專利名稱：彩色濾光陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示面板及其制造方法，尤其涉及一種彩色濾光陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
功能先進(jìn)的顯示器漸成為現(xiàn)今消費(fèi)電子產(chǎn)品的重要特色，其中液晶顯示器已經(jīng)逐漸成為各種電子設(shè)備如移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕所廣泛應(yīng)用具有高分辨率彩色屏幕的顯示器。傳統(tǒng)的液晶顯示面板是由一彩色濾光基板(color filter)、一薄膜晶體管矩陣基板(thin film transistor array substrate, TFT array substrate)以及一配置于此兩基板間的液晶層(liquid crystal layer)所構(gòu)成。然而，此種液晶顯示面板的分辨率(resolution)較差、像素(pixel)的開口率較低,且彩色濾光基板與薄膜晶體管矩陣基板接合時容易有對位誤差(misalignment)。近年來，更提出了將彩色濾光層直接整合于薄膜晶體管矩陣基板上的彩色濾光層陣列(Color Filter on Array, C0A)基板,將COA基板與另一不具備彩色濾光層的對向基板組立，并于兩基板間填入液晶分子，以形成液晶顯示面板。由于彩色濾光層是直接形成于薄膜晶體管陣列基板上，因此不會產(chǎn)生對位誤差。而且，此種液晶顯示面板可具有較佳的分辨率且其像素的開口率也較高?，F(xiàn)今制作的COA基板的工藝流程是先在基板上完成薄膜晶體管矩陣于一基板上；接著依序形成彩色濾光片、透明導(dǎo)電層和配向膜于該基板上以形成該COA基板。然后，將液晶設(shè)置在該COA基板上，并將利用該第一基板周圍設(shè)置的封膠將該對向基板與該COA基板黏合以形成液晶面板。為了是薄膜晶體管的漏極與該透明導(dǎo)電層導(dǎo)通，需要在覆蓋該漏極上的保護(hù)層中蝕刻出一開孔，該透明導(dǎo)電層覆蓋該開孔，使得該透明導(dǎo)電層在該開孔的位置接觸該漏極。然而，為保證液晶面板的顯示效果，彩色濾光片的厚度大約是薄膜晶體管的漏極的厚度的十倍，兩者的高度差會使得該開孔的側(cè)壁的傾斜角度趨近90度，不利于該透明導(dǎo)電層沉積在該開孔，也使液晶顯示面板可能存在靜電放電的風(fēng)險(Electro Static Discharge,ESD)。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明針對上述問題，提供一種彩色濾光陣列基板及其制造方法。本發(fā)明提供一種彩色濾光陣列基板的制造方法，其包括下列步驟提供一透明基板；蝕刻所述透明基板以形成一第一凹槽；沉積一彩色濾光層于所述透明基板上，并蝕刻所述彩色濾光層，以在所述第一凹槽中形成一彩色濾光單元，然后在所述彩色濾光單元之上形成一像素電極；以及形成一薄膜晶體管于所述透明基板之上，使得所述薄膜晶體管連接所述像素電極。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述透明基板包括基底及絕緣層，所述蝕刻所述透明基板一形成一第一凹槽具體為蝕刻所述絕緣層形成所述第一凹槽。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述沉積一彩色濾光層于所述透明基板上，并蝕刻所述彩色濾光層，以在所述第一凹槽中形成一彩色濾光單元，然后在所述彩色濾光單元之上形成一像素電極具體為沉積所述彩色濾光層于所述透明基板上，并蝕刻所述彩色濾光層以在所述第一凹槽中形成所述彩色濾光單元；沉積一間隔層于所述彩色濾光層上；沉積所述透明導(dǎo)電層于所述間隔層上，并蝕刻所述透明導(dǎo)電層，以在所述彩色濾光單元的上方形成所述像素電極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成所述薄膜晶體管的步驟包含形成一第一金屬層于所述透明基板上，并蝕刻所述第一金屬層，以形成所述薄膜晶體管的柵極；沉積一絕緣層在所述透明基板以及所述柵極上；在所述絕緣層上，沉積一主動層以及一歐姆 接觸層；蝕刻所述主動層以及所述歐姆接觸層，以形成所述主動層作為所述薄膜晶體管的通道；在所述歐姆接觸層以及所述絕緣層上沉積一第二金屬層，并蝕刻所述第二金屬層，以在所述歐姆接觸層上形成所述薄膜晶體管的源極與漏極，所述漏極連接所述像素電極；以及在所述源極、漏極、像素電極以及所述絕緣層上沉積一保護(hù)層。