專(zhuān)利名稱(chēng)：一種基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于接近接觸式光刻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置。
背景技術(shù)：
光刻技術(shù)的研究與開(kāi)發(fā)在集成電路技術(shù)的制造中起著極其重要的作用，不斷縮小的特征尺寸推動(dòng)著分辨力不斷提高。此外，納米器件的制造作為納米技術(shù)的基礎(chǔ)，離不開(kāi)高分辨力的光刻技術(shù)。作為光學(xué)元件的主要加工手段，光學(xué)微納加工技術(shù)促進(jìn)了納米科技的飛速發(fā)展。下一代光刻技術(shù)，如極紫外光刻、電子束光刻、離子束光刻、X射線(xiàn)光刻、納米壓印光刻技術(shù)等，已經(jīng)成為當(dāng)前國(guó)際國(guó)內(nèi)光刻相關(guān)生產(chǎn)與科研單位的研究熱點(diǎn)。與此同時(shí)，一些·獨(dú)具特色的、分辨力可以實(shí)現(xiàn)IOOnm以下的納米光刻新技術(shù)，如干涉光刻、原子力光刻、表面等離子體光學(xué)光刻、波帶片陣列光刻等先后在國(guó)際國(guó)內(nèi)開(kāi)始問(wèn)世。如今，193nm ArF浸沒(méi)式光刻技術(shù)已經(jīng)突破32nm線(xiàn)寬并且望延伸至下一技術(shù)節(jié)點(diǎn)。但是，僅僅依靠縮短波長(zhǎng)和增大數(shù)值孔徑的光學(xué)光刻方法面臨著技術(shù)上的極大困難，特別是32nm節(jié)點(diǎn)下光刻設(shè)備所需的巨額成本已經(jīng)成為該領(lǐng)域的巨大難題。目前，納米壓印光刻的最高分辨力據(jù)報(bào)導(dǎo)已經(jīng)達(dá)到5nm-10nm ;實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明表面等離子體光學(xué)光刻的分辨力已經(jīng)可達(dá)30nm ;軟X射線(xiàn)光刻分辨力已達(dá)到15nm。因此，下一代低成本、高性能的納米光刻技術(shù)已成為人們的關(guān)注焦點(diǎn)。在光刻工藝過(guò)程中，套刻誤差是導(dǎo)致加工缺陷最主要的因素。對(duì)準(zhǔn)技術(shù)作為光刻的三大關(guān)鍵技術(shù)之一，一般要求精度為特征尺寸的1/5左右。因此，隨著光刻分辨力的提高，對(duì)準(zhǔn)精度要求也越來(lái)越苛刻，已經(jīng)從亞微米量級(jí)進(jìn)入到IOnm以下。隨之而來(lái)，傳統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)方法的精度已經(jīng)難以適應(yīng)逐漸提高的光刻分辨力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題根據(jù)接近接觸式光刻的特點(diǎn)，為了滿(mǎn)足這類(lèi)光刻技術(shù)發(fā)展的需要，解決圖形復(fù)制過(guò)程中，套刻對(duì)準(zhǔn)的關(guān)鍵性問(wèn)題，本發(fā)明的目的是將莫爾條紋應(yīng)用到光刻對(duì)準(zhǔn)中，為此，本發(fā)明旨在提供一種基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置。該裝置分別在掩模板與硅片上設(shè)計(jì)排列位置順序相反的、周期相近的兩組光柵標(biāo)記，通過(guò)掩模板與硅片上的光柵標(biāo)記疊加形成的莫爾條紋，分析其相位獲取掩模板與硅片的相對(duì)位置信肩、O為達(dá)成所述目的，本發(fā)明提供基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置，該裝置采用適用于接近接觸式光刻對(duì)準(zhǔn)的反射式光路系統(tǒng)，該裝置包括對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)、半反半透鏡、掩模板、掩模光柵標(biāo)記、硅片光柵標(biāo)記、硅片、位移工件臺(tái)、條紋接收系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)；對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)輸出對(duì)準(zhǔn)平行光；半反半透鏡的反射面與對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)的輸出面呈45°放置，半反半透鏡接收對(duì)準(zhǔn)平行光，并輸出對(duì)準(zhǔn)反射光；
掩模板的上表面與半反半透鏡反射面呈45°角放置，掩模板接收半反半透鏡的對(duì)準(zhǔn)反射光，并將對(duì)準(zhǔn)反射光在掩模光柵標(biāo)記上發(fā)生衍射生成并輸出第一衍射光；娃片與掩模板相互平行放置，娃片接收第一衍射光，并在娃片上的光柵標(biāo)記繼續(xù)發(fā)生衍射生成并輸出第二衍射光，從而使掩模光柵標(biāo)記與娃片光柵標(biāo)記疊加生成衍射后的反射光；半反半透鏡的反射面接收并繼續(xù)傳播的衍射后反射光，半反半透鏡的透射面輸出衍射后的透射光；條紋成像系統(tǒng)與半反半透鏡的透射面呈45°角放置，用于接收衍射后的透射光，將衍射后的透射光生成并輸出對(duì)準(zhǔn)條紋圖像；計(jì)算機(jī)與條紋成像系統(tǒng)連接，計(jì)算機(jī)對(duì)準(zhǔn)條紋圖像做分析處 理，獲取掩模板與硅片的位移關(guān)系，并實(shí)時(shí)反饋給位移工件臺(tái)實(shí)現(xiàn)x、y兩個(gè)方向的對(duì)準(zhǔn)。