專利名稱：相機(jī)模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種相機(jī)模塊及其制造方法，尤其涉及一種使用晶片級封裝工藝且具有縮小的透鏡寬度的相機(jī)模塊及其制造方法。
背景技術(shù)：
公知相機(jī)模塊的制造方法通過一間隙環(huán)，其具有穿過其中的一開口，將透鏡堆疊至其上具有光學(xué)元件的一基板，然后，將與透鏡堆疊的上述基板切割，且分離出數(shù)個獨(dú)立的相機(jī)模塊單元。因此，公知相機(jī)模塊的透鏡單元的晶粒寬度通常被光學(xué)元件或間隙環(huán)開口的寬度定義。如果一些設(shè)計(jì)考量，例如光學(xué)元件有較長焦長或較大寬度的需求，會間隙環(huán)需要較大寬度的開口，以避免在模塊堆疊工藝期間受散射光影響，或避免因間隙環(huán)遮蔽光線而導(dǎo)致圖像品質(zhì)的下降。因此，難以縮小公知相機(jī)模塊的透鏡的晶粒寬度。在此技術(shù)領(lǐng)域中，有需要一種具有較小透鏡晶粒寬度的相機(jī)模塊及其制造方法，·以改善上述缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種相機(jī)模塊，包括一圖像感測裝置封裝體；一后間隙環(huán)，設(shè)置于上述圖像感測裝置封裝體上，其中上述后間隙環(huán)的一第一邊緣對準(zhǔn)上述圖像感測裝置封裝體的一第二邊緣；一光學(xué)透鏡平板，設(shè)置于上述后間隙環(huán)上；一前間隙環(huán)，設(shè)置于上述后間隙環(huán)和上述光學(xué)透鏡平板之間，其中上述前間隙環(huán)的一第三邊緣對準(zhǔn)上述光學(xué)透鏡平板的一第四邊緣。本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種相機(jī)模塊的制造方法，包括提供一第一部分，包括一圖像感測裝置封裝體和接合于其上的一后間隙環(huán)，其中上述后間隙環(huán)的一第一邊緣對準(zhǔn)上述圖像感測裝置封裝體的一第二邊緣；提供一第二部分，包括一前間隙環(huán)和接合于其下的一光學(xué)透鏡平板，其中上述前間隙環(huán)的一第三邊緣對準(zhǔn)上述光學(xué)透鏡平板的一第四邊緣；將上述第二部分接合至上述第一部分上，其中上述前間隙環(huán)夾設(shè)于上述后間隙環(huán)和上述光學(xué)透鏡平板之間。本發(fā)明所制造出的相機(jī)模塊可具有較小透鏡晶粒寬度。


圖I至圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的相機(jī)模塊的制造方法的剖面圖。圖8至圖10為本發(fā)明不同實(shí)施例的具有不同保護(hù)結(jié)構(gòu)的相機(jī)模塊的剖面圖。上述附圖中的附圖標(biāo)記說明如下200 晶片；201 圖像感測裝置芯片；202 圖像感測裝置；204 壩狀物；
206 透明平板；207 導(dǎo)電焊盤焊盤；208 第一空穴；210、280 上表面；212、234、282 下表面；214 穿孔；218 絕緣層；220 導(dǎo)電層；
222 保護(hù)層；224 導(dǎo)電凸塊；228 后間隙環(huán)；230、258、288 內(nèi)側(cè)壁；232、274 空穴；234 頂面；236、262 底面；250 第一部分；252 光學(xué)透鏡平板；254 透鏡；256 前間隙環(huán)；261 第二空穴；264 第二部分；268 電磁干擾遮蔽物；270 黑色遮蔽物；272、284 塑膠蓋；274 導(dǎo)電膠；276、278 電磁干擾金屬遮蔽物；286 側(cè)壁；300、302、304、306、269、271 邊緣；500 相機(jī)模塊；550a、550b、550c 受:保護(hù)的相機(jī)模塊；θ η Θ 2 夾角；T1、T2 高度；CA 寬度；SCpSC2-切割道
具體實(shí)施例方式以下以各實(shí)施例詳細(xì)說明并伴隨著

