專利名稱：液晶顯示面板、液晶顯示裝置及制造方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領域，尤其涉及一種液晶顯示面板、液晶顯示裝置及制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示中多采用的是背光提供光源，其顯示的亮度受背光源控制；而后提出的反射式液晶顯示利用了反射外界光進行成像，顯示的亮度受到外界光線強弱的影響。為了克服反射型液晶顯示亮度受制于外界光線的這種缺陷，人們提出了半透半反的顯示模式，即部分光來自外界光，部分則利用背光。對于半透半反式液晶顯示而言，其顯示單元中必定要同時包含兩部分既包含反射外界光線的反射區(qū)域又包含透射背光的透射區(qū)域。發(fā)明人在研發(fā)過程中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至 少存在以下缺陷因為兩種光源來源不同，若不對顯示結(jié)構(gòu)進行相關(guān)設計，會導致兩種光源的光程不同，進而導致兩種顯示模式的顯示效果不同，影響了顯示效果以及用戶的使用體驗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例所要解決的技術(shù)問題在于提供一種液晶顯示面板、液晶顯示裝置及制造方法，能夠使得反射光源和透射光源兩種光源經(jīng)過的光程相同，提高了液晶顯示器的顯示效果，且液晶顯示面板制作工序簡單易行、不會產(chǎn)生技術(shù)衍生問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板，包括彩膜基板、陣列基板以及設置在彩膜基板與陣列基板之間的液晶層，所述彩膜基板面向所述液晶層的側(cè)面上設置有凸出的基臺，所述基臺凸出部分的高度為液晶盒厚度的1/2，所述陣列基板面向所述液晶層的側(cè)面上設置有反射層，且所述基臺與所述反射層相對設置。所述彩膜基板與所述陣列基板之間設置有柱狀隔墊物。所述基臺面向液晶層的側(cè)面設置有納米銦錫金屬氧化物ITO電極層和第一取向膜層，所述反射層面向液晶層的側(cè)面設置有ITO電極層和第二取向膜層。所述反射層為金屬層，所述金屬層為鋁層。所述液晶層所在的區(qū)域分為反射區(qū)域R和透射區(qū)域T，所述反射區(qū)域R為所述基臺與所述反射層圖形所對應的液晶層區(qū)域，所述透射區(qū)域T為未被所述基臺與所述反射層圖形所對應的液晶層區(qū)域。所述液晶層中的液晶為負性液晶，所述負性液晶為氟基衍生物，所述氟基衍生物的分子結(jié)構(gòu)中含有剛性基團結(jié)構(gòu)，所述負性液晶的吸電基團在液晶分子的短軸方向。所述彩膜基板背向液晶層的側(cè)面設置有補償膜、λ /4波片及上偏光片，所述陣列基板背向液晶層的側(cè)面設置有λ/4波片及下偏光片。
本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置，包括上述的液晶顯示面板。本發(fā)明還提供了一種彩膜基板的制作方法，包括在彩膜基底上形成黑矩陣圖形；在所述黑矩陣圖形上形成彩膜層；在所述彩膜樹脂層上沉積樹脂層，通過構(gòu)圖工藝形成基臺。上述制作方法還包括在所述基臺上形成ITO電極層；
