專(zhuān)利名稱(chēng)：光電混載基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種具有光波導(dǎo)路單元和安裝有光學(xué)元件的電路單元的光電混載基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
在最近的電子設(shè)備等中，隨著傳輸信 息量的増加，除了電布線(xiàn)以外，還采用光布線(xiàn)。即，在上述電子設(shè)備等中組裝有具有電路單元與光波導(dǎo)路單元的光電混載基板，該電路単元在形成有電布線(xiàn)的電路基板上安裝有用于將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)的發(fā)光元件、和用于將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的受光元件等光學(xué)元件；該光波導(dǎo)路單元作為用于傳輸上述光信號(hào)的光布線(xiàn)形成有光波導(dǎo)路。在上述光電混載基板中，需要使從上述發(fā)光元件發(fā)出的光入射到上述光波導(dǎo)路單元的芯(光布線(xiàn))的一端面(光入口)、并且使上述受光元件接收從上述芯的另一端面(光出口)出射的光。為此，需要對(duì)上述光學(xué)元件(發(fā)光元件、受光元件)與芯進(jìn)行調(diào)心。因此，一直以來(lái)提出有上述光學(xué)元件與芯的調(diào)心方法。作為其ー個(gè)例子，存在有如下方法(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)，即，固定光波導(dǎo)路單元，在從發(fā)光元件向該光波導(dǎo)路單元的芯的一端面(光入口)發(fā)出光的狀態(tài)下，改變?cè)摪l(fā)光元件的位置，同時(shí)監(jiān)視從上述芯的另一端面(光出口)出射的光的強(qiáng)度，將該強(qiáng)度最大的位置確定為調(diào)心位置。另外，作為另ー個(gè)例子，存在有如下方法(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2)，即，將形成有定位用的孔部的連接器安裝于光波導(dǎo)路単元，將與上述孔部相嵌合的定位用的銷(xiāo)安裝于電路単元，通過(guò)使上述孔部與銷(xiāo)相嵌合，自動(dòng)地對(duì)光學(xué)元件與光波導(dǎo)路單元的芯進(jìn)行調(diào)心。專(zhuān)利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)平5-196831號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2009-223063號(hào)公報(bào)但是，在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)I的調(diào)心方法中，雖然能夠進(jìn)行高精度的調(diào)心，但是費(fèi)時(shí)費(fèi)力，量產(chǎn)性欠缺。另外，在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)2的調(diào)心方法中，雖然能夠利用孔部與銷(xiāo)的嵌合這樣的簡(jiǎn)單方法來(lái)進(jìn)行對(duì)位，但是不僅在分別制作連接器及銷(xiāo)時(shí)產(chǎn)生尺寸誤差，還產(chǎn)生連接器相對(duì)于光波導(dǎo)路單元的安裝位置的位置偏移、定位用的銷(xiāo)相對(duì)于電路単元的安裝位置的位置偏移等，因此這些尺寸誤差及位置偏移累積，從而調(diào)心精度變差。因此，當(dāng)欲提高調(diào)心精度吋，需要進(jìn)行尺寸精度的管理以不產(chǎn)生上述尺寸誤差、位置偏移，因此成本提高，并且量產(chǎn)性欠缺。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這種情況而完成的，其目的在于提供ー種不需要進(jìn)行光波導(dǎo)路單元的芯與電路單元的光學(xué)元件的調(diào)心作業(yè)、而且量產(chǎn)性?xún)?yōu)異的光電混載基板及其制造方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第I技術(shù)方案是ー種光電混載基板，其是光波導(dǎo)路単元與安裝有光學(xué)元件的電路單元相結(jié)合而成的，其中，上述光波導(dǎo)路單元具有下包層；光路用的芯，其形成于該下包層的表面；上包層，其用于覆蓋該芯；電路單元定位用的缺ロ部或貫通孔，其形成于上述下包層及上述上包層的至少ー個(gè)包層的局部；上述電路單元具有電路基板；光學(xué)元件，其安裝于該電路基板上的規(guī)定部分；彎折部，其是將上述電路基板的局部呈立起狀地彎折而成的，且用于嵌合于上述缺ロ部或貫通孔；上述光波導(dǎo)路單元的上述缺ロ部或貫通孔相對(duì)于上述芯的一端面定位形成在規(guī)定位置，上述電路單元的上述彎折部相對(duì)于上述光學(xué)元件定位形成在規(guī)定位置，上述光波導(dǎo)路單元與上述電路單元的結(jié)合是以將上述電路單元的上述彎折部嵌合于上述光波導(dǎo)路單元的上述缺ロ部或貫通孔的狀態(tài)完成的。另外，本發(fā)明的第2技術(shù)方案是上述光電混載基板的制造方法，其是使光波導(dǎo)路単元與安裝有光學(xué)元件的電路單元相結(jié)合的上述光電混載基板的制造方法，其中，上述光波導(dǎo)路單元的制作包括形成下包層的エ序、在該下包層的表面形成光路用的芯的エ序和以覆蓋上述芯的方式形成上包層的エ序，在形成上述下包層的エ序及形成上述上包層的エ序中的至少ー個(gè)エ序中，在相對(duì)于上述芯的一端面進(jìn)行了定位的規(guī)定位置，形成電路單元定位用的缺ロ部或貫通孔，上述電路單元的制作包括形成電路基板的エ序和在該電路基板上的規(guī)定部分安裝光學(xué)元件的エ序，在安裝該光學(xué)元件之后，在相對(duì)于該光學(xué)元件進(jìn)行了定位的規(guī)定位置，呈立起狀地彎折形成嵌合于上述缺ロ部或貫通孔的彎折部，使上述光波導(dǎo)路單元與上述電路單元相結(jié)合而形成光電混載基板是通過(guò)將上述電路單元的上述彎折部 嵌合于上述光波導(dǎo)路單元的上述缺ロ部或貫通孔而完成的。本發(fā)明的光電混載基板是光波導(dǎo)路單元與安裝有光學(xué)元件的電路單元相結(jié)合而成的。在上述光波導(dǎo)路單元中，芯的一端面與電路單元定位用的缺ロ部或貫通孔成為相互進(jìn)行了定位的位置關(guān)系。另外，在上述電路單元中，光學(xué)元件與嵌合于上述光波導(dǎo)路單元的缺ロ部或貫通孔的彎折部成為相互進(jìn)行了定位的位置關(guān)系。