專利名稱：一種接觸電路的制作方法
ー種接觸電路
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種接觸電路，特別涉及ー種液晶顯示裝置利用各向異性的導(dǎo)電膜 (anisotropic conductive film，下稱ACF)進行驅(qū)動連接的接觸電路。
背景技木液晶顯示裝置因其功耗低、制造成本低和無輻射等特點，近年來得到了廣泛的應(yīng)用。一般來說，液晶顯示裝置可分為顯示單元以及驅(qū)動單元，該驅(qū)動単元主要包括柔性布線基板或柔性布線組件以及裝配在該柔性布線基板或柔性布線組件上的驅(qū)動器IC，該驅(qū)動器 IC通過ACF電耦合至顯示面板以驅(qū)動顯示面板。請參照圖1，圖1是習(xí)知技術(shù)之液晶顯示裝置的平面圖。如圖1所示，液晶顯示裝置包含陣列基板10以及彩色濾光基板11，在陣列基板10與彩色濾光基板11的重疊區(qū)域即為顯示単元，而在陣列基板10的非顯示區(qū)域具有接觸電路20，接觸電路的一端連接顯示單元內(nèi)的數(shù)據(jù)線或柵極線，而接觸電路20的一端連接的就是驅(qū)動芯片11，該驅(qū)動芯片11輸出驅(qū)動信號到數(shù)據(jù)線或柵極線以驅(qū)動顯示單元。請同時參照圖2，圖2是圖1中1-1’的截面圖，驅(qū)動芯片30的引腳上形成有較厚的導(dǎo)電凸塊(bump)301，另ー方面，在下基板10的非顯示區(qū)域形成有接觸墊(pad) 201，該接觸墊201是位于接觸電路20上的。在驅(qū)動芯片30與下基板10之間置入ACF 40，且該ACF 40中具有導(dǎo)電顆粒401，然后加入改變ACF40的粘滯度，接著壓合驅(qū)動芯片30與下基板10， 此時對于的接觸墊201與導(dǎo)電凸塊301之間必須是相互對準(zhǔn)的。由于導(dǎo)電凸塊301具有一定的厚度，位于ACF 40中的導(dǎo)電顆粒401會再導(dǎo)電凸塊 301與接觸墊201之間被擠壓，被擠壓的導(dǎo)電顆粒401便在導(dǎo)電凸塊301與接觸墊201之間構(gòu)成電連接。利用ACF進行芯片封裝，便可同時完成粘合驅(qū)動芯片30與電路耦接的動作。應(yīng)用ACF進行芯片封裝吋，常見的問題是導(dǎo)電顆粒的不當(dāng)遷移(magration)。由于加熱后ACF中樹脂部分的粘滯度下降，在壓合導(dǎo)電凸塊301與接觸墊201吋，其間的導(dǎo)電顆粒401容易向周圍擴散遷移，從而造成導(dǎo)電凸塊301與接觸墊201間的導(dǎo)電顆粒401數(shù)量太少，而使耦接的電阻增加，由于相鄰的接觸墊201僅存在ー個水平距離H，當(dāng)該水平距離H 較小時甚至?xí)l(fā)如圖3中所示的產(chǎn)生電連接的問題，由于太多的導(dǎo)電顆粒401集中于相鄰的導(dǎo)電凸塊301間而產(chǎn)生側(cè)向的電連接，即對相鄰的導(dǎo)電凸塊301與相鄰的接觸墊201 造成短路。在芯片功能日益増加的情況下，短路問題將越來越容易發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供ー種液晶顯示器，以解決上述問題。本發(fā)明提出的ー種接觸電路，該接觸電路一端連接顯示面板內(nèi)的信號線，另一端連接驅(qū)動芯片，該接觸電路包含復(fù)數(shù)條第一接觸電路，其上設(shè)置第一接觸部；復(fù)數(shù)條第二接觸電路，與該第一接觸電路相互間隔，其上設(shè)置第二接觸部，該第一接觸部與該第二接觸部存在垂直段差。
在本發(fā)明的一個實施例中，該第一接觸電路具有復(fù)數(shù)個第一接觸部，該第二接觸電路具有復(fù)數(shù)個第二接觸部。在本發(fā)明的又一實施例中，該第一接觸電路只有ー個第一接觸部，該第二接觸電路只有ー個第二接觸部。在本發(fā)明的一實施例中，該第一接觸電路的上半部分設(shè)置復(fù)數(shù)個第一接觸部，其下半部分設(shè)置復(fù)數(shù)個第二接觸部；該第二接觸電路的上半部分設(shè)置復(fù)數(shù)個第二接觸部，其下半部分設(shè)置復(fù)數(shù)個第一接觸部。在本發(fā)明的另ー實施例中，該第一接觸電路僅在其上半部分設(shè)置復(fù)數(shù)個第一接觸部；該第二接觸電路僅在其下半部分設(shè)置復(fù)數(shù)個第二接觸部。在本發(fā)明的一個實施例中，該第一接觸部為透明電極層，該透明電極層位于第一金屬層上，該透明電極層通過第一接觸孔與第一金屬層相接觸；該第二接觸部為透明電極層，該透明電極層位于第二金屬層上該透明電極層通過第二接觸孔與第二金屬層相接觸。在本發(fā)明的另ー個實施例中，該第一接觸部為第一金屬層，該第二接觸部為第二在本發(fā)明的一個實施例中，該垂直段差為柵極絕緣層、非晶硅層以及第ニ金屬層的高度之和。在本發(fā)明的一個實施例中，該垂直段差為柵極絕緣層以及第ニ金屬層的高度之和。在本發(fā)明的另一個實施例中，該垂直段差為柵極絕緣層的高度。在本發(fā)明的一個實施例中，該垂直段差為柵極絕緣層以及非晶硅層的高度。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示面板平面圖。
