專利名稱：有源矩陣基板以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有源矩陣基板以及使用它的顯示裝置，特別是涉及具備設(shè)置有輔助電容的TFT基板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
作為薄型電視機、個人計算機的顯示裝置、視頻攝像裝置的顯示裝置等，將薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor)用于開關(guān)元件的有源矩陣型液晶顯示裝置被廣泛使用。除了以往的TN型(Twisted Nematic ;扭曲向列型)液晶顯示裝置之外，還在開發(fā)利用作為垂直取向模式的VA (Vertical Alignment)模式、作為橫電場模式的IPS (In — Plane —Switching ;面內(nèi)開關(guān))模式的液晶顯示裝置等。作為VA模式的液晶顯示裝置，已知在I個像素中形成有液晶的取向方向互不相同的多個疇的MVA (Multidomain Vertical Alignment ;多疇垂直取向)模式的液晶顯示裝置、以形成于像素的中心部的電極上的鉚釘?shù)葹橹行氖挂壕У娜∠蚍较蜻B續(xù)地不同的CPA(Continuous Pinwheel Alignment ;連續(xù)焰火狀取向)模式的液晶顯示裝置等。在對像素電極 施加預(yù)定信號電壓后到對該像素電極施加新的信號電壓為止的期間，不對TFT的柵極施加將TFT變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)的掃描信號，TFT變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。在TFT為截止?fàn)顟B(tài)的非選擇期間，像素電極的電位保持大致恒定，維持與該電位相應(yīng)的顯示。已知歷來將用于保持像素電極的電位的輔助電容(存儲電容)與液晶電容并列設(shè)置。在專利文獻I中示出在漏極電極的延伸部和輔助電容電極(輔助電容總線)之間形成輔助電容的方式。漏極電極的延伸部在比輔助電容電極的邊緣(外緣)靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域以與輔助電容電極重疊的方式設(shè)置。另外，在該顯示裝置中，輔助電容電極以與像素電極的端部重疊的方式延伸，與像素電極之間也形成有輔助電容。在專利文獻2中公開了在下層的導(dǎo)電性配線的外緣內(nèi)側(cè)的區(qū)域隔著絕緣膜形成上層的導(dǎo)電部從而形成輔助電容的技術(shù)。形成在下層配線的邊緣的內(nèi)側(cè)的理由是，若以與下層配線的邊緣交叉的方式設(shè)置上層的導(dǎo)電部，則在該交叉部分發(fā)生電流的泄漏、導(dǎo)通的可能性提聞。在專利文獻3中，作為不降低像素的開口率地設(shè)置輔助電容的技術(shù)，記載有在多個副像素電極的間隙部形成輔助電容配線和輔助電容電極。在該文獻中也記載有將從漏極電極延伸的輔助電容電極設(shè)置于比設(shè)置在其下層的輔助電容配線的邊緣靠內(nèi)側(cè)。在專利文獻4和專利文獻5中也記載有TFT的漏極電極的延伸部分以與輔助電容總線(Cs總線)相對的方式設(shè)置的液晶顯示裝置。漏極電極的延伸部分作為Cs相對電極發(fā)揮功能，隔著絕緣膜與輔助電容配線之間形成輔助電容。另外，在專利文獻4和專利文獻5所述的液晶顯示裝置中，從漏極電極延伸的部分越過下層的輔助電容配線而延伸。該延伸部分被用作控制電容電極，與懸浮狀態(tài)的副像素電極進行電容耦合。隔著控制電容電極對懸浮狀態(tài)的副像素電極施加與和漏極電極直接連接的其它副像素電極不同的電位。這樣，作為像素分割方式的一種，已知對I個像素所包含的2個副像素電極各自施加不同的電壓的方法。通過將取向狀態(tài)不同的液晶區(qū)域形成在I個像素內(nèi)，能夠改善視野角特性?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1:美國專利第7，417，691號說明書專利文獻2:特開平4 - 342234號公報專利文獻3:特開2006 - 154080號公報專利文獻4:特開2006 - 330633號公報專利文獻5:特開2006 - 201355號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題TFT基板是通過在基板上反復(fù)進行沉積導(dǎo)電膜或絕緣膜、對它們進行圖案化的工序而制作的。例如，TFT基板是按如下方式制作的。首先，在玻璃等的基板上，以預(yù)定圖案設(shè)置由金屬膜形成的柵極電極、柵極總線以及輔助電容總線。之后，隔著柵極絕緣膜在預(yù)定位置形成半導(dǎo)體層。進而，形成包含源極電極的源極總線和在半導(dǎo)體膜上以與源極電極相對的方式配置的漏極電極。這時，在輔助電容總線上的區(qū)域，隔著柵極絕緣膜形成作為漏極電極的延伸部的輔助電容相對電極(Cs相 對電極)。之后，隔著層間絕緣膜等設(shè)置像素電極。像素電極與漏極電極或Cs相對電極例如通過設(shè)置于層間絕緣膜的接觸孔電連接。在隔著柵極絕緣膜在輔助電容總線上形成Cs相對電極的工序中，有時會產(chǎn)生對位偏移。因此，有時得不到期望大小的輔助電容，保持電壓、饋通電壓(TFT的選擇期間結(jié)束時的像素電極的電位的降低)產(chǎn)生變動。若饋通電壓的變動的大小因像素不同而大不相同，則會引起顯示品質(zhì)的降低。例如，在圖案化工序中，在對顯示區(qū)域分多次進行曝光的情況下，有時在各自的曝光區(qū)域的對位偏移量不同。在這種情況下，在各自的曝光區(qū)域，饋通電壓的變動量不同。特別是在I個像素的尺寸小的情況下，由于相對于整個輔助電容的對位的偏移而引起的輔助電容變動的比率變大，所以上述問題顯著。另外，若Cs總線和Cs相對電極(漏極電極延伸部)的對位出現(xiàn)偏移，則在與Cs總線相同的圖案化工序中被圖案化的柵極電極和在與Cs相對電極相同的圖案化工序中被圖案化的漏極電極之間形成的寄生電容Cgd的大小也會發(fā)生變動。從而，在TFT切換為截止?fàn)顟B(tài)時產(chǎn)生的饋通電壓的大小也會產(chǎn)生偏差。另外，在上述專利文獻4和5中，漏極電極的延伸部分也存在于與副像素電極相對的部分，形成用于形成與副像素電極的耦合電容的控制電容電極。因此，在產(chǎn)生對位偏移、輔助電容的大小發(fā)生變動的情況下，相對于與副像素電極之間形成的耦合電容的I個像素的總電容的比率發(fā)生變動，施加于配置有副像素電極的部分的液晶的電壓發(fā)生變動。其結(jié)果是，可能不能進行期望的顯示。因此有如下課題:在TFT基板的制造過程中產(chǎn)生對位偏移的情況下也能夠適當(dāng)?shù)氐玫捷o助電容，從而防止顯示品質(zhì)的降低。若沒有適當(dāng)?shù)卦O(shè)置輔助電容，則有時會發(fā)生塊狀或者帶狀的顯示不均、閃爍。