的范例，作為本發(fā)明的參考依據(jù)。在附圖或說明書描述中，相似或相同的部分皆使用相同的圖號。且在附圖中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，并以簡化或是方便標(biāo)示。再者，附圖中各元件的部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未示出或描述的元件，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員所知的形式，另夕卜，特定的實(shí)施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明實(shí)施例提供一種相機(jī)模塊及其制造方法。上述相機(jī)模塊系利用晶片級工藝將一第一部分接合至一第二部分構(gòu)成，其中第一部分包括一圖像感測裝置封裝體和接合于其上的一后間隙環(huán)，其中該后間隙環(huán)的一邊緣對準(zhǔn)該圖像感測裝置封裝體的一邊緣。上述第二部分包括一前間隙環(huán)和接合于其下的一光學(xué)透鏡平板，其中該前間隙環(huán)的一邊緣對準(zhǔn)該光學(xué)透鏡平板的一邊緣。圖I至圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的相機(jī)模塊500的制造方法的剖面圖。請參考圖1，首先，提供一晶片200，其具有一上表面210和一下表面212。晶片200包括通過切割道SC1彼此隔絕的圖像感測裝置芯片201。屬于圖像感測裝置芯片201的多個圖像感測裝置202和導(dǎo)電焊盤207設(shè)置于晶片200的上表面210上。在本發(fā)明一實(shí)施例中，晶片200可包括例如硅晶片的一半導(dǎo)體晶片。在本發(fā)明一實(shí)施例中，圖像感測裝置202可包括互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體兀件(metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices)或電荷率禹合元件(charge-coupled devices (CCDs))。接著,使用設(shè)置于一壩狀物204上的一粘 著層(圖未顯示)，通過壩狀物204，將一透明平板206接合至晶片200的上表面210，壩狀物204介于透明平板206和晶片200之間，以形成被透明平板206、晶片200和壩狀物204圍繞的第一空穴208。圖像感測裝置202各別設(shè)置于第一空穴208中。在本發(fā)明一實(shí)施例中，透明平板206可包括玻璃或石英，以使光能夠穿過且可被圖像感測裝置202檢測。在本發(fā)明一實(shí)施例中，壩狀物204可包括絕緣材料。接著，請參考圖2,可通過一蝕刻、統(tǒng)削(milling)、磨削(grinding)或研磨(polishing)工藝對晶片200的下表面212進(jìn)行一薄化工藝至一理想厚度。接著,通過一非等向性蝕刻工藝，大體上沿切割道SC1，從晶片200的下表面212移除部分晶片200，以形成穿過晶片200的穿孔214，且暴露出導(dǎo)電焊盤207。穿孔214鄰近圖像感測裝置芯片202的邊緣，且穿孔214的位置大體上對準(zhǔn)切割道SC1的位置。接著，可通過一熱氧化法(thermal oxidation)或等離子體化學(xué)氣相沉積法(plasma chemical vapor deposition)于穿孔214的底面和側(cè)壁上順應(yīng)性形成一絕緣層218，且延伸至晶片200的圖像感測裝置芯片201的下表面212。然后，可通過一光刻蝕刻工藝，移除位于穿孔214底面上的絕緣層218，以暴露出導(dǎo)電焊盤207。在本發(fā)明一實(shí)施例中，絕緣層218可包括例如氧化硅、氮化硅或聚酰亞胺的絕緣材料。接著，于穿孔214中順應(yīng)性形成一導(dǎo)電層220，覆蓋導(dǎo)電焊盤207，且延伸至位于圖像感測裝置芯片201的側(cè)壁和下表面212的絕緣層218的上方。