專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
此處公開(kāi)的實(shí)施例一般涉及顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
例如，在兩個(gè)基板之間設(shè)置有液晶層的液晶顯示裝置之類的顯示裝置中，在多個(gè)像素中設(shè)置有藍(lán)色、綠色和紅色濾色器，來(lái)進(jìn)行彩色顯示。當(dāng)使用對(duì)具有特定波長(zhǎng)的光進(jìn)行吸收的濾色器來(lái)獲得較高的色彩再現(xiàn)性時(shí)，光利用效率會(huì)因?yàn)V色器對(duì)光的吸收而降低，從而顯示較暗的圖像。在顯示裝置中，優(yōu)選同時(shí)提高光利用效率和生產(chǎn)率。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，顯示裝置包括主基板、和光控制層。所述主基板包括具有主表面的主基底、設(shè)置在所述主表面上的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層、和設(shè)置在所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層上的電路層。所述光控制層與所述主基板層疊且具有可變的光學(xué)特性。所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層包括下側(cè)反射層、上側(cè)反射層、第一間隔物層、和第二間隔物層。所述上側(cè)反射層設(shè)置在所述下側(cè)反射層上。所述第一間隔物層設(shè)置在所述下側(cè)反射層和所述上側(cè)反射層之間。所述第二間隔物層設(shè)置在所述下側(cè)反射層和所述上側(cè)反射層之間，以使其與平行于所述主表面的所述第一間隔物層并置，且具有與所述第一間隔物層的厚度不同的厚度。所述電路層包括第一像素電極、第二像素電極、第一開(kāi)關(guān)元件、和第二開(kāi)關(guān)元件。所述第一像素電極包括沿著垂直于所述主表面的第一方向觀察時(shí)與所述第一間隔物層重疊的部分。所述第二像素電極包括沿著所述第一方向觀察時(shí)與所述第二間隔物層重疊的部分。所述第一開(kāi)關(guān)元件與所述第一像素電極連接。所述第二開(kāi)關(guān)元件與所述第二像素電極連接。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，公開(kāi)了用于制造顯示裝置的方法。所述裝置包括主基板，該主基板包括具有主表面的主基底、設(shè)置在所述主表面上的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層、和設(shè)置在所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層上的電路層。所述波長(zhǎng)選擇吸收層與所述主基板層疊，所述光控制層與所述波長(zhǎng)選擇吸收層層疊且具有可變的光學(xué)特性。所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層包括下側(cè)反射層；設(shè)置在所述下側(cè)反射層上的上側(cè)反射層；設(shè)置在所述下側(cè)反射層和所述上側(cè)反射層之間的第一間隔物層；以及第二間隔物層，該第二間隔物層設(shè)置在所述下側(cè)反射層和所述上側(cè)反射層之間，以使其在平行于所述主表面的第一平面內(nèi)與所述第一間隔物層并置，且具有與所述第一間隔物層的厚度不同的厚度。所述電路層包括第一像素電極，該第一像素電極包括沿著垂直于所述主表面的第一方向觀察時(shí)與所述第一間隔物層重疊的部分；第二像素電極，該第二像素電極包括沿著所述第一方向觀察時(shí)與所述第二間隔物層重疊的部分；第一開(kāi)關(guān)元件，該第一開(kāi)關(guān)元件與所述第一像素電極連接；以及第二開(kāi)關(guān)元件，該第二開(kāi)關(guān)元件與所述第二像素電極連接。所述波長(zhǎng)選擇吸收層包括第一吸收層，該第一吸收層設(shè)置在所述第一像素電極上；以及第二吸收層，該第二吸收層設(shè)置在所述第二像素電極上，且具有與所述第一吸收層的吸收譜不同的吸收譜。所述方法可包括在所述主基底的所述主表面上形成用作所述下側(cè)反射層的下側(cè)反射膜。所述方法可包括在所述下側(cè)反射膜上形成用作所述第一間隔物層的一部分的第一中間層。所述方法可包括形成對(duì)所述第一中間層的第一區(qū)域進(jìn)行覆蓋的第一掩模構(gòu)件。所述方法可包括除去所述第一中間層的未被所述第一掩模構(gòu)件覆蓋的部分，且利用過(guò)蝕刻減小所述下側(cè)反射膜的未被所述第一掩模構(gòu)件覆蓋的部分的厚度。所述方法可包括在除去所述第一掩模構(gòu)件之后，在剩余的第一中間層和所述下側(cè)反射膜上形成第二中間層，該第二中間層用作所述第一間隔物層的另一部分和所述第二間隔物層的至少一部分。此外，所述方法可包括在所述第二中間層上形成所述上側(cè)反射層，且在所述上側(cè)反射層上形成所述電路層。


圖I是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的示意剖視圖。圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的一部分的示意放大剖視圖。圖3A至圖3C是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的示意剖視圖。圖4A至圖4C是示出根據(jù)第一實(shí)施例的另一顯示裝置的示意剖視圖。圖5A和圖5B是示出材料的光學(xué)特性的曲線圖。圖6A和圖6B是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的特性的曲線圖。圖7A和圖7B是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的特性的曲線圖。圖8是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的動(dòng)作的示意圖。圖9是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的特性的曲線圖。圖IOA至圖10C、圖IlA至圖11C、和圖12是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的順序示意剖視圖。圖13是示出根據(jù)第一實(shí)施例的另一顯示裝置的示意剖視圖。圖14是示出根據(jù)第一實(shí)施例的另一顯示裝置的示意剖視圖。圖15是示出根據(jù)第一實(shí)施例的另一顯示裝置的示意剖視圖。圖16是示出根據(jù)第二實(shí)施例的顯示裝置的示意剖視圖。圖17A至圖17C和圖18A、圖18B是示出根據(jù)第二實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的順序示意剖視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中將參考附圖來(lái)描述各個(gè)實(shí)施例。附圖是示例性或概念性的。在附圖中，例如，部件的比例并不一定等于實(shí)際比例。此外，相同部件在附圖中可具有不同的尺寸和比例。在說(shuō)明書(shū)和附圖中，相同部件由相同附圖標(biāo)記表示且其詳細(xì)描述將不再重復(fù)。(第一實(shí)施例)下面，作為根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的示例，對(duì)使用液晶的液晶顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖I是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意放大剖視圖。如圖I和圖2所示，根據(jù)該實(shí)施例的顯示裝置110包括主基板10和光控制層50。光控制層50與主基板10層疊。光控制層50的光學(xué)特性是可變的。例如，液晶層被用作為光控制層50。顯示裝置110還可包括波長(zhǎng)選擇吸收層40。波長(zhǎng)選擇吸收層40與主基板10層置。在本說(shuō)明書(shū)中，層疊狀態(tài)包括兩個(gè)部件直接彼此重疊的狀態(tài)和兩個(gè)部件隔著另一部件彼此重疊的狀態(tài)。主基板10包括主基底11、波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20、和電路層30。主基底11包括主表 面11a。主基底11例如由玻璃或樹(shù)脂制成。主基底11例如是透光的。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20設(shè)置在主表面Ila上。電路層30設(shè)置在波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20上。即，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20設(shè)置在主基底11和電路層30之間。將垂直于主表面Ila的方向稱作為Z軸方向(第一方向)。將垂直于Z軸方向的一個(gè)軸稱作為X軸方向(第二方向)。將垂直于Z軸方向和X軸方向的軸稱作為Y軸方向。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20包括下側(cè)反射層21、上側(cè)反射層22、和中間層23。上側(cè)反射層22設(shè)置在下側(cè)反射層21上方。中間層23設(shè)置在下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22之間。在本說(shuō)明書(shū)中，一個(gè)部件設(shè)置在另一個(gè)部件上方的狀態(tài)包括一個(gè)部件設(shè)置在另一個(gè)部件上的狀態(tài)和一個(gè)部件隔著第三部件設(shè)置在另一個(gè)部件上方的狀態(tài)。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20包括多個(gè)區(qū)域(例如，第一區(qū)域20a和第二區(qū)域20b)。在本例中，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20包括第一區(qū)域20a、第二區(qū)域20b、和第三區(qū)域20c。多個(gè)第一區(qū)域20a、第二區(qū)域20b、第三區(qū)域20c配置在X-Y平面內(nèi)。中間層23包括與多個(gè)區(qū)域相對(duì)應(yīng)的多個(gè)層。例如，中間層23包括第一間隔物層23a和第二間隔物層23b。中間層23還可包括第三間隔物層23c。S卩，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20可包括第一間隔物層23a和第二間隔物層23b。第一間隔物層23a設(shè)置在下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22之間。