專利名稱：一種硼酸鋇鈣雙折射晶體及生長(zhǎng)方法和用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及雙折射晶體領(lǐng)域，特別是涉及一種硼酸鋇鈣(分子式為Ba2Ca(B3O6)2)雙折射晶體及其生長(zhǎng)方法和用途。
背景技術(shù)：
晶體的雙折射是電光功能材料重要的光學(xué)性能參數(shù)，雙折射晶體用途廣泛，主要應(yīng)用于光通訊領(lǐng)域，是制作光通訊器件(例如隔離器、環(huán)形器、偏振分束棱鏡、偏振棱鏡或延遲器等)的重要材料。目前常用的雙折射晶體材料有方解石、MgF2,YVO4,高溫相a -BBO和Ca3(BO3)2等。但是方解石主要以天然形式存在，雜質(zhì)含量比較高，人工合成比較困難，一般尺寸比較小，無(wú)法滿足大尺寸光學(xué)偏光元件的要求；MgF2晶體適用于深紫外領(lǐng)域，透過(guò)范圍寬(110-8500nm)，但是其雙折射率太小-JVO4具有較大的雙折射和良好的物化性質(zhì)，是一種較理想的雙折射晶體材料，但其在紫外可見(jiàn)波段存在吸收，其主要用于近紅外波段；a -BBO雙折射率較大，但它易潮解并存在固態(tài)相變，使得生長(zhǎng)中晶體易開(kāi)裂；Ca3(BO3)2透過(guò)范圍寬(180-3800nm)，但它在深紫外區(qū)透過(guò)不高，可見(jiàn)區(qū)雙折射率小，限制了其使用范圍。因此，非常有必要探尋一種易生長(zhǎng)，物化性質(zhì)好并且具有較大雙折射率的晶體。本發(fā)明提供一種硼酸鋇鈣雙折射晶體Ba2Ca(B3O6)2及其生長(zhǎng)方法和用途。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種硼酸鋇鈣雙折射晶體，分子式為Ba2Ca(B3O6)2 ；本發(fā)明的另一目的在于提供所述硼酸鋇鈣雙折射晶體的生長(zhǎng)方法；本發(fā)明的再一目的在于提供所述硼酸鋇鈣雙折射晶體的用途。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下本發(fā)明提供的硼酸鋇鈣雙折射晶體，其化學(xué)式為Ba2Ca(B306) 2。該晶體屬三方晶系，空間群是R-3,晶胞參數(shù)為a=7.1387(16)A, c= 17.682(7)A； Z=3。該晶體為負(fù)單軸晶體，
透過(guò)范圍是181-3000nm，雙折射率范圍為0. 086-0. 242 ;該晶體易加工，性能穩(wěn)定。本發(fā)明提供的硼酸鋇鈣雙折射晶體的生長(zhǎng)方法，可采用熔體法生長(zhǎng)晶體、提拉法生長(zhǎng)晶體或助溶劑法生長(zhǎng)晶體。所述熔體法生長(zhǎng)晶體的步驟如下將摩爾比2 :1 :6的含鋇化合物、含鈣化合物和含硼化合物混合均勻，之后置于鉬坩堝中加熱至熔化，攪拌10-50小時(shí)至熔體均勻；然后將熔體溫度設(shè)定在飽和點(diǎn)溫度以上
0.5-10°C，將頂端綁有鉬金絲的籽晶桿伸入到晶體爐中，使鉬金絲降至熔體表面以下，然后以0. 05-50C /小時(shí)的速度降溫，待其結(jié)晶后，以0. l-10°c /天的速度降溫生長(zhǎng)晶體，待晶體生長(zhǎng)到所需尺寸時(shí)，將晶體提離液面，并以2-50°C /小時(shí)的降溫速率降至室溫，得硼酸鋇鈣雙折射晶體。
所述提拉法生長(zhǎng)晶體的步驟如下
將摩爾比2 1 6的含鋇化合物、含鈣化合物和含硼化合物混合均勻，之后置于鉬坩堝中加熱至熔化，攪拌10-50小時(shí)至熔體均勻；通過(guò)下嘗試籽晶確定熔體的飽和點(diǎn)溫度；然后將熔體溫度設(shè)定在飽和點(diǎn)溫度以上0. 5-10°C，將頂端綁有籽晶的籽晶桿伸入到晶體爐中，使籽晶降至接觸熔體表面或伸入至熔體內(nèi)，下籽晶0-20分鐘時(shí)，將溫度降至飽和點(diǎn)溫度以下0. 5-3°C，同時(shí)以0-50轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)籽晶，并以0. 05-100C /天的速度降溫，以