因此，在上述電路單元的彎折部嵌合于上述光波導(dǎo)路單元的缺ロ部或貫通孔內(nèi)的狀態(tài)、即、光波導(dǎo)路單元與電路單元相結(jié)合的狀態(tài)下，光波導(dǎo)路單元的芯與電路單元的光學(xué)元件成為自動(dòng)進(jìn)行了調(diào)心的狀態(tài)。而 且，上述光波導(dǎo)路單元的缺ロ部或貫通孔形成于構(gòu)成該光波導(dǎo)路單元的下包層及上包層中的至少ー個(gè)包層的規(guī)定部分，上述電路單元的彎折部形成于構(gòu)成該電路単元的電路基板，因此上述缺ロ部或貫通孔與上述彎折部的嵌合不需要連接器等其他部件。因此，在光波導(dǎo)路單元與電路單元的結(jié)合中，不存在上述連接器等其他部件所造成的尺寸誤差、位置偏移的累積，從而光波導(dǎo)路單元的芯與電路單元的光學(xué)元件的調(diào)心為高精度。本發(fā)明的光電混載基板如上所述，是利用使上述光波導(dǎo)路單元的缺ロ部或貫通孔與上述電路單元的彎折部相嵌合這樣的簡(jiǎn)單作業(yè)來(lái)自動(dòng)地、高精度地進(jìn)行芯與光學(xué)元件調(diào)心的構(gòu)造，因此不需要進(jìn)行費(fèi)時(shí)費(fèi)カ的調(diào)心作業(yè)，因此量產(chǎn)性?xún)?yōu)異。另外，上述缺ロ部或貫通孔與上述彎折部的嵌合不需要連接器等其他部件，因此也不需要管理該連接器等的尺寸精度，因此根據(jù)這一點(diǎn)，量產(chǎn)性也優(yōu)異。特別是，當(dāng)上述光波導(dǎo)路單元的上述缺ロ部形成為隨著朝向缺ロ的里側(cè)寬度逐漸變窄的V字狀或Y字狀、在上述電路單元的上述彎折部也形成有隨著朝向缺ロ的里側(cè)寬度逐漸變窄的V字狀或Y字狀的缺ロ部、上述光波導(dǎo)路單元的V字狀或Y字狀的缺ロ部與上述電路單元的上述彎折部的V字狀或Y字狀的缺ロ部相嵌合吋，該嵌合是上述V字狀或Y字狀的缺ロ部彼此之間的嵌合，因此該嵌合不易偏移。因此，能夠進(jìn)ー步可靠地防止上述光波導(dǎo)路單元相對(duì)于上述電路單元的位置偏移，能夠進(jìn)一歩可靠地維持芯與光學(xué)元件的調(diào)心。
本發(fā)明的光電混載基板的制造方法是通過(guò)使光波導(dǎo)路單元與安裝有光學(xué)元件的電路單元相結(jié)合來(lái)進(jìn)行的。在制作上述光波導(dǎo)路單元的エ序中，在相對(duì)于芯的一端面進(jìn)行了定位的規(guī)定位置，形成電路單元定位用的缺ロ部或貫通孔。另外，在制作上述電路單元的エ序中，在相對(duì)于光學(xué)元件進(jìn)行了定位的規(guī)定位置，形成嵌合于上述光波導(dǎo)路單元的缺ロ部或貫通孔的彎折部。因此，當(dāng)使上述電路單元的上述彎折部嵌合于上述光波導(dǎo)路單元的上述缺ロ部或貫通孔、使上述光波導(dǎo)路單元與上述電路單元相結(jié)合時(shí)，能夠自動(dòng)地對(duì)光波導(dǎo)路單元的芯與電路單元的光學(xué)元件進(jìn)行調(diào)心。而且，上述光波導(dǎo)路單元的缺ロ部或貫通孔形成于構(gòu)成該光波導(dǎo)路單元的下包層及上包層中的至少ー個(gè)包層的規(guī)定部分，上述電路単元的彎折部形成在構(gòu)成該電路單元的電路基板的局部，因此上述缺ロ部或貫通孔與上述彎折部的嵌合不需要連接器等其他部件。因此，在光波導(dǎo)路單元與電路單元的結(jié)合中不會(huì)產(chǎn)生由上述連接器等其他部件所造成的尺寸誤差、位置偏移的累積，從而光波導(dǎo)路單元的芯與電路單元的光學(xué)元件的調(diào)心為高精度。本發(fā)明的光電混載基板的制造方法如上所述，利用使上述光波導(dǎo)路單元的缺ロ部或貫通孔與上述電 路單元的彎折部相嵌合這樣的簡(jiǎn)單作業(yè)來(lái)自動(dòng)地高精度地對(duì)芯與光學(xué)元件進(jìn)行調(diào)心，因此不需要進(jìn)行費(fèi)時(shí)費(fèi)カ的調(diào)心作業(yè)，因此量產(chǎn)性?xún)?yōu)異。另外，上述缺ロ部或貫通孔與上述彎折部的嵌合不需要連接器等其他部件，因此也不需要管理該連接器等的尺寸精度，因此根據(jù)這一點(diǎn)，量產(chǎn)性也優(yōu)異。特別是，當(dāng)將上述光波導(dǎo)路單元的上述缺ロ部形成為隨著朝向缺ロ的里側(cè)寬度逐漸變窄的V字狀或Y字狀、在上述電路單元的上述彎折部也形成隨著朝向缺ロ的里側(cè)寬度逐漸變窄的V字狀或Y字狀的缺ロ部、使上述光波導(dǎo)路單元的V字狀或Y字狀的缺ロ部與上述電路單元的上述彎折部的V字狀或Y字狀的缺ロ部相嵌合吋，使上述V字狀或Y字狀的缺ロ部彼此之間相嵌合，因此該嵌合不易偏移。因此，能夠進(jìn)ー步可靠地防止上述光波導(dǎo)路單元相對(duì)于上述電路單元的位置偏移。


圖I是示意性表示本發(fā)明的光電混載基板的第I實(shí)施方式的立體圖。圖2的(a)是示意性表示用于構(gòu)成上述光電混載基板的光波導(dǎo)路單元的立體圖，圖2的(b)是放大了圖2的(a)的A-A剖面的主要部分的剖視圖。圖3是示意性表示用于構(gòu)成上述光電混載基板的電路單元的立體圖。圖4的(a) 圖4的(d)是示意性表示上述光電混載基板的制造方法中的光波導(dǎo)路單元的制作エ序的說(shuō)明圖。圖5的(a) 圖5的(C)是示意性表示上述光電混載基板的制造方法中的電路單元的制作エ序的說(shuō)明圖。圖6的(a) 圖6的(C)是接著圖5示意性表示上述電路單元的制作エ序的說(shuō)明圖。圖7是示意性表示上述光電混載基板的制作エ序的說(shuō)明圖。圖8是示意性表示本發(fā)明的光電混載基板的第2實(shí)施方式的立體圖。圖9示意性表示本發(fā)明的光電混載基板的第3實(shí)施方式，圖9的(a)是其立體圖，圖9的(b)是放大了圖9的(a)的一端部的主要部分的縱剖視圖，圖9的(c)是表示圖9的(a)的制作エ序的說(shuō)明圖。
圖10是示意性表示上述第3實(shí)施方式的光波導(dǎo)路單元的一端部的變形例的放大縱首1]視圖。圖11的(a) 圖11的(d)是示意性表示上述光波導(dǎo)路單元的其他制作エ序的說(shuō)明圖。圖12的(a) 圖12的(d)是示意性表示上述光波導(dǎo)路單元的其他方式的制作エ序的說(shuō)明圖。圖13是示意性表示上述光波導(dǎo)路單元的其他方式的立體圖。圖14示意性表示上述光波導(dǎo)路單元的另ー其他方式，圖14的(a)是其主視圖，圖14的(b)是圖14的(a)的B-B剖視圖。圖15是示意性表示上述光電混載基板的第5實(shí)施方式的剖視圖。