第二間隔物層23b設(shè)置在下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22之間。第二間隔物層23b在平行于主表面Ila的第一平面(X_Y平面)內(nèi)與第一間隔物層23a并置設(shè)置。第二間隔物層23b和第一間隔物層23a具有不同的厚度。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20中的包括下側(cè)反射層21、第一間隔物層23a、和上側(cè)反射層22在內(nèi)的區(qū)域是第一區(qū)域20a。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20中的包括下側(cè)反射層21、第二間隔物層23b、和上側(cè)反射層22在內(nèi)的區(qū)域是第二區(qū)域20b。在本具體例中，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20還包括第三間隔物層23c。第三間隔物層23c設(shè)置在下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22之間，且在X-Y平面內(nèi)與第一間隔物層23a(及第二間隔物層23b)并置設(shè)置。第三間隔物層23c的厚度與第一間隔物層23a和第二間隔物層23b的厚度不同。例如，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20中的包括下側(cè)反射層21、第三間隔物層23c、和上側(cè)反射層22在內(nèi)的區(qū)域是第三區(qū)域20c。下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22使可見(jiàn)光反射并透過(guò)。如下所述，第一區(qū)域20a起到第一色彩干涉濾光器的作用。第二區(qū)域20b起到第二色彩干涉濾光器的作用。第三區(qū)域20c起到第三色彩干涉濾光器的作用。即，在本示例中，設(shè)置有三個(gè)色彩區(qū)域。然而，本實(shí)施例不限于此。例如，可不設(shè)置第三區(qū)域20c，可設(shè)置兩個(gè)色彩區(qū)域。此夕卜，還可設(shè)置第四區(qū)域，可設(shè)置四個(gè)色彩區(qū)域。這樣，在本實(shí)施例中，可使用任意種色彩。當(dāng)設(shè)置第三區(qū)域20c時(shí)，根據(jù)下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22的結(jié)構(gòu)，可不設(shè)置第三間隔物層23c。在這種情況下，在第三區(qū)域20c中，下側(cè)反射層21與上側(cè)反射層22相接觸。即，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20可包括如下區(qū)域(第三區(qū)域20c)，該區(qū)域(第三區(qū)域20c)設(shè)置在下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22之間，且在X-Y平面內(nèi)與設(shè)置有第一間隔物層的區(qū)域(第一區(qū)域20a)和設(shè)置有第二間隔物層的區(qū)域(第二區(qū)域20b)并置。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20可包括層間膜29。層間膜29設(shè)置在上側(cè)反射層22和電路層
30之間。層間膜29例如使上側(cè)反射層22的上表面平坦化。例如，層間膜29可由形成下側(cè)反射層21、中間層23、和上側(cè)反射層22的材料中的至少一個(gè)材料制成?？筛鶕?jù)需要設(shè)置層間膜29，也可不設(shè)置。下面將說(shuō)明波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的結(jié)構(gòu)的示例。電路層30包括多個(gè)像素區(qū)域(例如，第一像素區(qū)域30a和第二像素區(qū)域30b)。在本示例中，電路層30包括第一像素區(qū)域30a、第二像素區(qū)域30b、和第三像素區(qū)域30c。第一像素區(qū)域30a、第二像素區(qū)域30b、和第三像素區(qū)域30c分別與第一區(qū)域20a、第二區(qū)域20b、和第三區(qū)域20c相對(duì)應(yīng)。如圖2所示，在多個(gè)像素區(qū)域的每個(gè)區(qū)域中設(shè)置有像素電極和開(kāi)關(guān)元件。具體而言，電路層30包括第一像素電極31a、第二像素電極31b、第一開(kāi)關(guān)元件32a、和第二開(kāi)關(guān)元件32b。第一像素電極31a包括從Z軸方向觀察時(shí)與第一間隔物層23a重疊的部分。第二像素電極31b包括從Z軸方向觀察時(shí)與第二間隔物層23b重疊的部分。第一開(kāi)關(guān)元件32a與第一像素電極31a連接。第二開(kāi)關(guān)元件32b與第二像素電極31b連接。在本示例中，電路層30還包括第三像素電極31c和第三開(kāi)關(guān)元件32c。第三像素電極31c包括從Z軸方向觀察時(shí)與第三間隔物層23c重疊的部分。即，第三像素電極31c包括從Z軸方向觀察時(shí)與第一區(qū)域20a和第二區(qū)域20b并置、并且與區(qū)域(第三區(qū)域20c)重疊的部分。第三開(kāi)關(guān)元件32c與第三像素電極31c連接。例如，作為第一至第三開(kāi)關(guān)元件32a至32c，使用晶體管(例如，薄膜晶體管)。具體而言，第一開(kāi)關(guān)兀件32a包括第一柵極33a、第一半導(dǎo)體層34a、第一信號(hào)線側(cè)端部35a、和第一像素側(cè)端部36a。第二開(kāi)關(guān)元件32b包括第二柵極33b、第二半導(dǎo)體層34b、第二信號(hào)線側(cè)端部35b、和第二像素側(cè)端部36b。第三開(kāi)關(guān)元件32c包括第三柵極33c、第三半導(dǎo)體層34c、第三信號(hào)線側(cè)端部35c、和第三像素側(cè)端部36c。第一至第三柵極33a至33c例如與掃描線(未示出)連接。第一至第三信號(hào)線側(cè)端部35a至35c例如與多個(gè)信號(hào)線連接(未示出)。柵極絕緣膜37設(shè)置在第一柵極33a和第一半導(dǎo)體層34a之間，第二柵極33b和第二半導(dǎo)體層34b之間，以及第三柵極33c和第三半導(dǎo)體層34c之間。第一至第三半導(dǎo)體層34a至34c由諸如非晶硅或多晶硅的半導(dǎo)體制成。第一信號(hào)線側(cè)端部35a是第一開(kāi)關(guān)元件32a的源極和漏極中的一個(gè)。第一像素側(cè)端部36a是第一開(kāi)關(guān)元件32a的源極和漏極中的另一個(gè)。第二信號(hào)線側(cè)端部35b是第二開(kāi)關(guān)元件32b的源極和漏極中的一個(gè)。第二像素側(cè)端部36b是第二開(kāi)關(guān)元件32b的源極和漏極中的另一個(gè)。第三信號(hào)線側(cè)端部35c是第三開(kāi)關(guān)元件32c的源極和漏極中的一個(gè)。第三信號(hào)線側(cè)端部36c是第三開(kāi)關(guān)元件32c的源極和漏極中的另一個(gè)。第一至第三像素側(cè)端部36a至36c分別與第一像素電極31a至31c電連接。電路層30還可包括輔助電容線(未示出)。電路層30還可包括控制開(kāi)關(guān)元件的動(dòng)作的控制電路。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20例如是絕緣層，將在下文中進(jìn)行說(shuō)明。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20例如抑制雜質(zhì)從主基底11向電路層30擴(kuò)散。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20例如使主基底11的表面平坦化。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20被用作為設(shè)置在主基底11和電路層30之間的襯層。如圖I所不，在本不例中，設(shè)直有相對(duì)基板12以使其與王基底11的王表面Ila相 對(duì)。波長(zhǎng)選擇吸收層40設(shè)置在相對(duì)基板12的相對(duì)主表面12a (與主表面Ila相對(duì)的表面)上。波長(zhǎng)選擇吸收層40包括第一吸收層40a和第二吸收層40b。在本示例中，波長(zhǎng)選擇吸收層40還包括第三吸收層40c。第一吸收層40a包括從Z軸方向觀察時(shí)與第一間隔物層23a重疊的部分。第一吸收層40a例如包括從Z軸方向觀察時(shí)與第一像素電極31a重疊的部分。第二吸收層40b包括從Z軸方向觀察時(shí)與第二間隔物層23b重疊的部分。第二吸收層40b例如包括從Z軸方向觀察時(shí)與第二像素電極31b重疊的部分。第二吸收層40b和第一吸收層40a具有不同的吸收譜。第三吸收層40c包括從Z軸方向觀察時(shí)與平行于第一區(qū)域20a和第二區(qū)域20b并置、并且與區(qū)域(第三區(qū)域20c)重疊的部分。第三吸收層40c例如包括從Z軸方向觀察時(shí)與第三間隔物層23c重疊的部分。第三吸收層40c例如包括從Z軸方向觀察時(shí)與第三像素電極31c重疊的部分。第三吸收層40c具有與第一吸收層40a和第二吸收層40b的吸收譜不同的吸收譜。例如，第一吸收層40a是綠色吸收濾光器，第二吸收層40b是藍(lán)色吸收濾光器，第三吸收層40c是紅色吸收濾光器。本實(shí)施例不限于此，第一至第三吸收層40a至40c也可在彼此之間具有任意的色彩關(guān)系(吸收波長(zhǎng))。在本示例中，光控制層50設(shè)置在波長(zhǎng)選擇吸收層40和主基板10之間。光控制層50配置在電路層30和波長(zhǎng)選擇吸收層40之間。相對(duì)電極13設(shè)置在波長(zhǎng)選擇吸收層40和光控制層50之間。相對(duì)電極13設(shè)置在波長(zhǎng)選擇吸收層40上，該波長(zhǎng)選擇吸收層40形成在相對(duì)基板12的相對(duì)主表面12a上。波長(zhǎng)選擇吸收層40可設(shè)置在主基板10上。波長(zhǎng)選擇吸收層40可設(shè)置在像素電極(例如，第一像素電極31)和波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20之間。例如，通過(guò)開(kāi)關(guān)元件向每個(gè)像素電極提供所期望的電荷。向每個(gè)像素電極和相對(duì)電極13之間施加電壓,并向光控制層50施加電壓(例如，電場(chǎng))。光控制層50的光學(xué)特性根據(jù)所施加的電壓(例如，電場(chǎng))而改變，從而改變每個(gè)像素的透過(guò)率。由此，進(jìn)行顯示。當(dāng)液晶層被用作為光控制層50時(shí)，液晶層中的液晶的取向根據(jù)所施加的電壓(例如，電場(chǎng))而改變。當(dāng)取向改變時(shí)，液晶層的光學(xué)特性(包括雙折射率、旋光性、散射性、衍射性、和吸收性中的至少一個(gè))發(fā)生改變。