本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供在制造過程中產(chǎn)生對位偏移的情況下也能適當(dāng)?shù)氐玫捷o助電容的有源矩陣基板以及通過使用它而改善了顯示品質(zhì)的顯示裝置。用于解決問題的方案本發(fā)明的實施方式的有源矩陣基板具備:基板；柵極總線，其設(shè)置于上述基板上；源極總線，其以與上述柵極總線交叉的方式設(shè)置于上述基板上；TFT，其設(shè)置于上述柵極總線和上述源極總線的交叉部附近，具有:柵極電極，其與上述柵極總線電連接；源極電極，其與上述源極總線電連接；以及漏極電極；像素電極，其與上述TFT的上述漏極電極電連接；輔助電容總線，其與上述柵極總線或上述源極總線平行地設(shè)置；以及輔助電容相對電極，其與上述漏極電極電連接，與上述輔助電容總線之間形成輔助電容，上述輔助電容相對電極具有 第I部分，其 與上述輔助電容總線重疊，形成實質(zhì)性的輔助電容；第2部分，其位于上述第I部分和上述漏極電極之間；以及第3部分，其以隔著上述第I部分而與上述第2部分相對的方式從上述第I部分突出地設(shè)置，以與上述輔助電容總線重疊、與除了與上述TFT的上述漏極電極電連接的上述像素電極以外的像素電極不重疊的方式設(shè)置。在某實施方式中，上述第3部分包含與上述輔助電容總線不重疊的部分。在某實施方式中，上述輔助電容總線包含:總線部分，其與上述柵極總線平行地延伸；以及分岔部分，其設(shè)置于與上述總線部分交叉的方向，上述輔助電容相對電極的上述第2部分和上述輔助電容總線的上述分岔部重疊。在某實施方式中，上述輔助電容總線的邊緣處的上述第3部分的寬度與上述輔助電容總線的邊緣處的上述第2部分的寬度相同。在某實施方式中，上述輔助電容總線的邊緣處的上述第3部分的寬度比上述輔助電容總線的邊緣處的上述第2部分的寬度大。在某實施方式中，上述輔助電容總線在形成上述第3部分的位置具有切缺部。在某實施方式中，規(guī)定了多個像素，在上述多個像素中的至少2個像素中，設(shè)置上述第3部分的像素內(nèi)的位置不同。在某實施方式中，規(guī)定了三角形排列的多個像素，與預(yù)定像素相關(guān)聯(lián)的上述第3部分配置于與上述預(yù)定像素在斜方向上相鄰的2個像素的像素電極間。在某實施方式中，上述漏極電極相對于上述柵極電極延伸的方向與上述第3部分從上述輔助電容總線突出的方向相差180°。在某實施方式中，在與上述漏極電極相對于上述柵極電極延伸的方向相差180°的方向上，以從上述輔助電容總線突出的方式形成有上述輔助電容相對電極的第4部分。本發(fā)明的實施方式的顯示裝置具備:上述有源矩陣基板；相對基板，其以與上述有源矩陣基板相對的方式配置；以及顯示介質(zhì)層，其設(shè)置于上述有源矩陣基板和上述相對基板之間。在某實施方式中，上述顯示介質(zhì)層為液晶層，上述有源矩陣基板和上述相對基板中的至少一者具有黑矩陣，上述輔助電容相對電極的上述第3部分設(shè)置于與上述黑矩陣重
疊的位置。在某實施方式中，上述顯示介質(zhì)層為垂直取向型液晶層，在上述有源矩陣基板和上述相對基板中的至少一者設(shè)置有用于形成多個液晶疇的取向限制結(jié)構(gòu)。
在某實施方式中，上述輔助電容相對電極的上述第3部分設(shè)置于與上述取向限制結(jié)構(gòu)重疊的位置。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的實施方式所涉及的有源矩陣基板，在制造過程中產(chǎn)生對位偏移的情況下也能夠得到適當(dāng)?shù)妮o助電容。另外，使用該有源矩陣基板制作的顯示裝置的顯示品質(zhì)良好。


圖1是示出實施方式I的TFT基板的俯視圖。圖2是示出圖1的TFT附近的部分放大圖。圖3是沿著圖2所示的TFT基板的Y — Y’線的截面圖。圖4是示出比較例的TFT基板的俯視圖。圖5是沿著示出接觸孔的圖2的X — X’線的截面圖，Ca)和(b)分別示出不同的方式。圖6是示出實施方式I的TFT基板的變形例的俯視圖，(a)和(b)分別示出不同的方式。圖7是示出實施方式2的TFT基板的俯視圖。圖8是示出圖7的TFT附近的部分放大圖。圖9是示出實施方 式2的TFT基板的變形例的俯視圖。圖10是示出適合于實施方式2的TFT基板的4色像素的方式的俯視圖。圖11是示出實施方式3的TFT基板的俯視圖。圖12 Ca)是示出與I個像素對應(yīng)的區(qū)域的附近的圖11的部分放大圖，(b)是沿著圖11所示的TFT基板的Z — Z’線的截面圖。圖13 Ca)是示出實施方式4的TFT基板的俯視圖，(b)是示出變形例的俯視圖。圖14 (a)和(b)是示出實施方式4的TFT基板的另一方式的圖，(b)是示出(a)的TFT附近的部分放大圖。圖15是示出實施方式5的液晶顯示裝置的俯視圖，(a)示出TFT基板和相對基板，(b)僅示出TFT基板。圖16是示出實施方式5的液晶顯示裝置的另一方式的俯視圖，(a)示出TFT基板和相對基板，(b)僅示出TFT基板。圖17是示出實施方式6的液晶顯示裝置(像素2分割方式)的俯視圖，Ca)示出TFT基板和相對基板，(b)僅示出TFT基板。圖18是示出實施方式6的液晶顯示裝置(像素3分割方式)的俯視圖，Ca)示出TFT基板和相對基板，(b)僅示出TFT基板。圖19是示出實施方式6的液晶顯示裝置(像素2分割方式)的另一方式的俯視圖，Ca)示出TFT基板和相對基板，(b)僅示出TFT基板。圖20是示出實施方式6的液晶顯示裝置(像素3分割方式)的另一方式的俯視圖，Ca)示出TFT基板和相對基板，(b)僅示出TFT基板。圖21是不出實施方式7的液晶顯不裝置的俯視圖，(a)不出TFT基板和相對基板，(b)僅示出TFT基板。圖22是示出實施方式7的液晶顯示裝置的另一方式的俯視圖，(a)示出TFT基板和相對基板，(b)僅示出TFT基板。圖23是示出實施方式7的液晶顯示裝置的又一方式的俯視圖，(a)示出TFT基板和相對基板，(b)僅示出TFT基板。圖24是示出實施方式8的TFT基板的俯視圖。圖25是示出實施方式8的變形例的TFT基板的俯視圖。圖26是沿著圖25所示的TFT基板的A — A’線的截面圖。
具體實施例方式下面，參照

本發(fā)明的實施方式的TFT基板以及顯示裝置的構(gòu)成。但本發(fā)明不限于以下說明的實施方式。<實施方式I >圖1示出用于TN方式的液晶顯示裝置等的實施方式I的TFT基板100。在TFT基板100上矩陣狀地設(shè)置有像素，圖1中僅示出其中的I個像素及其周邊的區(qū)域。在本實施方式中，I個像素的尺寸為約270μπιΧ約90 μ m，像素具有橫長形狀。另外，圖2是圖1的部分放大圖，圖3是沿著圖2所示的Y — Y’線的截面圖。首先，參照圖1 圖3說明TFT基板100的構(gòu)成。TFT基板100在基板40上具有:在水平方向上延伸的多條柵極總線(掃描線)10和多條輔助電容總線(Cs總線·)12;以及以與它們交叉的方式在垂直方向上延伸的多條源極總線(信號線)20。Cs總線12配置于相鄰的2根柵極總線10間。另外，與由相鄰的2根源極總線20和相鄰的2根Cs總線12包圍的區(qū)域?qū)?yīng)地設(shè)置有像素電極30。在柵極總線10和源極總線20的交叉部附近設(shè)置有TFT (薄膜晶體管)5。TFT5具有:柵極電極10a，其與柵極總線10 —體地形成；以及源極電極20a和漏極電極24，其隔著柵極絕緣膜42和半導(dǎo)體層44設(shè)置于該柵極電極IOa上。源極電極20a與源極總線20 —體地形成，具有U字型。漏極電極24以被U字型的源極電極20a夾著的方式與源極電極20a相對地設(shè)置。此外，此處說明的TFT的“源極”和“漏極”這兩個詞可置換，例如，在本發(fā)明書中稱為“漏極電極”的部分一般來說能夠稱為“源極電極”。TFT基板100具有從漏極電極24延伸的輔助電容相對電極22 (以下，有時稱為Cs相對電極)。Cs相對電極22與漏極電極24—體地形成。另外，Cs相對電極22經(jīng)由接觸孔26與像素電極30電連接，從而漏極電極24和像素電極30導(dǎo)通。如圖2所示，Cs相對電極22包含:電容部22bl、22b2 (以下，有時統(tǒng)稱為電容部22b)，其與Cs總線12重疊而形成輔助電容；連接部22a，其位于漏極電極24和電容部22b之間；以及補償部22c，其以與連接部22a之間夾著電容部22b的方式配置。補償部22c以隔著電容部22b與連接部22a相對的方式設(shè)置。如圖3所示，柵極絕緣膜42介于Cs相對電極22的電容部22b和Cs總線12之間，由它們形成輔助電容Ccs。如在圖1和圖2中示出其邊緣30E那樣，在本實施方式中，像素電極30具有以不覆蓋TFT5的方式形成有切缺30η的平面形狀。另外，如圖3所示，像素電極30配置于以覆蓋TFT5、Cs相對電極22等的方式設(shè)置的層間絕緣膜46上。像素電極30例如由包括ITO(Indium Tin Oxide ;銦錫氧化物)、IZO (Indium Zinc Oxide ;銦鋅氧化物)等的透明導(dǎo)電膜形成。另外，也可以在像素電極30上設(shè)置用于控制液晶分子的取向的取向膜48。