優(yōu)選實(shí)施例，對(duì)準(zhǔn)反射光通過(guò)掩模光柵標(biāo)記，并繼續(xù)透射在硅片光柵標(biāo)記發(fā)生衍射疊加，然后繼續(xù)反射透過(guò)掩模光柵標(biāo)記，最后形成包含掩模板和硅片相對(duì)位置信息莫爾條紋。優(yōu)選實(shí)施例，所述對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)等價(jià)于對(duì)準(zhǔn)反射光經(jīng)過(guò)了三個(gè)光柵標(biāo)記，形成了復(fù)雜的條紋圖像，優(yōu)選實(shí)施例，掩模板與硅片的相對(duì)位置信息，是以莫爾條紋的相位為載體，用于實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)。優(yōu)選實(shí)施例，采用差動(dòng)莫爾條紋對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，分別在掩模板和硅片上設(shè)置排列順序相反的光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，用于實(shí)現(xiàn)x、y兩個(gè)方向的對(duì)準(zhǔn)。本發(fā)明的基本原理在于根據(jù)接近接觸式光刻技術(shù)的技術(shù)特性，分別在掩模板與硅片上設(shè)計(jì)兩組排列順序相反、具有微小周期差異的光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。采用可行而實(shí)用的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)光路，實(shí)現(xiàn)掩模板與硅片相對(duì)位置的探測(cè)。對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)采用多波長(zhǎng)的白光光源，減少了對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)在硅片表面的干涉效應(yīng)，以此減小對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)對(duì)對(duì)準(zhǔn)精度的影響。掩模板與硅片的位置信息，以光柵標(biāo)記疊加形成的莫爾條紋相位信息為載體，采用傅里葉變換提取相位，得到掩模板與硅片的相對(duì)位置信息，并實(shí)時(shí)反饋給工件臺(tái)實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)。本發(fā)明的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)(I)本發(fā)明的裝置采用反射式光路，具有較強(qiáng)的實(shí)用性。(2)本發(fā)明分別在掩模板與硅片上設(shè)計(jì)兩組排列順序相反、具有微小周期差異的光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，形成的莫爾條紋對(duì)位移具有明顯的放大作用。(3)本發(fā)明對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)采用多波長(zhǎng)的白光光源，減少了對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)在硅片表面的干涉效應(yīng)，以此減小對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)對(duì)對(duì)準(zhǔn)精度的影響。(4)本發(fā)明掩模板與硅片的位置信息，以光柵標(biāo)記疊加形成的莫爾條紋相位信息為載體，條紋成像系統(tǒng)接收的莫爾條紋，利用傅里葉相位分析方法解調(diào)并提取相位，具有很高的信噪比和對(duì)準(zhǔn)精度。莫爾條紋的周期和位置對(duì)掩模板與硅片之間的間隔變化不敏感，對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)的強(qiáng)度變化和波長(zhǎng)不影響條紋的相位信息，也不影響對(duì)準(zhǔn)。該裝置將掩模板和硅片標(biāo)記光柵的相對(duì)位置關(guān)系反映在莫爾條紋的相位信息中的方法將具有很好的抗干擾能力。整個(gè)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)等價(jià)于對(duì)準(zhǔn)反射光經(jīng)過(guò)了三個(gè)光柵標(biāo)記，形成了更復(fù)雜的條紋圖像，與透射式對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)相比，需要更合理的圖像處理方法，但具有更強(qiáng)的實(shí)用性。掩模板與硅片的相對(duì)位置信息，是以莫爾條紋的相位為載體，具有很好的信噪比，可以實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)。


圖I是本發(fā)明基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置示意圖；圖2a-圖2b分別是掩模板上探測(cè)x、y兩個(gè)方向上的光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；圖3a-圖3b是硅片上的探測(cè)x、y兩個(gè)方向上的光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；圖4a_圖4b分別是線(xiàn)光柵實(shí)現(xiàn)x方向的未對(duì)準(zhǔn)和對(duì)準(zhǔn)的圖樣；圖5a-圖5b分別是線(xiàn)光柵實(shí)現(xiàn)y方向的未對(duì)準(zhǔn)和對(duì)準(zhǔn)的圖樣；
