現(xiàn)中，鈍化層110具有約lg/m2/天或更小、約0.01g/m2/天或更小、或者約0.0001g/m2/天或更小的濕氣透過系數(shù)。鈍化層110可具有合適的厚度以提供抵御濕氣和/或環(huán)境氣體的屏障性質(zhì)。已發(fā)現(xiàn)約50nm或更大、或者約75nm或更大的厚度提供了用于環(huán)境隔離以及增加光學功能性(例如，抗反射性質(zhì))的優(yōu)點。在一些實現(xiàn)中，當暴露于具有85%相對濕度的85°C環(huán)境時，鈍化層110防止反射涂層140的腐蝕達至少約200小時、或至少約500小時、或至少約1000小時的歷時。在一些實現(xiàn)中，防腐蝕處于使設(shè)備操作不受損害的水平，以使得該設(shè)備滿足其操作規(guī)范。例如，當涂層140中的部分反射層124腐蝕時，涂層140的黑色掩模性質(zhì)下降并且可能發(fā)生從涂層140的環(huán)境反射增加(例如，由于從層122反射)。在一些實現(xiàn)中，在以下程度上防止層124的腐蝕:在具有85%相對濕度的85°C環(huán)境中，從涂層140的所察覺反射增加在500小時之后為約20%或更小、約10%或更小、或者約5%或更小。在一些實現(xiàn)中，對于在IOum寬的光轉(zhuǎn)向特征中包括50nm的Al反射層122、72nm的二氧化硅間隔層123、以及5nm的MoCr部分反射層124 (圖9B)的反射涂層140達成這些益處。鈍化層110可由光學透射材料形成，包括可有利于電隔離鈍化層110底下的電學結(jié)構(gòu)的光學透射介電材料。用于鈍化層110的合適材料的示例包括二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)、MgF2、CaF2、Al2O3或其混合物。在一些實現(xiàn)中，鈍化層110由旋涂式玻璃形成。參考圖11，可提供一個或多個光學解耦層以便于光在光導(dǎo)120內(nèi)傳播。圖11示出設(shè)有光學解耦層的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。例如，光學解耦層180a可設(shè)在鈍化層110上方。在一些實現(xiàn)中，光學解稱層180a的·折射率低于鈍化層110和光導(dǎo)120的折射率。該較低折射率促使從鈍化層110與光學解耦層180a之間的界面的全內(nèi)反射，由此便于光通過全內(nèi)反射而跨光導(dǎo)120傳播。在一些實現(xiàn)中，光學解耦層180a可提供額外功能性。例如，層180a可由提供對鈍化層110和光導(dǎo)120的機械保護的材料形成。用于光學解耦層180a的合適材料的示例包括MgF2、CaF2、UV可固化環(huán)氧樹脂、聚合涂層、有機硅氧烷涂層、硅樹脂黏合劑、以及在可見光譜中具有小于約1.48、或小于約1.45、或小于約1.42的折射率的其它類似材料。繼續(xù)參考圖11，在一些實現(xiàn)中，可在光導(dǎo)120底下提供另一光學解耦層180b。此另一光學解耦層180b也可具有低于光導(dǎo)120的折射率，由此促成層180b與光導(dǎo)120的界面處的全內(nèi)反射。層180b可由與層180a相同或不同的材料形成。在一些其它實現(xiàn)中，層180b可省略并且間隙(例如，空氣間隙)提供低折射率介質(zhì)以促成光導(dǎo)120的下部主表面處的全內(nèi)反射。繼續(xù)參考圖11，在一些實現(xiàn)中，鈍化層110被配置成提供抗反射性質(zhì)。例如，鈍化層110的折射率和厚度可被選擇成允許層110用作干涉抗反射涂層。在一些實現(xiàn)中，鈍化層110的折射率在光學解耦層180a的折射率與光導(dǎo)120 (或緊鄰鈍化層110的光導(dǎo)120層，其中光導(dǎo)120包括多個層)的折射率之間。例如，鈍化層110的折射率可使用下式來推導(dǎo):Ri = ^IUig X Rlonh其中RIps是鈍化層的折射率；RIlg是光導(dǎo)的折射率；以及RIqdl是光學解耦層的折射率。因此，在一些實現(xiàn)中，鈍化層110的折射率可以是約RIPS。在一些實現(xiàn)中，鈍化層110的折射率在RIps的10%內(nèi)、或在RIps的5%內(nèi)。在一個示例中，具有1.42的折射率的硅樹脂的光學解耦層180a可直接部署在鈍化層Iio上方，鈍化層110由具有1.47的折射率的二氧化硅形成，鈍化層110部署在光導(dǎo)120上，光導(dǎo)120包括直接在鈍化層110底下的SiON層，該SiON層具有1.52的折射率。在一些實現(xiàn)中，硅樹脂可以是硅樹脂黏合劑涂層。光學解耦層180a可直接接觸鈍化層110，鈍化層110可直接接觸光導(dǎo)120。在一些實現(xiàn)中，鈍化層110的折射率在光學解耦層180a、光導(dǎo)120或光學解耦層180a及光導(dǎo)120兩者的0.1內(nèi)。在一些實現(xiàn)中，光學解耦層180a的折射率為約0.05或更大、或者約0.1或更大、小于鈍化層110和/或光導(dǎo)120的折射率。在一些實現(xiàn)中，鈍化層110的厚度可以是約50nm或更大、約75nm或更大、或者約75 - 125nm。在一些其它實現(xiàn)中，鈍化層110的厚度可以是約250 - 330nm。已發(fā)現(xiàn)此類厚度提供用于向鈍化層110提供在光譜中的抗反射性質(zhì)的益處，如本文中所討論的。通過在光導(dǎo)120上方共形地形成鈍化層110，可將鈍化層110形成為基本均勻的厚度，由此跨光導(dǎo)