0.Ol-IOmm/小時(shí)的速度向上提拉籽晶桿生長(zhǎng)晶體，待晶體生長(zhǎng)到所需尺寸時(shí)，將晶體提離液面，并以2-50°C /小時(shí)的速度降至室溫，得硼酸鋇鈣雙折射晶體。所述助溶劑法生長(zhǎng)晶體的步驟如下將摩爾比2 1 6 :0. 02^8的含鋇化合物、含鈣化合物、含硼化合物及助溶劑混合均勻，之后置于鉬坩堝中加熱至熔融，攪拌10-50小時(shí)至熔體均勻；通過(guò)下嘗試籽晶確定熔體的飽和點(diǎn)溫度；然后將熔體溫度設(shè)定在飽和點(diǎn)溫度以上0. 5-10°C，將頂端綁有籽晶的籽晶桿伸入到晶體爐中，使籽晶降至接觸熔體表面或伸入至熔體內(nèi)，下籽晶0-20分鐘時(shí)，將溫度降至飽和點(diǎn)溫度以下0. 5-3°C，同時(shí)以0-50轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)籽晶，并以0. 05-10°C /天 的速度降溫，以0. Ol-IOmm/小時(shí)的速度提拉生長(zhǎng)晶體，待晶體生長(zhǎng)到所需尺寸時(shí)，將晶體提離液面，并以2-50°C /小時(shí)的速度降至室溫，得硼酸鋇鈣雙折射晶體。所述的含鋇化合物為氧化鋇、氫氧化鋇、鹵化鋇、碳酸鋇、硝酸鋇、硫酸鋇、乙酸鋇或草酸鋇；所述的含鈣化合物為氧化鈣、氫氧化鈣、齒化鈣、碳酸鈣、硝酸鈣、硫酸鈣、乙酸鈣或草酸鈣；所述的含硼化合物為硼酸或氧化硼；所述的助溶劑為氟化鈉、氧化鈉、氯化鈉、氟化鋇、氯化鋇、氟化鋰或它們的混合物。本發(fā)明提供的硼酸鋇鈣雙折射晶體用于制作偏光棱鏡或偏振分束棱鏡。這些元器件利用晶體的折射率特性，尤其是較大的雙折射率。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明提供的硼酸鋇鈣雙折射晶體透過(guò)范圍為181_3000nm，且為負(fù)單軸晶體，具有較大的雙折射(0. 086-0. 242)。而且易于加工，性能穩(wěn)定，適于制作偏振棱鏡或偏振分束棱鏡，例如格蘭-湯姆遜棱鏡、格蘭-付科棱鏡、渥拉斯頓棱鏡、洛匈棱鏡等。


附圖I為本發(fā)明的硼酸鋇鈣雙折射晶體的結(jié)構(gòu)圖；附圖2為本發(fā)明的硼酸鋇鈣雙折射晶體制作的棱鏡；附圖3為硼酸鋇鈣雙折射晶體的折射率與波長(zhǎng)的關(guān)系圖；附圖4為本發(fā)明的硼酸鋇鈣雙折射晶體制作的偏振分束棱鏡(渥拉斯頓棱鏡)示意圖；附圖5為本發(fā)明的硼酸鋇鈣雙折射晶體制作的偏振棱鏡示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I，熔體法生長(zhǎng)硼酸鋇鈣雙折射晶體將分析純的Ba(OH)2、Ca0、H3B03按摩爾比為2 :1 :6的比例準(zhǔn)確稱量并用瑪瑙研缽研磨均勻后置于鉬坩堝中，用電阻絲單晶爐加熱至熔化獲得混合熔體，攪拌10小時(shí)至熔體均勻。然后將熔體溫度設(shè)定在飽和點(diǎn)溫度以上0. 5°C，將頂端綁有鉬金絲的籽晶桿伸入到晶體爐中，使鉬金絲降至熔體表面以下，然后以rc /小時(shí)的速度降溫，待其結(jié)晶后，以rc /天的速度降溫，待晶體長(zhǎng)大到一定尺寸時(shí)將晶體提離液面，以50°C /小時(shí)的速度降至室溫，得到大小為45mmX35mmX3mm的硼酸鋇I丐雙折射晶體。本實(shí)施例的硼酸鋇鈣雙折射晶體的熔體法生長(zhǎng)方法，所使用的原料僅為Ba (OH)2,CaO和H3BO3 ;但本發(fā)明領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道，使用含鋇化合物、含鈣化合物和含硼化合物作為原料，只要原料中的鋇、鈣和硼的摩爾比為2 1 :6均可實(shí)施本發(fā)明生長(zhǎng)出硼酸鋇鈣雙折射晶體。
