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用于光刻設備的支撐臺、光刻設備以及器件制造方法

文檔序號:2687797閱讀:139來源:國知局
專利名稱:用于光刻設備的支撐臺、光刻設備以及器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于光刻設備的支撐臺、光刻設備以及使用光刻設備制造器件的方法。
背景技術(shù)
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上,通常是襯底的目標部分上的機器。例如,可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下,可以將可選地稱為掩?;蜓谀0?reticle)的圖案形成裝置用于生成將要形成在所述IC的單層上的電路圖案??梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如,硅晶片)上的目標部分(例如,包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層 上進行的。通常,單獨的襯底將包含被連續(xù)曝光的相鄰目標部分的網(wǎng)絡。公知的光刻設備包括所謂的步進機,在所述步進機中,通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分;以及所謂的掃描器,在所述掃描器中,通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來福射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。已經(jīng)提出將光刻投影設備中的襯底浸沒到具有相對高的折射率的液體中(例如水),以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。在一實施例中,液體是蒸餾水,但是也可以使用其他液體。將參照液體描述本發(fā)明的實施例。然而,其他流體也是適用的,尤其是浸潤流體、不可壓縮的流體和/或具有較空氣高的折射率的流體,期望具有比水高的折射率。不包括氣體的流體是尤其想要的。其重點在于允許對較小特征進行成像,因為曝光輻射在液體中將具有較短的波長。(液體的效果也可以認為是提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑同時增加了焦深。)也提出了其他的浸沒液體,包括含有懸浮的固體(例如,石英)顆粒的水,或具有納米顆粒懸浮物(例如具有最大尺寸為IOnm的顆粒)的液體。懸浮顆粒可以具有或不具有與其懸浮所在的液體類似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴,例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底和襯底臺浸入液體浴器(參見,例如美國專利No. US4, 509,852)意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機,而液體中的湍流可能會導致不希望的或不能預期的效果。在浸沒設備中,浸沒流體由流體處理系統(tǒng)、裝置結(jié)構(gòu)或設備來處理。在一實施例中,流體處理系統(tǒng)可以供給浸沒流體,因而是流體供給系統(tǒng)。在一實施例中,流體處理系統(tǒng)可以至少部分地限制浸沒流體,因而是流體限制系統(tǒng)。在一實施例中,流體處理系統(tǒng)可以提供阻擋浸沒流體的阻擋件,因而是阻擋構(gòu)件(例如流體限制結(jié)構(gòu))。在一實施例中,流體處理系統(tǒng)可以產(chǎn)生或使用氣流,例如以便幫助控制浸沒流體的流動和/或位置。氣流可以形成密封以限制浸沒流體,因而流體處理結(jié)構(gòu)可以稱為密封構(gòu)件;這種密封構(gòu)件可以是流體限制結(jié)構(gòu)。在一實施例中,浸沒液體被用作浸沒流體。在這種情況下,流體處理系統(tǒng)可以是液體處理系統(tǒng)。參照前面提到的內(nèi)容,在本段落中提到的有關(guān)流體的限定特征可以被理解成包括有關(guān)液體的限定特征。

發(fā)明內(nèi)容
在光刻設備中使用浸沒流體可以引入特定的困難。例如,使用浸沒流體會在光刻設備內(nèi)導致附加的熱負載,這會影響在襯底上形成圖像的精確度。在某些情況下,熱負載可能在整個襯底上是不均勻的,這導致圖像的不均勻的變化。作為示例,由于流體處理系統(tǒng)的操作和/或浸沒流體的蒸發(fā)可以引起熱負載。這些影響可以被局部化至襯底的一部分。因此,在襯底中可能存在局部溫度改變,由此導致襯底的局部熱膨脹或熱收縮。這又可能導致重疊誤差和/或臨界尺寸(CD)的局部變化。期望地,例如提供一種系統(tǒng),其中局部熱負載的影響被減小。 根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種用于光刻設備的支撐臺,所述支撐臺包括支撐部分,配置成在其上表面上支撐襯底的下表面;和調(diào)節(jié)系統(tǒng),配置成供給熱能至支撐部分和/或從支撐部分移除熱能;其中,當通過支撐部分支撐襯底時,襯底熱耦合至支撐部分,使得當調(diào)節(jié)系統(tǒng)供給熱能至支撐部分或從支撐部分移除熱能時,能量又分別從支撐部分傳遞至襯底或從襯底傳遞至支撐部分;和支撐部分、調(diào)節(jié)系統(tǒng)或兩者配置成使得由于調(diào)節(jié)系統(tǒng)的操作導致的來自襯底或至襯底的、襯底的每單位面積的熱傳遞在襯底的靠近襯底邊緣的第一區(qū)域比在襯底的襯底中心處的第二區(qū)域處大。根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種用于光刻設備的支撐臺,所述支撐臺包括支撐部分,配置成在其上表面上支撐襯底的下表面;支撐部分的上表面包括基部表面,所述基部表面配置成當襯底支撐在支撐部分上時基本上平行于襯底的下表面,并且支撐部分的上表面包括多個突節(jié),所述多個突節(jié)從基部表面突出且布置成使得在通過支撐部分支撐襯底時襯底僅接觸突節(jié)的上表面,其中突節(jié)配置成使得接觸襯底的與襯底邊緣鄰近的第一區(qū)域的突節(jié)的沿平行于支撐部分的上表面的方向的剛性比接觸襯底的處于襯底中心處的第二區(qū)域的突節(jié)的大,并且突節(jié)的沿垂直于支撐部分的上表面的方向的剛性對于接觸襯底的第一和第二區(qū)域的突節(jié)來說是基本上相同的。根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種光刻設備,包括支撐臺,配置成支撐襯底;調(diào)節(jié)系統(tǒng),配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能;位置測量系統(tǒng),配置成測量光刻設備內(nèi)的支撐臺的位置;和控制器,配置成基于包括所測量的支撐臺的位置的信息來控制調(diào)節(jié)系統(tǒng),以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能。根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種光刻設備,包括支撐臺,配置成支撐襯底;調(diào)節(jié)系統(tǒng),配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能;以及控制器,配置成控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能,所述控制器配置成使得,當支撐臺位于襯底將被裝載至支撐臺的位置時,控制器在襯底被裝載至支撐臺之前控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)開始將預期所需的熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除預期所需的熱能。根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種器件制造方法,包括使用光刻設備將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底,其中光刻設備包括配置成支撐襯底的支撐臺、配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能的調(diào)節(jié)系統(tǒng)以及配置成測量光刻設備內(nèi)的支撐臺的位置的位置測量系統(tǒng),所述方法包括步驟基于包括所測量的支撐臺的位置的信息來控制調(diào)節(jié)系統(tǒng),以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能。根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種器件制造方法,包括使用光刻設備將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底,其中光刻設備包括配置成支撐襯底的支撐臺、配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能的調(diào)節(jié)系統(tǒng),所述方法包括步驟在襯底被裝載至支撐臺之前控制調(diào)節(jié)系統(tǒng),以將預期所需的熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除預期所需的熱倉泛。


在此僅借助示例,參照所附示意圖對本發(fā)明的實施例進行描述,在所附示意圖中,相對應的附圖標記表示相對應的部件,且其中圖I示出根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設備;圖2和圖3示出用于光刻投影設備中的液體供給系統(tǒng);·圖4示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統(tǒng);圖5示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統(tǒng);圖6示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統(tǒng)的橫截面視圖;圖7示出可以用于本發(fā)明一個實施例的支撐臺的橫截面視圖;圖8示出可以用于本發(fā)明一個實施例的支撐臺的布置的平面圖;圖9示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的支撐臺的平面圖;圖10和11示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的支撐臺的一部分的局部平面圖;圖12至21每一個示出可以根據(jù)本發(fā)明的實施例使用的支撐臺的局部橫截面視圖;圖22示出可以用于本發(fā)明一實施例的襯底處理設備;圖23示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的支撐臺的一部分的平面圖;圖24示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的支撐臺的一部分的橫截面視圖;圖25示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的支撐臺的局部橫截面視圖。
具體實施例方式圖I示意的示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設備。該設備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL,其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如,紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射);-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT,其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA,并與配置成根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連;-支撐臺,例如用以支撐一個或多個傳感器的傳感器臺或構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的襯底)W的襯底臺WT,其與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位(例如襯底W的)臺的表面的第二定位裝置PW相連;和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS,其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。所述照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學部件,例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其他類型的光學部件,或它們的組合,以引導、成形、或控制輻射。
