專利名稱：用于對準(zhǔn)或重疊的標(biāo)記結(jié)構(gòu)，限定它的掩模圖案及使用該掩模圖案的光刻投影裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種如權(quán)利要求1前序部分限定的用于對準(zhǔn)或重疊的掩模圖案。此外，本發(fā)明涉及一種由這種掩模圖案形成的標(biāo)記結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明涉及一種使用標(biāo)記結(jié)構(gòu)的光刻投影裝置。
背景技術(shù)：
本發(fā)明發(fā)現(xiàn)一種在光刻投影裝置領(lǐng)域的應(yīng)用，該光刻投影裝置包括用于提供輻射投射光束的輻射系統(tǒng)，用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖部件用于根據(jù)所需的圖案對投射光束進(jìn)行構(gòu)圖，用于保持基底的基底臺；以及用于將帶圖案的光束投影到基底的目標(biāo)部分上的投射系統(tǒng)。
術(shù)語“構(gòu)圖部件”應(yīng)廣義地解釋為能夠給入射的輻射光束賦予帶圖案的截面的裝置，其中所述圖案與要在基底的目標(biāo)部分上形成的圖案一致；本文中也使用術(shù)語“光閥”。一般地，所述圖案與在目標(biāo)部分中形成的器件如集成電路或者其它器件的特定功能層相對應(yīng) (如下文)。這種構(gòu)圖部件的示例包括
-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二進(jìn)制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型。這種掩模在輻射光束中的布置使入射到掩模上的輻射能夠根據(jù)掩模上的圖案而選擇性地被透射(在透射掩模的情況下)或者被反射 (在反射掩模的情況下)。在使用掩模的情況下，支撐結(jié)構(gòu)一般是一個掩模臺，它能夠保證掩模被保持在入射輻射光束中的所需位置，并且如果需要該臺會相對光束移動。
-可編程反射鏡陣列。這種設(shè)備的一個例子是具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的基本原理是(例如)反射表面的已尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔?，而未尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔狻Ｓ靡粋€適當(dāng)?shù)臑V光器，從反射的光束中濾除所述非衍射光，只保留衍射光；按照這種方式，光束根據(jù)矩陣可尋址表面的定址圖案而產(chǎn)生圖案?？删幊谭瓷溏R陣列的另一實施例利用微小反射鏡的矩陣排列，通過使用適當(dāng)?shù)木植侩妶觯蛘咄ㄟ^使用壓電致動器裝置，使得每個反射鏡能夠獨立地關(guān)于一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此已尋址反射鏡以與未尋址反射鏡不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷?；按照這種方式，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對反射光束進(jìn)行構(gòu)圖。可以用適當(dāng)?shù)碾娮友b置進(jìn)行該所需的矩陣定址。在上面描述的兩種情況中，構(gòu)圖部件可以包括一個或多個可編程反射鏡陣列。這里提及的有關(guān)反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國專利 US5, 296，891 和 US5, 523，193，以及 PCT 專利申請 W098/38597 和 W098/33096 中獲得，這些文獻(xiàn)在這里引入作為參照。在使用可編程反射鏡陣列的情況下，所述支撐結(jié)構(gòu)可以體現(xiàn)4為例如框架或者工作臺，所述支撐結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的；以及
-可編程IXD陣列。在美國專利US5，229，872中給出了一個這種結(jié)構(gòu)的實例，它在這里引入作為參照。如上所述，在這種情況下支撐結(jié)構(gòu)可以體現(xiàn)為例如框架或者工作臺， 所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的。
為簡單起見，本文的其余部分在一定的情況下具體以掩模和掩模臺為例；可是，在這樣的例子中所討論的一般原理應(yīng)適用于上述更寬范圍的構(gòu)圖部件。
光刻投影裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件可產(chǎn)生對應(yīng)于IC 一個單獨層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑) 層的基底(硅晶片)的目標(biāo)部分上(例如包括一個或者多個管芯(die))。一般地，單一的晶片將包含相鄰目標(biāo)部分的整個網(wǎng)格，該相鄰目標(biāo)部分由投影系統(tǒng)逐個相繼輻射。在目前采用掩模臺上的掩模進(jìn)行構(gòu)圖的裝置中，有兩種不同類型的機(jī)器。一類光刻投影裝置是，通過將全部掩模圖案一次曝光在目標(biāo)部分上而輻射每一目標(biāo)部分；這種裝置通常稱作晶片步進(jìn)器或步進(jìn)-重復(fù)裝置。另一種裝置(通常稱作步進(jìn)-掃描裝置)通過在投射光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺來輻射每一目標(biāo)部分；因為一般來說，投影系統(tǒng)有一個放大系數(shù)M(通常 < 1)，因此對基底臺的掃描速度V是對掩模臺掃描速度的M倍。關(guān)于如這里描述的光刻設(shè)備的更多信息可以從例如美國專利US6，046，792中獲得，該文獻(xiàn)這里作為參考引入。
