專利名稱：饋通電壓補償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補償方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領域，更具體的說，涉及一種饋通電壓補償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補償方法。
背景技術：
現有的液晶顯示裝置多采用TFT進行像素的顯示控制。如圖I所示，TFT的閘極連接掃描線，源極連接數據線，漏極連接像素電極，像素電極與彩膜基板(CF-Vcom)之間形成像素電容C(LC)、像素電容并聯有補償電容C(st)，補償電容C(St) —端跟TFT的漏極連接，另一端連接有共通線Vcom。由于TFT的閘極和漏極之間存在寄生電容Cgs，在TFT關閉的瞬間C(gs)連接閘端的壓降造成像素兩端的電壓隨之降低，產生了饋通電壓，造成顯示亮度下降。饋通電壓不同，在顯示屏只有ー個Vcom的情況下，對造成顯示屏不同位置，有不同的亮度。如圖2所示，對于雙邊驅動的液晶顯示裝置，常見的現象是顯示屏在低灰階畫面下，左右兩側畫面較亮。專利文獻CN100460939C于2009年2月11日公開了ー種液晶顯示器及其脈波調整電路，該液晶顯示器包含電源、脈波調整電路與柵極驅動芯片。脈波調整電路連接于電源與柵極驅動芯片間，電源提供電源信號。脈波調整電路用以調整電源信號的多個脈波或選擇適當的電壓準位，使脈波的波形具有一削角或使脈波的振幅増大，便能減少驅動電路中的薄膜晶體管受到饋通電壓影響，進而提高液晶顯示面板的顯示質量。專利文獻CN1987620B于2010年5月12日公開了ー種液晶顯示器，其每ー像素單兀包括一薄膜晶體管、一公共電極與一像素電極，該像素電極與該公共電極形成一液晶電容，該薄膜晶體管包括柵極、源極和連接至該像素電極的漏極，上述電路中接入包括ー比較器的電壓補償單元，當加載電壓至該液晶電容時，該比較器可比較該薄膜晶體管從開啟至關閉時間段的源極電位和該薄膜晶體管關閉后的漏極電位并輸出補償電壓信號，以補償該薄膜晶體管的饋通電壓。專利文獻CN102023423A于2011年4月20日公開了ー種液晶顯示器及其制造方法。該液晶顯示器包括對盒在一起并將液晶夾設其間的TFT — LCD陣列基板和彩膜基板， 所述TFT —擾D陣列基板包括柵線、用于控制第一數據線向像素電極提供數據電壓的第一薄膜晶體管和用于控制第二數據線向存儲電極線提供公共電壓的第二薄膜晶體管，所述彩膜基板包括彼此獨立的公共電極，所述公共電極與存儲電極線電連接。本發(fā)明通過在彩膜基板上設置相互獨立的公共電極，在陣列基板上設置控制公共電極的薄膜晶體管，使像素電極與公共電極之間的電壓差保持不變，因此消除了由于各像素饋通效應不同所帯來的各像素顯示灰度差異，提高了顯示品質。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供ー種可補償饋通電壓的饋通電壓補償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補償方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術方案來實現的ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，包括共通線和存儲電容，所述存儲電容ー 端連接至液晶分子對應的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，所述共通線連接有切換開關，所述切換開關包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準電壓，另ー個輸入端連接至低電平的補償電壓。優(yōu)選的，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應ー個切換開關。處于不同位置的像素，其參數有差異，每條共通線控制一組顯示像素， 可以根據參數的差異設置不同的補償電壓，提高控制精度，進ー步改善顯示品質。優(yōu)選的，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，，所述第一薄膜晶體管的閘極連接到所述基準電壓，第二薄膜晶體管的閘極連接到對應的液晶顯示器的掃描線?，F有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示，因此采用薄膜晶體管作為切換開關，在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關的薄膜晶體管，有利于降低制造成本。優(yōu)選的，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。優(yōu)選的，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應的液晶顯示器的掃描線。此為另ー種具體的控制方式。優(yōu)選的，所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。優(yōu)選的，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應ー個切換開關，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，閘極連接到所述基準電壓；所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，閘極連接到對應的液晶顯示器的掃描線；兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。優(yōu)選的，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應ー個切換開關，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓；所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應的液晶顯示器的掃描線，漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型 MOS 管。ー種液晶顯示裝置，包括上述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路。ー種液晶顯示器的饋通電壓補償方法，包括步驟在當前掃描線驅動時，通過切換開關將對應的共通線切換到低電平的補償電壓；當掃描線驅動撤銷時，將共通線切換到高電平的基準電壓。本發(fā)明由于采用了切換開關對共通線進行切換，選擇電路在TFT閘極電壓為高電平時，將共通線切到補償電壓的低電平信號；TFT閘極電壓為低電平，將共通線切到基準電壓的高電平信號，這樣就可以在TFT關閉時從將共通線給予ー個壓升，來提升像素兩端的電壓上升，提升顯示亮度。