圖2是圖1中I-I’的截面圖。
圖3是傳統(tǒng)ACF接合方式常有的問題的示意圖。
圖4是本發(fā)明第一-實施例的接觸電路平面圖。
圖5是本發(fā)明第一-實施例的接觸電路截面圖。
圖6是本發(fā)明第二實施例的接觸電路平面圖。
圖7是本發(fā)明第二實施例的接觸電路第截面圖。
圖8是本發(fā)明第三實施例的接觸電路平面圖。
圖9是本發(fā)明第三實施例的接觸電路截面圖。
圖10是本發(fā)明第四實施例的接觸電路平面圖。
圖11是本發(fā)明第四實施例的接觸電路截面圖。
圖12是本發(fā)明第五實施例的接觸電路平面圖。
圖13是本發(fā)明第五實施例的接觸電路截面圖。
圖14是本發(fā)明第六實施例的接觸電路平面圖。
圖15是本發(fā)明第六實施例的接觸電路截面圖。
圖16是本發(fā)明第七實施例的接觸電路平面圖。
圖17是本發(fā)明第七實施例的接觸電路截面圖。
圖18是本發(fā)明第八實施例的接觸電路平面圖。圖19是本發(fā)明第八實施例的接觸電路截面圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細說明。圖4是本發(fā)明接觸電路的第一實施例平面圖，在此圖4中，是顯示接觸電路的區(qū)域布線，其中該接觸電路區(qū)域布線包含有第一接觸電路811以及第二接觸電路812，該第一接觸電路811和該第二接觸電路812是相互間隔設(shè)置的，即第一接觸電路811和第二接觸電路812是彼此相鄰的，其中在該第一接觸電路811上還設(shè)置有復(fù)數(shù)個第一接觸部611，在該第二接觸電路812上設(shè)置有復(fù)數(shù)個第二接觸部612。而該第一接觸電路811以及該第二接觸電路812的一端連接至顯示單元內(nèi)的信號線，該些信號線為顯示面板上的數(shù)據(jù)線或柵極線，其另一端則連接信號驅(qū)動芯片，該信號驅(qū)動芯片主要為輸出驅(qū)動信號到數(shù)據(jù)線或柵極線以驅(qū)動顯示単元。接續(xù)上述，請同時參照圖4及圖5，圖5是是本發(fā)明接觸電路的第一實施例A-A’的截面圖。在此截面圖中主要顯示了第一接觸部611及第ニ接觸部612的截面圖，其中該第一接觸部611為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板510上設(shè)置ー第一金屬層511，該第一金屬層511上設(shè)置一第一接觸孔711，而該第一接觸孔711的形成是通過蝕刻在柵極絕緣層512以及保護層515形成了一孔洞并曝露出第一金屬層511，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第一接觸部611 ；其中該第二接觸部612為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板510 上先形成ー柵極絕緣層512，在該柵極絕緣層512上形成一非晶硅513，在該非晶硅513上接著設(shè)置ー第二金屬層514，該第二金屬層514上設(shè)置ー第二接觸孔712，而該第二接觸孔 712的形成是通過蝕刻在該保護層515形成了一孔洞并曝露出第二金屬層512，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第二接觸部612 ；其中第一接觸電路811上設(shè)置的是第一接觸部611， 第二接觸電路812上設(shè)置的是第二接觸部612。以下再次詳述本實施例，該第一接觸電路 811以及第二接觸電路812是設(shè)置在陣列基板510上的，其中該接觸電路可以與顯示區(qū)域的薄膜電晶體同時形成。然而，位于第一接觸電路811上的第一接觸部611為透明電極層， 該透明電極層位于第一金屬層511上，該透明電極層是通過第一接觸孔711與第一金屬層 511相接觸的，該第一接觸孔711是通過蝕刻柵極絕緣層512以及保護層515形成的，在本實施例中第一接觸部611的面積大于第一接觸孔711的面積。而位于第二接觸電路811上的第二接觸部612為透明電極層，該透明電極層位于第二金屬層514上，其中該第二金屬層 514位于非晶硅層513上。該第二接觸部612是通過第二接觸孔712與第二金屬層514相接觸，第二接觸孔712是通過蝕刻保護層515形成的，同樣第二接觸部612的面積是大于第 ニ接觸孔712的面積的。由于該第一接觸部611與該第二接觸部612均為透明電極層所以該第一接觸部611與該第二接觸部612間的垂直段差Vl為柵極絕緣層、非晶硅層以及第ニ 金屬層的高度之和。所以第一接觸部與第二接觸部間的距離不再只是水平距離，而是為一斜邊距離，如此ー來使第一接觸部611與第二接觸部612間的距離拉長，從而減少了發(fā)生相鄰接觸部側(cè)向?qū)▎栴}的幾率。