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掩膜板、采用掩膜板制作陣列基板的方法、陣列基板的制作方法

文檔序號(hào):2687939閱讀:135來源:國知局
專利名稱:掩膜板、采用掩膜板制作陣列基板的方法、陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域,特別是指一種掩膜板、采用掩膜板制作陣列基板的方法、陣列基板。
背景技術(shù)
在通常的液晶顯示面板陣列設(shè)計(jì)中,陣列圖形是完全被包含在一張掩模板內(nèi)的。在曝光過程中,一次曝光就能形成一個(gè)完整的陣列圖形,并且所形成的陣列圖形與掩膜板中的圖形一致。在采用現(xiàn)有技術(shù)中的掩膜板制作陣列基板時(shí),陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線是相連的,這樣采用該陣列基板的液晶顯示面板一次只能輸入一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào),導(dǎo)致在像素充電時(shí)間一定的條件下,液晶顯示面板的圖像掃描幀速比較低;或者在液晶顯示面板的圖像掃描幀速 一定的條件下像素充電時(shí)間比較短。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種掩膜板、采用掩膜板制作陣列基板的方法及陣列基板,能夠在像素充電時(shí)間一定的條件下,提高液晶顯示面板的圖像掃描幀速;或者在液晶顯示面板的圖像掃描幀速一定的條件下,增大像素充電時(shí)間。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下—方面,提供一種掩膜板,應(yīng)用于拼接曝光制作陣列基板,其特征在于,所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+l個(gè)掩膜圖形,η為任一自然數(shù),每個(gè)掩膜圖形包括有對(duì)應(yīng)陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續(xù)的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的。進(jìn)一步地,所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,所述第二掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板,所述陣列基板包括依次排布、相互平行的2m個(gè)與掩膜圖形對(duì)應(yīng)的圖形區(qū)域,m為任一自然數(shù),相鄰圖形區(qū)域之間存在拼接區(qū)域;所述陣列基板中間兩圖形區(qū)域之間的拼接區(qū)域中,所述陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線為斷開的。進(jìn)一步地,所述陣列基板包括依次排布的第一圖形區(qū)域、第二圖形區(qū)域、第三圖形區(qū)域和第四區(qū)域,在所述第二圖形區(qū)域和第三圖形區(qū)域之間的拼接區(qū)域中,所述陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線為斷開的。進(jìn)一步地,所述陣列基板由掩膜板拼接曝光形成,所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+l個(gè)掩膜圖形,η為任一自然數(shù),每個(gè)掩膜圖形包括有對(duì)應(yīng)陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續(xù)的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的。進(jìn)一步地,所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,所述第二掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種采用掩膜板制作陣列基板的方法,所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+l個(gè)掩膜圖形,η為任一自然數(shù),每個(gè)掩膜圖形包括有對(duì)應(yīng)陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續(xù)的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的,所述制作陣列基板的方法包括利用前η個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第一圖形區(qū)域,每個(gè)第一圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊;利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第二圖形區(qū)域,所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊;再次利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第三圖形區(qū)域,所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案與所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案不存在重疊;
利用第η+2個(gè)到第2η+1個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第四圖形區(qū)域,所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第四圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊。進(jìn)一步地,所述制作陣列基板的方法具體包括步驟a :遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用第一個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光;步驟b :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用下一個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光;