實(shí)施例2提拉法生長(zhǎng)硼酸鋇鈣雙折射晶體將分析純的BaO、Ca (OH)2^B2O3按摩爾比為2 :1 3的比例準(zhǔn)確稱量并用瑪瑙研缽研磨均勻后置于鉬坩堝中，用電阻絲單晶爐加熱至熔化獲得混合熔體，攪拌30小時(shí)至熔體均勻。通過(guò)下嘗試籽晶確定熔體的飽和點(diǎn)溫度。然后將熔體溫度設(shè)定在飽和點(diǎn)溫度以上2°C，將頂端綁有籽晶的籽晶桿伸入到晶體爐中，使籽晶降至接觸熔體表面以下2mm，下籽晶10分鐘時(shí)，將溫度降至飽和點(diǎn)溫度以下0. 5°C，同時(shí)以30轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)籽晶，并以0. 5°C /天的速度降溫，以0. 2mm/小時(shí)的速度提拉，待晶體長(zhǎng)大到一定尺寸時(shí)將晶體提離液面，以300C /小時(shí)的速度降至室溫，得到大小為25mmX 15mmX 13mm的硼酸鋇鈣雙折射晶體。本實(shí)施例的硼酸鋇鈣雙折射晶體的提拉法生長(zhǎng)方法，所使用的原料僅為BaO、Ca(OH)2, B2O3 ;但本發(fā)明領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道，使用含鋇化合物、含鈣化合物和含硼化合物作為原料，只要原料中的鋇、鈣和硼的摩爾比為2 1 :6均可實(shí)施本發(fā)明生長(zhǎng)出硼酸鋇鈣雙折射晶體。實(shí)施例3提拉法生長(zhǎng)硼酸鋇鈣雙折射晶體將分析純的BaC03、CaCO3> H3BO3按摩爾比為2 :1 6的比例準(zhǔn)確稱量并用瑪瑙研缽研磨均勻后置于鉬坩堝中，用電阻絲單晶爐加熱至熔化獲得混合熔體，攪拌30小時(shí)至熔體均勻。通過(guò)下嘗試籽晶確定熔體的飽和點(diǎn)溫度。然后將熔體溫度設(shè)定在飽和點(diǎn)溫度以上2V，將頂端綁有籽晶的籽晶桿伸入到晶體爐中，使籽晶降至接觸熔體表面以下2_，下籽晶20分鐘時(shí)，將溫度降至飽和點(diǎn)溫度以下I °C，同時(shí)以30轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)籽晶，并以0. 5 °C /天的速度降溫，以0. 2mm/小時(shí)的速度提拉，待晶體長(zhǎng)大到一定尺寸時(shí)將晶體提離液面，以300C /小時(shí)的速度降至室溫，得到大小為25mmX 15mmX 13mm的硼酸鋇鈣雙折射晶體。本實(shí)施例的硼酸鋇鈣雙折射晶體的提拉法生長(zhǎng)方法，所使用的原料僅為BaC03、CaCO3, H3BO3 ;但本發(fā)明領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道，使用含鋇化合物、含鈣化合物和含硼化合物作為原料，只要原料中的鋇、鈣和硼的摩爾比為2 1 :6均可實(shí)施本發(fā)明生長(zhǎng)出硼酸鋇鈣雙折射晶體。實(shí)施例4助溶劑法生長(zhǎng)硼酸鋇鈣雙折射晶體將分析純的BaC03、CaCO3> H3B03、NaF按摩爾比為2 :1 6 :0. 02的比例準(zhǔn)確稱量并用瑪瑙研缽研磨均勻后置于鉬坩堝中，用電阻絲單晶爐加熱至熔化獲得混合熔體，攪拌50小時(shí)至熔體均勻。通過(guò)下嘗試籽晶確定熔體的飽和點(diǎn)溫度。然后將熔體溫度設(shè)定在飽和點(diǎn)溫度以上5°C，將頂端綁有籽晶的籽晶桿伸入到晶體爐中，使籽晶降至接觸熔體表面以下2mm,下籽晶20分鐘時(shí)，將溫度降至飽和點(diǎn)溫度以下2°C，同時(shí)以50轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)籽晶，并以2°C/天的速度降溫，以0. 