用于高容量電子束光刻的方法
【專利摘要】本發(fā)明描述了一種通過電子束光刻系統(tǒng)形成圖案的方法。方法包括接收具有多邊形和禁止圖案的集成電路(IC)設計布局數(shù)據(jù)，使用電子鄰近校正(EPC)技術修改多邊形和禁止圖案，將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，將條紋化多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)，以及通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形寫到襯底上。條紋化修改的多邊形包括找到作為參考層的修改的禁止圖案，以及縫合修改的多邊形以避免縫合修改的禁止圖案。本發(fā)明還提供了用于高容量電子束光刻的方法。
【專利說明】用于高容量電子束光刻的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明一般地涉及半導體【技術領域】，更具體地涉及圖案化襯底的方法。
【背景技術】
[0002]半導體集成電路(IC)行業(yè)經(jīng)歷了快速發(fā)展。IC材料和設計的技術進步產(chǎn)生了多個IC時代，其中，每個時代都具有比先前時代更小且更復雜的電路。在IC演進過程中，功能密度(即，每芯片面積的互連器件的數(shù)量)通常增加，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝創(chuàng)建的最小部件(或線))減小。這種規(guī)?？s小工藝通常通過增加產(chǎn)量效率和降低相關成本來提供優(yōu)點。這種規(guī)模縮小也增加了處理和制造IC的復雜性，并且為了實現(xiàn)這些進步，需要在IC處理和制造的類似發(fā)展。
[0003]例如，光學光刻系統(tǒng)中的光衍射成為進一步縮小部件尺寸的障礙。用于降低光衍射影響的一般技術包括光學鄰近校正(OPC)、相移掩模(PSM)和浸沒式光學光刻系統(tǒng)。電子束光刻系統(tǒng)是縮小部件尺寸的另一選擇。然而，當使用電子束光刻系統(tǒng)時，制造產(chǎn)量是制造IC的一個挑戰(zhàn)。
[0004]因此，需要通過電子束光刻系統(tǒng)改善產(chǎn)量的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種圖案化襯底的方法，所述方法包括:接收包括具有多邊形和禁止圖案的圖案層的集成電路(IC)設計布局數(shù)據(jù)；使用電子鄰近校正(EPC)技術修改所述多邊形和所述禁止圖案；將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，其中，條紋化所述修改的多邊形包括:將修改的禁止圖案用作參考層，和通過避免縫合所述修改的禁止圖案來縫合所述修改的多邊形；將條紋化的多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)；以及通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形寫到襯底上。
[0006]在該方法中，通過所述EPC修改所述多邊形和所述禁止圖案包括在水平方向、垂直方向或者兩個方向上向/從所述多邊形和所述禁止圖案添加/減去偏移量。
[0007]在該方法中，所述偏移量為大約Onm到lOOOnm。
[0008]在該方法中，條紋化所述修改的多邊形包括:通過所述修改的多邊形和所述修改的禁止圖案來形成OR層。
[0009]該方法進一步包括:縫合所述修改的多邊形以及避免縫合所述OR層的所述禁止圖案。
[0010]在該方法中，條紋化所述修改的多邊形包括:通過所述修改的多邊形和所述修改的禁止圖案形成NOT層。
[0011]該方法進一步包括:通過避免縫合所述NOT層的所述禁止圖案來縫合所述修改的多邊形。
[0012]在該方法中，條紋化所述修改的多邊形包括:通過檢查所述禁止圖案來沿著條紋化邊界線設置縫合線。[0013]該方法進一步包括:如果所述條紋化邊界線橫跨所述修改的禁止圖案，則遠離所述條紋化邊界線移動所述縫合線。
[0014]在該方法中，條紋化所述修改的多邊形包括:沿著條紋間距邊界線縫合所述修改的多邊形。
[0015]該方法進一步包括:如果縫合點落在所述修改的禁止圖案上，則遠離所述條紋間距邊界線移動縫合線。
[0016]在該方法中,避免縫合所述禁止圖案包括:在遠離所述禁止圖案大約Onm到200nm處設置縫合線。