具體實(shí)施例方式接著，根據(jù)附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖I是示意性表示本發(fā)明的光電混載基板的第I實(shí)施方式的立體圖。該光電混載基板通過(guò)分別制作具有電路單元定位用的缺ロ部4的光波導(dǎo)路單元W和具有嵌合于該缺ロ部4的彎折部15的電路單元E、并使上述電路單元E的上述彎折部15嵌合于上述光波導(dǎo)路單元W的上述缺ロ部4內(nèi)來(lái)使上述光波導(dǎo)路單元W與上述電路單元E相結(jié)合而成為一體化。在此，在光波導(dǎo)路單元W中，上述缺ロ部4相對(duì)于芯2的一端面(光透過(guò)面)2a定位形成在規(guī)定位置(以在兩單元W、E相結(jié)合時(shí)使光波導(dǎo)路單元W的一端面2a與電路單元E的光學(xué)元件10相対的方式預(yù)先設(shè)定的位置)。另外，在上述電路單元E中，嵌合于上述缺ロ部4的上述彎折部15相對(duì)于光學(xué)元件10定位形成在規(guī)定位置(以在兩単元W、E相結(jié)合時(shí)使電路單元E的光學(xué)元件10與光波導(dǎo)路單元W的一端面2a相対的方式預(yù)先設(shè)定的位置)。因此，在上述光電混載基板中，通過(guò)上述缺ロ部4與上述彎折部15的嵌合，芯2的一端面2a與光學(xué)元件10成為適當(dāng)?shù)囟ㄎ?、進(jìn)行了調(diào)心的狀態(tài)。另外，在該實(shí)施方式中，上述光波導(dǎo)路單元W以彎曲的狀態(tài)與上述電路單元E相結(jié)合。進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明，上述光波導(dǎo)路單元W的立體圖如圖2的(a)所示，其A_A剖面的主要部分放大剖視圖如圖2的(b)所示，上述光波導(dǎo)路單元W具有下包層I、以規(guī)定圖案的線(xiàn)狀形成于該下包層I的表面的光路用的芯2、和以覆蓋該芯2的狀態(tài)形成于上述下包層I的表面的上包層3。而且，在該光波導(dǎo)路單元W的一端緣(在圖2的(a)中為下端緣)，在不存在芯2的、上述下包層I與上包層3的層疊部分形成有沿著芯2的軸向較長(zhǎng)的電路單元定位用的上述缺ロ部4。該缺ロ部4相對(duì)于芯2的一端面2a定位形成在規(guī)定位置。在該實(shí)施方式中，上述缺ロ部4配置形成在芯2的兩側(cè)(兩個(gè)位置)，上述缺ロ部4的形狀形成為隨著朝向缺ロ的里側(cè)(在圖2的(a)中為上方)寬度逐漸變窄的Y字狀(在圖2的(a)中為倒Y字狀)。另ー方面，上述電路單元E的立體圖如圖3所示，上述電路單元E具有基板11、和隔著絕緣層(未圖示)安裝于該基板11的表面的光學(xué)元件10及驅(qū)動(dòng)IC(未圖示)。而且，在該電路単元E中，形成有嵌合于上述光波導(dǎo)路單元W的缺ロ部4(參照?qǐng)D2的(a))的彎折部15。該彎折部15是將上述基板11與絕緣層的層疊部分的局部切割為大致コ字狀、并將由該大致コ字狀的缺ロ圍成的舌片狀部分相對(duì)于上述層疊部分呈直角地彎折成立起狀而形成的，該彎折部15相對(duì)于上述光學(xué)元件10定位形成在規(guī)定位置。在該實(shí)施方式中，上述彎折部15配置形成在上述光學(xué)元件10的兩側(cè)(兩個(gè)位置)，上述彎折部15的形狀形成為大致長(zhǎng)方形的板狀，且形成為在其前端部(在圖3中為上端部)形成有隨著朝向缺ロ的里側(cè)(在圖3中為下方)寬度逐漸變窄的V字狀的缺ロ部15a的形狀。另外，在該絕緣層的表面形成有與上述驅(qū)動(dòng)I C相連接的電路(未圖示)，并且形成有作為定位形成光學(xué)元件10時(shí)的標(biāo)記而利用的光學(xué)元件位置限定用電極(未圖示)、以及作為定位形成上述彎折部15時(shí)的標(biāo)記而利用的彎折部定位用電路(未圖示)。該彎折部定位用電路沿著上述大致呈コ字狀的缺ロ而形成，該大致呈コ字狀的缺ロ用于形成成為上述彎折部15的上述舌片狀部分。而且，在這些電路、光學(xué)元件位置限定用電極、彎折部定位用電路的表面上形成有鍍層(未圖示)。上述光學(xué)元件位置限定用電極形成在上述絕緣層的表面的大致中央部，上述光學(xué)元件10安裝在以上述光學(xué)元件位置限定用電極為基準(zhǔn)的規(guī)定位置。而且，上述光學(xué)元件10與上述驅(qū)動(dòng)I C利用引線(xiàn)接合而電連接，該驅(qū)動(dòng)I C與電極盤(pán)(上述電路的一部分)利用引線(xiàn)接合而電連接。在該狀態(tài)下，上述光學(xué)元件10及其 周邊部被樹(shù)脂密封(未圖示)。上述光學(xué)元件10在該實(shí)施方式中采用引線(xiàn)接合型的元件，其發(fā)光部或受光部形成于光學(xué)元件10的表面(在圖3中為上表面)。另外，上述驅(qū)動(dòng)IC是指例如用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件(光學(xué)元件10)的驅(qū)動(dòng)器、或者用于放大來(lái)自受光元件(光學(xué)元件10)的信號(hào)的跨阻放大器(TIA)等。而且，如圖I所示，上述光電混載基板是以上述電路單元E的上述彎折部15嵌合于上述光波導(dǎo)路單元W的上述缺ロ部4的狀態(tài)，將光波導(dǎo)路單元W與電路單元E相結(jié)合而成一體化。在此，如上所述，形成于光波導(dǎo)路單兀W的上述缺ロ部4相對(duì)于芯2的一端面2a定位形成在規(guī)定位置。另外，形成于電路単元E的彎折部15相對(duì)于光學(xué)元件10定位形成在規(guī)定位置。因此，通過(guò)上述缺ロ部4與彎折部15的嵌合，芯2的一端面2a與光學(xué)元件10成為適當(dāng)?shù)囟ㄎ?、自?dòng)地進(jìn)行了調(diào)心的狀態(tài)。而且，在該實(shí)施方式中，由于光波導(dǎo)路單元W的上述缺ロ部4形成為Y字狀，在電路單元E的上述大致長(zhǎng)方形的彎折部15的前端部形成有V字狀的缺ロ部15a，在上述嵌合狀態(tài)下，成為電路単元E的上述彎折部15的前端部的上述V字狀的缺ロ部15a的里端的角部被定位于光波導(dǎo)路單元W的上述Y字狀的缺ロ部4的里端的角部的狀態(tài)。因此，上述嵌合不易偏移。其結(jié)果，能夠進(jìn)ー步可靠地防止上述光波導(dǎo)路單元W相對(duì)于上述電路單元E的位置偏移，能夠進(jìn)一歩可靠地維持芯2與光學(xué)元件10的調(diào)心。上述光電混載基板經(jīng)由下述⑴ ⑶的エ序制造而成。(I)制作上述光波導(dǎo)路單元W的エ序(參照?qǐng)D4的(a) 圖4的(d))。(2)制作上述電路單元E的エ序(參照?qǐng)D5的(a) 圖5的(C)、圖6的(a) 圖