120—致地提供期望光譜內(nèi)的抗反射性質(zhì)。在其中鈍化層110的厚度在光轉(zhuǎn)向特征121的底部與側(cè)壁之間變化的一些實現(xiàn)中，上述厚度可以是光轉(zhuǎn)向特征121的底部處的厚度。在一些實現(xiàn)中，鈍化層110在光轉(zhuǎn)向特征121的底部處的厚度可以是約IOOnm或約290nm，并且鈍化層110在光轉(zhuǎn)向特征121的側(cè)壁處的厚度在底部處的厚度的約40nm或約25nm內(nèi)。該照明系統(tǒng)可包括底下的顯示器160，光導(dǎo)120的抗反射性質(zhì)可為其提供益處。如本文中所討論的，來自光源130的光可注入光導(dǎo)120中、由光轉(zhuǎn)向特征121重定向成朝向顯示器160、并由顯示器160向前反射成朝向觀察者170，由此形成由觀察者170察覺的圖像。由光學解耦層180a、鈍化層110和光導(dǎo)120提供的抗反射性質(zhì)可減少由觀察者170看到的反射，由此改善顯示器160的所察覺對比度。參考圖12，示出了反射率相對于直接位于光導(dǎo)上的二氧化硅鈍化層的厚度的標繪。二氧化硅鈍化層(折射率1.47)部署在上覆光學透射層(例如，硅樹脂層，折射率=1.42)與底下的光導(dǎo)中的底下光學透射層(例如，SiON層、折射率1.52)之間。使得鈍化層的折射率處于此類中間值，鈍化層可給出優(yōu)越的抗反射性質(zhì)。例如，相比于根本不具有鈍化層，在約75 - 125nm的厚度，觀察到反射率降低至1/14。此外，針對光以從0° (相對于法線)至30° (相對于法線)的入射角照射鈍化層，觀察到此降低。另外，在相似厚度(例如，約75 - 125nm)，對于此角度范圍，反射率降低是相似的，從而指示具有單個厚度的單個鈍化層對于寬范圍的入射角可達成相似的反射率減小。在較高厚度也觀察到有益的反射率減小。例如，在約275 - 325nm的厚度，觀察到反射率降低至1/7，以及在約470 - 500nm的厚度，觀察到反射率降低至1/3以下。圖13示出了反射率相對于直接位于光轉(zhuǎn)向特征上的二氧化硅鈍化層的厚度的標繪。該光轉(zhuǎn)向特征包括涂層140 (圖9B)，涂層140包括反射層(例如，Al)的50nm反射層、光學透射間隔層(例如，二氧化娃)的72nm間隔層、以及薄金屬(例如，MoCr)的5nm部分反射層。該鈍化層上覆蓋有硅樹脂層(折射率=1.42)。該鈍化層由二氧化硅形成。如圖13中所看到的，這些層達成良好的抗反射性質(zhì)。相比于根本不具有鈍化層，在約165 - 185nm的厚度，觀察到反射率減半。針對光以從0° (相對于法線)至30° (相對于法線)的入射角照射鈍化層，觀察到反射率降低。在相似厚度(例如，約50 -1OOnm)觀察到相似的降低，使得具有單個厚度的單個鈍化層對于寬范圍的入射角可達成相似的反射率減小。此外，這些厚度與為直接在光導(dǎo)上的鈍化層(參見圖12)提供顯著反射率減小的厚度重疊。例如，對于分布在光導(dǎo)上和光轉(zhuǎn)向特征上的鈍化層，約50 -1lOnm或約75 -1OOnm的厚度可提供高度抗反射率。繼續(xù)參考圖13，較大厚度也提供反射率減小。例如，在約260 - 300nm的厚度，觀察到反射率降低大約50%，以及在約450nm的厚度，觀察到反射率降低大約40%。無論是作為抗反射結(jié)構(gòu)的部分還是實現(xiàn)成不具有抗反射功能性，應(yīng)領(lǐng)會，鈍化層110可以各種配置來安排。圖14示出具有多個鈍化層的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。鈍化層110部署在光導(dǎo)120上方，并且另一鈍化層112部署在光導(dǎo)120下方。在一些實現(xiàn)中，鈍化層112的厚度和折射率允許層112充當抗反射涂層，如本文針對鈍化層110所討論的。在一些實現(xiàn)中，鈍化層112的厚度可以是約75nm或更大、約75 - 125nm、或者約250 - 330nm。另外，鈍化層112的折射率可小于光導(dǎo)120的直接上覆層129的折射率。較低折射率的光學解耦層(諸如層180b，圖11)可設(shè)在鈍化層112下方。在一些其它實現(xiàn)中，空氣間隙充當光學解f禹層。參考圖15A和15B，鈍化層110可以是直接部署在光轉(zhuǎn)向特征121的涂層140上方且連續(xù)延伸于在各光轉(zhuǎn)向特征121之間延伸的光導(dǎo)120部分上的毯覆層。圖15A和15B示出具有上覆鈍化層110的光轉(zhuǎn)向特征121和光導(dǎo)120的橫截面的示例。光轉(zhuǎn)向特征121的涂層140可由多個層122、123和124形成，如本文中所討論的。鈍化層110基本上跨整個光導(dǎo)120延伸。參考圖15B，除光轉(zhuǎn)向特征121以外，各種其它特征可存在于光導(dǎo)120的表面上。例如，導(dǎo)電特征190可設(shè)在光導(dǎo)120上方。例如，導(dǎo)電特征190可包括互連或電極。例如，特征190可形成觸摸屏顯示器的部分。在一些其它實現(xiàn)中，鈍化層110可在沉積之后被圖案化。圖16A和16B示出帶有具有上覆圖案化的鈍化層110的光轉(zhuǎn)向特征121和光導(dǎo)120的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。在一些實現(xiàn)中，鈍化層110被圖案化以使得其各部分基本上位于光轉(zhuǎn)向特征121處，而各光轉(zhuǎn)向特征121之間的區(qū)域中的鈍化層110部分被移除。在一些實現(xiàn)中，形成涂層140的每一層和鈍化層110可毯覆沉積在光導(dǎo)120上方。這些層然后可使用單個掩模來同時圖案化，這允許涂層140和鈍化層110同時通過蝕刻來限定。經(jīng)圖案化的鈍化層110蓋在光轉(zhuǎn)向特征121和涂層140上。如圖16A和16B中所解說的，經(jīng)圖案化的鈍化層110和涂層140的側(cè)壁可以是基本共面的，以使得涂層140的側(cè)面暴露或不受經(jīng)圖案化的鈍化層110保護。