導(dǎo)電層220通過導(dǎo)電焊盤207電性連接至圖像感測裝置芯片201的圖像感測裝置202。之后，可通過例如光刻法和蝕刻法的工藝步驟，移除位于穿孔214底面上的絕緣層218，以從穿孔214底面暴露出透明平板206。在本發(fā)明一實(shí)施例中，導(dǎo)電層220可由例如銅、鋁、銀或上述組合的金屬材料構(gòu)成。導(dǎo)電層220可延長圖像感測裝置202的導(dǎo)電路徑，沿著穿孔214的側(cè)壁，從位于晶片200的圖像感測裝置芯片201的上表面210的導(dǎo)電焊盤207至圖像感測裝置芯片201的下表面212。接著，可通過涂布法，將例如焊漆的一保護(hù)層222可覆蓋晶片200的圖像感測裝置芯片201的下表面212。然后，可對保護(hù)層222進(jìn)行一圖案化工藝，以形成暴露出部分導(dǎo)電層220的開口(圖未顯示)。之后，依序于上述開口位置中形成凸塊下金屬層(UBM)(圖未顯示)和導(dǎo)電凸塊224。在每一個晶片200的圖像感測裝置芯片201中，導(dǎo)電凸塊224通過導(dǎo)電層220和導(dǎo)電焊盤207電性連接至圖像感測裝置202。接著，請參考圖3，將一后間隙環(huán)228接合至晶片200，且連接至透明平板206。后間隙環(huán)228具有穿過其中的空穴232，且后間隙環(huán)228圍繞晶片200的圖像感測裝置芯片201的圖像感測裝置202。在本發(fā)明一實(shí)施例中，后間隙環(huán)228可由例如玻璃、金屬或塑膠的耐熱和可回焊的材料構(gòu)成。如圖3所示，在本發(fā)明一實(shí)施例中，后間隙環(huán)228可具有傾斜的一內(nèi)側(cè)壁230。后間隙環(huán)228的內(nèi)側(cè)壁230和底面236之間的夾角Θ i可大于90°。接著，請參考圖4，沿切割道SC1切割晶片200以分離上述晶片200、壩狀物204、透明平板206和后間隙環(huán)228為數(shù)個各別的第一部分250。每一個第一部分250可包括一圖像感測裝置封裝體，其包括圖像感測裝置芯片201、透明平板206、壩狀物204、絕緣層218、導(dǎo)電層220、保護(hù)層222、導(dǎo)電凸塊224和后間隙環(huán)228。如圖4所示，后間隙環(huán)228的一邊緣300對準(zhǔn)每一個第一部分250的圖像感測裝置封裝體的一邊緣302。注意利用晶片200的切割工藝來定義后間隙環(huán)228的邊緣300和圖像感測裝置封裝體的邊緣302。 另外，如圖5所示，提供光學(xué)透鏡平板252，其具有利用晶片透鏡工藝模鑄于其上的多個透鏡254，以形成通過切割道SC2彼此隔開的多個第二部分264。接著，將一前間隙環(huán)256接合至光學(xué)透鏡平板252，以使前間隙環(huán)256位于光學(xué)透鏡平板252的下方。前間隙環(huán)256具有穿過其中的空穴274，且前間隙環(huán)256圍繞透鏡254。如圖5所示，前間隙環(huán)256可具有傾斜的一內(nèi)側(cè)壁258。前間隙環(huán)256的內(nèi)側(cè)壁258和其底面262之間的夾角Θ 2可小于90°。在本發(fā)明一實(shí)施例中，前間隙環(huán)256可由與圖4所示的后間隙環(huán)228類似的材料構(gòu)成。接著，沿切割道SC2 (即透鏡254之間的位置)切割光學(xué)透鏡平板252，以分離上述光學(xué)透鏡平板252為數(shù)個各別的圖6所示的第二部分264。如圖6所示，第二部分264的前間隙環(huán)256的一邊緣304對準(zhǔn)光學(xué)透鏡平板252的一邊緣306。注意利用光學(xué)透鏡平板252的切割工藝來定義前間隙環(huán)256的邊緣304對準(zhǔn)光學(xué)透鏡平板252的邊緣306。接著，如圖7所示，將第二部分264接合至第一部分250上，以形成本發(fā)明一實(shí)施例的相機(jī)模塊500。前間隙環(huán)256夾設(shè)于后間隙環(huán)228和光學(xué)透鏡平板252之間。如圖7所不，后間隙環(huán)228的一上表面234的一部分從前間隙環(huán)256暴露出來。在本發(fā)明一實(shí)施例中，后間隙環(huán)228的高度T1可介于O. 8mm至I. 2mm之間，且前間隙環(huán)256的高度T2可介于
