專(zhuān)利名稱(chēng)：投影系統(tǒng)、光刻設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種投影系統(tǒng)、一種光刻設(shè)備和一種制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上(通常應(yīng)用到所述襯底的目標(biāo)部分上)的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱(chēng)為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以 將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、ー個(gè)或多個(gè)管芯)上。典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕齊IJ)層上。通常，單個(gè)襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來(lái)輻射每ー個(gè)目標(biāo)部分。還可以通過(guò)將所述圖案壓印到所述襯底上，而將所述圖案從所述圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到所述襯底上。

發(fā)明內(nèi)容
可以提供投影系統(tǒng)以將來(lái)自圖案形成裝置的圖案引導(dǎo)至襯底上。典型的投影系統(tǒng)將包括在外殼(也被稱(chēng)為透鏡筒)中裝配的一系列元件(例如光學(xué)元件，諸如透鏡)。在透鏡筒內(nèi)的氣體環(huán)境應(yīng)當(dāng)被精細(xì)地控制，使得它不會(huì)干擾器件的光學(xué)性能或損壞敏感的光學(xué)元件。例如，應(yīng)當(dāng)將灰塵排除在外，濕度水平應(yīng)當(dāng)基本上保持恒定(通常很低)，和/或化學(xué)污染物(有機(jī)和/或無(wú)機(jī))的水平應(yīng)當(dāng)被嚴(yán)格控制。氣體的構(gòu)成也應(yīng)當(dāng)被控制。氣體環(huán)境的控制可以包括保持氣流穿過(guò)氣體環(huán)境。壓強(qiáng)通常保持在高于大氣壓強(qiáng)的水平上，以阻礙氣體和/或污染物從投影系統(tǒng)的外部流入。投影系統(tǒng)內(nèi)部的氣體環(huán)境和投影系統(tǒng)外部的環(huán)境之間的壓差的變化可能減小在襯底上形成的圖像的精度。例如，期望減小由這樣的變化減小圖像精度的程度。根據(jù)ー個(gè)方面，提供了一種用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)，其中所述投影系統(tǒng)配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上；所述投影系統(tǒng)包括第一光學(xué)元件，所述第一光學(xué)元件包括第一面和第二面；所述第一面配置成暴露至連接至所述光刻設(shè)備的外面的外部氣體環(huán)境；所述第二面配置成暴露至內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔離；且所述投影系統(tǒng)還包括壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)，所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。根據(jù)ー個(gè)方面，提供了ー種光刻設(shè)備，包括投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件具有第一面和第二面，其中所述第一面配置成暴露至連接至所述光刻設(shè)備的外面的外部氣體環(huán)境，所述第二面配置成暴露至內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔離；和壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)，配置成響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。根據(jù)ー個(gè)方面，提供了ー種光刻設(shè)備，包括投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件具有第一面和第二面，其中所述第一面配置成暴露至連接至所述光刻設(shè)備的外面的外部氣體環(huán)境，所述第二面配置成暴露至內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔離，在使用中在所述內(nèi)部氣體環(huán)境和所述外部氣體環(huán)境之間具有壓差；和壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)，配置成響應(yīng)于所述壓差的已測(cè)量的變化調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。根據(jù)ー個(gè)方面，提供了一種器件制造方法，包括使用投影系統(tǒng)將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件具有第一面和第二面，所述第一面暴露至連接至所述投影系統(tǒng)的外面的外部氣體環(huán)境，所述第二面暴露至內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔離；和響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中，在附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，且其中圖I描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2描述在投影系統(tǒng)的上部或下部處的內(nèi)部氣體環(huán)境，且被動(dòng)式部件包括活塞和汽缸；圖3描述包括隔膜的被動(dòng)式部件；圖4描述包括波紋管的被動(dòng)式部件；圖5描述在投影系統(tǒng)的上部或下部處的內(nèi)部氣體環(huán)境，且主動(dòng)式部件包括活塞、汽缸和活塞驅(qū)動(dòng)器；圖6描述包括隔膜和隔膜驅(qū)動(dòng)器的主動(dòng)式部件；圖7描述包括波紋管和波紋管驅(qū)動(dòng)器的主動(dòng)式部件；圖8描述在投影系統(tǒng)的上部或下部處的內(nèi)部氣體環(huán)境，且氣體粒子調(diào)整器用于調(diào)整內(nèi)部氣體環(huán)境中的氣體粒子的數(shù)量(即氣體量)，所述氣體粒子調(diào)整器包括高壓和低壓貯存器和相關(guān)的閥；圖9描述包括一系列不同體積的低壓貯存器和一系列保持處于不同壓強(qiáng)下的高壓貯存器的氣體粒子調(diào)整器；圖10描述在圖8中顯示的系統(tǒng)的變形例；和圖11描述根據(jù)圖8顯示的系統(tǒng)的圖9中顯示的系統(tǒng)的變形例。
具體實(shí)施例方式圖I示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo)(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射);
-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，構(gòu)造用干支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；-襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，所述投影系統(tǒng)PS配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或更多根管芯)上。所述照射系統(tǒng)可以包括各種類(lèi)型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類(lèi)型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴(lài)于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成 裝置是否保持在真空環(huán)境中等其它條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來(lái)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如ニ元掩模類(lèi)型、交替型相移掩模類(lèi)型、衰減型相移掩模類(lèi)型和各種混合掩模類(lèi)型之類(lèi)的掩模類(lèi)型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每ー個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類(lèi)型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類(lèi)的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多的臺(tái)(或平臺(tái)或支撐件)的類(lèi)型，例如具有兩個(gè)或更多的襯底臺(tái)或一個(gè)或更多的襯底臺(tái)與一個(gè)或更多的傳感器臺(tái)或測(cè)量臺(tái)的組合。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在ー個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將ー個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。光刻設(shè)備可以具有兩個(gè)或更多的圖案形成裝置(或平臺(tái)或支撐件)，其可以以類(lèi)似于襯底臺(tái)、傳感器臺(tái)和測(cè)量臺(tái)的方式被并行地使用。光刻設(shè)備還可以是至少一部分襯底可以被相對(duì)高折射率的液體(例如水)覆蓋、以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間的類(lèi)型。浸沒(méi)液體還可以被施加至光刻設(shè)備中的其它空間，例如在掩模和投影系統(tǒng)之間。在本領(lǐng)域中公知，浸沒(méi)技術(shù)用于増加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。如在此處所使用的術(shù)語(yǔ)“浸沒(méi)”并不排外地意味著諸如襯底等結(jié)構(gòu)必須浸沒(méi)在液體中，而是意味著在曝光期間液體可以位于投影系統(tǒng)和襯底和/或圖案形成裝置之間。其可以或可以不涉及浸沒(méi)在液體中的結(jié)構(gòu)，諸如襯底。參考標(biāo)記IM顯示用于實(shí)施浸沒(méi)技術(shù)的設(shè)備可以定位的位置。這樣的設(shè)備可以包括浸沒(méi)液體的供給系統(tǒng)和將液體限制在感興趣的區(qū)域中的液體限制結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器吋)。在這種情況下，不會(huì)將該源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器1し在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱(chēng)作輻射系統(tǒng)。