多條柵極總線10和多條源極總線20分別連接于在此未圖示的掃描線驅(qū)動電路和信號線驅(qū)動電路，它們由控制電路控制。由掃描線驅(qū)動電路向柵極總線10供應(yīng)切換TFT5的導(dǎo)通一截止的掃描信號(或柵極信號)。另外，由信號線驅(qū)動電路向多條信號線20供應(yīng)顯示信號(或源極信號)?；谔峁┙o信號線20的顯示信號決定對像素電極30的施加電壓。下面，參照圖3說明TFT基板100的制作工序。首先，在包括玻璃等的透明基板40上設(shè)置柵極總線10和Cs總線12。它們例如能夠通過在基板40上蒸鍍Al膜、Cu膜、Mo膜、Ti膜、Cr膜等或者它們的合金膜、多層金屬膜(T1-Al-Ti膜、Mo - Al膜)，使用光刻技術(shù)進行圖案化而形成。然后，利用CVD法(化學(xué)氣相沉積法)等沉積SiNx膜或SiOx膜等，形成柵極絕緣膜42。柵極絕緣膜42的厚度例如為0.3 0.7 μ m。之后，至少在形成TFT5的區(qū)域?qū)ǚ蔷Ч?a - Si)等的半導(dǎo)體層44設(shè)置為島狀。另外，在與半導(dǎo)體層44上的源極電極和漏極電極對應(yīng)的部分設(shè)置摻有磷的η.非晶硅膜。也可以在半導(dǎo)體層44上設(shè)置包括SiNx等的溝道保護膜(未圖示)。然后，形成源極總線20、源極電極20a、漏極電極24以及從漏極電極24延伸的Cs相對電極22。它們例如能夠通過蒸鍍Al膜、Cu膜、Mo膜、Ti膜、Cr膜等或者它們的合金膜、多層金屬膜(Mo -Al-Mo膜、T1- Al膜)等,使用光刻技術(shù)對其進行圖案化而形成。這樣，在利用圖案化形成漏極電極24、Cs相對電極22時，根據(jù)圖案化的精度等，有時會產(chǎn)生對位的偏移。下面，說明在Cs總線12和Cs相對電極22之間產(chǎn)生對位偏移的情況下產(chǎn)生的問題。 圖4示出與圖1 圖3所示的實施方式不同、Cs相對電極22不具有從形成實質(zhì)性的輔助電容的電容部22b突出的補償部22c的情況(比較例)。由圖4可知，在Cs相對電極22’沒有補償部22c的情況下，例如，在Cs相對電極22’的對位向紙面上方向偏移的情況下，連接部22a的一部分會隨著偏移的大小與Cs總線12進一步重疊。因此輔助電容增力口。另外，在對位向紙面下方向偏移的情況下，輔助電容減小。這樣，在未設(shè)置有補償部22c的構(gòu)成中，輔助電容隨著對位的偏移發(fā)生變動。例如，在對源極電極、漏極電極等進行圖案化的工序中，在對I個顯示區(qū)域使用多個光掩?；騃個光掩模以步進重復(fù)方式進行曝光的方式，或者使用多個光掩?；騃個光掩模以多次進行掃描曝光的方式等進行分割曝光的情況下，有時在各自的曝光區(qū)域的對位偏移量不同。在這種情況下，輔助電容的大小不同的區(qū)域與曝光區(qū)域的形狀對應(yīng)地形成為塊狀或者帶狀。另外，在不進行分割曝光的情況下，有時也會產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)系的對位偏移，另外，在掃描曝光時，當(dāng)基板載置臺、光源等移動時有時會產(chǎn)生位置偏移。在這種情況下，會階段地或者部分地形成輔助電容的大小不同的區(qū)域。這樣，在液晶面板中，若在每個像素處與各自相關(guān)聯(lián)的輔助電容的大小不同，則顯示的品質(zhì)會降低。另一方面，像本實施方式這樣，在設(shè)置有補償部22c的情況下，當(dāng)產(chǎn)生對位的偏移時也能抑制輔助電容的變動。這是因為，連接部22a和補償部22c以隔著電容部22b相對的方式配置，并且典型來說，補償部22c以越過Cs總線12直到與Cs總線12不重疊的區(qū)域為止的方式形成。
若更具體地說明，則當(dāng)對位以在連接部22a處的重疊部分增加的方式向圖的上方向偏移時，補償部22c的重疊部分減小，從而抑制輔助電容的變動。相反，當(dāng)以在連接部22a處的重疊部分減小的方式產(chǎn)生對位偏移時，補償部22c的重疊部分增加，從而抑制輔助電容的變動。因此，無論是否發(fā)生對位偏移，都可穩(wěn)定地得到預(yù)定的輔助電容。在本實施方式中，Cs相對電極22的補償部22c以越過Cs總線12的方式形成，但可以想到，若與Cs總線12的邊緣交叉，則在該部分容易發(fā)生泄漏電流，所以不優(yōu)選。因此，以往，Cs相對電極多形成于Cs總線的邊緣的內(nèi)側(cè)(例如專利文獻I)。另外，Cs總線的邊緣部分的錐形形狀對形成在其邊緣部分的上層的柵極絕緣膜和Cs相對電極的表面形狀有影響。特別是，在用反射率高的Al等形成Cs相對電極的表面的情況下容易反射外部光線，所以，若Cs總線的邊緣部分的錐形形狀在顯示區(qū)域內(nèi)有偏差，則有時會被視覺識別為反射不均。對此，可以想到，出于抑制外部光線反射不均這一理由，也優(yōu)選Cs相對電極盡可能形成于Cs總線的邊緣的內(nèi)側(cè)。但是，如以上說明那樣，若以跨過Cs總線12的邊緣的方式設(shè)置Cs相對電極的補償部22c，則能夠適當(dāng)?shù)匾种埔驅(qū)ξ黄贫a(chǎn)生的輔助電容的變動。因此，在本實施方式中，特意以與Cs總線12的邊緣部交叉的方式設(shè)置補償部22c。這樣，在將包含補償部22c的輔助電容相對電極22作為漏極電極24的延伸部一體地形成后，隔著層間絕緣膜46等形成像素電極30。在本實施方式中，像素電極30和漏極電極24經(jīng)由配置于Cs相對電極22的電容部22b的接觸孔26電連接。圖5 (a)和(b)示出接觸孔26的截面結(jié)構(gòu)，是沿著圖2的X — X’線的截面圖。如圖所示，在基板40上設(shè)置有Cs總線12，隔著包括SiNx等的柵極絕緣膜42 (例如厚度為
0.3 μ m 0.7 μ m)設(shè)置有Cs相對電極22。該Cs相對電極22與TFT5的漏極電極24 —體地形成，電位隨著源極信號而變化。圖5 (a)中示出在Cs相對電極22和柵極絕緣膜42之間存在半導(dǎo)體層44的情況，圖5 (b)中示出不存在半導(dǎo)體層44的情況，是哪一個構(gòu)成都可以。

Cs相對電極22經(jīng)由設(shè)置于層間絕緣膜46的接觸孔26與像素電極30電連接。此夕卜，層間絕緣膜46也可以包括例如厚度為0.1 0.7μ m的無機膜(SiNx、SiOx等)和在其上設(shè)置的厚度為I 4μ m的有機膜(感光性丙烯酸系樹脂等)2層。另外，如圖5 (b)所示，在不設(shè)置半導(dǎo)體層的構(gòu)成中，在接觸孔形成工序(蝕刻工序)時，柵極絕緣膜42的一部分也
可以變薄。再次參照圖2，說明Cs相對電極22的更具體的構(gòu)成。在本實施方式中，用于補償輔助電容的補償部22c以與連接部22a (特別是向Cs總線12搭跨的部分)大致相同的寬度(約4 μ m)構(gòu)成。這樣的話，在產(chǎn)生對位偏移的情況下，在連接部22a的搭跨部處的與Cs總線12的重疊面積的增加量和在補償部22c的重疊面積的減小量相等，所以能夠適當(dāng)?shù)匮a償輔助電容。另外，考慮到預(yù)想的對位偏移的大小，優(yōu)選補償部22c的突出部分的長度為約Iym以上。但由圖可知，補償部22c朝著相鄰的像素的TFT延伸，所以，若其突出量過長，則有可能引起與TFT5的短路。從這一點來看，優(yōu)選補償部22c的長度設(shè)定為所需的最小限度。從Cs總線12突出的補償部22c的長度設(shè)定為例如約2 μ m。不過，在實際產(chǎn)生對位偏移的情況下，可以改變在TFT基板100中補償部22c的突出部分的長度。
