專利名稱：輻射源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及輻射源，所述輻射源適合于結(jié)合光刻設(shè)備使用或形成光刻設(shè)備的一部分。另外，本發(fā)明更主要涉及流體流生成器。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻設(shè)備可用于例如IC制造過程中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，通過將圖 案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。通常，單一襯底將包括相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)，所述相鄰目標(biāo)部分被連續(xù)地圖案化。光刻術(shù)被廣泛地看作制造IC和其他器件和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而，隨著通過使用光刻術(shù)制造的特征的尺寸變得越來越小，光刻術(shù)正變成允許制造微型IC或其他器件和/或結(jié)構(gòu)的更加關(guān)鍵的因素。圖案印刷的極限的理論估計(jì)可以由用于分辨率的瑞利法則給出，如等式⑴所示CD = L *—(I)
1 NA其中\(zhòng)是所用輻射的波長，NA是用以印刷圖案的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，Ic1是依賴于工藝的調(diào)節(jié)因子，也稱為瑞利常數(shù)，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。由等式(I)知道，特征的最小可印刷尺寸的減小可以由三種途徑實(shí)現(xiàn)通過縮短曝光波長\、通過增大數(shù)值孔徑NA或通過減小Ic1的值。為了縮短曝光波長并因此減小最小可印刷尺寸，已經(jīng)提出使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射是波長在5-20nm范圍內(nèi)的電磁輻射，例如波長在13-14nm范圍內(nèi)。還已經(jīng)提出可以使用波長小于IOnm的EUV輻射，例如波長在5-lOnm范圍內(nèi)，例如6. 7nm或6. 8nm的波長。這樣的輻射被用術(shù)語極紫外輻射或軟X-射線輻射表示?？捎玫脑窗ɡ缂す猱a(chǎn)生的等離子體源、放電等離子體源或基于由電子存儲(chǔ)環(huán)提供的同步加速器輻射的源?？梢酝ㄟ^使用等離子體產(chǎn)生EUV輻射。用于產(chǎn)生EUV輻射的輻射系統(tǒng)可以包括用于激發(fā)燃料以提供等離子體的激光器和用于容納等離子體的源收集器模塊。等離子體可以例如通過將激光束引導(dǎo)至燃料來產(chǎn)生，燃料例如可以是合適的燃料材料(例如錫，其當(dāng)前被認(rèn)為是最受期望的材料，且因此是EUV輻射源的燃料的可能選擇的方案)的顆粒(即，液滴)，或合適的氣體或蒸汽的流，例如氙氣或鋰蒸汽。所形成的等離子體輻射輸出輻射，例如EUV輻射，其通過使用輻射收集器收集。輻射收集器可以是反射鏡式正入射輻射收集器，其接收輻射并將輻射聚焦成束。源收集器模塊可以包括包圍結(jié)構(gòu)或腔，所述包圍結(jié)構(gòu)或腔布置成提供真空環(huán)境以支持等離子體。這種輻射系統(tǒng)通常稱為激光產(chǎn)生等離子體(LPP)源。在可替代的系統(tǒng)(其還可以采用使用激光)中，可以通過使用放電形成的等離子體——放電產(chǎn)生等離子體(DPP)源來產(chǎn)生輻射。所提出的LPP輻射源產(chǎn)生連續(xù)的燃料液滴流。輻射源包括用于朝向等離子體形成位置引導(dǎo)燃料液滴的噴嘴。液滴需要被以高的精度引導(dǎo)至等離子體形成位置，用于確保激光束可以被朝向液滴引導(dǎo)且與液滴接觸。為了實(shí)現(xiàn)其，燃料應(yīng)當(dāng)穿過噴嘴，而不遇到任何不被預(yù)期或不是有意安排的障礙或限制。這樣的障礙或限制可能由沉積到噴嘴的內(nèi)表面上的燃料中的污染物造成。污染物可能導(dǎo)致被噴嘴引導(dǎo)的液滴流不具有一種或更多種所需要的性質(zhì)，例如期望的軌跡。輻射源的動(dòng)力學(xué)(例如熱漂移)還可能造成不具有期望的軌跡的液滴流。結(jié)果，這可能導(dǎo)致輻射源作為整體不像預(yù)期的那樣發(fā)揮作用，例如，不能產(chǎn)生輻射，或者不能產(chǎn)生所需強(qiáng)度的輻射或產(chǎn)生輻射持續(xù)所需的持續(xù)時(shí)間。雖然已經(jīng)關(guān)于LPP輻射源描述了所述問題，但是可能其他流體(例如液體)流生成器(液滴或連續(xù))遇到同樣的問題或類似的問題，例如用在噴墨和/或(熔融的)金屬印刷或類似物中的噴嘴。另外，所述問題不一定限于包括液滴的流，這是因?yàn)樵趯a(chǎn)生連續(xù)的流時(shí)將可能會(huì)遇到同樣的或類似的問題。

發(fā)明內(nèi)容