在用光刻投影裝置的制造方法中，(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對基底進(jìn)行各種處理，如涂底漆，涂敷抗蝕劑和弱烘烤。在曝光后，可以對基底進(jìn)行其它的處理，如曝光后烘烤 (PEB)，顯影，強(qiáng)烘烤和測量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ)，對例如IC的器件的單層形成圖案。這種圖案層然后可進(jìn)行各種處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學(xué)-機(jī)械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那么對每一新層重復(fù)全部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸割技術(shù)將這些器件彼此分開，由此所得的單個器件可以安裝在載體上，與管腳等連接。關(guān)于這些處理的進(jìn)一步信息可從例如Peter van Zant的“微芯片制造半導(dǎo)體加工實踐入門(Microchip Fabrication :A Practical Guide to Semiconductor Processing)，，一書(第三版,McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中獲得，這里作為參考引入。
為了簡單起見，投影系統(tǒng)在下文稱為“透鏡”；可是，該術(shù)語應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)裝置，反射光學(xué)裝置，和反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計類型中任一設(shè)計的操作部件，該操作部件用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射投射光束，這種部件在下文還可共同地或者單獨地稱作“透鏡”。
另外，光刻裝置可以具有兩個或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)。在這種“多級式”器件中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。例如在US5，969，441和W098/40791中描述的二級光刻裝置，這里作為參考引入。
盡管在本文中可以具體結(jié)合在IC的制造中根據(jù)本發(fā)明的裝置的應(yīng)用，但是應(yīng)該明確理解這些裝置可能具有其它應(yīng)用。例如，它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、液晶顯示板、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換5的用途范圍中，在說明書中任何術(shù)語“分劃板”，“晶片”或者“管芯(die)”的使用應(yīng)認(rèn)為分別可以由更普通的術(shù)語“掩?！保盎住焙汀澳繕?biāo)部分”代替。
在本文件中，使用的術(shù)語“輻射”和“投射光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有365,248,193，157或者126nm的波長)和遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm的波長范圍)。
對于光刻處理應(yīng)該使更進(jìn)行處理的晶片與掩模上的掩模圖案盡可能精確地對準(zhǔn)以在基底上得到正確確定的特征，所有這些特征的尺寸應(yīng)該具有規(guī)定的容許偏差。為此光刻投影裝置包括晶片對準(zhǔn)組件，該晶片對準(zhǔn)組件可在給定(規(guī)定)的容許偏差范圍內(nèi)提供基底與掩模和掩模圖案對準(zhǔn)。典型地晶片對準(zhǔn)系統(tǒng)根據(jù)光學(xué)裝置進(jìn)行對準(zhǔn)。通過測量來自光學(xué)標(biāo)記的光響應(yīng)確定晶片的位置或晶片的一部分的位置，該光學(xué)標(biāo)記由光源照明例如光柵由激光束照明，該激光束從光柵衍射，并且由各自的傳感器測量一個或多個衍射級，該傳感器通常設(shè)置在參考平面上。利用傳感器的輸出能夠獲得晶片的位置(相對于參考平面)°
在現(xiàn)有技術(shù)中用于對準(zhǔn)的光學(xué)標(biāo)記包括具有周期的光柵，以適合于將具有一定波長并在可見光譜范圍內(nèi)的入射光衍射。一個示例性的光柵包括多條線和多個槽，其典型的周期是16 μ m,從而對于在可見光譜范圍內(nèi)的一個波長獲得有用的衍射圖案。為了從光柵獲得足夠的衍射光以及獲得很好確定的衍射最大值和最小值，該光柵必須包括最少數(shù)量的線和中間槽。對于這種類型的光柵沿周期結(jié)構(gòu)的方向的尺寸典型地是大約750 μ m。
光柵可以是相柵或者相位標(biāo)記，其考慮了在光柵的上表面散射光線的相位和在光柵的下表面散射光線的相位之間的相位差。
此外，光柵可以是振幅光柵，其只考慮相對于光柵的上或下表面沒有任何其它相位差的光柵的周期結(jié)構(gòu)。典型地，振幅光柵或振幅標(biāo)記包括多個第一和第二元件的周期結(jié)構(gòu)，這些元件具有相似的表面高度但是各自的反射系數(shù)不同。
