專利名稱：Pva像素電極及相應的液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種可提高像素的穿透率和顯示質(zhì)量的 PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
PVA(Patterned Vertical Alignment，圖像垂直調(diào)整技術(shù))作為液晶 VA(Vertical Alignment，垂直調(diào)整技術(shù))顯示中的一種模式，其利用TFT (Thin film transistor，薄膜場效應管)和CF(彩色濾光片，color filter))側(cè)的圖案形成的電場來控制液晶的指向，可以省去PI(Polyimide)層的摩擦取向工藝。傳統(tǒng)上采用的PVA像素結(jié)構(gòu)，如圖IA和圖IB所示，圖IA為現(xiàn)有技術(shù)的PVA像素電極的位于TFT側(cè)的第一電極10的結(jié)構(gòu)示意圖，圖IB為現(xiàn)有技術(shù)的PVA像素電極的位于 CF側(cè)的第二電極20的反向結(jié)構(gòu)示意圖。由于這種形狀的PVA像素電極的邊緣與內(nèi)部結(jié)構(gòu)的差異，導致PVA像素邊緣電場分布異于內(nèi)部，在液晶上產(chǎn)生邊緣場效應，使得在TFT和CF 側(cè)電極的邊緣交接處產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)位移(disclination)，影響像素的顯示質(zhì)量和降低像素的開口率，如圖5A所示，圖中做了標記的地方由于邊緣場效應，液晶產(chǎn)生了旋轉(zhuǎn)位移，使得像素出現(xiàn)暗紋，穿透率降低，影響像素的顯示質(zhì)量。故，有必要提供一種PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)的PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置的PVA像素在液晶上產(chǎn)生邊緣場效應影響像素的顯示質(zhì)量和降低像素的開口率的缺陷，提供一種通過修改TFT 側(cè)和/或CF側(cè)的邊緣交界處的ITOandium-Tin Oxide，氧化銦錫)間隙消除邊緣場效應以達到提高像素的穿透率和顯示質(zhì)量的效果的PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置。本發(fā)明的主要目的在于提供一種PVA像素電極，包括位于TFT側(cè)的第一電極；以及位于CF側(cè)的與所述第一電極相應的第二電極，通過施加在所述第一電極和所述第二電極上的電場控制設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的液晶的指向，所述第一電極和所述第二電極分別與像素的邊緣呈一定傾角，其中通過在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第一電極設(shè)置不等長的ITO間隙使得所述第一電極和相應的第二電極之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。本發(fā)明的主要目的還在于提供一種PVA像素電極，包括位于TFT側(cè)的第一電極； 以及位于CF側(cè)的與所述第一電極相應的第二電極，通過施加在所述第一電極和所述第二電極上的電場控制設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的液晶的指向，所述第一電極和所述第二電極分別與像素的邊緣呈一定傾角，其中通過在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第二電極設(shè)置不等長的ITO間隙使得所述第一電極和相應的第二電極之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。
本發(fā)明的主要目的還在于提供一種PVA像素電極，包括位于TFT側(cè)的第一電極； 以及位于CF側(cè)的與所述第一電極相應的第二電極，通過施加在所述第一電極和所述第二電極上的電場控制設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的液晶的指向，所述第一電極和所述第二電極分別與像素的邊緣呈一定傾角，其中通過在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第一電極和所述第二電極設(shè)置不等長的ITO間隙使得所述第一電極和相應的第二電極之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。本發(fā)明的主要目的還在于提供一種液晶顯示裝置，包括液晶；用于控制所述液晶轉(zhuǎn)向的TFT ；用于在顯示器上顯示不同顏色的CF ；以及PVA像素電極；所述PVA像素電極包括位于TFT側(cè)的第一電極；以及位于CF側(cè)的與所述第一電極相應的第二電極，通過施加在所述第一電極和所述第二電極上的電場控制設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的液晶的指向，所述第一電極和所述第二電極分別與像素的邊緣呈一定傾角，其中通過在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第一電極和/或所述第二電極設(shè)置不等長的ITO間隙使得所述第一電極和相應的第二電極之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。