另外，導(dǎo)電特征190可存在于光導(dǎo)120上方。特征190也可與經(jīng)圖案化的鈍化層110同時被圖案化，以使得鈍化層110和特征190的側(cè)壁可以是共面的并且特征190的側(cè)面暴露或者不受經(jīng)圖案化的鈍化層110保護。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認識到，涂層140的所暴露側(cè)面可使這些側(cè)面容易與來自周圍環(huán)境的濕氣和氣體相互作用。然而，這些層可具有在數(shù)十納米的數(shù)量級上的厚度，而光轉(zhuǎn)向特征121的寬度在微米數(shù)量級上。因此，不認為涂層140的側(cè)面處的腐蝕或反應(yīng)的發(fā)展速率足以在包含涂層140的照明系統(tǒng)的預(yù)期壽命內(nèi)破壞光轉(zhuǎn)向特征121的功能性。圖案化鈍化層110可便于在由鈍化層110的經(jīng)移除部分留下的開口中形成輔助結(jié)構(gòu)。在一些實現(xiàn)中，鈍化層Iio被圖案化以便于與底下的電特征電接觸。圖16B示出具有經(jīng)圖案化的鈍化層110的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。光導(dǎo)120可上覆有導(dǎo)電特征，諸如允許該照明系統(tǒng)用作觸摸屏的互連或電極(未示出)。圖案化至鈍化層110中的開口可用于在這些互連或電極與上覆導(dǎo)電特征之間形成觸點。盡管為便于討論和解說而在本文中稱為單個實體，但是將領(lǐng)會，光導(dǎo)120可由一層或多層材料形成。圖17示出具有多層光導(dǎo)的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。光導(dǎo)120可由光轉(zhuǎn)向膜128和底下的支撐層129形成。轉(zhuǎn)向膜128和支撐層129兩者可由允許光沿其長度傳播的基本上光學透射的材料形成。例如，轉(zhuǎn)向膜128和支撐層129可各自包括以下材料中的一者或多者:丙烯酸樹脂、丙烯酸酯共聚物、UV可固化樹脂、聚碳酸酯、環(huán)烯烴聚合物、聚合物、有機材料、無機材料、硅酸鹽、礬土、藍寶石、玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚對苯二甲酸乙二醇(“PET-G”)、氮氧化硅、和/或其它光學透明材料。出于機械及化學穩(wěn)定性，形成轉(zhuǎn)向膜128的材料可對稍后處理步驟中所使用的材料及溫度具有低濕氣吸收、熱及化學抵抗力，以及有限的或基本沒有除氣性。在一些實現(xiàn)中，轉(zhuǎn)向膜128由可作為液體沉積的材料形成，以使得該材料可以液相沉積于支撐層129上。在一些實現(xiàn)中，形成轉(zhuǎn)向膜128的材料可以是玻璃，例如旋涂式玻璃。在一些實現(xiàn)中，形成轉(zhuǎn)向膜128的材料可以是光可限定的，例如，由光可限定的旋涂式玻璃和/或光可限定的聚合物形成。如本文中所使用的，旋涂式材料是可通過旋涂式沉積來沉積的材料，其中該材料沉積于旋轉(zhuǎn)的底層支撐件(諸如支撐層129)上。然而，該旋涂式材料無需通過旋涂式沉積來沉積例如，在一些實現(xiàn)中，該旋涂式材料可沉積于靜止的支撐層129上。在任一種情形中，在一些實現(xiàn)中，該旋涂式材料可作為液體沉積于支撐層129上。該液體可以是溶液，其中例如在固化過程中移除溶劑以形成固相轉(zhuǎn)向膜128。在一些實現(xiàn)中，轉(zhuǎn)向膜128和支撐層129由相同材料形成，以及在其它實現(xiàn)中，轉(zhuǎn)向膜和支撐層129由不同材料形成。在一些實現(xiàn)中，轉(zhuǎn)向膜128可由旋涂式玻璃或光可限定的聚合物形成，而支撐層129可·由玻璃形成。在一些實現(xiàn)中，轉(zhuǎn)向膜128和支撐層129的折射率可匹配成彼此接近或相等，以使得光可相繼傳播穿過這些層而在這些層之間的界面處基本上不被反射或折射。在一些實現(xiàn)中，轉(zhuǎn)向膜128和支撐層129的折射率在彼此的約0.05、約0.03、或約0.02內(nèi)。在一種實現(xiàn)中，支撐層129和轉(zhuǎn)向膜128各自具有約1.52的折射率。根據(jù)一些其它實現(xiàn)，支撐層129和/或轉(zhuǎn)向膜128的折射率可在約1.45至約2.05的范圍內(nèi)。在一些實現(xiàn)中，支撐層129和轉(zhuǎn)向膜128可由黏合劑(例如，壓敏黏合劑)保持在一起，該黏合劑的折射率可類似于或等于支撐層129和轉(zhuǎn)向膜128中的一者或兩者的折射率。另外，在一些實現(xiàn)中，可使用折射率匹配的黏合劑，諸如壓敏黏合劑(“PSA”)，將顯示器160層疊至光導(dǎo)120。支撐層129和轉(zhuǎn)向膜128中的一者或兩者可包括一或多個光轉(zhuǎn)向特征121。在一些實現(xiàn)中，光轉(zhuǎn)向特征121部署在光轉(zhuǎn)向膜128的頂部表面上。形成這些特征121的凹槽可通過各種工藝(包括蝕刻和浮雕)來形成。光轉(zhuǎn)向膜128的厚度可足以在該膜內(nèi)形成光轉(zhuǎn)向特征121的整個體積。在一些實現(xiàn)中，光轉(zhuǎn)向膜128具有約1.0-54111、約1.0-44111、或約1.5 - 3 μ m的厚度。另外，光轉(zhuǎn)向特征121的壁上的涂層140可通過沉積(例如，毯覆沉積)期望材料的一個或多個膜以及隨后蝕刻所沉積膜以從光轉(zhuǎn)向特征121外部的位置移除這些材料來形成?？稍趯⑥D(zhuǎn)向膜129附著于支撐層129之前執(zhí)行這些凹槽的形成和/或涂層140的形成。在一些實現(xiàn)中，此舉可便于制造該照明系統(tǒng)，因為在將轉(zhuǎn)向膜128附著于支撐層129及照明系統(tǒng)的其余部分之前可發(fā)現(xiàn)這些凹槽或涂層140中的缺陷。因此，在發(fā)現(xiàn)光轉(zhuǎn)向特征121中的缺陷時，可僅需替換有缺陷的轉(zhuǎn)向膜129，而非丟棄整個光導(dǎo)120和/或附著于轉(zhuǎn)向膜129的其它部分。
