Tft制造方法、顯示器件的制造方法及顯示器件、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)制造方法，包括：形成源極層，對源極層進行光刻形成源極；及沉積漏極層，該漏極層的材料與源極層的材料不同，對漏極層進行光刻形成漏極；或者，形成漏極層，對漏極層進行光刻形成漏極；及沉積源極層，該源極層的材料與漏極層不同，對源極層進行光刻形成源極。本發(fā)明還相應(yīng)地公開了一種顯示器件的制造方法及顯示器件、顯示裝置。由于本發(fā)明的源極和漏極形成于不同層，因此，本發(fā)明能在不影響TFT溝道形成的前提下盡量減小TFT溝道的長度，進而提高顯示效果。
【專利說明】TFT制造方法、顯示器件的制造方法及顯示器件、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin FilmTransistor, TFT)、顯示器件的制造方法及顯示器件、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示領(lǐng)域中，采用溝道長度小的TFT有利于提高像素的開口率，而像素開口率越高，透光率越高，顯示效果越好。
[0003]但是，現(xiàn)有技術(shù)中，扭曲向列型(TN)面板、邊緣場開關(guān)(FFS)面板、平面方向轉(zhuǎn)換(IPS)面板等所采用的TFT結(jié)構(gòu)中，源極(source)和漏極(drain)形成于金屬材料相同的同一層上，那么，源極和漏極的形成只能在同一步制作工藝中完成刻蝕，這樣，就不能任意調(diào)整TFT溝道的長度，而如果TFT溝道的長度過小，光刻膠很容易殘留于溝道中，導(dǎo)致TFT的源極和漏極相連，從而會影響TFT溝道的形成。
[0004]顯然，源極和漏極形成于金屬材料相同的同一層上不利于減小TFT溝道的長度，從而不利于提高顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種TFT的制造方法、顯示器件的制造方法及顯示器件、顯示裝置，能夠減小TFT溝道的長度、且不會影響TFT溝道的形成，進而提高顯示效果。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0007]—種薄膜場效應(yīng)晶體管的制造方法，包括步驟:
[0008]形成源極層，對源極層進行光刻形成源極；及
[0009]沉積漏極層，該漏極層的材料與源極層的材料不同，對漏極層進行光刻形成漏極；
[0010]或者，
[0011]形成漏極層，對漏極層進行光刻形成漏極；及
[0012]沉積源極層，該源極層的材料與漏極層不同，對源極層進行光刻形成源極。
[0013]一種顯示器件的制造方法，該顯示器件包括薄膜場效應(yīng)晶體管，該制造方法包括步驟:
[0014]形成源極層，對源極層進行光刻形成源極；及
[0015]沉積漏極層，該漏極層的材料與源極層的材料不同，對漏極層進行光刻形成漏極；
[0016]或者，
[0017]形成漏極層，對漏極層進行光刻形成漏極；及
[0018]沉積源極層，該源極層的材料與漏極層不同，對源極層進行光刻形成源極。
[0019]所述漏極層透明，在對漏極層進行光刻形成漏極的同時形成像素電極。[0020]所述漏極層的材料為IT0。
[0021]包括步驟:
[0022]在基板上形成包括柵極的柵極圖案和柵絕緣層；
[0023]在所述柵絕緣層上形成有源層；
[0024]沉積源極層，對源極層進行光刻形成包括源極和數(shù)據(jù)線的源極圖案；
[0025]形成鈍化層圖案，露出漏極位置；
[0026]進行所述沉積漏極層，對漏極層進行光刻形成漏極和像素電極。
[0027]一種顯示器件，由上述的方法制成。
[0028]一種顯示器件，包括基板和薄膜場效應(yīng)晶體管，所述源極的材料和漏極的材料不同。
[0029]該顯示器件還包括像素電極，所述像素電極和所述漏極由同一層材料形成。
[0030]所述像素電極和所述漏極的材料均為IT0。
[0031 ] 一種顯示裝置，該顯示裝置中的顯示器件由上述的方法制成。
[0032]本發(fā)明TFT、顯示器件的制造方法及顯示器件、顯示裝置，由于源極和漏極形成于不同層且兩者的材料不同，因此，可以在完成后面的光刻時使用對先完成光刻的源極(或者漏極)結(jié)構(gòu)影響小的加工條件，包括不同的刻蝕材料和溫度等，從而能夠在不同工藝步驟中完成刻蝕，如此，就可以靈活的設(shè)置TFT溝道的長度；進一步的，就不會因為TFT溝道的長度過小，使光刻膠殘留于溝道中，進而不會影響TFT溝道的形成；也就是說，本發(fā)明能在不影響TFT溝道形成的前提下盡量減小TFT溝道的長度，進而提高顯示效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1為本發(fā)明實施例一種薄膜場效應(yīng)晶體管的制造方法流程示意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明另一實施例一種薄膜場效應(yīng)晶體管的制造方法流程示意圖；