[0017]該方法進一步包括:如果所縫合的多邊形小于大約200nm，則將所縫合的多邊形合并為原始修改的多邊形。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種圖案化襯底的方法，所述方法包括:接收包括具有多邊形和禁止圖案的圖案層的集成電路(IC)設計布局數(shù)據(jù)；使用電子鄰近校正(EPC)技術修改所述多邊形和所述禁止圖案；將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，其中，條紋化所述修改的多邊形包括:找到所述禁止圖案作為參考層，利用所述參考層形成OR層或NOT層，和通過避免縫合所述OR層或所述NOT層的所述禁止圖案來縫合所述修改的多邊形；將條紋化的多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)；以及通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形與在襯底上。
[0019]在該方法中，避免縫合所述參考層的所述禁止圖案包括:移動縫合線遠離所述禁止圖案大約Onm到200nm。
[0020]該方法進一步包括:如果所縫合的多邊形小于大約200nm，則合并所縫合的多邊形以形成原始修改的多邊形。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種圖案化襯底的方法，所述方法包括:接收包括具有多邊形和禁止圖案的圖案層的集成電路(IC)設計布局數(shù)據(jù)；使用電子鄰近校正(EPC)技術修改所述多邊形和所述禁止圖案；將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，其中，條紋化所述修改的多邊形包括:找到所述禁止圖案作為參考層，和通過避免縫合所述參考層的所述禁止圖案來縫合所述修改的多邊形，其中，避免縫合所述參考層的所述禁止圖案包括移動縫合線遠離條紋化邊界線；將條紋化的多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)；以及通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形寫在襯底上。
[0022]該方法進一步包括:通過沿著所述條紋化邊界線檢查所述禁止圖案來設置所述縫合線，其中，如果所述條紋化邊界線沒有遇到所述禁止圖案，則所述縫合線疊加在所述條紋化邊界線上，或者如果所述條紋化邊界線遇到所述禁止圖案，則移動所述縫合線遠離所述條紋化邊界線大約Onm到200nm。
[0023]該方法進一步包括:沿著所述條紋化邊界線縫合所述修改的多邊形，以及如果縫合點落在所述參考層的所修改的禁止圖案上，則移動所述縫合點遠離所述條紋化邊界線大約 Onm 到 200nm。
[0024]該方法進一步包括:如果所縫合的多邊形小于大約200nm，則合并所縫合的多邊形以形成原始修改的多邊形。
【專利附圖】

【附圖說明】[0025]當結(jié)合附圖進行閱讀時，根據(jù)下面詳細的描述可以更好地理解本發(fā)明。應該強調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各種部件沒有被按比例繪制并且僅僅用于說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。
[0026]圖1示出了用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的電子束光刻系統(tǒng)的原理圖。
[0027]圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的電子束寫入系統(tǒng)中的集成電路(IC)設計數(shù)據(jù)流的流程圖。
[0028]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例的條紋化器件區(qū)的原理圖。
[0029]圖4是用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的電子束寫入系統(tǒng)中的兩個分區(qū)的邊界處的對接誤差的實例。
[0030]圖5是縫合用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的器件的實例。
[0031]圖6是縫合用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的器件的多邊形的流程圖。
[0032]圖7和圖8示出了縫合用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的器件的多邊形的實例。