在一些其它實現(xiàn)中，光導(dǎo)可被蝕刻以在將轉(zhuǎn)向膜129與支撐層128組合之后限定光轉(zhuǎn)向特征?，F(xiàn)在參考圖18A-18F，示出了用于制造照明系統(tǒng)的工藝序列中的各個階段處的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。參考圖18A，提供部署在支撐層129上的光轉(zhuǎn)向膜128。在一些實現(xiàn)中，光轉(zhuǎn)向膜128由玻璃(諸如，旋涂式玻璃)形成。形成光轉(zhuǎn)向膜128的材料可以是光可限定的，包括光可限定的玻璃(諸如，光可限定的旋涂式玻璃)。在一些其它實現(xiàn)中，該光可限定材料是非玻璃材料，并且可以是例如光可限定的聚合物。圖18B示出在圖案化光轉(zhuǎn)向膜128以形成凹槽131之后的該膜。凹槽131可通過光刻形成，其中通過光罩使光轉(zhuǎn)向膜128暴露于光并且隨后使該光轉(zhuǎn)向膜暴露于顯影蝕刻齊U (其可以是濕法蝕刻劑)以移除光轉(zhuǎn)向膜128的選定部分，從而形成凹槽131。在一些實現(xiàn)中，可通過修改暴露及顯影形成光轉(zhuǎn)向膜128的光可限定材料的過程來控制凹槽131的大小及形狀。圖18C不出在于光轉(zhuǎn)向膜128上毪覆沉積一層或多層材料之后的圖18B的光轉(zhuǎn)向膜128及凹槽131。如圖所示，層122、123和124可順序地沉積以形成干涉測量堆棧，該干涉測量堆棧用作在支撐層129及光轉(zhuǎn)向膜128內(nèi)傳播的光的反射器，并且還充當對觀察者的黑色掩模，如本文中所描述的。圖18D示出在蝕刻層122、123和/或124以基本移除這些層在凹槽131外部的部分(圖18C)之后的層122、123和/或124，由此將涂層140限定為光轉(zhuǎn)向特征121的部分。如圖18E中所示，在凹槽131的中間部分中且不在凹槽131的側(cè)壁上的層122、123和/或124部分也可被蝕刻以準許光行進穿過這些中間部分。如圖18F中所示，鈍化層110可沉積于層128上且沉積到光轉(zhuǎn)向特征121中。在一些實現(xiàn)中，鈍化層Iio是共形的。在一些其它實現(xiàn)中，鈍化層110填充光轉(zhuǎn)向特征121并且通過在光導(dǎo)120的凹槽及主表面上方提供平坦表面來用作平坦化層(未示出)。在一些實現(xiàn)中，該平坦化層可由旋涂式玻璃材料形成，并且可具有低折射率以用作光學解耦層。在一些實現(xiàn)中，鈍化層110用作濕氣屏障，如本文中所討論的。將領(lǐng)會，在一些實現(xiàn)中使用玻璃或光可限定材料可提供優(yōu)于使用化學氣相沉積材料的益處。使用光可限定材料(包括光可限定玻璃材料)或非光可限定玻璃材料允許通過相對快速的體沉積(例如，通過旋涂式涂敷工藝)而非較慢的化學氣相沉積來形成光轉(zhuǎn)向膜。另外，在一些實現(xiàn)中，光轉(zhuǎn)向膜可比一些化學氣相沉積材料更迅速地被蝕刻。例如，可使用顯影蝕刻(其可以是濕法蝕刻)來蝕刻這些光可限定材料。此外，由于光轉(zhuǎn)向膜本身是光可限定的，因此不需要單獨的掩模形成和圖案轉(zhuǎn)移步驟來限定光轉(zhuǎn)向膜中的凹槽。因此，可提高制造吞吐量，由此降低制造成本。另外，這些材料的成本可低于化學氣相沉積材料的成本，由此進一步降低制造成本。將領(lǐng)會，本文描述的照明系統(tǒng)可用各種方式來制造。圖19示出解說用于照明系統(tǒng)的制造過程的流程圖的示例。提供光導(dǎo)(200)。提供(210)部署在該光導(dǎo)的主表面上方的光學透射鈍化層。該鈍化層是濕氣屏障，如本文中所描述的。該光導(dǎo)可對應(yīng)于光導(dǎo)120(例如，參見圖9A- 11和14- 19F)，如本文中所描述的。該鈍化層可對應(yīng)于鈍化層110 (例如，參見圖10- 11、14_ 17和18F)，如本文中所描述的。提供光導(dǎo)200可涵蓋提供光導(dǎo)作為面板。該光導(dǎo)可設(shè)有多個光轉(zhuǎn)向特征，諸如特征121(圖9A- 11、14_ 17、以及18D- 18F)。這些特征可通過蝕刻該面板以限定用于這些特征的凹槽、以及隨后可任選地在這些凹槽的壁上沉積和圖案化涂層140(圖9A - 11、14 - 17、以及18D-18E)來形成。在一些實現(xiàn)中，在圖案化涂層140之前沉積鈍化層110。然后，可將鈍化層110與涂層140同時圖案化。在一些其它實現(xiàn)中，光轉(zhuǎn)向特征121可形成于光轉(zhuǎn)向膜128中，光轉(zhuǎn)向膜128隨后被附著于底下的支撐層。因此，可在附著于支撐層之前執(zhí)行用于這些光轉(zhuǎn)向特征的凹槽的形成。在一些實現(xiàn)中，可在附著于支撐層之前應(yīng)用涂層140和/或鈍化層110。在其它實現(xiàn)中，可在附著于支撐層之后應(yīng)用涂層140和/或鈍化層110。提供鈍化層110可包括在該光導(dǎo)上沉積鈍化層110。該沉積可通過本領(lǐng)域已知的各種方法來完成，包括化學氣相沉積。在一些實現(xiàn)中，光導(dǎo)120的頂部表面涂敷有鈍化層110。在一些其它實現(xiàn)中，光導(dǎo)120的頂部表面和底部表面兩者皆涂敷有鈍化層。涂敷光導(dǎo)120的頂部表面和底部表面兩者可包括在每一個表面上單獨地沉積鈍化層110，或者可包括用鈍化層110同時涂敷其它表面。