所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱(chēng)為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))ΜΤ上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑中。類(lèi)似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另ー個(gè)位置傳感器(圖I中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位圖案形成裝置ΜΑ。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)。類(lèi)似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Pl、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專(zhuān)用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類(lèi)似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式中的至少ー種中I.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同吋，將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，単一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在単一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，単一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單ー動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另ー模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同吋，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，如同在其他模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類(lèi)型的可編程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。如上文所述，在透鏡筒內(nèi)部的內(nèi)部氣體環(huán)境和投影系統(tǒng)外面的環(huán)境(例如“無(wú)塵室”，下文通常稱(chēng)為外部環(huán)境)之間的壓差的變化可以減小在襯底上形成的圖像的精度。由 于橫跨光學(xué)元件(例如，其例如可能是單獨(dú)的透鏡)的氣壓差的最終的變化，可能發(fā)生光學(xué)精度的降低。橫跨光學(xué)元件的壓差的變化可能導(dǎo)致光學(xué)元件的扭曲和/或位移和投影系統(tǒng)的光學(xué)性能的對(duì)應(yīng)的變化。對(duì)于在投影系統(tǒng)的最上部和/或最下部處的光學(xué)元件，壓差變化可能非常大，所述在投影系統(tǒng)的最上部和/或最下部處的光學(xué)元件被在ー側(cè)暴露至外部環(huán)境壓強(qiáng)且在另ー側(cè)暴露至內(nèi)部氣體環(huán)境，該內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與外部環(huán)境隔離。外部環(huán)境中的壓強(qiáng)可以顯著地變化，和在相對(duì)短的時(shí)標(biāo)上變化。例如，關(guān)閉外部環(huán)境中的門(mén)典型地可能導(dǎo)致光刻設(shè)備處多達(dá)25Pa的壓強(qiáng)波動(dòng)，盡管精確的大小將依賴(lài)于許多因素，包括外部環(huán)境的大小、門(mén)的性質(zhì)和位置、門(mén)被關(guān)閉的方式等?？梢蕴峁┩ㄟ^(guò)內(nèi)部氣體環(huán)境的連續(xù)的氣流。該連續(xù)的氣流可能對(duì)于例如移除來(lái)自于排氣(outgassing)的污染物是有用的。氣流還可以幫助控制在靠近內(nèi)部氣體環(huán)境的光學(xué)元件中的加熱，盡管通常所述氣流與用于此的內(nèi)部氣體環(huán)境的體積相比將太小而不是非常有效的。在原理上，流入的氣流和/或流出的氣流可能被調(diào)整以控制總的壓強(qiáng)。然而，這樣的系統(tǒng)難以足夠快速地響應(yīng)以有效地補(bǔ)償源自于外部環(huán)境的壓強(qiáng)波動(dòng)。在下述的描述中，術(shù)語(yǔ)“外部氣體環(huán)境”用于表示實(shí)質(zhì)上未與外部環(huán)境隔離的(另外也被稱(chēng)作為與外部環(huán)境封閉)任何體積，且因此該體積保持在與外部環(huán)境(例如無(wú)塵室)大致相同的壓強(qiáng)下(即大約大氣壓強(qiáng))。外部氣體環(huán)境可以因此被認(rèn)為是“連接至”光刻設(shè)備外面的環(huán)境。在這種情形中，外部氣體環(huán)境可以因此存在于光刻設(shè)備內(nèi)部。與之相比，“內(nèi)部氣體環(huán)境”指的是實(shí)質(zhì)上與外部環(huán)境隔離的體積。在這種情形中術(shù)語(yǔ)“實(shí)質(zhì)上隔離”意思是隔離至允許進(jìn)行獨(dú)立的壓強(qiáng)調(diào)節(jié)的程度。內(nèi)部氣體環(huán)境與外部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上隔離的事實(shí)因此意思是指內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)實(shí)質(zhì)上獨(dú)立于外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)(沒(méi)有有意的措施用于響應(yīng)于外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)變化來(lái)調(diào)整內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng))。因此，內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)可以保持在明顯不同于外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的水平。通常，內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)保持在高于外部氣體環(huán)境的名義壓強(qiáng)的水平，盡管這不是必須的。內(nèi)部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)可以保持在基本上與內(nèi)部氣體環(huán)境的名義壓強(qiáng)相同的壓強(qiáng)或較低的水平。內(nèi)部氣體環(huán)境可以定位在投影系統(tǒng)的上部。在這ー情形中，內(nèi)部氣體環(huán)境將在第一光學(xué)元件(即圖案化的輻射束所遇到的投影系統(tǒng)中的第一光學(xué)元件)和相鄰的光學(xué)元件(“第二”光學(xué)元件)之間。然而，本發(fā)明的ー實(shí)施例還可或可替代地應(yīng)用至投影系統(tǒng)的最后的元件(定位在其下端處)。在這ー情形中，“內(nèi)部氣體環(huán)境”將是在最后的光學(xué)元件和倒數(shù)第二的光學(xué)元件之間的區(qū)域。在浸沒(méi)系統(tǒng)中，最后的光學(xué)元件將是在使用中與在曝光期間位于投影系統(tǒng)和襯底之間的浸沒(méi)液體接觸的光學(xué)元件。本發(fā)明的一實(shí)施例還可以或可替代地應(yīng)用至投影系統(tǒng)中的另一元件或其它光學(xué)系統(tǒng)(例如照射系統(tǒng))。圖2可以認(rèn)為是描述投影系統(tǒng)的上部或下部。在圖2認(rèn)為是表示投影系統(tǒng)的上部的情形中，圖2的上部(即元件2)被認(rèn)為是高于圖2的下部(即元件4)。在圖2被認(rèn)為是表示投影系統(tǒng)的下部的情形中，圖2的上部(即元件2)被認(rèn)為是低于圖2的下部(即元件4)。所述的部分包括光學(xué)元件2 (在圖2被認(rèn)為示出投影系統(tǒng)的上部的情形中的“第一光學(xué)元件”或在圖2被認(rèn)為示出投影系統(tǒng)的下部的情形中的“最終光學(xué)元件”)，具有被暴露至外部氣體環(huán)境的第一面I和實(shí)質(zhì)上與外部氣體環(huán)境隔離的且替代地暴露至受控制的(主動(dòng)地和/或被動(dòng)地)內(nèi)部氣體環(huán)境5的第二面3。