[0033]圖9是合并用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的器件的多邊形的實例。
[0034]圖10是縫合用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的器件的多邊形的流程圖。
[0035]圖11示出了縫合用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的器件的多邊形的實例。
[0036]圖12是縫合用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的器件的多邊形的流程圖。
[0037]圖13示出了縫合用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的器件的多邊形的實例。
[0038]圖14是縫合用于實施本發(fā)明的一個或多個實施例的器件的多邊形的流程圖。
【具體實施方式】
[0039]以下發(fā)明提供了用于實施本發(fā)明的不同部件的許多不同的實施例或?qū)嵗?。以下描述部件和布置的特定實例以簡化本發(fā)明。當然，這些僅僅是實例并不打算限定。例如，以下描述中第一部件形成在第二部件上方或上可包括其中第一部件和第二部件以直接接觸的形式形成的實施例，并且也可包括其中額外的部件形成在第一部件和第二部件之間使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可以在各個實例中重復參考數(shù)字和/或字母。該重復是為了簡明和清楚的目的，而且其本身沒有規(guī)定所述各種實施例和/或結(jié)構(gòu)之間的關系。
[0040]現(xiàn)在參考圖1，電子束光刻系統(tǒng)100是能得益于本發(fā)明的一個或多個實施例的系統(tǒng)的實例。電子束寫入系統(tǒng)100包括電子源102、電子光學鏡筒104、電子束106、腔室108、泵單元110、載物臺112、襯底114和形成在襯底114上方的抗蝕膜116。然而，其他結(jié)構(gòu)和包含器件或省略器件是可能的。在本實施例中，電子束光刻系統(tǒng)也被稱為電子束寫入裝置(electron beam writer)或電子束寫入裝置(e-beam writer)。電子源102通過將導電材料加熱到很高的溫度或者通過將足夠強的電場施加給穿過功函勢壘(場發(fā)射源)的電子隧道來提供從導電材料中發(fā)射的多個電子，其中，電子具有足夠的能量克服功函勢壘并且脫離導電材料(熱電子源)。電子光學鏡筒104包括多個電磁光圈、靜電透鏡、電磁透鏡、成形偏轉(zhuǎn)器和單元選擇偏轉(zhuǎn)器；并且提供用于系統(tǒng)電子束106，諸如多個高斯斑電子束、多個可變成形電子束以及多個單元投影電子束。腔室108包括晶圓加載和卸載單元；并且當將晶圓加載到系統(tǒng)中和從系統(tǒng)中卸載晶圓時，提供晶圓傳輸，而無需中斷電子束光刻系統(tǒng)100的操作。泵單元110包括多個泵和過濾器；為電子束光刻系統(tǒng)100提供高真空環(huán)境。載物臺112包括多個電機、輥式導軌和工作臺；通過真空將襯底114固定在載物臺112上；并且在位于電子光刻系統(tǒng)100中的襯底114的聚集、調(diào)整(leveling)和曝光操作期間，提供襯底114在X、Y和Z方向上的準確位置和運動。
[0041]繼續(xù)本實施例，為了電子束106曝光，將沉積有抗蝕膜116的襯底114加載到載物臺112上。在本發(fā)明中，抗蝕劑也被稱為光刻膠、電子束抗蝕劑、抗蝕膜和光刻膠膜。襯底114包括晶圓襯底或者還體掩|旲襯底。晶圓襯底包括娃晶圓?？蛇x地或者另外地，晶圓可以包括:元素半導體，諸如鍺；化合物半導體，包括碳化硅、砷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦；合金半導體，包括 SiGe、GaAsP、AlInAs, AlGaAs, GaInAs, GaInP 和 / 或 GaInAsP。在又一可選實施例中，晶圓是絕緣體上半導體(SOI)。可以在晶圓上沉積多個導電的或者非導電的薄膜。例如，導電薄膜可以包括金屬，諸如鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、鉬(Pt)和這些金屬合金。絕緣體膜可以包括氧化硅和氮化硅。毛坯掩模襯底可以包括諸如石英、硅、碳化硅和硅氧化鈦氧化物的低熱膨脹材料。