期望減輕現(xiàn)有技術(shù)中的至少一個(gè)問題，不論是否在此處提及的或在其它地方提及的，或提供一種對(duì)現(xiàn)有的設(shè)備或方法的替代方案。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種輻射源，包括貯存器，配置成保持一體積的燃料；噴嘴，與貯存器流體連接并配置成沿著朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料流；激光器，配置成將激光輻射引導(dǎo)到在等離子體形成位置處的所述流上，以在使用中產(chǎn)生用于產(chǎn)生輻射的等離子體；和正透鏡布置，配置成朝向等離子體形成位置聚焦燃料流的軌跡的至少潛在的展度范圍，所述透鏡包括電場生成元件和/或磁場生成元件。透鏡布置可以配置成確保噴嘴的位置或方向變化被在等離子體形成位置的預(yù)期位置處或相對(duì)于等離子體形成位置的預(yù)期位置以小于或等于I的倍數(shù)放大。這確保了透鏡布置不會(huì)放大噴嘴的位置或方向變化，由此不會(huì)放大由此引起的任何問題或缺點(diǎn)。所述透鏡布置還可以配置成用作下述配置中的一個(gè)或更多個(gè)、或至少形成下述配置中的一個(gè)或更多個(gè)的一部分用于從噴嘴抽取燃料(例如成液滴的形式)的抽取配置；和/或用于加速構(gòu)成燃料流的燃料的加速配置；用于減速構(gòu)成燃料流的燃料的減速配置；和/或用于給構(gòu)成或?qū)?gòu)成燃料流的燃料充電的充電配置。所述透鏡布置可以在所述一個(gè)或更多的配置之間切換(例如以電方式切換)。所述透鏡布置可以通過在下述部件之間施加適合的電勢差進(jìn)行切換透鏡布置的一個(gè)或更多的部件；和/或透鏡布置和噴嘴的一個(gè)或更多的部件；和/或透鏡布置和充電布置中的一個(gè)或更多的部件?？刂破骺梢圆贾贸稍谌剂狭鞯囊徊糠謴膰娮焱ㄖ恋入x子體形成位置時(shí)執(zhí)行所述配置中的一個(gè)或更多個(gè)配置之間的切換。這意味著所述透鏡布置可以選擇性地配置成在一時(shí)間段中相對(duì)于同一部分執(zhí)行不同的功能。所述透鏡布置的位置和/或方向可以是能夠控制的，用于控制聚焦點(diǎn)的位置。這可以通過透鏡布置或其的一個(gè)或更多的部件的物理移動(dòng)、和/或通過控制透鏡布置所使用的電場和/或磁場的幅值、形狀或總體配置的控制來實(shí)現(xiàn)。
一個(gè)或更多的另外的正透鏡布置可以被沿著(例如在已有的透鏡的上游或下游)軌跡的潛在展度范圍(和至少部分地圍繞其延伸)提供或設(shè)置。所述透鏡布置可以是靜電透鏡布置、和/或靜磁透鏡布置、和/或單透鏡(Einzellens)。所述輻射源還可以進(jìn)一步包括用于給構(gòu)成燃料流或?qū)?gòu)成燃料流的充電燃料的充電配置。該充電配置可以與燃料、貯存器、噴嘴或任何一個(gè)或更多的其他部件中的一個(gè)或更多個(gè)電連接，其允許或便于在從噴嘴噴射燃料之前或之后充電燃料。所述燃料流將最可能包括燃料液滴的流。所述燃料可以是熔融的金屬或包括熔融的金屬。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種流體流生成器，包括貯存器，配置成保持一體積的流體；噴嘴，與貯存器流體連接并配置成沿著朝向目標(biāo)位置(例如襯底、物體、片等)的軌跡引導(dǎo)流體流；和正透鏡布置，配置成朝向目標(biāo)位置將流體流的軌跡的至少潛在的展度范圍聚焦，所述透鏡包括電場生成元件和/或磁場生成元件。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種光刻設(shè)備，包括照射系統(tǒng)，用于提供輻射束；圖案形成裝置，用于在輻射束的橫截面中將圖案賦予輻射束；襯底保持裝置，用于保持襯底；投影系統(tǒng)，用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，其中所述光刻設(shè)備還包括根據(jù)本發(fā)明的第一和/或第二方面的輻射源或流體流生成器，或與根據(jù)本發(fā)明的第一和/或第二方面的輻射源或流體流生成器相連接。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種使燃料流生成器中的燃料的帶電的流的軌跡的潛在展度范圍會(huì)聚的方法，所述方法包括使用電場和/或磁場建立正透鏡，和引導(dǎo)帶電的流體流穿過所述正透鏡。應(yīng)當(dāng)理解，關(guān)于本發(fā)明的任一特定的方面描述的一個(gè)或更多的特征，在適合的情況下，可以應(yīng)用至本發(fā)明的任何其它方面。本發(fā)明的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)以及本發(fā)明各實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作將在下文中參考附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。注意到，本發(fā)明不限于此處描述的具體實(shí)施例。此處呈現(xiàn)的這些實(shí)施例僅是為了說明的目的?；诖颂幇慕虒?dǎo)，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白另外的實(shí)施例。


此處包含的且形成了說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明，且與所述描述一起進(jìn)一步用于說明本發(fā)明的原理，和使相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠完成和使用本發(fā)明。圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的光刻設(shè)備。圖2是包括LPP源收集器模塊的圖1的設(shè)備的更詳細(xì)的視圖。圖3示意性地示出配置成沿著朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料液滴的流的輻射源的噴嘴。圖4示意性地顯示在圖3的噴嘴的內(nèi)表面上的污染物沉積以及對(duì)離開噴嘴的液滴的軌跡的影響。圖5示意性示出燃料流生成器以及所生成的燃料流的軌跡的潛在的展度范圍。圖6示意性示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的燃料流生成器，包括配置成朝向等離子體形成位置聚焦所生成的燃料流的軌跡的展度范圍的正透鏡布置。