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所沉積一彩色濾光層于所述透明基板上，并蝕刻所述彩色濾光層，以在所述第一凹槽中形成一彩色濾光單元，然后在所述彩色濾光單元之上形成一像素電極具體為沉積所述彩色濾光層于所述透明基板上，并蝕刻所述彩色濾光層以在所述第一凹槽中形成所述彩色濾光單元；形成一第一金屬層于所述透明基板上，并蝕刻所述第一金屬層，以形成所述薄膜晶體管的柵極；沉積一絕緣層在所述透明基板以及所述柵極上，并在所述彩色濾光單元上形成一間隔層；沉積所述透明導(dǎo)電層于所述間隔層上，并蝕刻所述透明導(dǎo)電層，以在所述彩色濾光單元的上方形成所述像素電極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述制造方法另包含在蝕刻所述透明基板的步驟中，同時蝕刻所述透明基板以形成一第二凹槽，其中所述第二凹槽位于所述透明基板的邊緣。本發(fā)明又提供一種彩色濾光陣列基板，包含一透明基板，開設(shè)一第一凹槽；一薄膜晶體管，設(shè)置于所述透明基板上，其包含一柵極、一漏極和一源極；一彩色濾光單元，位于所述第一凹槽上；以及一像素電極，位于所述彩色濾光單元上，耦接至所述薄膜晶體管的漏極。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述透明基板包括基底及絕緣層，所述第一凹槽為蝕刻所述絕緣層而形成。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述彩色濾光陣列基板另包含一間隔層，設(shè)置于所述彩色濾光單元和所述像素電極之間。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述彩色濾光陣列基板另包含一第二凹槽，設(shè)置于所述透明基板的邊緣。本發(fā)明的彩色濾光陣列基板及其制造方法在基板上蝕刻一第一凹槽，并將彩色濾光單元形成于該第一凹槽上，并將像素電極形成在該彩色濾光單元上。由于彩色濾光單元是形成在該第一凹槽上而且該像素電極是形成在該彩色濾光單元上，所以不需要在保護(hù)層上形成開孔以作為連接薄膜晶體管的漏極以及像素電極之用。因此本發(fā)明可以省去在保護(hù)層上形成開孔的蝕刻制程。此外，因?yàn)橄袼仉姌O是位在彩色濾光單元的上方，所以也不存在作為像素電極的透明導(dǎo)電層不易沉積在保護(hù)層的開孔的問題，因此可以避免完成后的液晶顯示面板可能存在靜電放電的風(fēng)險。此外，本發(fā)明的彩色濾光陣列基板另外在透明基板上蝕刻一第二凹槽，該第二凹槽形成于該基板的周圍。該第二凹槽可以收容多余的封膠或是配向膜材料，避免封膠和配向膜重疊而影響液晶顯示面板的良率。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下


圖I是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示面板的示意圖。圖2是圖I的液晶顯示面板的第一實(shí)施例的剖面圖。圖:Γ8為圖2所示彩色濾光陣列基板的制作過程示 意圖。 圖9是圖I的液晶顯示面板的第二實(shí)施例的剖面圖。圖1(Γ16為圖9所示彩色濾光陣列基板的制作過程示意圖。圖17至圖20為圖9所述的所示彩色濾光陣列基板的另一制作過程示意圖。圖21是圖I的液晶顯示面板的第三實(shí)施例的剖面圖。圖22是圖I的液晶顯示面板的第四實(shí)施例的剖面圖。具體實(shí)施方法以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施之特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「頂」、「底」、「水平」、「垂直」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。請參閱圖I,圖I是本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示面板100的示意圖。液晶顯示面板100包括多個像素單元101、多條掃描線SL以及多條數(shù)據(jù)線DL。每一像素單元101包含一薄膜晶體管114及一像素電極118。每一薄膜晶體管114電性連接至一像素電極118、一掃描線SL和一數(shù)據(jù)線DL。