如圖I所不,在本不例中，進(jìn)一步設(shè)置第一偏光層61和第二偏光層62。主基板10、波長(zhǎng)選擇吸收層40、和光控制層50配置在第一偏光層61和第二偏光層62之間。由此,光控制層50 (液晶層)的光學(xué)特性的變化被變換成光透過(guò)率的變化，從而進(jìn)行顯示。偏光層的位置并不限于上述那樣。相對(duì)電極13可設(shè)置在主基板10上，在這種情況下，例如，具有平行于X-Y平面的分量的電場(chǎng)被施加到光控制層50，從而光控制層50的光學(xué)特性發(fā)生改變。如圖I所示，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置110還包括照明單元70。照明單元70發(fā)射照明光70L，以使其沿著從波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20朝向波長(zhǎng)選擇吸收層40的方向，對(duì)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20入射。 照明單元70例如包括光源73、導(dǎo)光體71、照明用反射膜72、和行進(jìn)方向改變部74。光源73產(chǎn)生光。例如，半導(dǎo)體發(fā)光元件(例如，LED)被用作為光源73。光源73例如配置在導(dǎo)光體的側(cè)面。導(dǎo)光體71配置在照射用反射膜72和主基板10之間。由光源73產(chǎn)生的光對(duì)導(dǎo)光體71入射。例如，光在全反射的同時(shí)在導(dǎo)光體71中傳播。行進(jìn)方向改變部74改變導(dǎo)光體中的光傳播行進(jìn)方向，使得光高效地對(duì)主基板10入射。例如，作為行進(jìn)方向改變部74，使用諸如溝槽的具有凹凸形狀的結(jié)構(gòu)。例如，行進(jìn)方向被行進(jìn)方向改變部74改變的部分光朝向主基板10行進(jìn)。從照明單元70的光源73發(fā)出的光可在主基底11中傳播，所傳播的光可對(duì)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20入射。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20使具有特定波長(zhǎng)的光透過(guò)，并使具有特定波長(zhǎng)以外的波長(zhǎng)的光反射。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20例如是法布里-珀羅(Farbry-Pelot)干涉濾光器。當(dāng)具有上述光學(xué)特性的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20被用作為電路層30的襯層時(shí)，可在使電路層30穩(wěn)定進(jìn)行動(dòng)作的同時(shí)獲得較佳的光學(xué)特性(如下所述的較高的光利用效率)。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20在制造襯層時(shí)同時(shí)(或連續(xù)地)進(jìn)行制造。襯層在制造電路層30之前進(jìn)行制造。因此，生產(chǎn)率較高。由此，可提供具有較高的光利用效率和較高的生產(chǎn)率的顯示裝置。下面，對(duì)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的示例進(jìn)行說(shuō)明。圖3A至圖3C是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。圖3A至圖3C示出第一區(qū)域20a、第二區(qū)域20b、和第三區(qū)域20c中的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的結(jié)構(gòu)。圖3A至圖3C中，省略了層間膜29。如圖3A至圖3C所示，下側(cè)反射層21可包括第一電介質(zhì)膜25和第二電介質(zhì)膜26。第二電介質(zhì)膜26和第一電介質(zhì)膜25在Z軸方向上層疊。第二電介質(zhì)膜26和第一電介質(zhì)膜25具有不同的折射率。在本不例中，設(shè)置有多個(gè)第一電介質(zhì)膜25,并設(shè)置有多個(gè)第二電介質(zhì)膜26。多個(gè)第一電介質(zhì)膜25和多個(gè)第二電介質(zhì)膜26在Z軸方向上交替層疊。上側(cè)反射層22可包括第三電介質(zhì)膜27和第四電介質(zhì)膜28。第四電介質(zhì)膜28和第三電介質(zhì)膜27在Z軸方向上層疊。第四電介質(zhì)膜28和第三電介質(zhì)膜27具有不同的折射率。在本示例中，設(shè)置有多個(gè)第三電介質(zhì)膜27，并設(shè)置有多個(gè)第四電介質(zhì)膜28。多個(gè)第三電介質(zhì)膜27和多個(gè)第四電介質(zhì)膜28在Z軸方向上交替層疊。例如，作為第二電介質(zhì)膜26之一的第二電介質(zhì)膜26a與中間層23相接觸。例如，作為第四電介質(zhì)膜28之一的第四電介質(zhì)膜28a與中間層23相接觸。例如，在下側(cè)反射層21中，第一電介質(zhì)膜25c、第二電介質(zhì)膜26c、第一電介質(zhì)膜25b、第二電介質(zhì)膜26b、第一電介質(zhì)膜25a、第二電介質(zhì)膜26a以上述順序?qū)盈B。例如，在上側(cè)反射層22中，第四電介質(zhì)膜28a、第三電介質(zhì)膜27a、第四電介質(zhì)膜28b、第三電介質(zhì)膜27b、第四電介質(zhì)膜28c、第三電介質(zhì)膜27c以上述順序?qū)盈B。如圖3A至圖3C所示，在第一區(qū)域20a、第二區(qū)域20b、和第三區(qū)域20c的每個(gè)區(qū)域中，第一間隔物層23a、第二間隔物層23b、和第三間隔物層23c設(shè)置在下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22之間。第二間隔物層23b的厚度tsb與第一間隔物層23a的厚度tsa不同。第三間隔物層23c的厚度tsc與第一間隔物層23a的厚度tsa不同，且與第二間隔物層23b的厚度tsb不同。厚度tsc可為零。第一電介質(zhì)膜25 (例如,第一電介質(zhì)膜25a至25c)例如可由氮化娃(SiNx)制成。第二電介質(zhì)膜26 (例如，第二電介質(zhì)膜26a至26c)例如可由氧化硅(SiO2)制成。中間層 23例如可由氮化硅(SiNx)制成。第三電介質(zhì)膜27 (例如，第三電介質(zhì)膜27a至27c)例如可由氮化硅(SiNx)制成。第四電介質(zhì)膜28(例如，第四電介質(zhì)膜28a至28c)例如可由氧化娃(SiO2)制成。第一電介質(zhì)膜25中氮的含量可與第三電介質(zhì)膜27中氮的含量相同或不同。中間層23中氮的含量可與第一電介質(zhì)膜25中氮的含量相同或不同。中間層23中氮的含量可與第三電介質(zhì)膜27中氮的含量相同或不同。例如，第一電介質(zhì)膜25和第二電介質(zhì)膜26包含氧化硅、氮化硅、和氧氮化硅中的至少一個(gè)。第一電介質(zhì)膜25中的氧和氮中至少一個(gè)的含量與第二電介質(zhì)膜26中的氧和氮中至少一個(gè)的含量不同。由此，第二電介質(zhì)膜26具有與第一電介質(zhì)膜25的折射率不同的折射率。類似地，第三電介質(zhì)膜27和第四電介質(zhì)膜28包含氧化硅、氮化硅、和氧氮化硅中的至少一個(gè)。第三電介質(zhì)膜27中的氧和氮中至少一個(gè)的含量與第四電介質(zhì)膜28中的氧和氮中至少一個(gè)的含量不同。由此，第四電介質(zhì)膜28具有與第三電介質(zhì)膜27的折射率不同的折射率。如上所述，中間層23由與形成下側(cè)反射層21的最上層(例如，第二電介質(zhì)膜26a)的材料不同的材料制成。此外，中間層23由與形成上側(cè)反射層22的最下層(例如，第四電介質(zhì)膜28a)的材料不同的材料制成。中間層23的折射率與下側(cè)反射層21的最上層(例如，第二電介質(zhì)膜26a)的折射率不同。此外，中間層23的折射率與上側(cè)反射層22的最下層(例如，第四電介質(zhì)膜28a)的折射率不同。即,在本實(shí)施例中,第一電介質(zhì)膜25和第二電介質(zhì)膜26中的一個(gè)與第一間隔物層23a和第二間隔物層23b相接觸。例如，第一電介質(zhì)膜25和第二電介質(zhì)膜26中的一個(gè)的折射率小于第一間隔物層23a的折射率，且小于第二間隔物層23b的折射率。類似地，第三電介質(zhì)膜27和第四電介質(zhì)膜28中的一個(gè)與第一間隔物層23a和第二間隔物層23b相接觸。例如，第三電介質(zhì)膜27和第四電介質(zhì)膜28中的一個(gè)的折射率小于第一間隔物層23a的折射率，且小于第二間隔物層23b的折射率。本實(shí)施例并不限于此，所述的折射率也可以任意設(shè)置。由此，在第一區(qū)域20a中，在下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22之間(第一間隔物層23a中)發(fā)生光干涉。從而，具有與下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22之間的光學(xué)距離(例如，第一間隔物層23a的厚度)相對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的光通過(guò)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20，且具有其它波長(zhǎng)的光被其反射。類似地，在第二區(qū)域20b中，例如，具有與第二間隔物層23b的厚度相對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的光通過(guò)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20，且具有其它波長(zhǎng)的光被其反射。在第三區(qū)域20c中，例如，具有與第三間隔物層23c的厚度(下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22之間的光學(xué)距離)相對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的光通過(guò)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20，且具有其它波長(zhǎng)的光被其反射。在本不例中，第一電介質(zhì)膜25的數(shù)量為三個(gè),第二電介質(zhì)膜26的數(shù)量為三個(gè),第三電介質(zhì)膜27的數(shù)量為三個(gè)，第四電介質(zhì)膜28的數(shù)量為三個(gè)。然而，本實(shí)施例不限于此。這些膜的數(shù)量可改變。圖4A至圖4C是示出根據(jù)第一實(shí)施例的另一顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。如圖4A至圖4C所不,根據(jù)第一實(shí)施例的另一顯不裝置111中，第一電介質(zhì)膜25的數(shù)量為兩個(gè)，第二電介質(zhì)膜26的數(shù)量為兩個(gè)，第三電介質(zhì)膜27的數(shù)量為兩個(gè)，第四電介質(zhì)膜28的數(shù)量為兩個(gè)。 