圖6是本發(fā)明接觸電路的第二實施例平面圖，在此圖6中，是顯示接觸電路的區(qū)域布線，其中該接觸電路區(qū)域布線包含有第一接觸電路821以及第二接觸電路822，該第一接觸電路821和該第二接觸電路822是相互間隔設(shè)置的，即第一接觸電路821和第二接觸電路822是彼此相鄰的，其中在該第一接觸電路821上還設(shè)置有復(fù)數(shù)個第一接觸部621，在該第二接觸電路822上設(shè)置有復(fù)數(shù)個第二接觸部622。而該第一接觸電路821以及該第二接觸電路822的一端連接至顯示單元內(nèi)的信號線，該些信號線為顯示面板上的數(shù)據(jù)線或柵極線，其另一端則連接信號驅(qū)動芯片，該信號驅(qū)動芯片主要為輸出驅(qū)動信號到數(shù)據(jù)線或柵極線以驅(qū)動顯示単元。請同時參照圖6及圖7，圖7是是本發(fā)明接觸電路的第二實施例A-A’的截面圖。 在此第二截面圖中主要顯示了第一接觸部621及第ニ接觸部622的截面圖，其中該第一接觸部621為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板510上設(shè)置ー第一金屬層521，該第一金屬層521上設(shè)置ー第一接觸孔721，而該第一接觸孔721的形成是通過蝕刻在保護層525形成了一孔洞并曝露出第一金屬層521，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第一接觸部621 ；其中該第二接觸部622為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板520上先形成ー柵極絕緣層522， 在該柵極絕緣層522上形成設(shè)置ー第二金屬層524，該第二金屬層5M上設(shè)置ー第二接觸孔722，而該第二接觸孔722的形成是通過蝕刻在該保護層525形成了一孔洞并曝露出第二金屬層522，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第二接觸部622 ；其中第一接觸電路811上設(shè)置的是第一接觸部621，第二接觸電路822上設(shè)置的是第二接觸部622。以下再次詳述本實施例，該第一接觸電路821以及第二接觸電路822是設(shè)置在陣列基板520上的，其中該接觸電路可以與顯示區(qū)域的薄膜電晶體同時形成。然而，位于第一接觸電路821上的第一接觸部621為透明電極層，該透明電極層位于第一金屬層521上，該透明電極層是通過第一接觸孔721與第一金屬層521相接觸的，該第一接觸孔721是通過蝕刻保護層525形成的，在本實施例中第一接觸部621的面積大于第一接觸孔721的面積。而位于第二接觸電路811上的第二接觸部622為透明電極層，該透明電極層位于第二金屬層5M上，其中該第二金屬層 524位于柵極絕緣層525上。該第二接觸部622是通過第二接觸孔722與第二金屬層5 相接觸，第二接觸孔722是通過蝕刻保護層525形成的，同樣第二接觸部622的面積是大于第二接觸孔722的面積的。由于該第一接觸部621與該第二接觸部622均為透明電極層所以該第一接觸部621與該第二接觸部622間的垂直段差V2為柵極絕緣層第二金屬層的高度之和。所以第一接觸部與第二接觸部間的距離不再只是水平距離，而是ー斜邊距離，如此一來使第一接觸部621與第二接觸部622間的距離拉長，從而減少了發(fā)生相鄰接觸部側(cè)向?qū)▎栴}的幾率。圖8是本發(fā)明接觸電路的第三實施例平面圖，在此圖8中，是顯示接觸電路的區(qū)域布線，其中該接觸電路區(qū)域布線包含有第一接觸電路831以及第二接觸電路832，該第一接觸電路831和該第二接觸電路832是相互間隔設(shè)置的，即第一接觸電路831和第二接觸電路832是彼此相鄰的，其中在該第一接觸電路831上還設(shè)置有復(fù)數(shù)個第一接觸部631，在該第二接觸電路832上設(shè)置有復(fù)數(shù)個第二接觸部632。而該第一接觸電路831以及該第二接觸電路832的一端連接至顯示單元內(nèi)的信號線，該些信號線為顯示面板上的數(shù)據(jù)線或柵極線，其另一端則連接信號驅(qū)動芯片，該信號驅(qū)動芯片主要為輸出驅(qū)動信號到數(shù)據(jù)線或柵極線以驅(qū)動顯示単元。接續(xù)上述，請同時參照圖8及圖9，圖9是是本發(fā)明接觸電路的第三實施例A-A’的截面圖。