6的(C))。(3)上述光波導(dǎo)路單元W與上述電路單元E相結(jié)合的エ序(參照?qǐng)D7)。(I)光波導(dǎo)路單元W的制作エ序說(shuō)明上述(I)的光波導(dǎo)路單元W的制作エ序。首先，準(zhǔn)備在形成下包層I時(shí)所使用的平板狀的基座20(參照?qǐng)D4的(a))。作為該基座20的形成材料，例如能夠列舉出玻璃、石英、硅、樹(shù)脂、金屬等。其中，優(yōu)選不銹鋼制基板。這是因?yàn)椴讳P鋼制基板對(duì)熱的耐伸縮性?xún)?yōu)異，在上述光波導(dǎo)路單元W的制造過(guò)程中，各種尺寸大致維持為設(shè)計(jì)值。另外，基座20的厚度例如設(shè)定在20 ii m Imm的范圍內(nèi)。接著，如圖4的(a)所示，在上述基座20的表面的規(guī)定區(qū)域中，利用光刻法形成在其一端緣的兩個(gè)位置形成有俯視Y字狀的缺口部Ia的下包層I。作為該下包層I的形成材料，使用感光性環(huán)氧樹(shù)脂等感光性樹(shù)脂。下包層I的厚度例如設(shè)定在5 y m 50 y m的范圍內(nèi)。接著，如圖4的(b)所示，在上述下包層I的表面利用光刻法形成規(guī)定圖案的芯2。此時(shí)，在下包層I的表面中的、上述兩個(gè)位置的缺口部Ia之間的部分，將芯2的一端面(光透過(guò)面)2a相對(duì)于上述兩個(gè)位置的缺口部Ia定位在規(guī)定位置。該芯2的定位是通過(guò)在利用上述光刻法形成芯2時(shí)以上述兩個(gè)位置的缺口部Ia為基準(zhǔn)配置光掩模的狀態(tài)，隔著上述光掩模曝光而進(jìn)行的，上述光掩模是以上述兩個(gè)位置的缺口部Ia為基準(zhǔn)形成的。、
作為上述芯2的形成材料，例如能夠列舉出與上述下包層I相同的感光性樹(shù)脂，使用折射率比上述下包層I及上包層3 (參照?qǐng)D4的(c))的形成材料大的材料。例如能夠通過(guò)選擇上述下包層I、芯2、上包層3的各個(gè)形成材料的種類(lèi)或者調(diào)整組成比例來(lái)進(jìn)行該折射率的調(diào)整。芯的數(shù)量可以是一條也可以是多條(在圖4的(b)中為一條)。芯2的圖案例如能夠列舉出直線(xiàn)狀、分支狀、交叉狀等，也可以混和這些直線(xiàn)狀、分支狀、交叉狀等(在圖4的(b)中為直線(xiàn)狀)的圖案。芯2的厚度例如設(shè)定在20 iim IOOiim的范圍內(nèi)。芯2的寬度例如設(shè)定在20 ii m 100 ii m的范圍內(nèi)。然后，如圖4的(C)所示，利用光刻法以覆蓋上述芯2的方式在上述下包層I的表面形成上包層3。此時(shí)，在上述下包層I的缺口部Ia上也形成與該缺口部Ia相同形狀的缺口部3a。作為上述上包層3的形成材料，例如能夠列舉出與上述下包層I相同的感光性樹(shù)脂。上述上包層3的厚度(距下包層I的表面的厚度)例如設(shè)定在超過(guò)芯2的厚度且IOOOum以下的范圍內(nèi)。在此，上述下包層I的缺口部Ia與形成在其上的上述上包層3的缺口部3a的層疊部分成為電路單元定位用的上述缺口部4。而且，如上所述，芯2的一端面2a相對(duì)于上述下包層I的缺口部Ia定位形成在規(guī)定位置，因此在該缺口部Ia上層疊上述上包層的缺口部3a而成的上述缺口部4相對(duì)于芯2的一端面2a定位形成在規(guī)定位置。上述缺口部4的尺寸例如分別設(shè)定為進(jìn)深在0. Imm 5mm的范圍內(nèi)、缺口寬度在5 y m(Y字狀的里側(cè)的恒定寬度部分的寬度) 5mm(Y字狀的擴(kuò)展開(kāi)口側(cè)的最大寬度)的范圍內(nèi)。接著，如圖4的⑷所示，從下包層I的背面剝離基座20 (參照?qǐng)D4的(C))。通過(guò)該剝離，獲得了光波導(dǎo)路單元W，該光波導(dǎo)路單元W具有下包層I、芯2、以及上包層3，并在上述下包層I與上包層3的層疊部分形成有電路單元定位用的缺口部4。該光波導(dǎo)路單元W的厚度例如設(shè)定在30 iim 1150 iim的范圍內(nèi)。這樣，上述⑴的光波導(dǎo)路單元W的制作工序完成。(2)電路單元E的制作工序接著，使用圖5的(a) 圖5的(C)、圖6的(a) 圖6的(C)說(shuō)明上述⑵的電路單元E的制作工序。在該圖5的(a) 圖5的(C)、圖6的(a) 圖6的(C)的各圖中，上下示出了兩個(gè)圖，上側(cè)的圖是俯視圖，下側(cè)的圖是其縱剖視圖。首先，準(zhǔn)備上述基板11 (參照?qǐng)D5的(a))。作為該基板11的形成材料，例示能夠列舉出金屬、樹(shù)脂等。其中，基于易加工性及尺寸穩(wěn)定性的觀點(diǎn)，優(yōu)選不銹鋼制基板。另外，上述基板11的厚度例如設(shè)定在0. 02mm 0. Imm的范圍內(nèi)。接著，如圖5的(a)所示，在上述基板11的表面的規(guī)定區(qū)域形成絕緣層12。該絕緣層12的形成例如是在涂布了由感光性聚酰亞胺樹(shù)脂等絕緣層形成用的感光性樹(shù)脂溶解于溶劑中而獲得的清漆之后，根據(jù)需要對(duì)該清漆的涂布層進(jìn)行加熱處理而使其干燥，形成絕緣層形成用的感光性樹(shù)脂層。然后，利用紫外線(xiàn)等輻射線(xiàn)隔著光掩模對(duì)該感光性樹(shù)脂層進(jìn)行曝光，從而形成規(guī)定形狀的絕緣層12。絕緣層12的厚度例如設(shè)定在5 y m 15 y m的范圍內(nèi)。接著，如圖5的(b)所示，在上述絕緣層12的表面同時(shí)形成電路(未圖示)、光學(xué)元件位置限定用電極13以及彎折部定位用電路14，制作電路基板。這些電路等的形成例如 利用半添加法來(lái)進(jìn)行。S卩，首先，在上述絕緣層12的表面，通過(guò)濺射或非電解電鍍等形成金屬層(厚度60nm 260nm左右)。該金屬層成為進(jìn)行后面的電解電鍍時(shí)的晶種層(成為形成電解電鍍層的基底的層)。接著，在由上述基板11、絕緣層12及晶種層構(gòu)成的層疊體的兩面上粘貼干膜抗蝕劑，之后在形成有上述晶種層一側(cè)的干膜抗蝕劑上，利用光刻法同時(shí)形成上述電路等的圖案的孔部，在該孔部的底部暴露上述晶種層的表面部分。接著，通過(guò)電解電鍍，在暴露于上述孔部的底部的上述晶種層的表面部分層疊形成電解電鍍層(厚度5 ii m 20 ii m左右)。然后，利用氫氧化鈉水溶液等剝離上述干膜抗蝕劑。之后，通過(guò)軟蝕刻去除未形成有上述電解電鍍層的晶種層部分，將由剩余的電解電鍍層及該剩余的電解電鍍層的下面的晶種層構(gòu)成的層疊部分形成為上述電路等。這樣，獲得了由上述基板11、絕緣層12、電路、光學(xué)元件位置限定用電極13及彎折部定位用電路14構(gòu)成的電路基板。然后，將該電路基板安裝于曝光機(jī)，利用相機(jī)拍攝表面?zhèn)?電路側(cè))與背面?zhèn)?基板11側(cè))，根據(jù)該圖像，以上述表面?zhèn)鹊膹澱鄄慷ㄎ挥秒娐?4為標(biāo)記，適當(dāng)?shù)囟ㄎ粡澱鄄款A(yù)定形成部(舌片狀部分15A)在背面?zhèn)鹊奈恢?。接著，利用干膜抗蝕劑(未圖示)覆蓋該背面?zhèn)戎械?、除了用于形成舌片狀的彎折部預(yù)定形成部的大致-字狀的預(yù)定切割部以外的部分。接著，如圖5的(c)所示，通過(guò)使用氯化鐵水溶液進(jìn)行蝕刻來(lái)去除所暴露的上述大致-字狀的預(yù)定切割部的基板11的部分。通過(guò)該蝕刻，從該去除部分Ila暴露出上述絕緣層12的部分。