所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機械的、真空的或其他夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置MA。支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或臺,例如,其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng)PS)。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩?!倍伎梢哉J為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部 分上形成圖案的任何裝置。應當注意,被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的期望的圖案完全相符,例如,如果圖案包含相移特征或所謂的輔助特征。通常,被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應,例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的,并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型??删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置,可以獨立地傾斜每一個小反射鏡,以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述傾斜的反射鏡把圖案賦予到被反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應該廣義地解釋為包括各種類型的投影系統(tǒng),包括折射型光學系統(tǒng)、反射型光學系統(tǒng)、和反射折射型光學系統(tǒng)、磁性型光學系統(tǒng)、電磁型光學系統(tǒng)和靜電型光學系統(tǒng),或這些光學系統(tǒng)的任意組合,如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語“投影透鏡”可以認為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。如這里所述的,所述設備是透射型的(例如采用透射式掩模)。替換地,所述設備可以是反射型的(例如采用如上述類型的可編程反射鏡陣列,或采用反射式掩模)。所述光刻設備可以是具有兩個或更多臺(或操作臺或支撐結(jié)構(gòu)),例如兩個或更多個襯底臺或一個或更多個襯底臺和一個或多個清潔臺、傳感器臺或測量臺的組合的類型。例如,在一實施例中,光刻設備是多臺設備,包括位于投影系統(tǒng)的曝光側(cè)的兩個或更多個臺,每一個臺包括和/或保持一個或多個物體。在一實施例中,一個或多個臺可以保持輻射敏感襯底。在一實施例中,一個或多個臺可以保持傳感器以測量來自投影系統(tǒng)的輻射。在一實施例中,多臺設備包括配置成保持輻射敏感襯底(即襯底臺)的第一臺和配置成不保持輻射敏感襯底的第二臺(下文中一般地但不是限制地稱為測量臺、傳感器臺和/或清潔臺)。第二臺可以包括和/或保持一個或多個物體,而不是輻射敏感襯底。這種一個或多個物體可以包括選自下列的組的一個或多個用以測量來自投影系統(tǒng)的輻射的傳感器、一個或多個對準標記和/或清潔裝置(用以清潔,例如液體限制結(jié)構(gòu))。在這種“多臺”(或“多操作臺”)的機器中,可以并行地使用多個臺,或可以在將一個或更多個臺用于曝光的同時,在一個或更多個其他臺上執(zhí)行預備步驟。光刻設備可以具有兩個或多個圖案形成裝置臺(或操作臺或支撐結(jié)構(gòu)),其可以以類似的方式并行地用于襯底臺、清潔臺、傳感器臺和/或測量臺。
在一實施例中,光刻設備可以包括用以測量設備的部件的位置、速度等的編碼器系統(tǒng)。在一實施例中,所述部件包括襯底臺。在一實施例中,所述部件包括測量臺和/或傳感器臺和/或清潔臺。編碼器系統(tǒng)可以附加地或替換地為干涉儀系統(tǒng),其在此針對臺而言。編碼器系統(tǒng)包括傳感器、變換器或與標尺或柵格相關(guān)聯(lián)(例如成對的)的讀頭。在一實施例中,可移動部件(例如襯底臺和/或測量臺和/或傳感器臺和/或清潔臺)具有一個或多個標尺或柵格,并且所述部件相對其移動的光刻設備的框架具有一個或多個傳感器、變換器或讀頭。所述一個或多個傳感器、變換器或讀頭與所述標尺或柵格協(xié)同操作以確定所述部件的位置、速度等。在一實施例中,光刻設備的所述部件相對其移動的框架具有一個或多個標尺或柵格,并且可移動部件(例如襯底臺和/或測量臺和/或傳感器臺和/或清潔臺)具有一個或多個傳感器、變換器或讀頭,其與所述標尺或柵格協(xié)同操作以確定所述部件的位置、速度等。參照圖1,所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設備可以是分立的實體(例如當該源SO為準分子激光器時)。在這種情況下,不會考慮將該源SO作為光刻設備的組成部件,并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳 遞系統(tǒng)BD的幫助,將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下,所述源SO可以是所述光刻設備的組成部件(例如當所述源SO是汞燈時)??梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整裝置AD。通常,可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ -外部和σ -內(nèi)部)進行調(diào)整。此外,所述照射器IL可以包括各種其他部件,例如積分器IN和聚光器CO。所述照射器IL可以用于調(diào)節(jié)輻射束,以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。與源SO類似,照射器IL可以看作或不被看作光刻設備的一部分。例如,照射器IL可以是光刻設備的組成部分或可以是離開光刻設備的單獨的實體。在后一種情形中,光刻設備可以配置成允許照射器IL安裝其上??蛇x地,照射器IL是可拆卸的,并且可以單獨地設置(例如,通過光刻設備制造商或其他供應商)所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)ΜΤ上的所述圖案形成裝置(例如,掩模)ΜΑ上,并被圖案形成裝置MA圖案化。已經(jīng)穿過圖案形成裝置MA之后,所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS,所述PS將輻射束聚焦到襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如,干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助,可以精確地移動所述襯底臺WT,例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束PB的路徑中。類似地,例如在從掩模庫的機械獲取之后,或在掃描期間,可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖I中未明確示出)用于將圖案形成裝置MA相對于所述輻射束PB的路徑精確地定位。通常,可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精確定位)的幫助來實現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動。類似地,襯底臺WT的移動可以通過形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)。在步進機的情況下(與掃描器相反),所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連,或可以是固定的??梢允褂脠D案形成裝置對準標記Ml、M2和襯底對準標記P1、P2來對準圖案形成裝置MA和襯底W。雖然所示的襯底對準標記占用專用的目標部分,它們可以設置在目標部分(熟知的劃線對準標記)之間的空間中。類似的,在提供多于一個管芯到圖案形成裝置MA上的情形中,圖案形成裝置對準標記可以設置在管芯之間。圖示的裝置可以以至少一種下面的模式進行應用I.在步進模式中,在將賦予所述輻射束B的整個圖案一次投影到目標部分C上的同時,將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT保持為基本靜止(即,單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動,使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中,曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中,在將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標部分C上的同時,對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進行掃描(即,單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中,曝光場的最大尺寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標部分C的寬度(沿非掃描方向),而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分C的高度(沿所述掃描方向)。
3.在另一個模式中,將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止狀態(tài),并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上的同時,對所述襯底臺WT進行移動或掃描。在這種模式中,通常采用脈沖輻射源,并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間,根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應用于利用可編程圖案形成裝置(例如,如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體,或完全不同的使用模式。雖然本申請詳述了光刻設備在制造IC中的應用,應該理解到,這里描述的光刻設備可以有制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件的其他應用,例如制造集成光學系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。用于在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底之間提供液體的布置可以分成三種一般類型。它們是浴器類型布置、所謂的局部浸沒系統(tǒng)以及全浸濕系統(tǒng)。在浴器類型布置中,基本上整個襯底W和可選地襯底臺WT的一部分浸入到液體浴器中。局部浸沒系統(tǒng)使用液體供給系統(tǒng),以將液體僅提供到襯底的局部區(qū)域。由液體填滿的空間在平面圖中小于襯底的頂部表面,并且當襯底W在液體填充的區(qū)域下面移動的時候,所述區(qū)域相對于投影系統(tǒng)PS基本上保持靜止。圖2-6示出不同的供給裝置,其可以用于這種系統(tǒng)中。密封特征是為了將液體密封至局部區(qū)域。在PCT專利申請出版物W099/49504中公開一個方法,其提供用于此的布置。在全浸濕布置中,液體是非限制的。襯底臺的全部或部分和襯底整個頂部表面被覆蓋在浸沒液體中。至少覆蓋襯底的液體的深度小。液體可以是位于襯底上的液體膜,例如液體薄膜。浸沒液體可以被供給至面對投影系統(tǒng)的正對表面(該正對表面可以是襯底和/或襯底臺的表面)和投影系統(tǒng)的區(qū)域或該區(qū)域內(nèi)。圖2-5中的液體供給裝置中的任一種也可以用于這種系統(tǒng)中。然而,密封特征不存在、沒有起作用、不如正常狀態(tài)有效,或者以其它方式不能有效地僅將液體密封在局部區(qū)域。如在圖2和3中所示的,液體通過至少一個入口被供給到襯底上,優(yōu)選沿襯底相對于最終元件的移動方向。在已經(jīng)通過投影系統(tǒng)下面之后,通過至少一個出口移除。當襯底在所述元件下沿著-X方向掃描時,液體在元件的+X —側(cè)供給并且在-X —側(cè)移除。圖2是所述配置的示意圖,其中液體通過入口供給,并在元件的另一側(cè)通過與低壓源相連的出口移除。在圖2中,雖然液體沿著襯底相對于最終元件的移動方向供給,但這并不是必須的??梢栽谧罱K元件周圍設置各種方向和數(shù)目的 入口和出口 ;圖3示出了一個實例,其中在最終元件的周圍在每側(cè)上以規(guī)則的重復方式設置了四組入口和出口。要注意的是,圖2和3中的箭頭表示液體流動的方向。在圖4中示意地示出了另一個具有液體局部供給系統(tǒng)的浸沒光刻解決方案。液體由位于投影系統(tǒng)PS每一側(cè)上的兩個槽狀入口供給,由設置在入口的徑向向外的位置上的多個離散的出口移除。所述入口可以布置在板上,所述板在其中心有孔,輻射束通過該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個槽狀入口提供,而由位于投影系統(tǒng)PS的另一側(cè)上的多個離散的出口移除,由此造成投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可以依賴于襯底W的移動方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。注意的是,圖4中的箭頭表示液體流動的方向以及襯底的方向。另一種已經(jīng)提出的布置是提供具有液體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng),液體限制結(jié)構(gòu)沿著投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺之間的空間的至少一部分邊界延伸。圖5中示出這種布置。在一實施例中,光刻設備包括液體限制結(jié)構(gòu),其具有液體移除裝置,液體移除裝置具有用網(wǎng)狀物或類似的多孔材料覆蓋的入口。