光學(xué)元件2容納在透鏡筒7內(nèi)，其將通常足夠剛性而不會(huì)由橫跨它的壓強(qiáng)變化而造成顯著變形。在光學(xué)元件2和相鄰的光學(xué)元件4之間的區(qū)域限定了內(nèi)部氣體環(huán)境。根據(jù)所公開(kāi)的實(shí)施例，壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)被提供用以響應(yīng)于外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化來(lái)調(diào)整內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)對(duì)外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化做出反應(yīng)以便于減小所產(chǎn)生的橫跨光學(xué)元件2的壓差變化?！ぴ趫D2-7顯示的實(shí)施例中，體積調(diào)整器6被提供以調(diào)整內(nèi)部氣體環(huán)境的體積。體積調(diào)整器6配置成響應(yīng)于外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)的增加而降低內(nèi)部氣體環(huán)境的體積，響應(yīng)于外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)的降低而增加內(nèi)部氣體環(huán)境的體積，或上述兩者兼有。在圖2-4中，體積調(diào)整器包括配置成被動(dòng)地響應(yīng)于外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)變化的部件。被動(dòng)式部件在不需要外部功率源或主動(dòng)控制系統(tǒng)的情況下進(jìn)行響應(yīng)。在圖5-7中，體積調(diào)整器包括被配置成主動(dòng)地改變內(nèi)部氣體環(huán)境的體積的部件。主動(dòng)式部件包括依賴(lài)于電源和控制系統(tǒng)(控制器)的機(jī)構(gòu)。在圖2中，被動(dòng)式部件包括活塞8，其在汽缸9內(nèi)是可移動(dòng)的(箭頭11)?；钊?的橫截面形狀與汽缸9的內(nèi)部橫截面形狀(其將可能是圓形，但是還可以使用其它形式)相對(duì)應(yīng)。滑動(dòng)密封件10設(shè)置在活塞8和汽缸9之間，以防止或最小化經(jīng)過(guò)活塞8的氣體的泄漏。汽缸9可以在一端連接至內(nèi)部氣體環(huán)境，且在另一端連接至開(kāi)ロ 12。開(kāi)ロ 12通向連接至外部氣體環(huán)境的空間。所述系統(tǒng)配置成使得外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)增加導(dǎo)致活塞8向內(nèi)移動(dòng)(朝圖中的左側(cè))，由此減小了內(nèi)部氣體環(huán)境的體積和導(dǎo)致其中的壓強(qiáng)的補(bǔ)償性的升高。外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)降低導(dǎo)致活塞8被向外推動(dòng)(朝圖中的右側(cè))，由此增加了內(nèi)部氣體環(huán)境的體積和導(dǎo)致其中的壓強(qiáng)補(bǔ)償性的降低。在兩者的情形中，效果是降低由外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)波動(dòng)造成的橫跨光學(xué)元件2的壓差的變化大小。在內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)保持在比外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)更高的壓強(qiáng)水平的情況下，活塞8將設(shè)置有彈性構(gòu)件(未顯示)，所述彈性構(gòu)件朝向內(nèi)部氣體環(huán)境的內(nèi)部偏壓活塞8。偏壓カ需要平衡橫跨活塞8的名義壓差。在內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)保持在比外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)低的水平的情況下，活塞8將設(shè)置有彈性構(gòu)件(未顯示)，所述彈性構(gòu)件朝向內(nèi)部氣體環(huán)境的外部偏壓活塞8。活塞8的縱向軸線可以向下定向，傾斜以從內(nèi)部氣體環(huán)境離開(kāi)。以這種方式，與移動(dòng)的活塞相關(guān)的顆粒污染物將易于落下而遠(yuǎn)離內(nèi)部氣體環(huán)境中的關(guān)鍵元件。圖3描述被動(dòng)式部件包括可變形構(gòu)件14(隔膜，在這一例子中)的實(shí)施例，可變形構(gòu)件14配置成響應(yīng)于外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)波動(dòng)而向內(nèi)或向外或向內(nèi)和向外(箭頭13)變形。圖3中的布置的操作對(duì)應(yīng)于圖2的實(shí)施例的活塞8和汽缸9的操作。然而，內(nèi)部氣體環(huán)境5的體積的變化是通過(guò)變形而不是通過(guò)位移來(lái)實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)橐苿?dòng)的部件被最少化，所以圖3的布置是有利的。內(nèi)部氣體環(huán)境5的污染的風(fēng)險(xiǎn)因此被降低。可變形構(gòu)件14和透鏡筒5之間的連接點(diǎn)被固定，由此便于提供可靠的密封件。聚四氟こ烯(PTFE)隔膜可以用作例如可變形構(gòu)件。干的凈化氣流可以設(shè)置在隔膜的區(qū)域中，以防止?jié)穸韧ㄟ^(guò)隔膜流入。在內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)被保持在比外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)更高或更低的水平的情況下，可變形構(gòu)件14又可以設(shè)置有彈性構(gòu)件(未顯示)以提供所需要的偏壓。例如，可變形構(gòu)件14可以由具有弾性性能的隔膜形成。圖4描述被動(dòng)式部件包括波紋管16的ー實(shí)施例，該波紋管16配置成響應(yīng)于外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)波動(dòng)而改變形狀(箭頭15)。波紋管的操作對(duì)應(yīng)于活塞8和汽缸9的布置的操作，和可變形構(gòu)件14的布置的操作，兩者如上文所述。波紋管16配置成響應(yīng)于外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)波動(dòng)被向內(nèi)、向外或向內(nèi)和向外(箭頭15)驅(qū)動(dòng)。波紋管16實(shí)際上由外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)波動(dòng)驅(qū)動(dòng)以改變內(nèi)部氣體環(huán)境5的體積，以便至少部分地補(bǔ)償所述波動(dòng)夕卜部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的增加伴隨著內(nèi)部氣體環(huán)境5的體積的相應(yīng)的降低，反之亦然。如對(duì)于具有圖3的可變形元件14的布置，波紋管16是有利的，這是因?yàn)橐苿?dòng)部件被最少化(例如不需要滑動(dòng)密封件)。期望將顆粒形成減小到最少。如果內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)將保持在比外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)更高或更低的水平，則波紋管16可以以類(lèi)似于參考圖2和3的上述的實(shí)施例的方式設(shè)置有弾性構(gòu)件以提供需要的偏壓。圖5-7描述分別對(duì)應(yīng)于圖2-4的實(shí)施例的實(shí)施例。圖2_4的實(shí)施例中的被動(dòng)式部件已經(jīng)被一個(gè)或更多的主動(dòng)式部件替代，該主動(dòng)式部件可以對(duì)應(yīng)于圖2-4中顯示的布置中出現(xiàn)的部件。每ー布置的系統(tǒng)設(shè)置有壓強(qiáng)傳感器系統(tǒng)24。壓強(qiáng)傳感器系統(tǒng)24配置成測(cè)量下述參量中的ー個(gè)或更多個(gè)外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)(例如經(jīng)由外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)傳感器)、內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)(例如經(jīng)由內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)傳感器)、和/或內(nèi)部氣體環(huán)境5和外部氣體環(huán)境之間的壓差(例如經(jīng)由處在內(nèi)部氣體環(huán)境和外部氣體環(huán)境之間的交界處的壓差傳感器)。設(shè)置了控制器22，其接收來(lái)自于壓強(qiáng)傳感器系統(tǒng)24的輸入。控制器22可以配置成僅響應(yīng)于外部氣體環(huán)境中的已測(cè)量的壓強(qiáng)。例如，控制器22可以配置成以對(duì)應(yīng)于外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的已檢測(cè)的變化的量來(lái)調(diào)整內(nèi)部氣體體積中的壓強(qiáng)?？商娲鼗蛄硗獾?，控制器22可以配置成響應(yīng)于內(nèi)部氣體環(huán)境5和外部氣體環(huán)境之間的壓差，如從對(duì)內(nèi)部氣體環(huán)境和外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的分別的測(cè)量而獲得(經(jīng)由在內(nèi)部氣體環(huán)境和外部氣體環(huán)境中的每ー個(gè)中的獨(dú)立的傳感器)。例如，控制器22可以配置成以對(duì)應(yīng)于在內(nèi)部和外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)之間的壓差的已檢測(cè)的變化的量來(lái)調(diào)整內(nèi)部氣體體積中的壓強(qiáng)。可替代地或另外地，控制器22可以配置成響應(yīng)于內(nèi)部和外部氣體環(huán)境之間的壓差，如經(jīng)由壓差傳感器從對(duì)壓差的直接測(cè)量獲得的。例如，控制器22可以配置成以對(duì)應(yīng)于已檢測(cè)的壓差中的已檢測(cè)的變化的量來(lái)調(diào)整內(nèi)部氣體體積的壓強(qiáng)。