O.2_至O. 5_之間，其小于后間隙環(huán)228的高度1\。在本發(fā)明一實(shí)施例中，相機(jī)模塊500的透鏡254的寬度CA對后間隙環(huán)228的高度T1的比值可選擇介于O. 4和I. 3之間。相機(jī)模塊500通過將第二部分264接合至第一部分250上形成，所以穿過后間隙環(huán)228的空穴232和穿過前間隙環(huán)256的空穴274會合并為一第二空穴261，其為沙漏形，第二空穴261被透明平板206、后間隙環(huán)228、前間隙環(huán)256和光學(xué)透鏡平板252圍繞。第二空穴261對準(zhǔn)第一空穴208。因此，后間隙環(huán)228的內(nèi)側(cè)壁230和頂面234共用的一邊緣269對準(zhǔn)前間隙環(huán)256的內(nèi)側(cè)壁258和底面262共用的一邊緣271 (意即邊緣269和271位于同一位置)。本發(fā)明一實(shí)施例的相機(jī)模塊500可具有以下優(yōu)點(diǎn)。相機(jī)模塊500的包括透鏡的第二部分264的直徑小于包括圖像感測裝置的第一部分250的直徑。因此，使用晶片透鏡工藝可于一晶片中制造更多的第二部分264。因而可降低制造成本。另外，相機(jī)模塊500的包括透鏡的第二部分于最終步驟才與包括圖像感測裝置的第一部分250接合。因此，可增加相機(jī)模塊500的可靠度。另外，相機(jī)模塊500可具有不同的保護(hù)結(jié)構(gòu)，例如電磁干擾(EMI)遮蔽物、黑色遮蔽物或塑膠蓋，用以作為電磁干擾遮蔽或增加機(jī)械強(qiáng)度。圖8至圖10為本發(fā)明不同實(shí)施例的具有不同保護(hù)結(jié)構(gòu)的相機(jī)模塊的剖面圖。如圖8所示，形成相機(jī)模塊500之后，一電磁干擾(EMI)遮蔽物268順應(yīng)性圍繞圖像感測裝置封裝體的邊緣(側(cè)壁)302、后間隙環(huán)228的邊緣(側(cè)壁)300、前間隙環(huán)256的邊緣(側(cè)壁)304和光學(xué)透鏡平板252的邊緣(側(cè)壁)306。光學(xué)透鏡平板252的部分上表面280、透鏡254和圖像感測裝置封裝體的一下表面282會從電磁干擾遮蔽物268暴露出來。接著，可形成用以遮蔽散射光的一黑色遮蔽物270，且圍繞電磁干擾遮蔽物268。并且，光學(xué)透鏡平板252的部分上表面280、透鏡254和圖像感測裝置封裝體的一下表面282會從黑色遮蔽物270暴露出來。另外，可于后間隙環(huán)228上方形成一塑膠蓋272，且圍繞前間隙環(huán)256以提升相機(jī)模塊500整體的機(jī)械強(qiáng)度。透鏡254從塑膠蓋272暴露出來。而塑膠蓋272圍繞黑色遮蔽物270的部分側(cè)壁。因此，完成本發(fā)明一實(shí)施例受保護(hù)的相機(jī)模塊550a，其包括相機(jī)模塊500、電磁干擾遮蔽物268、黑色遮蔽物270和塑膠蓋272。·
圖9為本發(fā)明另一實(shí)施例的受保護(hù)的相機(jī)模塊550b的剖面圖。如圖9所示，形成相機(jī)模塊500之后，一電磁干擾金屬遮蔽物276圍繞圖像感測裝置封裝體的邊緣(側(cè)壁)302、后間隙環(huán)228的邊緣(側(cè)壁)300、前間隙環(huán)256的邊緣(側(cè)壁)304和光學(xué)透鏡平板252的邊緣(側(cè)壁)306。光學(xué)透鏡平板252的部分上表面280、透鏡254和圖像感測裝置封裝體的一下表面282會從電磁干擾金屬遮蔽物276暴露出來。電磁干擾金屬遮蔽物276為硬管狀。上述硬管狀電磁干擾金屬遮蔽物276可具有電磁干擾遮蔽功能且具有遮蔽散射光能力。另外，硬管狀電磁干擾金屬遮蔽物276可具有良好的機(jī)械強(qiáng)度，以保護(hù)相機(jī)模塊500。