例如，光導(dǎo)120可經(jīng)歷濕法涂敷工藝，其中光導(dǎo)120的兩個表面同時暴露于涂敷試劑以在光導(dǎo)120的每一側(cè)上形成鈍化層110。在一些實現(xiàn)中，涂敷或沉積工藝的程度被測定以使得最終鈍化層110具有約50nm或更大的厚度以用作濕氣屏障和抗反射涂層兩者。圖20A和20B示出解說包括多個干涉測量調(diào)制器的顯示設(shè)備40的系統(tǒng)框圖的示例。顯示設(shè)備40可以是例如蜂窩或移動電話。然而，顯示設(shè)備40的相同組件或其稍有變動的變體也解說諸如電視、電子閱讀器和便攜式媒體播放器等各種類型的顯示設(shè)備。顯示設(shè)備40包括外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入設(shè)備48、以及話筒46。外殼41可由各種各樣的·制造工藝(包括注模和真空成形)中的任何制造工藝來形成。另外，外殼41可由各種各樣的材料中的任何材料制成，包括但不限于:塑料、金屬、玻璃、橡膠、和陶瓷、或其組合。外殼41可包括可拆卸部分(未示出)，其可與具有不同顏色、或包含不同徽標、圖片或符號的其它可拆卸部分互換。顯示器30可以是各種各樣的顯示器中的任何顯示器，包括雙穩(wěn)態(tài)顯示器或模擬顯示器，如本文中所描述的。顯示器30也可配置成包括平板顯示器(諸如，等離子體、EL、0LED、STN IXD或TFT IXD)、或非平板顯示器(諸如，CRT或其它電子管設(shè)備)。另外，顯示器30可包括干涉測量調(diào)制器顯示器，如本文中所描述的。在圖20B中示意性地解說顯示設(shè)備40的組件。顯示設(shè)備40包括外殼41，并且可包括被至少部分地包封于其中的附加組件。例如，顯示設(shè)備40包括網(wǎng)絡(luò)接口 27，該網(wǎng)絡(luò)接口 27包括耦合至收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接至處理器21，該處理器21連接至調(diào)理硬件52。調(diào)理硬件52可配置成調(diào)理信號(例如，對信號濾波)。調(diào)理硬件52連接至揚聲器45和話筒46。處理器21還連接至輸入設(shè)備48和驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控制器29耦合至幀緩沖器28并且耦合至陣列驅(qū)動器22，該陣列驅(qū)動器22進而耦合至顯示陣列30。電源50可如該特定顯示設(shè)備40設(shè)計所要求地向所有組件供電。網(wǎng)絡(luò)接口 27包括天線43和收發(fā)器47，從而顯示設(shè)備40可在網(wǎng)絡(luò)上與一個或多個設(shè)備通信。網(wǎng)絡(luò)接口 27也可具有一些處理能力以減輕例如對處理器21的數(shù)據(jù)處理要求。天線43可發(fā)射和接收信號。在一些實現(xiàn)中，天線43根據(jù)IEEE16.11標準(包括IEEE16.11(a)、(b)或(g))或IEEE802.11標準(包括IEEE802.lla、b、g或η)來發(fā)射和接收RF信號。在一些其它實現(xiàn)中，天線43根據(jù)藍牙標準來發(fā)射和接收RF信號。在蜂窩電話的情形中，天線43設(shè)計成接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時分多址(TDMA)、全球移動通信系統(tǒng)(GSM)、GSM/通用分組無線電服務(wù)(GPRS)、增強型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境(EDGE)、地面集群無線電(TETRA)、寬帶CDMA (W-CDMA)、演進數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、lxEV-DO、EV-DO修訂版A、EV-DO修訂版B、高速分組接入(HSPA)、高速下行鏈路分組接入(HSDPA)、高速上行鏈路分組接入(HSUPA)、演進高速分組接入(HSPA+ )、長期演進(LTE )、AMPS、或用于在無線網(wǎng)絡(luò)(諸如，利用3G或4G技術(shù)的系統(tǒng))內(nèi)通信的其它已知信號。收發(fā)器47可預(yù)處理從天線43接收的信號，以使得這些信號可由處理器21接收并進一步操縱。收發(fā)器47也可處理從處理器21接收的信號，以使得可從顯示設(shè)備40經(jīng)由天線43發(fā)射這些信號。在一些實現(xiàn)中，收發(fā)器47可由接收器代替。另外，網(wǎng)絡(luò)接口 27可由圖像源代替，該圖像源可存儲或生成要發(fā)送給處理器21的圖像數(shù)據(jù)。處理器21可控制顯示設(shè)備40的整體操作。處理器21接收數(shù)據(jù)(諸如來自網(wǎng)絡(luò)接口 27或圖像源的經(jīng)壓縮圖像數(shù)據(jù))，并將該數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成容易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理數(shù)據(jù)發(fā)送給驅(qū)動器控制器29或發(fā)送給幀緩沖器28以進行存儲。原始數(shù)據(jù)通常是指標識圖像內(nèi)每個位置處的圖像特性的信息。例如，此類圖像特性可包括色彩、飽和度和灰度級。處理器21可包括微控制器、CPU、或用于控制顯示設(shè)備40的操作的邏輯單元。調(diào)理硬件52可包括用于將信號傳送至揚聲器45以及用于從話筒46接收信號的放大器和濾波器。