在所述ITO電極層上形成柱狀隔墊物，所述柱狀隔墊物位于所述彩膜基板與所述陣列基板之間。本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，包括在陣列基底上通過構(gòu)圖工藝形成包括公共電極、公共電極線、柵極和柵線的圖形，以及第一絕緣層及鈍化活動層；在所述鈍化活動層上通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線，漏極和薄膜晶體管區(qū)域的圖形，以及第二絕緣層；在所述第二絕緣層上沉積反射層，通過構(gòu)圖工藝形成反射層區(qū)域的圖形。上述制作方法還包括在所述第二絕緣層上刻蝕出導通孔；在所述反射層上形成ITO電極層，所述ITO電極層通過所述導通孔與所述柵極相連接。本發(fā)明實施例的液晶顯示面板、液晶顯示裝置及制造方法，通過在彩膜基板面向液晶層的側(cè)面上設置凸出的基臺、在陣列基板面向液晶層的側(cè)面上設置反射層，可以使兩種不同光源走過的光程達到一致。本發(fā)明實施例的液晶顯示面板結(jié)構(gòu)巧妙、合理，且生產(chǎn)工藝簡單易行，優(yōu)化了液晶顯示面板的顯示性能，大大提高了顯示效果，使用戶能夠得到更佳的使用體驗。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實施例中液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例中未加電情況下液晶顯示面板的示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例中未加電情況下反射區(qū)的光學原理圖；圖2b為本發(fā)明實施例中未加電情況下透射區(qū)的光學原理圖；圖3為本發(fā)明實施例中加電情況下液晶顯示面板的示意圖；圖3a為本發(fā)明實施例中加電情況下反射區(qū)的光學原理圖；圖3b為本發(fā)明實施例中加電情況下透射區(qū)的光學原理圖；圖4為本發(fā)明實施例中彩膜基板制作方法流程示意圖；圖4a 4e為本發(fā)明實施例中制作帶凸出基臺的彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例中陣列基板制作方法的流程示意圖；圖5a飛f為本發(fā)明實施例中制作帶反射層的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖6為本發(fā)明實施例中液晶顯示面板使用的負性液晶分子式。附圖標記說明10、彩膜基板；11、彩膜基底；12、黑矩陣；13、彩膜層；14、基臺；15、ITO電極；16、柱狀隔墊物；17、補償膜；18、λ/4波片；19、上偏光片；20、陣列基板；21、陣列基底；22、柵極；23、第一絕緣層；24、鈍化活動層；25、漏極；26、第二絕緣層；27、第一取向膜層；28、第二取向膜層；29、下偏光片；30、液晶層；31、反射層。
具體實施例方式本發(fā)明實施例提供了一種液晶顯示面板、液晶顯示裝置及制造方法，能夠使得反射光源和透射光源兩種光源通過的光程相同，提高了液晶顯示器的顯示效果。以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、接口、技術(shù)之 類的具體細節(jié)，以便透切理解本發(fā)明。然而，本領域的技術(shù)人員應當清楚，在沒有這些具體細節(jié)的其它實施例中也可以實現(xiàn)本發(fā)明。在其它情況中，省略對眾所周知的裝置、電路以及方法的詳細說明，以免不必要的細節(jié)妨礙本發(fā)明的描述。下面結(jié)合下述附圖對本發(fā)明實施例做詳細描述。實施例一本實施例提供一種液晶顯示面板,如圖I所示,該液晶顯示面板包括彩膜基板