請參閱圖2，圖2是圖I的液晶顯示面板100的第一實(shí)施例的剖面圖。液晶顯示面板100包含一彩色濾光陣列基板110、一液晶層150及一對向基板160，液晶層150位于彩色濾光陣列基板110與對向基板160之間。為簡化說明，圖2僅繪示一個像素單元101所對應(yīng)的剖面區(qū)域。彩色濾光陣列基板110包含一透明基板112、一薄膜晶體管114、一彩色濾光單元116以及一像素電極118。透明基板112開設(shè)第一凹槽121，而彩色濾光單元116設(shè)置于第一凹槽121中，用來將背光源(圖未示)產(chǎn)生并射入彩色濾光單元116的光線轉(zhuǎn)換成一預(yù)設(shè)顏色的光線。舉例來說，彩色濾光單元116包括紅色濾光單元、藍(lán)色濾光單元以及綠色濾光單元，分別用來使通過的光線成為紅光、藍(lán)光與綠光。薄膜晶體管114設(shè)置于透明基板112上，其包含一柵極131、一源極132和一漏極133。薄膜晶體管114的柵極131耦接至掃描線SL，源極132則耦接至數(shù)據(jù)線DL。像素電極118位于彩色濾光單元116上，并耦接至薄膜晶體管114的漏極133。當(dāng)掃描線SL傳來的掃描脈沖傳送至柵極131時，會導(dǎo)通源極132和漏極133，使得數(shù)據(jù)線DL傳來的數(shù)據(jù)信號會經(jīng)過源極132和漏極133而傳送至像素電極118。對向基板160包含一黑色陣列層(Black matrix layer) 162以及一導(dǎo)電層164。黑色陣列層162設(shè)置在薄膜晶體管114的上方，用來阻擋光線。導(dǎo)電層164電性連接到一共電壓端(common voltage terminal),用來接收一固定電壓。液晶層150的液晶的轉(zhuǎn)動方向就是依據(jù)該數(shù)據(jù)信號的電平以及導(dǎo)電層164所接收的該固定電壓所控制。彩色濾光陣列基板110另包含一配向膜115和一封膠117。配向膜115用來調(diào)整液晶層150的液晶的排列方向。當(dāng)彩色濾光陣列基板110形成配向膜115之后，會將液晶層150形成在具有配向膜115的彩色濾光陣列基板110上，然后在彩色濾光陣列基板110的四周涂上封膠117。接著利用封膠117將彩色濾光陣列基板 110和對向基板160黏合。由于配向膜115是聚酰亞胺(p0lyimide，PI)液滴擴(kuò)散后形成的薄膜，所以擴(kuò)張的配向膜材料有可能會溢出。同樣地，封膠117也有可能在彩色濾光陣列基板110和對向基板160黏合時，因?yàn)閿D壓而與配向膜115重疊。因此在本實(shí)施例中，彩色濾光陣列基板110另包含一第二凹槽122，設(shè)置于透明基板112的邊緣。第二凹槽122可以用來收容溢出的配向膜材料或是多余的封膠，用以避免溢出的配向膜材料或是多余的封膠重疊。請參閱圖3 8，圖:Γ8為圖2所示彩色濾光陣列基板110的制作過程示意圖。請先參閱圖3，首先提供一透明基板112。利用一第一掩膜(圖未示)蝕刻透明基板112以形成一第一凹槽121以及一第二凹槽122。第二凹槽122位于透明基板112的邊緣。請參閱圖4，接著依序沉積彩色濾光層于透明基板112上，并以第二掩膜(圖未示)蝕刻所述彩色濾光層，以在第一凹槽121中形成一彩色濾光單元116，然后在彩色濾光單元116之上形成像素電極118。請參閱圖5，形成一第一金屬層于透明基板112上，并利用第三掩膜(圖未示)蝕刻所述第一金屬層，以形成掃描線SL和薄膜晶體管114的柵極131。掃描線SL與柵極131
是屬于同一金屬層。請參閱圖6,沉積一絕緣層(insulating layer) 134于透明基板112以及掃描線SL和柵極131上。接著,在絕緣層134上,沉積一主動層(active layer) 135以及一歐姆接觸層(n+ layer) 136，并利用一第四掩膜(圖未示)蝕刻主動層135以及歐姆接觸層136，以形成薄膜晶體管114的通道。請參閱圖7，在歐姆接觸層136以及絕緣層134上沉積一第二金屬層，并以第五掩膜(圖未示)蝕刻所述第二金屬層，以形成數(shù)據(jù)線DL，并于歐姆接觸層136上形成薄膜晶體管114的源極132與漏極133。漏極133是連接像素電極118。數(shù)據(jù)線DL與源極132和漏極133是屬于同一金屬層。請參閱圖8，在歐姆接觸層136、源極132、漏極133及像素電極118上沉積一保護(hù)層(passivation layer) 141。