局部表面處理的屏蔽方法
【專利摘要】本發(fā)明系提供一種局部表面處理的屏蔽方法，用以屏蔽一工件以對(duì)工件進(jìn)行局部表面處理，工件具有一目標(biāo)處理區(qū)域及一非處理區(qū)域，方法包括下列步驟：將一治具遮蓋于工件的非處理區(qū)域，而暴露工件的目標(biāo)處理區(qū)域；利用于治具與工件之間的一吸附力，而使治具與工件的非處理區(qū)域相互緊貼，并使治具的一開放邊緣貼齊于工件的目標(biāo)處理區(qū)域的邊緣，吸附力為一真空吸附力或一靜電吸附力，藉此表面處理的影響范圍不會(huì)超過目標(biāo)處理區(qū)域的邊界，進(jìn)而減少加工瑕疵產(chǎn)生的機(jī)會(huì)。
【專利說明】局部表面處理的屏蔽方法
【技術(shù)領(lǐng)域】[0001]本發(fā)明系關(guān)于一種屏蔽方法，特別是關(guān)于一種應(yīng)用于局部表面處理的屏蔽方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]在很多情況中，加工對(duì)象(以下稱為工件)在未制造為成品前都會(huì)進(jìn)行諸如電鍍、涂敷、曝光等表面處理。當(dāng)對(duì)工件進(jìn)行某種表面處理時(shí)，若工件的其中一些區(qū)域不得接受該種處理，常常使用一治具將該些非處理區(qū)域加以遮蔽保護(hù)，以免其受到影響，而使得表面處理僅影響于需要處理的區(qū)域。
[0003]利用治具遮蔽保護(hù)非處理區(qū)域時(shí)，必須要注意到治具與工件間的配合關(guān)系，例如治具的開口與處理區(qū)域的對(duì)應(yīng)性，以使處理區(qū)域確實(shí)不受遮蔽，而不得接受表面處理的區(qū)域確實(shí)地受到保護(hù)。
[0004]然而，在習(xí)知技術(shù)中，治具的開口與目標(biāo)處理區(qū)域往往對(duì)應(yīng)不佳，而造成電鍍材料、涂敷材料、或曝光光線等的影響范圍超過處理區(qū)域，因而產(chǎn)生加工瑕疵。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的是提供一種局部表面處理的屏蔽方法，以改善習(xí)知技術(shù)的問題，以確保表面處理不會(huì)影響到不得接受表面處理的區(qū)域，以使所期望的工件表面得以形成。
[0006]本發(fā)明為解決習(xí)知技術(shù)的問題所采用的技術(shù)手段為一種局部表面處理的屏蔽方法，用以屏蔽一工件以對(duì)工件進(jìn)行局部表面處理，工件具有一目標(biāo)處理區(qū)域及一非處理區(qū)域，屏蔽方法包括下列步驟:(a)將一治具遮蓋于工件的非處理區(qū)域，而暴露工件的目標(biāo)處理區(qū)域；(b)利用于治具與工件之間的一吸附力，而使治具與工件的非處理區(qū)域相互緊貼，并使治具的一開放邊緣貼齊于工件的目標(biāo)處理區(qū)域的邊緣，吸附力為一真空吸附力或一靜電吸附力。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，治具為一塑性材料所制成。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，吸附力為靜電吸附力的情況中，步驟(a)之前還包括對(duì)治具進(jìn)行靜電處理的步驟。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，步驟(a)中包括將工件放置于治具中的步驟，而在治具與工件之間形成一間隙空間。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在吸附力為真空吸附力的情況中，步驟(a)中包括抽吸間隙空間中的空氣的步驟。
[0011 ] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，治具具有一吸孔，連通于間隙空間。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，步驟(b)之后還包括對(duì)工件的目標(biāo)處理區(qū)域進(jìn)行表面處理的步驟。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，表面處理為一曝光處理、一蝕刻處理、一電鍍處理、或一
雷雕處理。[0014]經(jīng)由本發(fā)明所采用的技術(shù)手段，藉由一吸附力而使治具與工件相互緊貼。治具與工件相互緊貼的好處是，治具的開放邊緣可以確實(shí)地貼齊于工件的目標(biāo)處理區(qū)域的邊緣。如此，表面處理的影響范圍將不會(huì)超過目標(biāo)處理區(qū)域的邊界，進(jìn)而減少加工瑕疵產(chǎn)生的機(jī)
八
O
[0015]特別是，本發(fā)明所利用的吸附力為真空吸附力或靜電吸附力。真空吸附力或靜電吸附力的產(chǎn)生過程容易。并且在表面處理后而工件必須抽離于治具時(shí)，真空吸附力或靜電吸附力可以輕易地移除且不易破壞工件及治具的表面。因此，本發(fā)明所提供的屏蔽方法不僅遮蔽效果良好，且易于實(shí)施并破壞性低，相當(dāng)適合于應(yīng)用于局部表面處理。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1系顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例的局部表面處理的屏蔽方法的流程圖。