調(diào)理硬件52可以是顯示設(shè)備40內(nèi)的分立組件，或者可被納入在處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動器控制器29可直接從處理器21或者可從幀緩沖器28取由處理器21生成的原始圖像數(shù)據(jù)，并且可適當?shù)刂匦赂袷交撛紙D像數(shù)據(jù)以用于向陣列驅(qū)動器22高速傳輸。在一些實現(xiàn)中，驅(qū)動器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化成具有類光柵格式的數(shù)據(jù)流，以使得其具有適合跨顯示陣列30進行掃描的時間次序。然后，驅(qū)動器控制器29將經(jīng)格式化的信息發(fā)送至陣列驅(qū)動器22。雖然驅(qū)動器控制器29 (諸如，IXD控制器)往往作為自立的集成電路(IC)來與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但此類控制器可用許多方式來實現(xiàn)。例如，控制器可作為硬件嵌入在處理器21中、作為軟件嵌入在處理器21中、或以硬件形式完全與陣列驅(qū)動器22集成在一起。陣列驅(qū)動器22可從驅(qū)動器控制器29接收經(jīng)格式化的信息并且可將視頻數(shù)據(jù)重新格式化成一組并行波形，這些波形被每秒許多次地施加至來自顯示器的χ-y像素矩陣的數(shù)百條且有時是數(shù)千條(或更多)引線。在一些實現(xiàn)中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22、以及顯示陣列30適用于本文中所描述的任何類型的顯示器。例如，驅(qū)動器控制器29可以是常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，IMOD控制器)。另外，陣列驅(qū)動器22可以是常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動器(例如，IMOD顯示器驅(qū)動器)。此外，顯示陣列30可以是常規(guī)顯示陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示陣列(例如，包括IMOD陣列的顯示器)。在一些實現(xiàn)中，驅(qū)動器控制器29可與陣列驅(qū)動器22集成在一起。此類實現(xiàn)在諸如蜂窩電話、手表和其它小面積顯示器等高度集成系統(tǒng)中是常見的。在一些實現(xiàn)中，輸入設(shè)備48可配置成允許例如用戶控制顯示設(shè)備40的操作。輸入設(shè)備48可包括按鍵板(諸如，QWERTY鍵盤或電話按鍵板)、按鈕、開關(guān)、搖桿、觸敏屏幕、或壓敏或熱敏膜。話筒46可配置成作為顯示設(shè)備40的輸入設(shè)備。在一些實現(xiàn)中，可使用通過話筒46的語音命令來控制顯示設(shè)備40的操作。電源50可包括本領(lǐng)域公知的各種各樣的能量儲存設(shè)備。例如，電源50可以是可再充電電池，諸如鎳鎘電池或鋰離子電池。電源50也可以是可再生能源、電容器或太陽能電池，包括塑料太陽能電池或太陽能電池涂料。電源50也可配置成從墻上插座接收功率。在一些實現(xiàn)中，控制可編程性駐留在驅(qū)動器控制器29中，驅(qū)動器控制器29可位于電子顯示系統(tǒng)中的若干個地方。在一些其它實現(xiàn)中，控制可編程性駐留在陣列驅(qū)動器22中。上述優(yōu)化可以用任何數(shù)目的硬件和/或軟件組件并在各種配置中實現(xiàn)。結(jié)合本文中所公開的實現(xiàn)來描述的各種解說性邏輯、邏輯塊、模塊、電路和算法步驟可實現(xiàn)為電子硬件、計算機軟件、或這兩者的組合。硬件與軟件的這種可互換性已以其功能性的形式作了一般化描述，并在上文描述的各種解說性組件、框、模塊、電路、和步驟中作了解說。此類功能性是以硬件還是軟件來實現(xiàn)取決于具體應(yīng)用和加諸于整體系統(tǒng)的設(shè)計約束。用于實現(xiàn)結(jié)合本文中所公開的方面描述的各種解說性邏輯、邏輯塊、模塊和電路的硬件和數(shù)據(jù)處理裝置可用通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或其他可編程邏輯器件、分立的門或晶體管邏輯、分立的硬件組件、或其設(shè)計成執(zhí)行本文中描述的功能的任何組合來實現(xiàn)或執(zhí)行。通用處理器可以是微處理器，或者是任何常規(guī)的處理器、控制器、微控制器、或狀態(tài)機。處理器還可以被實現(xiàn)為計算設(shè)備的組合，例如DSP與微處理器的組合、多個微處理器、與DSP核心協(xié)作的一個或更多個微處理器、或任何其他此類配置。在一些實現(xiàn)中，特定步驟和方法可由專門針對給定功能的電路系統(tǒng)來執(zhí)行。在一個或多個方面，所描述的功能可以用硬件、數(shù)字電子電路系統(tǒng)、計算機軟件、固件(包括本說明書中所公開的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物)或其任何組合來實現(xiàn)。本說明書中所描述的主題內(nèi)容的實現(xiàn)也可實現(xiàn)為一個或多個計算機程序，即，編碼在計算機存儲介質(zhì)上以供數(shù)據(jù)處理裝置執(zhí)行或用于控制數(shù)據(jù)處理裝置的操作的計算機程序指令的一個或多個模塊。對本公開中描述的實現(xiàn)的各種改動對于本領(lǐng)域技術(shù)人員可能是明顯的，并且本文中所定義的普適原理可應(yīng)用于其他實現(xiàn)而不會脫離本公開的精神或范圍。由此，權(quán)利要求并非旨在被限定于本文中示出的實現(xiàn)，而是應(yīng)被授予與本公開、本文中所公開的原理和新穎性特征一致的最廣義的范圍。