此外，第一電介質(zhì)膜25的數(shù)量和第二電介質(zhì)膜26的數(shù)量可與第三電介質(zhì)膜27的數(shù)量和第四電介質(zhì)膜的數(shù)量不同。這樣，下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22可具有任意結(jié)構(gòu)。下面，對(duì)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的特性的示例進(jìn)行說(shuō)明。即，對(duì)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的特性仿真結(jié)果的示例進(jìn)行說(shuō)明。該仿真中，使用顯示裝置111的結(jié)構(gòu)(第一電介質(zhì)膜25的數(shù)量為兩個(gè)，第二電介質(zhì)膜26的數(shù)量為兩個(gè)，第三電介質(zhì)膜27的數(shù)量為兩個(gè)，第四電介質(zhì)膜28的數(shù)量為兩個(gè))的模型。該模型中，第一電介質(zhì)膜25、第三電介質(zhì)膜27、和中間層23由氮化硅(SiN)制成，第二電介質(zhì)膜26和第四電介質(zhì)膜28由氧化娃(SiO2)制成。第一電介質(zhì)膜25a和25b的每一個(gè)的厚度都為58納米(nm)。第二電介質(zhì)膜26a和26b的每一個(gè)的厚度都為92nm。第三電介質(zhì)膜27a和27b的每一個(gè)的厚度都為58nm。第四電介質(zhì)膜28a和28b的每一個(gè)的厚度都為92nm。第一間隔物層23a的厚度為115nm。第二間隔物層23b的厚度為78nm。第三間隔物層23c的厚度為30nm。圖5A和圖5B是示出材料的光學(xué)特性的曲線圖。圖5A和圖5B示出用于仿真的材料的光學(xué)特性。圖5A示出復(fù)折射率的實(shí)部n，且圖5B不出復(fù)折射率的虛部k。圖5A和圖5B中，橫軸表不波長(zhǎng)入。如圖5A所示，例如，當(dāng)波長(zhǎng)λ為550nm時(shí)，氮化硅膜(SiN)的折射率η為2. 3。使用圖5Α和圖5Β所示的光學(xué)特性來(lái)對(duì)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的特性進(jìn)行仿真。圖6Α和圖6Β是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的特性的曲線圖。圖6Α和圖6Β示出波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的特性仿真結(jié)果。圖6Α示出透射譜，圖6Β示出反射譜。圖6Α和圖6Β中，橫軸表示波長(zhǎng)λ。圖6Α中，縱軸表示透射率Tr。圖6Β中，縱軸表示反射率Rf。如圖6Α和圖6Β所示，在第一區(qū)域20a中，透射率Tr在綠色波長(zhǎng)波段(第一波長(zhǎng)波段Xa)中較高，且反射率Rf在綠色以外的波長(zhǎng)波段中較高。在第二區(qū)域20b中，透射率Tr在藍(lán)色波長(zhǎng)波段(第二波長(zhǎng)波段λ b)中較高，且反射率Rf在藍(lán)色以外的波長(zhǎng)波段中較高。在第三區(qū)域20c中，透射率Tr在紅色波長(zhǎng)波段(第三波長(zhǎng)波段Xe)中較高，且反射率Rf在紅色以外的波長(zhǎng)波段中較高。
由于光的一部分還被波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20吸收，因此透射率Tr和反射率Rf的總和不等于1，但接近I。這樣，在第一區(qū)域20a中(波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的包括下側(cè)反射層21、第一間隔物層23a、和上側(cè)反射層22在內(nèi)的區(qū)域)，第一波長(zhǎng)波段λ a中的光透過(guò)，且除了第一波長(zhǎng)波段Xa以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光分量被反射。在第二區(qū)域20b中(波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的包括下側(cè)反射層21、第二間隔物層23b、和上側(cè)反射層22在內(nèi)的區(qū)域)，與第一波長(zhǎng)波段Xa不同的第二波長(zhǎng)波段Xb中的光透過(guò)，且除了第二波長(zhǎng)波段Xb以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光分量被反射。在第三區(qū)域20c (該區(qū)域設(shè)置在下側(cè)反射層21和上側(cè)反射層22之間，且在X_Y平面內(nèi)與設(shè)置有第一間隔物層23a的區(qū)域和設(shè)置有第二間隔物層23b的區(qū)域并置，且例如包括第三間隔物層23c)中，與第一波長(zhǎng)波段λ a和第二波長(zhǎng)波段Xb不同的第三波長(zhǎng)波段 λ c中的光透過(guò)，且除了第三波長(zhǎng)波段λ c以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光分量被反射。這樣，在本實(shí)施例的一個(gè)示例中，第一波長(zhǎng)波段λ a包含綠色波長(zhǎng)波段，第二波長(zhǎng)波段Xb包含藍(lán)色波長(zhǎng)波段，且第三波長(zhǎng)波段λ c包含紅色波長(zhǎng)波段。第一波長(zhǎng)波段λ a、第二波長(zhǎng)波段λ b、和第三波長(zhǎng)波段λ c可互換。圖7Α和圖7Β是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的特性示例的曲線圖。圖7Α和圖7Β示出波長(zhǎng)選擇吸收層40的特性。圖7Α示出透射譜，圖7Β示出吸收譜。圖7Α和圖7Β中，橫軸表示波長(zhǎng)λ。圖7Α中，縱軸表示透射率Tr。圖7Β中，縱軸表示吸收率Ab。如圖7Α所示，在第一吸收層40a、第二吸收層40b、和第三吸收層40c的每一個(gè)層中，第一波長(zhǎng)波段λ a、第二波長(zhǎng)波段λ b、和第三波長(zhǎng)波段λ c中的光的透射率Tr較高。第一吸收層40a、第二吸收層40b、和第三吸收層40c分別是綠色、藍(lán)色、和紅色吸收濾色器。如圖7B所示，第一吸收層40a對(duì)第一波長(zhǎng)波段λ a中的光的吸收率Ab小于第一吸收層40a對(duì)除了第一波長(zhǎng)波段Xa以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光分量的吸收率Ab。第二吸收層40b對(duì)第二波長(zhǎng)波段Xb中的光的吸收率Ab小于第二吸收層40b對(duì)除了第二波長(zhǎng)波段Ab以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光分量的吸收率Ab。第三吸收層40c對(duì)第三波長(zhǎng)波段Ac中的光的吸收率Ab小于第三吸收層40c對(duì)除了第三波長(zhǎng)波段Xe以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光分量的吸收率Ab。具有圖6A和圖6B所示的特性的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20和具有圖7A和圖7B所示的特性的波長(zhǎng)選擇吸收層40進(jìn)行層疊，以提高光利用效率。圖8是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的動(dòng)作的示意圖。如圖8所示，照明單元70發(fā)射照明光70L，以使其沿著從波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20朝向波長(zhǎng)選擇吸收層40的方向，對(duì)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20入射。照明光70L的第一波長(zhǎng)波段λ a中的第一光分量La通過(guò)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的第一區(qū)域20a。第一光分量La依次通過(guò)光控制層50和第一吸收層40a,從而發(fā)射到外部。發(fā)射到外部的光的強(qiáng)度根據(jù)光控制層50的狀態(tài)而發(fā)生變化。照明光70L中除了第一波長(zhǎng)波段λ a以外的波長(zhǎng)波段內(nèi)的光分量(例如第二光分量Lb)在波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的第一區(qū)域20a被反射，向照明單元70返回。第二光分量Lb例如在照明單元70中的照明用反射層72被反射，從而對(duì)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20入射。然后，第二光分量Lb例如通過(guò)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的第二區(qū)域20b。第二光分量Lb依次通過(guò)光控制層50和第二吸收層40b，從而發(fā)射到外部。發(fā)射到外部的光的強(qiáng)度根據(jù)光控制層50的狀態(tài)而發(fā)生變化。這樣，從照明單元70發(fā)射的照明光70L在波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的包括第一間隔物層23a的部分(第一區(qū)域20a)被反射，且反射光的至少一部分(例如，第二光分量Lb)對(duì)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的包括第二間隔物層23b的部分(第二區(qū)域20b)入射。這樣，顯示裝置110 (或顯示裝置111)中，不通過(guò)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的特定區(qū)域的光向照明單元70返回，從而被再利用。因此，獲得較高的光利用效率。由此，獲得明亮的顯示。此外，還可減少功耗。該結(jié)構(gòu)中，例如，向照明單元70返回的90%或更多的光被再利用。根據(jù)條件，可獲得95%的再利用率。