圖7和8示意性示出燃料流生成器的噴嘴的方向或位置的變化可以如何影響燃料流軌跡的展度范圍被弓I導(dǎo)所至的聚焦點(diǎn)。圖9和10示意性示出燃料流生成器的噴嘴的方向或位置的變化可以如何影響燃料流軌跡的展度范圍被引導(dǎo)所至的聚焦點(diǎn)，但是包括對(duì)透鏡布置的修改，用于減小對(duì)位置或方向的變化的影響。圖11示意性示出透鏡布置的一個(gè)示例。圖12示意性示出圖11中的透鏡布置可以如何被用于從噴嘴加速和/或抽取帶電的液滴。圖13-15顯示圖11和圖12中的透鏡布置可以如何被用于選擇性地聚焦和/或加速帶電的燃料液滴。在結(jié)合附圖時(shí)，將從下文闡述的詳細(xì)描述更加明白本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中相同的參考標(biāo)記在全文中表示對(duì)應(yīng)的元件。在附圖中，相同的參考標(biāo)號(hào)通常表示相同的、功能類似的和/或結(jié)構(gòu)類似的元件。元件首次出現(xiàn)的附圖由對(duì)應(yīng)的參考標(biāo)號(hào)中的最左邊的數(shù)字示出。
具體實(shí)施例方式本說明書公開了包括本發(fā)明的特征的一個(gè)或更多的實(shí)施例。所述公開的實(shí)施例僅示例性地說明本發(fā)明。本發(fā)明的范圍不限于所公開的實(shí)施例。本發(fā)明僅由隨附的權(quán)利要求書來限定。所描述的實(shí)施例和在說明書中對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”、“一實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的提及表示所述的實(shí)施例可以包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)，但是每個(gè)實(shí)施例可以不必包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)。此外，這些措詞不必表示同一實(shí)施例。此外，當(dāng)特定特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)被結(jié)合實(shí)施例進(jìn)行描述時(shí)，應(yīng)該理解，無論是否明確描述，結(jié)合其他的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這些特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)在本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)范圍內(nèi)。本發(fā)明的實(shí)施例可以在硬件、固件、軟件或其任何組合中實(shí)施。本發(fā)明實(shí)施例還可以被實(shí)施為存儲(chǔ)在機(jī)器可讀介質(zhì)上的指令，所述指令可以通過一個(gè)或更多個(gè)處理器讀取和執(zhí)行。機(jī)器可讀介質(zhì)可以包括用于儲(chǔ)存或傳輸成機(jī)器(例如計(jì)算裝置)可讀形式的信息的任何機(jī)制。例如，機(jī)器可讀介質(zhì)可以包括只讀存儲(chǔ)器(ROM);隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM);磁盤存儲(chǔ)介質(zhì)；光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)；閃存裝置；電、光、聲或其他形式的傳播信號(hào)(例如，載波、紅外信號(hào)、數(shù)字信號(hào)等)，以及其他。此外，固件、軟件、例行程序、指令可以在此處被描述成執(zhí)行特定動(dòng)作。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，這樣的描述僅是為了方便并且這些動(dòng)作實(shí)際上由計(jì)算裝置、處理器、控制器或執(zhí)行所述固件、軟件、例行程序、指令等的其他裝置所導(dǎo)致。然而，在更加詳細(xì)地描述這樣的實(shí)施例之前，呈現(xiàn)出可以實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的示例性環(huán)境是有指導(dǎo)意義的。圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的包括源收集器模塊SO的光刻設(shè)備LAP。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL,其配置成調(diào)節(jié)輻射束B (例如EUV輻射)；支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩?；蜓谀０?MA，并與配置用于精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如反射式投影系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底W的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。