專利名稱：光刻設(shè)備和部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和光刻設(shè)備中的部件。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于例如制造集成電路(1C)。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個(gè)襯底將包含連續(xù)形成了圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。
光刻技術(shù)被廣泛認(rèn)為是制造集成電路(IC)和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著使用光刻技術(shù)所制造的特征的尺寸變得越來越小，對于實(shí)現(xiàn)將要制造的微型的IC或其他器件和/或結(jié)構(gòu)來說，光刻技術(shù)正變成更加關(guān)鍵的因素。圖案印刷的極限的理論估計(jì)可以由分辨率的瑞利法則給出，如等式⑴所示CD = U *—(I)
1NA其中\(zhòng)是所用輻射的波長，NA是用以印刷圖案的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，Ic1是依賴于工藝的調(diào)節(jié)因子，也稱為瑞利常數(shù)，CD是印刷的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。由等式(I)可知，特征的最小可印刷尺寸的減小可以由三種方式來實(shí)現(xiàn)通過縮短曝光波長入、通過增大數(shù)值孔徑NA或通過減小kl的值。為了縮短曝光波長，并因此減小最小可印刷尺寸，已經(jīng)提出使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射是具有5-20nm范圍內(nèi)的波長的電磁輻射，例如具有在13_14nm范圍內(nèi)的波長的電磁輻射，或例如具有在5-10nm范圍內(nèi)的波長，諸如6. Ixm或6. 8nm的波長的電磁輻射?？捎玫脑窗ɡ缂す猱a(chǎn)生的等離子體源、放電等離子體源或基于由電子存儲(chǔ)環(huán)的同步加速器輻射的源。通過使用等離子體可以產(chǎn)生EUV輻射。用于產(chǎn)生EUV輻射的輻射系統(tǒng)可以包括用于激發(fā)燃料以提供等離子體的激光器，和用于容納等離子體的源收集器模塊?？梢岳缤ㄟ^引導(dǎo)激光束到燃料上，例如合適材料(例如錫)的顆粒或合適氣體或蒸汽的流(例如Xe氣體或Li蒸汽)，產(chǎn)生等離子體。所形成的等離子體發(fā)射輸出輻射，例如EUV輻射，其通過使用輻射收集器進(jìn)行收集。輻射收集器可以是反射鏡式的正入射輻射收集器，其接收輻射并將輻射聚焦為束。源收集器模塊可以包括包封結(jié)構(gòu)或腔，其布置成提供真空環(huán)境以支持等離子體。這種輻射系統(tǒng)通常稱為激光產(chǎn)生等離子體(LPP)源。可以期望使用現(xiàn)有技術(shù)未知的設(shè)備來促進(jìn)至光刻設(shè)備的部件的熱傳遞、來自部件的熱傳遞或部件之間的熱傳遞
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種光刻設(shè)備，包括襯底臺(tái)，構(gòu)造用以保持襯底；和投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上；其中在使用中處在真空環(huán)境中的光刻設(shè)備的部件的表面設(shè)置有重復(fù)結(jié)構(gòu)，所述重復(fù)結(jié)構(gòu)配置成增加所述表面的有效熱適應(yīng)系數(shù)(thermal accommodation coefficient)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種光刻設(shè)備部件，具有設(shè)置有結(jié)構(gòu)的表面，所述結(jié)構(gòu)滿足下式
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，包括 襯底臺(tái)，構(gòu)造用以保持襯底；和 投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上； 其中在使用中在真空環(huán)境中的光刻設(shè)備的部件的表面設(shè)置有重復(fù)結(jié)構(gòu)，所述重復(fù)結(jié)構(gòu)配置成增加所述表面的有效熱適應(yīng)系數(shù)。
2.一種光刻設(shè)備部件，具有設(shè)置有結(jié)構(gòu)的表面，所述結(jié)構(gòu)滿足下式
3.根據(jù)權(quán)利要求所述的光刻設(shè)備部件，其中所述結(jié)構(gòu)具有超過O.2的縱橫比。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光刻設(shè)備部件，其中所述結(jié)構(gòu)是重復(fù)結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光刻設(shè)備部件，其中所述結(jié)構(gòu)是非重復(fù)結(jié)構(gòu)，其中f和R是所述結(jié)構(gòu)的平均值。
6.一種光刻設(shè)備部件，具有設(shè)置有結(jié)構(gòu)的表面，所述表面對于氫氣具有為O. 4或更大的有效熱適應(yīng)系數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻設(shè)備部件，其中所述結(jié)構(gòu)是重復(fù)結(jié)構(gòu)。
8.一種光刻設(shè)備部件，具有一表面，所述表面的每單位的突出的兩維面積的表面積大于所述部件的常規(guī)表面的每單位的突出的兩維面積的表面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光刻設(shè)備部件，其中所述表面設(shè)置有重復(fù)結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求4、7或9所述的光刻設(shè)備部件，其中所述重復(fù)結(jié)構(gòu)包括一系列的脊。
11.根據(jù)權(quán)利要求4、7或9所述的光刻設(shè)備部件，其中所述重復(fù)結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述部件的表面中的孔的陣列。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻設(shè)備部件，其中所述孔的陣列包括蜂窩布置或圓形孔的陣列。
13.根據(jù)權(quán)利要求4、7或9所述的光刻設(shè)備部件，其中所述重復(fù)結(jié)構(gòu)具有恒定的節(jié)距。
14.一種光刻設(shè)備部件，具有設(shè)置有結(jié)構(gòu)的表面，所述結(jié)構(gòu)具有小于氣體的平均自由程的節(jié)距，所述氣體在光刻設(shè)備的操作期間將處于所述結(jié)構(gòu)的附近區(qū)域中。
15.根據(jù)權(quán)利要求2-14中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備部件，其中所述光刻設(shè)備部件是投影系統(tǒng)壁、襯底臺(tái)、反射鏡、散熱器或內(nèi)腔壁。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光刻設(shè)備，其中光刻設(shè)備的所述部件是根據(jù)權(quán)利要求2、3、.6、8、10-15中任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備部件。
全文摘要
本發(fā)明公開一種光刻設(shè)備和部件。所述光刻設(shè)備包括襯底臺(tái)，構(gòu)造用以保持襯底；和投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上；其中在使用中在真空環(huán)境中的光刻設(shè)備的部件的表面設(shè)置有重復(fù)結(jié)構(gòu)，所述重復(fù)結(jié)構(gòu)配置成增加所述表面的有效熱適應(yīng)系數(shù)。
文檔編號G03F7/20GK102799074SQ20121016031
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月24日
發(fā)明者H-K·尼恩惠斯, F·J·J·杰森, S·皮克爾德, A·M·A·惠杰伯特斯, P·A·M·加塞林, R·W·A·H·施密茨 申請人:Asml荷蘭有限公司