專利名稱：用于光蝕刻法的組合物和防反射涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請要求2011年9月21日提交的美國臨時申請61/537，097的權(quán)益，將該文獻(xiàn)的全部內(nèi)容通過參考并入本申請。本發(fā)明涉及組合物，尤其是涉及用于微電子應(yīng)用的防反射涂層組合物(例如，“BARCs”)。在該微電子工業(yè)中，一直需要這樣的組合物，其具有改善的對光致抗蝕劑聚合物的粘合性。
背景技術(shù)：
國際公開WO 2005/056682披露了含有硅聚合物和有機聚合物的乳液組合物。該有機聚合物通過一種或者多種烯鍵式不飽和有機單體的自由基聚合反應(yīng)形成，所述烯鍵式不飽和有機單體例如丙烯酸酯、丙烯酸甲酯、氟化的丙烯酸酯、氟化的甲基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸烯丙基酯、甲基丙烯酸二甲基氨基乙基酯，齒代乙烯，乙烯基酷，乙稀基芳族化合物，單竣酸的乙稀基酷，或者乙稀基卩比略燒麗。國際公開WO 2009/095521披露了使用每倍半硅氧烷分子具有變化數(shù)量(I至12)的可聚合雙鍵的單體將倍半硅氧烷結(jié)合到共聚物中。該線性交聯(lián)的共聚物披露為具有優(yōu)異的光學(xué)性質(zhì)和高水平的光穩(wěn)定性。日本專利文獻(xiàn)JP2004-309560披露了用于光刻的防反射膜，其含有聚合物，所述聚合物具有三烷基甲硅烷基結(jié)構(gòu)或者三烷氧基甲硅烷基結(jié)構(gòu)，和交聯(lián)劑。日本專利文獻(xiàn)JP04 -214385披露用于光敏性材料的填充材料的光屏蔽膜。該膜包括共混物，所述共混物由以下物質(zhì)組成:(A) 55-65重量份的直鏈，低密度PE，其具有“2.0-3.0g/10分鐘”的熔體流動速率，和“0.910-0.920g/cm3”的密度；(B) 35-45重量份的高密度PE，其具有“0.03-0.05g/10分鐘”的熔體流動速率，和“0.940-0.956g/cm3”的密度；和(C)2-10重量份的炭黑。日本專利文獻(xiàn)JP2004-354547披露了一種材料，披露為具有優(yōu)異的光學(xué)特性，耐熱性和可模塑性。該材料包括“梯形”聚倍半硅氧烷。美國專利7855043披露了含硅膜，其由可熱固化的組合物形成，所述組合物包括以下物質(zhì)=(A-1)通過可水解的硅化合物在酸催化劑存在下水解縮合獲得的含硅化合物，(A-2)通過可水解的硅化合物在堿性催化劑存在下水解縮合獲得的含硅化合物，(B)鋰、鈉、鉀、銣或銫的氫氧化物或者有機酸鹽，或者锍，碘鐵或者銨化合物，(C)有機酸,和(D)有機溶劑。該含硅膜披露為容許有效地圖案化疊置的光致抗蝕劑膜。美國專利7875417披露了一種含硅膜，其由可熱固化的組合物形成，所述組合物包括以下物質(zhì)=(A-1)通過可水解的硅化合物在酸催化劑存在下水解縮合獲得的含硅化合物，(A-2)通過可水解的硅化合物在堿催化劑存在下水解縮合獲得的含硅化合物，(B)Li,Na, K, Rb或者Ce的氫氧化物或者有機酸鹽,或者锍,碘鐵或者銨化合物，(C)有機酸，(D)環(huán)狀醚取代的醇，和(E)有機溶劑。該含硅膜披露為確保有效的圖案形成于基底上，有效地轉(zhuǎn)移光致抗蝕劑圖案，和精確地加工基底。
美國專利7868407披露了一種基底，其包括至少一種有機膜，在所述有機膜上的防反射有機硅樹脂膜，和在所述防反射有機硅樹脂膜上的光致抗蝕劑膜。所述防反射有機硅樹脂膜包含下層的有機硅樹脂膜和上層的有機硅樹脂膜，上層的有機硅樹脂膜具有比下層的有機娃樹脂膜低的娃含量。用于防反射膜和/或其它電子應(yīng)用的另外的組合物披露于以下文獻(xiàn)中:美國專利5621034，6268457，6824879，7385021，7417104，7485690 和 7655377 ；US 公開 2004/0253461,2005/0277756,2005/0277755,2005/0277058,2005/0274692,2005/0148380,2007/0238300,2007/0298349,2007/0298349,2007/0185298,2009/0148789,2010/0086872，2010/0285407 和 U.S.公開 2010/0210765 ;EP 1845132A2 ；EP 1614151B1 ；WO 2007/148223 ；W02009/088600 ；和 Rao et al., Molecular Composites ComprisingTi02 and Their Optical Properties, Macromolecules,2008,41,4838-4844。如所討論的，仍然需要用作防反射層組合物的組合物，并且其具有改善的對光致抗蝕劑聚合物的粘合性。還需要成本有效的組合物，其能夠使用旋涂方法形成為防反射層。這些需要和其它需要已經(jīng)通過以下發(fā)明得到了滿足。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種組合物，其包括至少以下的A和B:A)含有以下的結(jié)構(gòu)單元I的聚合物:其中