在圖5中，活塞18和汽缸17與活塞驅(qū)動(dòng)器20協(xié)作，該活塞驅(qū)動(dòng)器20配置成驅(qū)動(dòng)活塞18的向內(nèi)和向外移動(dòng)(箭頭19)。活塞驅(qū)動(dòng)器20響應(yīng)于來(lái)自于控制器22的控制信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)活塞18。控制信號(hào)會(huì)導(dǎo)致活塞18沿著能夠至少部分地補(bǔ)償外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)波動(dòng)(如由壓強(qiáng)傳感器系統(tǒng)24所測(cè)量的)的方向移動(dòng)。例如，如果外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)増加，那么控制信號(hào)將會(huì)使得活塞驅(qū)動(dòng)器20向內(nèi)驅(qū)動(dòng)活塞18(朝圖的左側(cè))。如果外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)降低，那么控制信號(hào)將會(huì)使得活塞18向外移動(dòng)(朝圖的右側(cè))?？刂破?2可以配置成例如在反饋布置中操作?？刂破?2可以另外地或可替代地配置成使用前饋控制?；钊?8的縱向軸線可以向下定向，傾斜以從內(nèi)部氣體環(huán)境5遠(yuǎn)離。以這種方式，與移動(dòng)的活塞18相關(guān)的顆粒污染物將易于落下以遠(yuǎn)離內(nèi)部氣體環(huán)境5中的關(guān)鍵元件。在圖6中，可變形構(gòu)件26與可變形構(gòu)件驅(qū)動(dòng)器25協(xié)同操作?？勺冃螛?gòu)件驅(qū)動(dòng)器25配置成基于來(lái)自控制器22的控制信號(hào)來(lái)控制變形的狀態(tài)(箭頭21)。例如，如果外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)增加，則控制信號(hào)將會(huì)導(dǎo)致可變形構(gòu)件驅(qū)動(dòng)器25使可變形構(gòu)件26變形，以便降低內(nèi)部氣體環(huán)境5的體積。如果外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)降低，那么控制信號(hào)將會(huì)導(dǎo)致可變形構(gòu)件26變形，以便增加內(nèi)部氣體環(huán)境5的體積。
在圖7中，波紋管28設(shè)置有波紋管驅(qū)動(dòng)器30，其配置成基于來(lái)自控制器22的控制信號(hào)控制波紋管28的體積。例如，如果外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)增加，那么控制信號(hào)將會(huì)導(dǎo)致波紋管驅(qū)動(dòng)器30使波紋管28降低內(nèi)部氣體環(huán)境的體積。如果外部氣體壓強(qiáng)降低，那么控制信號(hào)將會(huì)導(dǎo)致波紋管28増加內(nèi)部氣體環(huán)境的體積。圖2-7的活塞和汽缸、諸如隔膜或波紋管等可變形構(gòu)件、或其任何子集可以被單獨(dú)地使用或以任何組合一起使用。此外，盡管顯示了內(nèi)部氣體環(huán)境5包括大致靜止的氣體的情形，但是這不是必須的。例如，凈化氣體供給系統(tǒng)可以被設(shè)置以供給通過(guò)內(nèi)部氣體環(huán)境5的連續(xù)的氣流。另外地或可替代地，壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)可以包括氣體粒子調(diào)整器以調(diào)整內(nèi)部氣體環(huán)境5中的氣體粒子的數(shù)量(即內(nèi)部氣體環(huán)境中的氣體量)。內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)可以通過(guò)增加氣體粒子的數(shù)量而被增加。內(nèi)部氣體環(huán)境5的壓強(qiáng)可以通過(guò)降低氣體粒子的數(shù)量而被降低。用于操縱內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)的該方法可以獨(dú)立地使用或基于改變內(nèi)部氣體環(huán)境5的體積而與上述實(shí)施例中的任一個(gè)或更多個(gè)組合使用。對(duì)氣體粒子的數(shù)量的調(diào)整可以通過(guò)一個(gè)或更多的貯存器的方式而被實(shí)施，該貯存器配置成容裝處于不同于內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)的壓強(qiáng)的氣體。將這樣的貯存器連接至內(nèi)部氣體環(huán)境將導(dǎo)致凈氣流進(jìn)入或流出內(nèi)部氣體環(huán)境5。如果貯存器中的壓強(qiáng)高于內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)，那么凈氣流將進(jìn)入到內(nèi)部氣體環(huán)境5。進(jìn)入內(nèi)部氣體環(huán)境5的凈氣流將易于增加內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)。如果貯存器中的壓強(qiáng)低于內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)，那么凈氣流將流出內(nèi)部氣體環(huán)境5。流出內(nèi)部氣體環(huán)境5的凈氣流將易于降低內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)。因此，通過(guò)選擇性地控制處于不同于內(nèi)部氣體環(huán)境5的壓強(qiáng)的貯存器的連接，可以控制或調(diào)整進(jìn)入或流出內(nèi)部氣體環(huán)境5的氣流。控制或調(diào)整可以例如是直接的，借助于在貯存器和內(nèi)部氣體環(huán)境5之間的直接連接?？商娲鼗蛄硗獾兀刂苹蛘{(diào)整可以是間接的，借助于至通向內(nèi)部氣體環(huán)境5或從其引導(dǎo)的供給管線的連接。供給管線可以是與凈化氣體供給系統(tǒng)相關(guān)的供給管線，例如用于供給通過(guò)內(nèi)部氣體環(huán)境5的凈化氣流。配置成容裝處于低于內(nèi)部氣體環(huán)境5的壓強(qiáng)的壓強(qiáng)下的氣體的貯存器可以被稱(chēng)為“低壓貯存器”。配置成容裝處于高于內(nèi)部氣體環(huán)境5的壓強(qiáng)的壓強(qiáng)下的氣體的貯存器可以被稱(chēng)為“高壓貯存器”。在一個(gè)例子中作為低壓貯存器的貯存器，在另一例子中可以是高壓貯存器。低壓貯存器不需要與高壓貯存器不同。例如，貯存器可以在ー個(gè)時(shí)刻具有被降低的壓強(qiáng)，用于產(chǎn)生流出內(nèi)部氣體環(huán)境5的凈氣流的目的，且因此可以被稱(chēng)為低壓貯存器。在另ー時(shí)刻，同一貯存器可以具有高的壓強(qiáng)，用于產(chǎn)生流入內(nèi)部氣體環(huán)境5的凈氣流的目的，且因此可以被稱(chēng)為高壓貯存器。貯存器可以例如以諸如交替次序的次序執(zhí)行低壓和高壓功能。圖8描述被應(yīng)用至投影系統(tǒng)的上部或下部的示例性布置。參考圖2，在上文描述了投影系統(tǒng)的上部或下部的性質(zhì)。如在參考圖2-7描述的實(shí)施例中，設(shè)置了光學(xué)元件2，其具有暴露至外部氣體環(huán)境的第一面I和暴露至容納在透鏡筒7中的內(nèi)部氣體環(huán)境5的第二面3。在這一例子中，凈化氣體供給系統(tǒng)被提供以供給通過(guò)內(nèi)部氣體環(huán)境5的氣流。所述氣流可以用于例如從內(nèi)部氣體環(huán)境5移除排氣所釋放的污染物。所述氣流可以是連續(xù)的或亞連續(xù)的(即間斷地，在一時(shí)間段是開(kāi)啟的而在ー時(shí)間段是關(guān)閉的)。凈化氣體供給系統(tǒng)從源36經(jīng)由輸入氣體控制器32和輸入管線40供給氣體至內(nèi)部氣體環(huán)境5，和經(jīng)由輸出管線42和輸出氣體控制器34吸取氣體至排氣ロ(sink)38。所述吸取可以是主動(dòng)的或被動(dòng)的。 在這一例子中，氣體粒子調(diào)整器包括兩個(gè)低壓貯存器46和48以及兩個(gè)高壓貯存器50和52。每ー貯存器46，48，50，52經(jīng)由閥61，63，65，67連接至供給管線44。供給管線44通向內(nèi)部氣體環(huán)境5。低壓貯存器46、48保持在低于內(nèi)部氣體環(huán)境5的壓強(qiáng)的壓強(qiáng)下，期望處于接近真空的壓強(qiáng),例如絕對(duì)值小于O. lbar。以這種方式，閥61、63中的ー個(gè)或兩個(gè)的打開(kāi)導(dǎo)致氣體從內(nèi)部氣體環(huán)境5流出或?qū)⑺┙o的流改向至低壓貯存器46、48中的ー個(gè)或兩個(gè)中。