本文中專門使用詞語“示例性”來表示“用作示例、實例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實現(xiàn)不必然被解釋為優(yōu)于或勝過其他實現(xiàn)。另外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易領(lǐng)會，術(shù)語“上”和“下/低”有時是為了便于描述附圖而使用的，且指示與取向正確的頁面上的附圖取向相對應(yīng)的相對位置，且可能并不反映如所實現(xiàn)的MOD的正當取向。本說明書中在分開實現(xiàn)的上下文中描述的某些特征也可組合地實現(xiàn)在單個實現(xiàn)中。相反，在單個實現(xiàn)的上下文中描述的各種特征也可分開地或以任何合適的子組合實現(xiàn)在多個實現(xiàn)中。此外，雖然諸特征在上文可能被描述為以某些組合的方式起作用且甚至最初是如此要求保護的，但來自所要求保護的組合的一個或多個特征在一些情形中可從該組合被切除，且所要求保護的組合可以針對子組合、或子組合的變體。
類似地，雖然在附圖中以特定次序描繪了諸操作，但這不應(yīng)當被理解為要求此類操作以所示的特定次序或按順序次序來執(zhí)行、或要執(zhí)行所有所解說的操作才能達成期望的結(jié)果。此外，附圖可能以流程圖的形式示意性地描繪一個或多個示例過程。然而，未描繪的其它操作可被納入示意性地解說的示例過程中。例如，可在任何所解說操作之前、之后、同時或之間執(zhí)行一個或多個附加操作。在某些環(huán)境中，多任務(wù)處理和并行處理可能是有利的。此外，上文所描述的實現(xiàn)中的各種系統(tǒng)組件的分開不應(yīng)被理解為在所有實現(xiàn)中都要求此類分開，并且應(yīng)當理解，所描述的程序組件和系統(tǒng)一般可以一起整合在單個軟件產(chǎn)品中或封裝成多個軟件產(chǎn)品。另外，其它實現(xiàn)也落在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。在一些情形中，權(quán)利要求中敘述的動作可按不同次序來執(zhí)行并且仍達成期望的結(jié)果。
權(quán)利要求
1.一種照明系統(tǒng)，包括: 光導(dǎo)，其包括: 光學透射支撐層；以及 所述支撐層上的光轉(zhuǎn)向膜，所述光轉(zhuǎn)向膜由能液相沉積于所述支撐層上的材料形成；以及 在所述光轉(zhuǎn)向膜中的凹槽中形成的多個光轉(zhuǎn)向特征。
2.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述光轉(zhuǎn)向膜由玻璃材料形成。
3.如權(quán)利要求2所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述玻璃是旋涂式玻璃材料。
4.如權(quán)利要求2所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述旋涂式玻璃材料是光可限定的旋涂式玻璃材料。
5.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述光轉(zhuǎn)向膜由光可限定的聚合物形成。
6.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述支撐層和所述光轉(zhuǎn)向膜具有基本匹配的折射率。
7.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述支撐層由玻璃形成。
8.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，進一步包括所述光轉(zhuǎn)向膜上的光學透射鈍化層。
9.如權(quán)利要求8所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述光學透射鈍化層是玻璃層。
10.如權(quán)利要求9所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述玻璃層由旋涂式玻璃形成。
11.如權(quán)利要求8所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層具有約250- 330nm的厚度。
12.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，進一步包括直接部署在所述凹槽的表面上的反射層。
13.如權(quán)利要求12所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述反射層形成黑色掩模，所述黑色掩模包括: 所述反射層； 所述反射層上方的光學透射間隔層；以及 所述間隔層上方的第二反射層。
14.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，進一步包括顯示器，其中所述光轉(zhuǎn)向特征被配置成使光從所述支撐層發(fā)射出去并朝向所述顯示器。
15.如權(quán)利要求14所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述顯示器是反射式顯示器。
16.如權(quán)利要求14所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述反射式顯示器包括干涉測量調(diào)制器顯示元件陣列。
17.如權(quán)利要求14所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，進一步包括: 處理器，其被配置成與所述顯示器通信，所述處理器被配置成處理圖像數(shù)據(jù)；以及 存儲器設(shè)備，其配置成與所述處理器通信。