圖1是現有的液晶顯示裝置驅動電路示意圖；圖2是現有的一種液晶顯不裝置的閘極電壓的崎變不意圖；圖3是本發(fā)明的原理示意圖；圖4是本發(fā)明實施例一的原理示意圖；圖5是本發(fā)明實施例二的原理示意圖；圖6是本發(fā)明驅動原理示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖和較佳的實施例對本發(fā)明作進一步說明。如圖3所示，一種液晶顯示裝置，包括上述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電 路，該液晶顯示器的饋通電壓補償電路包括共通線和存儲電容，所述存儲電容一端連接至 液晶分子對應的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，所述共通線連接有切換開 關，所述切換開關包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準電壓，另一個輸入端連 接至低電平的補償電壓。所述共通線可以是一條，也可以是多條，優(yōu)選多條共通線，每條共 通線連接一組所述存儲電容，每條共通線對應一個切換開關。這樣處于不同位置的像素，其 參數有差異，每條共通線控制一組顯示像素，可以根據參數的差異設置不同的補償電壓，提 聞控制精度，進一步改善顯不品質。實施例一如圖4所示，切換開關包括第一薄膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T2，第一薄膜晶 體管T1的源極和閘極連接至基準電壓A-Vcom ;所述第二薄膜晶體管T2的源極連接至所述 補償電壓A-Vcom-low，閘極連接到對應的液晶顯示器的掃描線，兩個薄膜晶體管的漏極共 同連接到同一共通線Vcom。優(yōu)選的，所述第一薄膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T2都為N型M0S管。當然兩 個薄膜晶體管都為P型M0S管，或者一個為N型M0S管、另一個為P型M0S管也是可行的?，F有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示，因此采用薄膜晶體 管作為切換開關，在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關的薄膜晶體管，有利于降 低制造成本。實施例二如圖5所述，切換開關包括第一薄膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T2，所述第一薄 膜晶體管T1的源極連接至所述基準電壓A-Vcom，所述第二薄膜晶體管T2的源極連接至所 述補償電壓A-Vcom-low，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線Vcom。所述第一薄 膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T2的閘極連接到同一條對應的液晶顯示器的掃描線。此為 另一種具體的控制方式。優(yōu)選的，所述第一薄膜晶體管T1為P型M0S管，所述第二薄膜晶體管T2為N型 M0S管。當然兩個薄膜晶體管都為P型M0S管或N型M0S管、或者第一薄膜晶體管T1為N 型M0S管，第二薄膜晶體管T2為P型M0S管的技術方案也是可行的。現有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示，因此采用薄膜晶體管作為切換開關，在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關的薄膜晶體管，有利于降低制造成本。如圖6所述，上述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路通過改變共通線的電壓來補償對應掃描線的饋通電壓。具體來說，其驅動過程包括在當前掃描線驅動時，掃描線的電壓Vgate為高電平，此時通過切換開關將對應的共通線切換到低電平的補償電壓；當掃描線驅動撤銷時，掃描線的電壓Vgate為低電平，將共通線切換到高電平的基準電壓，經由調整共通線波形Vcom，達成饋通電壓的修正。如果共通線有多條，可以根據掃描線在不同位置處的RC阻容效應(Gate RC)的不同，設置不同的補償電壓。Gate RC較小時，饋通電壓修正的多。反之Gate RC較大時，饋通電壓修正的少。補償后，在同一掃描線不同位置對應的像素兩端的電壓(Vpixel)波形基本保持一致。以上內容是結合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進ー步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，包括共通線和存儲電容，所述存儲電容一端連接至液晶分子對應的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，其特征在于，所述共通線連接有切換開關，所述切換開關包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準電壓，另ー個輸入端連接至低電平的補償電壓。
2.如權利要求I所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應一個切換開關。
3.如權利要求I所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管的閘極連接到所述基準電壓，第二薄膜晶體管的閘極連接到對應的液晶顯示器的掃描線。
4.如權利要求3所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。
5.如權利要求I所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應的液晶顯不器的掃描線。
6.如權利要求5所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。
7.如權利要求I所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應一個切換開關，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，閘極連接到所述基準電壓；所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，閘極連接到對應的液晶顯示器的掃描線；兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。
8.如權利要求I所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接ー組所述存儲電容，每條共通線對應ー個切換開關，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓；所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應的液晶顯示器的掃描線，漏極共同連接到同一共通線， 所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。
9.ー種液晶顯示裝置，包括如權利要求I 8任一所述的ー種液晶顯示器的饋通電壓補償電路。
10.ー種液晶顯示器的饋通電壓補償方法，包括步驟在當前掃描線驅動時，通過切換開關將對應的共通線切換到低電平的補償電壓；當掃描線驅動撤銷時，將共通線切換到高電平的基準電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開一種饋通電壓補償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補償方法。所述液晶顯示器的饋通電壓補償電路包括共通線和存儲電容，所述存儲電容一端連接至液晶分子對應的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，所述共通線連接有切換開關，所述切換開關包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準電壓，另一個輸入端連接至低電平的補償電壓。本發(fā)明由于采用了切換開關對共通線進行切換，選擇電路在TFT閘極電壓為高電平時，將共通線切到補償電壓的低電平信號；TFT閘極電壓為低電平，將共通線切到基準電壓的高電平信號，這樣就可以在TFT關閉時從將共通線給予一個壓升，來提升像素連接至液晶分子對應的薄膜晶體管的漏極端的電壓上升，以補償饋通電壓造成的壓降。
文檔編號G02F1/1362GK102610205SQ201210087540
公開日2012年7月25日 申請日期2012年3月29日 優(yōu)先權日2012年3月29日
發(fā)明者侯鴻龍, 林家強 申請人:深圳市華星光電技術有限公司