[0042]現(xiàn)在參考圖2，方法200包括根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例使用電子束光刻系統(tǒng)100曝光沉積在襯底上的抗蝕膜。首先，方法200從步驟202開始，從設計者接收集成電路(IC)設計布局數(shù)據(jù)。設計者可以是獨立的設計室或者可以是根據(jù)IC設計布局數(shù)據(jù)制造IC產(chǎn)品的半導體制造廠(工廠)的部分。IC設計布局包括將要形成在襯底中的各種IC部件(也被稱為主部件)，諸如有源區(qū)、隔離區(qū)、柵電極、源極和漏極、用于接合焊盤的層間互連件和開口的金屬線或通孔。IC設計布局圖案包括多個圖案層。以⑶S文件格式表示典型的IC設計布局數(shù)據(jù)。在本發(fā)明中，部件也被稱為多邊形。方法200繼續(xù)至步驟204，其中，實施電子鄰近校正(EPC)工藝。電子束光刻系統(tǒng)100中的鄰近效應是指通過入射束的均勻曝光可以引起圖案區(qū)內(nèi)實際接收曝光的不均勻分布。電子束的不均勻分布是通過來自襯底的電子散射引起的。EPC是由于來自襯底的電子散射對臨界尺寸(CD)的補償工藝。EPC工藝可以包括尺寸偏差校正、形狀校正、劑量校正和背景劑量均衡(GHOST)校正。在步驟204中實施EPC之后，方法200繼續(xù)至用于條紋化工藝的步驟206。在步驟206的條紋化工藝中，EPC修改的設計布局數(shù)據(jù)劃分為多個條紋或者子區(qū)。子區(qū)可以進一步地劃分為多個次-子區(qū)。在本發(fā)明中，為了簡化，該子區(qū)也被稱為次-子區(qū)。步驟206還包括為每個條紋或者子區(qū)分配電子束。在步驟206的條紋化工藝之后，方法200繼續(xù)至用于執(zhí)行電子束數(shù)據(jù)工藝的步驟208。步驟208包括檢查帶狀的IC設計布局的誤差，然后將帶狀的IC設計布局數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)。步驟208還包括最小化要分配給條紋或子區(qū)的電子束之間的差異，諸如束劑量校正、束移動校正、束比例校正和束旋轉(zhuǎn)校正。在步驟208之后，方法200繼續(xù)至步驟210，其中，通過電子束光刻系統(tǒng)100將IC設計布局圖案寫到襯底上。在本發(fā)明中，將圖案寫到襯底上也被稱為用圖案化的電子束曝光襯底或掃描襯底。對于方法200的附加實施例來說，可以在方法200之前、期間和之后提供額外的步驟，并且可以替換、去除或者前后移動所述的一些步驟。
[0043]在如圖1所示的電子束光刻系統(tǒng)100中，例如，電子束106可以偏轉(zhuǎn)2um。為了寫區(qū)域或襯底，在將圖案寫到襯底上的過程中，使用多條電子束并且移動電子束光刻系統(tǒng)100的載物臺112。在本實施例中，載物臺112在Y方向移動并且同時電子束106在X方向偏轉(zhuǎn)。每條電子束106都覆蓋一個條紋或一個子區(qū)。在一個實施例中，例如，應用13，000條電子束寫區(qū)域尺寸為26X33mm的IC電路。
[0044]現(xiàn)在參考圖3，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，示出了條紋化器件300的實例。器件300包括區(qū)域302和多個條紋304。然而，器件的其他結(jié)構(gòu)是可能的。在本實施例中，區(qū)域302包括位于晶圓襯底上的掩模布局或者IC電路區(qū)域。如圖3所示，區(qū)域302被劃分為多個條紋304或者子區(qū)。每個條紋304都分配有一條圖案化的電子束。因此，通過多條圖案化的電子束掃描區(qū)域302。在電子束光刻系統(tǒng)100中，通過用多條圖案化的電子束逐條掃描襯底，將IC設計布局圖案直接寫在沉積在襯底上的抗蝕膜上。持續(xù)掃描直到整個襯底被圖案化為止。因為一些圖案延伸到條紋邊界或者子區(qū)邊界外部，所以可以在子區(qū)邊界處產(chǎn)生對接誤差。
[0045]現(xiàn)在參考圖4，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，示出了位于一個條紋邊界處或者一個子區(qū)邊界處的抗蝕劑圖案誤差400的實例。圖案402是預期圖案。圖案402橫跨兩個條紋。條紋邊界線404劃分兩個條紋。通過在兩個相鄰子區(qū)中兩條電子束掃描來形成圖案402。圖案406是通過兩條電子束掃描產(chǎn)生的實際最終圖案。如圖4所示，應該注意，圖案406可能包括⑶和重疊問題。