5_/小時(shí)的速度提拉，待晶體長(zhǎng)大到一定尺寸時(shí)將晶體提離液面，以20°C /小時(shí)的速度降至室溫，得到大小為35mmX25mmX 15mm的硼酸鋇鈣雙折射晶體。本實(shí)施例的硼酸鋇鈣雙折射晶體的助溶劑生長(zhǎng)方法，所使用的原料僅為BaC03、CaC03、H3BO3> NaF ;但本發(fā)明領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道，使用含鋇化合物、含鈣化合物、含硼化合物和助溶劑作為原料，只要原料中鋇、鈣、硼及助溶劑原料的摩爾比為2 1 6 :0. 02^8均可實(shí)施本發(fā)明生長(zhǎng)出硼酸鋇鈣雙折射晶體。實(shí)施例5助溶劑法生長(zhǎng)硼酸鋇鈣雙折射晶體將分析純的BaC204、CaC2O4、B2O3、BaF按摩爾比為2 :1 :3 :4的比例準(zhǔn)確稱量并用瑪瑙研缽研磨均勻后置于鉬坩堝中，用電阻絲單晶爐加熱至熔化獲得混合熔體，攪拌50小時(shí)至熔體均勻。通過(guò)下嘗試籽晶確定熔體的飽和點(diǎn)溫度。然后將熔體溫度設(shè)定在飽和點(diǎn)溫度以上3°C，將頂端綁有籽晶的籽晶桿伸入到晶體爐中，使籽晶降至接觸熔體表面以下2_， 下籽晶20分鐘時(shí)，將溫度降至飽和點(diǎn)溫度以下3°C，同時(shí)以40轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)籽晶，并以
0.5°C /天的速度降溫，以0. 2mm/小時(shí)的速度提拉，待晶體長(zhǎng)大到一定尺寸時(shí)將晶體提離液面，以10°C /小時(shí)的速度降至室溫，得到大小為30mmX 35mmX 20mm的硼酸鋇鈣雙折射晶體。本實(shí)施例的硼酸鋇鈣雙折射晶體的助溶劑生長(zhǎng)方法，所使用的原料僅為BaC204、CaC2O4, B2O3> BaF ;但本發(fā)明領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道，使用含鋇化合物、含鈣化合物、含硼化合物和助溶劑作為原料，只要原料中鋇、鈣、硼及助溶劑原料的摩爾比為2 1 6 :0. 02^8均可實(shí)施本發(fā)明生長(zhǎng)出硼酸鋇鈣雙折射晶體。實(shí)施例6，本發(fā)明的硼酸鋇鈣(BCBO)雙折射晶體的折射率測(cè)試將實(shí)施例中獲得的晶體切割出棱鏡，采用棱鏡法進(jìn)行折射率測(cè)試，其基本方法參閱中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)“晶體折射率的試驗(yàn)方法”(GB/T 16863-1997)。圖2是BCBO晶體的棱鏡，利用測(cè)角儀測(cè)量晶體的棱鏡角為30. 0612°。表I列出了 295K溫度時(shí)不同波長(zhǎng)下的折射率測(cè)試結(jié)果?？色@得硼酸鋇鈣晶體的色散方程如下
/■v n ! O cIi2 = 2.3999 + -- 0.0028 I2
- 0.0131
「00441 n! = 2.7883 + ,0'018 --0.0158 A2
隣4J "a2-0.0165式中入表示波長(zhǎng)(ym)，n。為尋常光(0光)的折射率，\為非常光(e光)的折射率。利用上述方程可以計(jì)算180-3000nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)本發(fā)明晶體的折射率值。圖3為所得折射率與波長(zhǎng)的關(guān)系圖。所述表I如下
波長(zhǎng)A (um) nen。雙折射率An
0. 2537I. 6262I. 78250. 1563