10、陣列基板20以及設置在彩膜基板與陣列基板之間的液晶層30，彩膜基板面向液晶層的側(cè)面上設置有凸出的基臺14，基臺凸出部分的高度為液晶盒厚度的1/2。本實施例的液晶顯示面板通過在彩膜基板上設置凸出的基臺，從而將一個像素的顯示區(qū)域劃分為了反射區(qū)域R及透射區(qū)域Τ，反射區(qū)域R為所述基臺與所述反射層圖形對應的液晶層區(qū)域，透射區(qū)域T為未被所述基臺與所述反射層圖形對應的液晶層區(qū)域?；_凸出部分的高度為液晶盒厚度的1/2，因此反射區(qū)域液晶層的厚度為液晶盒厚度的1/2，透射區(qū)域液晶層的厚度等于液晶盒厚度。所以，當反射光進入反射區(qū)域，被反射層反射，并再次透過反射區(qū)域時，反射光經(jīng)過的光程與透射區(qū)域透射光所經(jīng)過的光程一致。陣列基板20面向液晶層30的側(cè)面上設置有反射層26，基臺14與反射層31相對設置，這樣確保外界反射光源的光只能在反射區(qū)域被反射回去。圖2 3為本發(fā)明實施例中未加電情況下及加電情況下液晶顯示面板的示意圖，結(jié)合圖2 3對顯示面板的顯示原理進行進一步的解釋。本發(fā)明上述技術(shù)方案中，上下偏光片的吸收軸方向相互垂直，第一取向膜層與第二取向膜層的取向方向也相互垂直。其中，上偏光片的吸收軸方向與第一取向膜層的取向方向一致。第一取向膜層27設置在基臺14面向液晶層30的側(cè)面上，第二取向膜層28設置在反射層31面向液晶層30的側(cè)面上。當未加電的情況下，如圖2所示，因為取向膜層的作用，液晶分子呈垂直基底排列，這時液晶分子不會對光線進行光延遲操作，透過反射區(qū)域的光與透過透射區(qū)域的光的偏振方向均與上偏振片透過軸方向垂直，因此不會有光線透過，透過區(qū)和反射區(qū)均呈暗場。參照圖2a圖2b，對圖2未加電情況下反射區(qū)及透射區(qū)光線的變化過程進行解釋。未加電的情況下反射區(qū)域的光線變化過程，如圖2a所示，在反射區(qū)R，上偏振片19透過軸為水平方向，外界光通過偏振片后生成水平方向線偏振光。經(jīng)過λ/4波片18，水平偏振光變?yōu)樽笮龍A偏振光。由于液晶垂直取向作用，反射區(qū)域液晶層對左旋圓偏振光無影響。左旋圓偏振光經(jīng)過反射層31反射，形成右旋圓偏振光。經(jīng)過λ/4波片18后，右旋圓偏振光形成垂直方向線偏振光。此時線偏振光的偏振方向和上偏振片19透過軸方向垂直,因此光線無法透出，從而反射區(qū)呈現(xiàn)暗場。未加電的情況下透射區(qū)域的光線變化過程，如圖2b所示，在透射區(qū)T，背光源發(fā)出的光經(jīng)過下偏振片29作用生成垂直偏振的線偏振光。經(jīng)過λ /4波片18，線偏振光變?yōu)橛倚龍A偏振光。由于液晶垂直取向作用，經(jīng)過透射區(qū)域液晶層對右旋圓偏振光無影響。經(jīng)過入/4波片后，右旋圓偏振光形成垂直偏振光。此時線偏振光的偏振方向和上偏光片透過軸方向垂直，因此光線無法透出，從而透射區(qū)呈現(xiàn)暗場。當加電的情況下，如圖3所示，由于液晶為負性液晶，液晶分子在電場作用下長軸 平行基板螺旋排列。這種扭曲排列的液晶分子會對光線進行光延遲操作。當反射區(qū)域的液晶層對光形成λ /4的延遲作用時，因為透射區(qū)域的液晶層是反射區(qū)域的液晶層厚度的2倍，因此透射區(qū)域的液晶層必然對光形成λ/2的延遲作用。透過反射區(qū)域的光與透過透射區(qū)域的光的偏振方向均與上偏振片透過軸方向平行，因此光線可以透射出去，透過區(qū)和反射區(qū)均呈亮場。參照圖3a圖3b，對圖3加電情況下反射區(qū)及透射區(qū)光線的變化過程進行解釋。加電的情況下反射區(qū)域的光線變化過程，如圖3a所示，在反射區(qū)R，上偏振片19透過軸為水平方向，外界光通過偏振片后生成水平方向線偏振光。