保護(hù)層141是用來避免液晶層150 (請參見圖2)與薄膜晶體管114直接接觸。至此，薄膜晶體管114已形成透明基板112之上，使得薄膜晶體管114連接像素電極118。最后，滴上聚酰亞胺液滴。擴(kuò)散的聚酰亞胺液滴形成配向膜115。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可理解其后步驟，故不另贅述于此。當(dāng)然，在上述制作過程中，在完成圖5所示的制程后，也可以首先依次沉積絕緣層134、主動層135、歐姆接觸層136及第二金屬層，然后由第四掩膜蝕刻第二金屬層、歐姆接觸層136及主動層135，以形成源極132、漏極133及薄膜晶體管114的通道。最后，在歐姆接觸層136、源極132、漏極133及像素電極118上形成保護(hù)層141和配向膜115。請參閱圖9，圖9是圖I的液晶顯示面板100的第二實(shí)施例的剖面圖。不同于圖2的彩色濾光陣列基板110,本實(shí)施例的彩色濾光陣列基板210包含設(shè)置于彩色濾光單元116和像素電極118之間的間隔層117，用來分隔彩色濾光單元116和像素電極118。請參閱圖1(Γ16，圖1(Γ16為圖9所示彩色濾光陣列基板210的制作過程示意圖。請先參閱圖10，首先提供一透明基板112。利用一第一掩膜(圖未示)蝕刻透明基板112以形成一第一凹槽121以及一第二凹槽122。第二凹槽122位于透明基板112的邊緣。
請參閱圖11，接著沉積彩色濾光層于透明基板112上，并以第二掩膜(圖未示)蝕刻所述彩色濾光層，以在第一凹槽121中形成一彩色濾光單元116。請參閱圖12，沉積一間隔層117于彩色濾光單元116上。接著沉積一透明導(dǎo)電層于間隔層117上，并以第三掩膜(圖未示)蝕刻間隔層117和所述透明導(dǎo)電層，以在彩色濾光單元116的上方形成一像素電極118。間隔層117是位于彩色濾光單元116和像素電極118之間。請參閱圖13，形成一第一金屬層于透明基板112上，并利用第四掩膜(圖未示)蝕刻所述第一金屬層，以形成掃描線SL和薄膜晶體管114的柵極131。掃描線SL與柵極131
是屬于同一金屬層。請參閱圖14，沉積一絕緣層134于透明基板112以及掃描線SL和柵極131上。然后在絕緣層134上沉積一主動層135以及一歐姆接觸層136，并利用一第五掩膜(圖未示)蝕刻主動層135以及歐姆接觸層136，以定義出薄膜晶體管114的通道。請參閱圖15，于歐姆接觸層136以及絕緣層134上沉積一第二金屬層，并以第六掩膜(圖未示)蝕刻所述第二金屬層，以形成數(shù)據(jù)線DL，并于歐姆接觸層136上形成薄膜晶體管114的源極132與漏極133，漏極133是連接像素電極118。數(shù)據(jù)線DL與源極132和漏極133是屬于同一金屬層。請參閱圖16，于歐姆接觸層136、源極132、漏極133、像素電極118以及絕緣層134上沉積一保護(hù)層(passivation layer) 141。保護(hù)層141是用來隔離液晶層150(請參見圖9)與薄膜晶體管114直接接觸。至此，薄膜晶體管114已形成透明基板112之上，使得薄膜晶體管114連接像素電極118。最后，滴上聚酰亞胺液滴。擴(kuò)散的聚酰亞胺液滴形成配向膜115。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可理解其后步驟，故不另贅述于此。當(dāng)然，在上述制作過程中，在完成圖5所示的制程后，也可以首先依次沉積絕緣層134、主動層135、歐姆接觸層136及第二金屬層，然后由第四掩膜蝕刻第二金屬層、歐姆接觸層136及主動層135，以形成源極132、漏極133及薄膜晶體管114的通道。最后，在歐姆接觸層136、源極132、漏極133及像素電極118上形成保護(hù)層141和配向膜115。請參閱圖17至圖20，其為圖9所述的所示彩色濾光陣列基板210的另一制作過程示意圖。請參閱圖17，在第一凹槽121及第二凹槽122，并在第一凹槽121內(nèi)形成彩色濾光單元116后，形成一第一金屬層于透明基板112上，并利用第三掩膜(圖未示)蝕刻所述第一金屬層，以形成掃描線SL和薄膜晶體管114的柵極131。掃描線SL與柵極131是屬于同
一金屬層。請參閱圖18，在彩色濾光單元116、掃描線SL及柵極131上沉積絕緣層，從而形成間隔層117及絕緣層134。