氣體粒子的數(shù)量，和因此其壓強(qiáng)因而在內(nèi)部氣體環(huán)境5中被降低。負(fù)壓源47被提供以經(jīng)由閥49,51至排氣ロ 56選擇性地降低低壓貯存器46、48中的壓強(qiáng)。高壓貯存器50、52保持在比內(nèi)部氣體環(huán)境5高的壓強(qiáng)處。以這種方式，閥65或67的打開(kāi)將導(dǎo)致氣體流入到內(nèi)部氣體環(huán)境5中，因此增加了氣體粒子的數(shù)量和因此增加了內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)。過(guò)壓源51被提供以從氣體源58經(jīng)由各自的閥53和55選擇性地増加高壓貯存器50、52中的壓強(qiáng)。氣體源58可以源自于源36(如在圖中顯示的)或來(lái)自于獨(dú)立的源。從低壓或高壓貯存器46，48，50，52進(jìn)入內(nèi)部氣體環(huán)境5的氣體的流量或從內(nèi)部氣體環(huán)境5流出的氣體的流量依賴(lài)于在貯存器46，48，50，52和內(nèi)部氣體環(huán)境5之間的壓差。増加在貯存器46，48，50，52和內(nèi)部氣體環(huán)境5之間的壓差的范圍相對(duì)于低壓貯存器46、48是受限制的。這種限制起因于壓差不可能超過(guò)內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)(因?yàn)榈蛪嘿A存器46,48中的絕對(duì)壓強(qiáng)不可能成為負(fù)的)。然而，這ー間題可以通過(guò)制造體積更大的低壓貯存器46、48來(lái)減輕，使得在它們連接至內(nèi)部氣體環(huán)境5時(shí)貯存器中的壓強(qiáng)升高的速率是較低的。對(duì)于高壓貯存器，壓差可以比對(duì)于低壓貯存器的壓差大得多。高壓貯存器可以因此被制造得較小。使高壓貯存器較小通常是被期望的，這是因?yàn)閷①A存器盡可能地靠近內(nèi)部氣體環(huán)境5定位是有利的和這一區(qū)域中的空間是有限的?？刂破?0被提供以響應(yīng)于壓強(qiáng)傳感器系統(tǒng)24的讀數(shù)來(lái)控制閥61,63,65,67的打開(kāi)。如果外部壓強(qiáng)增加，控制器60將打開(kāi)通向至高壓貯存器的閥65、67中的ー個(gè)或兩個(gè)。打開(kāi)通向至高壓貯存器的閥65、67中的一個(gè)或兩個(gè)將增加內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)。如果外部壓強(qiáng)降低，那么控制器60將打開(kāi)通向至低壓貯存器的閥61、63中的ー個(gè)或兩個(gè)。打開(kāi)通向至低壓貯存器61、63中的一個(gè)或兩個(gè)將降低在內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)。控制器60在這一例子中還配置成控制閥49，51，53和55以確保貯存器中的壓強(qiáng)被驅(qū)動(dòng)至所期望的開(kāi)始值，準(zhǔn)備使用。在這一例子中，設(shè)置有多個(gè)低壓貯存器46、48。這提供了通過(guò)選擇性地打開(kāi)貯存器46,48中的ー個(gè)或兩個(gè)來(lái)提供改變從內(nèi)部氣體環(huán)境5抽取氣體的速率(和/或抽取氣體的總量)的幾率?？商娲鼗蛄硗獾?，多個(gè)貯存器允許降低所述壓強(qiáng)返回至在一個(gè)貯存器中的開(kāi)始值，同時(shí)另ー貯存器用于調(diào)整內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)。類(lèi)似地，多個(gè)高壓貯存器50、52提供通過(guò)選擇性地打開(kāi)貯存器50、52中的ー個(gè)或兩個(gè)來(lái)改變供給氣體至內(nèi)部氣體環(huán)境5的速率(和/或供給的氣體總量)的幾率。可替代地或另外地，多個(gè)貯存器允許朝向在一個(gè)貯存器中的開(kāi)始值將所述壓強(qiáng)增加回來(lái)，同時(shí)另ー貯存器用于調(diào)整內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)。用于調(diào)整來(lái)自于給定貯存器46，48，50，52的氣體流量的可替代的或另外的方法 是提供一個(gè)或更多個(gè)閥，所述閥能夠在貯存器46，48，50，52和供給管線44之間提供可變的流阻。例如，所述閥可以提供從完全關(guān)閉狀態(tài)(非常高的流阻)至完全打開(kāi)狀態(tài)(非常低的流阻)的連續(xù)可變的流阻。可替代地或另外地，所述閥可以配置成應(yīng)用大于2個(gè)的多個(gè)離散的流阻中的一個(gè)可選擇的流阻。在這些變化中的任ー個(gè)中，控制器60將配置成作為氣流的期望流量的函數(shù)來(lái)1)選擇將打開(kāi)哪些貯存器；和/或2)選擇通向所選擇的貯存器的閥應(yīng)當(dāng)打開(kāi)至哪種程度(即選擇閥的流阻)?？刂破?0通?？梢耘渲贸勺鳛樵谕獠繗怏w環(huán)境的測(cè)量壓強(qiáng)和內(nèi)部氣體環(huán)境中的期望或測(cè)量壓強(qiáng)之間的所檢測(cè)到的差別的大小的函數(shù)來(lái)控制氣流的流量。如果檢測(cè)到大的波動(dòng)，那么控制器60將比檢測(cè)到較小的波動(dòng)的情況打開(kāi)更多的貯存器和/或進(jìn)ー步打開(kāi)閥?？蛇x地，流量計(jì)68被提供以測(cè)量供給管線44中的氣體的流量。流量計(jì)68的讀數(shù)被饋送至控制器60?？刂破?0配置成在計(jì)算應(yīng)用至閥61，63，65，67中的一個(gè)或更多個(gè)的控制信號(hào)時(shí)考慮所述讀數(shù)。例如，控制器60可以配置成改變閥的致動(dòng)，直到由流量計(jì)68測(cè)量的流量匯聚至特定的流量，例如目標(biāo)設(shè)定點(diǎn)流量。可替代地或另外地，控制器60配置成控制所選擇的貯存器46，48，50，52被打開(kāi)所持續(xù)的時(shí)間，用于控制內(nèi)部氣體環(huán)境5的壓強(qiáng)所調(diào)整的量。圖9顯示連接至供給管線44的貯存器的系統(tǒng)的另外的配置。在此處，多個(gè)具有符合序列I :1:2:4: 8的相對(duì)體積的低壓貯存器71A，71B，72，74和78被提供。該序 列的性質(zhì)為所述體積可以被選擇性地求和以提供ー范圍的、被均勻地間隔開(kāi)的總體積(被均勻地間隔開(kāi)的16個(gè)不同的總體積)?？梢酝ㄟ^(guò)控制打開(kāi)哪些閥81-85來(lái)選擇期望的總體積?？梢砸蕾?lài)于所期望的有效體積的范圍來(lái)選擇其它的序列。可能的體積的數(shù)量越大，用于調(diào)節(jié)來(lái)自內(nèi)部氣體環(huán)境5的氣體的校正性的流出量的大小和/或速度的范圍就越大。例如，序列I :1:2:4:8: 16與級(jí)數(shù)I :1:2:4: 8相比將允許離散的臺(tái)階數(shù)加倍。離散的臺(tái)階的更大的數(shù)量可以允許以更高的分辨率實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償?？商娲鼗蛄硗獾?，低壓貯存器可以布置成具有不同的壓強(qiáng)。圖9的變形例還包括一系列高壓貯存器90，其配置成使得每ー個(gè)高壓貯存器90中的壓強(qiáng)可以被獨(dú)立地控制。在顯示的例子中，通過(guò)獨(dú)立地分配的過(guò)壓供給裝置101-106的方式實(shí)現(xiàn)獨(dú)立的控制。可替代地或另外地，可以使用共同的過(guò)壓供給裝置。在該情形中，每一貯存器可以設(shè)置有可以設(shè)定在期望的壓強(qiáng)下的獨(dú)立的過(guò)壓釋放閥。后一方案可能是較便宜地實(shí)施的，這是因?yàn)樾枰^少的過(guò)壓源。貯存器101-106中的壓強(qiáng)可以被調(diào)整以實(shí)現(xiàn)諸如用于低壓貯存器71A，71B，72，74，78的序列。這樣的序列允許根據(jù)打開(kāi)哪些閥91-96來(lái)選擇適合的流入量的范圍。例如，貯存器90的壓強(qiáng)可以被選擇以具有在冪序列I :1:2:4:8: 16中的比例?？刂破?0可以甚至配置成根據(jù)所檢測(cè)到的波動(dòng)或使用者的要求在使用中改變名義壓強(qiáng)(即在貯存器被打開(kāi)之前的壓強(qiáng))?？商娲鼗蛄硗獾兀邏嘿A存器可以布置成具有不同的體積。在圖9顯示的例子中，低壓貯存器設(shè)置有不同的體積，高壓貯存器設(shè)置有不同的壓強(qiáng)，但是應(yīng)當(dāng)理解，這些特征可以被獨(dú)立地設(shè)置。低壓貯存器可以設(shè)置有不同的體積，而高壓貯存器保持在相同的壓強(qiáng)下(或僅設(shè)置單個(gè)高壓貯存器)。類(lèi)似地，高壓貯存器可以設(shè)置有不同的壓強(qiáng)，而低壓貯存器都具有相同的體積(或可以僅設(shè)置單個(gè)低壓貯存器)。 預(yù)期高達(dá)大約絕對(duì)值為6bar的過(guò)壓對(duì)于高壓貯存器來(lái)說(shuō)是實(shí)際的。對(duì)于低壓貯存器，預(yù)期低達(dá)絕對(duì)值為大約O. Ibar的壓強(qiáng)將是實(shí)際的。在許多情形中，預(yù)期高壓貯存器的體積可以例如在大約O. 01升和O. I升之間的范圍內(nèi)。每ー貯存器的最適合的體積將依賴(lài)于所預(yù)期的壓強(qiáng)波動(dòng)的類(lèi)型，例如所預(yù)期的大小和持續(xù)時(shí)間。如上文所述，波動(dòng)的類(lèi)型將依賴(lài)于其它因素之中的安裝部位的性質(zhì)。例如，外部環(huán)境的大小將是相關(guān)的。単獨(dú)的貯存器的大小還將依賴(lài)于設(shè)置了多少貯存器和是否出于補(bǔ)償?shù)哪康目梢酝瑫r(shí)使用多個(gè)貯存器。所述體積還將依賴(lài)于在致動(dòng)之前在貯存器內(nèi)保持的壓強(qiáng)。下述是對(duì)于單個(gè)貯存器用于補(bǔ)償單個(gè)波動(dòng)事件的情形的示例性例子。