經(jīng)過λ/4波片18，水平偏振光變?yōu)樽笮龍A偏振光。這時因為反射區(qū)內(nèi)加電情況下的液晶分子對光形成λ/4的延遲作用，左旋圓偏振光變化成為水平線偏振光，水平線偏振光經(jīng)過反射區(qū)31反射還是水平線偏振光。再次因為反射區(qū)內(nèi)加電情況下的液晶分子對光形成λ/4的延遲作用，水平線偏振光形成左旋圓偏振光。經(jīng)過λ/4波片后,左旋圓偏振光形成水平方向線偏振光。此時線偏振光的偏振 方向和上偏振片透過軸方向平行，光線可以透過，從而反射區(qū)呈現(xiàn)亮場。加電的情況下透射區(qū)域的光線變化過程，如圖3b所示，在透射區(qū)T，背光源發(fā)出的光經(jīng)過下偏振片29作用生成垂直偏振的線偏振光。經(jīng)過λ /4波片18，線偏振光變?yōu)橛倚龍A偏振光。這時因為反射區(qū)內(nèi)加電情況下的液晶分子對光形成λ/2的延遲作用，右旋圓偏振光變化成為左旋圓偏振光。經(jīng)過λ/4波片后,左旋圓偏振光形成水平偏振光。此時線偏振光的偏振方向和上偏振片透過軸方向平行，光線可以透過，從而反射區(qū)呈現(xiàn)亮場。上述分析分別對液晶顯示面板反射區(qū)域和透射區(qū)域在未加電和加電時兩種狀態(tài)下的光線變化方式進行了解釋。可以發(fā)現(xiàn)，本實施例的液晶顯示面板在未加電和加電時反射區(qū)域和透射區(qū)域的光線達到同步顯示效果。本發(fā)明實施例的液晶顯示面板，通過彩膜基板面向液晶層的側(cè)面上設置凸出的基臺及陣列基板面向液晶層的側(cè)面上設置的反射層，可以使兩種不同光源走過的光程達到一致。本發(fā)明實施例的液晶顯示面板結(jié)構(gòu)巧妙、合理，優(yōu)化了液晶顯示面板的顯示性能，大大提高了顯示效果，使用戶能夠得到更佳的使用體驗。作為本發(fā)明的一種實施方式，彩膜基板10與陣列基板20之間設置有柱狀隔墊物16，具體的，柱狀隔墊物的高度為所述液晶層厚度的1/2。柱狀隔墊物16位于基臺的下方，柱狀隔墊物穿過液晶層，支撐著顯示面板兩個面板，保持整個液晶層的間隙不變。進一步的，基臺及反射層面向液晶層的側(cè)面上設置有ITO電極層15，在彩膜基板的ITO電極層面向液晶層的側(cè)面上設置有第一取向膜層27，在陣列基板的ITO電極層面向液晶層的側(cè)面上設置有第二取向膜層28。進一步的，彩膜基板被向液晶層的側(cè)面上依次設置有補償膜17、λ /4波片18及上偏光片19，在陣列基板被向液晶層的側(cè)面上依次設置有λ /4波片18及下偏光片29。反射層為金屬層，具體的，金屬層為鋁層。本實施例中，液晶層中的液晶為負性液晶，負性液晶為氟基衍生物，氟基衍生物的分子結(jié)構(gòu)中含有剛性基團結(jié)構(gòu)，負性液晶的吸電基團在液晶分子的短軸方向。如圖6所示，圖6為本發(fā)明液晶顯示面板使用的負性液晶分子式，分子結(jié)構(gòu)中含聯(lián)苯、或聯(lián)苯環(huán)己烷等剛性基團結(jié)構(gòu)，吸電基團在液晶分子的短軸方向，液晶整體呈現(xiàn)負性的狀態(tài)。負性液晶分子剛性部分之間基本相互平行排列，但是其質(zhì)心位置無序，不能形成層狀結(jié)構(gòu)，液晶分子能上下、左右、前后滑動，只在分子長軸方向上保持相互平行或近于平行，分子間相互作用微弱。由于液晶分子自身的特性，吸電基團在受到電場作用時，液晶分子會發(fā)生轉(zhuǎn)動。