沿整個生產(chǎn)線在微電子器件處理(或IC處理)過程中使用光學(xué)標(biāo)記。在生產(chǎn)線的前端(FEOL)，標(biāo)記用于在制造晶體管結(jié)構(gòu)中對準(zhǔn)。在隨后的階段在生產(chǎn)線的后端(BEOL)， 需要標(biāo)記用于金屬化結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)，例如連接線和通路。應(yīng)該注意在這兩種情況下標(biāo)記的集成度必須足夠高以滿足需要的對準(zhǔn)精度。
在基底的一些區(qū)域中存在有一種用于重疊控制的另外的標(biāo)記結(jié)構(gòu)，以控制抗蝕劑層(在曝光和顯影之后)中的掩模圖案與已經(jīng)在基底上的另一圖案重疊。已知的一種用于重疊控制的結(jié)構(gòu)是所謂的計量重疊目標(biāo)(盒中盒的或桿中桿的結(jié)構(gòu))，其包括第一結(jié)構(gòu)，該第一結(jié)構(gòu)包括4個作為組成部分的矩形塊，矩形塊的長沿著一假想正方形的一條邊布置， 以及與第一結(jié)構(gòu)相似但更小的第二結(jié)構(gòu)。為了確定在兩個連續(xù)層中圖案的重疊，將第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)中的一個限定在第一層中的圖案里，對于第二連續(xù)層將第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)中的另一個限定在抗蝕劑層中的圖案里。在使用過程中，通過檢測在第一和第二結(jié)構(gòu)中的各個矩形塊的邊緣確定第一和第二結(jié)構(gòu)的位置(即引力中心)。根據(jù)第一和第二結(jié)構(gòu)引力中心位置的差值，確定這兩個結(jié)構(gòu)的重疊。
在現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)認(rèn)識到為了適當(dāng)?shù)奶幚?，?biāo)記結(jié)構(gòu)的組成部分(該標(biāo)記結(jié)構(gòu)典型地包括與(部分的)器件特征相同的材料)最好是應(yīng)該具有與微電子器件特征的尺寸相似的尺寸，以避免在集成電路的處理過程中由尺寸導(dǎo)致的偏差，例如由于在反應(yīng)離子蝕6刻過程中的微負(fù)載效應(yīng)，這會在大標(biāo)記區(qū)域附近的器件結(jié)構(gòu)上發(fā)生，或者由于由結(jié)構(gòu)的化學(xué)-機(jī)械拋光(CMP)決定的尺寸。
US5, 917，205公開了一種基于電路圖案特征的光刻對準(zhǔn)標(biāo)記。利用許多子元件來模擬對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，這些子元件排列成使得其包絡(luò)面相應(yīng)于標(biāo)記結(jié)構(gòu)。此外，每個子元件的尺寸相應(yīng)于微電子器件的臨界特征尺寸?；旧希瑢?biāo)記尺寸導(dǎo)致的處理偏差的解決方案是通過將大的標(biāo)記“切分”成許多小尺寸的類似于器件(或“產(chǎn)品”)特征的子元件。
盡管結(jié)構(gòu)的處理偏差減小了，信號強(qiáng)度提高了，但是應(yīng)該注意特征的重疊和對準(zhǔn)還取決于投影系統(tǒng)的性質(zhì)。投影系統(tǒng)包括多個透鏡，每個透鏡都可能具有偏差。一般地這種偏差很小，但是由于要成像的器件特征隨著每個新器件的產(chǎn)生而變得更小，而像差的相互影響隨著每個新器件的產(chǎn)生而增大。
此外，圖象失真取決于實際的光路，光信號通過該光路穿過掩模圖案(與給定特征相關(guān))的開口，在入射到(涂覆有抗蝕劑)基底之前在投影系統(tǒng)中橫過。
由于取決于實際橫過的光路和掩模特征衍射光譜，已經(jīng)觀察到的成像特征的失真隨著掩模上特征的位置和特征類型而變化，這就是一般公知的圖案導(dǎo)致失真。
而且，小特征圖案的密度也會影響圖案導(dǎo)致失真的數(shù)量。對于在掩模圖案中心密集部分的失真與由在掩模圖案邊緣處不密集部分引起的失真不同。因此，對于重疊結(jié)構(gòu)測量的失真，例如在掩模圖案的外圓周的盒中盒目標(biāo)將與在掩模圖案的中心部分的失真不同。
典型地，掩模圖案的中心包括與半導(dǎo)體器件制造者相關(guān)的器件或產(chǎn)品。不利的是， 重疊控制不是那樣非常地有效器件具有的失真將不同于在重疊目標(biāo)或標(biāo)記結(jié)構(gòu)的位置上測量的失真。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種用于將標(biāo)記結(jié)構(gòu)成像的掩模圖案，其可降低透鏡像差的影響，和在光刻處理中光學(xué)投影界限的影響。
在如權(quán)利要求1的前序部分限定的掩模圖案中可以實現(xiàn)這個目的，該掩模圖案的特征在于沿垂直于光刻投影的掃描方向(S)的方向把組成部分分成分段元件(EL;ML)。
有利的是，這種分段布置極大地降低了沿掃描方向圖案引起的位移并沿該方向提高了重疊和對準(zhǔn)質(zhì)量。
在本發(fā)明的第二方面，在如權(quán)利要求2的前序部分限定的掩模圖案中可實現(xiàn)這個目的，該掩模圖案的特征在于用于標(biāo)記結(jié)構(gòu)的掩模圖案包括至少一個位于部段形狀的臨界部分的輔助特征(EL_sub)，用于在光刻投影中的臨界部分平衡光學(xué)像差或者產(chǎn)生的光學(xué)限制，該至少一個輔助特征(EL_sub)具有大體上小于光刻投影的分辨率的尺寸。
有利的是，該輔助特征產(chǎn)生對臨界部分的校正，否則由于透鏡像差將不能在表面層上正確地產(chǎn)生該臨界部分的校正。
該輔助特征的尺寸小于在光刻投影裝置中投影系統(tǒng)的分辨率，并且不會在光刻處理中產(chǎn)生另一個結(jié)構(gòu)元件。
在本發(fā)明的另一方面，其目的是提供一種掩模圖案，其具有與第二掩模圖案相同的用于“產(chǎn)品”的器件特征的圖案導(dǎo)致失真。7