電磁干擾遮蔽物276與前間隙環(huán)256的邊緣(側(cè)壁)304和光學(xué)透鏡平板252的邊緣(側(cè)壁)306隔開?？衫靡粚?dǎo)電膠274填充于圖像感測裝置封裝體的圖像感測裝置芯片201的側(cè)壁和電磁干擾金屬遮蔽物276的一側(cè)壁286之間的一空間。因此，完成本發(fā)明另一實(shí)施例受保護(hù)的相機(jī)模塊550b,其包括相機(jī)模塊500,導(dǎo)電膠274和電磁干擾金屬遮蔽物 276。圖10為本發(fā)明又另一實(shí)施例的受保護(hù)的相機(jī)模塊550c的剖面圖。如圖10所示，形成相機(jī)模塊500之后，一電磁干擾金屬遮蔽物278圍繞圖像感測裝置封裝體的邊緣(側(cè)壁)302、后間隙環(huán)228的邊緣(側(cè)壁)300、前間隙環(huán)256的邊緣(側(cè)壁)304和光學(xué)透鏡平板252的邊緣(側(cè)壁)306。并且，電磁干擾金屬遮蔽物278與后間隙環(huán)228的邊緣(側(cè)壁)300、前間隙環(huán)256的邊緣(側(cè)壁)304和光學(xué)透鏡平板252的邊緣(側(cè)壁)306隔開。光學(xué)透鏡平板252的部分上表面280、透鏡254和圖像感測裝置封裝體的一下表面282會從電磁干擾金屬遮蔽物278暴露出來。電磁干擾金屬遮蔽物278為硬管狀，且具有與如圖9所示的電磁干擾金屬遮蔽物276類似的功能。另外，可于后間隙環(huán)228上方形成一塑膠蓋284，且圍繞前間隙環(huán)256。塑膠蓋284填充于光學(xué)透鏡平板252的邊緣(側(cè)壁)306和電磁干擾金屬遮蔽物278的一內(nèi)側(cè)壁288之間的一空間，以進(jìn)一步提升機(jī)械強(qiáng)度。因此，完成本發(fā)明又另一實(shí)施例受保護(hù)的相機(jī)模塊550c,其包括相機(jī)模塊500、電磁干擾金屬遮蔽物278和塑膠蓋284。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要 求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種相機(jī)模塊,包括 一圖像感測裝置封裝體； 一后間隙環(huán)，設(shè)置于該圖像感測裝置封裝體上，其中該后間隙環(huán)的一第一邊緣對準(zhǔn)該圖像感測裝置封裝體的一第二邊緣； 一光學(xué)透鏡平板，設(shè)置于該后間隙環(huán)上；以及 一前間隙環(huán)，設(shè)置于該后間隙環(huán)和該光學(xué)透鏡平板之間，其中該前間隙環(huán)的一第三邊緣對準(zhǔn)該光學(xué)透鏡平板的一第四邊緣。
2.如權(quán)利要求I所述的相機(jī)模塊，其中該后間隙環(huán)的一上表面的一部分從該前間隙環(huán)暴露出來，且其中該后間隙環(huán)的一內(nèi)側(cè)壁和一頂面共用的一第五邊緣對準(zhǔn)該前間隙環(huán)的一內(nèi)側(cè)壁和一底面共用的一第六邊緣。
3.如權(quán)利要求I所述的相機(jī)模塊，其中該光學(xué)透鏡平板包括一透鏡位于其上，且該透鏡的寬度和該后間隙環(huán)的高度比值介于O. 4至I. 3之間。
4.如權(quán)利要求2所述的相機(jī)模塊，其中于該相機(jī)模塊的側(cè)視圖中，該后間隙環(huán)的該內(nèi)側(cè)壁和一底面之間的一第一夾角大于90°，且該前間隙環(huán)的該內(nèi)側(cè)壁和該底面之間的一第二夾角小于90°。