在本發(fā)明的一實施例中，設(shè)所述第一電極和相應的第二電極之間的間距為S，相鄰間距S之間的差值為As，所述Δ S在像素內(nèi)到像素外的方向上先增后減。在本發(fā)明的一實施例中，所述第一電極設(shè)置的相鄰ITO間隙的長度差為Ium至 IOum0在本發(fā)明的一實施例中，所述第二電極設(shè)置的相鄰ITO間隙的長度差為Ium至 IOum0相較于現(xiàn)有的PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置具有PVA像素在液晶上產(chǎn)生邊緣場效應影響像素的顯示質(zhì)量和降低像素的開口率的問題，本發(fā)明的PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置通過修改TFT側(cè)和/或CF側(cè)的邊緣交界處的ITO間隙消除邊緣場效應以達到提高像素的穿透率和顯示質(zhì)量的效果。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下


圖IA為現(xiàn)有技術(shù)的PVA像素電極的位于TFT側(cè)的第一電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為現(xiàn)有技術(shù)的PVA像素電極的位于CF側(cè)的第二電極的反向結(jié)構(gòu)示意圖；圖2Α為本發(fā)明的PVA像素電極的第一優(yōu)選實施例的第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2Β為本發(fā)明的PVA像素電極的第一優(yōu)選實施例的位于TFT側(cè)的第一電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2C為本發(fā)明的PVA像素電極的第一優(yōu)選實施例的位于CF側(cè)的第二電極的反向結(jié)構(gòu)示意圖；圖2D為圖2Α的Al部分的放大圖；圖3Α為本發(fā)明的PVA像素電極的第二優(yōu)選實施例的第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)示意圖;3B為本發(fā)明的PVA像素電極的第二優(yōu)選實施例的位于TFT側(cè)的第一電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3C為本發(fā)明的PVA像素電極的第二優(yōu)選實施例的位于CF側(cè)的第二電極的反向結(jié)構(gòu)示意圖；圖3D為圖3A的A2部分的放大圖；圖4A為本發(fā)明的PVA像素電極的第三優(yōu)選實施例的第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4B為本發(fā)明的PVA像素電極的第三優(yōu)選實施例的位于TFT側(cè)的第一電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4C為本發(fā)明的PVA像素電極的第三優(yōu)選實施例的位于CF側(cè)的第二電極的反向結(jié)構(gòu)示意圖；圖4D為圖4A的A3部分的放大圖；圖5A為現(xiàn)有技術(shù)的PVA像素電極的輸出模擬仿真圖；圖5B為本發(fā)明的PVA像素電極的第一優(yōu)選實施例的輸出模擬仿真圖；圖5C為本發(fā)明的PVA像素電極的第二優(yōu)選實施例的輸出模擬仿真圖。
具體實施例方式以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標號表示。作為本發(fā)明的PVA像素電極的第一優(yōu)選實施例，如圖2A、圖2B、圖2C以及圖2D所示，其中圖2A為本發(fā)明的PVA像素電極的第一優(yōu)選實施例的第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2B為本發(fā)明的PVA像素電極的第一優(yōu)選實施例的位于TFT側(cè)的第一電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2C為本發(fā)明的PVA像素電極的第一優(yōu)選實施例的位于CF側(cè)的第二電極的反向結(jié)構(gòu)示意圖；圖2D為圖2A的Al部分的放大圖。所述PVA像素電極包括第一電極10和第二電極20，第一電極10位于TFT側(cè)，第二電極20位于CF側(cè)，通過施加在第一電極10和第二電極上20的電場控制設(shè)置在第一電極10和第二電極20之間的液晶的指向，第一電極10和第二電極20分別與像素邊緣呈一定傾角，圖2A中的第一電極10和相應的第二電極20將整個電極分為八塊可產(chǎn)生八個疇的液晶排列，從而可通過一個連續(xù)疇的結(jié)構(gòu)改善液晶顯示器的視角特性。其中本發(fā)明的PVA像素電極通過在第一電極10和第二電極20的邊緣交界處對第一電極10設(shè)置不等長的ITO間隙30使得第一電極10和相應的第二電極20之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。