在如權(quán)利要求4的前序部分限定的掩模圖案中可實現(xiàn)這個目的，該掩模圖案的特征在于
該至少一個輔助特征(EL_sub)定義為線狀部段，該線狀部段位于許多線狀部段 (EL)的臨界外邊緣附近。
通過使用目標(biāo)掩模圖案能夠?qū)崿F(xiàn)這個目的，在該目標(biāo)掩模圖案中重疊結(jié)構(gòu)的特征的節(jié)距類似于產(chǎn)品特征的節(jié)距，但是在該目標(biāo)掩模圖案中投影到圖像平面的圖象是純粹的計量重疊目標(biāo)結(jié)構(gòu)。因此根據(jù)第二實施方案的目標(biāo)掩模圖案因此包括多個分段元件EL，這些分段元件具有亞分辨率尺寸(即它們是不可打印的)，但是由于它們在投射中的節(jié)距可有利地形成計量重疊目標(biāo)的圖象。在本發(fā)明的第三方面，其目的是提供一種掩模圖案，該掩模圖案具有最小的圖案導(dǎo)致失真。
在如權(quán)利要求6的前序部分限定的掩模圖案中可實現(xiàn)這個目的，該掩模圖案的特征在于用于標(biāo)記結(jié)構(gòu)的掩模圖案包括多個隔離元件，這種隔離使得被投影的帶圖案光束大體上填充(fil)投影系統(tǒng)的小孔(AO)。
有利的是，在本發(fā)明的這個實施方案中的照明系統(tǒng)提供了在系統(tǒng)限制 (qualification)過程中使用的照明，該照明與通常為了生產(chǎn)目的而使用的照明不同。因此，光學(xué)上隔離的圖案結(jié)構(gòu)的照明的包絡(luò)面非常近似于覆蓋了投影系統(tǒng)的整個小孔，并降低了在系統(tǒng)限制過程中圖案導(dǎo)致失真的影響。
而且，本發(fā)明的一個目的是提供一種具有最小圖案導(dǎo)致失真的標(biāo)記結(jié)構(gòu)，用于光學(xué)對準(zhǔn)或重疊。
在由上述的掩模圖案產(chǎn)生的標(biāo)記結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)這個目的。
此外，本發(fā)明的一個目的是提供一種光刻投影裝置，其允許應(yīng)用上述的標(biāo)記結(jié)構(gòu)。
最后，本發(fā)明的一個目的是提供一種制造標(biāo)記結(jié)構(gòu)方法，以在由上述掩模圖案限定的光刻投影裝置中用于光學(xué)對準(zhǔn)或重疊。


下面，參考附圖對本發(fā)明進(jìn)行解釋，這僅僅是為了說明目的，并不是要限制在隨附的權(quán)利要求書中限定的保護(hù)范圍。
圖1表示根據(jù)本發(fā)明包括至少一個標(biāo)記結(jié)構(gòu)的光刻投影裝置；
圖2示意性地表示了一個投影系統(tǒng)；
圖3表示一個示例性的光瞳平面填充；
圖4示意性地表示用于包括小尺寸特征的結(jié)構(gòu)的圖案導(dǎo)致位移；
圖5表示用于圖案導(dǎo)致位移的具有減小的靈敏度的分段標(biāo)記結(jié)構(gòu)；
圖6示意性地表示通過“非對稱線縮短”用于分段線部分的線長度的變化；
圖7示意性地表示根據(jù)本發(fā)明第一實施方案用于對標(biāo)記結(jié)構(gòu)校正非對稱線縮短作用的第一掩模圖案；
圖8示意性地表示根據(jù)本發(fā)明第一實施方案用于對標(biāo)記結(jié)構(gòu)校正非對稱線縮短作用的第二掩模圖案；
圖9表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于重疊控制的標(biāo)記結(jié)構(gòu)；
圖10表示根據(jù)本發(fā)明第二實施方案用于重疊控制以校正圖案導(dǎo)致位移的標(biāo)記結(jié)構(gòu)；
圖11表示根據(jù)本發(fā)明第三實施方案用于重疊或?qū)?zhǔn)的標(biāo)記結(jié)構(gòu)的光瞳平面填充。
具體實施方式
-圖1示意性地表示了根據(jù)本發(fā)明一具體實施方案包括至少一個標(biāo)記結(jié)構(gòu)的光刻投影裝置1。該裝置包括
-輻射系統(tǒng)Ex，IL，用于提供輻射投射光束PB(例如UV輻射)。在這種具體的情況下，輻射系統(tǒng)也包括輻射源SO ；
-第一物體臺(掩模臺)MT，設(shè)有用于保持掩模MA(例如一個分劃板)的掩模保持器，并與用于將該掩模相對于元件PL精確定位的第一定位裝置(未示出)連接；
-第二物體臺(基底臺)WT，設(shè)有用于保持基底W(例如涂敷抗蝕劑的硅晶片)的基底保持器，并與用于將基底相對于元件PL精確定位的第二定位裝置PW連接；
-投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL，用于將掩模MA的輻射部分成像在基底W的目標(biāo)部分 C(例如包括一個或多個管芯(die))上。
如這里指出的，該裝置屬于透射型(即具有透射掩模)。可是，一般來說，它還可以是例如反射型(例如具有反射掩模)。可選擇地，該裝置可以利用其它種類的構(gòu)圖部件，如上述提及的可編程反射鏡陣列型。
光源SO(例如汞燈或受激準(zhǔn)分子激光器)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或在橫穿過如擴(kuò)束器Ex的調(diào)節(jié)裝置后，饋送到照明系統(tǒng)(照明器)IL上。照明器IL包括調(diào)節(jié)裝置AM， 用于設(shè)定光束強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為ο-外和ο-內(nèi))。另外，它一般包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。按照這種方式，照射到掩模MA上的光束 PB在其橫截面具有所需的均勻度和強(qiáng)度分布。