0. 4047I. 5757I. 70670. 13100. 4358~I. 5718~I. 7010~0. 1292
0. 5875I. 5610I. 68510. 1241
0. 7065I. 5570I. 67880. 1218
~I. 0140I. 5520I. 67030. 1183
2. 3250I. 5449I. 64490. 1000 實(shí)施例7，使用本發(fā)明的硼酸鋇鈣雙折射晶體制作偏振分束棱鏡 加工兩塊光軸互相垂直的硼酸鋇鈣雙折射晶體(BCB0晶體)棱鏡并將它們粘合起來(lái)，制成偏振分束棱鏡；圖4所示為偏振分束棱鏡中的渥拉斯頓棱鏡，當(dāng)一光束垂直入射到該棱鏡端面后，在第一棱鏡I中，O光和e光以不同速度沿相同方向行進(jìn)；光從第一棱鏡I進(jìn)入第二棱鏡2時(shí)，光軸旋轉(zhuǎn)了 90度，此時(shí)O光變?yōu)閑光，偏離法線傳播；e光變?yōu)閛光，靠 近法線傳播。兩束光線進(jìn)入空氣后，均是由光密介質(zhì)傳播到光疏介質(zhì)，因此可以得到進(jìn)一步分開(kāi)的兩束線偏振光。實(shí)施例8，使用本發(fā)明的硼酸鋇鈣雙折射晶體制作偏振棱鏡將兩塊BCBO晶體加工后，用加拿大樹(shù)膠粘結(jié)(或空氣隙)，制作成如圖5所示的偏振棱鏡；當(dāng)一束光垂直于棱鏡端面入射后，在第一塊棱鏡中O光和e光均不發(fā)生偏折；在膠合面上O光發(fā)生全反射，并被棱鏡直角面上的涂層吸收，而e光無(wú)偏析地從第二塊棱鏡出射。以上實(shí)施例表明，以含鋇化合物、含鈣化合物、含硼化合物和助溶劑為原料，用自熔體自發(fā)結(jié)晶法、熔體提拉法或助溶劑法生長(zhǎng)硼酸鋇鈣晶體。應(yīng)當(dāng)指出，上述的實(shí)施例只是用具體的實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明，而不是對(duì)本發(fā)明的限制。同時(shí)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明的技術(shù)方案基礎(chǔ)上，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行的各種修改和變化，均在本專利的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種硼酸鋇鈣雙折射晶體，其化學(xué)式為Ba2Ca (B3O6) 2，該晶體屬三方晶系，空間群為R-3，其晶胞參數(shù)a=7.1387A, C= 17.682A； Z=3 ;該晶體為負(fù)單軸晶體，透過(guò)范圍為181-3000nm,雙折射 ne-nQ=0. 086-0. 242。
2.—種權(quán)利要求I所述的硼酸鋇鈣雙折射晶體的生長(zhǎng)方法，其采用熔體法生長(zhǎng)晶體，所述熔體法生長(zhǎng)晶體的步驟如下 將摩爾比2 1 6的含鋇化合物、含鈣化合物和含硼化合物混合均勻，之后置于鉬坩堝中加熱至熔化，攪拌10-50小時(shí)至熔體均勻；然后將熔體溫度設(shè)定在飽和點(diǎn)溫度以上0.5-10°C，將頂端綁有鉬金絲的籽晶桿伸入到晶體爐中，使鉬金絲降至熔體表面以下，然后以0. 05-50C /小時(shí)的速度降溫，待其結(jié)晶后，以0. l-10°c /天的速度降溫生長(zhǎng)晶體，待晶體生長(zhǎng)到所需尺寸時(shí)，將晶體提離液面，并以2-50°C /小時(shí)的降溫速率降至室溫，得硼酸鋇鈣雙折射晶體。