具體實(shí)施例方式本發(fā)明旨在提供一種基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置，為使本發(fā)明的思想、技術(shù)手段，圖像處理相關(guān)算法和優(yōu)勢(shì)更加明晰，以下結(jié)合附圖加以詳細(xì)說(shuō)明。·針對(duì)接近接觸式光刻技術(shù)的技術(shù)特點(diǎn)，發(fā)明了一種實(shí)用的光刻對(duì)準(zhǔn)裝置。該裝置采用差動(dòng)莫爾條紋對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，以莫爾條紋相位為對(duì)準(zhǔn)信號(hào)的載體，可以實(shí)時(shí)反映掩模板與硅片的相對(duì)位置關(guān)系。通常在掩模板和硅片上分別設(shè)計(jì)兩組位置相反的光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，當(dāng)一束經(jīng)準(zhǔn)直的平行光通過(guò)掩模板對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記后，衍射光繼續(xù)傳播入射到硅片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記發(fā)生干涉并反射，反射光穿過(guò)掩模光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記再次衍射，條紋成像系統(tǒng)在掩模板獲取接收干涉疊加得到的莫爾條紋圖像，經(jīng)過(guò)條紋圖像分析，得到掩模板與硅片的相對(duì)位置關(guān)系，依次反饋給位移工件臺(tái)實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)。同時(shí)，設(shè)計(jì)了合理的標(biāo)記可以實(shí)現(xiàn)橫縱兩個(gè)方向的對(duì)準(zhǔn)偏差測(cè)量。如附圖I所示，本發(fā)明提供的一種基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置，該裝置包括對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)110、半反半透鏡111、掩模板112、掩模光柵標(biāo)記113、硅片光柵標(biāo)記114、硅片115、位移工件臺(tái)116、條紋接收系統(tǒng)117以及計(jì)算機(jī)118。對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)110的波長(zhǎng)選擇為635nm的氦氖激光器，掩模光柵標(biāo)記113的周期分別為P1 = 4 ii m, P2 = 4. 4 ii m,娃片光柵標(biāo)記114的周期分別P1 = 4 y m, P2 = 4. 4 y m,條紋接收系統(tǒng)117包括型號(hào)為WAT902H2的CXD(WAT902H2僅為CXD的型號(hào))，其分辨率為795父596 11618，像素單元大小為8.41111^9.611111并采用8 X放大物鏡，計(jì)算機(jī)118選用內(nèi)存4G、主頻2. 5GHz、攜帶圖像分析軟件的計(jì)算機(jī)。對(duì)準(zhǔn)執(zhí)行過(guò)程中，對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)110輸出對(duì)準(zhǔn)平行光；半反半透鏡111的反射面與對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)110的輸出面呈45°放置，半反半透鏡111接收對(duì)準(zhǔn)平行光，并輸出對(duì)準(zhǔn)反射光；掩模板112的上表面與半反半透鏡111反射面呈45°角放置，掩模板112接收半反半透鏡111的對(duì)準(zhǔn)反射光，并將對(duì)準(zhǔn)反射光在掩模光柵標(biāo)記113上(如圖2a和圖2b)發(fā)生衍射生成并輸出第一衍射光；娃片115與掩模板112相互平行放置,娃片115接收第一衍射光，并在娃片115上的光柵標(biāo)記114(如圖3a和圖3b)繼續(xù)發(fā)生衍射生成并輸出第二衍射光，從而使掩模光柵標(biāo)記113與娃片光柵標(biāo)記114疊加生成衍射后的反射光；半反半透鏡111的反射面接收并繼續(xù)傳播的衍射后反射光，半反半透鏡111的透射面輸出衍射后的透射光；條紋成像系統(tǒng)117與半反半透鏡111的透射面呈45°角放置，用于接收衍射后的透射光，將衍射后的透射光生成并輸出對(duì)準(zhǔn)條紋圖像；計(jì)算機(jī)118與條紋成像系統(tǒng)117連接，計(jì)算機(jī)118對(duì)準(zhǔn)條紋圖像做分析處理，獲取掩模板112與硅片115的位移關(guān)系，并實(shí)時(shí)反饋給位移工件臺(tái)116實(shí)現(xiàn)x、y兩個(gè)方向的對(duì)準(zhǔn)。