在此第一截面圖中主要顯示了第一接觸部631及第ニ接觸部632的截面圖，其中該第一接觸部631為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板530上設(shè)置ー第一金屬層531，該第一金屬層531上設(shè)置ー第一接觸孔731，而該第一接觸孔731的形成是通過蝕刻在柵極絕緣層532以及保護層535形成了一孔洞并曝露出第一金屬層531，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第一接觸部631 ；其中該第二接觸部632為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板530 上先形成ー柵極絕緣層532，在該柵極絕緣層532上形成一非晶硅533，在該非晶硅533上接著設(shè)置ー第二金屬層534，該第二金屬層534上設(shè)置ー第二接觸孔732，而該第二接觸孔 732的形成是通過蝕刻在該保護層535形成了一孔洞并曝露出第二金屬層532，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第二接觸部632 ；其中第一接觸電路831上設(shè)置的是第一接觸部631， 第二接觸電路832上設(shè)置的是第二接觸部632。以下再次詳述本實施例，該第一接觸電路 831以及第二接觸電路832是設(shè)置在陣列基板530上的，其中該接觸電路可以與顯示區(qū)域的薄膜電晶體同時形成。然而，位于第一接觸電路831上的第一接觸部631為透明電極層， 該透明電極層位于第一金屬層531上，該透明電極層是通過第一接觸孔731與第一金屬層 531相接觸的，該第一接觸孔731是通過蝕刻柵極絕緣層532以及保護層535形成的，在本實施例中第一接觸部631的面積等于或小于第一接觸孔731的面積。而位于第二接觸電路 831上的第二接觸部632為透明電極層，該透明電極層位于第二金屬層534上，其中該第二金屬層534位于非晶硅層533上。該第二接觸部632是通過第二接觸孔732與第二金屬層 534相接觸，第二接觸孔732是通過蝕刻保護層535形成的，同樣第二接觸部632的面積是等于或小于第二接觸孔732的面積的。由于該第一接觸部631與該第二接觸部632均為透明電極層所以該第一接觸部631與該第二接觸部632間的垂直段差同樣為柵極絕緣層、非晶硅層以及第ニ金屬層的高度之和。所以第一接觸部與第二接觸部間的距離不再只是水平距離，而是大于該水平距離，如此ー來使第一接觸部631與第二接觸部632間的距離拉長， 從而減少了發(fā)生相鄰接觸部側(cè)向?qū)▎栴}的幾率。圖10是本發(fā)明接觸電路的第四實施例平面圖，在此圖10中，是顯示接觸電路的區(qū)域布線，其中該接觸電路區(qū)域布線包含有第一接觸電路841以及第二接觸電路842，該第一接觸電路841和該第二接觸電路842是相互間隔設(shè)置的，即第一接觸電路841和第二接觸電路842是彼此相鄰的，其中在該第一接觸電路841上還設(shè)置有復(fù)數(shù)個第一接觸部641，在該第二接觸電路842上設(shè)置有復(fù)數(shù)個第二接觸部642。而該第一接觸電路841以及該第二接觸電路842的一端連接至顯示單元內(nèi)的信號線，該些信號線為顯示面板上的數(shù)據(jù)線或柵極線，其另一端則連接信號驅(qū)動芯片，該信號驅(qū)動芯片主要為輸出驅(qū)動信號到數(shù)據(jù)線或柵極線以驅(qū)動顯示単元。接續(xù)上述，請同時參照圖10及圖11，圖11是是本發(fā)明接觸電路的第四實施例 A-A'的截面圖。在此第二截面圖中主要顯示了第一接觸部641及第ニ接觸部642的截面圖，其中該第一接觸部641為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板540上設(shè)置ー第一金屬層
541,該第一金屬層541上設(shè)置ー第一接觸孔741，而該第一接觸孔741的形成是通過蝕刻在保護層545形成了一孔洞并曝露出第一金屬層M1，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第一接觸部641 ；需要說明的是，在習(xí)知的制程中圖案化第一金屬層541后，會沉積柵極絕緣層
542,該柵極絕緣層542是不需要進行圖案化，而在本實施例中，該柵極絕緣層542需要進行圖案化以曝露出部分第一金屬層Ml。其中該第二接觸部642為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板540上先形成ー柵極絕緣層M2，在該柵極絕緣層542上形成設(shè)置ー第二金屬層M4，該第二金屬層544上設(shè)置ー第二接觸孔742，而該第二接觸孔742的形成是通過蝕刻在該保護層545形成了一孔洞并曝露出第二金屬層M2，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第二接觸部642 ；其中第一接觸電路841上設(shè)置的是第一接觸部641，第二接觸電路842 上設(shè)置的是第二接觸部642。以下再次詳述本實施例，該第一接觸電路841以及第二接觸電路842是設(shè)置在陣列基板540上的，其中該接觸電路可以與顯示區(qū)域的薄膜電晶體同時形成。然而，位于第一接觸電路841上的第一接觸部641為透明電極層，該透明電極層位于第一金屬層541上，該透明電極層是通過第一接觸孔741與第一金屬層541相接觸的，該第一接觸孔741是通過蝕刻保護層545形成的，在本實施例中第一接觸部641的面積等于或小于第一接觸孔741的面積。