應(yīng)該注意，圖1中的輻射源SO可以置于光刻投影裝置的殼體中(例如常常是當(dāng)光源SO是汞燈的情況下)，但也可以遠(yuǎn)離光刻投影裝置，其產(chǎn)生的輻射光束被(例如通過合適的定向反射鏡的幫助)引導(dǎo)至該裝置中；當(dāng)光源SO是受激準(zhǔn)分子激光器時，經(jīng)常為后一方案。本發(fā)明和權(quán)利要求包含這兩種方案。
隨后光束PB與保持在掩模臺MT上的掩模MA相交。橫向穿過掩模MA后，光束PB 通過透鏡PL，該透鏡將光束PB聚焦在基底W的目標(biāo)部分C上。在第二定位裝置和干涉測量裝置的輔助下，基底臺WT可以精確地移動，以便例如在光束PB的光路中定位不同的目標(biāo)部分C。類似地，例如在從掩模庫中機(jī)械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置 (作用于掩模臺MT)將掩模MA相對光束PB的光路精確定位。一般地，在圖1中沒有明確示出的長沖程模塊(粗定位)和短沖程模塊(精定位)的輔助下，可以實現(xiàn)物體臺MT、WT的移動?？墒?，使用晶片步進(jìn)器(與步進(jìn)-掃描裝置相對)的情況下，掩模臺MT可僅僅與短沖程致動裝置連接，或者固定。可以使用掩模對準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和基底對準(zhǔn)標(biāo)記PI、P2將掩模MA和基底W對準(zhǔn)。
所示的裝置可以按照二種不同模使用
1.在步進(jìn)模式中，掩模臺MT基本保持不動，整個掩模圖像被一次投射(即單“閃”) 到目標(biāo)部分C上。然后基底臺WT沿χ和/或y方向移動，以使不同的目標(biāo)部分C能夠由光9束PB輻射；和
2.在掃描模式中，基本為相同的情況，但是給定的目標(biāo)部分C沒有暴露在單“閃” 中。取而代之的是，掩模臺MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向”，例如Y方向)以速度ν 移動，以使投射光束PB在掩模圖像上掃描；同時，基底臺WT沿相同或者相反的方向以速度 V = Mv同時移動，其中M是透鏡PL的放大率(通常M= 1/4或1/5)。在這種方式中，可以曝光相當(dāng)大的目標(biāo)部分C，而沒有犧牲分辨率。
干涉儀測量裝置通常包括光源例如激光器(未示出)，和一個或多個干涉儀，該干涉儀用于確定有關(guān)要測量的目標(biāo)例如基底或臺的一些信息。例如在圖1中示意性地示出了一個干涉儀IF。光源(激光器)產(chǎn)生計量(metrology)光束MB，通過一個或多個光束控制器使該光束通過干涉儀IF。在存在多個干涉儀的情況下，通過使用光學(xué)器件將計量光束分成多個獨立光束供給每個干涉儀，從而在這些干涉儀之間共用該計量光束MB。
在靠近基底臺WT的示例性位置示意性地示出了基底對準(zhǔn)系統(tǒng)MS，用于將臺WT上的基底與掩模臺T上的掩模對準(zhǔn)，且該基底對準(zhǔn)系統(tǒng)包括至少一個向基底上的標(biāo)記結(jié)構(gòu)產(chǎn)生光束的光源，和至少一個檢測來自該標(biāo)記結(jié)構(gòu)的光學(xué)信號的傳感器器件。應(yīng)該注意基底對準(zhǔn)系統(tǒng)MS的位置取決于設(shè)計條件，其可隨著光刻投影裝置的實際類型而變化。
圖2示意性地示出了用于如圖1所示的光刻投影裝置的投影系統(tǒng)PL。
該投影系統(tǒng)可示意性地表示為望遠(yuǎn)鏡。這種望遠(yuǎn)鏡包括至少兩個透鏡具有第一焦距π的第一透鏡Ll和具有第二焦距f2的第二透鏡L2。在該示例性望遠(yuǎn)鏡中第一和第二透鏡L1、L2是凸透鏡。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解用于光刻投影裝置的投影系統(tǒng)可以包括多個凸透鏡和凹透鏡。
在使用中，位于物面OFP即的第一目標(biāo)01在參考平面RP上成像為第一圖像IMl。 該第一物體01是第一幾何圖案部分，用于在參考平面RP中的基底上形成第一特征。該第一特征通常是一(部分)要形成的微電子器件，例如晶體管。典型地晶體管具有超微尺寸的橫向尺寸。相應(yīng)地，第一物體在掩模圖案中具有的橫向尺寸通過投影系統(tǒng)的放大系數(shù)M 放大。
由于第一物體01的(靜止的)有限小尺寸，經(jīng)過第一物體的掩模部分的光束僅橫向穿過投影系統(tǒng)PL的透鏡小孔的第一限定部分。這種作用由從01向圖象IMl延伸的光路表不。
同樣，第二物體02在基底平面上成像為IM2。在該實例中，第二物體02的尺寸類似于第一物體01的尺寸，其僅橫向穿過投影系統(tǒng)PL的透鏡小孔的第二限定部分。然而，由于第二物體在掩模圖案中的位置不同，使用的用于將第二物體02成像的投影系統(tǒng)PL的第二限定部分與用于將第一物體成像的第一限定部分也不同。由于透鏡像差隨著透鏡的位置而變化，因此第一物體01的圖象經(jīng)受的圖案導(dǎo)致失真與第二物體的圖象不同。
可以理解在掩模圖案上第一和第二物體之間的間距對于經(jīng)受圖案導(dǎo)致失真的第一和第二圖象的影響程度不同。當(dāng)?shù)谝缓偷诙矬w以相對靠近的距離設(shè)置時，投影系統(tǒng)使用的部分幾乎是相同的。在距離較大時，由于使用的用于產(chǎn)生第一和第二圖象的投影系統(tǒng)的部分不同，失真也是不同的(取決于在投影系統(tǒng)中的局部變化)。
不利的是對于第一和第二物體在單個掩模圖案中會發(fā)生這種失真的變化。此外在由不同的掩模成像的第一和第二物體之間也會發(fā)生失真變化，在這種情況下，失真的變化增加了掩模的重疊誤差。
圖3表示在光瞳平面中的示例性強(qiáng)度分布。
在投影系統(tǒng)PL的光瞳平面中顯示的照明模式取決于提供的照明，還取決于由光源SO照明的物體的形狀和尺寸。
圖3示出了，用于通過密集排列(packed)的IOOnm的間距陣列的環(huán)形照明的光瞳平面中的強(qiáng)度分布，陣列節(jié)距為lOOnm，光源SO的波長可以是任何一種在上面說明書的介紹部分中所描述使用的輻射光束。