網(wǎng)狀物或類似的多孔材料提供接觸投影系統(tǒng)的最終元件和可移動臺(例如襯底臺)之間的空間內(nèi)的浸沒液體的孔的二維陣列。在一實施例中,網(wǎng)狀物或類似的多孔材料包括蜂巢或其他多邊形網(wǎng)狀物。在一實施例中,網(wǎng)狀物或類似的多孔材料包括金屬網(wǎng)狀物。在一實施例中,網(wǎng)狀物或類似的多孔材料圍繞光刻設備的投影系統(tǒng)的像場周圍的全部延伸。在一實施例中,網(wǎng)狀物或類似的多孔材料位于液體限制結(jié)構(gòu)的下表面上并且具有面朝向臺的表面。在一實施例中,網(wǎng)狀物或類似的多孔材料的底部表面的至少一部分基本上平行于臺的頂部表面。圖5示意地示出液體局部供給系統(tǒng)或流體處理結(jié)構(gòu)12,其沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺WT或襯底W之間的空間的至少一部分邊界延伸。(要說明的是,在下文中提到的襯底W的表面如果沒有特別地規(guī)定,也附加地或可選地表示襯底臺的表面。)盡管可以在Z方向(在光軸的方向上)上存在一些相對移動,但是流體處理結(jié)構(gòu)12在XY平面內(nèi)相對于投影系統(tǒng)基本上是靜止的。在一實施例中,密封被形成在流體處理結(jié)構(gòu)12和襯底W的表面之間,并且可以是非接觸密封,例如氣體密封(這種具有氣體密封的系統(tǒng)在歐洲專利申請出版物EP-A-1,420,298中公開)或液體密封。流體處理結(jié)構(gòu)12至少部分地將液體限制在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間的空間11內(nèi)。到襯底W的非接觸密封16可以形成在投影系統(tǒng)PS的像場周圍,使得液體被限制在襯底W的表面和投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間內(nèi)。該空間11至少部分地由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件的下面和周圍的流體處理結(jié)構(gòu)12形成。液體通過液體入口 13被引入到投影系統(tǒng)PS下面和流體處理結(jié)構(gòu)12內(nèi)的所述空間11中。所述液體可以通過液體出口 13移除。流體處理結(jié)構(gòu)12在投影系統(tǒng)PS的最終元件上面一點延伸。液面高于最終元件,使得能提供液體的緩沖器。在一實施例中,所述流體處理結(jié)構(gòu)12的內(nèi)周的上端處的形狀與投影系統(tǒng)PS的形狀或投影系統(tǒng)的最終元件的形狀一致,例如可以是圓形。在底部,內(nèi)周與像場的形狀大致一致,例如矩形,雖然并不是必須的。液體通過在使用時在所述流體限制結(jié)構(gòu)12的底部和襯底W的表面之間形成的氣體密封16限制在空間11中。氣體密封由氣體形成。這些氣體在負壓下通過入口 15提供到流體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的間隙。氣體通過出口 14抽取。氣體入口 15處的過壓、出口 14處的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得形成向內(nèi)的高速氣流16,從而限制液體。氣體作用在流體限制結(jié)構(gòu)12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間11內(nèi)。入口 /出口可以是圍繞空間11的環(huán)形槽。環(huán)形槽可以是連續(xù)的或非連續(xù)的。氣流16有效地將液體限制在空間11中。這種系統(tǒng)在美國專利申請出版物US2004-0207824中公開,其通過參考全文并于此。在一實施例中,流體處理結(jié)構(gòu)12不具有氣體密封。圖6示出流體處理結(jié)構(gòu)12,其是液體供給系統(tǒng)的一部分。流體處理結(jié)構(gòu)12圍繞投影系統(tǒng)PS的最終元件的外周(例如圓周)延伸。·部分地限定空間11的表面內(nèi)的多個開口 20提供液體至空間11。液體在進入空間11之前分別通過側(cè)壁28、22中的開口 29、20,分別通過相應的腔24、26。在流體處理結(jié)構(gòu)12的底部和正對表面(例如襯底W、或襯底臺WT或兩者)之間提供密封。在圖6中,密封裝置配置成提供無接觸密封并且由若干個部件組成。在投影系統(tǒng)PS的光軸徑向向外的位置處,(可選地)設置流動控制板53,其延伸進入空間11??刂瓢?3可以具有開口 55以允許流動液體通過;如果控制板53沿Z方向移動(例如平行于投影系統(tǒng)PS的光軸),則開口 55可以是有利的。流體處理結(jié)構(gòu)12的面對(例如相對)所述正對表面(例如襯底W)的底部表面上的流動控制板53的徑向向外位置處,可以是開口 180。開口 180可以沿朝向正對表面的方向提供液體。在成像期間,這可以有利于通過用液體填充襯底W和襯底臺WT之間的間隙而阻止浸沒液體中形成氣泡。開口 180的徑向向外的位置處可以是抽取器組件70,用以從流體處理結(jié)構(gòu)12和正對表面之間抽取液體。抽取器組件70可以作為單相或雙相抽取器操作。抽取器組件70用于液體的彎液面320的彎液面釘扎特征。抽取器組件的徑向向外的位置處可以是氣刀90。在美國專利申請出版物第US2006/0158627號中詳細公開一種抽取器組件和氣刀的布置,這里通過參考全文并入此。作為單相抽取器的抽取器組件70可以包括液體移除裝置、抽取器或入口,例如在美國專利申請出版物第US2006-0038968號中詳細公開的一種,這里通過參考全文并入此。在一實施例中,液體移除裝置70包括入口 120,其被多孔材料111覆蓋,多孔材料用于將液體和氣體分開以允許單液相的液體抽取。腔121內(nèi)的負壓被選擇成使得多孔材料111的孔內(nèi)形成的彎液面阻止周圍環(huán)境氣體被抽入液體移除裝置70的腔121內(nèi)。然而,當多孔材料111的表面與液體接觸時,沒有彎液面限制流動并且液體可以自由地流入液體移除裝置70的腔121內(nèi)。多孔材料111具有大量的小孔,每一個小孔具有5-50微米范圍內(nèi)的尺寸,例如寬度(例如直徑)。多孔材料111在將要被移除的液體的表面(例如正對表面,如襯底W的表面)以上的高度可以保持在50至300微米范圍內(nèi)。在一實施例中,多孔材料111是至少輕微親液的,即到例如水等浸沒液體的動態(tài)接觸角小于或等于90°,期望小于或等于85°,或期望地小于或等于80°。氣刀90的徑向向外的位置處可以設置一個或多個出口 210,用以從氣刀90移除氣體和/或通過氣刀90逃逸的液體。所述一個或多個出口 210可以位于氣刀90的一個或多個出口之間。為了便于引導流體(氣體和/或液體)至出口 210,可以在液體限制結(jié)構(gòu)12內(nèi)設置凹陷220,其方向為從氣刀90的出口和/或氣刀90的出口之間朝向出口 210。雖然在圖6中沒有具體示出,但是液體供給系統(tǒng)具有用以處理液體的水平面變化的布置。這使得在投影系統(tǒng)PS和液體限制結(jié)構(gòu)12之間建立的液體(并形成彎液面400)可以被處理并且不會逃逸。一種處理這種液體的方法是提供疏液(例如疏水)涂層。涂層可以在投影系統(tǒng)PS的最終光學元件周圍和/或圍繞開口的流體處理結(jié)構(gòu)12的頂部周圍形成帶。該涂層可以在投影系統(tǒng)PS的光軸的徑向向外位置處。疏液(例如疏水)涂層有助于將浸沒液體保持在空間11內(nèi)。附加地或替換地,可以設置一個或多個出口 201以移除相對于結(jié)構(gòu)12到達一定高度的液體。另一局部區(qū)域布置是流體處理結(jié)構(gòu),其使用氣體拖曳原理。所謂的氣體拖曳原理已經(jīng)在例如美國專利申請出版物US 2008-0212046、US2009-0279060以及US2009-0279062中描述。在那種系統(tǒng)中,抽取孔以期望具有角部的形狀的形式布置。角部可以與優(yōu)選的例如步進或掃描方向等移動方向?qū)省T谘貎?yōu)選方向的給定速度下,相對于兩個出口垂直于優(yōu)選方向?qū)实那樾?,這減小了作用在流體處理結(jié)構(gòu)的表面中的兩個開口之間的彎液面上的力。然而,本發(fā)明的一個實施例可以應用于流體處理系統(tǒng),其在平面上可以·具有任何形狀,或具有例如以任何形狀布置的抽取開口等部件。在非限制列表中的這種形狀可以包括諸如圓形等橢圓、諸如矩形(例如,方形)等直線型形狀或諸如菱形等平行四邊形,或具有多于四個角的(例如四個或更多個頂點)有角形狀。在與本發(fā)明的實施例相關(guān)的US 2008/0212046A1中的系統(tǒng)的變體中,布置開口所形成的有角形狀的幾何形狀允許尖銳的角(大約60°和90°之間、期望75°和90°之間,最期望在75°和85°之間)呈現(xiàn)為角部與掃描和步進方向?qū)省_@允許在每個對準角部的方向上的速度的提高。這是因為減少了由于在掃描方向上的(例如超過臨界速度)不穩(wěn)定的彎液面導致的液體液滴形成。在角部與掃描和步進方向?qū)实那樾沃?,在兩個方向上都可以實現(xiàn)增大的速度。期望地,沿掃描和步進方向的移動速度可以基本上相等。在光刻設備中,襯底可以支撐在支撐臺上。具體地,支撐臺可以包括支撐部分,所述支撐部分配置成支撐襯底的下表面。支撐部分的上表面可以例如包括基部表面,所述基部表面具有從基部表面突出的多個突節(jié)。襯底的下表面可以支撐在突節(jié)的上表面上。這種布置可以最小化或減小襯底與支撐臺接觸的總面積,由此最小化或減小污染物在支撐臺和襯底之間轉(zhuǎn)移的可能性,和/或最小化或減小可以導致襯底變形的污染物位于襯底和其在支撐臺上的支撐結(jié)構(gòu)之間的可能性。在一實施例中,襯底下面的圍繞突節(jié)的空間可以連接至負壓源。因而,襯底可以被真空夾持至支撐臺。在局部熱負載作用在襯底和/或支撐臺上的情形中,例如在襯底內(nèi)存在局部溫度變化,這導致局部的熱膨脹或熱收縮,在平行于襯底的上、下主表面的方向最顯著。然而,襯底的熱膨脹和/或熱收縮受到夾持襯底的支撐臺的抵抗。具體地,阻止熱膨脹和/或熱收縮的力可以經(jīng)由突節(jié)被施加至襯底。在朝向襯底中心的區(qū)域內(nèi),在襯底的每個局部部分周圍的任何方向上都存在突節(jié)。這些周圍的突節(jié)可以提供力抵抗熱膨脹和/或熱收縮。然而,在圍繞襯底邊緣的區(qū)域內(nèi),僅在朝向襯底中心的方向上存在與突節(jié)的接觸。換句話說,沒有力被施加至襯底的區(qū)域以抵抗來自超出襯底邊緣的熱膨脹和/或熱收縮。
因而,對于襯底局部區(qū)域的給定溫度變化,襯底的凈熱膨脹或收縮,也就是在考慮由于與突節(jié)接觸導致的對膨脹或收縮的抵抗之后,在靠近襯底邊緣的區(qū)域內(nèi)將大于襯底中心中的。這種效應不僅施加由于襯底的局部熱負載和/或局部溫度變化引起的熱膨脹和/或收縮,而且也施加在整個襯底上均勻施加的熱負載和/或溫度變化。為了減小或最小化襯底內(nèi)的溫度變化,設置調(diào)節(jié)系統(tǒng),其提供熱能至支撐臺的支撐部分和/或從支撐臺的支撐部分移除熱能。因此,可以提供熱或移除熱,以便補償襯底和/或支撐臺上的熱負載。調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以直接提供熱至支撐部分或從支撐部分直接移除熱,以補償支撐臺上的熱負載。而且,調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以提供熱至支撐部分或從支撐部分移除熱,使得熱從支撐部分流到襯底,或從襯底流到支撐部分,以便補償襯底上的熱負載。在本發(fā)明的一個實施例中,支撐部分、調(diào)節(jié)系統(tǒng)或兩者配置成使得在使用期間由于調(diào)節(jié)系統(tǒng)的操作導致的至襯底的熱傳遞或來自襯底的熱傳遞在整個襯底上是不均勻的。 具體地,在一實施例中,系統(tǒng)配置成使得每襯底單位面積的至襯底的熱傳遞或來自襯底的熱傳遞在襯底邊緣處的襯底的一個或多個區(qū)域中的比在襯底中心處或附近的一個或多個區(qū)域中的大。換句話說,支撐部分和/或調(diào)節(jié)系統(tǒng)配置成使得調(diào)節(jié)系統(tǒng)的影響在襯底的邊緣區(qū)域處比在中心區(qū)域處大。這種系統(tǒng)可以配置成使得對于給定的熱負載,在其邊緣區(qū)域的襯底溫度改變可以小于在其中心區(qū)域處襯底的溫度改變。這可以補償上面討論的對于給定局部溫度變化的在整個襯底上的所導致的熱膨脹和/或熱收縮的變化。因而,可以減小或最小化在整個襯底上的所導致的襯底膨脹和/或收縮的變化。下面描述的是不同的實施例,其可以導致在調(diào)節(jié)系統(tǒng)的操作期間襯底每單位面積上的至襯底的熱傳遞或來自襯底的熱傳遞在邊緣區(qū)域中的比在襯底中心區(qū)域處的大。從其中調(diào)節(jié)系統(tǒng)的影響被最大化或增大的一個或多個邊緣區(qū)域至其中調(diào)節(jié)系統(tǒng)的影響不太大的襯底的一個或多個內(nèi)部區(qū)域可以存在逐漸的變化。在本發(fā)明的一個實施例中,支撐部分和/或調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以配置成使得在其中調(diào)節(jié)系統(tǒng)的影響較大的邊緣區(qū)域與其中調(diào)節(jié)系統(tǒng)的影響相對減小的中心區(qū)域之間存在明顯的區(qū)域。在兩種情形中,邊緣和中心區(qū)域的相對位置的布置可以適當?shù)剡x擇,使得調(diào)節(jié)系統(tǒng)的影響的變化響應于局部溫度變化最佳地補償襯底的熱膨脹和/或熱收縮的變化,如上面討論的那樣。根據(jù)本發(fā)明一個實施例的支撐臺可以采用這些方面的任何組合。圖7示意地示出提供本發(fā)明一個實施例的支撐臺WT。圖7中示出的實施例被簡化,并且襯底臺的用于解釋本發(fā)明實施例所不需要的特征沒有示出。不過,本發(fā)明一個實施例的支撐臺可以包括許多這些附加的特征。如圖所示,支撐臺WT可以包括支撐部分22,其配置成支撐襯底W。具體地,襯底W可以通過多個突節(jié)20支撐。支撐臺WT還包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)21,其提供熱能至支撐部分22和/或從支撐部分22移除熱能。襯底W例如通過物理接觸襯底W下表面的突節(jié)20的熱傳導而熱耦合至支撐部分