[0017]圖2A系顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例的治具與工件的非處理區(qū)域未緊貼時(shí)的剖視圖。
[0018]圖2B系顯示 本發(fā)明的第一實(shí)施例的治具與工件的非處理區(qū)域緊貼時(shí)的剖視圖。
[0019]圖3系顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例的局部表面處理的屏蔽方法的流程圖。
[0020]圖4系顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例的治具與工件的非處理區(qū)域緊貼時(shí)的剖視圖。
[0021]主要組件符號(hào)說明
[0022]1、Ia治具
[0023]IlUla開口
[0024]IllUlla 開放邊緣
[0025]12吸孔
[0026]13抽吸管
[0027]2、2a工件
[0028]21、21a 目標(biāo)處理區(qū)域
[0029]211、211a邊緣
[0030]22、22a非處理區(qū)域
[0031]A空氣
[0032]F1、F2吸附力
[0033]Vl間隙空間
【具體實(shí)施方式】
[0034]本發(fā)明所采用的具體實(shí)施例，將藉由以下的實(shí)施例及附呈圖式作進(jìn)一步的說明。
[0035]本發(fā)明提供一種屏蔽方法，利用治具與工件之間的一真空吸附力或一靜電吸附力，而使治具與工件相互緊貼，以進(jìn)一步對(duì)工件進(jìn)行局部表面處理。以下分別提供真空吸附力以及靜電吸附力的實(shí)施例并加以描述說明:
[0036]參閱圖1所示，其系顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例的局部表面處理的屏蔽方法的流程圖。本實(shí)施例為提供于治具與工件之間的吸附力為真空吸附力的情況。局部表面處理的屏蔽方法包括下列步驟:將一治具遮蓋于工件的非處理區(qū)域，而暴露工件的目標(biāo)處理區(qū)域(步驟S110);利用于治具與工件之間的一吸附力，而使治具與工件的非處理區(qū)域相互緊貼，并使治具的一開放邊緣貼齊于工件的目標(biāo)處理區(qū)域的邊緣(步驟S120)。
[0037]進(jìn)一步來說，在本實(shí)施例中，(步驟S110)中包括下列步驟:在將工件放置于治具中，而在治具與工件之間形成一間隙空間(步驟S111);將治具遮蓋于工件的非處理區(qū)域(步驟S112)。而(步驟S120)中包括下列步驟:抽吸間隙空間中的空氣(步驟S121);利用治具與工件之間的真空吸附力，使治具與工件的非處理區(qū)域相互緊貼(步驟S122)。
[0038]請參閱圖2A及圖2B，并配合圖1對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例作一說明如后。 [0039]治具I具有一開放邊緣111，開放邊緣111即治具I中具不遮蓋功效的部分的邊緣。例如，在本實(shí)施例中，治具I具有一開口 11，開口 11的邊緣即開放邊緣111。然而，本發(fā)明不以此為限，開放邊緣111也可以是治具的穿孔的邊緣，或是治具包括兩個(gè)分開的板件，而開放邊緣111為兩個(gè)板件之間的間隙。
[0040]首先，將工件2放置于治具I中(步驟S111)。工件2的尺徑為小于治具I的內(nèi)徑而得以使工件2放置于治具I中，因此治具I與工件2之間會(huì)形成一間隙空間VI。
[0041]接著，將治具I遮蓋于工件2的非處理區(qū)域22 (步驟S112)。開口 11的形狀及面積與工件2的目標(biāo)處理區(qū)域21的形狀及面積相同。當(dāng)將開口 11對(duì)應(yīng)于目標(biāo)處理區(qū)域21而暴露目標(biāo)處理區(qū)域21，工件2的非處理區(qū)域22即受治具I所遮蓋。
[0042]然后，抽吸間隙空間Vl中的空氣(步驟S121)。在本實(shí)施例中，治具I具有一吸孔12，連通于間隙空間VI。吸孔12連通接合有一連接于一抽氣機(jī)(圖未示)的抽吸管13。當(dāng)抽氣機(jī)運(yùn)作時(shí)，間隙空間Vl中的空氣A經(jīng)由抽吸管13排出。如此，治具I與工件2之間的間隙空間Vl將逐漸成為真空狀態(tài)。并且在本實(shí)施例中，治具I為一塑性材料所制成，例如PP、PVC等塑料材料或其它類似材料。塑性材料具有受力后易變形的特性。藉此，利用抽吸間隙空間Vl中的空氣所形成的真空吸附力F1，會(huì)使得治具I變形而貼附于工件2，而使得治具I與工件2的非處理區(qū)域22相互緊貼(步驟S122)，如圖2B所示。
[0043]接下來，對(duì)工件2的目標(biāo)處理區(qū)域21進(jìn)行表面處理(步驟S130)。在本實(shí)施例中，表面處理為一曝光處理，表面處理也可以為一蝕刻處理、一電鍍處理、一雷雕處理、或其它類似處理。由于治具I與工件2的非處理區(qū)域22相互緊貼時(shí)，治具I的開口 11的開放邊緣111會(huì)貼齊于工件2的目標(biāo)處理區(qū)域21的邊緣211。因此表面處理將不會(huì)影響到工件2的非處理區(qū)域22，而使所期望的工件表面得以形成。