對(duì)于補(bǔ)償早先提及的25Pa的壓強(qiáng)波動(dòng)的高壓貯存器，如果貯存器保持在絕對(duì)值為2bar，那么可以使用大約O. 05升的體積。如果貯存器保持在絕對(duì)值為6bar，那么可以使用大約O. 01升的體積。對(duì)于補(bǔ)償25Pa的過(guò)壓波動(dòng)的低壓貯存器，如果貯存器保持在絕對(duì)值為大約O. Ibar，那么可以使用大約O. 05升的體積。圖10描述圖8的布置的變形例。在此處，低壓貯存器46和48連接(經(jīng)由可選的流量計(jì)68)至供給管線44B，而不是供給管線44 (如在圖8中所示)。供給管線44B通向至凈化氣體供給系統(tǒng)的輸出側(cè)，即在這一例子中的輸出氣體控制器34和/或輸出管線42。實(shí)際上，低壓貯存器46和48配置成能夠(即提供需要的連接)使得經(jīng)由輸出管線42抽取氣體。高壓貯存器50和52連接(經(jīng)由可選的流量計(jì)68)至供給管線44A。供給管線44A類(lèi)似于圖8的供給管線44。供給管線44A通向凈化氣體供給系統(tǒng)的輸入側(cè)，即在這一例子中的輸入氣體控制器32和/或輸入管線40。實(shí)際上，高壓貯存器50和52配置成能夠(即設(shè)置需要的連接)經(jīng)由輸入管線40將氣體供給內(nèi)部氣體環(huán)境。除去低壓貯存器至輸出側(cè)的連接幫助確保它們調(diào)整內(nèi)部氣體環(huán)境5中的壓強(qiáng)的使用不會(huì)導(dǎo)致通過(guò)內(nèi)部氣體環(huán)境5的凈化氣流的方向的不期望的改變之外，圖10的功能性與參考圖8在上文描述的功能性相同。另外地，相對(duì)于圖8的配置，圖10的布置將易于増加通過(guò)內(nèi)部氣體環(huán)境5的凈化氣流。所增加的凈化氣流可以改善凈化氣體的期望的作用。例如，所增加的流可以改善從內(nèi)部氣體環(huán)境5移除排氣所釋放的污染物的效率。圖11描述了連接至圖10的供給管線44A和44B的貯存器中的系統(tǒng)的配置。除低壓貯存器71A，71B, 72，74，78連接至輸出側(cè)供給管線44B和高壓貯存器90連接至輸入側(cè)供給管線44A之外，貯存器的布置與參考圖9的上文描述的布置相同。該布置的期望的作用包括參考圖10在上文討論的那些。凈化氣體流的方向的不期望的改變被避免。此外，浄化氣流的平均流量將易于被増加，其可以改善凈化氣體的功能。例如，可以改善排氣所釋放的污染物的移除。本發(fā)明的實(shí)施方式還可以包括以下各個(gè)方面1-27 I. 一種用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)，其中所述投影系統(tǒng)配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上；所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件包括第一面和第二面；所述第一面配置成暴露于連接至所述光刻設(shè)備的外面的外部氣體環(huán)境； 所述第二面配置成暴露于內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔離；和所述投影系統(tǒng)還包括壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)，所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。2.根據(jù)方面I所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括用于調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積的體積調(diào)整器。3.根據(jù)方面I或2所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)的増加來(lái)降低所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積；和響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)的降低來(lái)増加所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積。4.根據(jù)方面1-3中任一方面所述的投影系統(tǒng)，其中所述投影系統(tǒng)包括用以調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的體積從下述部件中選擇的ー個(gè)或更多個(gè)活塞和汽缸、具有傾斜以從所述內(nèi)部氣體體積離開(kāi)的縱向軸線的活塞和汽缸、波紋管和/或可變形隔膜。5.根據(jù)方面1-4中任一方面所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括壓強(qiáng)傳感器系統(tǒng)，配置成測(cè)量從所述下述參量中選擇的ー個(gè)或更多個(gè)在所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)、在所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)和/或在所述內(nèi)部氣體環(huán)境和所述外部氣體環(huán)境之間的壓差；和控制器，配置成基于來(lái)自于所述壓強(qiáng)傳感器系統(tǒng)的輸出來(lái)控制所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)。6.根據(jù)方面5所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括配置成響應(yīng)于來(lái)自所述控制器的控制信號(hào)來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積的部件。7.根據(jù)方面6所述的投影系統(tǒng)，其中配置成響應(yīng)于來(lái)自所述控制器的控制信號(hào)來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積的部件包括從下述部件中選擇的一個(gè)或更多個(gè)活塞和汽缸、具有傾斜以從所述內(nèi)部氣體體積離開(kāi)的縱向軸線的活塞和汽缸、波紋管和/或可變形隔膜。8.根據(jù)方面1-7中任一方面所述的投影系統(tǒng)，其中，所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括配置成被動(dòng)地調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積的部件。9.根據(jù)方面8所述的投影系統(tǒng)，其中配置成被動(dòng)地調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積的部件包括從下述參量中選擇的一個(gè)或更多個(gè)活塞和汽缸、具有傾斜以從所述內(nèi)部氣體體積離開(kāi)的縱向軸線的活塞和汽缸、波紋管和/或可變形隔膜。10.根據(jù)方面1-9中任一方面所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括用以調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的氣體粒子的數(shù)量的氣體粒子調(diào)整器。11.根據(jù)方面1-10中任一方面所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的增加來(lái)增加所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的氣體粒子的數(shù)量；和響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的降低來(lái)降低所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的氣體粒子的數(shù)量。12.根據(jù)方面1-11中任一方面所述的投影系統(tǒng)，其中 所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括貯存器，所述貯存器以不同于所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的壓強(qiáng)容裝氣體；和所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成控制至所述貯存器的連接，用于控制或調(diào)整氣體至所述內(nèi)部氣體環(huán)境的供給或從所述內(nèi)部氣體環(huán)境的氣體供給。13.根據(jù)方面12所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成將至所述貯存器的所述連接的流阻調(diào)整成大于2的多個(gè)離散的值中的可選擇的ー個(gè)值、調(diào)整成連續(xù)范圍的值或兩者兼有。14.根據(jù)方面12或13所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括配置成以比所述內(nèi)部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)更高的壓強(qiáng)容裝氣體的多個(gè)貯存器、配置成以比所述內(nèi)部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)更低的壓強(qiáng)容裝氣體的多個(gè)貯存器、或兩者兼有；和所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成控制至所述貯存器中的每ー個(gè)的連接，用于控制或調(diào)整至所述內(nèi)部氣體環(huán)境的氣體供給。15.根據(jù)方面14所述的投影系統(tǒng)，其中配置成以比所述內(nèi)部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)更高的壓強(qiáng)容裝氣體的多個(gè)貯存器中的全部或子集、或配置成以比所述內(nèi)部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)更低的壓強(qiáng)容裝氣體的所述多個(gè)貯存器中的全部或子集、或這兩者，保持在不同的壓強(qiáng)下、具有不同的體積或保持在不同的壓強(qiáng)下并具有不同的體積。