22。換句話說,當調(diào)節(jié)系統(tǒng)21提供熱能至支撐部分22或從支撐部分22移除熱能,能量又分別從支撐部分傳遞至襯底或從襯底傳遞至支撐部分。如下文討論的,支撐部分22和/或調(diào)節(jié)系統(tǒng)21配置成使得在操作期間,襯底每單位面積的至襯底的熱傳遞或來自襯底的熱傳遞在襯底W的第一外側(cè)區(qū)域26中,即鄰近襯底W的邊緣的區(qū)域中,比在襯底的第二內(nèi)側(cè)區(qū)域27中的大。為了方便描述,應該認識到,支撐部分22包括鄰近并熱耦合至襯底W的外側(cè)區(qū)域26的外側(cè)區(qū)域24。支撐部分還包括靠近且熱耦合至襯底W的內(nèi)側(cè)區(qū)域27的內(nèi)側(cè)區(qū)域25。圖8示意地示出本發(fā)明一個實施例。如圖所示,調(diào)節(jié)系統(tǒng)21包括加熱器系統(tǒng)30,相比于內(nèi)側(cè)區(qū)域25,所述加熱器系統(tǒng)可以在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)提供至支撐部分的、支撐部分22上表面的每單位面積的更多熱能。如圖9所示,在一實施例中,這種加熱器系統(tǒng)可以包括可 單獨地例如通過控制器31控制的至少第一加熱器單元和第二加熱器單元30a、30b。至少一個加熱器單元30a可以配置成提供熱至支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24,并且至少一個另一加熱器單元30b可以配置成提供熱能至支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25。通過獨立地控制加熱器單元30a、30b,可以將支撐部分22上表面每單位面積的更多的熱能提供至外側(cè)區(qū)域24(相比于內(nèi)側(cè)區(qū)域25)。例如,加熱器單元30a、30b可以是結(jié)構(gòu)類似的電加熱器,例如電阻加熱器。在那種情形中,控制器31可以配置成使得在操作時提供至加熱支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24的加熱器單元30a的電流大于提供給加熱支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25的加熱器單元30b的電流。在一實施例中,可以使用薄膜加熱器。薄膜加熱器可以包括由例如薄層形成的加熱元件。例如通過粘合或作為涂層應用薄膜加熱器。替換地或附加地,加熱器系統(tǒng)30可以配置成使得對于共同的輸入,在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)支撐部分22上表面每單位面積產(chǎn)生的熱大于在內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的。例如,如果加熱器系統(tǒng)30包括細長的電加熱器元件,例如電阻加熱元件,則加熱系統(tǒng)可以配置成使得在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的支撐部分22上表面每單位面積的加熱元件的長度大于在內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的。這種系統(tǒng)可以允許使用單個加熱單元,例如單個細長的電加熱元件,以將熱提供至外側(cè)區(qū)域24和內(nèi)側(cè)區(qū)域25。這可以通過在外側(cè)區(qū)域和內(nèi)側(cè)區(qū)域24、25中的電加熱元件的布置差異來實現(xiàn)。有利地,這種系統(tǒng)僅需要單個的控制器。圖10和11示出這種實施方式的布置。在每一種情形中,示出支撐部分22的一部分,以及用于形成加熱系統(tǒng)30的細長電加熱元件32的一部分。如圖10所示,與內(nèi)側(cè)區(qū)域25相比,通過減小細長電加熱元件32的相鄰部分之間的間隔,能夠?qū)崿F(xiàn)在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的支撐部分22上表面每加熱面積上的較長的加熱元件。替換地或附加地,如圖11所示,在沿蜿蜒路徑設置細長的電加熱元件32的布置中,在外側(cè)區(qū)域24中細長電加熱元件32的蜿蜒比在內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的更密集。在一實施例中,調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以包括在支撐部分22內(nèi)的溝道35??梢蕴峁┱{(diào)節(jié)流體使其流過溝道35。調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以包括調(diào)節(jié)單元(未示出),其供給調(diào)節(jié)流體至溝道,可選地驅(qū)動調(diào)節(jié)流體通過所述溝道,例如沿著通過支撐部分22的多個區(qū)域的路徑,并且一旦調(diào)節(jié)流體已經(jīng)完成支撐部分22內(nèi)的路徑則去除調(diào)節(jié)流體。調(diào)節(jié)單元可以包括加熱器和/或冷卻器,以便調(diào)節(jié)供給至溝道35的調(diào)節(jié)流體的溫度,使得調(diào)節(jié)流體在沿通過支撐部分22的路徑流動時可以將熱提供至支撐部分22和/或從支撐部分22去除熱。
在一實施例中,溝道35的路徑可以配置成使得溝道通過支撐部分22的至少外側(cè)區(qū)域24和內(nèi)側(cè)區(qū)域25。如圖12所示,溝道35可以通過一個或兩個區(qū)域多次。在一實施例中,支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的溝道35的一部分36可以被修改,以便相比于來自支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的溝道35的未修改部分中的熱傳遞,增大了從溝道35的修改部分36內(nèi)的調(diào)節(jié)流體至支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24的熱傳遞。在一實施例中,溝道35的修改部分36可以比支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的溝道35的部分具有較小的橫截面面積。這將導致溝道35的修改部分36內(nèi)的調(diào)節(jié)流體的速度大于溝道35的未修改部分內(nèi)的調(diào)節(jié)流體的速度,使得體積流量相同。作為速度提高的結(jié)果,調(diào)節(jié)流體內(nèi)的湍流可能被增大,由此提高在調(diào)節(jié)流體通過溝道35的修改部分36的情況下調(diào)節(jié)流體和支撐部分之間的熱傳遞。替換地或附加地,溝道35的修改部分36可以配置成使得在修改部分36內(nèi)的溝道 的表面粗糙度大于溝道35的未修改部分內(nèi)的溝道的表面粗糙度。再次,這可以相對于內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的傳遞提高在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的調(diào)節(jié)流體和支撐部分之間的熱傳遞。例如,表面粗糙度可以弓I入流動中的湍流。替換地或附加地,溝道35的修改部分36在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)通過的路徑可以配置成相比于支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25中的溝道35的未修改部分具有較多數(shù)量的角部和/或具有較尖銳的角部。這可以提高溝道35的修改部分36內(nèi)的調(diào)節(jié)流體的流動湍流,再次提高外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的調(diào)節(jié)流體和支撐部分22之間的熱傳遞。替換地或附加地,如圖12詳細示出的,支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的溝道35的修改部分36可以布置成使得溝道35的修改部分36的橫截面的周長大于支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的溝道35的未修改部分的橫截面的周長。相比于內(nèi)側(cè)區(qū)域25,對于外側(cè)區(qū)域中支撐部分22的上表面的每給定單位面積,增大溝道35的修改部分36的橫截面的周長導致調(diào)節(jié)流體和支撐部分22之間的接觸面積增大。通過適當?shù)剡x擇修改部分36內(nèi)溝道35的橫截面形狀,可以相比于溝道35的未修改部分獲得增大的溝道35的橫截面周長,而相比于未修改部分仍然獲得在修改部分36內(nèi)的溝道35的較小的總橫截面面積。例如通過選擇至少一部分具有相對高的長寬比的形狀的橫截面可以實現(xiàn)上述配置或選擇。在一實施例中,輸送調(diào)節(jié)流體的溝道的路徑可以配置成使得支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的溝道35的相鄰部分37之間的間隔小于內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的溝道35的相鄰部分之間的間隔。與前面一樣,相比于支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25和調(diào)節(jié)流體之間的熱傳遞,這可以提高支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24和調(diào)節(jié)流體之間的熱傳遞。這種布置可以布置成使得與支撐部分22的上表面的給定面積相對應的溝道35的總的體積在外側(cè)區(qū)域24中的大于在內(nèi)側(cè)區(qū)域25中的,由此相比于內(nèi)側(cè)區(qū)域25提高了外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的熱傳遞。如圖13所示,可以整個地實現(xiàn)這種布置,即使外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的溝道35的每個部分37的橫截面面積小于支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的溝道35的各部分的橫截面面積。因此,可以獲得相比于內(nèi)側(cè)區(qū)域、在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)有較大體積的調(diào)節(jié)流體通過支撐部分22的與支撐部分22的上表面的給定面積相對應的區(qū)域的優(yōu)點,以及同時相比于具有上述優(yōu)點的支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25中的調(diào)節(jié)流體速度、還提供在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的溝道35的部分37內(nèi)提供較高的調(diào)節(jié)流體速度的優(yōu)點,即,這樣的布置可以具有以上優(yōu)點的組合。在一實施例中,溝道35的一部分可以分成平行的子溝道。例如,沿溝道35的中途,溝道的一部分可以分支進入兩個或多個部分。這可以提供溝道35的相鄰部分37,例如如圖13所示。替換地或附加地,如圖14具體示出的,溝道加熱器53可以設置在一個或多個溝道35內(nèi)、或鄰近一個或多個溝道35、或圍繞一個或多個溝道35設置。溝道加熱器53可以包括多個加熱器。在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的多個加熱器的空間密度可以比在內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的布置得高。在一實施例中,在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)加熱器可以比在內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)的更靠近間隔。在一實施例中,例如在外側(cè)區(qū)域24中加熱器可以比在內(nèi)側(cè)區(qū)域中的大,例如長。在一實施例中,在外側(cè)區(qū)域24中加熱器可以比在內(nèi)側(cè)區(qū)域25中的加熱器更大范圍地圍繞溝道。在一實施例中,相比于內(nèi)側(cè)區(qū)域25中的加熱器,在外側(cè)區(qū)域24中加熱器可以布置成將熱供給至溝道35的較大比例的表面區(qū)域(例如通過更靠近地間隔、更長和/或通過更大范圍地圍繞溝道35)。相比于內(nèi)側(cè)區(qū)域25,在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)加熱器的較高的空間密度能夠提供支撐部分22的每單位面積的較高的加熱功率,而不需要復雜的控制系統(tǒng)調(diào)節(jié)單個加熱器的加熱功率。