被賦予輻射束的圖案可以與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同的方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。與照射系統(tǒng)類似，投影系統(tǒng)可以包括多種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)部件、或其它類型的光學(xué)部件，或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用真空之類的其他因素所適合的。可以期望將真空環(huán)境用于EUV輻射，因?yàn)闅怏w可能會(huì)吸收太多的輻射。因此借助真空壁和真空泵可以在整個(gè)束路徑上提供真空環(huán)境。如此處所示，所述設(shè)備是反射型的(例如采用反射式掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙平臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺(tái))的類型。在這種“多平臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從源收集器模塊SO發(fā)出的極紫外輻射束。用于產(chǎn)生EUV光的方法包括但不必限于將材料轉(zhuǎn)換為等離子體狀態(tài)，該材料具有至少一個(gè)元素(例如氙、鋰或錫)，其中在EUV范圍內(nèi)具有一個(gè)或更多個(gè)發(fā)射線。在一種這樣的方法中，通常稱為激光產(chǎn)生等離子體(“LPP”)，所需的等離子體可以通過以激光束照射燃料來產(chǎn)生，燃料例如是具有所需線發(fā)射元素的材料的液滴、流或簇團(tuán)。源收集器模塊SO可以是包括用于提供激光束和激發(fā)燃料的激光器(圖1中未示出)的EUV輻射系統(tǒng)的一部分。所形成的等離子體發(fā)射輸出輻射，例如EUV輻射，其通過使用設(shè)置在源收集器模塊內(nèi)的輻射收集器收集。激光器和源收集器模塊可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)使用C02激光器提供用于燃料激發(fā)的激光束時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將激光器考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的引導(dǎo)反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)的幫助，將所述輻射束從激光器傳到源收集器模塊。在其它情況下，所述源可以是源收集器模塊的組成部分(例如當(dāng)所述源是放電產(chǎn)生的等離子體EUV產(chǎn)生器(通常稱為DPP源)時(shí))。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器。通常，可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為O-外部和O-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如琢面場反射鏡裝置和琢面光瞳反射鏡裝置(或稱為多小平面反射鏡裝置和多小平面光瞳反射鏡裝置)?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經(jīng)從圖案形成裝置(例如，掩模)MA反射后，所述輻射束B穿過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器PS2 (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器PSl用于相對(duì)于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置(例如，掩模)MA?？梢允褂醚谀?duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記PU P2來對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置(例如，掩模)MA和襯底W。示出的設(shè)備可以用于下列模式中的至少一種1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。2.在掃描模式中，在對(duì)支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。3.在另一模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通?？梢圆捎妹}沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2更詳細(xì)地示出光刻設(shè)備LAP，包括源收集器模塊S0、照射系統(tǒng)IL以及投影系統(tǒng)PS。源收集器模塊SO構(gòu)造并布置成使得在源收集器模塊的包圍結(jié)構(gòu)2內(nèi)可以保持真空環(huán)境。激光器4布置成將激光能量經(jīng)由激光束6照射到燃料，例如氙(Xe)、錫(Sn)或者鋰(Li)，其由流體流生成器8提供。最可能的是液體(即熔融的)錫(最可能成液滴形式)或成液體形式的另一種金屬當(dāng)前被認(rèn)為是最期望的，且因此是EUV輻射源的燃料的可能選擇。沉積到燃料中的激光能量在等離子體形成位置12處生成高度電離的等離子體10，其具有數(shù)十電子伏特(eV)的電子溫度。