5.如權(quán)利要求I所述的相機(jī)模塊，其中該圖像感測裝置封裝體包括 一圖像感測裝置芯片； 一透明平板，覆蓋該圖像感測裝置芯片； 一壩狀物，介于該透明平板和該圖像感測裝置芯片之間，圍繞一第一空穴，其中該圖像感測裝置芯片設(shè)置于該第一空穴中； 一第二空穴，被該透明平板、該后間隙環(huán)、該前間隙環(huán)和該光學(xué)透鏡平板圍繞，其中該第二空穴對準(zhǔn)該第一空穴； 一絕緣層，形成于該圖像感測裝置芯片的一下表面和一側(cè)壁上； 一導(dǎo)電層，形成于該絕緣層上方，其中該導(dǎo)電層電性連接至該圖像感測裝置芯片； 一保護(hù)層，覆蓋該圖像感測裝置芯片的該下表面；以及 一導(dǎo)電凸塊，形成于該保護(hù)層上，電性連接至該導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求I所述的相機(jī)模塊，還包括 一遮蔽物，圍繞該圖像感測裝置芯片、該后間隙環(huán)、該前間隙環(huán)和該光學(xué)透鏡平板的側(cè)壁，其中該光學(xué)透鏡平板的一上表面和該圖像感測裝置芯片的一下表面從該遮蔽物暴露出來；以及 一塑膠蓋，位于該后間隙環(huán)上方，且圍繞該前間隙環(huán)。
7.如權(quán)利要求6所述的相機(jī)模塊，其中該遮蔽物為硬管狀，其中該遮蔽物與該前間隙環(huán)和該光學(xué)透鏡平板的側(cè)壁隔開，或其中該遮蔽物與該后間隙環(huán)、該前間隙環(huán)和該光學(xué)透鏡平板的側(cè)壁隔開。
8.一種相機(jī)模塊的制造方法，包括下列步驟 提供一第一部分，包括一圖像感測裝置封裝體和接合于其上的一后間隙環(huán)，其中該后間隙環(huán)的一第一邊緣對準(zhǔn)該圖像感測裝置封裝體的一第二邊緣； 提供一第二部分，包括一前間隙環(huán)和接合于其下的一光學(xué)透鏡平板，其中該前間隙環(huán)的一第三邊緣對準(zhǔn)該光學(xué)透鏡平板的一第四邊緣；以及將該第二部分接合至該第一部分上，其中該前間隙環(huán)夾設(shè)于該后間隙環(huán)和該光學(xué)透鏡平板之間。
9.如權(quán)利要求8所述的相機(jī)模塊的制造方法，其中提供該第一部分包括 提供一晶片，具有一圖像感測裝置芯片； 通過一壩狀物，將一透明平板接合至該晶片的一上表面，該壩狀物介于該透明平板和該圖像感測裝置芯片之間； 形成穿過該晶片的穿孔，其中該些穿孔鄰近該圖像感測裝置芯片的邊緣； 以一保護(hù)層覆蓋該晶片的一下表面； 于該保護(hù)層上形成導(dǎo)電凸塊，電性連接至該圖像感測裝置芯片； 將后間隙環(huán)接合至該晶片，且連接至該透明平板；以及 沿該些穿孔切割該晶片、該透明平板和該后間隙環(huán)。
10.如權(quán)利要求8所述的相機(jī)模塊的制造方法，其中提供該第二部分包括 提供一光學(xué)透鏡平板，具有一透明平板和位于其上的一透鏡； 將一前間隙環(huán)接合至該透明平板，其中該前間隙環(huán)圍繞該透鏡；以及 沿一切割道切割該光學(xué)透鏡平板。
11.如權(quán)利要求8所述的相機(jī)模塊的制造方法，還包括 形成一遮蔽物，圍繞該圖像感測裝置芯片、該后間隙環(huán)、該前間隙環(huán)和該光學(xué)透鏡平板的側(cè)壁，其中該光學(xué)透鏡平板的一上表面和該圖像感測裝置芯片的一下表面從該遮蔽物暴露出來； 于該后間隙環(huán)上方形成一塑膠蓋，且圍繞該前間隙環(huán)；以及 于該圖像感測裝置封裝體的該側(cè)壁和該遮蔽物的一側(cè)壁之間的一空間中填充一導(dǎo)電膠。
全文摘要
本發(fā)明提供一種相機(jī)模塊及其制造方法，上述相機(jī)模塊包括一圖像感測裝置封裝體；一后間隙環(huán)，設(shè)置于上述圖像感測裝置封裝體上，其中上述后間隙環(huán)的一第一邊緣對準(zhǔn)上述圖像感測裝置封裝體的一第二邊緣；一光學(xué)透鏡平板，設(shè)置于上述后間隙環(huán)上；一前間隙環(huán)，設(shè)置于上述后間隙環(huán)和上述光學(xué)透鏡平板之間，其中上述前間隙環(huán)的一第三邊緣對準(zhǔn)上述光學(xué)透鏡平板的一第四邊緣。本發(fā)明的相機(jī)模塊可具有較小透鏡晶粒寬度。
文檔編號G02B7/02GK102902136SQ201210005389
公開日2013年1月30日 申請日期2012年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者戎柏忠, 鄧兆展, 陳偉平 申請人:采鈺科技股份有限公司, 美商豪威科技股份有限公司