在一·實施例中,對于每個加熱器或加熱器的相同的每單位面積提供至加熱器的加熱功率相同。在提供調(diào)節(jié)流體至支撐部分22內(nèi)的溝道的實施例中,可以替換地或附加地,將調(diào)節(jié)系統(tǒng)配置成使得調(diào)節(jié)流體被提供至支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的溝道35的端部并從支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的溝道35的端部被抽取。因此,調(diào)節(jié)流體可以首先通過支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的溝道35的各部分。在這個階段,調(diào)節(jié)流體和支撐部分22之間的溫度差異可以是最大的(不考慮支撐部分22上的溫度變化,因為支撐部分和調(diào)節(jié)流體之間的熱傳遞,溫度差將沿溝道35的長度下降)。因此,在調(diào)節(jié)流體首先通過的區(qū)域內(nèi)熱傳遞的速率最大。因而,在上述布置中,調(diào)節(jié)流體和支撐部分22之間的熱傳遞速率在支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的比在支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)的大。在一實施例中,例如下面介紹的,支撐部分22可以配置成使得相比于內(nèi)側(cè)區(qū)域25,在外側(cè)區(qū)域24中支撐部分22和襯底W之間的熱能傳遞的阻力減小。如上討論的,支撐部分22可以包括多個突節(jié)20,其支撐襯底W的下表面。由通過突節(jié)20的熱傳導,突節(jié)20還為支撐部分22和襯底W之間的熱傳遞提供最小的阻力。在一實施例中,突節(jié)20布置成使得襯底W和/或支撐部分22的上表面的每單位面積的、突節(jié)20與襯底W接觸的總面積在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的比在內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的大。因此,與突節(jié)20接觸使得熱可以在突節(jié)20和襯底W之間傳遞的襯底W面積的百分比在外側(cè)區(qū)域24中的比在內(nèi)側(cè)區(qū)域25中的高。在一實施例中,如圖15所示,通過對支撐部分22的外側(cè)區(qū)域和內(nèi)側(cè)區(qū)域24、25使用不同尺寸的突節(jié)20a、20b,可以提供與突節(jié)接觸的襯底面積的百分比的差異。具體地,在外側(cè)區(qū)域24中與襯底W的下表面接觸的每個突節(jié)20a的面積比在內(nèi)側(cè)區(qū)域25中突節(jié)20b與襯底W的下表面接觸的面積大。替換地或附加地,如圖16所示,在一實施例中,通過調(diào)節(jié)突節(jié)20的間隔,襯底W的每單位面積上突節(jié)20與襯底W的下表面接觸的總面積在整個支撐部分22上是可以變化。例如,如圖16所示,外側(cè)區(qū)域24內(nèi)突節(jié)20之間的間隔相比于內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的突節(jié)20的間隔可以減小。因此,支撐部分22的上表面的每單位面積上突節(jié)20的總數(shù)量在外側(cè)區(qū)域24中比在內(nèi)側(cè)區(qū)域25中的大。例如上述的在襯底W的每單位面積上與襯底W的下表面接觸的突節(jié)20的總面積在整個襯底W上存在分布的布置會引起襯底W的變形。具體地,這種布置可以導致由突節(jié)20提供的支撐力在整個襯底W上的分布的變化。這又可以引起突節(jié)20的變形的變化,使得甚至沒有提供襯底W的支撐。在一實施例中,通過適當?shù)乜刂埔r底W至支撐部分22的真空夾持,可以部分地或完全地補償這種變化。具體地,突節(jié)20周圍的負壓可以布置成在整個襯底W上變化,使得真空夾持力在整個襯底W上變化。這可以例如通過將通至突節(jié)20周圍的空間的多個開口設置連接至用于提供真空夾持的負壓源并且通過例如用于控制每個開口處的壓力的適當閥而被布置。在一實施例中,如圖17所示,突節(jié)20的間隔和每個突節(jié)20與襯底W的下表面接觸的總面積在整個支撐部分22上保持恒定。這可以是有利的,因為這可以防止在襯底被固·定至突節(jié)20時由突節(jié)20提供的支撐力的分布的變化引起的襯底W的變形,支撐力的分布的變化是由于在整個襯底W上襯底W的每單位面積上的突節(jié)20與襯底W的下表面接觸的總面積的分布導致的。在圖17示出的布置中,相比于內(nèi)側(cè)區(qū)域25,通過配置支撐部分22的(突節(jié)20突出所在的)基部表面使得在外側(cè)區(qū)域24中的基部表面的部分22a與襯底W的下表面之間的間隔小于支撐部分22的基部表面的部分22b與內(nèi)側(cè)區(qū)域25中襯底W的下表面之間的間隔,能夠減小對于在外側(cè)區(qū)域24中的支撐部分22和襯底W之間的熱能傳遞的阻力。通過減小在外側(cè)區(qū)域24中的間隔,可以提高通過空氣間隙(其可以低于周圍環(huán)境壓力)的熱導率。可以為基部表面提供多個中間水平。附加地或替換地,可以提供斜坡表面而不是臺階表面(如圖所示)。替換地或附加地,通過使用外側(cè)區(qū)域24中的修改的突節(jié)40可以降低在外側(cè)區(qū)域24中通過支撐部分22和襯底W的下表面之間的空氣間隙的熱阻力的減小。如圖18所示,修改的突節(jié)40可以具有第一部分41,所述第一部分41布置成與襯底W的下表面接觸并對應在內(nèi)側(cè)區(qū)域25中使用的未修改的突節(jié)20。修改的突節(jié)40可以進一步包括第二部分42,第二部分42比第一部分41從支撐部分22的基部表面突出較少,因而不與襯底W的下表面接觸。因而,修改的突節(jié)40的第二部分42的每一個提供一區(qū)域,在該區(qū)域中支撐部分22和襯底W的下表面之間的間隔被減小,但不影響襯底W的下表面的每單位面積上突節(jié)20與襯底W接觸的總面積。如圖18所示,每個修改的突節(jié)40的第二部分42可以圍繞第一部分41。對于所有修改的突節(jié)40,第二部分42的尺寸不需要相同。因此,例如,修改的突節(jié)的第二部分42的寬度和/或高度可以隨著離開支撐部分22的中心的距離增大而增大,使得對支撐部分22和襯底W之間的熱傳遞的阻力朝向襯底W邊緣減小。替換地或附加地,如圖19所示,支撐部分22可以包括一個或多個凸起45,其設置在突節(jié)20之間。凸起45可以布置成使得它們不與任一突節(jié)20鄰接。這可以有利于制造支撐部分22。然而,通過在外側(cè)區(qū)域24內(nèi)設置局部區(qū)域(在該局部區(qū)域中支撐部分22的最上表面和襯底W的下表面之間的間隔減小),可以減小對通過氣體間隙在支撐部分22和襯底W之間傳遞熱能的阻力。依次,對支撐部分22和襯底W之間熱能的傳遞的阻力在外側(cè)區(qū)域24中比在內(nèi)側(cè)區(qū)域25中低。
在一實施例中,至少一個凸起45可以配置成使得其上表面形成圍繞支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24延伸的環(huán)面,也就是包圍內(nèi)側(cè)區(qū)域25。這可以便于制造。在一實施例中,凸起45可以配置成使得上表面基本上形成圍繞支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24延伸(例如,一系列的同心環(huán))的環(huán)面,但是被分成多個部分。這提供多個開口用以幫助確保凸起45的兩側(cè)之間的氣體容易的流動。這可以確保,最小化用于將襯底W真空夾持至支撐部分22的負壓的局部降低。如下文進一步介紹的,在一實施例中,可以在支撐部分22的整個上表面分布式地設置凸起45,也就是在外側(cè)區(qū)域24和內(nèi)側(cè)區(qū)域25都設置。在這種布置中,凸起45可以配置成一系列的同心環(huán),其可以如上所述那樣每一個具有多個開口。在這種布置中,突節(jié)20可以布置在凸起45的相鄰同心環(huán)之間。設置這種布置可以便于制造支撐部分22。在一實施例中,至少一個凸起45可以配置成使得凸起45的上表面和襯底W的被支撐部分22支撐的下表面之間的間隔為10 μ m或更小。在這種實施方式中,支撐部分22 的基部表面離襯底W的下表面的間隔可以是150 μ m。替換地,支撐部分22的基部表面和襯底W的下表面之間的間隔可以較大,例如是400μπι或更大。在具有多個凸起45的實施例中,襯底W的下表面面積的大約50%可以位于凸起45正上方。因而,支撐部分22和襯底W之間的熱導率可以提高。具體地,在所有其他因素保持不變的情況下,熱傳遞提高大約2至3倍。在一實施例中,如圖20所示,凸起45的位置和尺寸可以選擇成使得在浸沒光刻設備中使用支撐臺期間,浸沒流體的薄層布置在凸起45的上表面和襯底W的下表面之間。這種浸沒流體的薄層可以顯著地減小對支撐部分22和襯底W之間的熱傳遞的阻礙,而不會在襯底W上提供物理限制,例如在凸起45與襯底W直接物理接觸的情況下是這種情形。在一個實施例,凸起45可以位于布置用以阻止或限制襯底W下面的浸沒流體從襯底W邊緣向襯底W的中心轉(zhuǎn)移的兩個密封部47之間??梢杂裳由熘脸浞挚拷r底下側(cè)的位置、以便提供想要的密封功能的環(huán)形凸起形成兩個密封部47。在一實施例中,凸起45不是環(huán)形的,以便幫助確保在兩個密封部47之間的區(qū)域內(nèi)的壓力不均勻。例如,凸起45可以沿在凸起的部分之間具有一個或多個開口的外周(例如圓周)路徑布置,以將最內(nèi)側(cè)密封部47和凸起45之間的區(qū)域連接至最外側(cè)密封部47和凸起45之間的區(qū)域。在該位置,例如在使用期間,浸沒流體被圍繞被突節(jié)20提供的用于將襯底W真空夾持至支撐部分22的負壓抽取朝向凸起45。凸起45相對于襯底W的下表面的高度可以被選擇成使得凸起45的頂部和襯底W的下表面之間的間隙使得浸沒流體被保留在間隙內(nèi)。具體地,該間隙的尺寸被選擇成使得將浸沒流體保持在該間隙內(nèi)的毛細壓力大于跨經(jīng)凸起45的由用于將襯底W真空夾持至支撐部分22的負壓引起的氣體壓力差。在一實施例中,除了已經(jīng)被提供用于實施浸沒光刻的流體之外的流體可以被提供至凸起45。因此,可以供給適當?shù)剡x擇的流體至凸起45。在一實施例中,在整個支撐部分22上對支撐部分22和襯底W之間傳遞熱的阻力的差異受對于突節(jié)20的上表面,也就是與襯底W接觸的表面,的控制的影響。例如,如圖21所示,突節(jié)20可以配置成使得在外側(cè)區(qū)域24中的突節(jié)20的上表面的表面粗糙度比在內(nèi)側(cè)區(qū)域25中的突節(jié)的上表面的表粗糙度小。
例如,通過相比于內(nèi)側(cè)區(qū)域25中的突節(jié)20、對外側(cè)區(qū)域24中的突節(jié)20的上表面采用改進的拋光,可以實現(xiàn)表面粗糙度的這種差異。替換地或附加地,例如通過刮擦或蝕亥丨J,可以在內(nèi)側(cè)區(qū)域25中的突節(jié)20的上表面引入表面粗糙度。突節(jié)20的上表面的表面粗糙度在整個支撐部分22上的差異可以導致突節(jié)20由于襯底W至支撐部分22的真空夾持引起的變形的變化,其與上面討論的由于突節(jié)20與襯底W的下表面接觸的總面積的分布引起的變形的變化類似。因此,如上所述,這可以通過設置如上所述的其中存在在整個襯底W上的用于提供真空夾持的負壓分布的真空夾持布置而被部分地或完全地補償。在一實施例中,對支撐部分22和襯底W之間傳遞熱的阻力在支撐部分22上的差異可以通過在不同區(qū)域中在支撐部分22和襯底W之間使用不同的氣體來實現(xiàn)。具體地,在一實施例中,提供至支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24和襯底W的外側(cè)區(qū)域26之間的空間的氣體的熱導率比提供至支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25和襯底W的內(nèi)側(cè)區(qū)域27之間的空間的氣體 的熱導率高。在一實施例中,具有相對高熱導率的氣體包括氦氣(He)、氫氣(H2)、氦氣和氫氣的混合物、包括水蒸氣的氣體、其他氣體或上述項的任意組合。在一實施例中,該氣體可以包括上述氣體中任一種和/或下列氣體的至少一種空氣、氬氣和/或氮氣。圖25示出一個實施例,包括氣體處理系統(tǒng)70,其用以提供具有相對高熱導率的氣體至支撐部分22和襯底W的外側(cè)區(qū)域26之間的空間。為了清楚起見,支撐襯底W的突節(jié)沒有示出。氣體可以通過供給管線71供給至所述空間,并通過設置在由襯底W的外側(cè)區(qū)域26限定的空間的兩側(cè)上的氣體抽取管線72回收。因此,具有相對高熱導率的氣體可以基本上被保留在支撐部分22和襯底W的外側(cè)區(qū)域26之間的空間內(nèi)。這種布置可以在支撐部分22和襯底W的外側(cè)區(qū)域26之間比在支撐部分22和襯底W的內(nèi)側(cè)區(qū)域27之間提供較高的熱導率。在一實施例中,氣體供給管線71和氣體抽取管線72每一個連接至支撐部分22的上表面內(nèi)的多個對應的口 73。每個氣體供給管線71或氣體抽取管線72可以連接至多個口73。具體地,氣體抽取管線72可以連接至沿對應襯底W的外側(cè)區(qū)域26的所述空間的邊界設置的多個口 73。在一實施例中,流阻結(jié)構(gòu)74可以設置在連接至氣體抽取管線72的口 73的兩側(cè),以便限制氣體流入具有高熱導率的氣體被供給至的空間或從所述空間流出。如圖25所示,可以設置氣體處理系統(tǒng)70,以便將具有相對高熱導率的氣體供給至支撐部分和襯底的外側(cè)區(qū)域26之間的空間。