在這些離子的去激發(fā)和再結(jié)合期間產(chǎn)生的高能輻射從等離子體發(fā)射，由近正入射輻射收集器14收集并聚焦。激光器4和流體流生成器8(和/或收集器14)可以一起被認(rèn)為是包括輻射源，具體是EUV輻射源。該EUV輻射源可以被稱為激光產(chǎn)生的等離子體(LPP)輻射源?？梢蕴峁┑诙す馄?未顯示)，第二激光器配置成在激光束6入射到燃料上之前預(yù)加熱燃料。使用該方法的LPP源可以被稱為雙激光器脈沖(DLP)源。雖然未示出，但是燃料流生成器將包括噴嘴或與噴嘴連接，該噴嘴配置成沿著朝向等離子體形成位置12的軌跡引導(dǎo)流，例如燃料液滴的流。由輻射收集器14反射的輻射B被聚焦在虛源點(diǎn)16處。虛源點(diǎn)16通常被稱為中間焦點(diǎn)，并且源收集器模塊SO被布置成使得中間焦點(diǎn)16位于包圍結(jié)構(gòu)2中的開口 18處或該開口 18附近。虛源點(diǎn)16是用于發(fā)射輻射的等離子體10的像。隨后，輻射B穿過照射系統(tǒng)IL，該照射系統(tǒng)IL可以包括琢面場反射鏡裝置20和琢面光瞳反射鏡裝置22，所述琢面場反射鏡裝置20和琢面光瞳反射鏡裝置22布置成在圖案形成裝置MA處提供輻射束B的期望的角分布以及在圖案形成裝置MA處提供輻射束強(qiáng)度的期望的均勻性。在輻射束在由支撐結(jié)構(gòu)MT保持的圖案形成裝置MA處反射時(shí)，形成圖案化的束24，并且所述圖案化的束24通過投影系統(tǒng)PS經(jīng)由反射元件26、28成像到由晶片平臺(tái)或襯底臺(tái)WT保持的襯底W上。在照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PS中可以通常存在比圖示的元件更多的元件。此外，可以存在比圖示的反射鏡更多的反射鏡，例如在投影系統(tǒng)PS內(nèi)可以存在比圖2中示出的多1-6個(gè)附加的反射元件。圖3示意性地顯示在圖2中顯示的且參考其描述的燃料流生成器的一部分。燃料流生成器的該部分顯示為包括導(dǎo)管30，該導(dǎo)管30包括噴嘴32且通向噴嘴32，所述噴嘴32配置成沿著朝向等離子體形成位置(未顯示)的軌跡引導(dǎo)燃料的液滴流34。在另一例子中，燃料流生成器的同一(或修改后的)部分可以提供燃料的連續(xù)的流。噴嘴32的穩(wěn)定性和/或堵塞(即至少部分的阻擋)是如在噴嘴32的使用期間可能引起的問題，如它們針對(duì)于噴墨打印應(yīng)用所進(jìn)行的那樣。堵塞將由燃料中的污染物形成。噴嘴32的堵塞可能對(duì)噴嘴的壽命施加限制，且因此對(duì)燃料流生成器的壽命施加限制(或者至少是時(shí)間限制，在該時(shí)間限制下需要限制更換、保養(yǎng)或清潔)，且因此可以限制輻射源或光刻設(shè)備在整體上的可用性。最可能的是，燃料流生成器的噴嘴32與形成流體流生成器的一部分的燃料流系統(tǒng)中的其他的導(dǎo)管及類似物相比將具有最小直徑或最小直徑之一。因?yàn)閲娮?2將具有最小直徑中的一個(gè)直徑，所以可能的是，燃料流路徑中的堵塞將在噴嘴32附近或在噴嘴32處發(fā)生以及可能在噴嘴32內(nèi)發(fā)生，噴嘴32是燃料流系統(tǒng)中的約束(restriction)。這樣的堵塞可能導(dǎo)致噴嘴的有效幾何構(gòu)型變化。有效幾何構(gòu)型的變化可能導(dǎo)致所生成的流/液滴流的參數(shù)(例如液滴或流形狀或尺寸)的變化，或最可能是導(dǎo)致所述流/液滴流的軌跡的方向變化。在許多應(yīng)用中，這樣的參數(shù)將需要滿足嚴(yán)格的要求。尤其在EUV輻射源中，液滴生成器的要求將在液滴流的軌跡的位置精度方面上是極其嚴(yán)格的。例如，在等離子體形成位置處，液滴的位置可能需要精確至幾個(gè)微米的范圍內(nèi)，但是同時(shí)噴嘴32自身可能需要定位成相對(duì)遠(yuǎn)離等離子體形成位置，例如，離開等離子體形成位置大約幾十厘米的距離。這導(dǎo)致了對(duì)液滴流的軌跡可能小于10微弧的方向穩(wěn)定性要求?？偟慕Y(jié)果是即使沉積到噴嘴的內(nèi)表面上的或穿過噴嘴的非常小的顆粒污染物可能將噴嘴的有效幾何構(gòu)型(甚至在非常短的時(shí)間段內(nèi))改變至不能滿足方向穩(wěn)定性要求的程度。這可能又對(duì)輻射源的操作產(chǎn)生不利的影響，因此對(duì)光刻設(shè)備在整體上產(chǎn)生不利的影響，例如在輻射的產(chǎn)生方面上。圖4示意性地示出與在圖3中顯示地且參考其描述的相同的導(dǎo)管30、噴嘴32以及液滴流34。然而，在圖4中，成顆粒36的形式的污染物已經(jīng)沉積到噴嘴32的內(nèi)表面上。這樣的沉積導(dǎo)致了噴嘴32的有效幾何構(gòu)型的變化(如上文所述)，其又導(dǎo)致液滴流34的軌跡變化。如果污染物36保持在同一位置上，則所述變化可能是長期的且恒定的，但是如果污染物移動(dòng)，例如移動(dòng)通過噴嘴，則所述變化可能是短期的和可變化的。這可能導(dǎo)致軌跡方向快速變化。顆粒36是污染物的一個(gè)例子。污染物可以是微粒形式，或是可能在用于形成液滴流34的燃料中出現(xiàn)的任何其他物質(zhì)(例如薄片、聚結(jié)塊等)。污染物可能由燃料的氧化引起。例如，如果燃料是錫(或另一種熔融金屬)，那么污染物可能是氧化錫的顆粒(或被使用的任何金屬的氧化物)等?？商娲睾?或另外地，污染物可以是來自在燃料流系統(tǒng)的上游使用的設(shè)備的材料的顆粒或類似物。圖5示意性地示出輻射源的流體流生成器。流體流生成器包括配置成保持用于生成輻射的一體積的燃料42 (例如，熔融的金屬(諸如錫))的貯存器40。