專利名稱：一種波浪形結(jié)構(gòu)的led晶體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LED晶體，具體的說是一種波浪形結(jié)構(gòu)的LED晶體。
背景技術(shù)：
目前國內(nèi)使用的LED晶體大多是利用光學(xué)全反射與折射效果，對平面散射光進(jìn)行一定程度的聚合，其亮度效果一般，而且沒有對 全反射的光進(jìn)行回收利用，能源消耗大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種在同個晶體單元上實(shí)現(xiàn)水平與垂直方向上的聚光從而使亮度增加，并且在同等的電流強(qiáng)度下能夠節(jié)約50%的能源的LED晶體。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種波浪形結(jié)構(gòu)的LED晶體，包括基材，所述基材包括一個第一表面和一個第二表面，還包括位于基材第一表面的棱鏡晶體組，其特征在于所述棱鏡晶體組中每個晶體單元呈波浪狀，每相鄰兩個晶體單元的波峰與波谷之間具有相同的水平寬度，并且每個晶體單元與基材的第一表面之間具有相同的垂直高度。所述的棱鏡晶體組中，每個晶體單元的波峰和波谷的圓弧半徑為4 μ m至8 μ m。所述的棱鏡晶體組中，每個晶體單元與基材的第一表面的垂直高度為15μπι至30 μ m0所述的棱鏡晶體組中，每相鄰兩個晶體單元的波峰與波谷之間具有相同的水平寬度，其間距為40 μ m M 60 μ mo本發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比，在同等電流強(qiáng)度下，增加了 LED晶體的發(fā)光亮度，并且節(jié)約了能源。


圖I為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的主視圖。參見圖I和圖2，I為基材；2為第一表面；3為第二表面；4為晶體單元；5為波峰；6為波谷；7為斜面。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。如圖I和圖2所不,本發(fā)明包括基材1，該基材I包括一個第一表面2和一個第二表面3，該基材I的第一表面2作為該基材I的光線射出側(cè)，第二表面3作為該基材I的光線射入側(cè)。棱鏡晶體組中每個晶體單元4呈波浪狀，每相鄰兩個晶體單元4的波峰5與波谷6之間具有相同的水平寬度，并且每個晶體單元4與基材I的第一表面2之間具有相同的垂直高度。每個晶體單元4的兩個斜面7中至少有一個為彎曲延伸曲面，可形成規(guī)則的波浪狀彎曲以產(chǎn)生曲率變化，進(jìn)而可以在二維方向產(chǎn)生光線折射，以便產(chǎn)生良好的聚光作用，達(dá)到增強(qiáng)亮度和 節(jié)能的作用。
權(quán)利要求
1.一種波浪形結(jié)構(gòu)的LED晶體,包括基材,所述基材包括一個第一表面和一個第二表面，還包括位于基材第一表面的棱鏡晶體組，其特征在于所述棱鏡晶體組中每個晶體單元呈波浪狀，每相鄰兩個晶體單元的波峰與波谷之間具有相同的水平寬度，并且每個晶體單兀與基材的第一表面之間具有相同的垂直高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種波浪形結(jié)構(gòu)的LED晶體，其特征在于所述的棱鏡晶體組中，每個晶體單元的波峰和波谷的圓弧半徑為4 μ m至8 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種波浪形結(jié)構(gòu)的LED晶體，其特征在于所述的棱鏡晶體組中，每個晶體單元與基材的第一表面的垂直高度為15 μ m至30 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種波浪形結(jié)構(gòu)的LED晶體，其特征在于所述的棱鏡晶體組中，每相鄰兩個晶體單元的波峰與波谷之間具有相同的水平寬度，其間距為40μπι至60 μ m0
全文摘要
本發(fā)明涉及一種LED晶體，具體的說是一種波浪形結(jié)構(gòu)的LED晶體，包括基材，所述基材包括一個第一表面和一個第二表面，還包括位于基材第一表面的棱鏡晶體組，其特征在于所述棱鏡晶體組中每個晶體單元呈波浪狀，每相鄰兩個晶體單元的波峰與波谷之間具有相同的水平寬度，并且每個晶體單元與基材的第一表面之間具有相同的垂直高度。本發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比，在同等電流強(qiáng)度下，增加了LED晶體的發(fā)光亮度，并且節(jié)約了能源。
文檔編號G02B5/04GK102736147SQ20121000557
公開日2012年10月17日 申請日期2012年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月10日
發(fā)明者李永奇, 潘群輝, 趙文剛, 高超 申請人:上海贏奔晶體科技有限公司