專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)于一種高穿透率及可有效控制電容耦合效應(yīng)的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在垂直配向(vertical alignment, VA)的廣視角技術(shù)中，液晶分子在其不同相位交界處的效率不佳，致整體面板的穿透率下降；另外，在半導(dǎo)體工藝中由于金屬走線是不透光的，亦會導(dǎo)致面板穿透率下降；一般而言，在像素電極的設(shè)計上會最佳化穿透率，例如將液晶效率不佳的面積減少是設(shè)計者的共識，但，此動作往往帶來光學(xué)品味上的問題，例如:電容耦合效應(yīng)過大，產(chǎn)生串音現(xiàn)象，或是正負(fù)半周電壓對稱性過差，致制造生產(chǎn)難度提升，良率下降，以及產(chǎn)品信賴性不佳等?！盕eedthrough”是晶體管由元件打開至元件關(guān)閉時所產(chǎn)生的電容稱合效應(yīng)，因電壓是由高至低(以CMI公司為例)，因此，耦合方向是將像素電極的電壓向下拉扯；液晶分子會在正負(fù)半周的交流狀態(tài)下驅(qū)動，目的是為防止液晶分子極化而失去原本特性；此時，若feedthrough過大會使正負(fù)半周對稱性變差,進(jìn)而衍生出制造上及光學(xué)品味上的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實施例，提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括:一第一次像素列，包括多個次像素，電性連接于一第一掃描線；以及一第二次像素列，包括多個次像素，其中該第一掃描線通過該第二次像素列的所述次像素中的一區(qū)域。該第一次像素列與該第二次像素列的所述次像素為矩形、菱形或多邊形。該第一次像素列的所述次像素包括紅色、藍(lán)色或綠色次像素其中之一或其組合。該第二次像素列的所述次像素包括紅色、藍(lán)色或綠色次像素其中之一或其組合。該第一掃描線通過該第二次像素列的所述次像素中的該區(qū)域?qū)?yīng)至一液晶暗紋區(qū)。該第二次像素列的所述次像素分別設(shè)置于該第一次像素列的所述次像素之間，以使該第一次像素列的所述次像素與該第二次像素列的所述次像素呈錯位排列態(tài)樣。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)更包括多條第一信號線，通過該第一次像素列的所述次像素中的一區(qū)域。所述第一信號線通過該第一次像素列的所述次像素中的該區(qū)域?qū)?yīng)至一液晶暗紋區(qū)。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)更包括多條第二信號線，通過該第二次像素列的所述次像素中的一區(qū)域。所述第二信號線通過該第二次像素列的所述次像素中的該區(qū)域?qū)?yīng)至一液晶暗紋區(qū)。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)更包括多條共用電極，設(shè)置于該第一次像素列與該第二次像素列的所述次像素的邊緣。所述共用電極呈鋸齒狀或凹凸?fàn)?。該第一掃描線通過該第一次像素列的所述次像素的邊緣，并與所述第一信號線垂直。該第一掃描線通過該第二次像素列的所述次像素的中心位置。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)更包括多個驅(qū)動元件，其中每一驅(qū)動元件同時控制一條第一信號
線與一條第二信號線。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)更包括多個驅(qū)動晶體管，其中所述驅(qū)動晶體管電性連接于該第一次像素列的所述次像素，并設(shè)置于該第二次像素列的兩相鄰次像素之間。本發(fā)明利用相鄰(不同列)次像素的錯位排列使例如第一次像素列的掃描線(scan line)得以埋藏于例如第二次像素列中對應(yīng)至液晶暗紋的區(qū)域，此作法即是將不透光的金屬走線(例如掃描線及信號線)與液晶效率差的液晶暗紋作結(jié)合，而達(dá)到最大化穿透率的目的，同時，因例如第二次像素列的像素電極(ITO)所跨過的走線為例如第一次像素列的掃描線，因此，電容耦合效應(yīng)C’feedthrough”)不會增加，明顯降低了現(xiàn)有技術(shù)為使穿透率最大化而伴隨產(chǎn)生的副作用。為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，作詳細(xì)說明如下:


圖1A是根據(jù)本發(fā)明的一實施例，揭露一種像素結(jié)構(gòu)的上視圖；圖1B是根據(jù)本發(fā)明的一實施例，揭露一種像素結(jié)構(gòu)的上視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的一實施例，揭露一種像素結(jié)構(gòu)的上視圖；圖3A是根據(jù)本發(fā)明的一實施例，揭露一種像素結(jié)構(gòu)的上視圖；以及圖3B是根據(jù)本發(fā)明的一實施例，揭露一種像素結(jié)構(gòu)的上視圖。附圖標(biāo)號:10、100 像素結(jié)構(gòu)；12、120 第一次像素列；14、140 第二次像素列；15 第三次像素列；16、20、160、200、21、23、25 次像素；I7 第四次像素列；18、180 第一掃描線；19 第五次像素列；22、220 次像素的邊緣；24、28、240、280 次像素的中心位置；26,260 第一信號線；26’、260’ 第二信號線；30、300 共用電極；32 驅(qū)動元件；