如圖2a、圖2b示出是掩模板上探測(cè)x、y兩個(gè)方向上的光柵標(biāo)記113，本發(fā)明裝置在實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)時(shí)，首先打開(kāi)對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)110，將對(duì)準(zhǔn)平行光經(jīng)過(guò)半反半透鏡111反射到掩模光柵標(biāo)記113上；對(duì)準(zhǔn)平行光透過(guò)掩模光柵標(biāo)記113,繼續(xù)傳播,與娃片光柵標(biāo)記114 (如圖3a、圖3b所示)發(fā)生干涉疊加，然后反射返回到掩模光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記113。最后，對(duì)準(zhǔn)平行光透過(guò)掩模光柵標(biāo)記113后，條紋成像系統(tǒng)117接收對(duì)準(zhǔn)莫爾條紋圖像。其中，圖2a、圖2b、圖3a以及圖3b中P1 = 4 y m，P2 = 4. 4 y m指光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的周期，一般(P2A31) G (1，I. 2]。并且圖2a、圖2b、圖3a以及圖3b中都是由周期為P1 = 4um,P2 = 4. 4 y m的兩個(gè)光柵拼接而成。圖2a、圖2b是刻蝕在掩模112上的光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；圖3a和圖3b刻蝕在硅片115上的光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，刻蝕位置見(jiàn)圖I。圖2a與圖3a光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記排列順序相反，實(shí)現(xiàn)y方向上的對(duì)準(zhǔn)。同樣，圖3a和圖3b光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記排列順序相反，實(shí)現(xiàn)X方向上的對(duì)準(zhǔn)。圖4a、圖4b、圖5a、圖5b分別反映了 x、y兩個(gè)方向的對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)的莫爾條紋圖像。對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中，當(dāng)掩模板112的位置保持固定，通過(guò)計(jì)算機(jī)118控制エ件臺(tái)116實(shí)現(xiàn)硅片115與掩模板112對(duì)準(zhǔn)。條紋成像系統(tǒng)117實(shí)時(shí)接收莫爾條紋圖像，通過(guò)設(shè)計(jì)好的相位解析算法提取相位，得到當(dāng)前掩模板112與硅片115的相對(duì)位置關(guān)系，并實(shí)時(shí)反饋給エ件臺(tái)116移動(dòng)硅片115逐步實(shí)現(xiàn)掩模板112與硅片115之間的對(duì)準(zhǔn)。·其中圖4a-圖4b分別反映了條紋成像系統(tǒng)117接收的x方向上的未對(duì)準(zhǔn)與完全對(duì)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的莫爾條紋；X方向上，當(dāng)掩模板112與硅片115的相對(duì)位移為AX，對(duì)應(yīng)圖4a中的莫爾條紋，對(duì)圖4a中上下兩組莫爾條紋進(jìn)行相位解析，掩模板112與硅片115的相對(duì)位移可以表示為Ax= (A Cj5 up d_/2 ) X (Pノ2) (I)上式中Pa = 2 XP1P2/ (P^P2)表示上下兩組光柵標(biāo)記P:、P2的平均周期Pa, A (J)upd_表示上下兩組莫爾條紋的相位差。X方向上，當(dāng)掩模板與硅片115的相對(duì)位移為零時(shí)，亦即上下兩組莫爾條紋的相位差為零時(shí)，表示掩模板112與硅片115在X方向上處于完全對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)。此時(shí)的莫爾條紋如圖4b所示。圖5a-圖5b分別反映了條紋成像系統(tǒng)117接收的y方向上的未對(duì)準(zhǔn)與完全對(duì)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的莫爾條紋；當(dāng)y方向上，掩模板112與硅片115的相對(duì)位移為A y，對(duì)應(yīng)圖5a中的莫爾條紋，對(duì)圖5a中左右兩組莫爾條紋進(jìn)行相位解析，掩模板112與硅片115的相對(duì)位移可以表示為Ay = (A Cj5 left right/2 ) X (Pav/2) (2)上式中Pa = 2 X P1P2/(P^P2)表示左右兩組光柵標(biāo)記P15P2的平均周期Pa，A (j5 left_right表示左右兩組莫爾條紋的相位差。當(dāng)y方向上，當(dāng)掩模板112與硅片115的相對(duì)位移為零時(shí)，亦即上下兩組莫爾條紋的相位差為零時(shí)，表示掩模板112與硅片115在y方向上處于完全對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)。此時(shí)的莫爾條紋如圖5b所示。