請參閱圖19，沉積一透明導(dǎo)電層，并以第四掩膜(圖未示)所述透明導(dǎo)電層，以在彩色濾光單元116的上方形成一像素電極118。間隔層117是位于彩色濾光單元116和像素電極118之間。請參閱圖20，然后在絕緣層134上沉積一主動層135以及一歐姆接觸層136，并利用一第五掩膜(圖未示)蝕刻主動層135以及歐姆接觸層136，以定義出薄膜晶體管114的通道。該制作過程的后續(xù)制程與圖15至圖16所述的制作過程相同。
當(dāng)然，在上述制作過程中，在完成圖5所示的制程后，也可以首先依次沉積絕緣層134、主動層135、歐姆接觸層136及第二金屬層，然后由第四掩膜蝕刻第二金屬層、歐姆接觸層136及主動層135，以形成源極132、漏極133及薄膜晶體管114的通道。最后，在歐姆接觸層136、源極132、漏極133及像素電極118上形成保護(hù)層141和配向膜115。請參閱圖21，圖21是圖I的液晶顯示面板100的第三實(shí)施例的剖面圖。不同于圖2的彩色濾光陣列基板110，本實(shí)施例的彩色濾光陣列基板310的透明基板包含基底3121以及絕緣層3122。第一凹槽121以及第二凹槽122是形成于絕緣層3122上。本實(shí)施例的彩色濾光陣列基板310的制作方法與圖2的彩色濾光陣列基板110的制作方法的差別在于利用第一光掩膜(圖未示)對所述絕緣層3122進(jìn)行蝕刻，形成所述第一凹槽121和第二凹槽122，隨后的制作過程與圖2的彩色濾光陣列基板110的制作方法相同，在此不作贅述。請參閱圖22，圖22是圖I的液晶顯示面板100的第四實(shí)施例的剖面圖。不同于圖9的彩色濾光陣列基板210，本實(shí)施例的彩色濾光陣列基板410的透明基板包含基底3121以及絕緣層3122。第一凹槽121以及第二凹槽122是形成于絕緣層3122上。 本實(shí)施例的彩色濾光陣列基板410的制作方法與圖9的彩色濾光陣列基板210的制作方法的差別在于利用第一光掩膜(圖未示)對所述絕緣層3122進(jìn)行蝕刻，形成所述第一凹槽121和第二凹槽122。隨后的制作過程與圖9的彩色濾光陣列基板110的制作方法相同，在此不作贅述。本發(fā)明的彩色濾光陣列基板110/210/310/410在透明基板112或是基底3121上的絕緣層3122上蝕刻第一凹槽121，并將彩色濾光單元116形成于第一凹槽121上，并將像素電極118形成在彩色濾光單元116上。由于彩色濾光單元116是形成在第一凹槽121上而且像素電極118是形成在彩色濾光單元116上，所以不需要在保護(hù)層上形成開孔以作為連接薄膜晶體管的漏極以及像素電極118之用。因此本發(fā)明可以省去在保護(hù)層上形成開孔的蝕刻制程。此外，因?yàn)橄袼仉姌O118是位在彩色濾光單元116的上方，所以也不存在作為像素電極118的透明導(dǎo)電層不易沉積在保護(hù)層的開孔的問題，因此可以避免完成后的液晶顯示面板100可能存在靜電放電的風(fēng)險。此外，本發(fā)明的液晶顯示面板100另外在透明基板112上蝕刻一第二凹槽122，第二凹槽122形成于基板112的周圍。第二凹槽122可以收容多余的封膠或是配向膜材料，避免封膠117和配向膜115重疊而影響液晶顯示面板100的良率。當(dāng)然，本發(fā)明僅以圖I所示的液晶面板100說明，所述彩色濾光陣列基板110/210/310/410也應(yīng)用于白光有機(jī)電致發(fā)光器件(White Organic Light EmttingDiode, WOLED)的顯示面板中。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，但該較佳實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，該領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范 圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種彩色濾光陣列基板的制造方法，其包括下列步驟 提供一透明基板； 蝕刻所述透明基板以形成一第一凹槽； 沉積一彩色濾光層于所述透明基板上，并蝕刻所述彩色濾光層，以在所述第一凹槽中形成一彩色濾光單元，然后在所述彩色濾光單元之上形成一像素電極；以及 形成一薄膜晶體管于所述透明基板之上，使得所述薄膜晶體管連接所述像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于所述透明基板包括基底及絕緣層，所述蝕刻所述透明基板一形成一第一凹槽具體為蝕刻所述絕緣層形成所述第一凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的制造方法，其特征在于所述沉積一彩色濾光層于所述透明基板上，并蝕刻所述彩色濾光層，以在所述第一凹槽中形成一彩色濾光單元，然后在所述彩色濾光單元之上形成一像素電極具體為 