步驟c :重復(fù)上述步驟b,直至利用前η個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第一圖形區(qū)域,每個(gè)第一圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在重置;步驟d :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第二圖形區(qū)域,所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊;步驟e :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,再次利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第三圖形區(qū)域,所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案與所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案不存在重疊;步驟f :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用第η+2個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光;步驟g :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用下一個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光;步驟h :重復(fù)上述步驟g,直至利用第η+2個(gè)到第2η+1個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第四圖形區(qū)域,所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第四圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊。進(jìn)一步地,所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形組成,所述第二掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的,所述制作陣列基板的方法包括第一次曝光工藝,遮擋住第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,利用第一掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第一圖形區(qū)域;第二次曝光工藝,移動(dòng)掩膜板,遮擋住第一掩膜圖形和第三掩膜圖形,利用第二掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第二圖形區(qū)域,所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案與所述第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在部分重疊;
第三次曝光工藝,移動(dòng)掩膜板,遮擋住第一掩膜圖形和第三掩膜圖形,利用第二掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第三圖形區(qū)域,所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案與所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案不存在重疊;第四次曝光工藝,移動(dòng)掩膜板,遮擋住第一掩膜圖形和第二掩膜圖形,利用第三掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第四圖形區(qū)域,所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案與所述第四圖形區(qū)域的遮光圖案存在部分重疊。本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果上述方案中,能夠采用掩膜板制作大尺寸的陣列基板,并且能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)線在陣列基板的中間相斷開,這樣采用該陣列基板的液晶顯示面板的上下兩部分(指數(shù)據(jù)信號(hào)線相分離后構(gòu)成的兩部分顯示區(qū))能同時(shí)輸入不同的數(shù)據(jù)信號(hào),達(dá)到在像素充電時(shí)間一定的條件下面板圖像掃描幀速倍增的效果,或者實(shí)現(xiàn)在掃描幀速一定的條件下像素充電時(shí)間倍增的效果,能夠?qū)崿F(xiàn)液晶顯示面板的超高分辨率以及解決了高幀速液晶顯示面板設(shè)計(jì)中像素充電率較低的問題。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板上的數(shù)據(jù)信號(hào)線的分布示意圖;圖2為本發(fā)明實(shí)施例中陣列圖形的分割示意圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例的掩膜板上的圖形示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例在拼接曝光中陣列基板上數(shù)據(jù)信號(hào)線在拼接曝光區(qū)的重疊示意圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例顯影并刻蝕后,陣列基板上最終形成的數(shù)據(jù)信號(hào)線連接示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板一次只能輸入一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào),導(dǎo)致在像素充電時(shí)間一定的條件下,液晶顯示面板的圖像掃描幀速比較低;或者在液晶顯示面板的圖像掃描幀速一定的條件下像素充電時(shí)間比較短的問題,提供一種掩膜板、采用掩膜板制作陣列基板的方法及陣列基板,能夠在像素充電時(shí)間一定的條件下,提高液晶顯示面板的圖像掃描幀速;或者在液晶顯示面板的圖像掃描幀速一定的條件下,增大像素充電時(shí)間。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板,應(yīng)用于拼接曝光制作陣列基板,掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+l個(gè)掩膜圖形,η為任一自然數(shù),每個(gè)掩膜圖形包括有對(duì)應(yīng)陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的遮光圖案為斷續(xù)的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側(cè)的遮光圖案為非對(duì)稱的。進(jìn)一步地,掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,第二掩膜圖形兩側(cè)的遮光圖案為非對(duì)稱的。