貯存器40流體連接至(即能夠供給燃料至)已經(jīng)在上文的圖3和4中顯示的且參考它們描述的導(dǎo)管30和噴嘴32。返回參考圖5，可以施加壓力(例如機(jī)械或流體壓力)至燃料42，以迫使通過噴嘴32噴射燃料42?？商娲睾?或另外地，可以設(shè)置電場或磁場以從噴嘴吸取燃料42 (例如從在噴嘴32處的彎液面等吸取液滴)。燃料液滴34的流顯示為具有與預(yù)期的等離子體形成位置10、12完全一致的理想軌跡。然而，液滴不總是具有這樣的軌跡。替代地，可能存在具有展度范圍50的軌跡或潛在軌跡52(潛在軌跡是可能的軌跡，但是其可能不總是在展度范圍內(nèi))。軌跡52的展度范圍50可能歸因于噴嘴32內(nèi)的污染物或流過噴嘴32的污染物，其可能導(dǎo)致軌跡的相對(duì)長期的緩慢地改變的變化(例如，如果污染物粘住在噴嘴32內(nèi)的位置)，或軌跡52的相對(duì)短期的快速改變的變化(例如由于流過噴嘴32的污染物或由于在噴嘴32處或噴嘴32附近的其它干擾)。最可能的是，軌跡52將由于噴嘴32的有效幾何構(gòu)型的變化而非?？焖俚馗淖兎较颍缫訧OOHz或200Hz或更高的頻率變化。這與也可能影響燃料液滴34的軌跡52的更加緩慢的變化狀況形成對(duì)比。例如，更加緩慢地改變的變化可能由系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)造成，例如熱漂移等，其可能導(dǎo)致噴嘴32的位置或方向變化。雖然未在圖中示出，但是可替代地或另外地，軌跡52的展度范圍可以與從噴嘴32抽取液滴34的方法相關(guān)聯(lián)。例如，如果電場等被用于從噴嘴32抽取液滴34，那么電場可以另外地引起這些液滴的軌跡略微發(fā)散(即展度范圍)，尤其是如果液滴流不穿過具有平行于所述流的磁通線的電場的情況(例如由于小的錯(cuò)位或系統(tǒng)漂移)?？商娲鼗蛄硗獾兀壽E52的展度范圍可能是由于噴嘴的磨損，其還可能導(dǎo)致其有效幾何構(gòu)型的變化。在典型的燃料流生成器中，可能已經(jīng)有在考慮和校正燃料流軌跡的緩慢地改變的變化的位置上的系統(tǒng)，例如由噴嘴的位置或方向的緩慢地改變的變化引起的。這些變化可能以每秒幾次地發(fā)生，或以更低的頻率發(fā)生。然而，這些系統(tǒng)不能校正由系統(tǒng)中的更加快速地改變的變化引起的軌跡的更高頻率的變化，該更加快速地改變的變化可能導(dǎo)致IOOHz或200Hz或更高的變化。簡單地說，在補(bǔ)償或校正較慢的變化的位置上的系統(tǒng)不具有針對(duì)于更高的頻率變化進(jìn)行校正所需要的帶寬。在圖5中，顯示出不同的軌跡52，結(jié)果是這些軌跡中的至少一些軌跡未到達(dá)或繞過等離子體形成位置10、12。雖然在圖2中被夸大，但是軌跡52的變化可能至少導(dǎo)致激光束等未如所期望的那樣擊中液滴，例如未擊中整個(gè)液滴(例如具有掠入射角)或不具有期望的入射角等。這可能導(dǎo)致比期望(即針對(duì)于給定的一組輸入?yún)?shù)產(chǎn)生的EUV輻射量)更低的轉(zhuǎn)換效率。因此，期望確保軌跡盡可能遠(yuǎn)(以及精確地)與期望的等離子體形成位置一致，以便最大化轉(zhuǎn)換效率或保持有效的以及一致的轉(zhuǎn)換效率。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，可以消除或緩解上述的問題。本發(fā)明提供了一種輻射源。所述輻射源包括配置成保持一體積的燃料的貯存器。還設(shè)置了噴嘴，其與貯存器流體連通且配置成沿著朝向等離子體形成位置(其可以被稱作為預(yù)期的等離子體形成位置或目標(biāo)位置)的軌跡引導(dǎo)燃料流。還提供了一激光器，且該激光器配置成將激光輻射引導(dǎo)到在等離子體形成位置處的所述流上，以在使用中產(chǎn)生用于產(chǎn)生輻射的等離子體。本發(fā)明與已有的輻射源(或更通常地，用于這樣的源中的流體流生成器)的區(qū)別在于設(shè)置有正透鏡布置，所述正透鏡布置配置成將總體上朝向等離子體形成位置來聚焦燃料流軌跡的至少潛在的展度范圍。術(shù)語“至少潛在的展度范圍”被包含，這是因?yàn)楸厝坏卦谑褂弥锌赡苡龅讲皇撬械能壽E都在展度范圍的極限內(nèi)。正透鏡布置包括電場產(chǎn)生元件和/或磁場產(chǎn)生元件，例如用于分別產(chǎn)生電場和/或磁場，用于聚焦軌跡的展度范圍。透鏡布置可以是靜電透鏡和/或靜磁透鏡。本發(fā)明尤其適合于校正軌跡方向的快速地改變的變化。這是因?yàn)?，根?jù)本發(fā)明，所述校正(其合計(jì)入聚焦)事實(shí)上是被動(dòng)的，且不需要任何類型的反饋回路或在線校正等。本發(fā)明還可以用于校正和調(diào)節(jié)軌跡的緩慢地改變的變化(或減小其的作用)，軌跡的緩慢地改變的變化可能歸因于系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)，例如熱漂移等，所述動(dòng)力學(xué)也可能導(dǎo)致噴嘴的位置或方向變化。因此，包含正透鏡布置可能解決當(dāng)前現(xiàn)有設(shè)備和方法不可解決的問題以及還解決當(dāng)前通過替代的方式解決的問題。這可能導(dǎo)致了燃料流生成器或輻射源的更加簡化的和/或更便宜的設(shè)計(jì)，或者，即使不能考慮高頻率(例如大于IOOHz或200Hz)變化和低頻(例如IOHz或更小的)變化兩者，也最少是能夠考慮至少軌跡的快速地改變的變化的設(shè)計(jì)。圖6顯示在圖5中顯示并參考圖5描述的相類似的流體流生成器。然而，圖6的流體流生成器現(xiàn)在設(shè)置有正透鏡布置60。正透鏡布置60定位在噴嘴32的下游，且在本實(shí)施例中，至少部分地圍繞燃料流的軌跡52的潛在的展度范圍。