到達(dá)波長(zhǎng)選擇吸收層40的光通過(guò)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20。因此，光的波長(zhǎng)特性被控制成適合于波長(zhǎng)選擇吸收層40的吸收特性。被波長(zhǎng)選擇吸收層40吸收的光分量小于未使用波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20時(shí)被吸收的光分量。因此，可減小光損耗。此外，即使在波長(zhǎng)選擇吸收層40的吸收率Ab較低時(shí)，也能獲得所期望的色彩特性(例如色彩再現(xiàn)性)。例如，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的色域(面積)例如為NTSC的色域(面積)的30%。波長(zhǎng)選擇吸收層40的色域(面積)為NTSC的色域(面積)的55%左右。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20和波長(zhǎng)選擇吸收層40層疊時(shí)的色域(面積)可顯著地大于未使用波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20而僅使用波長(zhǎng)選擇吸收層40時(shí)的色域(面積)。圖9是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的特性的曲線圖。圖9中，橫軸表示波長(zhǎng)選擇吸收層40的色域與NTSC的色域的比率(單體NTSC比率Crl)。例如，單體NTSC比率Crl可通過(guò)改變被用作為波長(zhǎng)選擇吸收層40的藍(lán)色、綠色、和紅色吸收濾色器的厚度來(lái)進(jìn)行改變。圖9中，縱軸表示波長(zhǎng)選擇吸收層40和波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20層疊時(shí)的色域與NTSC的色域的比率(總體NTSC比率Cr2)。如圖9所示，當(dāng)波長(zhǎng)選擇吸收層40和波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20(NTSC比率30%)層疊時(shí)，總體NTSC比率Cr2為90%或更大。在這種情況下，波長(zhǎng)選擇吸收層40的單體NTSC比率Crl為55%左右。例如，當(dāng)單體NTSC比率Crl為17%左右時(shí)，可獲得70%左右的總體NTSC比率Cr2。利用該值，可獲得充分的色彩再現(xiàn)性。當(dāng)波長(zhǎng)選擇吸收層40的單體NTSC比率Crl被設(shè)置成較小的值時(shí)，可減小波長(zhǎng)選擇吸收層40的厚度。由此，可減小波長(zhǎng)選擇吸收層40中的光損耗。換句話說(shuō)，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20和波長(zhǎng)選擇吸收層40的使用可使得即使在使用具有較低色彩純度的波長(zhǎng)選擇吸收層40時(shí)，也能獲得較高的色彩再現(xiàn)性。由此，可提高光利用效率。在本實(shí)施例中，由于波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20具有作為開(kāi)關(guān)元件的基底而設(shè)置的襯層的功能，因此可不設(shè)置一般會(huì)使用的襯層，其結(jié)果是生產(chǎn)率較高。還具有如下結(jié)構(gòu)其中干涉型濾色器被用作為吸收型濾色器。然而，例如，當(dāng)在與設(shè)置有開(kāi)關(guān)元件的主基板10相對(duì)的相對(duì)基板12上設(shè)置干涉型濾色器時(shí)，會(huì)增加制造干涉型濾色器的工序，其結(jié)果是生產(chǎn)率顯著降低。另外在干涉型濾色器設(shè)置在主基板10上的情況下，當(dāng)濾色器僅配置在像素電極部分時(shí)，由于要在開(kāi)關(guān)元件和主基底11之間設(shè)置襯層，因此還是要增加制造干涉型濾色器的工序。例如，需要引入用于制造干涉型濾色器的新裝置。相比之下，在根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置11 (或顯示裝置111)中，被用作為襯層的膜具有波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的功能。因此，形成波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的工序可通過(guò)用于形成襯層的制造裝置來(lái)進(jìn)行，從而無(wú)需引入新裝置。這樣，在本實(shí)施例中，可在維持高生產(chǎn)率的同時(shí)獲得較高的光發(fā)射效率。尤其是，優(yōu)選波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20包含氧化硅、氮化硅、和氧氮化硅中的至少一個(gè)。由此，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20具有較高的絕緣性。例如，可提高防止雜質(zhì)從主基底11向電路層30擴(kuò)散的效果。此外，例如，容易提高主基底11的表面的平坦性。這些材料的使用使得能利用例如化學(xué)氣相沉積(CVD)法來(lái)形成波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20，且可穩(wěn)定地獲得均勻的特性。此外，可改變?cè)诶肅VD法形成層的過(guò)程中導(dǎo)入到處理室的氣體之類的條件，從而以較高 的控制性和效率來(lái)形成波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20中所包含的多個(gè)膜。下面，對(duì)根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置111的制造方法的示例進(jìn)行說(shuō)明。下述方法也可通過(guò)改變形成電介質(zhì)膜的次數(shù)來(lái)應(yīng)用于顯示裝置110。圖IOA至圖10C、圖IlA至圖11C、和圖12是示出根據(jù)第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的工序的示意剖視圖。如圖IOA所示，在主基底11的主表面Ila上形成會(huì)成為下側(cè)反射層21的下側(cè)反射膜21 f。例如，玻璃基板被用作為主基底11。具體而言，在主基底11的主表面Ila上，交替形成會(huì)成為第一電介質(zhì)膜25的氮化硅膜25f和會(huì)成為第二電介質(zhì)膜26的氧化硅膜26f。這些膜例如通過(guò)CVD法來(lái)形成。所使用的氣體的流量可被控制成連續(xù)地形成這些膜。在下側(cè)反射膜21f上形成會(huì)成為中間層23的一部分(例如，第一間隔物層23a的一部分)的第一中間層23f。在本示例中，利用CVD法形成氮化硅膜，以作為第一中間層23f。如圖IOB所示，形成對(duì)第一中間層23f的第一區(qū)域20a進(jìn)行覆蓋的第一掩模構(gòu)件Rsl ο如圖IOC所示，第一中間層23f的未被第一掩模構(gòu)件Rsl覆蓋的部分被除去。除去工序例如利用化學(xué)干法蝕刻(CDE)法來(lái)進(jìn)行。在這種情況下，根據(jù)需要，可進(jìn)行過(guò)蝕刻。由此，第一中間層23f的不需要的部分可被充分地除去?？蓽p小下側(cè)反射膜21f的未被第一掩模構(gòu)件Rsl覆蓋的部分的厚度。然后，除去第一掩模構(gòu)件Rsl。如圖IlA所示，在除去第一掩模構(gòu)件Rsl之后，在剩余的第一中間層23f和下側(cè)反射膜21f上形成第二中間層23g，該第二中間層23g會(huì)成為第一間隔物層23a的另一部分且會(huì)成為第二間隔物層23b的至少一部分。在本示例中，利用CVD法形成氮化硅膜，以作為第二中間層23g。如圖IlB所示，形成第二掩模構(gòu)件Rs2，以覆蓋第二中間層23g的第一區(qū)域20a和與第一區(qū)域20a不同的第二區(qū)域20b。如圖IlC所示，第二中間層23g的未被第二掩模構(gòu)件Rs2覆蓋的部分被除去。在除去工序中，例如，當(dāng)使用CDE法時(shí)，可根據(jù)需要進(jìn)行過(guò)蝕刻。由此，可充分地除去第二中間層23g的不需要的部分?？蓽p小下側(cè)反射膜21f的未被第二掩模構(gòu)件Rs2覆蓋的部分的厚度。然后，除去第二掩模構(gòu)件Rs2。如圖12所示，在除去第二掩模構(gòu)件Rs2之后，在剩余的第二中間層23g和下側(cè)反射膜21f上形成第三中間層23h，該第三中間層23h會(huì)成為第一間隔物層23a的另一部分和第二間隔物層23b的一部分。在本示例中，利用CVD法形成氮化硅膜，以作為第三中間層23h。在第二中間層23g上(本示例中在第三中間層23h上)形成上側(cè)反射層22。具體而言，交替形成會(huì)成為第四電介質(zhì)膜28的氧化硅膜28f和會(huì)成為第三電介質(zhì)膜27的氮化硅膜27f。這些膜例如利用CVD法來(lái)形成。此外，根據(jù)需要，在上側(cè)反射層22上形成層間膜29。由 此，形成波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20。然后，在波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20上(例如，在上側(cè)反射層22上)形成電路層30。然后，顯示裝置111通過(guò)預(yù)定的工序來(lái)形成。在上述中，第一中間層23f的厚度例如為37nm。第二中間層23g的厚度例如為48nm。第三中間層23h的厚度例如為30nm。由此，第一區(qū)域20a中的中間層23 ( S卩，第一間隔物層23a)的厚度為115nm。第二區(qū)域20b中的中間層23 ( S卩，第二間隔物層23b)的厚度為78nm。第三區(qū)域20c中的中間層23 (即，第三間隔物層23c)的厚度為30nm。圖13是示出根據(jù)第一實(shí)施例的另一顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。如圖13所示，根據(jù)本實(shí)施例的另一顯示裝置112中，在第一開(kāi)關(guān)元件32a和主基底11之間的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20中設(shè)置厚度與第二間隔物層23b相等的中間層23。在第一像素電極31a和主基底11之間的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20中設(shè)置第一間隔物層23a。在第二開(kāi)關(guān)元件32b和主基底11之間的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20中設(shè)置第二間隔物層23b。在第二像素電極31b和主基底11之間的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20中設(shè)置第二間隔物層23b。在第三開(kāi)關(guān)元件32c和主基底11之間的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20中設(shè)置厚度與第二間隔物層23b相等的中間層23。在第三像素電極31c和主基底11之間的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20中設(shè)置第三間隔物層23c。這樣，在一個(gè)像素區(qū)域中，中間層23的厚度可改變。每個(gè)開(kāi)關(guān)元件和主基底11之間的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的特性可被設(shè)計(jì)成使得提高例如襯層的功能。