[0046]現(xiàn)在參考圖5，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例示出了縫合器件500的實例。器件500包括多邊形502a-b和禁止圖案504a_c。然而，其他結(jié)構(gòu)和包含或省略的器件是可能的。在本發(fā)明中，縫合器件也被稱為條紋化器件。在本發(fā)明中，多邊形502a-b可以包括金屬線，而禁止圖案(forbidden pattern) 504a_c可以包括連接層間金屬線的通孔或者接觸件。在一個實施例中，可以在形成多邊形502a-b之前或者形成多邊形502a-b之后形成禁止圖案504a_c。在另一個實施例中，可以在形成多邊形502a_b的相同層處形成禁止圖案504a_c。如圖5所示，多邊形502a和502b橫跨條紋邊界線506。條紋緩沖邊界線508分別位于條紋邊界線506的兩側(cè)。條紋邊界線506和條紋緩沖邊界線508之間的距離約為條紋寬度的10%，例如，大約0.2μπι。因此，條紋緩沖區(qū)的寬度為約0.4μπι。如圖5所示，如果沿著條紋邊界線506縫合器件500，則禁止圖案504b被劃分為兩個不同的條紋。分開的禁止圖案504b可以導致如圖4所示的⑶或者重疊問題。因此，縫合線510遠離禁止圖案504c移動以避免縫合禁止圖案504c。在一個實例中，縫合線510遠離條紋邊界線O到200nm。在本發(fā)明中，條紋的寬度和相關的緩沖區(qū)寬度不固定并且改變IC設計布局數(shù)據(jù)和工藝優(yōu)化。在這個實例中，條紋的寬度約為2um而緩沖區(qū)寬度約為條紋寬度的10%。
[0047]現(xiàn)在參考圖6，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，示出了縫合器件650的多邊形的方法600。圖7所示的器件650包括參考層的多邊形652和禁止圖案654、656和658。然而，器件的其他結(jié)構(gòu)是可能的。方法600從步驟602開始，其中，如圖7所示，找到器件650的參考層的多邊形652和禁止圖案654、656和658。方法600繼續(xù)至步驟604，其中，對于多邊形652或者對于禁止圖案654、656和658添加或者減去偏移量。在本實施例中，偏移量可以在大約O至IOOOnm范圍內(nèi)。偏移量可以在x(水平)方向，或在y(垂直)方向，或同時在X和y方向?？梢栽谌缭诜椒?00的步驟204中所示的EPC工藝中實施步驟604。方法600繼續(xù)至步驟606，其中，通過添加偏移多邊形652a和偏移禁止圖案654a、656a和658a來形成如圖8示出的OR層670。方法600繼續(xù)至步驟608，其中，在OR層670上設置縫合點。在本實施例中，如圖8所示，只要縫合點672a-c沒有設置在偏移禁止圖案654a、656a或658a上，縫合點就可以設置在縫合點672a、縫合點672b或者縫合點672c處。在一個實施例中，可以遠離條紋邊界線O至約200nm的范圍內(nèi)設置縫合點672a_c。方法600繼續(xù)至步驟610，其中，在縫合點672a、縫合點672b或者縫合點672c處縫合偏移多邊形652a。
[0048]如圖9所示，器件650的偏移多邊形662沒有與任何禁止圖案重疊。然而，多邊形662的一端鄰近條紋邊界線506。例如，在條紋邊界線506處縫合多邊形662并且生成了較小的縫合多邊形662a。因為較小的縫合多邊形662a，可以引起如圖4所示的對接誤差。因此，方法600繼續(xù)至步驟612，其中，評估縫合多邊形662a的尺寸。如果縫合多邊形662a的尺寸X小于或等于200nm，則方法600繼續(xù)至步驟614，其中，合并縫合多邊形662a以形成原始多邊形662。如果縫合多邊形662a的尺寸X大于200nm，則方法600繼續(xù)至步驟616，以完成縫合多邊形662。對于方法600的附加實施例，在方法600之前、期間和之后可以提供額外的步驟，并且替換、去除或者前后移動所述的一些步驟。
[0049]現(xiàn)在參考圖10，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，示出了縫合器件650的多邊形的方法700。方法700從步驟702開始，其中，如圖7所示，找到參考層的多邊形652和禁止圖案654、656和658。方法700繼續(xù)至步驟704，其中，對于器件650的多邊形652添加或者減去偏移量以形成偏移多邊形652b。步驟704也包括通過從器件650的參考層的禁止圖案654、656和658減去偏移量來形成NOT圖案654b、656b和658b。在本實施例中，偏移量的范圍可以為大約O到lOOOnm。偏移量可以在x(水平)方向，或在y (垂直)方向，或同時在X和y方向。方法700繼續(xù)至步驟706，其中，如圖11所示，通過偏移多邊形652b和NOT圖案654b、656b和658B來形成OR層750。