很明顯，示出的環(huán)形是中心圓環(huán)A0，由于在密集排列的陣列上的衍射其還包括兩個環(huán)形部分A1、A2。陣列中相對短的循環(huán)長度OOOnm)在0級衍射最大值(即A0)和第一級衍射最大值(如A1、A2)之間提供了相當(dāng)大的間距。
在成像步驟中將標(biāo)記結(jié)構(gòu)分割成模擬產(chǎn)品尺寸的結(jié)構(gòu)可能會影響這種結(jié)構(gòu)的限定，從而產(chǎn)生在基底表面上的曝光。從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看已知曝光步驟會受到圖案導(dǎo)致失真作用。
這些圖案導(dǎo)致失真作用稍微地移動了產(chǎn)品尺寸結(jié)構(gòu)的中心位置。
圖4示意性地示出了這種移動。
圖4示意性地表示包括多個小尺寸特征的結(jié)構(gòu)的圖案導(dǎo)致移動。
示出的結(jié)構(gòu)可以是分段標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其包括多個分段第一結(jié)構(gòu)元件ML和在第一結(jié)構(gòu)元件之間的第二結(jié)構(gòu)元件T。
該分段標(biāo)記結(jié)構(gòu)在如上所述的步進(jìn)-掃描光刻投影裝置中曝光。掃描方向用箭頭 S表示。用箭頭D示意性地表示在每個分段“標(biāo)記線”中的圖案導(dǎo)致位移。與掃描方向平行地引導(dǎo)圖案導(dǎo)致位移。很明顯對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，圖案導(dǎo)致位移不利地影響了任何有關(guān)測量如對準(zhǔn)或重疊的位置。
第一種使圖案導(dǎo)致位移的影響最小化的方法是通過將結(jié)構(gòu)中的標(biāo)記線沿與掃描方向S垂直的方向分段。
圖5表示具有對圖案導(dǎo)致位移的靈敏度降低的分段標(biāo)記結(jié)構(gòu)。
此外，如箭頭S所表示的光刻投影制造的掃描方向與標(biāo)記結(jié)構(gòu)的周期平行。現(xiàn)在將圖案導(dǎo)致位移(用箭頭D表示)引導(dǎo)向垂直于方向S。對準(zhǔn)位置不受圖案導(dǎo)致位移影響。
然而，對于垂直掃描方向的具有相對小尺寸的特征還會沿掃描方向發(fā)生另一種公知的“非對稱線縮短”位移作用。典型地，非對稱線縮短涉及曝光劑量效應(yīng)有關(guān)，該劑量效應(yīng)由期望形狀的幾何的相對小尺寸的臨界部分如線的開始部分和末端部分或者區(qū)域的拐角引起。
圖6示意性地表示由于“非對稱線縮短”對分段的線部分的線長度的改變。
掃描方向如箭頭S所示。線部分平行于S延伸。盒狀區(qū)域Al表示線部分的期望形狀。圓形實心區(qū)域Bl表示由曝光步驟限定的形狀。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)線部分的開始部分會相對于期望的線形狀移動相對大的量。線部分的末端會相對于期望的線形狀移動相對小的量。 通常這種圓形是由投影透鏡系統(tǒng)的像差和投影透鏡系統(tǒng)的光學(xué)特性的限制導(dǎo)致的。
圖6中指示IPl表示標(biāo)記線的期望中心位置(即期望的線形狀A(yù)l的中心)，指示 IP2表示由于線部分的非對稱線縮短而測量出的中心位置(即線部分的中心)。不利的是， 非對稱線縮短導(dǎo)致線形狀的中心位置相對于期望位置移動。11
在根據(jù)本發(fā)明的標(biāo)記結(jié)構(gòu)的實施方案中，通過調(diào)節(jié)掩模上部段的形狀來校正標(biāo)記結(jié)構(gòu)的各部段。通過調(diào)整的形狀能夠校正劑量效應(yīng)。
圖7示意性地表示在掩模上的第一調(diào)整形狀，用于校正標(biāo)記中的非對稱線縮短。
圖8示意性地表示在掩模上的第二調(diào)整形狀，用于校正標(biāo)記中的非對稱線縮短。
圖7為標(biāo)記線示出了在掩模上限定的一些部段，其包括一第一調(diào)整形式以校正非對稱線縮短。
每個分段線包括一個基本的矩形形狀，其限定了與如圖5所示的期望形狀相同的部段。為了校正如上所述的非對稱線縮短，期望形狀(例如拐角部分)的臨界部分(即拐角部分)由盒狀輔助部分限定，并部分地重疊期望形狀的拐角。在曝光過程中，盒狀輔助部分允許對透鏡像差和/或投影透鏡系統(tǒng)的光學(xué)特性的限制校亞。
在圖8中，為標(biāo)記線示出了在掩模上限定的一些部段，其包括一第二調(diào)整形式以校正非對稱線縮短。
為了校正如上所述的圖案導(dǎo)致作用，期望形狀的臨界部分(即拐角部分)由線狀輔助部分限定，該線狀輔助部分與相鄰的部段連接。該線狀輔助部分沿垂直于(要形成的) 標(biāo)記的期望掃描方向的方向延伸。
應(yīng)該注意盒狀或線狀輔助部分僅限定在掩模上以將標(biāo)記的形狀增大作為曝光圖象。由于它們的尺寸小于光刻處理的分辨率，因此在標(biāo)記圖象中不會顯示輔助部分。該標(biāo)記圖象僅僅顯示具有對非對稱線縮短校正的部段期望形狀。
還應(yīng)該注意其它形狀的輔助部分能夠用于將標(biāo)記圖象校正成期望形狀。此外，該輔助部分可以根據(jù)它們在掩模圖案中的位置具有不同的形狀。
圖9表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于重疊控制的標(biāo)記結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)有技術(shù)中通過公知的盒中盒或桿中桿目標(biāo)的標(biāo)記結(jié)構(gòu)確定重疊控制。盒中盒目標(biāo)包括第一重疊結(jié)構(gòu)0S1，該第一重疊結(jié)構(gòu)包括4個矩形塊Bla、Blb、Blc、Bld，矩形塊的長沿一假想正方形的一條邊布置，以及與第一結(jié)構(gòu)相似但更小的第二重疊結(jié)構(gòu)0S2，該第二重疊結(jié)構(gòu)也包括4個矩形塊B2a、B2b、B2c、B2d。該第一重疊結(jié)構(gòu)OSl限定在基底上的第一層中。接著，在覆蓋在第一層的抗蝕劑層中，在對該特定抗蝕劑層的掩模圖案的曝光步驟中限定第二重疊結(jié)構(gòu)0S2。