34、340 驅(qū)動晶體管；B 藍(lán)色次像素；G 綠色次像素；R 紅色次像素。
具體實施例方式請參閱圖1A，根據(jù)本發(fā)明的一實施例，說明一種像素結(jié)構(gòu)。像素結(jié)構(gòu)10包括一第一次像素列12與一第二次像素列14。第一次像素列12包括多個次像素16，電性連接于一第一掃描線18。第二次像素列14包括多個次像素20。值得注意的是，第一掃描線18通過第二次像素列14的次像素20中的一區(qū)域，例如第一掃描線18通過第二次像素列14的次像素20的中心位置24。在此實施例中，第一次像素列12與第二次像素列14的次像素16、20為菱形。然而，本發(fā)明并不限定于此，在其他實施例中，第一次像素列12與第二次像素列14的次像素
16、20亦可為矩形或多邊形。請參閱圖1B，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，說明一種像素結(jié)構(gòu)。像素結(jié)構(gòu)100包括一第一次像素列120與一第二次像素列140。第一次像素列120包括多個次像素160，電性連接于一第一掃描線180。第二次像素列140包括多個次像素200。值得注意的是，第一掃描線180通過第二次像素列140的次像素200中的一區(qū)域，例如第一掃描線180通過第二次像素列140的次像素200的中心位置240。在此實施例中，第一次像素列120與第二次像素列140的次像素160、200為矩形。接著，請參閱圖3A至圖3B，第一次像素列12的次像素16可包括紅色、藍(lán)色與綠色次像素的組合，例如紅色次像素R、藍(lán)色次像素B與綠色次像素G以橫向排列(如圖3A所示)。同樣地，第二次像素列14的次像素20亦可包括紅色、藍(lán)色與綠色次像素的組合，例如紅色次像素R、藍(lán)色次像素B與綠色次像素G以橫向排列(如圖3A所示)。此外，請參閱圖3B,第一次像素列12的次像素16亦可包括紅色、藍(lán)色或綠色次像素其中之一,例如紅色次像素R，第二次像素列14的次像素20亦可包括紅色、藍(lán)色或綠色次像素其中之一,例如綠色次像素G,第三次像素列15的次像素21可包括紅色、藍(lán)色或綠色次像素其中之一,例如藍(lán)色次像素B,第四次像素列17的次像素23可包括紅色、藍(lán)色或綠色次像素其中之一,例如紅色次像素R，第五次像素列19的次像素25可包括紅色、藍(lán)色或綠色次像素其中之一,例如綠色次像素G,使得例如紅色次像素16 (R)、藍(lán)色次像素21 (B)與綠色次像素25 (G)以例如縱向的方式排列。值得注意的是，第一掃描線18通過第二次像素列14的次像素20中的區(qū)域可對應(yīng)至一液晶暗紋區(qū)。此處所指的液晶暗紋區(qū)是由于位在不同液晶排列方向區(qū)域交界的液晶無法因應(yīng)電場而正確排列所致。此外，由圖1A可看出，第二次像素列14的次像素20分別設(shè)置于第一次像素列12的次像素16之間，以使第一次像素列12的次像素16與第二次像素列14的次像素20呈錯位排列態(tài)樣。此外，仍請參閱圖1A，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)10更包括多條第一信號線26，通過第一次像素列12的次像素16中對應(yīng)至一液晶暗紋區(qū)的區(qū)域，例如第一信號線26通過第一次像素列12的次像素16的中心位置28。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)10更包括多條第二信號線26’，通過第二次像素列14的次像素20中對應(yīng)至一液晶暗紋區(qū)的區(qū)域，例如第二信號線26’通過第二次像素列14的次像素20的中心位置24。值得注意的是，第一掃描線18通過第一次像素列12的次像素16的邊緣22，并與第一信號線26垂直。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)10更包括多條共用電極30，設(shè)置于第一次像素列12與第二次像素列14的次像素16、20的邊緣，例如共用電極30呈鋸齒狀(zigzag)分布態(tài)樣，如圖1A所
/Jn ο本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)10更包括多個驅(qū)動晶體管34，電性連接于第一次像素列12的次像素16，并設(shè)置于第二次像素列14的兩相鄰次像素(20、20)之間。在另一實施例中，請參閱圖1B，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100更包括多條第一信號線260，通過第一次像素列120的次像素160中對應(yīng)至一液晶暗紋區(qū)的區(qū)域，例如第一信號線260通過第一次像素列120的次像素160的中心位置280。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100更包括多條第二信號線260’，通過第二次像素列140的次像素200中對應(yīng)至一液晶暗紋區(qū)的區(qū)域，例如第二信號線260’通過第二次像素列140的次像素200的中心位置240。值得注意的是，第一掃描線180通過第一次像素列120的次像素160的邊緣220，并與第一信號線260垂直。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100更包括多條共用電極300，設(shè)置于第一次像素列120與第二次像素列140的次像素160、200的邊緣，例如共用電極300呈凹凸?fàn)罘植紤B(tài)樣，如圖1B所示。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)100更包括多個驅(qū)動晶體管340，電性連接于第一次像素列120的次像素160，并設(shè)置于第二次像素列140的兩相鄰次像素(200、200)之間。