接著，如圖6的(a)所示，通過(guò)使用化學(xué)蝕刻液進(jìn)行蝕刻來(lái)去除上述暴露的絕緣層12的部分。通過(guò)該蝕刻，將上述大致-字狀的預(yù)定切割部形成為大致-字狀的缺口 16(成為大致-字狀的貫通狀態(tài))。接著，通過(guò)實(shí)施電解電鍍處理，在上述電路、光學(xué)元件位置限定用電極13及彎折部定位用電路14的表面形成鍍層(未圖示)。之后，利用氫氧化鈉水溶液等剝離上述干膜抗蝕劑。另外，作為上述鍍層的成分，能夠列舉出金、鎳等。另外，該鍍層的厚度通常設(shè)定在0. 2 ii m 0. 5 ii m的范圍內(nèi)。然后，如圖6的(b)所示，在以上述光學(xué)元件位置限定用電極13為基準(zhǔn)的規(guī)定位置，安裝(芯片接合Die Bonding)上述光學(xué)元件10及驅(qū)動(dòng)IC(未圖示)。接著，利用引線(xiàn)接合電連接上述光學(xué)元件10與上述驅(qū)動(dòng)1C，并且利用引線(xiàn)接合電連接上述驅(qū)動(dòng)IC與電極盤(pán)(上述電路的一部分)。之后，樹(shù)脂密封(未圖示)上述光學(xué)元件10及其周邊部。然后，如圖6的(C)所示，與上述電路基板呈直角地將由上述大致-字狀的缺口16(參照?qǐng)D6的(a))圍成的舌片狀部分15A彎折成立起狀，形成為彎折部15。這樣，獲得了具有彎折部15的電路單元E。該彎折部15以利用上述半添加法與光學(xué)元件位置限定用電極13同時(shí)形成的彎折部定位用電路14為基準(zhǔn)而形成，因此上述彎折部15相對(duì)于上述光學(xué)元件位置限定用電極13定位形成在規(guī)定位置。因此，安裝于相對(duì)于該光學(xué)元件位置限定用電極13的規(guī)定位置的光學(xué)元件10與上述彎折部15成為相互進(jìn)行了定位的位置關(guān)系。另外，上述彎折部15的高度(在該實(shí)施方式中，是指前端部的V字狀的缺口部15a的角部(底部)的高度)設(shè)定為大于供該彎折部15嵌合的上述光波導(dǎo)路單元的缺口部4(參照?qǐng)DI)的進(jìn)深。這樣，上述(2)的電路單元E的制作工序完成。(3)光波導(dǎo)路單元W與電路單元E的結(jié)合工序接著，說(shuō)明光波導(dǎo)路單元W與電路單元E的結(jié)合工序。如圖7的立體圖所示，該結(jié)合是，在使上述電路單元E的光學(xué)元件10與上述光波導(dǎo)路單元W的芯2的一端面2a相面對(duì)的狀態(tài)下，使上述電路單元E的彎折部15嵌合于上述光波導(dǎo)路單元W的缺口部4，使上述光波導(dǎo)路單元W與上述電路單元E—體化。之后，根據(jù)需要，也可以利用粘合劑固定上述缺口部4與彎折部15的嵌合部。然后，如圖I所示，彎曲上述光波導(dǎo)路單元W。這樣，上述
(3)的光波導(dǎo)路單元W與電路單元E的結(jié)合工序結(jié)束，完成了作為目標(biāo)的光電混載基板。在此，如上所述，在上述光波導(dǎo)路單元W中，芯2的一端面2a與電路單元定位用的缺口部4成為相互進(jìn)行了定位的位置關(guān)系。另外，在安裝有上述光學(xué)元件10的電路單元E中，光學(xué)元件10與嵌合于上述缺口部4的彎折部15成為相互進(jìn)行了定位的位置關(guān)系。因此，如上所述，通過(guò)使上述彎折部15嵌合于上述缺口部4而制作上述光電混載基板時(shí)，芯2的一端面2a與光學(xué)元件10自動(dòng)地進(jìn)行調(diào)心。其結(jié)果，在上述光電混載基板的制作中，不需要進(jìn)行費(fèi)時(shí)費(fèi)力的調(diào)心作業(yè)。即，上述光電混載基板的量產(chǎn)性?xún)?yōu)異。而且，上述光波導(dǎo)路單元W的缺口部4形成于構(gòu)成該光波導(dǎo)路單元W的下包層I及上包層3的規(guī)定部分。另外，上述電路單元E的彎折部15是由構(gòu)成該電路單元E的電路基板的局部構(gòu)成的。即，上述缺口部4與上述彎折部15的嵌合不需要連接器等其他部件。因此，在光波導(dǎo)路單元W與電路單元E的結(jié)合中不存在上述連接器等其他部件所造成的尺寸誤差、位置偏移的累積，因此光波導(dǎo)路單元W的芯2與電路單元E的光學(xué)元件10的調(diào)心為高精度。另外，上述缺口部4與上述彎折部15的嵌合不需要連接器等其他部件，因此也不需要管理該連接器等的尺寸精度，根據(jù)這一點(diǎn)，量產(chǎn)性也優(yōu)異。圖8是示意性表示本發(fā)明的光電混載基板的第2實(shí)施方式的立體圖。在該實(shí)施方式中，光波導(dǎo)路單元W的芯2在其一端部向光波導(dǎo)路單元W的單側(cè)側(cè)緣彎曲，與該彎曲相對(duì)應(yīng)地，供電路單元E的彎折部15嵌合的缺口部4形成在光波導(dǎo)路單元W的單側(cè)側(cè)緣。除此以外的光波導(dǎo)路單元W的部分及電路單元E皆與圖I所示的上述第I實(shí)施方式相同，對(duì)相同的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。而且，起到了與上述第I實(shí)施方式相同的作用、效果。另外，作為上述芯2的彎曲的構(gòu)造，例如可以考慮曲率半徑0. 5mm IOmm的彎曲等。另外，在上述第I及第2實(shí)施方式中，將光波導(dǎo)路單元W的上述缺口部4的形狀設(shè)為了 Y字狀，將電路單元E的上述彎折部15的前端部的缺口部15a的形狀設(shè)為了 V字狀，但是也可以設(shè)為其他形狀。例如，與上述結(jié)構(gòu)相反地，也可以將光波導(dǎo)路單元W的上述缺口部4設(shè)為V字狀，將電路單元E的上述彎折部15的缺口部15a設(shè)為Y字狀。另外，也可以將兩者均設(shè)為Y字狀或V字狀。而且，也可以將光波導(dǎo)路單元W的上述缺口部4設(shè)為長(zhǎng)方形，在電路單元E的上述彎折部15不形成缺口部15a。、
圖9的(a)是示意性表示本發(fā)明的光電混載基板的第3實(shí)施方式的立體圖。在該實(shí)施方式中，在光波導(dǎo)路單元W中，作為電路單元定位用，取代圖I所示的上述第I實(shí)施方式的缺口部4而形成有長(zhǎng)方形的貫通孔(嵌合孔)17。而且，在該貫通孔17內(nèi)嵌合有上述電路單元E的上述彎折部15。通過(guò)該嵌合，上述光波導(dǎo)路單元W與電路單元E在平行的狀態(tài)下相結(jié)合而一體化。另外，在該實(shí)施方式中，上述電路單元E的上述彎折部15形成為隨著朝向前端側(cè)(在圖中為上端側(cè))寬度逐漸變窄的梯形，其前端部形成為直線(xiàn)狀，在該前端部未形成有缺口部15a (參照?qǐng)D3)。另外，上述光波導(dǎo)路單元W的一端部(圖9的(a)的跟前側(cè)端部)的主要部分的縱剖視圖如圖9的(b)所示，在該光波導(dǎo)路單元W的一端部形成有相對(duì)于芯2的軸向傾斜45°的傾斜面，位于該傾斜面的芯2的一端面2a成為光反射面。