為了確定第一和第二重疊結(jié)構(gòu)的重疊，通過檢測在結(jié)構(gòu)中的各個矩形塊的長邊緣的位置確定第一和第二結(jié)構(gòu)的位置(即矩形塊的引力中心)。根據(jù)各第一和第二結(jié)構(gòu)引力中心位置的差值，確定這兩個結(jié)構(gòu)的重疊(即不重合的量)。
此外，重疊結(jié)構(gòu)OSl和0S2的圖案導(dǎo)致失真與產(chǎn)品特征的失真不同，因為重疊結(jié)構(gòu)和產(chǎn)品特征之間的尺寸不同。更大的重疊結(jié)構(gòu)“使用”的投影系統(tǒng)的部分比產(chǎn)品特征使用的更多。因此，由重疊結(jié)構(gòu)確定的不重合可能不會與在雙層中產(chǎn)品特征的不重合相對應(yīng)。
本發(fā)明的一個目的是通過大體上對應(yīng)于產(chǎn)品特征的不重合的重疊測量獲得不重I=I O
圖10表示根據(jù)本發(fā)明第二實施方案用于重疊控制的標(biāo)記結(jié)構(gòu)以校正圖案導(dǎo)致的位移。
根據(jù)本發(fā)明第二實施方案，已經(jīng)認(rèn)識到計量重疊目標(biāo)的圖案導(dǎo)致失真應(yīng)該大體上相似于產(chǎn)品特征(具有小得多的尺寸)的圖案導(dǎo)致失真。通過使用目標(biāo)掩模圖案能夠?qū)崿F(xiàn)12這個目的，在該目標(biāo)掩模圖案中重疊結(jié)構(gòu)的特征的節(jié)距類似于產(chǎn)品特征的節(jié)距，但是在該目標(biāo)掩模圖案中投影到圖像平面的圖象是純粹的計量重疊目標(biāo)結(jié)構(gòu)。因此根據(jù)第二實施方案的目標(biāo)掩模圖案包括多個分段元件EL，這些分段元件具有亞分辨率尺寸(即它們是不可打印的)，但是由于它們的節(jié)距可在投影中形成計量重疊目標(biāo)的圖象。
然而由于在中心的相當(dāng)多的元件EL，圖象的邊緣將具有與結(jié)構(gòu)的中心不同的失真。由于重疊測量非常依賴于重疊結(jié)構(gòu)邊緣的位置的確定，相對于成像的產(chǎn)品特征的失真還會產(chǎn)生附加的誤差。
因此，目標(biāo)掩模圖案的邊緣還包括多個亞分辨率元件EL_sub，它們不是成像成這樣，但是它們的存在在重疊結(jié)構(gòu)的成像邊緣處提供改進(jìn)的成像條件，使得邊緣成像而沒有上述附加誤差。
由于使用了節(jié)距與產(chǎn)品相似的分段元件EL和亞分辨率元件EL_sub，在重疊結(jié)構(gòu)的邊緣處的圖案導(dǎo)致失真相應(yīng)于產(chǎn)品特征尺寸的圖案導(dǎo)致失真僅僅部分光學(xué)系統(tǒng)以和產(chǎn)品特征相似的方式用于圖案移動，正如參考圖2詳細(xì)描述的。
然而在圖象平面中，元件EL和EL_sub不是單獨成像，相反形成了一個分解圖象 (在抗蝕劑層中)?，F(xiàn)在分解圖象的外部邊緣位置相應(yīng)于現(xiàn)有技術(shù)中公知的標(biāo)準(zhǔn)重疊目標(biāo)結(jié)構(gòu)的外側(cè)邊緣位置，但是由于成像的條件不同(相對于現(xiàn)有技術(shù)的重疊結(jié)構(gòu))，分解圖象的圖案導(dǎo)致失真與成像的產(chǎn)品特征的失真相似。因此由分解圖象獲得的信息與產(chǎn)品特征的不重合一致。
因此第一重疊結(jié)構(gòu)的矩形塊Bla、Blb、Blc、Bld和第二重疊結(jié)構(gòu)0S2的矩形塊B2a、 B2b、B2c、B2d可以由分解圖象形成，該分解圖象或者通過包括多個元件EL和多個亞分辨率元件EL_sub的線圖案形成，其中多個元件EL布置在如圖10所示的圖案的中心部分，而多個亞分辨率元件EL_sub布置在圖案的外側(cè)邊緣，或者通過僅包括多個亞分辨率元件EL_ sub的線圖案形成。
關(guān)于系統(tǒng)限制，通常使用對準(zhǔn)和重疊結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)，也會發(fā)生圖案導(dǎo)致失真。常規(guī)的系統(tǒng)限制對準(zhǔn)和重疊結(jié)構(gòu)不是設(shè)計成對像差作用不靈敏。因此，在光刻投影過程中對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的尺寸和特征形狀影響了結(jié)構(gòu)的圖象位移(圖案導(dǎo)致失真)。所以，由于圖案導(dǎo)致失真系統(tǒng)限制會經(jīng)受不合格的誤差。
本發(fā)明第三實施方案的目的是通過不使用投影系統(tǒng)PL的光學(xué)器件的限定部分， 而大體上使用投影系統(tǒng)的所有光學(xué)器件，使對于對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)或重疊結(jié)構(gòu)的給定系統(tǒng)限制掩模圖案來說圖案導(dǎo)致失真的影響減到最小。
為了實現(xiàn)這個目的，利用被光學(xué)隔離的特征構(gòu)造對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)掩模圖案。該光學(xué)隔離的特征是特征元件的寬度大約為光刻投影裝置的臨界尺寸(即成像分辨率)，并且節(jié)距(即在相鄰特征元件之間的間距)大約為臨界尺寸的5倍或更多倍時的特征。