[0044]參閱圖3所示，其系顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例的局部表面處理的屏蔽方法的流程圖。本實(shí)施例為提供于治具與工件之間的吸附力為靜電吸附力的情況。本實(shí)施例的局部表面處理的屏蔽方法包括下列步驟:對(duì)治具進(jìn)行靜電處理(步驟S200);將治具遮蓋于工件的非處理區(qū)域(S210)利用治具與工件之間的靜電吸附力，使治具與工件的非處理區(qū)域相互緊貼(S220);對(duì)工件的目標(biāo)處理區(qū)域進(jìn)行表面處理(S230)。
[0045]請參閱圖4，并配合圖3對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例作一說明如后。
[0046]首先，對(duì)治具Ia進(jìn)行靜電處理(步驟S200)。接著，將治具Ia遮蓋于工件2a的非處理區(qū)域22a (步驟S210)。在本實(shí)施例中，治具Ia具有一開口 11a，開口 Ila的形狀及面積與工件2a的目標(biāo)處理區(qū)域21a的形狀及面積相同。當(dāng)將開口 Ila對(duì)應(yīng)于目標(biāo)處理區(qū)域21a而暴露目標(biāo)處理區(qū)域21a，工件2a的非處理區(qū)域22a即受治具Ia所遮蓋。
[0047]若將經(jīng)過靜電處理后的治具Ia接觸于工件2a，治具Ia與工件2a之間會(huì)具有一靜電吸附力。所以接下來，將經(jīng)過靜電處理后的治具Ia接觸于工件2a，而利用治具Ia與工件2a之間的靜電吸附力F2，使治具Ia與工件2a的非處理區(qū)域22a相互緊貼(S220)，如圖4所示。并且本實(shí)施例的治具Ia與第一實(shí)施例的治具I同樣為塑性材料所制成，而具有受力后易變形的特性，所以緊貼的效果相當(dāng)良好。
[0048]接下來，對(duì)工件2a的目標(biāo)處理區(qū)域21a進(jìn)行表面處理(步驟S230)。在本實(shí)施例中，表面處理為一蝕刻處理，表面處理也可以為一曝光處理、一電鍍處理、一雷雕處理、或其它類似處理。由于治具Ia與工件2a的非處理區(qū)域22a相互緊貼時(shí)，治具Ia的開口 Ila的開放邊緣11 Ia會(huì)貼齊于工件2a的目標(biāo)處理區(qū)域21a的邊緣211a。因此表面處理不會(huì)影響到工件2a的非處理區(qū)域22a，而使所期望的工件表面得以形成。
[0049]由以上的實(shí)施例可知，本發(fā)明所提供的局部表面處理的屏蔽方法確具產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。然而，以上的敘述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例說明，凡精于此項(xiàng)技藝者當(dāng)可依據(jù)上述的說明而作其它種種的改良，然而這些改變?nèi)詫儆诒景l(fā)明的發(fā)明精神及所界定的專利范圍中。
【權(quán)利要求】
1.一種局部表面處理的屏蔽方法，用以屏蔽一工件以對(duì)該工件進(jìn)行局部表面處理，該工件具有一目標(biāo)處理區(qū)域及一非處理區(qū)域，其特征在于，該屏蔽方法包括下列步驟: (a)將一治具遮蓋于該工件的非處理區(qū)域，而暴露該工件的目標(biāo)處理區(qū)域； (b)利用于該治具與該工件之間的一吸附力，而使該治具與該工件的非處理區(qū)域相互緊貼，并使該治具的一開放邊緣貼齊于該工件的目標(biāo)處理區(qū)域的邊緣，該吸附力系為一真空吸附力或一靜電吸附力。
2.如權(quán)利要求1所述的局部表面處理的屏蔽方法，其特征在于，該治具系為一塑性材料所制成。
3.如權(quán)利要求1所述的局部表面處理的屏蔽方法，其特征在于，在該吸附力為靜電吸附力的情況中，步驟(a)之前還包括對(duì)該治具進(jìn)行靜電處理的步驟。
4.如權(quán)利要求1所述的局部表面處理的屏蔽方法，其特征在于，步驟(a)中包括將該工件放置于該治具中的步驟，而在該治具與該工件之間形成一間隙空間。
5.如權(quán)利要求4所述的局部表面處理的屏蔽方法，其特征在于，在該吸附力為真空吸附力的情況中，步驟(b)中包括抽吸該間隙空間中的空氣的步驟。
6.如權(quán)利要求4所述的局部表面處理的屏蔽方法，其特征在于，該治具具有一吸孔，連通于該間隙空間。
7.如權(quán)利要求1所述的局部表面處理的屏蔽方法，其特征在于，步驟(b)之后還包括對(duì)該工件的目標(biāo)處理區(qū)域進(jìn)行表面處理的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的局 部表面處理的屏蔽方法，其特征在于，該表面處理系為一曝光處理、一蝕刻處理、一電鍍處理、或一雷雕處理。
【文檔編號(hào)】G03F7/00GK103572342SQ201210254278
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月23日
【發(fā)明者】劉維林 申請人:崇鼎科技有限公司