而位于第二接觸電路841上的第二接觸部642為透明電極層， 該透明電極層位于第二金屬層544上，其中該第二金屬層544位于柵極絕緣層545上。該第二接觸部642是通過第二接觸孔742與第二金屬層544相接觸，第二接觸孔742是通過蝕刻保護層545形成的，同樣第二接觸部642的面積是等于或小于第二接觸孔742的面積的。由于該第一接觸部641與該第二接觸部642均為透明電極層所以該第一接觸部641與該第二接觸部642間的垂直段差為柵極絕緣層以及第ニ金屬層的高度。所以第一接觸部與第二接觸部間的距離不再只是水平距離，而是大于該水平距離，如此ー來使第一接觸部641 與第二接觸部642間的距離拉長，從而減少了發(fā)生相鄰接觸部側(cè)向?qū)▎栴}的幾率。圖12是本發(fā)明接觸電路的第五實施例平面圖，在此圖12中，是顯示接觸電路的區(qū)域布線，其中該接觸電路區(qū)域布線包含有第一接觸電路851以及第二接觸電路852，該第一接觸電路851和該第二接觸電路852是相互間隔設(shè)置的，即第一接觸電路851和第二接觸電路852是彼此相鄰的，其中在該第一接觸電路851上只設(shè)置有ー個第一接觸部651，在該第二接觸電路852上只設(shè)置有ー個第二接觸部652。而該第一接觸電路851以及該第二接觸電路852的一端連接至顯示單元內(nèi)的信號線，該些信號線為顯示面板上的數(shù)據(jù)線或柵極線，其另一端則連接信號驅(qū)動芯片，該信號驅(qū)動芯片主要為輸出驅(qū)動信號到數(shù)據(jù)線或柵極線以驅(qū)動顯示単元。接續(xù)上述，請同時參照圖12及圖13，圖13是是本發(fā)明接觸電路的第五實施例 A-A'的截面圖。在此第一截面圖中主要顯示了第一接觸部651及第ニ接觸部652的截面圖，其中該第一接觸部651為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板550上設(shè)置ー第一金屬層 551，該第一金屬層551上設(shè)置ー第一接觸孔751，而該第一接觸孔751的形成是通過蝕刻在柵極絕緣層552以及保護層555形成了一孔洞并曝露出第一金屬層551，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第一接觸部651 ；其中該第二接觸部652為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板550上先形成ー柵極絕緣層552，在該柵極絕緣層552上形成一非晶硅533，在該非晶硅 533上接著設(shè)置ー第二金屬層554，該第二金屬層5M上設(shè)置ー第二接觸孔752，而該第二接觸孔752的形成是通過蝕刻在該保護層555形成了一孔洞并曝露出第二金屬層552，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第二接觸部652 ；其中第一接觸電路851上設(shè)置的是第一接觸部 651，第二接觸電路852上設(shè)置的是第二接觸部652。以下再次詳述本實施例，該第一接觸電路851以及第二接觸電路852是設(shè)置在陣列基板550上的，其中該接觸電路可以與顯示區(qū)域的薄膜電晶體同時形成。然而，位于第一接觸電路851上的第一接觸部651為透明電極層，該透明電極層位于第一金屬層551上，該透明電極層是通過第一接觸孔751與第一金屬層551相接觸的，該第一接觸孔751是通過蝕刻柵極絕緣層552以及保護層555形成的，在本實施例中第一接觸部651的面積等于或小于第一接觸孔751的面積。而位于第二接觸電路851上的第二接觸部652為透明電極層，該透明電極層位于第二金屬層5M上，其中該第 ニ金屬層5M位于非晶硅層533上。該第二接觸部652是通過第二接觸孔752與第二金屬層5M相接觸，第二接觸孔752是通過蝕刻保護層555形成的，同樣第二接觸部652的面積是等于或小于第二接觸孔752的面積的。由于該第一接觸部651與該第二接觸部652均為透明電極層所以該第一接觸部651與該第二接觸部652間的垂直段差為柵極絕緣層、非晶硅層以及第ニ金屬層的高度之和。所以第一接觸部與第二接觸部間的距離不再只是水平距離，而是大于該水平距離，如此ー來使第一接觸部651與第二接觸部652間的距離拉長，從而減少了發(fā)生相鄰接觸部側(cè)向?qū)▎栴}的幾率。圖14是本發(fā)明接觸電路的第六實施例平面圖，在此圖14中，是顯示接觸電路的區(qū)域布線，其中該接觸電路區(qū)域布線包含有第一接觸電路861以及第二接觸電路862，該第一接觸電路861和該第二接觸電路862是相互間隔設(shè)置的，即第一接觸電路861和第二接觸電路862是彼此相鄰的，其中在該第一接觸電路861上只設(shè)置有ー個第一接觸部661，在該第二接觸電路862上只設(shè)置有ー個第二接觸部662。而該第一接觸電路861以及該第二接觸電路862的一端連接至顯示單元內(nèi)的信號線，該些信號線為顯示面板上的數(shù)據(jù)線或柵極線，其另一端則連接信號驅(qū)動芯片，該信號驅(qū)動芯片主要為輸出驅(qū)動信號到數(shù)據(jù)線或柵極線以驅(qū)動顯示単元。