在本實施方式中，像素電極30在TFT5的上方具有切缺部30η，從而難以產(chǎn)生像素電極30和補償部22c的重疊。若它們重疊，則會在補償部22c和像素電極30之間形成寄生電容，有可能對相鄰的像素處的顯示有不好的影響。隨著該寄生電容增大，有的像素電極的電位對相鄰的像素電極的電位的影響變大。例如，考慮采用使對預(yù)定像素施加的電壓的極性按每3條柵極總線反轉(zhuǎn)的驅(qū)動方式的情況。若上述寄生電容大，則在由3條柵極總線中的外側(cè)的2條柵極總線驅(qū)動的像素中，來自相鄰的像素的極性不同的電壓對施加到液晶層的電壓有影響。其結(jié)果是，會發(fā)生如下不理想狀況:與由正中間的柵極總線驅(qū)動的像素處的液晶層的施加電壓之間產(chǎn)生差別。特別是，像本實施方式這樣，在3原色(RGB)的彩色濾光片在縱方向上排列的方式中，若當(dāng)控制為施加同一電壓時在按每個像素保持的施加電壓中也產(chǎn)生差別，則會發(fā)生如下不理想狀況:灰度級看起來帶有特定的顏色。在本實施方式中，補償部22c上方的像素電極30被切缺，所以能抑制這樣的不良。另外,在上述那樣產(chǎn)生對位偏移的情況下,例如,若在附圖中向上方向偏移,則漏極電極24相對于TFT5的柵極電極IOa向上方向偏移。這時，柵極電極一漏極電極間的寄生電容Cgd減小。這樣，產(chǎn)生寄生電容Cgd的變動，每個像素的寄生電容Cgd發(fā)生偏差，則可能引起閃爍、顯示不均等顯示不良。下面，說明寄生電容Cgd的變動帶來的影響。Cgd相對于一個像素的總電容(液晶電容(Clc) + Ccs + Cgd +其它寄生電容)的大小，受TFT的選擇期間結(jié)束時的像素電極的電位降低(饋通)的大小影響。該電位降低的大小被稱為饋通電壓。若饋通電壓的大小按每個像素不同，則有時顯示的品質(zhì)會降低。饋通電壓ΛVd 能夠用Λ Vd = Cgd.(Vgh — Vgl) / (Clc + Ccs + Cgd + α )這個式子來表示。在此，(Vgh 一 Vgl)為TFT導(dǎo)通時的掃描電壓(Vgh)和TFT截止時的掃描電壓(Vgl)的差(柵極電壓振幅)。另外，α為其它寄生電容，例如包含源極總線一像素電極間的寄生電容等。由上述式子可知 ，為了將饋通電壓Λ Vd設(shè)為恒定，優(yōu)選當(dāng)Cgd減小時輔助電容Ccs也減小。另外可知，優(yōu)選當(dāng)Cgd增加時輔助電容Ccs也增加。在漏極電極24的向柵極電極IOa的突出方向和Cs相對電極22的連接部22a的向Cs總線12的突出方向為相反方向的情況下，饋通電壓的大小根據(jù)補償部22c的有無而變化。在設(shè)置有補償部22c的情況下，當(dāng)向與柵極電極相反的一側(cè)產(chǎn)生漏極電極的對位偏移時，Cgd減小而Ccs增加。因此饋通電壓Λ Vd大為減小。另外，當(dāng)向與此相反的一側(cè)產(chǎn)生對位偏移時，Cgd增加而Ccs減小，因此饋通電壓Λ Vd大為增加。與此相對，在設(shè)置有補償部22c的情況下，在以寄生電容Cgd減小或增加的方式產(chǎn)生了對位偏移時，也能抑制輔助電容Ccs的變動。因此，饋通電壓的變動與未設(shè)置有補償部22c的情況相比會降低。為了更有效地抑制饋通電壓的變動，如圖6 (a)所示，只要將補償部22c設(shè)得比連接部(搭跨部)22a粗即可。通過將補償部22c的寬度設(shè)得比連接部22a的向Cs總線12的搭跨部的寬度粗，能夠更可靠地補償由于Cgd變動而引起的饋通電壓的變動。這是因為，當(dāng)以Cgd減小的方式產(chǎn)生了對位偏移時，Ccs也同樣地減小，并且，當(dāng)以Cgd增加的方式產(chǎn)生了對位偏移時，Ccs也同樣地增加。為了抑制饋通電壓的變動，例如在圖6 (a)所示的例中，將連接部22a的寬度設(shè)定為約4 μ m，而將補償部22c的寬度設(shè)定為約14 μ m。另外，如圖6 (b)所示，可以在設(shè)置補償部22c的區(qū)域切缺Cs總線12的一部分，例如可以設(shè)置約9 μ m (橫)X約7.5 μ m (縱)的切缺部12η。這樣一來，以補償部22c不靠近相鄰的像素的TFT5的方式設(shè)置補償部22c變得更容易。如上所述，考慮到對位偏移的大小，補償部22c從Cs總線12僅突出數(shù)微米程度就足夠了。因此，利用切缺部12η，可使補償部22c和相鄰像素的TFT5的距離變得較長，能夠防止電流泄漏的發(fā)生、提高制造的成品率。如以上說明的那樣，在本實施方式的TFT基板100中，在產(chǎn)生對位偏移的情況下，也能夠穩(wěn)定地得到預(yù)定的輔助電容。若將這樣構(gòu)成的TFT基板100用于液晶顯示裝置，則能夠進行良好的顯示。此外，可通過在TFT基板100和相對基板之間封入液晶層來制作液晶顯示裝置。這樣的液晶顯示裝置的制作方法能夠使用公知技術(shù)。例如在以TN模式、VA (VerticalAlignment:垂直取向)模式工作的液晶顯示裝置等中，在相對基板上設(shè)置有相對電極，使用像素電極和相對電極，對介于它們之間的液晶層按每個像素施加電壓從而進行顯示。另外，典型來說，在相對基板上設(shè)置有彩色濾光片和BM (黑矩陣)。圖2中示出相對基板上的存在BM的區(qū)域。一般來說，黑矩陣是在相對基板的液晶層側(cè)的表面使用金屬層或黑色樹脂層來形成。在本實施方式中,將輔助電容相對電極22的補償部22c設(shè)置于與相對基板上的BM配置部分對應(yīng)的位置。因此，由于補償部22c而引起的外部光線的反射不均不被視覺識別。該BM是為了遮擋TFT5 的外部光線等而原本就設(shè)有的，而不是以防止上述像素電極切缺部30η處的漏光、遮擋補償部22c的光為目的而新追加的。因此，只是利用在以往的液晶顯示裝置中就設(shè)有的BM，而不會進一步降低像素的開口率。<實施方式2>圖7和圖8示出實施方式2的TFT基板200。本實施方式的TFT基板200與實施方式I的TFT基板100大不相同的地方在于像素(和像素電極)的形狀為縱長這一點。另夕卜，在實施方式2中，像素尺寸為約50μπιΧ約150 μ m，較小。此外，為了簡單，對與實施方式I的TFT基板100的構(gòu)成要素具有同樣功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略說明。如圖7所示，在實施方式2中，Cs總線12的分岔部12b沿著源極總線20延伸，與作為漏極電極24的延伸部分形成的Cs相對電極22重疊，從而形成輔助電容Ccs。補償部22c不是在源極總線20的延設(shè)方向上與連接部22a排為一列，而是向離開源極總線20的方向偏移地配置。這樣，使補償部22c盡可能遠(yuǎn)離相鄰的像素的TFT5，從而抑制與TFT5的干擾。此外，使補償部22c離開相鄰的像素的TFT5，從而補償部22c和像素電極30的距離縮小。不過，在本實施方式中是縱長的條狀的像素構(gòu)成，與實施方式I不同，不是在上下方向上相鄰的像素對應(yīng)于不同的顏色。而且，不是采用使施加到像素的電壓的極性按每3條柵極總線反轉(zhuǎn)的驅(qū)動方式，而是采用使上下相鄰的像素的極性交替地反轉(zhuǎn)的驅(qū)動方式。因此，即使補償部22c和像素電極30之間的寄生電容稍微增大，也不會產(chǎn)生灰度級看起來帶有特定的顏色的問題。在本實施方式中也設(shè)置有補償部22c，所以在產(chǎn)生對位偏移的情況下也能夠抑制輔助電容的變動。如上所述，補償部22c不需要與連接部22a排為一列，它們被定位為夾著電容部22b相對。通過這樣的配置來實現(xiàn)對對位偏移的適當(dāng)?shù)碾娙菅a償。像素尺寸越小，輔助電容的補償?shù)闹匾栽皆龃?。光刻工序中的圖案形成的分辨率以及光掩模的最小線寬是有限度的，其最小線寬從設(shè)計值來說為大約3μπι程度。因此，即使像素尺寸變小(即，即使輔助電容變小)，連接部22a的搭跨部分的寬度也不能夠成比例地變窄。另外，對位的偏移的大小也跟像素尺寸無關(guān)，而是相同的。因此，像素尺寸越小，相對的輔助電容相對于輔助電容的總電容的變化量越大。另外，也可以將補償部22c用于電容補償以外的目的。例如，測定越過Cs總線12而突出的補償部22c的長度，將該測定值和設(shè)定值作比較，從而能夠測定對位偏移的大小。為了降低該偏移而進行制造過程的調(diào)整，從而可降低對位偏移本身。另外，如圖9所示，按每個像素變更補償部22c的位置，從而能夠?qū)⒀a償部22c用作示出特定像素的標(biāo)記。