專利名稱：一種陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及ー種具有較高開ロ率同時(shí)還具有易修補(bǔ)特點(diǎn)的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-IXD)生產(chǎn)領(lǐng)域中，面板的透光率是ー個(gè)重要的產(chǎn)品指標(biāo)。隨著光刻和制造技術(shù)的發(fā)展，可生產(chǎn)出越來越精細(xì)的面板結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術(shù)中通過不斷降低數(shù)據(jù)線寬度來減小對開ロ率的損失，但是隨著數(shù)據(jù)線線寬的降低，數(shù)據(jù)線斷路現(xiàn)象出現(xiàn)的比率也會(huì)有所增長，設(shè)計(jì)和制造高開ロ率同時(shí)具有易于修補(bǔ)的像素結(jié)構(gòu)，將會(huì)有廣闊的應(yīng)用前景。
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如圖I所示，為傳統(tǒng)像素結(jié)構(gòu)示意圖。該像素結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線I、像素単元、柵線2，該數(shù)據(jù)線I位于像素単元的ー側(cè)?，F(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)為了避免色偏現(xiàn)象采用上下兩疇的設(shè)計(jì)方式，該結(jié)構(gòu)不可避免會(huì)在像素中間部分出現(xiàn)電極形狀不規(guī)則，像素縫隙交叉區(qū)域3位置處出現(xiàn)液晶排列錯(cuò)亂，容易產(chǎn)生較多區(qū)域的暗區(qū)，影響像素結(jié)構(gòu)整體的透過率。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及顯示裝置，以克服現(xiàn)有技木像素結(jié)構(gòu)的像素開ロ率低下導(dǎo)致影響最終產(chǎn)品良品率的缺陷。(ニ)技術(shù)方案為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一方面提供一種陣列基板，包括基板以及形成在所述基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定了若干個(gè)亞像素単元，數(shù)據(jù)線位于亞像素単元的中部，將亞像素単元分為第一子像素単元和第二子像素単元；所述第一子像素単元和第二子像素単元各自單獨(dú)連接ー個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行獨(dú)立充電，而且所述薄膜晶體管整體位于所述柵線對應(yīng)的區(qū)域。進(jìn)ー步地，所述數(shù)據(jù)線位于亞像素単元的中間位置。進(jìn)ー步地，所述陣列基板上形成有公共電極和像素電極，而且在所述公共電極和/或像素電極上形成有狹縫；在同一個(gè)子像素単元中的狹縫方向保持一致；而且，位于同一條數(shù)據(jù)線兩側(cè)的所述第一子像素単元和第二子像素単元中的狹縫方向關(guān)于數(shù)據(jù)線對稱。進(jìn)ー步地，所述彩膜基板上用于遮擋數(shù)據(jù)線區(qū)域的遮光層遮蓋在第一子像素単元和第二子像素単元的像素単元交叉區(qū)域?qū)?yīng)位置處。進(jìn)ー步地，所述薄膜晶體管的漏極和像素電極通過過孔連接。進(jìn)ー步地，所述第一子像素単元和第二子像素単元中像素電極的縫隙方向形成夾角，所述過孔位置分別設(shè)置在第一子像素単元和第二子像素単元的空位處。
進(jìn)ー步地，當(dāng)所述第一子像素単元和第二子像素単元中像素電極的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向薄膜晶體管時(shí)，所述過孔位置設(shè)置在數(shù)據(jù)線底部并緊貼在數(shù)據(jù)線兩側(cè)位置處。進(jìn)ー步地，當(dāng)所述第一子像素単元和第二子像素単元中像素電極的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向薄膜晶體管的反方向時(shí)，所述過孔位置設(shè)置在數(shù)據(jù)線底部并遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線兩側(cè)位置處。進(jìn)ー步地，每個(gè)所述薄膜晶體管的源極通過兩個(gè)獨(dú)立的連接電極與其相鄰的數(shù)據(jù)線相連；所述連接電極與所述薄膜晶體管的源極、所述數(shù)據(jù)線一體制作。另ー方面，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。(三)有益效果 本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及顯示裝置，采用將數(shù)據(jù)線設(shè)置于像素単元的中部，同時(shí)連接兩個(gè)獨(dú)立的小薄膜晶體管開關(guān)進(jìn)行同時(shí)充電；由于同一亞像素由兩個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行充電，相應(yīng)地每個(gè)薄膜晶體管的溝道寬長比可以減小，同時(shí)由于本方案中的薄膜晶體管整體位于柵線上方，因此縮小薄膜晶體管柵極寬度，也就是縮小柵線的寬度。