即，成為在芯2的一端面2a處反射光、能夠在芯2與光學(xué)元件10之間傳遞光的狀態(tài)(參照?qǐng)D示的點(diǎn)劃線(xiàn)L)。上述傾斜面是在制作光波導(dǎo)路單元W的最后工序中，通過(guò)轉(zhuǎn)刀的切削或激光加工等形成在以上述貫通孔17為基準(zhǔn)的規(guī)定位置。 如圖9的(C)所示，該實(shí)施方式的光電混載基板的制造是通過(guò)使上述電路單元E的彎折部15嵌合于光波導(dǎo)路單元W的貫通孔17內(nèi)來(lái)使上述光波導(dǎo)路單元W與電路單元E一體化而進(jìn)行的。除此以外均與圖I所示的上述第I實(shí)施方式相同，對(duì)相同的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。而且，起到了與上述第I實(shí)施方式相同的作用、效果。另外，在該第3實(shí)施方式中，在光波導(dǎo)路單元W的一端面的傾斜面中，將位于該傾斜面的芯2的一端面2a形成為光反射面，但是如圖10的縱剖視圖所示，也可以將上包層3的一端面3b形成為傾斜的光反射面,成為能夠在芯2與光學(xué)兀件10之間傳遞光的狀態(tài)(參照?qǐng)D示的點(diǎn)劃線(xiàn)L)。S卩，在該情況下，芯2的一端面2a也形成在以上述貫通孔17(參照?qǐng)D9的(c))為基準(zhǔn)的規(guī)定位置，成為與光學(xué)元件10進(jìn)行了調(diào)心的狀態(tài)。圖11的(a) 圖11的(d)示意性地示出了在光波導(dǎo)路單元W的制作中作為具有缺口部3a的上包層3(參照?qǐng)D4的(C))的其他制作工序的模具成形的方法。即，在上述第I及第2實(shí)施方式中，利用光刻法形成了具有上述缺口部3a的上包層3，但是也可以利用模具成形的方法形成。該形成可以如下進(jìn)行。S卩，首先，如圖11的(a)所示，準(zhǔn)備在其下表面形成有凹部的成形模具30，該凹部具有與包括上述缺口部3a的上包層3的形狀相對(duì)應(yīng)的模具面31。然后，如圖11的(b)所示，在基座20的表面形成下包層1，在該下包層I的表面以規(guī)定圖案形成有芯2的狀態(tài)(與圖4的(b)相同的狀態(tài))下，如圖11的(c)所示，使上述成形模具30的下表面與基座20的表面緊密接觸。此時(shí)，將上述成形模具30的、與上述缺口部3a相對(duì)應(yīng)的模具面部分31a定位在下包層I的缺口部Ia上。接著，從形成于上述成形模具30的注入孔(未圖示)向由具有上述缺口部Ia的下包層I的表面、上述成形模具30的模具面31及芯2的表面所圍成的成形空間內(nèi)注入上包層形成用的樹(shù)脂，用上述樹(shù)脂填滿(mǎn)上述成形空間。接著，當(dāng)該樹(shù)脂為感光性樹(shù)脂時(shí)，通過(guò)上述成形模具30用紫外線(xiàn)等輻射線(xiàn)曝光之后進(jìn)行加熱處理，當(dāng)上述樹(shù)脂為熱固化樹(shù)脂時(shí)，進(jìn)行加熱處理。由此，上述上包層形成用的樹(shù)脂固化，形成為具有上述缺口部3a的上包層3。然后，進(jìn)行脫模，如圖11的(d)所示，獲得與圖4的(c)相同的構(gòu)件。也可以這樣形成。另外，上述第3實(shí)施方式的具有貫通孔17的上包層3 (參照?qǐng)D9的(b))的形成也可以與上述相同地(參照?qǐng)D11的(a) 圖11的(d))利用模具成形來(lái)進(jìn)行。在該情況下，上述成形模具30的模具面31成為與具有貫通孔17的上包層3的形狀相對(duì)應(yīng)的形狀。圖12的(a) 圖12的(d)示意性示出了光波導(dǎo)路單元W的其他方式的制作工序。即，在上述各個(gè)實(shí)施方式中，將光波導(dǎo)路單元W中的電路單元定位用的缺口部4形成在下包層I與上包層3的層疊部分(參照?qǐng)D4的(c))，但是也可以?xún)H形成于上包層3。這種光波導(dǎo)路單元W的制作工序(制作方法)可以如下進(jìn)行。S卩，首先，如圖12的(a)所示，在基座20的表面的、除了上述缺口部4(3a)的預(yù)定形成區(qū)域以外的規(guī)定區(qū)域，利用光刻法形成沒(méi)有上述缺口部la(參照?qǐng)D4的(a))的下包層
I。接著，如圖12的(b)所示，在上述下包層I的表面利用光刻法形成規(guī)定圖案的芯2。接著，如圖12的(C)所示，準(zhǔn)備在其下表面形成有凹部的成形模具30，該凹部具有與包括缺口部4(3a)的上包層3的形狀相對(duì)應(yīng)的模具面31。然后，如圖12的(d)所示，使上述成形模具30的下表面與基座20的表面緊密接觸。此時(shí)，將上述成形模具30的、與上述缺口部4(3a)相對(duì)應(yīng)的模具面部分31a相對(duì)于芯2的一端面2a進(jìn)行定位。接著，從形成于上述成 形模具30的注入孔(未圖示)向由上述成形模具30的模具面31、上述基座20的表面、下包層I的表面及芯2的表面所圍成的成形空間內(nèi)注入上包層形成用的樹(shù)脂，用上述樹(shù)脂填滿(mǎn)上述成形空間。之后，用與圖11的(c)所說(shuō)明的上述方法相同的方法，形成包括上述缺口部4(3a)的上包層3。然后，進(jìn)行脫模，如圖13所示，獲得在基座20的表面僅在上包層3形成有上述缺口部4(3a)的光波導(dǎo)路單元W?；蛘?，取代上述模具成形方法(參照?qǐng)D12的(c) 圖12的(d))，也可以利用光刻法來(lái)進(jìn)行上述上包層3的形成。另外，在上述實(shí)施方式(參照?qǐng)D12的(a) 圖12的(d))中，僅在上包層3形成了電路單元定位用的缺口部4 (3a)，但是也可以?xún)H在下包層I形成電路單元定位用的缺口部4 (la)。這種光波導(dǎo)路單元W的制作工序(制作方法)能夠通過(guò)如下的方法進(jìn)行，即，在基座20的表面形成具有缺口部Ia的下包層1，在該下包層I的表面以規(guī)定圖案形成了芯2的狀態(tài)(與圖4的(b)相同的狀態(tài))下，通過(guò)模具成形或光刻法來(lái)形成沒(méi)有上述缺口部3a(參照?qǐng)D4的(c))的上包層3。圖14的(a)、圖14的(b)示意性示出了光波導(dǎo)路單元W的另一其他方式。在該實(shí)施方式中，如圖14的(a)的主視圖、圖14的(b)的圖14的(a)的B-B剖視圖所示，上包層3形成為比下包層I大一圈。這種光波導(dǎo)路單元W也可以利用如上所述的模具成形或光刻法來(lái)進(jìn)行制作。如上所述(參照?qǐng)D11的(a) 圖11的(C)、圖12的(a) 圖12的(d)、圖14的