由于本實施例只對第一電極10做了改進，因而圖2C所示的位于CF側(cè)的第二電極 20的結(jié)構(gòu)示意圖與圖IB所示的CF側(cè)的第二電極20的結(jié)構(gòu)示意圖相同，而圖2B所示的位于TFT側(cè)的第一電極10的結(jié)構(gòu)做出了相應的改進，從圖中可以看出圖5A所示的做了標記的12個點的相應位置的第一電極10的結(jié)構(gòu)都進行了改進，主要是在第一電極10和第二電極20的邊緣交界處設(shè)置不等長的ITO間隙30，設(shè)置ITO間隙30后，第一電極10和相應的第二電極20之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減，其中第一電極10設(shè)置的相鄰ITO 間隙30的長度差為Ium至10um。這里設(shè)第一電極10和相應第二電極20的間距為S，相鄰間距S之間的差值為 AS, AS在像素內(nèi)到像素外的方向上可不變，也可變化，這里AS優(yōu)選采用先增后減，如圖2D所示，第一電極10和第二電極20之間的距離S在像素內(nèi)到像素外的方向上依次為 20-18-14-8-5-2-1-0(部分IT 0間隙30在圖2D中未示出)，這樣AS在像素內(nèi)到像素外的方向上依次為2-4-6-3-1-1。作為本發(fā)明的PVA像素電極的第二優(yōu)選實施例，如圖3A、圖;3B、圖3C以及圖3D所示，其中圖3A為本發(fā)明的PVA像素電極的第二優(yōu)選實施例的第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3B為本發(fā)明的PVA像素電極的第二優(yōu)選實施例的位于TFT側(cè)的第一電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3C為本發(fā)明的PVA像素電極的第二優(yōu)選實施例的位于CF側(cè)的第二電極的反向結(jié)構(gòu)示意圖；圖3D為圖3A的A2部分的放大圖。本實施例與第一優(yōu)選實施例的區(qū)別在于通過在第一電極10和第二電極20的邊緣交界處對第二電極20設(shè)置不等長的ITO間隙30使得第一電極10和相應的第二電極20之間的間隙在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。由于本實施例只對第二電極20做了改進，因而圖:3B所示的位于TFT側(cè)的第一電極10的結(jié)構(gòu)示意圖與圖IA所示的TFT側(cè)的第一電極10的結(jié)構(gòu)示意圖相同，而圖3C所示的位于CF側(cè)的第二電極20的結(jié)構(gòu)做出了相應的改進，從圖中可以看出圖5A所示的做了標記的12個點的相應位置的第二電極20的結(jié)構(gòu)都進行了改進，主要是在第一電極10和第二電極20的邊緣交界處設(shè)置不等長的ITO間隙30，設(shè)置ITO間隙30后，第一電極10和相應的第二電極20之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減，其中第二電極20設(shè)置的相鄰 ITO間隙30的長度差為Ium至10um。這里設(shè)第一電極10和相應第二電極20的間距為S，相鄰間距S之間的差值為 AS, AS在像素內(nèi)到像素外的方向上可不變，也可變化，這里AS優(yōu)選采用先增后減，如圖3D所示，第一電極10和第二電極20之間的距離S在像素內(nèi)到像素外的方向上依次為 20-18-14-8-5-2-1-0 (部分ITO間隙30在圖3D中未示出)，這樣Δ S在像素內(nèi)到像素外的方向上依次為2-4-6-3-1-1。作為本發(fā)明的PVA像素電極的第三優(yōu)選實施例，如圖4Α、圖4Β、圖4C以及圖4D所示，其中圖4Α為本發(fā)明的PVA像素電極的第三優(yōu)選實施例的第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4Β為本發(fā)明的PVA像素電極的第三優(yōu)選實施例的位于TFT側(cè)的第一電極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4C為本發(fā)明的PVA像素電極的第三優(yōu)選實施例的位于CF側(cè)的第二電極的反向結(jié)構(gòu)示意圖；圖4D為圖4Α的A3部分的放大圖。本實施例與第一優(yōu)選實施例的區(qū)別在于通過在第一電極10和第二電極20的邊緣交界處對第一電極10和第二電極20設(shè)置不等長的 ITO間隙30使得第一電極10和相應的第二電極20之間的間隙在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。本實施例對第一電極10和第二電極20同時進行了改進，圖4Β所示的位于TFT側(cè)的第一電極10的結(jié)構(gòu)做出的相應改進，圖4C所示的位于CF側(cè)的第二電極20的結(jié)構(gòu)也做出的相應改進，從圖中可以看出圖5Α所示的做了標記的12個點的相應位置的第一電極10 和/或第二電極20的結(jié)構(gòu)都進行了改進，特別是圖4Α的A3部分，此處同時對第一電極10 和第二電極20的結(jié)構(gòu)均進行了改進，在第一電極10和第二電極20的邊緣交界處設(shè)置不等長的ITO間隙30，設(shè)置ITO間隙30后，第一電極10和相應的第二電極20之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減，其中第一電極10和第二電極20設(shè)置的相鄰ITO間隙30的長度差為Ium至10um。