此外，請參閱圖2，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)10更包括多個驅(qū)動元件32，值得注意的是，每一驅(qū)動兀件32可同時控制一條第一信號線26與一條第二信號線26’。本發(fā)明利用相鄰(不同列)次像素的錯位排列使例如第一次像素列的掃描線(scan line)得以埋藏于例如第二次像素列中對應(yīng)至液晶暗紋的區(qū)域，此作法即是將不透光的金屬走線(例如掃描線及信號線)與液晶效率差的液晶暗紋作結(jié)合，而達(dá)到最大化穿透率的目的，同時，因例如第二次像素列的像素電極(ITO)所跨過的走線為例如第一次像素列的掃描線，因此，電容耦合效應(yīng)C’feedthrough”)不會增加，明顯降低了現(xiàn)有技術(shù)為使穿透率最大化而伴隨產(chǎn)生的副作用。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)包括: 一第一像素列，包括多個像素，電性連接于一第一掃描線；以及 一第二像素列，包括多個像素，其中所述第一掃描線通過所述第二次像素列的所述像素中的一區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一像素列與所述第二像素列的所述次像素為矩形、菱形或多邊形。
3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一像素列的所述像素包括紅色、藍(lán)色或綠色像素其中之一或其組合。
4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二像素列的所述像素包括紅色、藍(lán)色或綠色像素其中之一或其組合。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一掃描線通過所述第二像素列的所述像素中的所述區(qū)域?qū)?yīng)至一液晶暗紋區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二像素列的所述像素分別設(shè)置于所述第一像素列的所述像素之間，以使所述第一像素列的所述像素與所述第二像素列的所述像素呈錯位排列態(tài)樣。
7.如權(quán)利要求1所 述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)更包括多條第一信號線，通過所述第一像素列的所述像素中的一區(qū)域。
8.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一信號線通過所述第一像素列的所述像素中的所述區(qū)域?qū)?yīng)至一液晶暗紋區(qū)。
9.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)更包括多條第二信號線，通過所述第二像素列的所述像素中的一區(qū)域。
10.如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二信號線通過所述第二像素列的所述像素中的所述區(qū)域?qū)?yīng)至一液晶暗紋區(qū)。
11.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)更包括多條共用電極，設(shè)置于所述第一像素列與所述第二像素列的所述像素的邊緣。
12.如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述共用電極呈鋸齒狀或凹凸?fàn)睢?br> 13.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一掃描線通過所述第一像素列的所述像素的邊緣，并與所述第一信號線垂直。
14.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一掃描線通過所述第二像素列的所述像素的中心位置。
15.如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)更包括多個驅(qū)動元件，其中每一驅(qū)動元件同時控制一條第一信號線與一條第二信號線。
16.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)更包括多個驅(qū)動晶體管，其中所述驅(qū)動晶體管電性連接于所述第一像素列的所述像素，并設(shè)置于所述第二像素列的兩相鄰像素之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，包括一第一次像素列，包括多個次像素，電性連接于一第一掃描線；以及一第二次像素列，包括多個次像素，其中該第一掃描線通過該第二次像素列的所述次像素中的一區(qū)域。本發(fā)明利用相鄰次像素的錯位排列使例如第一次像素列的掃描線得以埋藏于例如第二次像素列中對應(yīng)至液晶暗紋的區(qū)域，此作法即是將不透光的金屬走線與液晶效率差的液晶暗紋作結(jié)合，而達(dá)到最大化穿透率的目的，同時，因例如第二次像素列的像素電極所跨過的走線為例如第一次像素列的掃描線，因此，電容耦合效應(yīng)不會增加，明顯降低了現(xiàn)有技術(shù)為使穿透率最大化而伴隨產(chǎn)生的副作用。
文檔編號G02F1/1333GK103217842SQ20121001908
公開日2013年7月24日 申請日期2012年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月20日
發(fā)明者宋立偉, 王忠益, 汪安昌, 謝燿聯(lián) 申請人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司