(a)、圖14的(b))，當(dāng)通過(guò)模具成形方法形成電路單元定位用的缺口部4時(shí)，能夠?qū)⒃撊笨诓?的厚度形成得較厚，在將電路單元E的彎折部15嵌合于該缺口部4的狀態(tài)下，能夠增強(qiáng)該嵌合部分的強(qiáng)度。另外，在上述實(shí)施方式中，作為光學(xué)元件10采用了引線(xiàn)接合型的元件，但是也可以采用倒裝芯片型的元件。在采用該倒裝芯片型的元件的情況下，由于發(fā)光部或受光部形成于光學(xué)元件10的安裝面(背面)，因此如圖15所示，光波導(dǎo)路單元W從未安裝有光學(xué)元件10的一側(cè)與電路單元E相嵌合，在電路單元E的與上述發(fā)光部或受光部相對(duì)應(yīng)的部分形成有光通過(guò)用的貫通孔18。另外，在上述各個(gè)實(shí)施方式中，說(shuō)明了光電混載基板的一端部，另一端部也可以形成為與上述各個(gè)實(shí)施方式的一端部相同的結(jié)構(gòu)。在該情況下，作為上述光學(xué)元件10，例如在一端部側(cè)安裝發(fā)光元件，在另一端部側(cè)安裝受光元件，從而能夠用上述受光元件通過(guò)芯2接收來(lái)自該發(fā)光元件的光。而且，在上述各個(gè)實(shí)施方式中，在電路單元E的制作工序中，在電路、光學(xué)元件位置限定用電極13、彎折部定位用電路14的表面形成了鍍層，但是該鍍層是根據(jù)需要形成的，在不需要的情況下，也可以不形成鍍層。接著，說(shuō)明實(shí)施例。但是，本發(fā)明并不限定于實(shí)施例。實(shí)施例
_2] 下包層、上包層的形成材料成分A(固體環(huán)氧樹(shù)脂)含有芳香環(huán)骨架的環(huán)氧樹(shù)脂(三菱化學(xué)公司制，
一卜 1002)70質(zhì)量份。成分B(固形環(huán)氧樹(shù)脂)含有脂環(huán)骨架的環(huán)氧樹(shù)脂(大賽璐化學(xué)工業(yè)公司制、EHPE3150)30 質(zhì)量份。成分C (光產(chǎn)酸劑)三芳基锍鹽的50%碳酸丙烯酯(Propylene carbonate)溶液(San-Apro 公司制、CPI-200K) 2 質(zhì)量份。將這些成分A C攪拌溶解(溫度80°C、攪拌250rpmX 3小時(shí))于55質(zhì)量份的乳酸乙脂(武藏野化學(xué)研究所制)中，調(diào)制出下包層及上包層的形成材料(感光性樹(shù)脂組合物)。用數(shù)字粘度計(jì)(BROOK FIELD公司制、HBDV-I+CP)測(cè)量該感光性樹(shù)脂組合物的粘度，測(cè)得其粘度為1320mPa S。芯的形成材料成分D :鄰甲酹酹醒清漆縮水甘油醚(0-cresol novolac glycidylether)(新日鐵化學(xué)制、YDCN-700-10) 100質(zhì)量份。將該成分D與I質(zhì)量份的上述成分C攪拌溶解(溫度80°C、攪拌250rpmX 3小時(shí))于60質(zhì)量份的乳酸乙脂(武藏野化學(xué)研究所制)中，調(diào)制出芯的形成材料(感光性樹(shù)脂組合物)。用上述數(shù)字粘度計(jì)測(cè)量該感光性樹(shù)脂組合物的粘度，測(cè)得其粘度為1900mPa S。實(shí)施例I光波導(dǎo)路單元的制作使用上述下包層、芯、上包層的各個(gè)形成材料，以與上述第I實(shí)施方式相同的方法制作出具有電路單元定位用的Y字狀的缺口部的光波導(dǎo)路單元。上述Y字狀的缺口部的尺寸設(shè)為整體的進(jìn)深為0. 5mm，Y字狀的里側(cè)的恒定寬度部分的進(jìn)深為0. 25_，該恒定寬度部分的寬度為0. lmm, Y字狀的張開(kāi)的開(kāi)口側(cè)的最大寬度為0. 4_，相鄰的缺口部的中心之間的距離為6. 0mm。電路單元的制作以與上述第I實(shí)施方式相同的方法制作出具有嵌合于上述電路單元定位用的缺口部的長(zhǎng)方形的彎折部、在該彎折部的前端部形成有Y字狀的缺口部的電路單元。該彎折部的尺寸設(shè)為寬度為4. 5_，高度為3. Omm0另外，前端部的Y字狀的缺口部的尺寸設(shè)為整體的進(jìn)深為2. 5mm，Y字狀的里側(cè)的恒定寬度部分的進(jìn)深為0. 75_，該恒定寬度部分的寬度為0. lmm，Y字狀的張開(kāi)的開(kāi)口側(cè)的最大寬度為0. 7mm，相對(duì)的Y字狀的缺口部的中心之間的距離為6. 0mm。另外，作為光學(xué)元件，安裝了引線(xiàn)接合法、倒裝芯片法兩用的發(fā)光元件(VCSEL:ULM Photonics 公司制、ULM850-10-C00104U)。光電混載基板的制造將上述電路單元的彎折部的缺口部嵌合于上述光波導(dǎo)路單元的缺口部，使上述光波導(dǎo)路單元與上述電路單元一體化。然后，利用粘合劑固定其嵌合部。實(shí)施例2光波導(dǎo)路單元的制作使用上述下包層、芯、上包層的各個(gè)形成材料，以與上述第3實(shí)施方式相同的方法制作出具有電路單元定位用的長(zhǎng)方形的貫通孔的光波導(dǎo)路單元。上述長(zhǎng)方形的貫通孔的尺寸設(shè)為長(zhǎng)度為3. Omm,寬度為0. Imm,相鄰的貫通孔的中心之間的距離為6. 0mm。
_0] 電路單元的制作 以與上述第3實(shí)施方式相同的方法制作出具有嵌合于上述電路單元定位用的貫通孔的梯形的彎折部的電路單元。該彎折部的尺寸設(shè)為底邊(長(zhǎng)邊)的寬度為6. 3_，頂邊(短邊)的寬度為5. 4mm，高度為0.8mm，彎折部的中心之間的距離為6. 0mm。另外，光學(xué)元件安裝與上述實(shí)施例I相同的光學(xué)元件。光電混載基板的制造將上述電路單元的彎折部嵌合于上述光波導(dǎo)路單元的貫通孔，使上述光波導(dǎo)路單元與上述電路單元一體化。然后，利用粘合劑固定其嵌合部。光傳播試驗(yàn)向上述實(shí)施例1、2的光電混載基板的發(fā)光兀件中通電,使光從發(fā)光兀件出射。然后，確認(rèn)到光從光電混載基板的芯的另一端部出射。實(shí)施例3光波導(dǎo)路單元的制作在上述實(shí)施例I的光波導(dǎo)路單元的基礎(chǔ)上，另一端部也與一端部相同地制成具有電路單元定位用的Y字狀的缺口部的光波導(dǎo)路單元。除此以外皆與上述實(shí)施例I相同。電路單元的制作制成在上述實(shí)施例I的電路單元上安裝有發(fā)光元件用的驅(qū)動(dòng)器的發(fā)送用電路單元。而且，在上述實(shí)施例I的電路單元中，取代發(fā)光元件而安裝了引線(xiàn)接合法、倒裝芯片法兩用的受光元件(PD :albis公司制、CA04-70-GS)，而且，制成安裝有該受光元件用的TIA的接收用電路單元。上述發(fā)光元件及受光元件的安裝方法分別采用了引線(xiàn)接合法、倒裝芯片法。光電混載基板的制造與上述實(shí)施例I相同地在光波導(dǎo)路單元的一端部固定上述發(fā)送用電路單元，在另一端部固定上述接收用電路單元。實(shí)施例4光波導(dǎo)路單元的制作在上述實(shí)施例2的光波導(dǎo)路單元的基礎(chǔ)上，另一端部也與一端部相同地制成具有電路單元定位用的長(zhǎng)方形的貫通孔的光波導(dǎo)路單元。除此以外皆與上述實(shí)施例2相同。電路單元的制作制成在上述實(shí)施例2的電路單元上安裝有發(fā)光元件用的驅(qū)動(dòng)器的發(fā)送用電路單元。而且，在上述實(shí)施例2的電路單元中，取代發(fā)光元件而安裝了引線(xiàn)接合法、倒裝芯片法兩用的受光元件(PD :albis公司制、PDCA04-70-GS)，而且，制成安裝有該受光元件用的TIA的接收用電路單元。上述發(fā)光元件及受光元件的安裝方法分別采用了引線(xiàn)接合法、倒裝芯片法。光電混載基板的制造與上述實(shí)施例2相同地在上述光波導(dǎo)路單元的一端部固定上述發(fā)送用電路單元，在另一端部固定上述接收用電路單元。