3.—種權(quán)利要求I所述的硼酸鋇鈣雙折射晶體的生長(zhǎng)方法，其特征在于，其采用提拉法生長(zhǎng)晶體，所述提拉法生長(zhǎng)晶體的步驟如下 將摩爾比2 1 6的含鋇化合物、含鈣化合物和含硼化合物混合均勻，之后置于鉬坩堝中加熱至熔化，攪拌10-50小時(shí)至熔體均勻；通過(guò)下嘗試籽晶確定熔體的飽和點(diǎn)溫度；然后將熔體溫度設(shè)定在飽和點(diǎn)溫度以上0. 5-10°C，將頂端綁有籽晶的籽晶桿伸入到晶體爐中，使籽晶降至接觸熔體表面或伸入至熔體內(nèi)，下籽晶0-20分鐘時(shí)，將溫度降至飽和點(diǎn)溫度以下0. 5-3°C，同時(shí)以0-50轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)籽晶，并以0. 05-10°C /天的速度降溫，以0.Ol-IOmm/小時(shí)的速度向上提拉籽晶桿生長(zhǎng)晶體，待晶體生長(zhǎng)到所需尺寸時(shí)，將晶體提離液面，并以2-50°C /小時(shí)的速度降至室溫，得硼酸鋇鈣雙折射晶體。
4.一種權(quán)利要求I所述的硼酸鋇鈣雙折射晶體的生長(zhǎng)方法，其特征在于，其采用助溶劑法生長(zhǎng)晶體，所述助溶劑法生長(zhǎng)晶體的步驟如下 將摩爾比2 1 6 :0. 02^8的含鋇化合物、含鈣化合物、含硼化合物及助溶劑混合均勻，之后置于鉬坩堝中加熱至熔融，攪拌10-50小時(shí)至熔體均勻；通過(guò)下嘗試籽晶確定熔體的飽和點(diǎn)溫度；然后將熔體溫度設(shè)定在飽和點(diǎn)溫度以上0. 5-10°C，將頂端綁有籽晶的籽晶桿伸入到晶體爐中，使籽晶降至接觸熔體表面或伸入至熔體內(nèi)，下籽晶0-20分鐘時(shí)，將溫度降至飽和點(diǎn)溫度以下0. 5-3°C，同時(shí)以0-50轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)籽晶，并以0. 05-10°C /天的速度降溫，以0. Ol-IOmm/小時(shí)的速度提拉生長(zhǎng)晶體，待晶體生長(zhǎng)到所需尺寸時(shí)，將晶體提離液面，并以2-50°C /小時(shí)的速度降至室溫，得硼酸鋇鈣雙折射晶體。
5.如權(quán)利要求2或3所述的硼酸鋇鈣雙折射晶體的生長(zhǎng)方法，其特征在于所述的含鋇化合物為氧化鋇、氫氧化鋇、齒化鋇、碳酸鋇、硝酸鋇、硫酸鋇、乙酸鋇或草酸鋇；所述的含鈣化合物為氧化鈣、氫氧化鈣、齒化鈣、碳酸鈣、硝酸鈣、硫酸鈣、乙酸鈣或草酸鈣；所述的含硼化合物為硼酸或氧化硼。
6.如權(quán)利要求4所述的硼酸鋇鈣雙折射晶體的生長(zhǎng)方法，其特征在于所述的含鋇化合物為氧化鋇、氫氧化鋇、齒化鋇、碳酸鋇、硝酸鋇、硫酸鋇、乙酸鋇或草酸鋇；所述的含鈣化合物為氧化鈣、氫氧化鈣、齒化鈣、碳酸鈣、硝酸鈣、硫酸鈣、乙酸鈣或草酸鈣；所述的含硼化合物為硼酸或氧化硼；所述的助溶劑為氟化鈉、氧化鈉、氯化鈉、氟化鋇、氯化鋇、氟化鋰或它們的混合物。
7.—種權(quán)利要求I所述的硼酸鋇鈣雙折射晶體的用途，其特征在于，所述的硼酸鋇鈣雙折射晶體用于制作偏振棱鏡或偏 振分束棱鏡。
全文摘要
一種硼酸鋇鈣雙折射晶體、生長(zhǎng)方法和用途，其化學(xué)式為Ba2Ca(B3O6)2，該晶體屬于三方晶系，空間群為R-3，其晶胞參數(shù)Z=3；該晶體的生長(zhǎng)方法可采用熔體法、提拉法或助溶劑法生長(zhǎng)；該晶體透過(guò)范圍為181-3000nm，且為負(fù)單軸晶體，具有較大的雙折射(0.086-0.242)，且該易于加工，性能穩(wěn)定，適于制作偏振棱鏡或偏振分束棱鏡。
文檔編號(hào)G02B5/30GK102677171SQ201210135690
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年5月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月3日
發(fā)明者張寧寧, 李如康 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所