接續(xù)上述，請同時參照圖14及圖15，圖15是是本發(fā)明接觸電路的第六實施例 A-A'的截面圖。在此第二截面圖中主要顯示了第一接觸部661及第ニ接觸部662的截面圖，其中該第一接觸部661為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板560上設(shè)置ー第一金屬層 561，該第一金屬層561上設(shè)置ー第一接觸孔761，而該第一接觸孔761的形成是通過蝕刻在保護層565形成了一孔洞并曝露出第一金屬層561，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第一接觸部661 ；需要說明的是，在習(xí)知的制程中圖案化第一金屬層541后，會沉積柵極絕緣層 562，該柵極絕緣層562是不需要進行圖案化，而在本實施例中，該柵極絕緣層562需要進行圖案化以曝露出部分第一金屬層561。其中該第二接觸部662為透明電極層，主要構(gòu)成是在陣列基板560上先形成ー柵極絕緣層562，在該柵極絕緣層562上形成設(shè)置ー第二金屬層564，該第二金屬層564上設(shè)置ー第二接觸孔762，而該第二接觸孔762的形成是通過蝕刻在該保護層565形成了一孔洞并曝露出第二金屬層562，最后再設(shè)置一透明電極層作為該第二接觸部662 ；其中第一接觸電路851上設(shè)置的是第一接觸部661，第二接觸電路852 上設(shè)置的是第二接觸部662。以下再次詳述本實施例，該第一接觸電路851以及第二接觸電路852是設(shè)置在陣列基板560上的，其中該接觸電路可以與顯示區(qū)域的薄膜電晶體同時形成。然而，位于第一接觸電路851上的第一接觸部661為透明電極層，該透明電極層位于第一金屬層561上，該透明電極層是通過第一接觸孔761與第一金屬層561相接觸的，該第一接觸孔761是通過蝕刻保護層565形成的，在本實施例中第一接觸部661的面積等于或小于第一接觸孔761的面積。而位于第二接觸電路851上的第二接觸部662為透明電極層，該透明電極層位于第二金屬層564上，其中該第二金屬層564位于柵極絕緣層565上。該第 ニ接觸部662是通過第二接觸孔762與第二金屬層564相接觸，第二接觸孔762是通過蝕刻保護層565形成的，同樣第二接觸部662的面積是等于或小于第二接觸孔762的面積的。 由于該第一接觸部661與該第二接觸部662均為透明電極層所以該第一接觸部661與該第ニ接觸部662間的垂直段差為柵極絕緣層以及第ニ金屬層的高度之和。所以第一接觸部與第二接觸部間的距離不再只是水平距離，而是大于該水平距離，如此ー來使第一接觸部661 與第二接觸部662間的距離拉長，從而減少了發(fā)生相鄰接觸部側(cè)向?qū)▎栴}的幾率。圖16是本發(fā)明接觸電路的第七實施例平面圖，在此圖16中，是顯示接觸電路的區(qū)域布線，其中該接觸電路區(qū)域布線包含有第一接觸電路871以及第二接觸電路872，該第一接觸電路871和該第二接觸電路872是相互間隔設(shè)置的，即第一接觸電路871和第二接觸電路872是彼此相鄰的，其中在該第一接觸電路871的上半部分設(shè)置有復(fù)數(shù)第一接觸部 671，其下半部分設(shè)置復(fù)數(shù)個第二接觸部672，在該第二接觸電路872的上半部分設(shè)置有復(fù)數(shù)第二接觸部672，其下半部分設(shè)置復(fù)數(shù)個第一接觸部671。而該第一接觸電路871以及該第二接觸電路872的一端連接至顯示單元內(nèi)的信號線，該些信號線為顯示面板上的數(shù)據(jù)線或柵極線，其另一端則連接信號驅(qū)動芯片，該信號驅(qū)動芯片主要為輸出驅(qū)動信號到數(shù)據(jù)線或柵極線以驅(qū)動顯示單元。接續(xù)上述，請同時參照圖16及圖17，圖17是本發(fā)明接觸電路的第七實施例A-A’ 的截面圖。在此截面圖中主要顯示了第一接觸部671及第ニ接觸部672的截面圖，其中該第一接觸部671為第一金屬層，主要構(gòu)成是在陣列基板570上設(shè)置ー第一金屬層作為第一接觸部671，該第一金屬層上設(shè)置一第一接觸孔771，而該第一接觸孔771的形成是通過蝕刻在柵極絕緣層572以及保護層575形成了一孔洞并曝露出第一金屬層作為第一接觸部671 ； 其中該第二接觸部672為第二金屬層，主要構(gòu)成是在陣列基板570上先形成ー柵極絕緣層 572，在該柵極絕緣層572上設(shè)置ー第二金屬層作為第二接觸部672，該第二金屬層上設(shè)置一第二接觸孔772，而該第二接觸孔772的形成是通過蝕刻在該保護層575形成了一孔洞并曝露出第二金屬層作為第一接觸部671 ；其中第一接觸電路871上半部分以及第二接觸電路872下半部分上設(shè)置的是第一接觸部671，第一接觸電路871下半部分以及第二接觸電路 872上半部分上設(shè)置的是第二接觸部672。以下再次詳述本實施例，該第一接觸電路871以及第ニ接觸電路872是設(shè)置在陣列基板570上的，其中該接觸電路可以與顯示區(qū)域的薄膜電晶體同時形成。