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板,陣列基板包括依次排布、相互平行的2m個(gè)與掩模圖形對(duì)應(yīng)的圖形區(qū)域,m為任一自然數(shù),相鄰部分之間存在拼接區(qū)域;陣列基板中間兩圖形區(qū)域之間的拼接區(qū)域中,陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線為斷開的。進(jìn)一步地,陣列基板包括依次排布的第一圖形區(qū)域、第二圖形區(qū)域、第三圖形區(qū)域和第四圖形區(qū)域,在第二圖形區(qū)域和第三圖形區(qū)域之間的拼接區(qū)域中,陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線為斷開的。進(jìn)一步地,陣列基板由掩膜板拼接曝光形成,掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+l個(gè)掩膜圖形,η為任一自然數(shù),每個(gè)掩膜圖形包括有對(duì)應(yīng)陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的遮光圖案為斷續(xù)的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側(cè)的遮光圖案為非對(duì)稱的。進(jìn)一步地,掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,第二掩膜圖形兩側(cè)的遮光圖案為非對(duì)稱的。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種采用掩膜板制作陣列基板的方法,掩膜板包括依次排布、相互平行的2η+1個(gè)掩膜圖形組成,η為任一自然數(shù),每個(gè)掩膜圖形包括有對(duì)應(yīng)陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的遮光圖案為斷續(xù)的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側(cè)的遮光圖案為非對(duì)稱的,制作陣列基板的方法包括利用前η個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第一圖形區(qū)域,每個(gè)第一圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊;利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第二圖形區(qū)域,第二圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊;再次利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第三圖形區(qū)域,第三圖形區(qū)域的遮光圖案與第二圖形區(qū)域的遮光圖案不存在重疊;利用第η+2個(gè)到第2η+1個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第四圖形區(qū)域,第三圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第四圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊。進(jìn)一步地,制作陣列基板的方法具體包括步驟a :遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用第一個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光;步驟b :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用下一個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光;步驟c :重復(fù)上述步驟b,直至利用前η個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第一圖形區(qū)域,每個(gè)第一圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案
存在重置;步驟d :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第二圖形區(qū)域,第二圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊;步驟e :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,再次利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第三圖形區(qū)域,第三圖形區(qū)域的遮光圖案與第二圖形區(qū)域的遮光圖案不存在重疊;步驟f :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用第η+2個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光;步驟g :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用下一個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光;
步驟h :重復(fù)上述步驟g,直至利用第η+2個(gè)到第2η+1個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第四圖形區(qū)域,第三圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第四圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊。進(jìn)一步地,掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,第二掩膜圖形兩側(cè)的遮光圖案為非對(duì)稱的,制作陣列基板的方法包括第一次曝光工藝,遮擋住第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,利用第一掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第一圖形區(qū)域;第二次曝光工藝,移動(dòng)掩膜板,遮擋住第一掩膜圖形和第三掩膜圖形,利用第二掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第二圖形區(qū)域,第二圖形區(qū)域的遮光圖案與第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在部分重疊;第三次曝光工藝,移動(dòng)掩膜板,遮擋住第一掩膜圖形和第三掩膜圖形,利用第二掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第三圖形區(qū)域,第二圖形區(qū)域的遮光圖案與第三圖形區(qū)域的遮光圖案不存在重疊; 第四次曝光工藝,移動(dòng)掩膜板,遮擋住第一掩膜圖形和第二掩膜圖形,利用第三掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第四圖形區(qū)域,第三圖形區(qū)域的遮光圖案與第四圖形區(qū)域的遮光圖案存在部分重疊。