在圖9所示的方式中，在水平方向上相鄰的3個像素分別對應(yīng)于RGB (Red;紅、Green;綠、Blue;藍(lán))各色。典型來說，這3個像素分別與設(shè)置于相對基板上的彩色濾光片的顏色相對應(yīng)。在這種情況下，與各自的顏色相關(guān)聯(lián)地，在R的像素設(shè)置有補償部22cR，在G的像素設(shè)置有補償部22cG，在B的像素設(shè)置有補償部22cB。這些補償部22cR、22cG、22cB的像素內(nèi)的配置按每個像素(顏色)而不同。這樣一來，在與相對基板貼合前的階段的TFT基板中，能夠容易地確定是在哪個顏色產(chǎn)生不良。此外，圖9中示例了相鄰的3個像素對應(yīng)于RGB各色的情況，在相鄰的4個像素與RGBY (Yellow ;黃)、RGBW (Wh ite ;白)等對應(yīng)的情況下，也同樣地能夠以按每個像素改變補償部的位置的方式來構(gòu)成。另外，與各色對應(yīng)的像素不是必須在水平方向上按順序排列，也可以以預(yù)定圖案來配置。另外，按每個像素的顏色改變補償部的位置的配置不僅適用于本實施方式的TFT基板200，也可適用于其它實施方式的TFT基板。圖10中示出與4色像素對應(yīng)的方式。在圖示的有源矩陣基板210中，設(shè)置有與RGBW4色對應(yīng)的約100 μ mX約100 μ m的正方形的像素。補償部22c的在像素內(nèi)的位置按每個像素的顏色而分別不同。此外，圖10中的RGBW的配置是作為一例而示出的，能夠任意設(shè)定。另外，如上所述，也可以使用Y來代替W，也可以是其它顏色。<實施方式3>圖11示出實施方式3的TFT基板300。本實施方式的TFT基板300與實施方式I的TFT基板100的不同點在于:像素以三角形排列；以及用于以VA模式中的CPA模式工作的液晶顯示裝置。此外，為了簡單，對與實施方式I的TFT基板100的構(gòu)成要素具有同樣功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略說明。在TFT基板300中，源極總線20沿著附圖的縱方向、矩形波狀地具有多個彎曲部分地延伸，與三角形排列的像素對應(yīng)。另外，Cs總線12包含延伸到像素區(qū)域的中央部為止的分岔部12b。在該分岔部12b和Cs相對電極22的電容部22b之間也形成有輔助電容。另外，為了以CPA模式工作，在與TFT基板300相對配置的相對基板(未圖示)上的相對電極(未圖示)上設(shè)置有取向限制部50。圖11中示出設(shè)置于相對基板的取向限制部50的位置。在本實施方式中，相對基板上的取向限制部50分別設(shè)置于與TFT基板300上的TFT5和接觸孔26對應(yīng)的位置。該取向限制部50在垂直取向型液晶層中限制液晶分子的取向的方位，在施加電壓時，液晶分子在預(yù)定區(qū)域內(nèi)以取向限制部50為中心而輻射狀地取向。取向限制部50例如可以是正多棱柱狀或圓柱狀的突起結(jié)構(gòu)。該突起結(jié)構(gòu)能夠通過對例如樹脂膜進行圖案化而得到，設(shè)置為高度1.2μπι程度。另外，該突起結(jié)構(gòu)也可以利用為了使單元間隙均勻而設(shè)置于整個液晶面板的柱狀的感光間隔物。而且，取向限制部50不是必須為突起結(jié)構(gòu)，也可將取向限制部50設(shè)為形成于相對電極的圓形、多邊形的開口部。在本實施方式中，Cs相對電極22的補償部22c也設(shè)置于夾著電容部22b而與和漏極電極24的連接部22a相反的一側(cè)，所以當(dāng)產(chǎn)生對位偏移時也能補償輔助電容。優(yōu)選該補償部22c從Cs總線12突出I μ m以上。不過，為了防止與其它配線等的短路，不優(yōu)選突出部分過長，在本實施方式中設(shè)定為2 μ m。另外，由圖可知，在像TFT基板300那樣，像素以三角形排列的情況下，優(yōu)選補償部22c配置于相鄰的2個像素電極30間。相鄰的像素電極間的距離在本實施方式中設(shè)定為7 μ m。通過適度分離像素電極彼此，能夠降低像素電極間的電流泄漏、在像素電極間能夠產(chǎn)生的寄生電容的大小。該距離設(shè)定為例如4 8μπι程度。而且，如圖12 Ca)中放大示出的那樣，補償部22c朝著源極總線20延伸，使它們之間不發(fā)生泄漏電流也很重要。優(yōu)選源極總線20和補償部22c之間的距離為3 μ m以上。在本實施方式中，該距離設(shè)定為9 μ m。補償部22c的形狀能夠考慮到這樣的種種設(shè)計上的條件而適當(dāng)?shù)剡x擇。另外，為了更可靠地補償輔助電容Ccs，優(yōu)選補償部22c的寬度等于或者大于連接部22a的寬度，在本實施方式中，將雙方的寬度設(shè)定為4 μ m。但補償部22c的寬度也可以比它大，例如設(shè)定為5 μ m。如使用圖6 (a)所述的那樣，使補償部22c較粗，從而當(dāng)產(chǎn)生對位偏移時也能夠抑制由于Cgd的變動而引起的閃爍的發(fā)生、顯示不均等。在本實施方式中，TFT5的漏極電極24的相對于柵極電極IOa的突出方向和Cs相對電極22的連接部22a的相對于Cs總線12的方向(搭跨方向)也是相反方向。例如在對位向紙面上方向偏移的情況下，柵極一漏極間的寄生電容Cgd減小。這時，若未設(shè)置有補償部22c，則輔助電容Ccs增加。這樣一來，寄生電容Cgd相對于 與像素相關(guān)聯(lián)的總電容的大小發(fā)生較大變動。與此相對，在設(shè)置有較粗的補償部22c的情況下，寄生電容Cgd和輔助電容Ccs都減小。從而，能抑制寄生電容Cgd相對于總電容的大小的變動。不過，若補償部22和像素電極30重疊，則會在補償部22c和相鄰的像素電極30之間形成較大的寄生電容，所以不優(yōu)選。因此，優(yōu)選補償部22c的寬度不比像素電極間的間隙大。在本實施方式中像素電極間的距離為7μπι，所以優(yōu)選補償部22c的寬度為m以下。這樣，通過在像素電極30的間隙部分設(shè)置補償部22c，防止在補償部22c和像素電極30之間形成寄生電容。在本實施方式中，不在像素電極30設(shè)置切缺部，防止對相鄰的像素處的顯示有不好的影響。另外，優(yōu)選該像素電極30的間隙部分由形成于相對電極上的BM來遮光。一般來說，多在與相鄰的像素電極的間隙部分對應(yīng)的位置設(shè)置BM。這是為了防止當(dāng)在TFT基板和相對基板的貼合工序中產(chǎn)生位置偏移時也發(fā)生混色。在本實施方式中，采用以常黑進行顯示的CPA模式，所以不會產(chǎn)生常白情況下那樣的極端的漏光。但在像素端部容易產(chǎn)生液晶的取向紊亂，所以通過用BM遮光來提高對比度。另外，在離取向限制部50遠(yuǎn)的部分，液晶的響應(yīng)差，因而成為殘像的原因。用BM隱藏該區(qū)域也成為應(yīng)對殘像的對策。圖12 (b)中示出沿著圖11所示的TFT基板300的Z — Z’線的截面。在TFT基板300中，在設(shè)置于層間絕緣膜46的接觸孔26處，Cs相對電極22和像素電極30連接。由圖12 (b)可知，在本實施方式中，Cs相對電極22和像素電極30直接連接。此外，Cs相對電極22也可以通過將導(dǎo)電性材料作為多層結(jié)構(gòu)來形成。例如，也可以是在Mo膜上設(shè)置有Al合金膜的結(jié)構(gòu)。<實施方式4>圖13 (a)示出實施方式4的TFT基板400。另外，圖13 (b)示出其變形例的TFT基板405。在TFT基板400中，與由相鄰的2根源極總線20和相鄰的2根柵極總線10包圍的區(qū)域?qū)?yīng)地配置有像素電極30。設(shè)置于柵極總線10間的Cs總線12以橫穿像素電極30的方式延伸。此外，為了簡單，對與實施方式I的TFT基板100的構(gòu)成要素具有同樣功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略說明。Cs相對電極22的補償部22c以從Cs總線12突出的方式形成。優(yōu)選其突出的長度為Ιμπι以上。