在一實施例中,可以設置可以是類似的第二氣體供給系統(tǒng),以將不同的氣體(即,其熱導率比提供至支撐部分和襯底的外側(cè)區(qū)域26之間的空間的氣體的熱導率低的氣體)供給至支撐部分22和襯底的內(nèi)側(cè)區(qū)域27之間的空間。這便于控制內(nèi)側(cè)和外側(cè)區(qū)域27、26中支撐部分22和襯底W之間的空間內(nèi)的氣體。兩種氣體都可以具有比不設置或操作氣體供給系統(tǒng)的情形下的熱導率高的熱導率。在上述的實施例中,提供多種方式,其中作為調(diào)節(jié)系統(tǒng)操作的結(jié)果,襯底的每單位面積上至襯底的熱傳遞或來自襯底的熱傳遞可以在具體或特定區(qū)域內(nèi)被提高。具體地,作為調(diào)節(jié)系統(tǒng)操作的結(jié)果,襯底的每單位面積上至襯底的熱傳遞或來自襯底的熱傳遞可以布置成在襯底的與襯底邊緣相鄰的第一區(qū)域內(nèi)的比在襯底中心處的襯底第二區(qū)域內(nèi)的大??梢允褂眠@些布置的組合。此外,在沒有制造困難和/或限制的情況下,從減小或最小化支撐部分和/或襯底的溫度變化的角度看,上述作為調(diào)節(jié)系統(tǒng)操作的結(jié)果用以改善至襯底的熱傳遞或來自襯底的熱傳遞的多種布置可以應用于全部支撐部分。在這種布置中,可以減小溫度變化的程度,使得將不想要的影響或效應減小至可接受的水平。因而,在多個實施例中,上述用以改善至襯底的第一區(qū)域的熱傳遞或離開第一區(qū)域的熱傳遞的一個或多個布置可以應用于全部支撐部分,即支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域和外側(cè)區(qū)域25、24中。類似地,在一實施例中,用以改善至襯底的熱傳遞或離開襯底的熱傳遞的一個或多個上述布置可以應用于支撐部分的對應襯底第二區(qū)域的區(qū)域,即襯底的內(nèi)側(cè)區(qū)域。例如,用以改善至襯底的熱傳遞或離開襯底的熱傳遞的第一布置可以關(guān)于襯底的第一區(qū)域而被使用,但是將其用于全部支撐部分是不實際的或不經(jīng)濟的。在這種情況下,上述用以改善至襯底的熱傳遞或離開襯底的熱傳遞的布置中的不同的一個布置關(guān)于襯底的第二區(qū)域被使 用。第二布置可能例如不會以與關(guān)于襯底的第一區(qū)域所使用的第一布置所實現(xiàn)的相同的程度來改善至襯底的熱傳遞或離開襯底的熱傳遞,但是可以較簡單提供和/或更加成本有效。在一實施例中,其可以結(jié)合上述實施例中的任一種,支撐部分可以配置成相比于襯底中心處的襯底內(nèi)側(cè)區(qū)域,減小對鄰近襯底邊緣的襯底外側(cè)區(qū)域的熱變化的被提高的敏感性的影響。在一實施例中,這可以通過配置支撐部分以包括上表面來實現(xiàn),其中所述上表面包括基本上平行于將被支撐的襯底下表面的基部表面以及從基部表面突出的多個突節(jié)。支撐部分可以配置成使得在襯底被支撐部分支撐時僅突節(jié)的上表面與襯底接觸。在一實施例中,突節(jié)還配置成使得與襯底外側(cè)區(qū)域26接觸的突節(jié)的在平行于支撐部分的上表面的方向上的突節(jié)剛性大于與襯底內(nèi)側(cè)區(qū)域27接觸的突節(jié)的在所述方向上的突節(jié)剛性。這種在平行于襯底主表面的方向上的每個突節(jié)的增大的剛性可以選擇成以便補償襯底邊緣處的襯底區(qū)域由于襯底的有限范圍而不具有與襯底接觸的圍繞該區(qū)域在每個方向上延伸的突節(jié)的事實,如上所述。在一實施例中,突節(jié)可以配置成使得突節(jié)在垂直于支撐部分的上表面的方向上的剛性同與襯底外側(cè)區(qū)域和襯底內(nèi)側(cè)區(qū)域接觸的突節(jié)在該方向上的剛性是基本上相等的,盡管在平行于支撐部分的上表面的方向上剛性的不同。這可以在襯底被(例如真空夾持)夾持至支撐部分時減小襯底的局部高度變化。在夾持期間,襯底將在垂直于支撐部分的上表面的方向上施加力到每個突節(jié)上,由此導致在該方向上與突節(jié)的剛性成比例的小變形。在一實施例中,與襯底的外側(cè)區(qū)域接觸的突節(jié)可以配置成使得突節(jié)的剛性大于與襯底內(nèi)側(cè)區(qū)域接觸的突節(jié)所在的方向是徑向方向。通過徑向方向表示離開襯底中心的方向,其通常可以是圓形的。然而,在不是圓形的襯底的情況下,該方向仍然是離開襯底中心的方向。因而,對于與襯底外側(cè)區(qū)域的不同部分接觸的突節(jié),該方向是不同的。圖23以平面圖示出根據(jù)一個實施例的支撐部分22上的多個突節(jié)。如圖所示,第一類型的多個突節(jié)65設置成與襯底W的第一區(qū)域接觸,第二類型的多個突節(jié)66設置成與襯底W的第二區(qū)域接觸。第一類型的突節(jié)65的橫截面(在平行于支撐部分22的上表面的平面內(nèi))在徑向方向67上,也就是離開襯底W的中心,是伸長的。另一方面,第二類型的突節(jié)66具有常規(guī)圓形橫截面。因而,第一類型的突節(jié)65在徑向方向67上比第二類型的突節(jié)66更剛性,即使全部突節(jié)65、66具有相同的橫截面面積。在一實施例中,兩種類型的突節(jié)65、66可以配置成具有基本上相同的橫截面面積,以幫助確保全部突節(jié)65、66在垂直于支撐部分22的基部表面的方向上具有基本上相同的剛性。替換地或附加地,通過配置支撐部分22使得支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24中的突節(jié)20的上表面的表面粗糙度比支撐部分22的內(nèi)側(cè)區(qū)域25內(nèi)的突節(jié)20的表面粗糙度低,如圖21所不并且如上所述。減小表面粗糖度能夠提聞突節(jié)與襯底接觸的面積,依次會提聞突節(jié)和襯底之間的局部接觸的剛性。因而,這種布置可以提供兩個優(yōu)點提高襯底W和襯底外側(cè)區(qū)域26內(nèi)支撐部分22之間的熱傳遞;以及相比于襯底W的內(nèi)側(cè)區(qū)域27、減小襯底W的外側(cè)區(qū)域26內(nèi)的溫度波動的影響。替換地或附加地,在一實施例中,如圖24所示,與襯底W的外側(cè)區(qū)域26接觸的突 節(jié)68,也就是在支撐部分22的外側(cè)區(qū)域24內(nèi)的那些突節(jié),可以是錐形的,使得突節(jié)68的橫截面面積在離開支撐部分22的基部表面的方向上減小。例如,突節(jié)68可以是截斷的錐形形狀。通過使用這種配置,與襯底W的外側(cè)區(qū)域26接觸的突節(jié)68可以配置成在垂直于支撐部分22的基部表面的方向上具有與接觸襯底W的內(nèi)側(cè)區(qū)域27的突節(jié)69 (其可以例如具有常規(guī)的形狀)相同的剛性,但是在平行于支撐部分的基部表面的方向上可以具有較大的剛性。在一實施例中,接觸襯底W的內(nèi)側(cè)區(qū)域27的突節(jié)69可以具有基本上圓柱形狀。用于光刻設備中的調(diào)節(jié)系統(tǒng)的一個問題可能是響應時間??梢岳缙谕钚』驕p小襯底溫度的變化。然而,不可能直接檢測這些變化。因此,有必要監(jiān)測支撐襯底W的支撐臺WT的支撐部分22的溫度。如果例如測量到支撐部分22的溫度下降,就可以確定這是由于襯底W的溫度下降引起的,并且可以適當?shù)乜刂普{(diào)節(jié)系統(tǒng)21以便提供熱以升高溫度。然而,在襯底W的溫度下降和隨后的支撐部分22的溫度下降之間存在延遲。替換地或附加地,通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)21本身可以引入延遲。具體地,一旦已經(jīng)確定應該通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)21提供熱或通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)21移除熱,則在實現(xiàn)熱傳遞之前存在延遲。例如,在使用調(diào)節(jié)流體流過支撐部分22內(nèi)的溝道的調(diào)節(jié)系統(tǒng)21中,在確定需要調(diào)節(jié)的點和被適當?shù)丶訜峄蚶鋮s的調(diào)節(jié)流體流過支撐臺WT的時刻之間將存在延遲。而且,由于支撐臺WT的支撐部分22和襯底W本身之間的熱傳遞花費時間,還發(fā)生進一步的延遲。在襯底溫度變化和提供熱至襯底或從襯底移除熱之間的響應過程中的這些延遲會導致襯底的更大的溫度波動。在一實施例中,如圖8所示,調(diào)節(jié)系統(tǒng)21可以通過控制器31進行控制,這可以提供對調(diào)節(jié)系統(tǒng)21的改進的控制。在圖示的布置中,光刻設備還包括位置測量系統(tǒng)50,其配置成測量光刻設備內(nèi)的支撐臺WT的位置。這種位置測量系統(tǒng)50可以是被提供以便控制用以移動支撐臺WT的致動器系統(tǒng)的位置測量系統(tǒng)。替換地,用于控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)的位置測量系統(tǒng)50可以是分離的位置測量系統(tǒng),其不用作控制支撐臺WT的移動的一部分。控制器31可以配置成控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)21,以基于包括支撐臺WT的測量位置的信息提供熱能至支撐臺WT和/或從支撐臺WT移除熱能。例如,控制器可以是預編程的,使得在支撐臺WT的特定位置處,通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)提供一定量的熱能至支撐臺WT或從支撐臺WT移除一定量的熱能。對于這種布置,控制器31可以包括存儲器51,在所述存儲器51中存儲與預期需要通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)21為支撐臺WT的一個或多個位置供給和/或被調(diào)節(jié)系統(tǒng)21移除的熱量相對應的數(shù)據(jù)。因此,可以知道,當支撐臺WT在特定位置時,在襯底W將發(fā)生(例如,由浸沒流體處理系統(tǒng)的操作引起的)給定量的冷卻。因此,控制器31可以配置成提供合適量的熱能至支撐臺WT以便補償這種冷卻。因而,該系統(tǒng)可以配置成使得調(diào)節(jié)系統(tǒng)21可以提供熱能至支撐臺WT和/或從支撐臺移除熱能,以在支撐臺和襯底W之間提供想要的熱傳遞,而不需要等待例如支撐臺WT的測量溫度響應。
在一實施例中,存儲器51可以包括與襯底W處理期間支撐臺WT的預期移動和在預期移動期間預期通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)21供給和/或移除的熱能的量相對應的數(shù)據(jù)?;谠摂?shù)據(jù),控制器31可以更好地預測支撐臺WT的想要的加熱和/或冷卻。具體地,例如,可以避免過調(diào)節(jié)的問題。例如,控制器31的存儲器51內(nèi)的數(shù)據(jù)可以允許控制器31在支撐臺WT移動離開浸沒流體處理系統(tǒng)之前立刻停止從調(diào)節(jié)系統(tǒng)21供給熱至支撐臺WT,以補償由于浸沒流體處理系統(tǒng)引起的冷卻。由于從調(diào)節(jié)系統(tǒng)21通過支撐臺WT至襯底W的熱傳遞的延遲,在流體處理系統(tǒng)的操作的第一階段(可以冷卻襯底W),熱將連續(xù)地被供給至襯底W。然而,在適當?shù)夭贾玫臅r機的情況下,在襯底W上的冷卻效應停止的時刻,熱停止從調(diào)節(jié)系統(tǒng)21經(jīng)由支撐臺WT被提供至襯底W。相反,在沒有這種預測系統(tǒng)的情況下,熱將繼續(xù)被提供至襯底臺WT,直到測量到襯底臺的溫度升高,這導致在冷卻結(jié)束之后襯底W溫度的較早的升高。之后,熱將繼續(xù)從襯底臺WT被供給至襯底W,直到襯底臺WT和襯底W的溫度相等。這會導致襯底W的溫度的過調(diào)節(jié)。雖然控制器31可以首先基于支撐臺WT的位置被布置為預測性的(即,使用前饋),但是如圖8所示,可以例如在支撐臺WT的支撐部分22內(nèi)設置一個或多個溫度傳感器52。由此,控制器31可以使用來自溫度傳感器52的信息,以便改善調(diào)節(jié)系統(tǒng)的控制(即,包括反饋回路)。例如,控制器31可以在每一時刻使用所測的溫度修改對調(diào)節(jié)系統(tǒng)21的命令,以供給熱能至支撐臺WT的支撐部分22或從支撐臺WT的支撐部分22移除熱能。替換地或附加地,控制器31可以使用溫度傳感器52測量的歷史數(shù)據(jù),以便更新存儲器51內(nèi)用于在后續(xù)襯底W的處理期間控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)30的信息。例如,可以設置多個溫度傳感器52,其在支撐臺WT的支撐部分22上分布和/或用于直接測量襯底W的溫度。此外,調(diào)節(jié)系統(tǒng)21可以配置成使得供給至支撐臺WT的多個不同區(qū)域的熱量和/或從支撐臺WT的多個不同區(qū)域移除的熱量可以獨立地通過控制器31響應于支撐臺WT的位置進行控制。在一實施例中,控制器31可以配置成使得當支撐臺被提供至光刻設備內(nèi)的位置、用于將襯底W裝載至支撐臺WT時,控制器31可以控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)21,使得在襯底W被裝載至支撐臺WT之前開始供給熱能至支撐臺WT和/或從支撐臺WT移除熱能??刂破?1可以配置成使得調(diào)節(jié)系統(tǒng)21開始供給預期襯底W所需要的一定量熱能至支撐臺WT和/或從支撐臺WT移除預期襯底W所需要的一定量熱能。這可以避免或減小由于熱必須通過支撐臺WT以在調(diào)節(jié)系統(tǒng)21和襯底W之間傳遞所導致的延遲。因此,在剛被裝載至支撐臺WT的襯底遭遇熱負載的時刻,在將襯底W裝載至支撐臺WT之前作為從調(diào)節(jié)系統(tǒng)21提供熱流至支撐臺WT的支撐部分22或從其移除熱流的結(jié)果,通過支撐臺WT的支撐部分22提供必要的熱流至襯底W或從襯底W移除必要的熱流。在一實施例中,在襯底裝載至支撐臺之前通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)21提供至支撐臺WT的熱量和/或從支撐臺WT移除的熱量可以基于所測量的襯底W的溫度。在如圖22所示的實施例中,在襯底W裝載至支撐臺WT之前襯底W的溫度的測量步驟可以被實施,同時通過襯底處理設備60處理襯底W。由此,在充分的時間內(nèi)提供襯底W的溫度測量值至控制器31,用于它控制通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)21提供至支撐臺WT的支撐部分22的熱能和/或從其移除的熱能,如上所述。在一實施例中,襯底處理設備60可以包括一個或多個溫度傳感器61。例如,當襯底通過襯底處理設備60保持時一個或多個溫度傳感器61可以接觸襯底W。替換地或附加地,非接觸的溫度傳感器,例如紅外照相機,可以布置成使得其可以測量襯底W的溫度,同時通過襯底處理設備60處理襯底。例如,這種非接觸溫度傳感器可以安裝至襯底處理設備60。替換地,非接觸溫度傳感器可以安裝至光刻設備的另一部分,但是可以布置成使得在將襯底W裝載至支撐臺WT的過程期間襯底處理設備60移動襯底W通過非接觸溫度傳感器。不管溫度傳感器的屬性,系統(tǒng)可以配置成采用對襯底W的單次溫度測量。替換地,可以跨經(jīng)襯底W執(zhí)行多次溫度測量。在調(diào)節(jié)系統(tǒng)21配置成獨立地控制提供至支撐臺WT的不同區(qū)域和/或從支撐臺WT的不同區(qū)域移除熱能時,這可以被有利地利用。在這種情況下,調(diào)節(jié)系統(tǒng)21的每一部分可以基于襯底W的初始溫度獨立地被控制。