這里設(shè)第一電極10和相應第二電極20的間距為S，相鄰間距S之間的差值為 AS, AS在像素內(nèi)到像素外的方向上可不變，也可變化，這里AS優(yōu)選采用先增后減，如圖4D所示，第一電極10和第二電極20之間的距離S在像素內(nèi)到像素外的方向上依次為 20-18-14-8-5-2-1-0 (部分ITO間隙30在圖4D中未示出)，這樣Δ S在像素內(nèi)到像素外的方向上依次為2-4-6-3-1-1。在第一電極10和第二電極20的邊緣交界處的第一電極10和/或第二電極20上設(shè)置ITO間隙30減小了像素邊緣的第一電極10和第二電極20之間的間距S，從而可以削弱邊緣場效應，而對邊緣交界處的ITO間隙30做不等長的延伸，改變了邊緣場的分布，使得邊緣交界處的液晶與內(nèi)部的液晶取向一致，消除了旋轉(zhuǎn)位移的不利效果。第一電極10和/ 或第二電極20設(shè)置的相鄰ITO間隙30的長度差不宜過大，且第一電極10和相應的第二電極20之間的間距S從內(nèi)到外遞減，特別是相鄰間距S之間的差值為△ S先增后減，使得在削弱邊緣場效應的同時，第一電極10和第二電極20之間的電場也進行了平滑的過渡，不會由于設(shè)置的ITO間隙30導致部分電極之間的電場突變，從而影響顯示效果。ITO間隙30可以設(shè)置在第一電極10上，可以設(shè)置在第二電極20上，也可以同時設(shè)置在第一電極10和第二電極20上，所以只要采用第一電極10和相應的第二電極20之間的間距從內(nèi)到外遞減的方式設(shè)置ITO間隙30都在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)，ITO間隙30設(shè)置的位置并不限制本發(fā)明的保護范圍。此外由于位于TF T側(cè)的第一電極10的電位是變動的，而位于CF側(cè)的第二電極 20的電位是固定的，因此將ITO間隙30設(shè)置在第二電極20要優(yōu)于設(shè)置在第一電極10上。圖5Α所示為現(xiàn)有技術(shù)的PVA像素電極的輸出模擬仿真圖；圖5Β為本發(fā)明的PVA 像素電極的第一優(yōu)選實施例的輸出模擬仿真圖；圖5C為本發(fā)明的PVA像素電極的第二優(yōu)選實施例的輸出模擬仿真圖。本發(fā)明的第一優(yōu)選實施例消除旋轉(zhuǎn)位移的效果如圖5Β所示，第二優(yōu)選實施例消除旋轉(zhuǎn)位移的效果如圖5C所示，圖5Β所做標記之處與圖5Α所做標記之處對比，暗紋減輕，穿透率提高了 8. 07%，圖5C所做標記之處與圖5Α所做標記之處對比，暗紋減輕，穿透率提高了 9. 89%，本發(fā)明的第三優(yōu)選實施例也可以達到相似的效果。本發(fā)明還涉及一種液晶顯示裝置，包括液晶；用于控制所述液晶轉(zhuǎn)向的TFT ；用于在顯示器上顯示不同顏色的CF ；以及PVA像素電極；所述PVA像素電極包括位于TFT側(cè)的第一電極；以及位于CF側(cè)的與所述第一電極相應的第二電極，通過施加在所述第一電極和所述第二電極上的電場控制設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的液晶的指向，所述第一電極和所述第二電極分別與像素的邊緣呈一定傾角，其中通過在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第一電極和/或所述第二電極設(shè)置不等長的ITO間隙使得所述第一電極和相應的第二電極之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。如設(shè)定第一電極和相應的第二電極之間的間距為S，相鄰間距S之間的差值為AS，AS在像素內(nèi)到像素外的方向上先增后減。所述第一電極和所述第二電極設(shè)置的相鄰ITO間隙的長度差為Ium 至lOum。本發(fā)明的液晶顯示裝置的有益效果和具體實施方式
與上述的PVA像素電極的具體實施例相同或相似，具體請參見上述的PVA像素電極的具體實施例。綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種PVA像素電極，包括位于TFT側(cè)的第一電極；以及位于CF側(cè)的與所述第一電極相應的第二電極，通過施加在所述第一電極和所述第二電極上的電場控制設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的液晶的指向，所述第一電極和所述第二電極分別與像素的邊緣呈一定傾角，其特征在于，通過在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第一電極設(shè)置不等長的ITO間隙使得所述第一電極和相應的第二電極之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PVA像素電極，其特征在于，設(shè)定所述第一電極和相應的第二電極之間的間距為S，相鄰間距S之間的差值為AS，所述AS在像素內(nèi)到像素外的方向上先增后減。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PVA像素電極，其特征在于，所述第一電極設(shè)置的相鄰ITO間隙的長度差為Ium至10um。