采用上述掩膜板和制作方法能夠制作大尺寸(如110寸)的陣列基板,并且能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)線在陣列基板的中間相斷開,這樣采用該陣列基板的液晶顯示面板的上下兩部分(指數(shù)據(jù)信號(hào)線相分離后構(gòu)成的兩部分顯示區(qū))能同時(shí)輸入不同的數(shù)據(jù)信號(hào),達(dá)到在像素充電時(shí)間一定的條件下面板圖像掃描幀速倍增的效果,或者實(shí)現(xiàn)在掃描幀速一定的條件下像素充電時(shí)間倍增的效果,能夠?qū)崿F(xiàn)液晶顯示面板的超高分辨率以及解決了高幀速液晶顯示面板設(shè)計(jì)中像素充電率較低的問題。下面以掩膜板包括三個(gè)掩膜圖形為例,對(duì)本發(fā)明的掩膜板、使用該掩膜板制作的陣列基板及其制作方法進(jìn)行進(jìn)一步地說明圖I為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板上的數(shù)據(jù)信號(hào)線的分布示意圖,其中數(shù)據(jù)信號(hào)線沿水平方向排列(掃描信號(hào)線垂直排列,圖中未標(biāo)示),Dm為第m根數(shù)據(jù)信號(hào)線,D。為第ο根數(shù)據(jù)信號(hào)線,Du為第u根數(shù)據(jù)信號(hào)線。在設(shè)計(jì)本發(fā)明的掩膜板時(shí),如圖2所示,沿著陣列基板的垂直方向(即掃描信號(hào)線方向)把該陣列圖形分割成A、B、B’、C四部分,其中,中間的B部分和B’部分的圖形完全一樣,數(shù)據(jù)信號(hào)線Dm、D0和Du均被分割開來。在液晶顯示面板生產(chǎn)中,通常掩膜板的尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于玻璃基板的尺寸。因此,當(dāng)要制作比掩膜板大的陣列圖形時(shí),就需要采用拼接曝光方式。其基本原理就是把大的陣列圖形分割成幾個(gè)更小的部分,然后選取其中的若干部分組成掩膜板的設(shè)計(jì)圖形,為了還原原陣列圖形,就需要采用拼接曝光,曝光期間會(huì)重復(fù)利用掩膜板中的部分圖形,最終形成更大的原陣列圖形。在圖2分割得到的A、B、B’、C四部分中,選取均不相同的A、B和C三部分構(gòu)成掩膜板中的圖形,如圖3所示為掩膜板上的圖形示意圖,為了在掩膜板的拼接曝光中還原原陣列圖形,并實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)線在陣列基板的中間斷開,需要對(duì)掩膜板中的數(shù)據(jù)信號(hào)線對(duì)應(yīng)圖案進(jìn)行特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。圖形A的右側(cè)的數(shù)據(jù)信號(hào)線的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、圖形B的兩側(cè)的數(shù)據(jù)信號(hào)線的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和圖形C左側(cè)的數(shù)據(jù)信號(hào)線的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)如圖3所示,其中,對(duì)圖形A進(jìn)行曝光,可以形成陣列基板上的A部分,對(duì)圖形B進(jìn)行兩次曝光可以分別形成陣列基板上的B部分和B’部分,對(duì)圖形C曝光可以形成陣列基板上的C部分。數(shù)據(jù)信號(hào)線的這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以確保在拼接曝光形成陣列圖形的過程中,A部分和B部分的數(shù)據(jù)信號(hào)線為相連接的,B’部分和C部分的數(shù)據(jù)信號(hào)線也是相連接的,而為了使陣列基板上B部分和B’部分的連接處的數(shù)據(jù)信號(hào)線為斷開的,需要對(duì)圖形B兩側(cè)的數(shù)據(jù)信號(hào)線的結(jié)構(gòu)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì),即圖形B兩側(cè)的數(shù)據(jù)信號(hào)線沿著圖形B的垂直方向是非對(duì)稱的。數(shù)據(jù)信號(hào)線的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)具體可以如圖2所示,也可以對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線的結(jié)構(gòu)做適當(dāng)變形,只要能夠確保在拼接曝光形成陣列圖形的過程中,A部分和B部分的數(shù)據(jù)信號(hào)線為相連接的,B’部分和C部分的數(shù)據(jù)信號(hào)線也是相連接的,B部分和B’部分的連接處的數(shù)據(jù)信號(hào)線為斷開的即可。在制作陣列基板時(shí),采用如圖3所示的掩膜板對(duì)玻璃基板上的光刻膠進(jìn)行曝光。在第一次曝光時(shí),遮擋住圖形B和圖形C,利用圖形A進(jìn)行曝光,得到陣列基板的A部分;在第二次曝光時(shí),適當(dāng)挪動(dòng)掩膜板,遮擋住圖形A和圖形C,利用圖形B進(jìn)行曝光,得到陣列基板的B部分;在第三次曝光時(shí),適當(dāng)挪動(dòng)掩膜板,遮擋住圖形A和圖形C,利用圖形B進(jìn)行曝 光,得到陣列基板的B’部分;在第四次曝光時(shí),適當(dāng)挪動(dòng)掩膜板,遮擋住圖形A和圖形B,利用圖形C進(jìn)行曝光,得到陣列基板的C部分。