16.根據(jù)方面15所述的投影系統(tǒng)，其中所述不同的壓強(qiáng)、所述不同的體積或這兩者包括一系列的值，所述值可以被選擇性地求和以提供ー范圍的、均勻間隔開(kāi)的總數(shù)。17.根據(jù)方面14-16中任一方面所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成通過(guò)選擇性地打開(kāi)至所述貯存器的所述連接的全部或子組來(lái)控制對(duì)所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的調(diào)整量。18.根據(jù)方面14-17中任一方面所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成通過(guò)選擇性地改變與至所述多個(gè)貯存器的連接中的每ー個(gè)連接或所述連接中的所選擇的子集中的每ー個(gè)連接相關(guān)的流阻來(lái)控制對(duì)所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的調(diào)整量。19.根據(jù)方面1-18中任一方面所述的投影系統(tǒng)，還包括流量計(jì)以測(cè)量進(jìn)入或流出所述內(nèi)部氣體環(huán)境的氣體的流量，所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成使用來(lái)自所述流量計(jì)的輸出以調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)。20.根據(jù)方面1-19中任一方面的投影系統(tǒng)，其中所述內(nèi)部氣體環(huán)境保持在與所述外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)不同的壓強(qiáng)。21.根據(jù)方面1-20中任一方面所述的投影系統(tǒng)，還包括凈化氣體供給系統(tǒng)，所述凈化氣體供給系統(tǒng)配置成通過(guò)所述內(nèi)部氣體環(huán)境提供連續(xù)的氣流。
22.根據(jù)方面21所述的投影系統(tǒng)，其中所述凈化氣體供給系統(tǒng)配置成經(jīng)由輸入管線將氣體供給至所述內(nèi)部氣體環(huán)境和經(jīng)由輸出管線從所述內(nèi)部氣體環(huán)境抽取氣體；所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括以高于所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的壓強(qiáng)容裝氣體的一個(gè)或更多的貯存器，和以低于所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的壓強(qiáng)容裝氣體的一個(gè)或更多的貯存器；以高于所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的壓強(qiáng)容裝氣體的一個(gè)或更多的貯存器配置成能夠經(jīng)由所述輸入管線將氣體供給至所述內(nèi)部氣體環(huán)境；和 以低于所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的壓強(qiáng)容裝氣體的一個(gè)或更多的貯存器配置成能夠經(jīng)由所述輸出管線從所述內(nèi)部氣體環(huán)境抽取氣體。23. ー種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括根據(jù)方面1-22中任一方面所述的投影系統(tǒng)。24. 一種光刻設(shè)備,包括投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件具有第一面和第二面，其中所述第一面配置成暴露于連接至所述光刻設(shè)備的外面的外部氣體環(huán)境，所述第二面配置成暴露于內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔離；和壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)，配置成響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。25. 一種光刻設(shè)備,包括投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件具有第一面和第二面，其中所述第一面配置成暴露于連接至所述光刻設(shè)備的外面的外部氣體環(huán)境，所述第二面配置成暴露于內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔離，在使用中在所述內(nèi)部氣體環(huán)境和所述外部氣體環(huán)境之間具有壓差；和壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)，配置成響應(yīng)于所述壓差的所測(cè)量的變化來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。26. 一種器件制造方法，包括使用投影系統(tǒng)將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件具有第一面和第二面，所述第一面暴露于連接至所述投影系統(tǒng)的外面的外部氣體環(huán)境，所述第二面暴露于內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔離；和響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。27. 一種用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)，其中所述投影系統(tǒng)配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上；所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件具有第一面和第二面，所述第一面配置成暴露于第一氣體環(huán)境，所述第二面配置成暴露于第二氣體環(huán)境，所述第二氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述第一氣體環(huán)境隔離；和所述投影系統(tǒng)還包括壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)，所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成響應(yīng)于所述第一氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化或所述第一氣體環(huán)境和所述第二氣體環(huán)境之間的壓差變化來(lái)調(diào)整所述第二氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造1C，但應(yīng)當(dāng)理解這里所述的光刻設(shè)備可以在制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件方面有其他的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(ー種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其它襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如以便產(chǎn)生多層1C，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。盡管以上已經(jīng)做出了具體的參考，在光學(xué)光刻術(shù)的情形中使用本發(fā)明的實(shí)施例，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的實(shí)施例可以用于其他應(yīng)用中，例如壓印光刻術(shù)，并且只要情況允 許，不局限于光學(xué)光刻術(shù)。在壓印光刻術(shù)中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案。可以將所述圖案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過(guò)施加電磁輻射、熱、壓カ或其組合來(lái)使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包含全部類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有約436、405、365、355、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和極紫外(EUV)輻射(例如具有在5-20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng))以及粒子束，諸如離子束或電子束。在上下文允許的情況下，所述術(shù)語(yǔ)“透鏡”可以表示各種類(lèi)型的光學(xué)部件中的任何一種或它們的組合，包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式的光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是本發(fā)明可以以與上述不同的形式實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采取包含用于描述上述公開(kāi)的方法的一個(gè)或更多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或者采取具有在其中存儲(chǔ)的這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的形式(例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤(pán)或光盤(pán))。