正透鏡布置60配置成朝向意圖的等離子體形成位置10、12將軌跡52的展度范圍聚焦。透鏡布置60的焦點(diǎn)將理想地與期望的等離子體形成位置10、12—致。正透鏡布置60使用電場和/或磁場來偏轉(zhuǎn)或以其他方式引導(dǎo)流體流來實(shí)現(xiàn)聚焦的功能。為了實(shí)現(xiàn)其，流體流(例如成分、絲、液滴或其的類似物)可能需要被充電。因此，充電配置可能還形成燃料流生成器的一部分(盡管未在圖中示出)，用于提供燃料流的充電。例如，電荷隧道可能提供所述充電?？商娲?，貯存器或噴嘴可以保持在升高的電位，以確保其中的燃料也保持在所述電位。在所述流之后離開噴嘴時(shí)，它將被充電?？蓪⒄哥R布置60描述成帶正電的粒子透鏡。存在許多這樣的帶電粒子的例子。帶電粒子透鏡可以例如是四極透鏡、孔徑透鏡、圓柱形透鏡或單透鏡(其是在下文更詳細(xì)地描述的圓柱形透鏡的特定例子)。單透鏡可能是優(yōu)選的，因?yàn)樵撏哥R將在不改變被聚焦的流的能量的情況下進(jìn)行聚焦。這樣的透鏡的精確類型和設(shè)計(jì)等不是本發(fā)明的主題。替代地，本發(fā)明在于將這樣的透鏡應(yīng)用于流體液滴生成器，以控制被這樣的生成器生成的流體流的軌跡的展度范圍。類似地，可以對(duì)流體流進(jìn)行充電的配置也不是本發(fā)明的主題，且將例如是流體液滴生成器的領(lǐng)域中公知的。結(jié)果，在此處沒有對(duì)充電所述流的配置進(jìn)行更詳細(xì)地描述。圖7示意性示出噴嘴32、潛在軌跡70的展度范圍的外部范圍以及所針對(duì)的等離子體形成位置10、12。還提供了正透鏡布置60，其將軌跡70的展度范圍聚焦至等離子體形成位置10、12。圖8顯示了噴嘴32的位置的緩慢的但是可能是長期的變化是怎樣影響軌跡70的展度范圍被聚焦所在的位置的?？傊?，可以看到，噴嘴32的位置72的變化被相對(duì)于等離子體形成位置10、12的預(yù)期位置74以大于I的倍數(shù)放大。這意味著，在考慮了軌跡70相對(duì)于等離子體形成位置的預(yù)期位置的聚焦點(diǎn)時(shí)，即使噴嘴32的位置或方向的小的偏移也將在下游被放大。這樣的放大可能使得更加難以用激光擊中燃料流，其可能導(dǎo)致整個(gè)輻射源的性能劣化?？商娲鼗蛄硗獾兀龇糯罂赡苁沟眯Ｕ到y(tǒng)更難于調(diào)整和校正噴嘴的位置或方向的這樣的偏移。圖9提供了在圖7和8中顯示的并在參考它們描述的問題的方案。通常，透鏡布置60現(xiàn)在配置成確保噴嘴32的位置或方向的變化被在等離子體形成位置10、12的預(yù)期位置處或相對(duì)于等離子體形成位置10、12的預(yù)期位置以小于I或等于I的倍數(shù)放大。在圖9中，這已經(jīng)通過確保透鏡布置60定位在比圖7和8中顯示的位置更下游但是同時(shí)比圖7和8中顯示的更寬和功率更大來實(shí)現(xiàn)。參考圖10，噴嘴32的緩慢但是可能是長期的位置變化又影響軌跡70的展度范圍被聚焦所在的位置。然而，可見，在考慮了軌跡70相對(duì)于等離子體形成位置10、12的預(yù)期位置74的聚焦點(diǎn)時(shí)，噴嘴32的位置72的變化被縮小。這意味著，軌跡70的展度范圍的聚焦位置的任何所形成的變化將比所述位移72更加靠近預(yù)期的等離子體形成位置10、12。因此，圖10中的布置比圖8中的布置對(duì)長期的緩慢的變化的漂移更不敏感。實(shí)現(xiàn)在圖9和10中顯示的并參考它們所描述的影響所需要的透鏡的配置可以通過移動(dòng)給定的透鏡布置中的一個(gè)或更多的元件或通過提供不同的透鏡布置(例如在更下游處)或通過適當(dāng)?shù)丶?lì)相同的透鏡布置的下游的部件來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)在圖9和10中顯示的并參考它們描述的原理，本發(fā)明可以用于校正和補(bǔ)償快速改變的軌跡方向(即通過聚焦)，而且還可以用于至少部分地校正和補(bǔ)償緩慢改變的系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)(例如熱漂移等)(或至少最小化其的作用)，緩慢改變的系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)可能導(dǎo)致噴嘴32的位置或方向變化?？商娲睾?或另外地(通常)，透鏡布置60的位置和/或方向可以是可控制的，用于控制聚焦點(diǎn)的位置。這可能導(dǎo)致不需要能夠提供用于補(bǔ)償噴嘴等的位置的漂移的獨(dú)立的設(shè)備，從而允許整個(gè)流體流生成器具有較少的部件。透鏡布置60的位置和/或方向可以是可通過透鏡布置或其的一個(gè)或更多的部件的物理移動(dòng)、和/或通過對(duì)透鏡布置所用的電場和/或磁場的幅度、形狀或總體配置控制的。圖11顯示透鏡布置的典型的配置，采用單透鏡的形式。透鏡布置包括沿著和圍繞流體流的軌跡的潛在展度范圍軸向地設(shè)置的三個(gè)圓柱形電極80，82，84。用于聚焦燃料流88的發(fā)散的軌跡的適合的電場86可以通過在透鏡的圓柱形電極80，82，84之間建立適合的電勢差來提供。在圖11中，在三個(gè)電極80，82，84的中心圓柱形電極82之間建立電勢差，以實(shí)現(xiàn)電極80，82，84內(nèi)的聚焦電場。該電勢差可以通過提供電壓90至中心電極82來建立，其保持剩余的外部電極80、84接地。當(dāng)然，其它的布置是可行的，例如在不同的電極80，82,84之間提供任何適合的電勢差(不一定是相對(duì)于零電位)?，F(xiàn)在提供了數(shù)值示例。外部圓柱體80、84可以是接地的，而中心圓柱體連接至例如1000V的靜態(tài)電壓(被選擇成這么低，是因?yàn)閹щ姷膱A柱體82和接地的圓柱體80、84之間的電勢擊穿)。帶電的液滴穿過由一組的接地圓柱形電極80、84和帶電的圓柱形電極82產(chǎn)生的場86的偏移速度由下式給出