權(quán)利要求
1.一種組合物，其包括至少以下的A和B: A)含有以下的結(jié)構(gòu)單元I的聚合物: I其中
2.權(quán)利要求1的組合物，其中在結(jié)構(gòu)單元(I)中，X、Y、和Z各自獨立地選自氫或者Cl-ClO 烷基。
3.權(quán)利要求1或2的組合物，其中，在結(jié)構(gòu)單元(I)中，M是Cl至ClO亞烷基，CI至ClO亞芳基，或者C (O) O-W-,和W是Cl至C 10亞烷基。
4.前述權(quán)利要求中任一項的組合物，其中，在結(jié)構(gòu)單元(I)中，R’、R”、和R”’各自獨立地選自Cl至ClO脂族烴、Cl至ClO芳族烴、OH、OR、OC (O) R、或者OC (O) 0R，其中R是Cl至ClO脂族烴，或者Cl至ClO芳族烴，條件是R，、R”、和R”，中至少一個是OH、OR、OC (O) R，或者 OC(O) OR0
5.前述權(quán)利要求中任一項的組合物，其中，在結(jié)構(gòu)單元(I)中，X、Y、和Z各自獨立地選自氫，或者Cl至ClO烷基；和 M是Cl至ClO亞烷基，Cl至ClO亞芳基，或者C (O) O-W-,和W是Cl至ClO亞烷基；和R’、R”、和R”，各自獨立地選自Cl至ClO脂族烴、Cl至ClO芳族烴、OH、OR、OC (O) R、或者OC (O) 0R，其中R是Cl至ClO脂族烴，或者Cl至ClO芳族烴，條件是R，、R”、和R，，，中至少一個是 0H、0R、0C(0)R、或 者 OC(O) OR ;和P是10至1000的整數(shù)。
6.前述權(quán)利要求中任一項的組合物，其中，在結(jié)構(gòu)單元(I)中，X、Y、和Z各自獨立地選自氫!或者甲基；和 M是亞苯基或者C (O) O-W-,和W是Cl至C4亞烷基；和 R，、R”、和R”，各自獨立地選自O(shè)H、OR、OC (O) R、或者OC (0)0R，其中R是甲基，乙基，正丙基，2-丙基，正丁基，異丁基，或者2- 丁基；和 P是10至500的整數(shù)。
7.前述權(quán)利要求中任一項的組合物，其中結(jié)構(gòu)單元(I)具有以下結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu):
8.前述權(quán)利要求中任一項的組合物，其中結(jié)構(gòu)單元(I)是聚(3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基娃焼)。
9.前述權(quán)利要求中任一項的組合物，其中組分A的聚合物的Mw為約10，000至約。100,000ο
10.前述權(quán)利要求中任一項的組合物，其中所述第一組合物包括大于或者等于5wt%的Si，基于化合物F1、F2、F3和F4的總重量。
11.前述權(quán)利要求中任一項的組合物，其中化合物F2和化合物F4的總摩爾量為大于或者等于40mol%，基于化合物F1、F2、F3和F4的總摩爾數(shù)。
12.前述權(quán)利要求中任一項的組合物，其中化合物F4存在的量為大于10mol%，基于化合物F1、F2、F3和F4的總摩爾數(shù)。
13.包括至少一個由前述權(quán)利要求中任一項的組合物形成的組件的制品。
14.一種膜，其包括至少一個由權(quán)利要求1至12中任一項的組合物形成的層。
15.在基底上形成涂 層的方法，所述方法包括至少以下步驟:提供基底， 在該基底上形成底層，其中所述底層包括至少一種聚合物， 將權(quán)利要求1至12中任一項的組合物施涂到該底層上，和 使所述組合物固化形成涂層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種組合物，其包括至少以下的A和B:A)含有以下結(jié)構(gòu)單元1的聚合物，其中L是CX-CYZ，其中X，Y，和Z各自獨立地選自氫，烷基，或者取代的烷基；和M是亞烷基，亞芳基，取代的亞烷基，取代的亞芳基，或者C(O)O-W-，其中W是亞烷基或者取代的亞烷基；和R’，R”，和R”’各自獨立地選自芳族烴，脂族烴，或者取代的烴，其包括O，N，S，或者Si原子中的一個或者多個，條件是R’，R”，和R”’中的至少一個選自烷氧基，芳氧基，羥基，鹵素，羧基，或者碳酸酯；和p是1至10,000的整數(shù)；和條件是該聚合物不包括多面體低聚倍半硅氧烷(POSS)結(jié)構(gòu)；和B)由第一組合物形成的聚合物，所述第一組合物包括本申請中所述的化合物F1，化合物F2，化合物F3和/或化合物F4中的至少一種。
文檔編號G03F7/09GK103113827SQ201210355370
公開日2013年5月22日 申請日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月21日
發(fā)明者饒袁橋, R.L.奧格, C.W.基亞里, Y.N.斯里瓦斯塔瓦, C.P.沙利文 申請人:陶氏環(huán)球技術(shù)有限責(zé)任公司, 羅姆哈斯電子材料有限責(zé)任公司