例如，每個(gè)開(kāi)關(guān)元件和主基底11之間的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20被設(shè)計(jì)成使得防止雜質(zhì)擴(kuò)散的效果提高。此外，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20被設(shè)計(jì)成使得防止產(chǎn)生例如來(lái)自開(kāi)關(guān)元件的泄漏電流(例如，光泄漏電流)的效果提高。另外，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20被設(shè)計(jì)成使得表面的平坦性均勻。由此，例如，可防止因階梯差導(dǎo)致電路層30中的掃描線、信號(hào)線、和電容線中的至少一個(gè)斷裂。當(dāng)在顯示裝置中使用干涉型濾色器時(shí)，其透過(guò)波長(zhǎng)波段根據(jù)光的入射角而發(fā)生變化。例如，對(duì)于斜入射光的透過(guò)波長(zhǎng)波段會(huì)朝向比對(duì)于從正面?zhèn)热肷涞墓獾耐高^(guò)波長(zhǎng)波段短的波長(zhǎng)波段(藍(lán)色)移動(dòng)。在本實(shí)施例中，在波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20上層疊波長(zhǎng)選擇吸收層40，以防止色移。此外，可增加從照明單元70發(fā)射的光的指向性，來(lái)防止色移。在這種情況下，例如，在相對(duì)基板12的上表面設(shè)置光擴(kuò)散層(例如，光散射層)。由此，可增加因使用高指向性的光而變窄的視角。圖14是示出根據(jù)第一實(shí)施例的另一顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。如圖14所示，在根據(jù)本實(shí)施例的另一顯示裝置113中，不設(shè)置層間膜29。上側(cè)反射層22具有平坦化的功能。圖15是示出根據(jù)第一實(shí)施例的另一顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。如圖15所示，在根據(jù)本實(shí)施例的另一顯示裝置114中，不設(shè)置層間膜29。在上側(cè)反射層22的上表面上對(duì)于每個(gè)像素形成階梯。例如，多個(gè)像素電極可配置在Z軸方向上的不同位置。(第二實(shí)施例)下面，在根據(jù)第二實(shí)施例的顯示裝置中，對(duì)與第一實(shí)施例不同的部件進(jìn)行說(shuō)明。圖16是示出根據(jù)第二實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。如圖16所示，在根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置120中，下側(cè)反射層21的面對(duì)第二間隔
物層23b的部分(第二部分21q)的厚度與下側(cè)反射層21的面對(duì)第一間隔物層23a的部分(第一部分21p)的厚度不同。具體而言，第二部分21q的厚度小于第一部分21p的厚度。在本示例中，下側(cè)反射層21的面對(duì)第三間隔物層23c的部分(第三部分21r)的厚度與下側(cè)反射層21的面對(duì)第一間隔物層23a的部分(第一部分21p)的厚度不同。具體而言,第三部分21r的厚度小于第一部分21p的厚度。在本示例中,第三部分21r的厚度小于第二部分21q的厚度。例如，這些厚度的差異在形成具有厚度不同的多個(gè)區(qū)域的中間層23的過(guò)程中進(jìn)行過(guò)蝕刻時(shí)產(chǎn)生。圖17A、圖17B、圖17C、圖18A和圖18B是示出根據(jù)第二實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的工序的示意剖視圖。如第一實(shí)施例所述，在主基底11的主表面Ila上形成會(huì)成為下側(cè)反射層21的下側(cè)反射膜21f，且在下側(cè)反射膜21f上形成會(huì)成為中間層23的一部分(例如，第一間隔物層23a)的第一中間層23f。如圖17A所示，使用第一掩模構(gòu)件Rsl對(duì)第一中間層23f進(jìn)行加工。在這種情況下，進(jìn)行過(guò)蝕刻，從而減小下側(cè)反射膜21f的不被第一掩模構(gòu)件Rsl覆蓋的部分的厚度。過(guò)蝕刻使得可充分地除去第一中間層23f的不需要的部分。其結(jié)果是，提高表面的均勻性。如圖17B所示，形成第二中間層23g。如圖17C所示，形成第二掩模構(gòu)件Rs2。如圖18A所示，使用第二掩模構(gòu)件Rs2對(duì)第二中間層23g進(jìn)行加工。在這種情況下，根據(jù)需要進(jìn)行過(guò)蝕刻，從而減小下側(cè)反射膜21f的不被第二掩模構(gòu)件Rs2覆蓋的部分的厚度。由此，可充分地除去第二中間層23g的不需要的部分。其結(jié)果是，提高表面的均勻性。如圖18B所示，在除去第二掩模構(gòu)件Rs2之后，形成第三中間層23h。在第二中間層23g上(本示例中在第三中間層23h上)形成上側(cè)反射層22。此外，根據(jù)需要，在上側(cè)反射層22上形成層間膜29。由此，形成波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20。然后，顯示裝置120通過(guò)預(yù)定的工序來(lái)形成。發(fā)明人研究并證實(shí)了 在上述工序中，例如，當(dāng)除去第一中間層23f和第二中間層23g中的至少一個(gè)時(shí)，會(huì)不均勻地進(jìn)行蝕刻，且容易在表面內(nèi)產(chǎn)生殘?jiān)Ｓ绕涫?，該現(xiàn)象在波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20由諸如氧化硅膜、氮化硅膜、和氧氮化硅膜等具有襯層所要求的高性能(例如,絕緣性、面內(nèi)均勻性、平坦性、和生產(chǎn)性)的材料制成時(shí)會(huì)變得明顯。換句話說(shuō)，當(dāng)使用蝕刻選擇性高的材料的組合時(shí)，難以提高襯層的功能。在本實(shí)施例中，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20起到襯層的作用，從而獲得高生產(chǎn)率。因此，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20由充分地起到襯層作用的材料的組合制成。其結(jié)果是，在某些情況下，蝕刻選擇性不充分。在本實(shí)施例中，當(dāng)除去第一中間層23f和第二中間層23g中的至少一個(gè)時(shí)，進(jìn)行過(guò)蝕刻以均勻地除去這些膜。由此，不會(huì)在表面上形成剩余的膜，從而獲得均勻的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20。在本實(shí)施例中，例如，電介質(zhì)多層膜被用作為下側(cè)反射層21。例如，第一電介質(zhì)膜25和第二電介質(zhì)膜26中的一個(gè)與第一間隔物層23a和第二間隔物層23b相接觸。在上述示例中，第二電介質(zhì)膜26(具體而言，第二電介質(zhì)膜26a)與第一間隔物層23a和第二間隔物層23b相接觸。
第一電介質(zhì)膜25和第二電介質(zhì)膜26中的一個(gè)(即，第二電介質(zhì)膜26,具體而言，第二電介質(zhì)膜26a)的與第二間隔物層23b相接觸的部分(第二部分21q)的厚度不同于第二電介質(zhì)膜26的與第一間隔物層23a相接觸的部分(第一部分21p)的厚度。具體而言，例如，第二部分21q的厚度小于第一部分21p的厚度。發(fā)明人研究并證實(shí)了 過(guò)蝕刻優(yōu)選在除了與綠色相對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域中進(jìn)行。例如，當(dāng)?shù)谝粎^(qū)域20a與綠色相對(duì)應(yīng)時(shí)，過(guò)蝕刻在第二區(qū)域20b和第三區(qū)域20c中的至少一個(gè)區(qū)域中進(jìn)行。當(dāng)進(jìn)行過(guò)蝕刻時(shí)，利用過(guò)蝕刻引起的下側(cè)反射膜21f的厚度減小并不需要在平面內(nèi)是均勻的。當(dāng)在與綠色相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中存在平面內(nèi)厚度的較大不均時(shí)，容易察覺(jué)色彩的變化。相比之下，當(dāng)在與紅色或藍(lán)色相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中存在平面內(nèi)厚度的較大不均時(shí)，不太容易察覺(jué)色彩的變化?？梢哉J(rèn)為該現(xiàn)象是由于人的視覺(jué)特性所引起的。因此，本實(shí)施例被設(shè)計(jì)成使得在與綠色相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中平面內(nèi)均勻性盡可能地聞。在本實(shí)施例中，例如，第一波長(zhǎng)波段λ a包括綠色的波長(zhǎng)，第二波長(zhǎng)波段λ b包括紅色和藍(lán)色中的至少一個(gè)的波長(zhǎng)。下側(cè)反射層21的面對(duì)第二間隔物層23b的部分(第二部分21q)的厚度小于下側(cè)反射層21的面對(duì)第一間隔物層23a的部分(第一部分21p)的厚度。即，過(guò)蝕刻在第二部分21q中進(jìn)行。由此，加工條件的自由度(window)變寬。因此，可提高例如成品率，且生產(chǎn)率進(jìn)一步提聞。當(dāng)下側(cè)反射層21的厚度根據(jù)區(qū)域而改變時(shí)，波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的透射和反射的光學(xué)特性發(fā)生變化。將設(shè)計(jì)值決定成使得對(duì)該變化進(jìn)行補(bǔ)償，從而光學(xué)特性的變化在實(shí)際使用中不會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。例如，下側(cè)反射層21包括交替層疊的多個(gè)第一電介質(zhì)膜25和多個(gè)第二電介質(zhì)膜26。第二電介質(zhì)膜26a (多個(gè)第二電介質(zhì)膜26的一個(gè))與中間層23 (例如,第二間隔物層23b)相接觸。多個(gè)第一電介質(zhì)膜25的光學(xué)長(zhǎng)度和多個(gè)第二電介質(zhì)膜26的光學(xué)長(zhǎng)度被設(shè)定成(λ O) /4 (其中λ O例如為與綠光相對(duì)應(yīng)的535nm)。例如，在下述情況下不進(jìn)行過(guò)蝕刻。與第二間隔物層23b相接觸的第二電介質(zhì)膜26a的厚度為L(zhǎng)0，通過(guò)第二區(qū)域20b的光的峰值波長(zhǎng)為λ ρ,以及第二間隔物層23b的厚度為WO。第二間隔物層23b的折射率為nb。在這種情況下，假設(shè)第二電介質(zhì)膜26a的厚度利用過(guò)蝕刻從LO減小至LI (L1〈L0)。