權(quán)利要求
1.一種福射源，包括 貯存器，配置成保持一體積的燃料； 噴嘴，與貯存器流體連接并配置成沿著朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料流；激光器，配置成將激光輻射引導(dǎo)到在等離子體形成位置處的所述流上，以在使用中產(chǎn)生用于產(chǎn)生輻射的等離子體；和 正透鏡布置，配置成朝向等離子體形成位置將燃料流的軌跡的至少潛在的展度范圍聚焦，所述透鏡包括電場生成元件和/或磁場生成元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射源，其中透鏡布置配置成確保噴嘴的位置或方向變化被在等離子體形成位置的預(yù)期位置處或相對(duì)于等離子體形成位置的預(yù)期位置以小于或等于I的倍數(shù)放大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的輻射源，其中所述透鏡布置還配置成用作下述配置中的一個(gè)或更多個(gè)、或至少形成下述配置中的一個(gè)或更多個(gè)的一部分 用于從噴嘴抽取燃料的抽取配置； 用于將構(gòu)成燃料流的燃料加速的加速配置； 用于將構(gòu)成燃料流的燃料減速的減速配置；和 用于給構(gòu)成或?qū)?gòu)成燃料流的燃料充電的充電配置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的輻射源，其中所述透鏡布置能夠在所述一個(gè)或更多的配置之間切換。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的輻射源，其中所述透鏡布置能夠通過在下述部件之間施加適合的電勢差來進(jìn)行切換 透鏡布置的一個(gè)或更多的部件； 透鏡布置和噴嘴的一個(gè)或更多的部件；和/或 透鏡布置和充電布置中的一個(gè)或更多的部件。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的輻射源，其中控制器布置成在燃料流的一部分從噴嘴行至等離子體形成位置時(shí)執(zhí)行在所述配置中的一個(gè)或更多個(gè)配置之間的切換。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源，其中所述透鏡布置的位置和/或方向是能夠控制的，用于控制聚焦點(diǎn)的位置。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源，其中一個(gè)或更多的另外的正透鏡布置被沿著軌跡的潛在展度范圍提供和設(shè)置。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源，其中所述透鏡布置是靜電透鏡布置、靜磁透鏡布置和/或單透鏡。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源，還包括用于給構(gòu)成燃料流或?qū)?gòu)成燃料流的燃料充電的充電配置。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源，其中所述燃料流包括燃料液滴的流。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源，其中所述燃料是熔融的金屬。
13.一種流體流生成器，包括 貯存器，配置成保持一體積的流體； 噴嘴，與貯存器流體連接并配置成沿著朝向目標(biāo)位置的軌跡引導(dǎo)流體流；和 正透鏡布置，配置成朝向目標(biāo)位置將流體流的軌跡的至少潛在的展度范圍聚焦，所述透鏡包括電場生成元件和/或磁場生成元件。
14.一種光刻設(shè)備,包括 照射系統(tǒng)，用于提供輻射束； 圖案形成裝置，用于在輻射束的橫截面中將圖案賦予輻射束； 襯底保持裝置，用于保持襯底； 投影系統(tǒng)，用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上，和其中所述光刻設(shè)備還包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源或流體流生成器，或與根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的輻射源或流體流生成器相連接。
15.一種使燃料流生成器的帶電的燃料流的軌跡的潛在展度范圍會(huì)聚的方法，所述方法包括步驟 使用電場和/或磁場建立正透鏡；和使帶電的燃料流穿過正透鏡。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種輻射源，包括貯存器、噴嘴、激光器以及正透鏡。貯存器配置成保持一體積的燃料。噴嘴與貯存器流體連接并配置成沿著朝向等離子體形成位置的軌跡引導(dǎo)燃料流。激光器配置成將激光輻射引導(dǎo)到在等離子體形成位置處的所述流上，以在使用中產(chǎn)生用于產(chǎn)生輻射的等離子體。正透鏡布置配置成朝向等離子體形成位置聚焦燃料流的軌跡的至少潛在的展度范圍，透鏡包括電場生成元件和/或磁場生成元件。
文檔編號(hào)G03F7/20GK103019038SQ201210347809
公開日2013年4月3日 申請日期2012年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月23日
發(fā)明者H·G·希梅爾, J·F·迪克斯曼, D·蘭貝特斯基 申請人:Asml荷蘭有限公司