[0035]圖3為根據(jù)上述方法形成的顯示器件中像素的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖4為現(xiàn)有技術(shù)顯示器件中像素的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖5為本發(fā)明實施例一種顯示器件的制造方法的詳細(xì)流程示意圖；
[0038]圖6為在基板6上形成包括柵極的柵極圖案7和柵絕緣層8的示意圖；
[0039]圖7為在所述柵絕緣層8上形成有源層9的示意圖；
[0040]圖8為沉積源極層10，對源極層10進行光刻形成包括源極和數(shù)據(jù)線的源極圖案的示意圖；
[0041]圖9為形成鈍化層圖案11，露出漏極位置的示意圖；
[0042]圖10為沉積漏極層12，對漏極層12進行光刻形成漏極和像素電極的示意圖。
[0043]附圖標(biāo)記說明:
[0044]1、柵極金屬；2、像素電極；3、數(shù)據(jù)線；4、有源層；5、鈍化層；
[0045]6、基板；7、柵極圖案；8、柵絕緣層；9、有源層；10、源極層；
[0046]11、鈍化層圖案；12、漏極層。
【具體實施方式】
[0047]本發(fā)明的基本思想是:形成源極層，對源極層進行光刻形成源極；及沉積漏極層，該漏極層的材料與源極層的材料不同，對漏極層進行光刻形成漏極；或者，形成漏極層，對漏極層進行光刻形成漏極；及沉積源極層，該源極層的材料與漏極層不同，對源極層進行光刻形成源極。
[0048]圖1為本發(fā)明實施例一種薄膜場效應(yīng)晶體管的制造方法流程示意圖，如圖1所示，該方法包括步驟:
[0049]步驟101:形成源極層，對源極層進行光刻形成源極；
[0050]步驟102:沉積漏極層，該漏極層的材料與源極層的材料不同，對漏極層進行光刻形成漏極。
[0051]圖2為本發(fā)明另一實施例一種薄膜場效應(yīng)晶體管的制造方法流程示意圖，如圖2所示，該方法包括步驟:
[0052]步驟201:形成漏極層,對漏極層進行光刻形成漏極；
[0053]步驟202:沉積源極層，該源極層的材料與漏極層不同，對源極層進行光刻形成源極。
[0054]本發(fā)明還相應(yīng)地提出了一種顯示器件的制造方法，該顯示器件包括薄膜場效應(yīng)晶體管，該制造方法包括步驟:
[0055]形成源極層，對源極層進行光刻形成源極；及
[0056]沉積漏極層，該漏極層的材料與源極層的材料不同，對漏極層進行光刻形成漏極；
[0057]或者，
[0058]形成漏極層,對漏極層進行光刻形成漏極；及
[0059]沉積源極層，該源極層的材料與漏極層不同，對源極層進行光刻形成源極。
[0060]圖3為根據(jù)上述方法形成的顯示器件中像素的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3中，I指示柵極金屬，2指示像素電極，3指示數(shù)據(jù)線，4指示有源層。圖4所示為根據(jù)相關(guān)方法形成的顯示器件中像素的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4中，I指示柵極金屬，2指示像素電極，3指示數(shù)據(jù)線，4指示有源層，5為鈍化層。圖3中，源極和漏極形成于金屬材料不同的不同層，而圖4中，源極和漏極形成于金屬材料相同的同一層上，因此，本發(fā)明相比于相關(guān)技術(shù)能夠減小TFT溝道的長度(TFT溝道的長度如圖3中所示L)、且不會影響TFT溝道的形成，進而提高顯示效果。
[0061]可選的，所述漏極層透明，在對漏極層進行光刻形成漏極的同時形成像素電極。
[0062]可選的，所述漏極層的材料為IT0。
[0063]圖5為本發(fā)明實施例一種顯示器件的制造方法的詳細(xì)流程示意圖，如圖5所示，該方法包括步驟:
[0064]步驟501:在基板6上形成包括柵極的柵極圖案7和柵絕緣層8 ；
[0065]在基板6上形成包括柵極的柵極圖案7和柵絕緣層8的示意圖參見圖6。
[0066]步驟502:在所述柵絕緣層8上形成有源層9 ；
[0067]在所述柵絕緣層8上形成有源層9的示意圖參見圖7。
[0068]步驟503:沉積源極層10，對源極層10進行光刻形成包括源極和數(shù)據(jù)線的源極圖案；