以上的描述是說(shuō)明性的，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍的條件下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)，其中 所述投影系統(tǒng)配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上； 所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件包括第一面和第二面； 所述第一面配置成暴露于連接至所述光刻設(shè)備的外面的外部氣體環(huán)境； 所述第二面配置成暴露于內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔尚；和 所述投影系統(tǒng)還包括壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)，所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括用于調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積的體積調(diào)整器。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成 響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)的増加來(lái)降低所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積；和 響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境的壓強(qiáng)的降低來(lái)増加所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的投影系統(tǒng)，其中所述投影系統(tǒng)包括用以調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的體積從下述部件中選擇的ー個(gè)或更多個(gè)活塞和汽缸、具有傾斜以從所述內(nèi)部氣體體積離開(kāi)的縱向軸線的活塞和汽缸、波紋管和/或可變形隔膜。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括 壓強(qiáng)傳感器系統(tǒng)，配置成測(cè)量從所述下述參量中選擇的一個(gè)或更多個(gè)在所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)、在所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)和/或在所述內(nèi)部氣體環(huán)境和所述外部氣體環(huán)境之間的壓差；和 控制器，配置成基于來(lái)自于所述壓強(qiáng)傳感器系統(tǒng)的輸出來(lái)控制所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括配置成響應(yīng)于來(lái)自所述控制器的控制信號(hào)來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積的部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的投影系統(tǒng)，其中配置成響應(yīng)于來(lái)自所述控制器的控制信號(hào)來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積的部件包括從下述部件中選擇的一個(gè)或更多個(gè)活塞和汽缸、具有傾斜以從所述內(nèi)部氣體體積離開(kāi)的縱向軸線的活塞和汽缸、波紋管和/或可變形隔膜。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的投影系統(tǒng)，其中，所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括配置成被動(dòng)地調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積的部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的投影系統(tǒng)，其中配置成被動(dòng)地調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境的體積的部件包括從下述參量中選擇的一個(gè)或更多個(gè)活塞和汽缸、具有傾斜以從所述內(nèi)部氣體體積離開(kāi)的縱向軸線的活塞和汽缸、波紋管和/或可變形隔膜。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括用以調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的氣體粒子的數(shù)量的氣體粒子調(diào)整器。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的投影系統(tǒng)，其中所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成 響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的增加來(lái)增加所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的氣體粒子的數(shù)量；和 響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的降低來(lái)降低所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的氣體粒子的數(shù)量。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的投影系統(tǒng)，其中 所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)包括貯存器，所述貯存器以不同于所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)的壓強(qiáng)容裝氣體；和 所述壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)配置成控制至所述貯存器的連接，用于控制或調(diào)整氣體至所述內(nèi)部氣體環(huán)境的供給或從所述內(nèi)部氣體環(huán)境的氣體供給。
13.ー種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的投影系統(tǒng)。
14.ー種光刻設(shè)備,包括 投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件具有第一面和第二面，其中所述第一面配置成暴露于連接至所述光刻設(shè)備的外面的外部氣體環(huán)境，所述第二面配置成暴露于內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔離；和 壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)，配置成響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。
15.—種光刻設(shè)備,包括 投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件具有第一面和第二面，其中所述第一面配置成暴露于連接至所述光刻設(shè)備的外面的外部氣體環(huán)境，所述第二面配置成暴露于內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔離，在使用中在所述內(nèi)部氣體環(huán)境和所述外部氣體環(huán)境之間具有壓差；和 壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)，配置成響應(yīng)于所述壓差的所測(cè)量的變化來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種投影系統(tǒng)、光刻設(shè)備和器件制造方法。其中公開(kāi)了投影系統(tǒng)、光刻設(shè)備和器件制造方法的各種配置。根據(jù)所公開(kāi)的配置，所述投影系統(tǒng)配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。所述投影系統(tǒng)包括光學(xué)元件，所述光學(xué)元件包括第一面和第二面。所述第一面配置成暴露于連接至所述光刻設(shè)備的外面的外部氣體環(huán)境。所述第二面配置成暴露于內(nèi)部氣體環(huán)境，所述內(nèi)部氣體環(huán)境實(shí)質(zhì)上與所述外部氣體環(huán)境隔離。所述投影系統(tǒng)還包括壓強(qiáng)補(bǔ)償系統(tǒng)，配置成響應(yīng)于所述外部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)變化、或內(nèi)部氣體環(huán)境與外部氣體環(huán)境之間的壓差來(lái)調(diào)整所述內(nèi)部氣體環(huán)境中的壓強(qiáng)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102681353SQ20121006073
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月14日
發(fā)明者A·J·范德奈特, F·J·J·范鮑克斯臺(tái)爾, J·A·M·M·范尤杰叔格, L·H·范德霍伊維爾, R·F·德格拉夫 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司