OR層750包括偏移多邊形652b，和NOT圖案654b、656b和658b。方法700繼續(xù)至步驟708，其中，在OR層750上設置縫合點752a_c。在本實施例中，如圖11所示，只要縫合點752a-c沒有設置在NOT圖案654b、656b和658b上，縫合點就可以設置在縫合點752a、縫合點752b，或者縫合點752c。在一個實施例中，可以遠離條紋邊界線O至約200nm范圍內(nèi)設置縫合點752a_c。方法700繼續(xù)至步驟710，其中，縫合偏移多邊形652b。在步驟710之后，方法700繼續(xù)至步驟712，其中，如圖9所示，估計縫合多邊形662a的尺寸。如果縫合多邊形662a的尺寸X小于或等于200nm，則方法700繼續(xù)至步驟714，其中，合并縫合多邊形662a以形成原始多邊形662。如果縫合多邊形662a的尺寸X大于200nm，則方法700繼續(xù)至步驟716，以完成縫合多邊形662。對于方法700的附加實施例，在方法700之前、期間和之后可以提供額外的步驟，并且可以替換、去除或者前后移動所述的一些步驟。
[0050]現(xiàn)在參考圖12，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例，示出了縫合器件850的多邊形的方法800。如圖13所示的器件850包括來自參考層的多邊形852a-c和禁止圖案854a_i。然而，器件的其他結(jié)構(gòu)是可能的。方法800從步驟802開始，其中，找到如圖13所示的參考層的多邊形852a-c和禁止圖案854a-1。方法800繼續(xù)至步驟804，其中，形成縫合線860以縫合多邊形852a、852b和852c。步驟804包括沿著條紋邊界線506形成縫合線860。如果條紋邊界線506沒有橫跨禁止圖案，則縫合線860疊加在條紋邊界線506上。然而，如果條紋邊界線506橫跨禁止圖案，縫合線860遠離條紋邊界線506以避免縫合禁止圖案。例如，如圖13所示，條紋邊界線506跨禁止圖案854b，例如，縫合線860遠離條紋邊界線506移動O至大約200nm，以避免縫合禁止圖案854b。在一個實例中，條紋邊界線506沒有橫跨禁止圖案，當如圖13所示縫合多邊形852b時，縫合線860疊加在條紋邊界線506上。在另一個實例中，條紋邊界線506橫跨禁止圖案845h，如圖13所示，縫合線860遠離條紋邊界線506以避免縫合禁止圖案854h。
[0051]如圖12所示，在步驟804之后，方法800繼續(xù)至步驟806，其中，如圖13所示，通過縫合線860縫合多邊形852a-c。方法800繼續(xù)至步驟808，其中，估計如圖9所示的縫合多邊形的尺寸。如果縫合多邊形662a的尺寸X小于或等于約200nm，則方法800繼續(xù)至步驟810，其中，合并縫合多邊形662a以形成原始多邊形662。如果縫合多邊形662a的尺寸X大于約200nm，則方法800繼續(xù)至步驟812，其中，完成縫合多邊形662。對于方法800的附加實施例來說，在方法800之前、期間和之后可以提供額外的步驟，并且可以替換、去除或者前后移動所述的一些步驟。
[0052]現(xiàn)在參考圖14，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例示出了縫合器件850的多邊形的方法900。方法900從步驟902開始，其中，找到如圖13所示的參考層的多邊形852a-c和禁止圖案854a-1。步驟902也包括通過添加添加偏移量來調(diào)節(jié)參考層的多邊形852a_c和禁止圖案854a-1。偏移量可以添加在X(水平)方向，或在Y(垂直)方向，或在兩個方向。偏移量在O至大約IOOOnm的范圍。方法900繼續(xù)至步驟904，其中，如圖13所示，沿著條紋邊界線506縫合多邊形。同時，方法900繼續(xù)至步驟906，其中，檢查縫合點是否落在參考層的禁止圖案上。如果縫合點落在參考層的禁止圖案上，則方法900繼續(xù)至步驟908，其中，通過遠離條紋邊界線506移動來找到另一個縫合點，然后繼續(xù)至步驟904，其中，縫合多邊形?？p合點可以遠離條紋邊界線506移動大約O至200nm。如果縫合點沒有落在參考層的禁止圖案上，則方法900繼續(xù)至步驟910，其中，估計如圖9所示的縫合多邊形的尺寸。如果縫合多邊形662a的尺寸X小于或等于200nm，則方法900繼續(xù)至步驟912，其中，合并縫合多邊形662a以形成原始多邊形662。如果縫合多邊形662a的尺寸X大于200nm(該值隨緩沖區(qū)寬度變化)，則方法900繼續(xù)至步驟914，其中，完成縫合多邊形662。對于方法900的附加實施例，可以在方法900之前、期間和之后提供額外的步驟，并且可以替換、去除或者前后移動所述的一些步驟。