[0069]沉積源極層10，對源極層10進行光刻形成包括源極和數(shù)據(jù)線的源極圖案的示意圖參見圖8。[0070]步驟504:形成鈍化層圖案11，露出漏極位置；
[0071]形成鈍化層圖案11，露出漏極位置的示意圖參見圖9。
[0072]步驟505:進行所述沉積漏極層12，對漏極層12進行光刻形成漏極和像素電極。
[0073]沉積漏極層12，對漏極層12進行光刻形成漏極和像素電極的示意圖參見圖10，圖10所示也即為圖3中沿A-A’的剖面示意圖。
[0074]本發(fā)明實施例還相應(yīng)地提出了一種顯示器件，該顯示器件由上述顯示器件制造方法制成。
[0075]本發(fā)明實施例還相應(yīng)地提出了一種顯示器件，該顯示器件包括基板和薄膜場效應(yīng)晶體管，所述源極的材料和漏極的材料不同。
[0076]可選的，該顯示器件還包括像素電極，所述像素電極和所述漏極由同一層材料形成，如此，可以將所述像素電極和所述漏極一起制作形成，從而可節(jié)省工藝步驟。
[0077]可選的，所述像素電極和所述漏極的材料均為IT0。
[0078]本發(fā)明實施例還相應(yīng)地提出了一種顯示裝置，該顯示裝置中的顯示器件由上述顯示器件制造方法制成。
[0079]需要說明的是，本發(fā)明中所述的顯示器件可以為陣列基板或AM-OLED等。
[0080]本發(fā)明的源極和漏極形成于不同層且兩者的材料不同，因此，可以在完成后面的光刻時使用對先完成光刻的源極(或者漏極)結(jié)構(gòu)影響小的加工條件，包括不同的刻蝕材料和溫度等，從而能夠在不同工藝步驟中完成刻蝕，如此，就可以靈活的設(shè)置TFT溝道的長度；進一步的，就不會因為TFT溝道的長度過小，使光刻膠殘留于溝道中，進而不會影響TFT溝道的形成；也就是說，本發(fā)明能在不影響TFT溝道形成的前提下盡量減小TFT溝道的長度，進而提高顯示效果。
[0081]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，包括步驟: 形成源極層，對源極層進行光刻形成源極 '及 沉積漏極層，該漏極層的材料與源極層的材料不同，對漏極層進行光刻形成漏極； 或者， 形成漏極層，對漏極層進行光刻形成漏極 '及 沉積源極層，該源極層的材料與漏極層不同，對源極層進行光刻形成源極。
2.—種顯示器件的制造方法，該顯示器件包括薄膜場效應(yīng)晶體管，其特征在于，該制造方法包括步驟: 形成源極層，對源極層進行光刻形成源極 '及 沉積漏極層，該漏極層的材料與源極層的材料不同，對漏極層進行光刻形成漏極； 或者， 形成漏極層，對漏極層進行光刻形成漏極 '及 沉積源極層，該源極層的材料與漏極層不同，對源極層進行光刻形成源極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件的制造方法，其特征在于，所述漏極層透明，在對漏極層進行光刻形成漏極的同時形成像素電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件的制造方法，其特征在于，所述漏極層的材料為ITO。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件的制造方法，其特征在于，包括步驟: 在基板上形成包括柵極的柵極圖案和柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成有源層； 沉積源極層，對源極層進行光刻形成包括源極和數(shù)據(jù)線的源極圖案； 形成鈍化層圖案，露出漏極位置； 進行所述沉積漏極層，對漏極層進行光刻形成漏極和像素電極。
6.一種顯示器件，其特征在于，由權(quán)利要求2-5中任意一項所述的方法制成。
7.—種顯示器件，包括基板和薄膜場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述源極的材料和漏極的材料不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7顯示器件，其特征在于，還包括像素電極，所述像素電極和所述漏極由同一層材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8顯示器件，其特征在于，所述像素電極和所述漏極的材料均為ITO。
10.一種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置中的顯示器件由權(quán)利要求2-5中任意一項所述的方法制成。
【文檔編號】G02F1/1368GK103578990SQ201210258621
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月24日
【發(fā)明者】許睿, 黎蔚 申請人:北京京東方光電科技有限公司