然而，位于第一接觸電路871上半部分以及第二接觸電路872下半部分的第一接觸部671為第一金屬層，該第一金屬層是通過第一接觸孔771曝露的，該第一接觸孔771是通過蝕刻柵極絕緣層572以及保護層575形成的，在本實施例中第一接觸部671 的面積等于或小于第一接觸孔771的面積。而位于第一接觸電路871下半部分以及第二接觸電路872上半部分的第二接觸部672為第二金屬層，該第二接觸部672是通過第二接觸孔772曝露的，該第二接觸孔772是通過蝕刻保護層575形成的，同樣第二接觸部672的面積是等于或小于第二接觸孔772的面積的。由于該第一接觸部671與該第二接觸部672分別為第一金屬層以及第ニ金屬層，所以該第一接觸部671與該第二接觸部672間的垂直段差為柵極絕緣層的高度。所以第一接觸部與第二接觸部間的距離不再只是水平距離，而是大于該水平距離，如此ー來使第一接觸部671與第二接觸部672間的距離拉長，從而減少了發(fā)生相鄰接觸部側(cè)向?qū)▎栴}的幾率。圖18是本發(fā)明接觸電路的第八實施例平面圖，在此圖18中，是顯示接觸電路的區(qū)域布線，其中該接觸電路區(qū)域布線包含有第一接觸電路881以及第二接觸電路882，該第一接觸電路881和該第二接觸電路882是相互間隔設(shè)置的，即第一接觸電路881和第二接觸電路882是彼此相鄰的，其中在該第一接觸電路881的上半部分設(shè)置有復(fù)數(shù)第一接觸部681，在該第二接觸電路872的下半部分設(shè)置復(fù)數(shù)個第二接觸部682。而該第一接觸電路881 以及該第二接觸電路882的一端連接至顯示單元內(nèi)的信號線，該些信號線為顯示面板上的數(shù)據(jù)線或柵極線，其另一端則連接信號驅(qū)動芯片，該信號驅(qū)動芯片主要為輸出驅(qū)動信號到數(shù)據(jù)線或柵極線以驅(qū)動顯示單元。接續(xù)上述，請同時參照圖18及圖19，圖19是本發(fā)明接觸電路的第八實施例A-A’ 的截面圖。在此截面圖中主要顯示了第一接觸部681及第ニ接觸部682的截面圖，其中該第一接觸部681為第一金屬層，主要構(gòu)成是在陣列基板580上設(shè)置ー第一金屬層作為第一接觸部681，該第一金屬層上設(shè)置一第一接觸孔781，而該第一接觸孔781的形成是通過蝕刻在柵極絕緣層582以及保護層585形成了一孔洞并曝露出第一金屬層作為第一接觸部 681 ；其中該第二接觸部682為第二金屬層，主要構(gòu)成是在陣列基板580上先形成一柵極絕緣層582，在該柵極絕緣層582上形成一非晶硅583，在該非晶硅583上接著設(shè)置ー第二金屬層作為第二接觸部682，該第二金屬層上設(shè)置一第二接觸孔782，而該第二接觸孔782的形成是通過蝕刻在該保護層585形成了一孔洞并曝露出第二金屬層作為第一接觸部681 ； 其中第一接觸電路881上半部分設(shè)置的是第一接觸部681，第二接觸電路882下半部分上設(shè)置的是第二接觸部682。以下再次詳述本實施例，該第一接觸電路881以及第二接觸電路882是設(shè)置在陣列基板580上的，其中該接觸電路可以與顯示區(qū)域的薄膜電晶體同時形成。然而，位于第一接觸電路881上半部分以及第二接觸電路882下半部分的第一接觸部 681為第一金屬層，該第一金屬層是通過第一接觸孔781曝露的，該第一接觸孔781是通過蝕刻柵極絕緣層582以及保護層585形成的，在本實施例中第一接觸部681的面積等于或小于第一接觸孔781的面積。而位于第二接觸電路882下半部分的第二接觸部682為第二金屬層，該第二接觸部682是通過第二接觸孔782曝露的，該第二接觸孔782是通過蝕刻保護層585形成的，同樣第二接觸部682的面積是等于或小于第二接觸孔782的面積的。由于該第一接觸部681與該第二接觸部682分別為第一金屬層以及第ニ金屬層，所以該第一接觸部681與該第二接觸部682間的垂直段差為柵極絕緣層582以及非晶硅層583的高度。所以第一接觸部與第二接觸部間的距離不再只是水平距離，而是大于該水平距離，如此一來使第一接觸部681與第二接觸部682間的距離拉長，從而減少了發(fā)生相鄰接觸部側(cè)向?qū)▎栴}的幾率。在上述實施例中，僅對本發(fā)明進行了示范性描述，上述各種接觸部可以任意組合使用，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀本專利申請后可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下對本發(fā)明進行各種修改。
權(quán)利要求
1.ー種接觸電路，該接觸電路一端連接顯示面板內(nèi)的信號線，另一端連接信號驅(qū)動芯片，該接觸電路包含復(fù)數(shù)條第一接觸電路，其上設(shè)置第一接觸部；復(fù)數(shù)條第二接觸電路，與該第一金屬線相互間隔，其上設(shè)置第二接觸部； 該第一接觸部與該第二接觸部存在垂直段差。