但TFT基板400的補償部22c存在于與像素電極30重疊的區(qū)域。因此，會成為像素的開口率降低、發(fā)生反射不均的原因。因此，不優(yōu)選突出部過長，例如設(shè)定為2μπι程度。另外，若補償部22c的寬度與連接部12a的向Cs總線12的搭跨部是相同的寬度，則能適當(dāng)?shù)匾种戚o助電容的變動。在本實施方式中，它們設(shè)定為4 μ m。在本實施方式中，像素電極30被2根柵極總線10夾著，Cs總線12以橫穿像素電極30的方式形成。因此，施加到補償部22c的電壓不會對相鄰的像素的電位有影響。另外，如圖13 (b)所示，可以將補償部22c設(shè)置于電容部22b的角部。該補償部22c除了具有向附圖上方向突出的 部分，還具有向附圖右方向突出的追加部分。在圖13(a)和(b)所示的方式中，TFT5的漏極電極24相對于柵極電極IOa延伸的方向(漏極一柵極方向)在附圖中為左方向。在這種情況下，當(dāng)漏極電極24、Cs相對電極22例如向紙面右方向發(fā)生對位偏移時，Cgd減小。這時，如圖13 (b)所示，若在與漏極一柵極方向相反方向的右方向上形成有補償部22c的追加部分，則Cgd和Ccs都減小。因而能夠抑制Cgd相對于整體電容(Clc + Ccs + Cgd + α )的大小的變動，即饋通電壓的變動。此外，該追加部分不一定需要與補償部22c —體地形成，也可以另外設(shè)置。圖14 (a)和(b)示出像素以三角形排列的TFT基板410。在TFT基板410中，像素電極30也被夾在相鄰的2根柵極總線10間。另外，Cs總線12具有延伸到像素的中央部分為止的分岔部12b。Cs相對電極22的補償部22c從分岔部12b突出約1.5 μ m。另外，其寬度d2設(shè)定為與向分岔部12b的搭跨部的寬度dl相等，在此約為7 μ m。此外，Cs相對電極22的連接部22a與Cs總線(分岔部12b)的邊緣以約45°的角度交叉，但不是與圖14 (b)的d3所示的線寬(約5 μ m)相等地，而是與搭跨部(與分岔部12b的邊緣的交叉部)的寬度dl相等地設(shè)定補償部22c的寬度d2，從而能夠更可靠地進行對對位偏移的電容補償。<實施方式5>圖15 (a)和(b)示出以MVA模式工作的液晶顯示裝置500。圖15 (a)中示出設(shè)置于TFT基板和相對基板的構(gòu)成要素，圖15 (b)中僅示出TFT基板側(cè)。在TFT基板和相對基板之間封入有垂直取向型液晶層。液晶層包含具有負(fù)介電各向異性的向列型液晶。
此外，雖未圖示，但典型來說，在相對基板上設(shè)置有相對電極(共用電極)、彩色濾光片、黑矩陣等。另外，在相對基板和TFT基板各自的液晶層側(cè)設(shè)置有垂直取向型取向膜，以液晶分子的預(yù)傾角為大致垂直的方式限制液晶的取向。在本實施方式中也由TFT基板上的Cs總線12 (以及分岔部12b)和Cs相對電極22形成有輔助電容。與實施方式I 4所示的TFT基板同樣地，從漏極電極24延伸的Cs相對電極22具有在連接部22a的相反側(cè)以隔著其電容部22b的方式設(shè)置有補償部22c的構(gòu)成。利用補償部22c，能補償由于對位偏移而引起的輔助電容的變動。另外，在TFT基板上的像素電極30上形成有帶狀狹縫30s，線狀的肋52以與狹縫30s大致平行地延伸的方式設(shè)置于相對基板上。由TFT基板和相對基板夾持的液晶層的液晶分子被肋52和狹縫30s限制取向，典型來說，是在與肋52和狹縫30s延伸的方向垂直的方向上規(guī)定取向的方位。不過，液晶分子在肋52和狹縫30s各自的兩側(cè)向相互相差180°的方位取向。另外，狹縫30s和肋52在I個像素內(nèi)具有向相互正交的2個方向延伸的部分。其結(jié)果是，在I個像素中形成施加電壓時的取向方位不同的4個液晶區(qū)域(液晶疇)。從而能夠得到良好的視野角特性。這些肋52和狹縫30s被稱為取向限制結(jié)構(gòu)(疇限制結(jié)構(gòu))。在MVA型液晶顯示裝置中，取向限制結(jié)構(gòu)通常使用形成于電極的狹縫(開口部)或者形成于電極的液晶層側(cè)的介電體突起(肋)。在本實施方式中，雖在像素電極30上設(shè)置有狹縫30s，但像素電極30沒有被狹縫30s分割。也就是說，在I個像素區(qū)域內(nèi)，經(jīng)由TFT5對遍及像素整體的像素電極30施加相同電壓。另外，像素電極30和Cs相對電極22保持為大致相同電位，所以在它們之間不形成電容。Cs相對電極22的補償部22c設(shè)置于與相對基板的肋52對應(yīng)的位置。設(shè)置有肋52的區(qū)域透射率低，液晶分子的 取向也與其它區(qū)域不同的情況較多，所以是難以用于顯示的區(qū)域。若將補償部22c配置于該區(qū)域，則與未設(shè)置有補償部22c的情況相比，像素的開口率不會進一步降低。另外也能抑制反射不均的發(fā)生。然后，參照圖16 (a)和(b)說明液晶顯示裝置500的變形例的液晶顯示裝置510。液晶顯示裝置510與液晶顯示裝置500的不同點在于Cs相對電極22的補償部22c配置于像素電極30的狹縫30s這一點。這樣，補償部22c能以與連接部22a之間夾著電容部22b的方式設(shè)置于任意的位置。但需要補償部22c以抵消Cs相對電極22的向Cs總線12的搭跨部(連接部22a和電容部22b的邊界部)的、因?qū)ξ黄贫a(chǎn)生的重疊部分的增減的方式發(fā)揮功能。為此，在本實施方式中只要滿足如下條件，使補償部22c從Cs總線12突出即可。將搭跨部處的Cs總線12的邊緣的面內(nèi)向外法線方向(向不存在Cs總線12的一側(cè)的垂直于邊緣的方向)設(shè)為A方向。另外，將補償部22c從Cs總線12的其它邊緣突出的情況下的該其它邊緣的面內(nèi)向外法線方向設(shè)為B方向。這時，在A方向和B方向所成的角度比90°大的情況下，補償部22c能夠補償搭跨部的重疊面積的增減。在本說明書中，當(dāng)滿足這樣的關(guān)系時，表達(dá)為“補償部22c與連接部22a之間夾著電容部22b”或者“補償部22c以與連接部22a相對的方式從電容部22b突出”等。典型來說，補償部22c從相對于搭跨部處的向外法線方向(例如附圖下方向)具有相差180°的向外法線方向(例如附圖上方向)的Cs總線邊緣突出。即，在連接部22a和補償部22c處的Cs總線邊緣相互平行的情況下，Cs相對電極22的向漏極電極24側(cè)的突出方向和補償部22c的突出方向為相反方向。<實施方式6>圖17 (a)和(b)示出以MVA模式工作的另一方式的液晶顯示裝置600。在本實施方式的液晶顯示裝置600中進行了像素分割，在一個像素內(nèi)存在副像素電極30a和副像素電極30b。但在本實施方式中，副像素電極30a和30b都各自經(jīng)由接觸孔26a和26b與TFT5的漏極電極24電連接。在液晶顯示裝置600中也與圖15所示的液晶顯示裝置500同樣地設(shè)置有Cs相對電極22的補償部22c，從而無論是否發(fā)生對位偏移，都可得到期望的輔助電容。另外，Cs相對電極22的補償部22c設(shè)置于與相對基板的肋52對應(yīng)的位置。若將補償部22c配置于該區(qū)域，則能防止由于補償部22c而使像素的開口率進一步降低。另外也能抑制反射不均的發(fā)生。圖18 Ca)和(b)示出將像素分割為3個的情況的液晶顯示裝置605。在液晶顯示裝置605中，在一個像素內(nèi)存在副像素電極30a、副像素電極30b以及副像素電極30c這3個副像素電極。 副像素電極30a和副像素電極30b分開地配置在像素的上下。各個副像素電極30a、30b、30c利用與各自對應(yīng)設(shè)置的接觸孔26a、26b、26c與TFT5的漏極電極24連接。除了像素被這樣3分割以外，液晶顯示裝置605具有與上述液晶顯示裝置600同樣的構(gòu)成。然后，圖19 Ca)和(b)中示出變形例的液晶顯示裝置610。在液晶顯示裝置610中，在進行了像素分割的方式中，補償部22c設(shè)置于副像素電極30a和副像素電極30b的間隙30t。