沉積所述彩色濾光層于所述透明基板上，并蝕刻所述彩色濾光層以在所述第一凹槽中形成所述彩色濾光單元； 沉積一間隔層于所述彩色濾光層上； 沉積所述透明導(dǎo)電層于所述間隔層上，并蝕刻所述透明導(dǎo)電層，以在所述彩色濾光單元的上方形成所述像素電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的制造方法，其特征在于形成所述薄膜晶體管的步驟包含 形成一第一金屬層于所述透明基板上，并蝕刻所述第一金屬層，以形成所述薄膜晶體管的柵極； 沉積一絕緣層在所述透明基板以及所述柵極上； 在所述絕緣層上，沉積一主動層以及一歐姆接觸層； 蝕刻所述主動層以及所述歐姆接觸層，以形成所述主動層作為所述薄膜晶體管的通道； 在所述歐姆接觸層以及所述絕緣層上沉積一第二金屬層，并蝕刻所述第二金屬層，以在所述歐姆接觸層上形成所述薄膜晶體管的源極與漏極，所述漏極連接所述像素電極；以及 在所述源極、漏極、像素電極以及所述絕緣層上沉積一保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的制造方法，其特征在于所沉積一彩色濾光層于所述透明基板上，并蝕刻所述彩色濾光層，以在所述第一凹槽中形成一彩色濾光單元，然后在所述彩色濾光單元之上形成一像素電極具體為 沉積所述彩色濾光層于所述透明基板上，并蝕刻所述彩色濾光層以在所述第一凹槽中形成所述彩色濾光單元； 形成一第一金屬層于所述透明基板上，并蝕刻所述第一金屬層，以形成所述薄膜晶體管的柵極； 沉積一絕緣層在所述透明基板以及所述柵極上，并在所述彩色濾光單元上形成一間隔層； 沉積所述透明導(dǎo)電層于所述間隔層上，并蝕刻所述透明導(dǎo)電層，以在所述彩色濾光單元的上方形成所述像素電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的制造方法，其特征在于所述制造方法另包含在蝕刻所述透明基板的步驟中，同時蝕刻所述透明基板以形成一第二凹槽，其中所述第二凹槽位于所述透明基板的邊緣。
7.ー種彩色濾光陣列基板，其特征在于所述彩色濾光陣列基板包含 一透明基板，開設(shè)ー第一凹槽； 一薄膜晶體管，設(shè)置于所述透明基板上，其包含ー柵極、一漏極和一源扱； 一彩色濾光單元，位于所述第一凹槽上；以及 一像素電極，位于所述彩色濾光單元上，耦接至所述薄膜晶體管的漏扱。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的彩色濾光陣列基板，其特征在于所述透明基板包括基底及絕緣層，所述第一凹槽為蝕刻所述絕緣層而形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的彩色濾光陣列基板，其特征在于所述彩色濾光陣列基板另包含一間隔層，設(shè)置于所述彩色濾光單元和所述像素電極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的彩色濾光陣列基板，其特征在于所述彩色濾光陣列基板另包含一第二凹槽，設(shè)置于所述透明基板的邊緣。
全文摘要
本發(fā)明公開一種彩色濾光陣列基板及其制造方法，該彩色濾光陣列基板包含透明基板、薄膜晶體管、彩色濾光單元和像素電極。該彩色濾光單元位于該透明基板的凹槽上，用來將射入所述彩色濾光單元的光線轉(zhuǎn)換成一預(yù)設(shè)顏色的光線。該像素電極位于該彩色濾光單元上，耦接至所述薄膜晶體管的漏極，用來于薄膜晶體管的柵極收到掃描脈沖時，依據(jù)傳送至所述漏極的電信號的電平，控制所述液晶層的液晶的轉(zhuǎn)動方向。本發(fā)明將彩色濾光單元形成在該第一凹槽上而且該像素電極是形成在該彩色濾光單元上，而不需要在保護(hù)層上形成開孔使連接薄膜晶體管的漏極與像素電極連接，因此本發(fā)明可以省去在保護(hù)層上形成開孔的蝕刻制程。
文檔編號G02F1/1335GK102768432SQ20121025215
公開日2012年11月7日 申請日期2012年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月20日
發(fā)明者趙小虎 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司