2.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該顯示面板為液晶顯示面板，該信號線為數(shù)據(jù)線和柵極線。
3.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該第一接觸電路上設(shè)置復(fù)數(shù)個第一接觸部。
4.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該第二接觸電路上設(shè)置復(fù)數(shù)個第二接觸部。
5.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該第一接觸部為透明電極層，該透明電極層通過第一接觸孔與第一金屬層相接觸。
6.如權(quán)利要求5所述的接觸電路，其中該第一接觸孔通過蝕刻柵極絕緣層以及保護層形成。
7.如權(quán)利要求5所述的接觸電路，其中該第一接觸孔通過蝕刻保護層形成。
8.如權(quán)利要求5所述的接觸電路，其中該透明電極層的面積大于該第一接觸孔的面積。
9.如權(quán)利要求5所述的接觸電路，其中該透明電極層的面積小于或等于該第一接觸孔的面積。
10.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該第二接觸部為透明電極層，該透明電極層通過第二接觸孔與第二金屬層相接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的接觸電路，其中該第一接觸孔通過蝕刻保護層形成。
12.如權(quán)利要求10所述的接觸電路，其中該透明電極層的面積大于該第一接觸孔的面積。
13.如權(quán)利要求10所述的接觸電路，其中該透明電極層的面積小于或等于該第一接觸孔的面積。
14.如權(quán)利要求10所述的接觸電路，其中該第二金屬層位于非晶硅層上。
15.如權(quán)利要求10所述的接觸電路，其中該第二金屬層位于柵極絕緣層。
16.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該第一接觸電路的上半部分設(shè)置ー個第一接觸部，該第一接觸電路的上半部分靠近該驅(qū)動信號。
17.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該第二接觸電路的下半部分設(shè)置ー個第二接觸部，該第二接觸電路的下半部分靠近該顯示面板內(nèi)的信號線。
18.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該垂直段差為柵極絕緣層、非晶硅層以及第ニ 金屬層的高度之和。
19.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該垂直段差為柵極絕緣層以及第ニ金屬層的高度之和。
20.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該第一接觸部為第一金屬層。
21.如權(quán)利要求20所述的接觸電路，其中該第一接觸部通過第一接觸孔曝露。
22.如權(quán)利要求21所述的接觸電路，其中該第一接觸孔通過蝕刻柵極絕緣層以及保護層形成。
23.如權(quán)利要求21所述的接觸電路，其中該第一接觸孔通過蝕刻柵極絕緣層形成。
24.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該第二接觸部為第二金屬層。
25.如權(quán)利要求M所述的接觸電路，其中該第二接觸部通過第二接觸孔曝露。
26.如權(quán)利要求25所述的接觸電路，其中該第二接觸孔通過保護層形成。
27.如權(quán)利要求M所述的接觸電路，其中該第二金屬層位于非晶硅層上。
28.如權(quán)利要求M所述的接觸電路，其中該第二金屬層位于柵極絕緣層。
29.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該垂直段差為柵極絕緣層的高度。
30.如權(quán)利要求1所述的接觸電路，其中該垂直段差為柵極絕緣層以及非晶硅層的高
全文摘要
本發(fā)明提供一種接觸電路，該接觸電路一端連接顯示面板內(nèi)的信號線，另一端通過各向異性導(dǎo)電膜連接驅(qū)動芯片，該接觸電路包含復(fù)數(shù)條第一接觸電路，其上設(shè)置第一接觸部；復(fù)數(shù)條第二接觸電路，與該第一接觸電路相互間隔，其上設(shè)置第二接觸部，該第一接觸部與該第二接觸部存在垂直段差。由于第一接觸電路上的第一接觸部與第二接觸電路上的第二接觸部的距離拉長，所以能有效減少發(fā)生相鄰接觸墊側(cè)向?qū)▎栴}的幾率。
文檔編號G02F1/13GK102566099SQ20121000708
公開日2012年7月11日 申請日期2012年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月11日
發(fā)明者王明宗 申請人:深超光電(深圳)有限公司