圖20 Ca)和圖20 (b)示出將該液晶顯示裝置610分割為3個副像素的方式的液晶顯示裝置615。在如上說明的各個液晶顯示裝置中，在產(chǎn)生對位偏移的情況下也可補償輔助電容的變動，并且，補償部22c設(shè)置于不會降低顯示裝置的開口率或增大反射不均的那樣的位置(對顯示的貢獻低的位置)，所以能夠進行良好的顯示。<實施方式7>圖21 (a)和(b)示出實施方式7的液晶顯示裝置700。在液晶顯示裝置700中也進行了像素分割，在I個像素內(nèi)設(shè)置有副像素電極30a和副像素電極30d。副像素電極30a經(jīng)由接觸孔26與TFT的漏極電極24連接。另一方面，副像素電極30d不與任何一條配線直接連接，為懸浮狀態(tài)。另外，與其它實施方式同樣地設(shè)置有從漏極電極24延伸的Cs相對電極22,在Cs相對電極22與Cs總線12之間形成有輔助電容。而且，在液晶顯示裝置700中，Cs相對電極的連接部22a和補償部22c分別連接有位于懸浮狀態(tài)的副像素電極30d的下方的一對耦合電極28。一對耦合電極28以分別與在相對基板上作為取向限制結(jié)構(gòu)而設(shè)置的肋52重疊的方式配置。此外，在本實施方式中，夾著Cs總線12分割耦合電極28，使Cs總線12和耦合電極28不重疊。這是為了防止耦合電極28與Cs總線12 (特別是其邊緣)交叉，更加降低發(fā)生Cs總線12和耦合電極28的短路不良、發(fā)生在交叉部分的反射不均的可能性。補償部22c限定在與懸浮狀態(tài)的副像素電極30d不重疊的部分。在補償部22c和耦合電極28 —體地形成的情況下，也不與懸浮狀態(tài)的副像素電極30d重疊，并且僅將從Cs總線12突出的部分設(shè)為補償部22c。這樣，補償部22c是與Cs總線12之間形成實質(zhì)性的輔助電容、并且為了盡可能減小與懸浮狀態(tài)的副像素電極30d等其它電極之間形成的電容而設(shè)置的部分。該耦合電極28與副像素電極30d之間形成耦合電容。此外，在耦合電極28和副像素電極30d之間設(shè)置有圖3所示的層間絕緣膜46。作為層間絕緣膜46，有為了減小耦合電極28的面積而僅使用以0.1 0.4 μ m程度的膜厚形成的SiNx等的無機膜的情況、為了減小副像素電極30d與源極總線20及柵極總線10的寄生電容而在無機膜上層疊地使用相對介電常數(shù)小(0.2 0.4程度)的有機膜的情況等。在這樣的構(gòu)成中，與和TFT5直接連接的副像素電極30a不同的電位被施加到副像素電極30d。這樣的構(gòu)成例如記載于專利文獻4。另外，與圖15所示的液晶顯示裝置500等同樣地，在本實施方式的液晶顯示裝置700中，補償部22c以與在相對基板上作為取向限制結(jié)構(gòu)而設(shè)置的肋52重疊的方式配置。

然后，參照圖22 Ca)和(b)說明變形例的液晶顯示裝置710。在液晶顯示裝置710中，補償部22c設(shè)置于直接連接于TFT的副像素電極30a和懸浮狀態(tài)的副像素電極30d之間的間隙。與上述液晶顯示裝置700同樣地，副像素電極30d與耦合電極28之間形成耦合電容。在這些液晶顯示裝置中，補償部22c與直接連接于TFT的副像素電極30a重疊。施加到補償部22c和副像素電極30a的電壓的大小相同，所以在它們之間不會形成輔助電容。進而，參照圖23 (a)和(b)說明另一方式的液晶顯示裝置720。液晶顯示裝置720與上述液晶顯示裝置710的不同點在于設(shè)置有與補償部22c連接的耦合電極29這一點。補償部22c以從電容部22b突出的方式形成，因此能夠?qū)⒃撗a償部22c用作與耦合電極29的連接部。如上所述，補償部22c是以與輔助電容總線12之間形成實質(zhì)性的輔助電容的方式設(shè)置的部分，在圖23 Ca)和(b)所示的方式中，不包含與副像素電極30d重疊的部分(耦合電極29)，是從電容部22b突出、位于副像素電極30a、30d之間的部分。在以上說明的任一個液晶顯示裝置中，補償部22c都設(shè)置于不會降低顯示裝置的開口率或增大反射不均的那樣的位置，所以能夠進行良好的顯示。<實施方式8>在本實施方式中，說明適用于反射型顯示裝置的有源矩陣基板。另外，該有源矩陣基板不光用于反射型液晶顯示裝置，也適用于電子紙中采用的微膠囊型電泳方式等的反射型顯示裝置。圖24示出實施方式8的TFT基板800。在TFT基板800中，I個像素的尺寸為約100 μ mX約100 μ m的正方形。另外，與圖10所示的方式同樣地，TFT基板800具有與4色(R、G、B、W)像素對應(yīng)的構(gòu)成。像素電極(反射電極)30r使用Al膜、Al — Mo層疊膜、Ni膜等反射膜來形成，具有反射外部光線的功能。也可以在該反射膜上層疊透明電極(ΙΤΟ、ΙΖ0)。也可以在作為像素電極(反射電極)下層的層間絕緣膜的表面形成有幾μ m 十幾ym程度的尺寸的凹凸。該凹凸規(guī)定在其上形成的像素電極30i■的表面的形狀。通過在像素電極30r的表面形成細(xì)小凹凸，能夠提高在像素電極30r處的光反射特性，均勻地分散反射光的強度，可進行更明売的、品質(zhì)提聞了的顯不。另外，像素電極30r以覆蓋柵極總線10和源極總線20的方式配置。從而能夠抑制因總線配線材料而產(chǎn)生的反射不均。另外，能夠防止因總線的電壓變化而導(dǎo)致的影響，抑制液晶的取向異常。另外，作為反射電極的像素電極30r以覆蓋TFT5a、5b的方式設(shè)置，所以不需要在TFT上配置用于遮擋外部光線的BM。因此能夠增加有效反射面積。在本實施方式中，對I個像素，連續(xù)設(shè)置有2個TFT5a、5b。這是為了在保持施加到像素的電壓的期間中(TFT5a、5b的截止?fàn)顟B(tài)中)降低從TFT5a、5b泄漏的電流。但也可以像在其它實施方式中說明的那樣，只有一個TFT。 在TFT基板800中，補償部22c配置于與在右側(cè)相鄰的像素電極的間隙部。補償部22c以隔著電容部22b而與從漏極電極24延伸的連接部22a相對的方式設(shè)置。與其它實施方式同樣地，設(shè)置有補償部22c，從而能夠抑制由于對位偏移而引起的輔助電容的變動。另夕卜，在TFT基板800中，漏極電極24相對于柵極電極IOa突出的方向和補償部22c從Cs總線12突出的方向也為相反方向。因此，能夠補償由于因?qū)ξ黄贫鸬募纳娙軨gd的變動而產(chǎn)生的饋通電壓的變動。另外，補償部22c的位置以與4色(R、G、B、W)像素各自的顏色對應(yīng)的方式按每個像素的顏色變更。從而，能夠與圖10所示的方式同樣地，將補償部22c用作示出像素的顏色的標(biāo)記。以上，說明了將TFT基板800用于反射型液晶顯示裝置的情況，而對于微膠囊型電泳方式的電子紙也能夠使用TFT基板800。下面，說明適用于被用作電子紙的微膠囊型電泳方式的顯示裝置的方式。典型來說，電子紙具有在TFT基板和與它相對地配置的相對基板之間設(shè)置有微膠囊層的構(gòu)成。微膠囊為數(shù)十 數(shù)百Pm直徑的透明樹脂。在微膠囊的內(nèi)部，例如帶正電的白色粒子和帶負(fù)電的黑色?！ぷ踊烊朐谕该鞯慕^緣性的分散介質(zhì)中。微膠囊層是指配置有許多上述微膠囊的樹脂層。對該微膠囊層的預(yù)定區(qū)域施加正或負(fù)的電壓，使微膠囊內(nèi)的白色粒子和黑色粒子發(fā)生電泳，從而能夠進行顯示。通過將TFT基板800用作背面?zhèn)然?，在該背面?zhèn)然搴陀^察者側(cè)基板(相對基板)之間夾持微膠囊層，能夠作為顯示裝置(電子紙)使用。在觀察者側(cè)基板，與液晶顯示裝置同樣地，透明的共用電極(ΙΤ0、IZO等)形成在大致整個顯示區(qū)域。觀察者側(cè)基板能夠使用樹脂基材(塑料基板)來形成。這樣的電子紙例如是在觀察者側(cè)基板利用涂層配設(shè)微膠囊層，將這些層疊結(jié)構(gòu)體與TFT基板800貼合而制作。此外，在用于電子紙的情況下，不需要在設(shè)置于TFT基板800的層間絕緣膜的表面形成細(xì)小凹凸。另外，也能夠使用ΙΤ0、IZO將設(shè)置于TFT基板800的電極設(shè)為透明的像素電極。