因此，利用本發(fā)明實(shí)施例提供的方案，可大幅度縮小掃描線寬度，提高像素開ロ率。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中傳統(tǒng)的像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)另一示意圖；圖4為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)交叉排列結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)修補(bǔ)原理示意圖。其中1:數(shù)據(jù)線；2 :柵電極；3 :交叉區(qū)域；4 :公共電極線；5 :像素電極；6 :薄膜晶體管7 :第一子像素単元；8 :第二子像素単元；9 :過孔。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)ー步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。如圖2至圖4所示，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括基板以及形成在所述基板上的柵線和數(shù)據(jù)線1，所述柵線和數(shù)據(jù)線I限定了若干個(gè)亞像素単元，數(shù)據(jù)線I位于亞像素単元的中部，將亞像素単元分為第一子像素単元7和第二子像素単元8 ；所述第一子像素単元和第二子像素単元各自單獨(dú)連接ー個(gè)薄膜晶體管6 (TFT)進(jìn)行獨(dú)立充電，而且薄膜晶體管6整體位于所述柵線對應(yīng)的區(qū)域。由于同一亞像素由兩個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行充電，相應(yīng)地每個(gè)薄膜晶體管的溝道寬長比可以減小，即TFT的柵極寬度可以減?。欢以诒緦?shí)施例中，以柵線作為TFT的柵電極使用，柵極寬度減小也就是，柵線寬度可以減小，從而提高開ロ率。較優(yōu)地，該數(shù)據(jù)線I位于亞像素単元的中間位置，使得第一子像素単元7和第二子像素単元8的區(qū)域均等，保證TFT充電效果相同。 采用將數(shù)據(jù)線I設(shè)置于亞像素単元的中間部分，將ー個(gè)亞像素単元均等分成第一子像素単元7和第二子像素単元8，同時(shí)采用兩個(gè)獨(dú)立小TFT開關(guān)分別對第一子像素單元電極和第二子像素単元電極進(jìn)行充電，避免了傳統(tǒng)的陣列基板中亞像素単元中心部分由于兩疇的交叉引起的開ロ率和透過率損失，可有效地避免色偏現(xiàn)象的發(fā)生，同時(shí)實(shí)施例的陣列基板中將像素縫隙交叉排列產(chǎn)生的影響與數(shù)據(jù)線I上遮光層對像素開ロ率的損失集合在了一起，保證了像素開ロ區(qū)域中全部呈現(xiàn)規(guī)則的像素縫隙結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了像素結(jié)構(gòu)，降低了對開ロ率的損失同時(shí)保證了像素透過率的均勻性。本實(shí)施例中的第一子像素単元7和第二子像素単元8由兩個(gè)小TFT同時(shí)分別對其進(jìn)行充電，將ー個(gè)亞像素単元分割為兩個(gè)部分吋，每一部分只需要原來二分之一大小的TFT開關(guān)就可以實(shí)現(xiàn)正常充電，以柵線作為TFT的柵電極，使得柵線的寬度可以折半，從而提高開ロ率。具體的，以46inch像素電極所具有的TFT寬長比為例，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中TFT溝道寬長比(W/L)為58um/5. Oum,理論上若按照本發(fā)明的方式設(shè)計(jì)，每個(gè)子TFT溝道的寬長比(W/L)即可以實(shí)現(xiàn)29um/5. Oum, TFT溝道寬度縮小可以大大減少掃描線的線寬，從而可以大幅度提高像素的開ロ率。以46inch像素結(jié)構(gòu)為例，經(jīng)計(jì)算采用本像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)，開ロ率可以提升2. 6%。與現(xiàn)有技術(shù)相比，數(shù)據(jù)線設(shè)置像素単元中間位置后，其原來位置對應(yīng)的位置不用設(shè)置黑矩陣，由于亞像素單元與亞像素單元中間的液晶受到左右兩個(gè)方向像素電極的作用，該兩個(gè)電極形成的水平電場與摩擦方向一致，因此液晶不會(huì)發(fā)生旋轉(zhuǎn)，該位置處也不會(huì)發(fā)生漏光現(xiàn)象，可以確保顯示品質(zhì)。陣列基板上形成有公共電極和像素電極，而且在所述公共電極和/或像素電極上形成有狹縫；在同一個(gè)子像素単元中的狹縫方向保持一致；而且，位于同一條數(shù)據(jù)線兩側(cè)的所述第一子像素単元和第二子像素単元中的狹縫方向關(guān)于數(shù)據(jù)線對稱。在本實(shí)施例中，以公共電極在下、像素電極在上(即公共電極更靠近基板、像素電極更靠近液晶層)的結(jié)構(gòu)為例。公共電極與公共電極線4相連，以獲取到公共電壓；像素電極5通過過孔與薄膜晶體管的漏極相連。