在這種情況下，第二間隔物層23b的厚度被設(shè)定成大于W0，該WO是不進(jìn)行過(guò)蝕刻時(shí)的設(shè)計(jì)值。由此，可對(duì)特性的改變進(jìn)行補(bǔ)償。在這種情況下，第二間隔物層23b的厚度被設(shè)定成小于等于Wlmax,該Wlmax由以下式子來(lái)表示W(wǎng)lmax=WO+(1-L1/L0) X λ 0/ (4 X nb)通過(guò)波長(zhǎng)選擇透過(guò)層20的光波長(zhǎng)的峰值不大于λρ，該λρ是設(shè)計(jì)值。由此，可對(duì)基于過(guò)蝕刻的波長(zhǎng)特性的改變進(jìn)行補(bǔ)償，并維持所期望的波長(zhǎng)特性。下面對(duì)基于是否進(jìn)行過(guò)蝕刻來(lái)改變中間層23的厚度的示例進(jìn)行說(shuō)明。例如，如圖4所不,在下側(cè)反射層21中，第一電介質(zhì)膜25b、第二電介質(zhì)膜26b、第一電介質(zhì)膜25a、和第二電介質(zhì)膜26a以上述順序進(jìn)行層疊。在上側(cè)反射層22中，第四電介質(zhì)膜28a、第三電介質(zhì)膜27a、第四電介質(zhì)膜28b、和第三電介質(zhì)膜27b以上述順序進(jìn)行層疊。例如，假設(shè)第一電介質(zhì)膜25b、第一電介質(zhì)膜25a、第三電介質(zhì)膜27a、和第三電介質(zhì)膜27b由SiN制成，且這些膜的厚度為58. 15nm。假設(shè)第二電介質(zhì)膜26b、第二電介質(zhì)膜26a、第四電介質(zhì)膜28a、和第四電介質(zhì)膜28b由SiO2制成，且這些膜的厚度為91. 6nm。假設(shè)第一間隔物層23a、第二間隔物層23b、和第三間隔物層23c由SiN制成。假設(shè)SiO2和SiN的光學(xué)特性如圖5所示?！?br> 例如，當(dāng)不進(jìn)行過(guò)蝕刻時(shí)，第一間隔物層23a的厚度被設(shè)計(jì)成115nm，第二間隔物層23b的厚度被設(shè)計(jì)成78nm,且第三間隔物層23c的厚度被設(shè)計(jì)成30nm。由此,綠光通過(guò)第一區(qū)域20a，藍(lán)光通過(guò)第二區(qū)域20b，紅光通過(guò)第三區(qū)域20c。例如，在一次蝕刻工作中，假設(shè)過(guò)蝕刻深度為10nm。在這種情況下，第二區(qū)域20b中的第二電介質(zhì)膜26a的厚度從91. 6nm減小至81. 6nm,第三區(qū)域20c中的第二電介質(zhì)膜26a的厚度從91. 6nm減小至71. 6nm。在這種情況下,第二間隔物層23b的厚度從78nm增大至82. 5nm,第三間隔物層23c的厚度從30nm增大至37nm。第一間隔物層23a的厚度為115nm。由此，即使在進(jìn)行過(guò)蝕刻時(shí)，也可獲得與不進(jìn)行過(guò)蝕刻時(shí)基本相同的光學(xué)特性。上述中，液晶被用作為光控制層50。然而，在本實(shí)施例中，光控制層50可具有任意結(jié)構(gòu)。例如，使用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的機(jī)械快門可被用作為光控制層50。根據(jù)本實(shí)施例，可提供光利用效率較高且生產(chǎn)率較高的顯示裝置及該顯示裝置的制造方法。參考具體示例描述了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明的實(shí)施例并不限于這些具體示例。例如，關(guān)于顯示裝置的主基板、主基底、波長(zhǎng)選擇透過(guò)層、反射層、中間層、電介質(zhì)膜、間隔物層、電路層、像素電極、開(kāi)關(guān)元件、光控制層、波長(zhǎng)選擇吸收層、相對(duì)基板、和照明單元之類的部件的具體結(jié)構(gòu)，只要本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠從公知的范圍適當(dāng)?shù)剡x擇結(jié)構(gòu)，類似地實(shí)施本發(fā)明，并獲得如上所述的相同效果，則均包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。此外，只要包含本發(fā)明的主旨，在技術(shù)可行性的程度內(nèi)具體示例的任何兩個(gè)或更多個(gè)組件可組合在一起，并且包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員基于根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的顯示裝置及其制造方法，適當(dāng)?shù)馗淖冊(cè)O(shè)計(jì)而獲得的所有顯示裝置及其制造方法，只要包含本發(fā)明的精神，則均包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。在本發(fā)明精神范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可構(gòu)想各種其他變體和修改，并且應(yīng)當(dāng)理解為，這些變體和修改也涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
盡管已經(jīng)描述了特定實(shí)施例，但這些實(shí)施例僅作為示例而呈現(xiàn)，并且不旨在限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際上，本文中所描述的新穎實(shí)施例可以各種其他形式來(lái)體現(xiàn)；此外，可作出本文中所描述的實(shí)施例的形式中的各種省略、替代和改變，而不背離本發(fā)明的精神。所附 權(quán)利要求及其等同方案旨在覆蓋落入本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)的這些形式或修改。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括 主基板，該主基板包括 具有主表面的主基底、 設(shè)置在所述主表面上的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層、和 設(shè)置在所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層上的電路層；以及 光控制層，該光控制層與所述主基板層疊且具有可變的光學(xué)特性， 所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層包括 下側(cè)反射層； 設(shè)置在所述下側(cè)反射層上的上側(cè)反射層； 設(shè)置在所述下側(cè)反射層和所述上側(cè)反射層之間的第一間隔物層；以及第二間隔物層，該第二間隔物層設(shè)置在所述下側(cè)反射層和所述上側(cè)反射層之間，以使其與平行于所述主表面的所述第一間隔物層并置，且具有與所述第一間隔物層的厚度不同的厚度， 所述電路層包括 第一像素電極，該第一像素電極包括沿著垂直于所述主表面的第一方向觀察時(shí)與所述第一間隔物層重疊的部分； 第二像素電極，該第二像素電極包括沿著所述第一方向觀察時(shí)與所述第二間隔物層重疊的部分； 第一開(kāi)關(guān)元件，該第一開(kāi)關(guān)元件與所述第一像素電極連接；以及 第二開(kāi)關(guān)元件，該第二開(kāi)關(guān)元件與所述第二像素電極連接。
2.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于， 在所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層的包括所述下側(cè)反射層、所述第一間隔物層、和所述上側(cè)反射層在內(nèi)的第一區(qū)域中，第一波長(zhǎng)波段中的光透過(guò)，且除了所述第一波長(zhǎng)波段以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光的光反射，并且 在所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層的包括所述下側(cè)反射層、所述第二間隔物層、和所述上側(cè)反射層在內(nèi)的第二區(qū)域中，與所述第一波長(zhǎng)波段不同的第二波長(zhǎng)波段中的光透過(guò)，且除了所述第二波長(zhǎng)波段以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光的光被反射。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一波長(zhǎng)波段包括綠色波長(zhǎng)， 所述第二波長(zhǎng)波段包括紅色和藍(lán)色中的至少一個(gè)的波長(zhǎng)，并且所述下側(cè)反射層的與所述第二間隔物層相對(duì)的部分的厚度小于所述下側(cè)反射層的與所述第一間隔物層相對(duì)的部分的厚度。
4.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于， 所述下側(cè)反射層的與所述第二間隔物層相對(duì)的部分的厚度與所述下側(cè)反射層的與所述第一間隔物層相對(duì)的部分的厚度不同。
5.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于， 所述下側(cè)反射層包括 第一電介質(zhì)膜；以及 第二電介質(zhì)膜，該第二電介質(zhì)膜在所述第一方向上與所述第一電介質(zhì)膜重疊，且具有與所述第一電介質(zhì)膜的折射率不同的折射率。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一電介質(zhì)膜和所述第二電介質(zhì)膜中的一個(gè)電介質(zhì)膜與所述第一間隔物層和所述第二間隔物層相接觸，并且 所述一個(gè)電介質(zhì)膜的與所述第二間隔物層相接觸的部分的厚度不同于所述一個(gè)電介質(zhì)膜的與所述第一間隔物層相接觸的部分的厚度。
7.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一電介質(zhì)膜和所述第二電介質(zhì)膜中的一個(gè)電介質(zhì)膜與所述第一間隔物層和所述第二間隔物層相接觸，并且 所述一個(gè)電介質(zhì)膜的折射率低于所述第一間隔物層的折射率且低于所述第二間隔物層的折射率。
8.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一電介質(zhì)膜設(shè)置有多個(gè)， 所述第二電介質(zhì)膜設(shè)置有多個(gè)，并且 多個(gè)第一電介質(zhì)膜和多個(gè)第二電介質(zhì)膜在所述第一方向上交替層疊。
9.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一電介質(zhì)膜和所述第二電介質(zhì)膜包括氧化硅、氮化硅、和氧氮化硅中的至少一個(gè)，并且 所述第一電介質(zhì)膜所包含的氧和氮中的至少一個(gè)的含量與所述第二電介質(zhì)膜所包含的氧和和氮中的至少一個(gè)的含量不同。