[0053]以上概述了條紋化IC電路的區(qū)域以曝光沉積在襯底上的抗蝕膜的若干實施例的特征。不同的實施例可以具有不同的優(yōu)點，并且沒有特定優(yōu)點是任何實施例都需要具備的。
[0054]因此，本發(fā)明描述了通過電子束光刻系統(tǒng)形成圖案的方法。方法包括:接收具有多邊形和禁止圖案的集成電路(IC)設計布局數(shù)據(jù)，使用電子鄰近校正(EPC)技術修改多邊形和禁止圖案，將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，將條紋化多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)，以及通過電子束寫入裝置將電子束曝光寫入格式化多邊形寫到襯底上。條紋化修改的多邊形包括找到作為參考層的修改的禁止圖案，以及通過避免縫合修改的禁止圖案來縫合修改的多邊形。通過EPC修改多邊形和禁止圖案包括向或者從多邊形或者禁止圖案在水平方向、或者垂直方向或者兩個方向上添加或者減去偏移量。偏移量包括大約O到lOOOnm。條紋化修改的多邊形包括由修改的多邊形和修改的禁止圖案形成OR層，以及通過避免縫合OR層的禁止圖案來縫合修改的多邊形。條紋化修改的多邊形包括通過由修改的多邊形和修改的禁止圖案形成NOT層，以及通過避免縫合NOT層的禁止圖案來縫合修改的多邊形。條紋化修改的多邊形包括通過檢查禁止圖案來沿著條紋邊界線設置縫合線，以及如果條紋邊界線橫跨修改的禁止圖案，則遠離條紋邊界線移動縫合線。條紋化修改的多邊形包括沿著條紋間距邊界線縫合修改的多邊形，以及如果縫合點落在修改的禁止圖案上，則遠離條紋邊界線移動縫合線。避免縫合修改的禁止圖案包括距離禁止圖案約O到200nm的位置處設置縫合線。方法進一步包括如果縫合多邊形小于200nm，則將縫合多邊形與原始修改的多邊形合并。
[0055]本發(fā)明還描述了通過電子束光刻系統(tǒng)形成圖案的方法。方法包括:接收具有多邊形和禁止圖案的集成電路(IC)設計布局數(shù)據(jù)，使用電子鄰近校正(EPC)技術修改多邊形和禁止圖案，將修改的多邊形條紋化成子區(qū)，將帶狀的多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)，以及通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形寫到襯底上。條紋化修改的多邊形包括找到作為參考層的禁止圖案，用參考層形成OR層或者NOT層，以及通過避免縫合OR層或者NOT層的禁止圖案來縫合修改的多邊形。避免縫合參考層的禁止圖案包括遠離禁止圖案移動縫合線大約O到200nm。方法也包括如果縫合多邊形小于200nm，則合并縫合多邊形以形成原始修改的多邊形。
[0056]在另一個實施例中，提出了通過電子束光刻系統(tǒng)形成圖案的方法。方法包括接收包括具有多邊形和禁止圖案的圖案層的集成電路(IC)設計布局數(shù)據(jù)，使用電子鄰近校正(EPC)技術來修改多邊形和禁止圖案，將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，將帶狀的多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)，以及通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形寫到襯底上。條紋化修改的多邊形包括找到作為參考層的禁止圖案，以及通過遠離條紋邊界線移動縫合線避免縫合參考層的禁止圖案來縫合修改的多邊形。條紋化修改的多邊形進一步包括通過沿著條紋間距邊界線檢查禁止圖案來設置縫合線。如果條紋邊界線沒有遇到禁止圖案，則縫合線疊加在條紋邊界線上，或者如果條紋邊界線遇到禁止圖案，則遠離條紋邊界線移動縫合線大約O至200nm。方法進一步包括沿著條紋邊界縫合修改的多邊形，以及如果縫合點落在參考層的修改的禁止圖案上，則遠離條紋邊界線移動縫合點大約O到200nm。方法也包括如果縫合多邊形小于200nm，則合并縫合多邊形以形成原始修改的多邊形。
[0057]以上概述了若干實施例的特征，使得本領域普通技術人員可以更好地理解本發(fā)明的多個方面。本領域普通技術人員應該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎來設計或更改其他用于達到與這里所介紹實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點的工藝和結(jié)構(gòu)。本領域普通技術人員也應該意識到，這種等效構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行多種變化、替換以及改變。