本實施例的液晶顯示面板，通過改進顯示面板的結(jié)構(gòu)，在彩膜基板面向液晶層的側(cè)面上設置有凸出的基臺，陣列基板面向液晶層的側(cè)面上設置有反射層，并使基臺與反射層相對設置，能夠使得反射光源和透射光源兩種光源通過的光程相同，提高了液晶顯示器的顯示效果。本實施例還提供一種液晶顯示裝置,包括上述液晶顯示面板,其中，液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)以及工作原理同上述實施例，在此不再贅述。另外，液晶顯示裝置其他部分的結(jié)構(gòu)可以參考現(xiàn)有技術(shù)，對此本文不再詳細描述。本發(fā)明實施例提供的液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件，本發(fā)明不做限制。實施例二本實施例提供一種彩膜基板的制作方法，如圖4所示，該方法包括步驟101、在彩膜基底上形成黑矩陣圖形。作為本發(fā)明的一種實施方式，首先將黑矩陣層涂覆到彩膜基底上，涂覆的方式可以使用印染或沉積的方法，然后通過刻蝕工藝去掉不需要的黑矩陣層，對保留下來的黑矩陣層進行固化并干燥，最終在位于彩膜基底面向液晶層的側(cè)面上形成陣列排列的黑矩陣，其結(jié)構(gòu)如圖4a所示。黑矩陣層所使用材料可以為聚合物有機樹脂。步驟102、在黑矩陣圖形上形成彩膜層。在黑矩陣12形成之后，作為本發(fā)明的一種實施方式，在彩膜基底11上通過分散法涂覆顏料，利用涂膠機將顏料和樹脂均勻的涂覆在彩膜基底上，然后將顏料干燥成膜，再利用光刻工藝做成點陣圖形，最后形成陣列排列的彩膜層13，彩膜層位于彩膜基底面向液晶層的側(cè)面上，如圖4b所示。步驟103、在彩膜層上沉積樹脂層，通過構(gòu)圖工藝形成基臺。在黑矩陣12與彩膜層13形成之后，作為本發(fā)明的一種實施方式，在彩膜基底11上涂覆樹脂材料，利用掩模板對樹脂層進行遮蓋并做顯影處理，使得曝光區(qū)域的樹脂層被固化，然后對樹脂層進行熱處理，未被固化的樹脂層被去掉，形成凸出的基臺，如圖4c所示。涂覆的樹脂厚度為液晶層厚度的1/2，所使用樹脂材料可以為聚合物有機樹脂。本實施例的方法進一步包括
步驟104、在基臺上形成ITO電極。作為本發(fā)明的一種實施方式，首先利用濺射汽化沉積法，將ITO電極層濺射到彩膜層表面上，然后沉積保護層。利用光刻法刻蝕掉需要去掉ITO電極層上的保護層，使用干法或濕法對ITO電極層進行腐蝕，去除未被保護層覆蓋的ITO電極層，被保護層覆蓋的ITO電極層被保留下來，去除保護層，形成ITO電極，如圖4d所示。步驟105、在ITO電極上形成柱狀隔墊物。作為本發(fā)明的一種實施方式，在形成ITO電極層15之后，首先利用漂浮法，使用負壓氣流，將包含柱狀隔墊物的液滴均勻的滴加到在ITO電極層面向液晶層的側(cè)面上，最后形成柱狀隔墊物16，如圖4e所示。柱狀隔墊物所使用的材料可以玻璃纖維或塑料材料，柱狀隔墊物穿過液晶層，支撐著顯示面板兩個面板，柱狀隔墊物的厚度為液晶層厚度的1/2。
本發(fā)明實施例的彩膜基板制造方法，在彩膜基板制作過程中，加入了涂覆樹脂材料制作出了凸出的基臺的步驟，在不產(chǎn)生技術(shù)衍生問題的情況下，簡單可行的完成了制造帶凸出的基臺的彩膜基板的工藝。實施例三本實施例提供一種陣列基板的制作方法，如圖5所示，該方法包括步驟201、在陣列基底上通過構(gòu)圖工藝形成包括公共電極、公共電極線、柵極和柵線的圖形，以及第一絕緣層及鈍化活動層。作為本發(fā)明的一種實施方式，首先在陣列基底21面向液晶層的側(cè)面上利用氣向沉積法沉積形成公共電極層和柵極層。在柵極層表面涂覆保護層，利用光刻法刻蝕掉需要去掉的柵極部分的保護層，利用干法或濕法進行腐蝕，去除未被保護層覆蓋的柵極層，保留被保護層覆蓋的柵極層，去除保護層，形成公共電極、公共電極線、柵極和柵線的圖形柵極和柵線的圖形，如圖5a所示。