4.一種PVA像素電極，包括位于TFT側(cè)的第一電極；以及位于CF側(cè)的與所述第一電極相應的第二電極，通過施加在所述第一電極和所述第二電極上的電場控制設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的液晶的指向，所述第一電極和所述第二電極分別與像素的邊緣呈一定傾角，其特征在于，通過在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第二電極設(shè)置不等長的ITO間隙使得所述第一電極和相應的第二電極之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的PVA像素電極，其特征在于，設(shè)所述第一電極和相應的第二電極之間的間距為S，相鄰間距S之間的差值為As，所述AS在像素內(nèi)到像素外的方向上先增后減。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的PVA像素電極，其特征在于，所述第二電極設(shè)置的相鄰ITO間隙的長度差為Ium至10um。
7.一種PVA像素電極，包括位于TFT側(cè)的第一電極；以及位于CF側(cè)的與所述第一電極相應的第二電極，通過施加在所述第一電極和所述第二電極上的電場控制設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的液晶的指向，所述第一電極和所述第二電極分別與像素的邊緣呈一定傾角，其特征在于，通過在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第一電極和所述第二電極設(shè)置不等長的ITO間隙使得所述第一電極和相應的第二電極之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的PVA像素電極，其特征在于，設(shè)所述第一電極和相應的第二電極之間的間距為S，相鄰間距S之間的差值為AS，所述AS在像素內(nèi)到像素外的方向上先增后減。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的PVA像素電極，其特征在于，所述第一電極設(shè)置的相鄰ITO間隙的長度差為Ium至10um，所述第二電極設(shè)置的相鄰ITO間隙的長度差為Ium至10um。
10.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括液晶；用于控制所述液晶轉(zhuǎn)向的TFT ；用于在顯示器上顯示不同顏色的CF ；以及 PVA像素電極； 所述PVA像素電極包括 位于TFT側(cè)的第一電極；以及位于CF側(cè)的與所述第一電極相應的第二電極，通過施加在所述第一電極和所述第二電極上的電場控制設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的液晶的指向，所述第一電極和所述第二電極分別與像素的邊緣呈一定傾角，其特征在于，通過在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第一電極和/或所述第二電極設(shè)置不等長的ITO間隙使得所述第一電極和相應的第二電極之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于，設(shè)定所述第一電極和相應的第二電極之間的間距為S，相鄰間距S之間的差值為AS，所述AS在像素內(nèi)到像素外的方向上先增后減。
12.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極設(shè)置的相鄰ITO 間隙的長度差為Ium至10um，所述第二電極設(shè)置的相鄰ITO間隙的長度差為Ium至10um。
全文摘要
本發(fā)明提供一種PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置，包括位于TF T側(cè)的第一電極；以及位于CF側(cè)的與第一電極相應的第二電極，通過施加在第一電極和第二電極上的電場控制設(shè)置在第一電極和第二電極之間的液晶的指向，第一電極和第二電極分別與像素的邊緣呈一定傾角，通過在第一電極和第二電極的邊緣交界處對第一電極和/或第二電極設(shè)置不等長的ITO間隙使得第一電極和相應的第二電極之間的間距在像素內(nèi)到像素外的方向上遞減。本發(fā)明的PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置通過修改TF T側(cè)和/或CF側(cè)的邊緣交界處的ITO間隙消除邊緣場效應以達到提高像素的穿透率和顯示質(zhì)量的效果。
文檔編號G02F1/139GK102540592SQ20121006173
公開日2012年7月4日 申請日期2012年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月9日
發(fā)明者姚曉慧, 董成才, 薛景峰, 許哲豪 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司