信號(hào)傳輸試驗(yàn)使用另外準(zhǔn)備的個(gè)人計(jì)算機(jī)，一邊控制上述驅(qū)動(dòng)器與TIA，一邊從上述發(fā)送用電路單元利用脈沖圖案信號(hào)發(fā)生器輸入高速信號(hào)，從上述接收用電路單元利用示波器讀取信號(hào)。然后，利用眼圖評(píng)價(jià)，對(duì)實(shí)施例3、4的光電混載基板的信號(hào)傳輸特性進(jìn)行評(píng)價(jià)。其結(jié)果，在IOGbps的信號(hào)傳輸中也能夠確認(rèn)到有良好的信號(hào)傳輸。根據(jù)上述實(shí)施例I 4的結(jié)果可知，在上述制造方法中，即使不進(jìn)行光波導(dǎo)路單元的芯與電路單元的光學(xué)元件(發(fā)光元件、受光元件)的調(diào)心作業(yè)，所獲得的光電混載基板也適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行光傳播。另外，在上述第2、3實(shí)施方式、如圖11 圖15所示地形成的光電混載基板中，也與上述實(shí)施例I 4相同地能夠獲得即使不進(jìn)行調(diào)心作業(yè)也能適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行光傳播這樣的結(jié)果。產(chǎn)業(yè)h的可利用件本發(fā)明的光電混載基板能夠用于以高速傳送或者處理聲音、圖像等數(shù)字信號(hào)的信息通信設(shè)備、信號(hào)處理裝置等。附圖標(biāo)記說(shuō)明W、光波導(dǎo)路單元；E、電路單元；2、芯；2a、一端面；4、缺口部；10、光學(xué)元件；15、彎折部。
權(quán)利要求
1.一種光電混載基板，其是光波導(dǎo)路單元與安裝有光學(xué)元件的電路單元相結(jié)合而成的，其特征在于， 上述光波導(dǎo)路單元具有下包層；光路用的芯，其形成于該下包層的表面；上包層，其用于覆蓋該芯；電路單元定位用的缺口部或貫通孔，其形成于上述下包層及上述上包層中的至少一個(gè)包層的局部； 上述電路單元具有電路基板；光學(xué)元件，其安裝于該電路基板上的規(guī)定部分；彎折部，其是將上述電路基板的局部呈立起狀地彎 折而成的，且用于嵌合于上述缺口部或貫通孔； 上述光波導(dǎo)路單元的上述缺口部或貫通孔相對(duì)于上述芯的一端面定位形成在規(guī)定位置，上述電路單元的上述彎折部相對(duì)于上述光學(xué)元件定位形成在規(guī)定位置， 上述光波導(dǎo)路單元與上述電路單元的結(jié)合是以將上述電路單元的上述彎折部嵌合于上述光波導(dǎo)路單元的上述缺口部或貫通孔的狀態(tài)完成的。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光電混載基板，其特征在于， 上述光波導(dǎo)路單元的上述缺口部形成為隨著朝向缺口的里側(cè)寬度逐漸變窄的V字狀或Y字狀，在上述電路單元的上述彎折部也形成有隨著朝向缺口的里側(cè)寬度逐漸變窄的V字狀或Y字狀的缺口部，上述光波導(dǎo)路單元的V字狀或Y字狀的缺口部與上述電路單元的上述彎折部的V字狀或Y字狀的缺口部相嵌合。
3.一種光電混載基板的制造方法，其是使光波導(dǎo)路單元與安裝有光學(xué)元件的電路單元相結(jié)合的權(quán)利要求I所述的光電混載基板的制造方法，其特征在于， 上述光波導(dǎo)路單元的制作包括形成下包層的工序、在該下包層的表面形成光路用的芯的工序和以覆蓋上述芯的方式形成上包層的工序， 在形成上述下包層的工序及形成上述上包層的工序中的至少一個(gè)工序中，在相對(duì)于上述芯的一端面進(jìn)行了定位的規(guī)定位置，形成電路單元定位用的缺口部或貫通孔， 上述電路單元的制作包括形成電路基板的工序和在該電路基板上的規(guī)定部分安裝光學(xué)元件的工序， 在安裝該光學(xué)元件之后，在相對(duì)于該光學(xué)元件進(jìn)行了定位的規(guī)定位置，呈立起狀地彎折形成嵌合于上述缺口部或貫通孔的彎折部， 使上述光波導(dǎo)路單元與上述電路單元相結(jié)合而形成光電混載基板是通過(guò)將上述電路單元的上述彎折部嵌合于上述光波導(dǎo)路單元的上述缺口部或貫通孔而完成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電混載基板的制造方法，其特征在于， 將上述光波導(dǎo)路單元的上述缺口部形成為隨著朝向缺口的里側(cè)寬度逐漸變窄的V字狀或Y字狀，在上述電路單元的上述彎折部也形成隨著朝向缺口的里側(cè)寬度逐漸變窄的V字狀或Y字狀的缺口部，使上述光波導(dǎo)路單元的V字狀或Y字狀的缺口部與上述電路單元的上述彎折部的V字狀或Y字狀的缺口部相嵌合。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不需要進(jìn)行光波導(dǎo)路單元的芯與電路單元的光學(xué)元件的調(diào)心作業(yè)且量產(chǎn)性?xún)?yōu)異的光電混載基板及其制造方法。該光電混載基板是光波導(dǎo)路單元(W)與安裝有光學(xué)元件(10)的電路單元(E)相結(jié)合而成的，其中，光波導(dǎo)路單元(W)具有形成于下包層及上包層中的至少一個(gè)包層的局部的電路單元定位用的缺口部(4)，該缺口部相對(duì)于芯(2)的一端面(2a)定位形成在規(guī)定位置。電路單元(E)具有電路基板的局部呈立起狀地彎折而成的嵌合于缺口部(4)的彎折部(15)，該彎折部相對(duì)于光學(xué)元件(10)定位形成在規(guī)定位置。而且，以上述彎折部(15)嵌合于上述缺口部(4)的狀態(tài)光波導(dǎo)路單元(W)與電路單元(E)相結(jié)合在一起。
文檔編號(hào)G02B6/13GK102736192SQ20121005527
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2012年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月29日
發(fā)明者井上真彌, 程野將行, 辻田雄一, 長(zhǎng)藤昭子, 高瀨真由 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社