圖4所示為拼接曝光后,留在玻璃基板上形成的光刻膠圖形的示意圖,可以看出,掩膜板中的圖形B被曝光了兩次,在A部分和B部分之間的拼接曝光區(qū),實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)信號(hào)線圖形的相互交疊,即在拼接曝光區(qū)交疊處的光刻膠沒有被曝光,在接下來的顯影和刻蝕工藝后,交疊處對(duì)應(yīng)的金屬薄膜圖形得以保留,實(shí)現(xiàn)了 A部分和B部分之間的數(shù)據(jù)信號(hào)線相連接;在B部分與B’部分之間的拼接曝光區(qū),由于圖形B兩側(cè)的數(shù)據(jù)信號(hào)線在圖形B垂直方向是非對(duì)稱的,因此,在B部分和B’部分之間的拼接曝光區(qū),數(shù)據(jù)信號(hào)線的圖形不相互交疊,拼接曝光區(qū)的光刻膠圖形在顯影后會(huì)被去掉,這樣在接下來的顯影和刻蝕工藝后,B部分和B’部分之間的數(shù)據(jù)信號(hào)線是不相連接,斷開的;在B’部分和C部分之間的拼接曝光區(qū),實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)信號(hào)線圖形的相互交疊,即在拼接曝光區(qū)交疊處的光刻膠沒有被曝光,在接下來的顯影和刻蝕工藝后,交疊處對(duì)應(yīng)的金屬薄膜圖形得以保留,實(shí)現(xiàn)了 B’部分和C部分之間的數(shù)據(jù)信號(hào)線相連接,如圖5所示為陣列基板上最終形成的數(shù)據(jù)信號(hào)線連接示意圖。進(jìn)一步地,作為本發(fā)明技術(shù)方案的適當(dāng)變形,還可以僅利用掩膜板的圖形A和圖形C進(jìn)行曝光在第一次曝光時(shí),遮擋住圖形B和圖形C,利用圖形A進(jìn)行曝光,得到陣列基板的A部分;在第二次曝光時(shí),適當(dāng)挪動(dòng)掩膜板,遮擋住圖形A和圖形B,利用圖形C進(jìn)行曝光,得到陣列基板的C部分。這樣得到的陣列基板上,在A部分和C部分之間的拼接曝光區(qū),數(shù)據(jù)信號(hào)線的圖形不相互交疊,拼接曝光區(qū)的光刻膠圖形在顯影后會(huì)被去掉,這樣在接下來的顯影和刻蝕工藝后,A部分和C部分之間的數(shù)據(jù)信號(hào)線是不相連接,斷開的,也就是數(shù)據(jù)信號(hào)線在陣列基板的中間是斷開的。現(xiàn)有陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線是相連的,這樣液晶顯示面板一次只能輸入一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào),導(dǎo)致在像素充電時(shí)間一定的條件下,液晶顯示面板的圖像掃描幀速比較低;或者在液晶顯示面板的圖像掃描幀速一定的條件下像素充電時(shí)間比較短。本發(fā)明的技術(shù)方案中,將陣列圖形進(jìn)行分割,并在分割處(也是還原陣列圖形時(shí)的曝光拼接處)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線進(jìn)行特殊形狀的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)信號(hào)線在陣列基板的中間相斷開的技術(shù)效果,這樣實(shí)現(xiàn)了采用該陣列基板的液晶顯示面板的上下兩部分(指數(shù)據(jù)信號(hào)線相分離后構(gòu)成的兩部分顯示區(qū))能同時(shí)輸入不同的數(shù)據(jù)信號(hào),達(dá)到在像素充電時(shí)間一定的條件下面板圖像掃描幀速倍增的效果,或者實(shí)現(xiàn)在掃描幀速一定的條件下像素充電時(shí)間倍增的效果,能夠?qū)崿F(xiàn)液晶顯示面板的超高分辨率以及解決了高幀速液晶顯示面板設(shè)計(jì)中像素充電率較低的問題。本發(fā)明所制作出的陣列基板可以應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)OLED和E- book的顯示。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下,還可以作出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種掩膜板,應(yīng)用于拼接曝光制作陣列基板,其特征在于,所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+l個(gè)掩膜圖形,η為任一自然數(shù),每個(gè)掩膜圖形包括有對(duì)應(yīng)陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續(xù)的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,所述第二掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的。
3.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括依次排布、相互平行的2m個(gè)與掩膜圖形對(duì)應(yīng)的圖形區(qū)域,m為任一自然數(shù),相鄰圖形區(qū)域之間存在拼接區(qū)域;所述陣列基板中間兩圖形區(qū)域之間的拼接區(qū)域中,所述陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線為斷開的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括依次排布的第一圖形區(qū)域、第二圖形區(qū)域、第三圖形區(qū)域和第四區(qū)域,在所述第二圖形區(qū)域和第三圖形區(qū)域之間的拼接區(qū)域中,所述陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線為斷開的。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板由掩膜板拼接曝光形成,所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+l個(gè)掩膜圖形,η為任一自然數(shù),每個(gè)掩膜圖形包括有對(duì)應(yīng)陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續(xù)的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,所述第二掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的。