當(dāng)隔離特征由投影光束PB照明時，它們引起的衍射足夠大使得大體上可使用所有投影系統(tǒng)PL的光學(xué)器件(即填充投影系統(tǒng)的小孔)。在圖11中示意性地示出了這點， 它是投影系統(tǒng)的光瞳平面的示意圖。一具有隔離特征的掩模(未示出)由一常規(guī)的圓盤形模式照明。該隔離特征產(chǎn)生許多高量級的衍射光束。在光瞳平面中的高量級衍射光束的投影Al、A2、A3......AN-U AN相對于彼此稍微移動。這樣非常完全地填充了投影系統(tǒng)的小孔AO。
盡管已經(jīng)描述了有關(guān)常規(guī)的圓盤形模式的本發(fā)明的實施方案，但是應(yīng)該注意可以使用其它照明模式，例如環(huán)形照明模式。小孔的填充還會發(fā)生。最好是用于系統(tǒng)限制的照明模式應(yīng)該相應(yīng)于將用于生產(chǎn)目的的照明。
此外，應(yīng)該注意盡管本說明一般情況下是關(guān)于計量重疊目標(biāo)的，本發(fā)明也可以應(yīng)用于有關(guān)對準(zhǔn)標(biāo)記。
權(quán)利要求
1.在光刻投影中用于將標(biāo)記結(jié)構(gòu)成像在基底上的掩模圖案，該標(biāo)記結(jié)構(gòu)在使用中布置成用于確定光學(xué)對準(zhǔn)或重疊，該掩模圖案包括組成部分以限定標(biāo)記結(jié)構(gòu)，該組成部分被分成多個分段元件(EL ；ML)，每個分段元件大體上具有器件特征的尺寸，該掩模圖案包括用于每個分段元件(EL;ML)的部段形狀， 其特征在于用于標(biāo)記結(jié)構(gòu)的掩模圖案包括至少一個位于部段形狀的臨界部分的輔助特征(EL_ sub)，用于平衡在光刻投影中在臨界部分處產(chǎn)生的光學(xué)像差或者光學(xué)限制，該至少一個輔助特征(EL_sub)具有大體上小于光刻投影的分辨率的尺寸。
2.如權(quán)利要求1所述的掩模圖案，其中至少一個輔助特征(EL_sub)限定為位于矩形部段(EL)的臨界拐角附近的塊狀部段。
3.如權(quán)利要求1或2所述的掩模圖案，其中至少一個輔助特征(EL_sub)限定為許多線狀部段(EL)的臨界外側(cè)邊緣附近的線狀部段。
4.在光刻投影中用于將標(biāo)記結(jié)構(gòu)成像在基底上的掩模圖案，該標(biāo)記結(jié)構(gòu)在使用中布置成用于確定光學(xué)對準(zhǔn)或重疊，該掩模圖案包括組成部分以限定標(biāo)記結(jié)構(gòu)，該組成部分被分成多個分段元件(EL)，每個分段元件大體上具有器件特征的尺寸，該掩模圖案包括用于每個分段元件(EL)的部段形狀，該光刻投影包括 -提供輻射投射光束；-用于將投射光束作為帶圖案光束構(gòu)圖的掩模圖案；-通過投影系統(tǒng)為帶圖案光束投影照明模式以照明基底的目標(biāo)部分，該投影系統(tǒng)具有用于在小孔部分中接受帶圖案光束的小孔(AO)； 其特征在于用于標(biāo)記結(jié)構(gòu)的掩模圖案包括多個隔離元件，這種隔離使得被投影的帶圖案光束大體上填充(fil)投影系統(tǒng)的小孔(AO)0
5.一種由前面任何一個權(quán)利要求所述的掩模圖案產(chǎn)生的標(biāo)記結(jié)構(gòu)。
6.一種光刻投影裝置，包括-用于提供輻射投射光束的輻射系統(tǒng)； -用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)； -用于保持基底的基底臺(WS)；-用于將帶圖案的光束投射到基底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)； -在光刻處理過程中布置成用于確定光學(xué)對準(zhǔn)或重疊的基底對準(zhǔn)或重疊系統(tǒng)； -包括至少一個標(biāo)記結(jié)構(gòu)的基底，通過使用如權(quán)利要求1-5中的任何一項所述的掩模圖案形成該標(biāo)記結(jié)構(gòu)。
7.提供一種在光刻投影裝置中用于光學(xué)對準(zhǔn)或重疊的標(biāo)記結(jié)構(gòu)的方法，包括 -用于提供輻射投射光束的輻射系統(tǒng)；-用于支撐構(gòu)圖部件的支撐結(jié)構(gòu)； -用于保持基底的基底臺(WS)； -用于投影的投影系統(tǒng)；以及-在光刻處理過程中布置成用于確定光學(xué)對準(zhǔn)或重疊的基底對準(zhǔn)或重疊系統(tǒng)；該方法包括將輻射投射光束引導(dǎo)通過構(gòu)圖部件，經(jīng)過投影系統(tǒng)到達(dá)基底的目標(biāo)部分， 其中構(gòu)圖部件能夠產(chǎn)生如權(quán)利要求1-6中的任何一項所述的圖案。
全文摘要
用于對準(zhǔn)或重疊的標(biāo)記結(jié)構(gòu)，限定它的掩模圖案及使用該掩模圖案的光刻投影裝置在光刻投影中用于將標(biāo)記結(jié)構(gòu)成像在基底上的掩模圖案，該標(biāo)記結(jié)構(gòu)在使用中布置成用于確定光學(xué)對準(zhǔn)或重疊，該掩模圖案包括組成部分以限定標(biāo)記結(jié)構(gòu)，該組成部分被分成多個分段元件(EL；ML)，每個分段元件大體上具有器件特征的尺寸，該掩模圖案包括用于每個分段元件(EL；ML)的部段形狀，其特征在于用于標(biāo)記結(jié)構(gòu)的掩模圖案包括至少一個位于部段形狀的臨界部分的輔助特征(EL_sub)，用于平衡在光刻投影中在臨界部分處產(chǎn)生的平衡光學(xué)像差或者光學(xué)限制，該至少一個輔助特征(EL_sub)具有大體上小于光刻投影的分辨率的尺寸。
文檔編號G03F1/08GK102520594SQ20121002088
公開日2012年6月27日 申請日期2004年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月11日
發(fā)明者A·H·M·范德霍夫, E·H·J·亨德里克西, G·范登伯赫, J·M·芬德斯, L·A·C·S·科里納, M·杜薩, R·J·F·范哈倫 申請人:Asml荷蘭有限公司