從圖2至圖5中可以看出，本實(shí)施例中的像素電極5上形成有狹縫，且數(shù)據(jù)線兩側(cè)的像素電極5的狹縫關(guān)于該數(shù)據(jù)線對稱排布。其中，設(shè)置彩膜基板上用于遮擋數(shù)據(jù)線區(qū)域的遮光層遮蓋在第一子像素単元7和第二子像素単元8的像素単元交叉區(qū)域3 (低光效區(qū))位置處，可優(yōu)化像素結(jié)構(gòu)，減少對開ロ率的損失。其中，TFT的漏極和像素電極通過過孔9連接。第一子像素単元和第二子像素單元中像素電極的縫隙方向形成夾角，所述過孔9位置分別設(shè)置在第一子像素単元7和第二子像素単元8的空位處，避免占用像素電極區(qū)域，最大程度的節(jié)省空間。具體的，參考圖2，當(dāng)?shù)谝蛔酉袼貑?和第二子像素單元8中像素電極5的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向TFT時(shí)，所述過孔9位置設(shè)置在數(shù)據(jù)線底部并緊貼在數(shù)據(jù)線I兩側(cè)位置處。參考圖3，當(dāng)?shù)谝蛔酉袼貐g元7和第二子像素単元8中像素電極5的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向TFT的反方向時(shí)，過孔9位置設(shè)置在數(shù)據(jù)線I底部并遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線I兩側(cè)位置處.上述兩種結(jié)構(gòu)設(shè)置，優(yōu)化了像素結(jié)構(gòu)，最大程度地節(jié)省占用像素電極的空間，實(shí)現(xiàn)了對開ロ率和透過率影響最小化。參考圖4，與現(xiàn)有的面板顯示區(qū)域的不同，本實(shí)施例的像素顯示區(qū)域中亞像素単元與亞像素單元之間并非完全規(guī)則的重復(fù)排列，而是將像素結(jié)構(gòu)中像素方向由兩種不同的亞像素結(jié)構(gòu)交叉分布并進(jìn)行拓展，從整體上避免了色偏現(xiàn)象。如圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例中TFT位置可實(shí)現(xiàn)易修補(bǔ)的效果。每個(gè)所述薄膜晶體管的源極通過兩個(gè)獨(dú)立的連接電極與其相鄰的數(shù)據(jù)線相連；所述連接電極與所述薄膜晶體管的源極、所述數(shù)據(jù)線一體制作。正常情況下，柵電極2打開，數(shù)據(jù)線I輸入充電信號(hào)，該充入的信號(hào)流經(jīng)兩個(gè)小TFT開關(guān)6形成分支，分別對第一子像素単元7和第二子像素単元8進(jìn)行獨(dú)立充電，具體的，該第一子像素単元7通過a — b — c完成充電，同時(shí)第二子像素単元8通過a — e — f完成充電，隨后信號(hào)通過d — h (或者g — h)傳遞給下一行的像素。當(dāng)“b”處存在數(shù)據(jù)線斷路(DO)時(shí)，第二子像素単元8正常充電，而第一子像素単元7通過a — e — f — g — d — c完成充電，不影響像素的充電效果；同理當(dāng)?shù)诙酉袼貐g元TFT上“e”處發(fā)生數(shù)據(jù)線斷路(DO)吋，第二子像素単元TFT通過a — b — c — d—g — f完成充電。由于數(shù)據(jù)線I與柵電極2不存在垂直交叉區(qū)域，因此交疊電容對線延遲的影響大大降低。由同一條數(shù)據(jù)線I輸入信號(hào)的左右兩個(gè)TFT，分別對第一子像素単元7和第二子像素単元8左右兩部分像素結(jié)構(gòu)進(jìn)行充電，當(dāng)其中的ー個(gè)TFT處發(fā)生數(shù)據(jù)線斷路(DO)或數(shù)據(jù)線和柵電極短路(DGS)時(shí)，另外ー個(gè)TFT仍然可以進(jìn)行正常充電，從而避免了上述不良對畫面品質(zhì)的影響。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，采用將數(shù)據(jù)線設(shè)置于像素単元的中間部分，同時(shí)連接兩個(gè)獨(dú)立薄膜晶體管開關(guān)進(jìn)行同時(shí)充電，可大幅度縮小掃描線寬度，提高像素開ロ率，同時(shí)，當(dāng)其中一個(gè)像素単元區(qū)域出現(xiàn)問題時(shí)，并不會(huì)影響另外ー個(gè)區(qū)域正常充電，最大程度的提聞廣品畫面品質(zhì)。另外，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述實(shí)施例中的陣列基板，本發(fā)明中的顯示裝置包括但不局限于液晶電視、平板電腦、液晶顯示器或其他電子顯示產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置中的陣列基板采用將數(shù)據(jù)線設(shè)置于像素単元的中部，同時(shí)連接兩個(gè)獨(dú)立的小薄膜晶體管開關(guān)進(jìn)行同時(shí)充電；由于同一亞像素由兩個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行充電，相應(yīng)地每個(gè)薄膜晶體管的溝道寬長比可以減小，同時(shí)由于本方案中的薄膜晶體管整體位于柵線上方，因此縮小薄膜晶體管柵極寬度，也就是縮小柵線的寬度。