如果設置多個分離的溫度傳感器61,可以對應調(diào)節(jié)系統(tǒng)21的每一部分設置分立的溫度傳感器61。替換地,如果例如使用紅外照相機,可以獲得整個襯底W的圖像,并且圖像的多個部分可以被獨立地分析以便對調(diào)節(jié)系統(tǒng)21的每個部分提供必要的控制。正如認識到的,上述特征的任一項可以與任何其他特征一起使用,并且不僅是那些被本申請覆蓋的被明確描述的組合。例如,本發(fā)明的一個實施例可以應用于圖2至4的實施例中。此外,此處對加熱器或加熱的介紹應該被分別理解為包含冷卻器或冷卻。此外,雖然為了方便已經(jīng)在浸沒光刻設備的情況下描述了本發(fā)明,但是應該認識至IJ,本發(fā)明可以與任何形式的光刻設備結(jié)合使用。雖然本申請詳述了光刻設備在制造IC中的應用,應該理解到,這里描述的光刻設備可以有其它的應用,例如制造集成光電系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應該看到,在這種替代應用的情況中,可以將其中使用的任意術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理,例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上,并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下,可以將所述公開內(nèi)容應用于這種和其他襯底處理工具中。另外,所述襯底可以處理一次以上,例如為產(chǎn)生多層1C,使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射,包括紫外輻射(例如具有約365、248、193、157或126nm的波長)。在允許的情況下,術(shù)語“透鏡”可以認為是多種光學部件中的任一個或它們的組合體,包括折射型和反射型光學部件。上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實施例,但應該理解,本發(fā)明可以應用到除上面所述以外的情形。例如,本發(fā)明的實施例可以采用包含描述以上公開的方法的一個或多個機器可讀指令序列的計算機程序形式,或具有存儲所述計算機程序的數(shù)據(jù)存儲媒介(例如半導體存儲器、磁盤或光盤)。此外,機器可讀指令可以嵌入在兩個或多個計算機程序中。兩個或多個計算機程序可以存儲在一個或多個不同的存儲器中和/或數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)中。這里所說的任何控制器在一個或多個計算機程序通過位于光刻設備的至少一個部件中的一個或多個計算機處理器讀取時可以每一個或組合地操作??刂破骺梢悦恳粋€或組合地具有任何合適的配置用于接收、處理以及發(fā)送信號。一個或多個處理器配置成與至 少一個控制器通信。例如,每一個控制器可以包括一個或多個處理器,用于執(zhí)行包括用于上述方法的機器可讀指令的計算機程序??刂破骺梢园〝?shù)據(jù)存儲介質(zhì)、用于存儲這種計算機程序,和/或硬件用于容納這種介質(zhì)。因而控制器可以根據(jù)一個或多個計算機程序的機器可讀指令操作。本發(fā)明的一個或多個實施例可以應用于任何浸沒光刻設備,尤其但不排他地應用于上述的那些類型以及那些以浴器的形式、僅在襯底的局部表面區(qū)域或以非限制狀態(tài)提供浸沒液體的浸沒光刻設備。在一非限制的布置中,浸沒液體可以在所述襯底和/或襯底臺的所述表面上流動,使得整個未覆蓋的襯底和/或襯底臺的表面都被浸濕。在這種非限制浸沒系統(tǒng)中,液體供給系統(tǒng)不限制浸沒液體,或者提供一定比例的浸沒液體限制,但基本上不是完全的浸沒液體限制。這里預期的液體供給系統(tǒng)應該廣義地理解。在特定的實施方式中,其可以是提供液體至投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺之間的空間的機構(gòu)或結(jié)構(gòu)的組合。其可以包括一個或多個結(jié)構(gòu)、包括一個或多個液體開口的一個或多個流體開口、一個或多個氣體開口或用于兩相流動的一個或多個開口。所述開口可以每一個是進入浸沒空間的入口(或流出流體處理結(jié)構(gòu)的出口),或流出浸沒空間的出口(或流入流體處理結(jié)構(gòu)的入口)。在一實施例中,所述空間的表面可以是襯底和/或襯底臺的一部分,或所述空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面,或所述空間可以包圍襯底和/或襯底臺。液體供給系統(tǒng)可以可選地還包括一個或多個元件用以控制液體的位置、品質(zhì)、數(shù)量、形狀、流量或任何其他特征。根據(jù)以上內(nèi)容,本發(fā)明至少公開了以下各方面I. 一種用于光刻設備的支撐臺,所述支撐臺包括支撐部分,配置成在其上表面上支撐襯底的下表面;和調(diào)節(jié)系統(tǒng),配置成將熱能供給至支撐部分和/或從支撐部分移除熱能;其中,當通過支撐部分支撐襯底時,襯底熱耦合至支撐部分,使得當調(diào)節(jié)系統(tǒng)將熱能供給至支撐部分或從支撐部分移除熱能時,能量又分別從支撐部分傳遞至襯底或從襯底傳遞至支撐部分;和支撐部分、調(diào)節(jié)系統(tǒng)或兩者配置成使得對于調(diào)節(jié)系統(tǒng)的操作所導致的襯底的每單位面積上的至襯底或來自襯底的熱傳遞,在鄰近襯底邊緣的襯底的第一區(qū)域中的比在襯底中心處的襯底的第二區(qū)域中的大。2.根據(jù)方面I所述的支撐臺,其中,所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括加熱器系統(tǒng),所述加熱器系統(tǒng)配置成使得相比于熱耦合至襯底的第二區(qū)域的支撐部分的第二區(qū)域,所述加熱器系統(tǒng)在熱耦合至襯底的第一區(qū)域的支撐部分的第一區(qū)域中向支撐部分提供在支撐部分上表面的每單位面積上的更多的熱能。3.根據(jù)方面2所述的支撐臺,其中,所述加熱器系統(tǒng)包括多個可獨立控制的加熱器單元;和至少一個加熱器單元設置在支撐部分的第一區(qū)域中,并且至少一個另外的加熱器單元設置在支撐部分的第二區(qū)域中。4.根據(jù)方面2或3所述的支撐臺,其中,所述加熱器系統(tǒng)包括細長電加熱元件,其布置成使得相比于支撐部分的第二區(qū)域,在支撐部分的第一區(qū)域中具有在支撐部分上表面的每單位面積上的較長的加熱元件。5.根據(jù)前述方面中任一項所述的支撐臺,其中,所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括支撐部分內(nèi)的 溝道,配置成輸送調(diào)節(jié)流體;以及所述溝道配置成通過熱耦合至襯底的第一區(qū)域的支撐部分的第一區(qū)域以及熱耦合至襯底的第二區(qū)域的支撐部分的第二區(qū)域。6.根據(jù)方面5所述的支撐臺,其中,所述溝道的橫截面面積在支撐部分的第一區(qū)域中的比在支撐部分的第二區(qū)域中的小。7.根據(jù)方面5或6所述的支撐臺,其中,所述溝道的表面粗糙度在支撐部分的第一區(qū)域中的比在支撐部分的第二區(qū)域中的大。8.根據(jù)方面5-7中任一項所述的支撐臺,其中,所述溝道在支撐部分的第一區(qū)域中比在支撐部分的第二區(qū)域中具有更大數(shù)量的角部和/或具有更尖銳的角部。9.根據(jù)方面5-8中任一項所述的支撐臺,其中,所述溝道的橫截面的周長在支撐部分的第一區(qū)域中比在支撐部分的第二區(qū)域中的長。10.根據(jù)方面5-9中任一項所述的支撐臺,其中,所述溝道的第一部分和溝道的相鄰的第二部分之間的間隔在支撐部分的第一區(qū)域中比在支撐部分的第二區(qū)域中的小。11.根據(jù)方面5-10中任一項所述的支撐臺,其中,與支撐部分的上表面的給定區(qū)域相對應的所述溝道的總體積在支撐部分的第一區(qū)域中比在支撐部分的第二區(qū)域中的大。12.根據(jù)方面5-11中任一項所述的支撐臺,還包括溝道加熱器,所述溝道加熱器配置成將熱供給至溝道內(nèi)的調(diào)節(jié)流體。13.根據(jù)方面12所述的支撐臺,其中,所述溝道加熱器配置成在支撐部分的第一區(qū)域中比在支撐部分的第二區(qū)域中將熱供給至更大比例的溝道表面區(qū)域。14.根據(jù)方面12或13所述的支撐臺,其中,所述溝道加熱器包括多個加熱器,并且多個加熱器的空間密度在支撐部分的第一區(qū)域中比在支撐部分的第二區(qū)域中的大。15.根據(jù)方面5-14中任一項所述的支撐臺,其中,所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)配置成使得調(diào)節(jié)流體被提供至位于支撐部分的第一區(qū)域內(nèi)的溝道端部,并從位于支撐部分的第二區(qū)域內(nèi)的溝道端部抽取。16.根據(jù)前述方面中任一項所述的支撐臺,其中,所述支撐部分的上表面包括基部表面,配置成基本上平行于支撐在支撐部分上的襯底的下表面;和從表面突出的多個突節(jié),其中,當襯底被支撐部分支撐時,襯底僅接觸突節(jié)的上表面。17.根據(jù)方面16所述的支撐臺,其中,所述支撐部分配置成使得襯底的每單位面積上的與通過支撐部分支撐的襯底接觸的突節(jié)總面積在支撐部分的第一區(qū)域中比在支撐部分的第二區(qū)域中的大。18.根據(jù)方面中17所述的支撐臺,其中,與通過支撐部分支撐的襯底的第一區(qū)域接觸的每個突節(jié)的上表面大于與襯底的第二區(qū)域接觸的每個突節(jié)的上表面。19.根據(jù)方面17或18所述的支撐臺,其中,襯底的每單位面積上的與通過支撐部分支撐的襯底接觸的突節(jié)的數(shù)量在襯底的第一區(qū)域中比在襯底的第二區(qū)域中的多。20.根據(jù)方面16-19中任一項所述的支撐臺,其中,所述支撐部分配置成使得基部表面和通過支撐部分支撐的襯底之間的間隔在襯底的第一區(qū)域中比在襯底的第二區(qū)域中的小。21.根據(jù)方面16-20中任一項所述的支撐臺,其中,布置成與通過支撐部·分支撐的襯底的第一區(qū)域接觸的至少一個突節(jié)包括第一部分和第二部分,所述第一部分包括配置成接觸襯底的上表面,所述第二部分比第一部分少地從基部表面突出。22.根據(jù)方面16-21中任一項所述的支撐臺,其中,所述支撐部分的上表面還包括凸起,所述凸起布置在配置成與通過支撐部分支撐的襯底的第一區(qū)域熱耦合的上表面的第一區(qū)域中,所述凸起配置成使得其比突節(jié)少地從基部表面突出。23.根據(jù)方面22所述的支撐臺,其中,所述凸起配置成使得其形成環(huán)形,所述環(huán)形圍繞布置成與通過支撐部分支撐的襯底的第二區(qū)域熱耦合的支撐部分的第二區(qū)域。24.根據(jù)方面22或23所述的支撐臺,其中,所述凸起配置成使得在使用時流體的層被保持在凸起上并與支撐在支撐部分上的襯底接觸。25.根據(jù)方面16-24中任一項所述的支撐臺,其中,與通過支撐部分支撐的襯底的第一區(qū)域接觸的突節(jié)的上表面配置成比與襯底的第二區(qū)域接觸的突節(jié)的上表面具有較低的表面粗糙度。26.根據(jù)前述方面中任一項所述的支撐臺,還包括氣體處理系統(tǒng),配置成提供氣體至支撐部分和襯底的第一區(qū)域之間的空間,所述氣體比支撐部分和襯底的第二區(qū)域之間的空間內(nèi)的氣體具有較高的熱導率。27.根據(jù)方面26所述的支撐臺,其中,提供至支撐部分和襯底的第一區(qū)域之間的空間的氣體包括選自下列項中的至少一種He、H2和/或水蒸氣。28. 