7.一種采用掩膜板制作陣列基板的方法,其特征在于,所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2η+1個(gè)掩膜圖形,η為任一自然數(shù),每個(gè)掩膜圖形包括有對(duì)應(yīng)陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續(xù)的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的,所述制作陣列基板的方法包括 利用前η個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第一圖形區(qū)域,每個(gè)第一圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊; 利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第二圖形區(qū)域,所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊; 再次利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第三圖形區(qū)域,所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案與所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案不存在重疊; 利用第η+2個(gè)到第2η+1個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第四圖形區(qū)域,所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第四圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的采用掩膜板制作陣列基板的方法,其特征在于,所述制作陣列基板的方法具體包括 步驟a :遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用第一個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光; 步驟b :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用下一個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光; 步驟c :重復(fù)上述步驟b,直至利用前η個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第一圖形區(qū)域,每個(gè)第一圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊; 步驟d :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第二圖形區(qū)域,所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在重置; 步驟e :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,再次利用第η+1個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第三圖形區(qū)域,所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案與所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案不存在重疊; 步驟f :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用第η+2個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光; 步驟g :移動(dòng)掩膜板,遮擋住其他2n個(gè)掩膜圖形,利用下一個(gè)掩膜圖形進(jìn)行曝光; 步驟h :重復(fù)上述步驟g,直至利用第η+2個(gè)到第2η+1個(gè)掩膜圖形依次完成η次曝光,得到陣列基板的η個(gè)第四圖形區(qū)域,所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案與相鄰的第四圖形區(qū)域的遮光圖案存在重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的采用掩膜板制作陣列基板的方法,其特征在于,所述掩膜板包括依次排布的第一掩膜圖形、第二掩膜圖形和第三掩膜圖形組成,所述第二掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的,所述制作陣列基板的方法包括 第一次曝光工藝,遮擋住第二掩膜圖形和第三掩膜圖形,利用第一掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第一圖形區(qū)域; 第二次曝光工藝,移動(dòng)掩膜板,遮擋住第一掩膜圖形和第三掩膜圖形,利用第二掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第二圖形區(qū)域,所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案與所述第一圖形區(qū)域的遮光圖案存在部分重疊; 第三次曝光工藝,移動(dòng)掩膜板,遮擋住第一掩膜圖形和第三掩膜圖形,利用第二掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第三圖形區(qū)域,所述第二圖形區(qū)域的遮光圖案與所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案不存在重疊; 第四次曝光工藝,移動(dòng)掩膜板,遮擋住第一掩膜圖形和第二掩膜圖形,利用第三掩膜圖形進(jìn)行曝光,得到陣列基板的第四圖形區(qū)域,所述第三圖形區(qū)域的遮光圖案與所述第四圖形區(qū)域的遮光圖案存在部分重疊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種掩膜板、采用掩膜板制作陣列基板的方法、陣列基板,屬于液晶顯示領(lǐng)域。其中,該掩膜板應(yīng)用于拼接曝光制作陣列基板,所述掩膜板包括相互平行的2n+1個(gè)掩膜圖形,每個(gè)掩膜圖形包括有對(duì)應(yīng)陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線的遮光圖案,其中,相鄰掩膜圖形之間的所述遮光圖案為斷續(xù)的,位于掩膜板中間的掩膜圖形兩側(cè)的所述遮光圖案為非對(duì)稱的。本發(fā)明的技術(shù)方案能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)線在陣列基板中間斷開,從而把一塊完整的顯示屏從驅(qū)動(dòng)上分成相獨(dú)立的上半部分和下半部分,實(shí)現(xiàn)在像素充電時(shí)間一定的條件下,提高液晶顯示面板的圖像掃描幀速,或者在液晶顯示面板的圖像掃描幀速一定的條件下,增大像素充電時(shí)間。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102819183SQ201210306678
公開日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2012年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月24日
發(fā)明者廖燕平, 呂敬, 邵喜斌, 尹大根, 王英, 張振宇 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司
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