18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，進一步包括: 驅(qū)動器電路，其配置成將至少一個信號發(fā)送給所述顯示器。
19.如權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，進一步包括:控制器，其配置成將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送給所述驅(qū)動器電路。
20.如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，進一步包括: 圖像源模塊，其配置成將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送給所述處理器。
21.如權(quán)利要求20所述的裝置，其特征在于，所述圖像源模塊包括接收器、收發(fā)器和發(fā)射器中的至少一者。
22.如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，進一步包括: 輸入設(shè)備，其配置成接收輸入數(shù)據(jù)并將所述輸入數(shù)據(jù)傳達給所述處理器。
23.—種照明系統(tǒng),包括: 光導(dǎo)，其包括: 光學透射支撐層；以及 用于容適用于光轉(zhuǎn)向特征的凹槽的裝置，其中所述用于容適凹槽的裝置能以液態(tài)來沉積。
24.如權(quán)利要求23所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述用于容適凹槽的裝置是由旋涂式玻璃形成的光轉(zhuǎn)向膜。
25.如權(quán)利要求23所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述用于容適凹槽的裝置是由光可限定的聚合物形成 的光轉(zhuǎn)向膜。
26.如權(quán)利要求25所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，進一步包括所述光可限定的聚合物上的鈍化層，所述鈍化層具有約250 - 330nm的厚度。
27.一種用于形成照明系統(tǒng)的方法，包括: 提供光學透射支撐層； 在所述支撐層上沉積液體材料以形成光轉(zhuǎn)向膜；以及 在所述光轉(zhuǎn)向膜中限定凹槽以在所述光轉(zhuǎn)向膜中形成多個光轉(zhuǎn)向特征。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，提供所述光學透射支撐層包括提供玻璃層。
29.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，沉積所述液體材料包括沉積旋涂式玻璃材料。
30.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，沉積所述液體材料包括沉積光可限定的聚合物。
31.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，所述光轉(zhuǎn)向膜是固相膜，所述方法進一步包括固化所述液體材料以形成所述固相膜。
32.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，限定所述凹槽包括: 通過光罩使所述光轉(zhuǎn)向膜暴露于光；以及 然后使所述光轉(zhuǎn)向膜暴露于顯影蝕刻劑以形成所述凹槽。
33.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，在所述光轉(zhuǎn)向膜中限定凹槽以形成所述多個光轉(zhuǎn)向特征包括用一個或多個反射層來涂敷所述凹槽的表面。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，進一步包括在所述一個或多個反射層上沉積鈍化層。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其特征在于，所述鈍化層具有約250- 330nm的厚度。
36.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，進一步包括將光源附連至所述光導(dǎo)的邊緣。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，進一步包括面向所述光導(dǎo)的主表面附連顯示器。
全文摘要
本公開提供了用于通過使用光導(dǎo)來散布光從而提供照明的系統(tǒng)、方法和裝置。在一個方面，光導(dǎo)包括光學透射支撐層(129)上方的光轉(zhuǎn)向膜(128)。在一些實現(xiàn)中，光轉(zhuǎn)向膜可由以液體沉積的材料形成。在一些實現(xiàn)中，光轉(zhuǎn)向膜可由光可限定的材料形成，其可以是玻璃(諸如旋涂式玻璃)、或者可以是聚合物。在一些其他實現(xiàn)中，該玻璃不是光可限定的。該光轉(zhuǎn)向膜可具有限定光轉(zhuǎn)向特征的凹槽(131)，并且可在這些凹槽上方形成保護層。該保護層也可由玻璃材料(諸如旋涂式玻璃)形成。該光導(dǎo)膜中的光轉(zhuǎn)向特征可被配置成將光重定向到該光導(dǎo)外部。在一些實現(xiàn)中，該重定向的光可被應(yīng)用于照明顯示器。
文檔編號G02B6/00GK103221852SQ201180054996
公開日2013年7月24日 申請日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月16日
發(fā)明者T·笹川, B·W·阿拉布科勒, W·卡明斯, I·比塔, K·李, R·勞 申請人:高通Mems科技公司