以上所述，僅為本發(fā)明中的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉該技術(shù)的人在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可理解想到的變換或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的包含范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于該裝置采用適用于接近接觸式光刻對(duì)準(zhǔn)的反射式光路系統(tǒng)，該裝置包括對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)、半反半透鏡、掩模板、掩模光柵標(biāo)記、硅片光柵標(biāo)記、硅片、位移工件臺(tái)、條紋接收系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)； 對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)輸出對(duì)準(zhǔn)平行光； 半反半透鏡的反射面與對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)的輸出面呈45°放置，半反半透鏡接收對(duì)準(zhǔn)平行光，并輸出對(duì)準(zhǔn)反射光； 掩模板的上表面與半反半透鏡反射面呈45°角放置，掩模板接收半反半透鏡的對(duì)準(zhǔn)反射光，并將對(duì)準(zhǔn)反射光在掩模光柵標(biāo)記上發(fā)生衍射生成并輸出第一衍射光； 娃片與掩模板相互平行放置，娃片接收第一衍射光，并在娃片上的光柵標(biāo)記繼續(xù)發(fā)生衍射生成并輸出第二衍射光，從而使掩模光柵標(biāo)記與娃片光柵標(biāo)記疊加生成衍射后的反射光；半反半透鏡的反射面接收并繼續(xù)傳播的衍射后反射光，半反半透鏡的透射面輸出衍射后的透射光； 條紋成像系統(tǒng)與半反半透鏡的透射面呈45°角放置，用于接收衍射后的透射光，將衍射后的透射光生成并輸出對(duì)準(zhǔn)條紋圖像； 計(jì)算機(jī)與條紋成像系統(tǒng)連接，計(jì)算機(jī)對(duì)準(zhǔn)條紋圖像做分析處理，獲取掩模板與硅片的位移關(guān)系，并實(shí)時(shí)反饋給位移工件臺(tái)實(shí)現(xiàn)X、I兩個(gè)方向的對(duì)準(zhǔn)。
2.如權(quán)利要求書(shū)I所述的基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于對(duì)準(zhǔn)反射光通過(guò)掩模光柵標(biāo)記，并繼續(xù)透射在硅片光柵標(biāo)記發(fā)生衍射疊加，然后繼續(xù)反射透過(guò)掩模光柵標(biāo)記，最后形成包含掩模板和硅片相對(duì)位置信息莫爾條紋。
3.如權(quán)利要求書(shū)I所述的基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于所述對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)等價(jià)于對(duì)準(zhǔn)反射光經(jīng)過(guò)了三個(gè)光柵標(biāo)記，形成了復(fù)雜的條紋圖像。
4.如權(quán)利要求書(shū)I所述的基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于掩模板與硅片的相對(duì)位置信息，是以莫爾條紋的相位為載體，用于實(shí)現(xiàn)光刻對(duì)準(zhǔn)。
5.如權(quán)利要求書(shū)I所述的基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于采用差動(dòng)莫爾條紋對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，分別在掩模板和硅片上設(shè)置排列順序相反的光柵對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，用于實(shí)現(xiàn)χ、y兩個(gè)方向的對(duì)準(zhǔn)。
全文摘要
本發(fā)明是一種基于莫爾條紋的反射式光刻對(duì)準(zhǔn)裝置，采用適用于接近接觸式光刻對(duì)準(zhǔn)的反射式光路系統(tǒng)，該裝置包括對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)、半反半透鏡、掩模板、掩模光柵標(biāo)記、硅片光柵標(biāo)記、硅片、位移工件臺(tái)、條紋接收系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)，對(duì)準(zhǔn)照明系統(tǒng)將對(duì)準(zhǔn)平行光以45°角入射到半反半透鏡上，半反半透鏡將對(duì)準(zhǔn)平行光反射到掩模板上的光柵標(biāo)記發(fā)生衍射，衍射光繼續(xù)傳播入射到硅片上的光柵標(biāo)記發(fā)生衍射，從而使掩模光柵標(biāo)記與硅片光柵標(biāo)記疊加，反射光繼續(xù)傳播通過(guò)半反半透鏡，條紋成像系統(tǒng)接收對(duì)準(zhǔn)條紋圖像，圖像經(jīng)過(guò)計(jì)算機(jī)分析處理獲取掩模板硅片的位移關(guān)系，并實(shí)時(shí)反饋給位移工件臺(tái)實(shí)現(xiàn)x、y兩個(gè)方向的對(duì)準(zhǔn)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102789137SQ201210245688
公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月16日
發(fā)明者何渝, 劉旗, 唐燕, 朱江平, 胡松, 邸成良 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所