因此，利用本發(fā)明實(shí)施例提供的方案，可大幅度縮小掃描線寬度，提高像素開ロ率。本發(fā)明的描述是為了示例和描述起見而給出的，而并不是無遺漏的或者將本發(fā)明限于所公開的形式。很多修改和變化對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯然的。選擇和描述實(shí)施例是為了更好說明本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，并且使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明從而設(shè)計(jì)適于特定用途的帶有各種修改的各種實(shí)施例。權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括基板以及形成在所述基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定了若干個(gè)亞像素単元，其特征在于，數(shù)據(jù)線位于亞像素単元的中部，將亞像素単元分為第一子像素単元和第二子像素単元； 所述第一子像素単元和第二子像素単元各自單獨(dú)連接ー個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行獨(dú)立充電，而且所述薄膜晶體管整體位于所述柵線對應(yīng)的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線位于亞像素単元的中間位置。
3.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板上形成有公共電極和像素電極，而且在所述公共電極和/或像素電極上形成有狹縫； 在同一個(gè)子像素単元中的狹縫方向保持一致；而且，位于同一條數(shù)據(jù)線兩側(cè)的所述第一子像素單元和第二子像素單元中的狹縫方向關(guān)于數(shù)據(jù)線對稱。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜基板上用于遮擋數(shù)據(jù)線區(qū)域的遮光層遮蓋在第一子像素単元和第二子像素単元的像素単元交叉區(qū)域?qū)?yīng)位置處。
5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的漏極和像素電極通過過孔連接。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一子像素単元和第二子像素單元中像素電極的縫隙方向形成夾角，所述過孔位置分別設(shè)置在第一子像素単元和第二子像素単元的空位處。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，當(dāng)所述第一子像素単元和第二子像素単元中像素電極的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向薄膜晶體管時(shí)，所述過孔位置設(shè)置在數(shù)據(jù)線底部并緊貼在數(shù)據(jù)線兩側(cè)位置處。
8.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在干，當(dāng)所述第一子像素単元和第二子像素単元中像素電極的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向薄膜晶體管的反方向時(shí)，所述過孔位置設(shè)置在數(shù)據(jù)線底部并遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線兩側(cè)位置處。
9.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述薄膜晶體管的源極通過兩個(gè)獨(dú)立的連接電極與其相鄰的數(shù)據(jù)線相連； 所述連接電極與所述薄膜晶體管的源極、所述數(shù)據(jù)線一體制作。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。該陣列基板包括基板以及形成在所述基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定了若干個(gè)亞像素單元，數(shù)據(jù)線位于亞像素單元的中部，將亞像素單元分為第一子像素單元和第二子像素單元；第一子像素單元和第二子像素單元各自單獨(dú)連接一個(gè)薄膜晶體管進(jìn)行獨(dú)立充電而且薄膜晶體管整體位于所述柵線對應(yīng)的區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及顯示裝置，陣列基板及顯示裝置，采用將數(shù)據(jù)線設(shè)置于像素單元的中部，同時(shí)連接兩個(gè)獨(dú)立的小薄膜晶體管開關(guān)單獨(dú)進(jìn)行充電，可大幅度縮小掃描線寬度，提高像素開口率。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102759833SQ201210266429
公開日2012年10月31日 申請日期2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月27日
發(fā)明者劉莎 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司