10.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，還包括 與所述主基板層疊的波長(zhǎng)選擇吸收層， 所述波長(zhǎng)選擇吸收層包括 第一吸收層，該第一吸收層包括沿著所述第一方向觀察時(shí)與所述第一間隔物層重疊的部分；以及 第二吸收層，該第二吸收層包括沿著所述第一方向觀察時(shí)與所述第二間隔物層重疊的部分，且具有與所述第一吸收層的吸收譜不同的吸收譜， 在所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層的包括所述下側(cè)反射層、所述第一間隔物層、和所述上側(cè)反射層在內(nèi)的第一區(qū)域中，第一波長(zhǎng)波段中的光透過(guò)，且除了所述第一波長(zhǎng)波段以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光的光反射， 在所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層的包括所述下側(cè)反射層、所述第二間隔物層、和所述上側(cè)反射層在內(nèi)的第二區(qū)域中，與所述第一波長(zhǎng)波段不同的第二波長(zhǎng)波段中的光透過(guò)，且除了所述第二波長(zhǎng)波段以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光的光反射， 所述第一吸收層對(duì)所述第一波長(zhǎng)波段中的光的吸收率小于所述第一吸收層對(duì)除了所述第一波長(zhǎng)波段以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光的光的吸收率，并且 所述第二吸收層對(duì)所述第二波長(zhǎng)波段中的光的吸收率小于所述第二吸收層對(duì)除了所述第二波長(zhǎng)波段以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光的光的吸收率。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，所述光控制層配置在所述電路層和所述波長(zhǎng)選擇吸收層之間。
12.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于， 所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層包括如下區(qū)域，該區(qū)域設(shè)置在所述下側(cè)反射層和所述上側(cè)反射層之間，且與設(shè)置有所述第一間隔物層的區(qū)域和設(shè)置有所述第二間隔物層的區(qū)域并置， 所述電路層包括 第三像素電極，該第三像素電極包括沿著所述第一方向觀察時(shí)與所述并置的區(qū)域重疊的部分；以及 第三開(kāi)關(guān)元件，該第三開(kāi)關(guān)元件與所述第三像素電極連接， 所述波長(zhǎng)選擇吸收層還包括第三吸收層，該第三吸收層包括沿著所述第一方向觀察時(shí)與所述并置的區(qū)域重疊的部分，且具有與所述第一吸收層和所述第二吸收層的吸收譜不同的吸收譜， 在所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層的所述并置的區(qū)域中，與所述第一波長(zhǎng)波段和所述第二波長(zhǎng)波段不同的第三波長(zhǎng)波段中的光透過(guò)，且除了所述第三波長(zhǎng)波段以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光的光反射，并且 所述第三吸收層對(duì)所述第三波長(zhǎng)波段中的光的吸收率小于所述第三吸收層對(duì)除了所述第三波長(zhǎng)波段以外的波長(zhǎng)波段中的可見(jiàn)光的光的吸收率。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于， 所述第一波長(zhǎng)波段包括綠色波長(zhǎng)波段， 所述第二波長(zhǎng)波段包括藍(lán)色波長(zhǎng)波段，并且 第三波長(zhǎng)波段包括紅色波長(zhǎng)波段。
14.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，還包括 照明單元，該照明單元被配置成發(fā)射照明光，以使其沿著從所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層朝向所述波長(zhǎng)選擇吸收層的方向，對(duì)所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層入射， 從所述照明單元發(fā)射的所述照明光在所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層的包括所述第一間隔物層的部分被反射，且所述反射光的至少一部分對(duì)所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層的包括所述第二間隔物層的部分入射。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其特征在于， 所述照明單元包括 導(dǎo)光體； 光源，該光源被配置成發(fā)射光以使其對(duì)所述導(dǎo)光體入射；以及行進(jìn)方向改變部，該行進(jìn)方向改變部將所述導(dǎo)光體中引導(dǎo)的光的行進(jìn)方向改變成對(duì)所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層入射，且具有凹凸形狀。
16.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于， 所述光控制層包括液晶層。
17.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)元件和所述第二開(kāi)關(guān)元件包括薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括具有非晶硅或多晶硅的半導(dǎo)體層。
18.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其特征在于，所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層包括氧化硅、氮化硅、和氧氮化硅中的至少一個(gè)。
19.一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置包括主基板，該主基板包括具有主表面的主基底、設(shè)置在所述主表面上的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層、和設(shè)置在所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層上的電路層；波長(zhǎng)選擇吸收層，該波長(zhǎng)選擇吸收層與所述主基板層疊；以及光控制層，該光控制層與所述波長(zhǎng)選擇吸收層層疊且具有可變的光學(xué)特性，所述波長(zhǎng)選擇透過(guò)層包括下側(cè)反射層；設(shè)置在所述下側(cè)反射層上的上側(cè)反射層；設(shè)置在所述下側(cè)反射層和所述上側(cè)反射層之間的第一間隔物層；以及第二間隔物層，該第二間隔物層設(shè)置在所述下側(cè)反射層和所述上側(cè)反射層之間，以使其在平行于所述主表面的第一平面內(nèi)與所述第一間隔物層并置，且具有與所述第一間隔物層的厚度不同的厚度，所述電路層包括第一像素電極，該第一像素電極包括沿著垂直于所述主表面的第一方向觀察時(shí)與所述第一間隔物層重疊的部分；第二像素電極，該第二像素電極包括沿著所述第一方向觀察時(shí)與所述第二間隔物層重疊的部分；第一開(kāi)關(guān)元件，該第一開(kāi)關(guān)元件與所述第一像素電極連接；以及第二開(kāi)關(guān)元件，該第二開(kāi)關(guān)元件與所述第二像素電極連接，所述波長(zhǎng)選擇吸收層包括第一吸收層，該第一吸收層設(shè)置在所述第一像素電極上；以及第二吸收層，該第二吸收層設(shè)置在所述第二像素電極上且具有與所述第一吸收層的吸收譜不同的吸收譜，所述方法包括 在所述主基底的所述主表面上形成用作所述下側(cè)反射層的下側(cè)反射膜； 在所述下側(cè)反射膜上形成用作所述第一間隔物層的一部分的第一中間層； 形成對(duì)所述第一中間層的第一區(qū)域進(jìn)行覆蓋的第一掩模構(gòu)件； 除去所述第一中間層的未被所述第一掩模構(gòu)件覆蓋的部分，且利用過(guò)蝕刻減小所述下側(cè)反射膜的未被所述第一掩模構(gòu)件覆蓋的部分的厚度； 在除去所述第一掩模構(gòu)件之后，在剩余的第一中間層和所述下側(cè)反射膜上形成第二中間層，該第二中間層用作所述第一間隔物層的另一部分和所述第二間隔物層的至少一部分； 在所述第二中間層上形成所述上側(cè)反射層；以及 在所述上側(cè)反射層上形成所述電路層。
20.如權(quán)利要求19所述的制造方法，還包括 在形成所述第二中間層之后且形成所述上側(cè)反射層之前，形成對(duì)所述第二中間層中的第一區(qū)域和與所述第一區(qū)域不同的第二區(qū)域進(jìn)行覆蓋的第二掩模構(gòu)件； 除去所述第二中間層的未被所述第二掩模構(gòu)件覆蓋的部分，且利用過(guò)蝕刻減小所述下側(cè)反射膜的未被所述第二掩模構(gòu)件覆蓋的部分的厚度；以及 在除去所述第二掩模構(gòu)件之后，在剩余的第二中間層和所述下側(cè)反射膜上形成第三中間層，該第三中間層用作所述第一間隔物層的另一部分和所述第二間隔物層的一部分，形成所述上側(cè)反射層包括在所述第三中間層上形成所述上側(cè)反射層。
全文摘要
本發(fā)明的顯示裝置根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，包括主基板、和光控制層。主基板包括具有主表面的主基底、設(shè)置在主表面上的波長(zhǎng)選擇透過(guò)層、和設(shè)置在波長(zhǎng)選擇透過(guò)層上的電路層。光控制層與主基板層疊且具有可變的光學(xué)特性。波長(zhǎng)選擇透過(guò)層包括下側(cè)反射層和上側(cè)反射層、以及第一間隔物層和第二間隔物層。上側(cè)反射層設(shè)置在下側(cè)反射層上。第一間隔物層設(shè)置在下側(cè)反射層和上側(cè)反射層之間。第二間隔物層設(shè)置在下側(cè)反射層和上側(cè)反射層之間，且具有與第一間隔物層不同的厚度。電路層包括第一像素電極和第二像素電極，以及第一開(kāi)關(guān)元件和第二開(kāi)關(guān)元件。
文檔編號(hào)G02F1/133GK102890359SQ201210189400
公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月19日
發(fā)明者水戶一志, 宮崎崇, 中井豊, 山口 一, 鈴木幸治, 長(zhǎng)谷川勵(lì) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