【權利要求】
1.一種圖案化襯底的方法，所述方法包括: 接收包括具有多邊形和禁止圖案的圖案層的集成電路(IC)設計布局數(shù)據(jù)； 使用電子鄰近校正(EPC)技術修改所述多邊形和所述禁止圖案； 將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，其中，條紋化所述修改的多邊形包括: 將修改的禁止圖案用作參考層，和 通過避免縫合所述修改的禁止圖案來縫合所述修改的多邊形； 將條紋化的多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)；以及 通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形寫到襯底上。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，通過所述EPC修改所述多邊形和所述禁止圖案包括在水平方向、垂直方向或者兩個方向上向/從所述多邊形和所述禁止圖案添加/減去偏移量。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述偏移量為大約Onm到lOOOnm。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，條紋化所述修改的多邊形包括:通過所述修改的多邊形和所述修改的禁止圖案來形成OR層。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，進一步包括:縫合所述修改的多邊形以及避免縫合所述OR層的所述禁止圖案。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，條紋化所述修改的多邊形包括:通過所述修改的多邊形和所述修改的禁止圖 案形成NOT層。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，進一步包括:通過避免縫合所述NOT層的所述禁止圖案來縫合所述修改的多邊形。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，條紋化所述修改的多邊形包括:通過檢查所述禁止圖案來沿著條紋化邊界線設置縫合線。
9.一種圖案化襯底的方法，所述方法包括: 接收包括具有多邊形和禁止圖案的圖案層的集成電路(IC)設計布局數(shù)據(jù)； 使用電子鄰近校正(EPC)技術修改所述多邊形和所述禁止圖案； 將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，其中，條紋化所述修改的多邊形包括: 找到所述禁止圖案作為參考層， 利用所述參考層形成OR層或NOT層，和 通過避免縫合所述OR層或所述NOT層的所述禁止圖案來縫合所述修改的多邊形； 將條紋化的多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)；以及 通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形寫在襯底上。
10.一種圖案化襯底的方法，所述方法包括: 接收包括具有多邊形和禁止圖案的圖案層的集成電路(IC)設計布局數(shù)據(jù)； 使用電子鄰近校正(EPC)技術修改所述多邊形和所述禁止圖案； 將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，其中，條紋化所述修改的多邊形包括: 找到所述禁止圖案作為參考層，和 通過避免縫合所述參考層的所述禁止圖案來縫合所述修改的多邊形，其中，避免縫合所述參考層的所述禁止圖案包括移動縫合線遠離條紋化邊界線； 將條紋化的多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)；以及通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形寫在襯底上 。
【文檔編號】G03F1/36GK103488042SQ201210365270
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2012年9月26日 優(yōu)先權日:2012年6月8日
【發(fā)明者】王宏鈞, 林子欽, 林家吉, 鄭年富, 陳政宏, 黃文俊, 劉如淦 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司