一種用于光刻設備的支撐臺,所述支撐臺包括支撐部分,配置成在其上表面上支撐襯底的下表面;和支撐部分的上表面包括基部表面,配置成當襯底支撐在支撐部分上時基本上平行于襯底的下表面;以及多個突節(jié),所述多個突節(jié)從基部表面突出且布置成使得在通過支撐部分支撐襯底時襯底僅接觸突節(jié)的上表面,其中突節(jié)配置成使得接觸鄰近襯底邊緣的襯底的第一區(qū)域的突節(jié)的在平行于支撐部分的上表面的方向上的突節(jié)剛性比接觸襯底中心處的襯底的第二區(qū)域的突節(jié)的大,并且在與支撐部分的上表面相垂直的方向上的突節(jié)剛性對于與襯底的第一和第二區(qū)域接觸的突節(jié)來說是基本上相同的。29.根據(jù)方面28所述的支撐臺,其中,突節(jié)的剛性在離開襯底中心的徑向方向上是相當?shù)幕虿幌嗌舷碌摹?0.根據(jù)方面28或29所述的支撐臺,其中,與襯底的第一區(qū)域接觸的突節(jié)具有一橫截面,使得其在離開襯底中心的徑向方向上的長度大于其在垂直于徑向方向的切向方向上的寬度。31.根據(jù)方面28-30中任一項所述的支撐臺,其中,與襯底的第一區(qū)域和第二區(qū)域接觸的突節(jié)的橫截面面積是相等的。32.根據(jù)方面28-30中任一項所述的支撐臺,其中,與襯底的第一區(qū)域接觸的突節(jié)的橫截面面積沿離開支撐部分的基部表面方向是減小的。33.根據(jù)方面28-32中任一項所述的支撐臺,其中,與襯底的第一區(qū)域接觸的突節(jié)的上表面比與襯底的第二區(qū)域接觸的突節(jié)的上表面具有較低的表面粗糙度。34. 一種光刻設備,包括根據(jù)前述方面中任一項所述的支撐臺。35. 一種器件制造方法,包括使用根據(jù)方面34所述的光刻設備從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移至襯底的步驟?!?6. 一種光刻設備,包括支撐臺,配置成支撐襯底;調(diào)節(jié)系統(tǒng),配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能;位置測量系統(tǒng),配置成測量光刻設備內(nèi)的支撐臺的位置;和控制器,配置成基于包括所測量的支撐臺的位置的信息控制調(diào)節(jié)系統(tǒng),以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能。37.根據(jù)方面36所述的光刻設備,其中,所述控制器包括存儲器,在所述存儲器中存儲與對應支撐臺的特定位置預期通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)供給和/或移除的所需熱能的量相對應的數(shù)據(jù);并且所述控制器配置成基于所述數(shù)據(jù)控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)。38.根據(jù)方面37所述的光刻設備,其中,所述存儲器還包括與在襯底處理期間支撐臺在光刻設備內(nèi)的預期移動相對應以及與在所述預期的移動期間預期通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)供給和/或移除的熱能的量相對應的數(shù)據(jù)。39.根據(jù)方面37或38所述的光刻設備,其中,預期通過調(diào)節(jié)系統(tǒng)供給和/或移除的所需熱能的量是基于在支撐臺的每個位置處施加至通過支撐臺支撐的襯底和支撐臺上的預期熱負載,和/或在每一次移動期間,調(diào)節(jié)系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺之間傳遞熱能的預期延遲引起的偏移。40.根據(jù)方面36-39中任一項所述的光刻設備,還包括溫度傳感器,用以測量支撐在支撐臺上的襯底的至少一部分和/或支撐臺的至少一部分的溫度,其中控制器配置成使得其基于進一步包括來自溫度傳感器的溫度測量值的信息控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)。41.根據(jù)方面36-40中任一項所述的光刻設備,其中,所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)配置成使得能夠通過控制器獨立地控制供給至支撐臺的多個不同區(qū)域的熱量和/或從支撐臺的多個不同區(qū)域移除的熱量。42.根據(jù)方面36-41中任一項所述的光刻設備,其中,所述控制器配置成使得,當支撐臺位于襯底被裝載至支撐臺的位置時,控制器在襯底被裝載至支撐臺之前控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)、以開始將預期所需的熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除預期所需的熱能。43. —種光刻設備,包括支撐臺,配置成支撐襯底;調(diào)節(jié)系統(tǒng),配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能;
控制器,配置成控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能,所述控制器配置成使得,當支撐臺位于襯底被裝載至支撐臺的位置時,控制器在襯底被裝載至支撐臺之前控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)、以開始將預期所需的熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除預期所需的熱能。44.根據(jù)方面42或43所述的光刻設備,還包括襯底處理設備,配置成將襯底裝載至襯底臺;和溫度傳感器,配置成測量通過襯底處理設備處理的襯底至少一部分的溫度,其中控制器使用所測的襯底溫度確定預期需要供給至支撐臺和/或從支撐臺移除的熱能。45.根據(jù)方面44所述的光刻設備,其中,所述溫度傳感器配置成測量襯底的多個部分的溫度。 46. 一種器件制造方法,包括使用光刻設備將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底,其中光刻設備包括配置成支撐襯底的支撐臺、配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能的調(diào)節(jié)系統(tǒng)以及配置成測量支撐臺在光刻設備內(nèi)的位置的位置測量系統(tǒng),所述方法包括步驟基于包括測量的支撐臺的位置的信息控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)、以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能。47. 一種器件制造方法,包括使用光刻設備將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底,其中光刻設備包括配置成支撐襯底的支撐臺、配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能的調(diào)節(jié)系統(tǒng),所述方法包括步驟在襯底被裝載至支撐臺之前控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)以將預期所需的熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除預期所需的熱能。上述說明書是為了說明而不是為了限制。因而很顯然,在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出本發(fā)明的各種修改。
權(quán)利要求
1.一種用于光刻設備的支撐臺,所述支撐臺包括 支撐部分,配置成在其上表面上支撐襯底的下表面;和 調(diào)節(jié)系統(tǒng),配置成將熱能供給至支撐部分和/或從支撐部分移除熱能; 其中,當通過支撐部分支撐襯底時,襯底熱耦合至支撐部分,使得當調(diào)節(jié)系統(tǒng)將熱能供給至支撐部分或從支撐部分移除熱能時,能量又分別從支撐部分傳遞至襯底或從襯底傳遞至支撐部分;和 支撐部分、調(diào)節(jié)系統(tǒng)或兩者配置成使得對于調(diào)節(jié)系統(tǒng)的操作所導致的襯底的每單位面積上的至襯底或來自襯底的熱傳遞,在鄰近襯底邊緣的襯底的第一區(qū)域中的比在襯底中心處的襯底的第二區(qū)域中的大。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的支撐臺,其中,所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括加熱器系統(tǒng),所述加熱器系統(tǒng)配置成使得相比于熱耦合至襯底的第二區(qū)域的支撐部分的第二區(qū)域,所述加熱器系統(tǒng)在熱耦合至襯底的第一區(qū)域的支撐部分的第一區(qū)域中向支撐部分提供在支撐部分上表面的每單位面積上的更多的熱能。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的支撐臺,其中,所述加熱器系統(tǒng)包括多個可獨立控制的加熱器單元;和 至少一個加熱器單元設置在支撐部分的第一區(qū)域中,并且至少一個另外的加熱器單元設置在支撐部分的第二區(qū)域中。
4.一種用于光刻設備的支撐臺,所述支撐臺包括 支撐部分,配置成在其上表面上支撐襯底的下表面;和 支撐部分的上表面包括基部表面,配置成當襯底支撐在支撐部分上時基本上平行于襯底的下表面;以及多個突節(jié),所述多個突節(jié)從基部表面突出且布置成使得在通過支撐部分支撐襯底時襯底僅接觸突節(jié)的上表面, 其中突節(jié)配置成使得接觸鄰近襯底邊緣的襯底的第一區(qū)域的突節(jié)的在平行于支撐部分的上表面的方向上的突節(jié)剛性比接觸襯底中心處的襯底的第二區(qū)域的突節(jié)的大,并且在與支撐部分的上表面相垂直的方向上的突節(jié)剛性對于與襯底的第一和第二區(qū)域接觸的突節(jié)來說是基本上相同的。
5.一種光刻設備,包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的支撐臺。
6.一種器件制造方法,包括使用根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻設備從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移至襯底的步驟。
7.一種光刻設備,包括 支撐臺,配置成支撐襯底; 調(diào)節(jié)系統(tǒng),配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能; 位置測量系統(tǒng),配置成測量光刻設備內(nèi)的支撐臺的位置;和 控制器,配置成基于包括所測量的支撐臺的位置的信息控制調(diào)節(jié)系統(tǒng),以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能。
8.一種光刻設備,包括 支撐臺,配置成支撐襯底; 調(diào)節(jié)系統(tǒng),配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能; 控制器,配置成控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能,所述控制器配置成使得,當支撐臺位于襯底被裝載至支撐臺的位置時,控制器在襯底被裝載至支撐臺之前控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)、以開始將預期所需的熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除預期所需的熱能。
9.一種器件制造方法,包括使用光刻設備將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底,其中光刻設備包括配置成支撐襯底的支撐臺、配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能的調(diào)節(jié)系統(tǒng)以及配置成測量支撐臺在光刻設備內(nèi)的位置的位置測量系統(tǒng),所述方法包括步驟 基于包括測量的支撐臺的位置的信息控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)、以將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能。
10.一種器件制造方法,包括使用光刻設備將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底,其中光刻設備包括配置成支撐襯底的支撐臺、配置成將熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除熱能的調(diào)節(jié)系統(tǒng),所述方法包括步驟 在襯底被裝載至支撐臺之前控制調(diào)節(jié)系統(tǒng)以將預期所需的熱能供給至支撐臺和/或從支撐臺移除預期所需的熱能。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于光刻設備的支撐臺、光刻設備以及器件制造方法。所述支撐臺包括支撐部分和調(diào)節(jié)系統(tǒng),其中支撐部分、調(diào)節(jié)系統(tǒng)或兩者配置成使得由于調(diào)節(jié)系統(tǒng)的操作導致的至襯底或來自襯底的熱傳遞在鄰近襯底邊緣的襯底區(qū)域中比在襯底中心處的襯底區(qū)域中的大。
文檔編號G03F7/20GK102955375SQ201210292618
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月17日
發(fā)明者J·G·C·昆尼, M·霍本, T·S·M·勞倫特, H·J·M·凡阿畢倫, A·R·J·達森, S·C·R·德爾克斯 申請人:Asml荷蘭有限公司
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