然后，在形成柵極22之后，首先在陣列基底21面向液晶層的側(cè)面上形成第一絕緣層23。沉積第一絕緣層可以利用濺射汽化沉積法，在高真空條件下，利用濺射汽化等離子狀態(tài)的絕緣材料，在陣列基底上形成第一絕緣層。在第一絕緣層外利用氣向沉積法沉積鈍化活動層，然后涂覆光致抗蝕層，通過曝光和顯影過程形成保護掩膜，然后采用蝕刻工藝去掉未被掩膜覆蓋的鈍化活動層，去除掩膜，形成所需的鈍化活動層，如圖5b所示。第一絕緣層所使用的材料可以為有機聚合物或非單晶硅，鈍化活動層所使用的材料可以為單晶硅。步驟202、在所述鈍化活動層上通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線，漏極和薄膜晶體管區(qū)域的圖形，以及第二絕緣層。作為本發(fā)明的一種實施方式，在鈍化活動層24面向液晶層的側(cè)面上，在高真空條件下利用磁控濺射沉積法沉積漏極層，然后涂覆光致抗蝕層，通過曝光和顯影過程形成保護掩膜，然后采用蝕刻工藝去掉未涂覆掩膜的漏極部分，去除掩膜，形成漏極，如圖5c所
/Jn ο然后，在漏極25面向液晶層的側(cè)面上沉積第二絕緣層26，沉積第二絕緣層可以利用濺射汽化沉積法，在高真空條件下，利用濺射汽化等離子狀態(tài)的絕緣材料，形成第二絕緣層，然后涂覆光致抗蝕層，通過曝光和顯影過程形成保護掩膜，然后采用蝕刻工藝去掉未涂覆掩膜的第二絕緣層，去除掩膜，形成第二絕緣層，如圖5d所示。第二絕緣層所使用的材料可以為有機聚合物或非單晶硅，第二絕緣層包覆著生成的漏極。
步驟203、在所述第二絕緣層上沉積反射層，通過構(gòu)圖工藝形成反射層。作為本發(fā)明的一種實施方式，在第二絕緣層26面向液晶層的側(cè)面上，在高真空條件下利用磁控濺射法沉積一層金屬鋁層，將保護層涂覆在金屬鋁層表面，通過曝光和顯影過程形成保護掩膜，然后采用蝕刻工藝去掉未涂覆掩膜的金屬鋁層，去除掩膜，形成反射層，如圖5e所示。反射層所使用的材料為金屬鋁，反射層與步驟103生成的基臺相對設置。本實施例的方法進一步包括 步驟204、在第二絕緣層上制作導通孔，在反射層上形成ITO電極層，使ITO電極層通過導通孔與柵極相連接。作為本發(fā)明的一種實施方式，在第二絕緣層26面向液晶層的側(cè)面上，涂覆保護層，用曝光和顯影過程形成保護掩膜，然后采用蝕刻工藝在第二絕緣層上刻蝕出導通孔。將ITO濺射到陣列基板表面上，然后沉積保護層。利用光刻法刻蝕出需要去掉的ITO電極層上 的保護層，利用干法或濕法對ITO電極層進行腐蝕，去除未被保護層覆蓋的ITO電極層，保留被保護層覆蓋的ITO電極層，去除保護層，形成ITO電極，如圖5f所示。本發(fā)明實施例的陣列基板制造方法，在陣列基板制作過程中，加入了濺射金屬鋁制作出了反射層的步驟，在不產(chǎn)生技術(shù)衍生問題的情況下，簡單可行的完成了制造帶反射層的陣列基板的工藝。對本發(fā)明實施例的制作出的彩膜基板及陣列基板進行真空對盒，可以形成實施例一所述的液晶顯示面板所使用的液晶盒。下面對對盒過程進行一下簡單介紹。首先，將要使用的液晶材料進行混配處理。使用的液晶材料為負性向列相液晶，此向列相液晶長軸以苯環(huán)、環(huán)己烷和酯基組合，吸電基團在液晶分子短軸方向，呈現(xiàn)負性特征。將混配好的液晶放置到脫泡器中進行脫泡處理，溫度范圍在-20°C 90°C之間，脫泡時間I 10小時。然后，在實施例二的帶基臺的彩膜基板及實施例三的帶反射層的陣列基板上涂覆取向劑，利用絨布摩擦取向。第一取向膜層的摩擦取向方向為當彩膜基板面向液晶層的表面方向向上時，水平沿逆時針旋轉(zhuǎn)45°所指向的方向；第二取向膜層的摩擦取向方向為當陣列基板面向液晶層的表面方向向上時，水平沿順時針旋轉(zhuǎn)135°所指向的方向。