在TFT基板800上設(shè)置透明像素電極的情況下，也可將該TFT基板800用作觀察者側(cè)基板。與液晶顯示裝置同樣地，也可以在相對基板(樹脂基材/塑料基板)形成彩色濾光片層。從而彩色顯示成為可能。在不形成彩色濾光片層的情況下為單色顯示，與進行彩色顯示的情況相比，光利用效率高。因此，能夠得到明亮的、對比度比大的顯示，適合于將本發(fā)明的顯示裝置用于專門進行文字顯示的電子書籍等情況。另外，TFT基板800也能夠使用塑料基板來制作。若使用塑料TFT基板，則也可得到厚度為0.5mm程度的電子紙。這樣制作的電子紙具有可撓性，所以被期待各種方式的使用。然后，參照圖25說明TFT基板800的變形例。在變形例的TFT基板810中，輔助電容總線12與柵極總線10交叉，在與源極總線20平行的方向上延伸。在TFT基板810中，輔助電容總線12具有輔助電容形成部分12A和與柵極總線10的交叉部12B。交叉部12B電連接與相鄰的像素各自相關(guān)聯(lián)的2個輔助電容形成部分12A。輔助電容形成部分12A，與TFT基板800同樣地，由與柵極總線10相同的層形成。與此相對，與柵極總線10的交叉部12B形成在與源極總線20相同的層(柵極絕緣膜上)。圖26示出輔助電容總線12中的、輔助電容形成部分12A和交叉部12B的連接的方式。如圖所示，交叉部12B經(jīng)由形成于柵極絕緣膜42的接觸孔16電接觸各個輔助電容形成部分12A，從而連接輔助電容形成部分12A。在這樣的構(gòu)成中，源極總線20和輔助電容總線12不交叉，所以能防止施加于它們的信號電壓的干擾。因此，能夠降低源極總線20的負(fù)荷，能夠降低消耗電力。以上說明了本發(fā)明的有源矩陣基板以及使用它的顯示裝置的實施方式，本發(fā)明的有源矩陣基板可用于能期待補償與像素電極相關(guān)聯(lián)的輔助電容的種種顯示裝置中。例如能夠適用于便攜式設(shè)備等中使用的半透射型液晶顯示裝置。另外，也能夠適用于將共用電極形成在有源矩陣基板側(cè)、而不是相對基板側(cè)的橫電場模式的液晶顯示裝置。另外，也能夠適用于用于電子紙的水平型電泳式的顯示裝置等。工業(yè)h的可利用件

使用了本發(fā)明的實施方式所涉及的有源矩陣基板的液晶顯示裝置作為液晶電視等種種液晶顯示裝置而被廣泛使用。另外，本發(fā)明的實施方式的有源矩陣基板不光用于液晶顯示裝置，還用于其它顯示裝置，例如微膠囊型電泳方式的電子紙等。附圖標(biāo)記說明5 TFT10 柵極總線IOa柵極電極12 輔助電容總線20 源極總線20a源極電極22 輔助電容相對電極22a連接部22b 電容部22c補償部24 漏極電極26 接觸孔30 像素電極30E像素電極邊緣100有源矩陣基板
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣基板， 具備: 基板； 柵極總線，其設(shè)置于上述基板上； 源極總線，其以與上述柵極總線交叉的方式設(shè)置于上述基板上； TFT，其設(shè)置于上述柵極總線和上述源極總線的交叉部附近，具有:柵極電極，其與上述柵極總線電連接；源極電極，其與上述源極總線電連接；以及漏極電極； 像素電極，其與上述TFT的上述漏極電極電連接； 輔助電容總線，其與上述柵極總線或上述源極總線平行地設(shè)置；以及 輔助電容相對電極，其與上述漏極電極電連接，與上述輔助電容總線之間形成輔助電容， 上述輔助電容相對電極具有: 第I部分，其與上述輔助電容總線重疊，形成實質(zhì)性的輔助電容； 第2部分，其位于上述第I部分和上述漏極電極之間；以及 第3部分，其以隔著上述第I 部分而與上述第2部分相對的方式從上述第I部分突出地設(shè)置，以與上述輔助電容總線重疊、與除了與上述TFT的上述漏極電極電連接的上述像素電極以外的像素電極不重疊的方式設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板， 上述第3部分包含與上述輔助電容總線不重疊的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板， 上述輔助電容總線包含:總線部分，其與上述柵極總線平行地延伸；以及分岔部分，其設(shè)置于與上述總線部分交叉的方向， 上述輔助電容相對電極的上述第2部分和上述輔助電容總線的上述分岔部分重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的有源矩陣基板， 上述輔助電容總線的邊緣處的上述第3部分的寬度與上述輔助電容總線的邊緣處的上述第2部分的寬度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的有源矩陣基板， 上述輔助電容總線的邊緣處的上述第3部分的寬度比上述輔助電容總線的邊緣處的上述第2部分的寬度大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項所述的有源矩陣基板， 上述輔助電容總線在形成上述第3部分的位置具有切缺部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的有源矩陣基板， 規(guī)定了多個像素， 在上述多個像素中的至少2個像素中，設(shè)置上述第3部分的像素內(nèi)的位置不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的有源矩陣基板， 規(guī)定了三角形排列的多個像素， 與預(yù)定像素相關(guān)聯(lián)的上述第3部分配置于與上述預(yù)定像素在斜方向上相鄰的2個像素的像素電極間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項所述的有源矩陣基板，上述漏極電極相對于上述柵極電極延伸的方向與上述第3部分從上述輔助電容總線突出的方向相差180°。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項所述的有源矩陣基板， 在與上述漏極電極相對于上述柵極電極延伸的方向相差180°的方向上，以從上述輔助電容總線突出的方式形成有上述輔助電容相對電極的第4部分。
11.一種顯示裝置， 具備: 權(quán)利要求1至10中的任一項所述的有源矩陣基板； 相對基板，其以與上述有源矩陣基板相對的方式配置；以及 顯示介質(zhì)層，其設(shè)置于上述有源 矩陣基板和上述相對基板之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置， 上述顯示介質(zhì)層為液晶層， 上述有源矩陣基板和上述相對基板中的至少一者具有黑矩陣， 上述輔助電容相對電極的上述第3部分設(shè)置于與上述黑矩陣重疊的位置。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的顯示裝置， 上述顯示介質(zhì)層為垂直取向型液晶層， 在上述有源矩陣基板和上述相對基板中的至少一者設(shè)置有用于形成多個液晶疇的取向限制結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置， 上述輔助電容相對電極的上述第3部分設(shè)置于與上述取向限制結(jié)構(gòu)重疊的位置。
全文摘要
設(shè)置于有源矩陣基板(100)的輔助電容相對電極(22)具有第1部分(22b)，其與輔助電容總線(12)形成輔助電容；第2部分(22a)，其位于第1部分(22b)和漏極電極(24)之間；以及第3部分(22c)，其以隔著第1部分(22b)而與第2部分(22a)相對的方式從第1部分(22b)突出地設(shè)置。第3部分(22c)以與除了與漏極電極(24)電連接的像素電極(30)以外的像素電極不重疊的方式配置。
文檔編號G02F1/1368GK103250199SQ20118005887
公開日2013年8月14日 申請日期2011年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月8日
發(fā)明者吉田昌弘, 山田崇晴 申請人:夏普株式會社