然后，將經(jīng)混配脫泡處理后的液晶滴加到列陣基板面向液晶層的表面上，將封框膠涂覆到彩膜基板面向液晶層的表面上，利用真空對盒的方法將列陣基板和彩膜基板進行真空對盒。然后，對對盒后的面板進行紫外光輻照，紫外光輻照的光照強度為I lOOmW/cm2，輻射時間是5 60分鐘。通過紫外光輻照封框膠發(fā)生聚合，防止液晶分子擴散。最后，對進行紫外光輻照的面板進行加熱，然后進行檢測。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應所述以權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板，包括彩膜基板、陣列基板以及設置在彩膜基板與陣列基板之間的液晶層，其特征在于，所述彩膜基板面向所述液晶層的側(cè)面上設置有凸出的基臺，所述基臺的高度為所述液晶層厚度的1/2，所述陣列基板面向所述液晶層的側(cè)面上設置有反射層，且所述基臺與所述反射層相對設置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板與所述陣列基板之間設置有柱狀隔墊物。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述基臺面向液晶層的側(cè)面設置有納米銦錫金屬氧化物ITO電極層和第一取向膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述反射層面向液晶層的側(cè)面設置有ITO電極層和第二取向膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述反射層為金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述金屬層為鋁層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶層中的液晶為負性液晶，所述負性液晶的吸電基團在液晶分子的短軸方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述負性液晶為氟基衍生物，所述氟基衍生物的分子結(jié)構(gòu)中含有剛性基團結(jié)構(gòu)。
9.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一項所述的液晶顯示面板。
10.一種彩膜基板的制作方法，其特征在于，包括 在彩膜基底上形成黑矩陣圖形； 在所述黑矩陣圖形上形成彩膜層； 在所述彩膜層上沉積樹脂層，通過構(gòu)圖工藝形成基臺。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種液晶顯示面板、液晶顯示裝置及制造方法，涉及液晶顯示器領域，實現(xiàn)了反射區(qū)域的光線光程與透過透射區(qū)域的光線光程一致的效果，從而優(yōu)化了液晶顯示面板的顯示性能。本發(fā)明實施例的液晶顯示面板，包括彩膜基板、陣列基板以及設置在彩膜基板與陣列基板之間的液晶層，所述彩膜基板面向液晶層的側(cè)面上設置有凸出的基臺，所述基臺的高度為所述液晶層厚度的1/2，所述陣列基板面向液晶層的側(cè)面上設置有反射層，且所述基臺與所述反射層相對設置。
文檔編號G02F1/1333GK102830532SQ201210297468
公開日2012年12月19日 申請日期2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月20日
發(fā)明者郭仁煒, 謝建云 申請人:北京京東方光電科技有限公司